JP7346131B2 - 基板接合体の製造方法、液体吐出ヘッド用基板、および液体吐出ヘッド用基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数の基板を接合させた基板接合体の製造方法、及び、基板接合構造を有する液体吐出ヘッド基板及びその接合方法に関する。

近年、圧力センサーや加速度センサーなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）やマイクロ流体デバイスなどの機能デバイスの製造において、接着剤を介して基板同士を接合した基板接合体から構成されるデバイスが作製されている。その一例として液体を吐出する液体吐出ヘッドが挙げられる。

液体吐出ヘッドの例としてインクジェット記録ヘッドが挙げられる。インクジェット記録ヘッドは、インクを吐出するためのエネルギーを与えるエネルギー発生素子を有する基板を備える。また、基板表面上には吐出口形成部材が形成され、吐出口形成部材にはインクを吐出する吐出口が複数開口している。また、基板にはインクの流路としての貫通孔が形成され、貫通孔を通して基板の裏面側から表面側に向かってインクが供給される。貫通孔と吐出口とは連通しており、貫通孔を通過したインクはエネルギー発生素子から与えられる力により吐出口から吐出される。エネルギー発生素子としては、ヒータ素子のような通電加熱によりインクを沸騰させうる素子や、ピエゾ素子のような体積変化を利用して液体に圧力を加えうる素子が挙げられる。

インクジェット記録ヘッドは、インク流路が、互いに連通するように加工された貫通孔を有する基板同士を接着剤を介して接合して形成されている。

特許文献１には、液体を吐出するノズル開孔を含む流路が設けられ、接着剤を介して積層された複数の基板と流路内壁に原子層堆積法で形成される酸化タンタル等の薄膜を有するインクジェット記録ヘッドが開示されている。図１（Ａ）に、特許文献１に記載の基板接合体の概略断面図を示す。図１（Ａ）に示す基板接合体１５０は、第一の基板１５１と第二の基板１５２とが接着剤１５３を介して接合されたものである。基板接合体１５０は、第一の基板１５１と第二の基板１５２と第三の基板１５６とにわたって設けられたインク流路１５４を有し、第一の基板１５１にはインクを吐出する吐出口１５５が形成されている。インク流路１５４の内壁面には、内壁面から接着剤１５３上にわたって、原子層堆積法によって形成された酸化タンタル、酸化ハフニウム及び酸化ジルコニウムからなる群から選択される少なくとも一種の材料からなる保護膜１５７が設けられている。特許文献１には、このような構成をとることにより、基板同士を接着することが記載されている。

特開２０１４－１２４８８７号公報

図１（Ａ）に示す先行技術のような接着剤を用いた接合を行うと、接着剤１５３の塗布状態や接合条件によっては接合界面に不具合が発生することがある（図１（Ｂ）参照）。
多色印刷に対応するインクジェット記録ヘッドでは、一つのヘッド内に複数の色に対応したインク流路が隣接して配置されることがある。隣接する異なる色のインク流路間を遮る壁部の接合界面にボイド１６０が発生すると、ボイドを介して他色との混色が発生する場合がある。また、接着面積の小さな、異なる色のインク流路間を遮る壁部では、接着剤の溢れ１５８などにより、インク流路１５４を塞いでしまう問題も発生する場合がある。いずれも吐出性能や印字品質へ影響を及ぼす場合がある。

本発明は上記のような課題を鑑みてなされたものである。その目的は、接着剤による問題を解決した基板接合体の製造方法を提供することである。
また本発明の目的は、耐インク性が高く、且つ、接着不良の抑制された基板接合構造を有する液体吐出ヘッド用基板及びその製造方法を提供することである。

本発明の一態様は、複数の素子が形成されるウエハ状の基板であって、前記複数の素子の一部を形成する第１基板と、前記複数の素子の他部を形成する第２基板とを接合するウエハ状の基板の接合方法であって、前記複数の素子の形成される第１領域の外であって、前記複数の素子の取得が行われない、ウエハ外周部に接着剤を設けて、前記第１基板の第１領域と第２基板の第１領域とを非接触状態で仮接合する仮接合工程と、前記非接触状態の第１領域の前記第１基板と第２基板との対向面の間の隙間を埋めるように膜を形成して、該膜により前記第１基板と第２基板とを本接合する本接合工程と、を有することを特徴とする基板接合体の製造方法に関する。

また、本発明の別の態様は、液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路の組が複数形成されたウエハ状の第１基板と、前記第１基板の第１流路と連結されて流路を構成する第２流路が複数形成されたウエハ状の第２基板と、を接合して複数の液体吐出ヘッド用基板を形成する液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記複数の液体吐出ヘッド用基板の形成される第１領域の外であって、前記複数の液体吐出ヘッド用基板の取得が行われない、ウエハ外周部に接着剤を設けて、前記第１基板と前記第２基板との間の前記第１領域を非接触状態で仮接合する仮接合工程と、前記非接触状態の前記第１領域の間を埋め、前記第１基板の第１流路と前記第２基板の第２流路によって構成される流路の壁面に被着される膜を形成し、該膜により前記第１基板と第２基板を本接合する本接合工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法に関する。

さらに本発明の態様は、液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路を備えた第１基板と、前記第１基板の第１流路と連結されて流路を構成する第２流路を備えた第２基板と、を備えた液体吐出ヘッド用基板であって、前記第１流路を備えた第１基板と、前記第２流路を備えた第２基板とが対向する対向面の全ての領域間と、前記第１基板の第１流路と前記第２基板の第２流路によって構成される流路の壁面の全ての領域とに対して、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、およびＳｉからなる群より選択されるいずれかの元素の酸化物を含む膜もしくはポリパラキシリレン誘導体を含む膜のいずれかで構成された膜を備えたことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板に関する。

本発明によれば、有効領域に対向面の隙間を膜により埋めるように成膜することで接着剤を用いることなく、基板接合体の提供が可能となる。また、２枚以上の基板の接合体を含む液体吐出ヘッド用基板では、基板の接合とともに基板を貫通する流路壁部にも膜を形成することで、耐インク性が高く、且つ、接着不良に強い液体吐出ヘッド用基板が提供される。

従来の基板接合体の構造を示す断面図（Ａ）とその問題点を例示する断面図（Ｂ）である。 第一の実施形態の基板接合体を示す平面図（Ａ）と概略断面図（Ｂ）である。 第一の実施形態の基板接合体の製造工程を示す工程断面図である。 図３（Ｃ）の領域Ｇに示す非接合領域１４１における膜の成膜過程を示す拡大断面図である。 第二の実施形態の製造工程を示す工程断面図である。 図５（Ｅ）の領域Ｇに示す突起部付近の非接合領域１４１における膜の成膜過程を示す拡大断面図である。 第三の実施形態の製造方法を示す断面図である。 図８（Ｇ）の領域Ｇに示す突起部付近の非接合領域１４１における膜の成膜過程を示す拡大断面図である。

本発明にかかる基板接合体の製造方法を液体吐出ヘッド用基板を例に挙げて以下に説明する。

図２（Ａ）は、液体吐出ヘッド用基板１００の製造時のウエハ状の基板を例示する平面図であり、多数の素子（チップ）が形成される素子形成領域（第１領域ともいう）１３３が１枚のウエハ上に形成されている例を示している。また、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ-Ａ線で破断して示す概略断面図である。ウエハ外周部は素子の取得が行われない素子形成領域以外の領域（外郭領域ともいう）１３４を有する。本発明では、少なくとも２枚以上の基板を接合することにより、該基板中に配置形成される複数の素子を、切断により分割して個々の素子（チップ）とする基板接合体の製造方法について説明する。以下の説明では、２枚の基板（第１基板及び第２基板）を用いる場合について説明するが、３枚以上の基板の接合においても同様であり、そのための変更は当業者に容易に理解できるものである。

本発明に係る製造方法は、素子の一部を形成する第１基板と、素子の他部を形成する第２基板とを接合する基板の接合方法に関する。その際、素子の形成領域の外に接着剤を設けて、前記第１基板の一部の素子形成領域と第２基板の他部の素子形成領域とを非接触状態で接合する接合工程と、非接触状態の領域を埋めるように膜を成膜する成膜工程とを有する。具体的には、第１基板１３１上に、複数の素子が形成された第１領域１３３には、その領域内への、接着剤塗布を行わず、外郭領域１３４において接着剤１２３により第１基板と第２基板とを部分的に仮接合する。これにより図２（Ｂ）に示されるように、第１基板と第２基板の間には非接触状態の領域となる隙間１４１が形成されることとなる。この隙間に成膜法により膜材料を充填して本接合を行う。切断（ダイシング）により個々のチップに分割すると、得られたチップ（基板接合体）は成膜により形成された膜のみで第１基板と第２基板が接合されることとなる。

（第一の実施形態）
本発明にかかる液体吐出ヘッド及びその製造方法の第一の実施形態について、図を参照して説明する。図３（Ａ）～図３（Ｅ）は本実施形態にかかる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を、順を追って説明する工程断面図であり、図３（Ｅ）は液体吐出ヘッド用基板の完成図である。図３は、図２（Ｂ）に示す一つの素子形成領域（第１領域）１３３に相当する。

＜液体吐出ヘッド用基板の構造＞
図３（Ｅ）に示すように、本実施形態にかかる液体吐出ヘッド用基板は、第１基板１３１と第２基板１３２とが膜１２４を介して上下に接合された基板接合体１３０を有している。基板接合体１３０を構成する第１基板１３１の一面上には、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子１０７が形成されている。また、第１基板１３１の該一面上には、エネルギー発生素子１０７を駆動するための配線膜や、層間絶縁膜を含む表面メンブレン層１０３が形成されている。第１基板１３１の該一面上には、液体を吐出する吐出口１０１を形成する吐出口形成部材１１９が形成されている。吐出口形成部材１１９は、吐出口１０１が開口する天板１１７と、吐出口１０１に連通しエネルギー発生素子１０７から発生したエネルギーを液体に付与する圧力室１０２を形成する側壁１１８とから構成されている。なお、吐出口１０１および圧力室１０２は液体の流路の一種とみなすことができる。
基板接合体１３０には、液体の流路１１５が設けられており、流路１１５の内壁面上には膜１２４が、第１基板１３１と第２基板１３２にまたがって形成されている。膜の詳細については後述する。流路１１５は、第一の流路１１２、第二の流路１１３、及び第三の流路１１４から構成されている。第一の流路１１２は、一つの吐出口１０１に対応する圧力室１０２に接続される。第二の流路１１３は、液体吐出ヘッド内の複数の第一の流路１１２と接続し、各第一の流路１１２へ液体を分配する。第三の流路１１４は、第二の流路１１３に接続され、図示しない基板外部から液体を供給する。本実施形態においては、流路１１５のうち第一の流路１１２および第二の流路１１３が第１基板１３１に形成された第１流路、第三の流路１１４が第２基板１３２に形成された第２流路を構成している。第１流路と第２流路とが連結されて、液体吐出ヘッド用基板の流路が構成される。

＜液体吐出ヘッド用基板の製造方法＞
（１．第１基板と第２基板を準備する工程）
まず、図３（Ａ）に示すように、表面メンブレン層１０３とエネルギー発生素子１０７がフォトリソグラフィ工程により表面に形成された第１基板１３１を用意する。第１基板１３１としては、エネルギー発生素子１０７や配線膜を形成するのに適した各種の基板を用いることができる。第１基板１３１は、シリコン、炭化シリコン、窒化シリコン、ガラス（石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス）、アルミナ、ガリウム砒素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、およびアルミニウム合金からなる群より選択されるいずれかを含むことが好ましい。これらの中でも、第１基板１３１としてはシリコン基板が好適に用いられる。エネルギー発生素子１０７としては、電気熱変換素子や圧電素子が挙げられる。第１基板１３１を必要に応じ裏面側から薄化加工することができる。基板を薄化することで、貫通孔の加工精度が向上する。一方、薄化することで、基板強度が低下するため、貫通孔を精度よく加工した後に、複数の基板を接合して基板強度を高めている。また、基板を分けて加工した後に接合することで複雑な経路の加工にも対応できる。薄化加工する手段としては、研削やフッ硝酸などの薬液によるウエットエッチングが挙げられる。また、後述する第２基板１３２との接合工程において接合しやすいように、第１基板１３１の裏面を平滑化することが好ましい。平滑化する手段としては、番手の大きい砥石による研削、ドライポリッシュ、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による研磨、反応性ガスによるドライエッチング、およびフッ硝酸などの薬液によるウエットエッチングが挙げられる。

次に、第１基板１３１に第一の流路１１２及び第二の流路１１３を形成する。流路の形成手法としては、ドライエッチング、ウエットエッチング、レーザーアブレーション、およびサンドブラスト法が挙げられる。第１基板１３１の裏面側から基板の途中まで掘り、溝形状の第二の流路１１３を形成する。さらに、第１基板１３１の表面側から第二の流路１１３と連通するまで掘り進め、複数のホール形状の第一の流路１１２を形成する。第一の流路１１２及び第二の流路１１３の形状は前記形状に限定されるものではなくデバイスの必要に応じて最適な形状を選択することができる。また、それらを形成する順番も限定されるものではなく、第一の流路１１２を形成した後に第二の流路１１３を形成してもよい。

同様に、図３（Ｂ）に示すように、第２基板１３２を用意する。第２基板１３２の材料としては、第１基板１３１と同じものを使用可能である。特に第２基板としてはシリコン基板が好適に用いられる。第２基板１３２に関しても第１基板１３１と同様に、薄化加工や平滑化をすることができる。
続いて、第一の流路１１２及び第二の流路１１３と同様の手法で、第２基板１３２に貫通孔として第三の流路１１４を形成する。

（２．第１基板と第２基板を仮接合する工程）
次に、図３（Ｃ）に示すように、第１基板１３１と第２基板１３２が隙間１４１を保持しつつ固定された状態を形成する。基板固定については、図２に示す、第１基板１３１の接合する対向面１２１の第１領域１３３以外の外郭領域１３４に、図２（Ｂ）の断面図のように接着剤１２３を塗布し、第１基板１３１と第２基板１３２とを接着剤を介して接合する。その際、第一の流路１１２、第二の流路１１３、および第三の流路１１４が連通して流路１１５を構成するように位置合わせを行う。本実施形態においては、外郭領域１３４の一部にのみ接着剤１２３を塗布することで、第１領域１３３は第１基板１３１と第２基板１３２の対向面１２１と１２２が非接触状態となる領域（以下、隙間という）１４１を残して固定された状態となる。

後述する図４（Ａ）ないし図４（Ｄ）に示されるように膜で隙間１４１を閉塞するためには、図４（Ａ）に示されるように隙間の高さｈを所定の範囲内とすることが好ましい。例えば、高さｈは、狭い領域で１．０×１０^－２μｍ（１０ｎｍ）以上とすることが好ましく、広い領域でも６．０×１０^-１μｍ（６００ｎｍ）以下とすることが好ましい。隙間の高さｈは、本仮接合工程における製法のパラメータを最適化することにより制御することができる。具体的には、接着剤材料、接着剤の塗布厚さ、接合圧力、接合温度、および加圧時間を適切に制御することにより所望の高さｈとすることができる。

接着剤１２３としては、基板に対して密着性が高い材料が好適に用いられる。また、気泡などの混入が少なく塗布性が高い材料が好ましく、また接着剤１２３の厚さを薄くしやすい低粘度な材料が好ましい。接着剤１２３は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、およびウレタン樹脂からなる群より選択されるいずれかの樹脂を含むことが好ましい。接着剤１２３の硬化方式としては、熱硬化方式、および紫外線遅延硬化方式が挙げられる。なお、基板のいずれかに紫外線透過性がある場合は、接着剤を紫外線硬化させる方式も使用できる。

接着剤１２３を塗布する手法としては、公知の塗布法が制限なく適用可能であるが、フィルムによる接着剤転写法が好ましい例として挙げられる。具体的には、転写用フィルムを準備し、スピン塗布法により転写用フィルム上に接着剤を薄く均一に塗布する。第１基板１３１の第２基板との対向面１２１と転写用フィルムの接着剤層とを接触させることにより、接着剤層を第１基板１３１に転写し、その後、塗布した接着剤層の不要な部分を除去する事で、外郭領域１３４のみに接着剤を塗布することができる。転写用フィルムの大きさとしては、第１基板１３１と同寸法以上であることが好適である。

基板同士の仮接合は、接合装置内で所定の温度まで基板を加温した後、所定の時間及び圧力で加圧することで行う。これらの接合パラメータは接着剤材料に応じて適切に設定される。また、接合部への気泡の混入を抑制することから真空等減圧下で仮接合することが好適である。
接着剤１２３が熱硬化型の場合は接合装置内で硬化するまで加温させてもよい。また、基板接合体を仮接合後に取り出して、別途オーブンなどで加温することで硬化を促進させてもよい。接着剤１２３が紫外線遅延型の場合、接合前に予め接着剤１２３に紫外線を規定量で照射した後に仮接合する。仮接合後、基板接合体をさらに加温することで十分に硬化を促進させることが好ましい。接着剤１２３が紫外線硬化型の場合は、基板同士の仮接合後に紫外線透過性を有する基板越しに接着剤１２３へ紫外線を規定量で照射して硬化させる。仮接合後、基板接合体をさらに加温することで十分に硬化を促進させることが好ましい。

（３．膜を形成する（本接合）工程）
図３（Ｄ）に示すように、隙間１４１を閉塞するように膜１２４を形成する。同図に示すように、第１基板１３１と第２基板１３２の流路内壁に膜１２４が被着される。同時に第１基板１３１と第２基板１３２の隙間１４１に、膜１２４を形成する。膜１２４は、隙間１４１を閉塞するように形成することが好ましい。隙間を閉塞するように膜を形成するとは、図４（Ａ）～（Ｄ）に示すような過程で隙間１４１内に膜１２４が隙間なく形成され、その膜によって流路側から見たときに隙間が埋められ、基板は膜１２４で接合された状態となることを表す。図４（Ａ）～（Ｄ）は図３（Ｃ）のＧ部分の拡大図を示している。
膜１２４によって隙間１４１が閉塞された様子を図４（Ｄ）に示す。このように、膜１２４が、第１基板１３１の対向面１２１と第２基板１３２の対向面１２２との間に挟まれた状態であり、膜１２４は基板に対する密着力が高いため、膜１２４に応力が生じたとしても膜１２４の剥がれが生じにくい。

膜１２４の成膜方法としては、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ法）が好ましい。ＡＬＤ法では膜を形成するために、原料の飽和吸着→残留原料の完全排気→反応ガスによる酸化等の反応→残留ガスの完全排気を１サイクルとして、所望の膜厚までサイクルを繰り返し行い、成膜を行う。
この成膜法であれば、ガス流量などの影響を受けづらく、膜均一性、膜再現性を確保することができる。
ＡＬＤ法による成膜は、基板への原料の飽和吸着を利用するため、複雑形状に対しても成膜性が良いとされている。

本製造方法でも、加温された真空チャンバー内で、ガス化した原料（プリカーサ）を基板全域に等方性に付着させる工程と、プリカーサを必要量基板に付着させた後、余分なプリカーサを排気する工程とが行われる。その後、反応ガスである水分子を送り込み、基板表面に付着したプリカーサ分子と水分子を反応させ、排気することで、一分子層程度の目的の膜１２４を基板表面に吸着させる。このサイクルを数百回から数千回繰り返し行うことで、必要な厚みに膜１２４を積層し形成している。
このとき、基板表面に存在するヒドロキシル基に対して、プリカーサ内の官能基が吸着し、官能基がヒドロキシル基から水素原子を奪い揮発性分子として脱離する。その後、残された酸素原子とプリカーサ内の元素とが共有結合により結合する。そして、排気工程では、堆積工程で基板表面に吸着しきれずにチャンバー内に滞留している分子を排気する。

ＡＬＤ法では、共有結合により強固な結合が形成されるため、密着力が高い膜を形成することができる。また、ＡＬＤ法では、分子の平均自由行程が大きく無指向であるため、高アスペクト比を持つ溝や穴に対して膜の付きまわり性が良い。そのため、流路側から隙間１４１内へ膜を形成する原料が入り込み、隙間内部の壁全体に、均一な膜を形成することができる。ＡＬＤ法であれば、隙間１４１を形成している対向面１２１と１２２の双方から図４（Ａ）のように膜を形成していくことが可能である。また、一原子層程度の膜を繰り返し堆積させていくことで図４（Ａ）から図４（Ｄ）に示す膜堆積過程のように、隙間１４１内を膜１２４がほぼ充填し一体化していく。

接合部の内部では、一部、成膜レートや成膜分布などにより空間１４２が発生する場合があるが、閉塞した部分の膜が強固に基板と密着しているため、膜の剥がれが生じにくい。
膜の形成方法は、隙間への膜の付きまわり性が良好であれば、ＡＬＤ法以外の成膜手法も使用可能である。例えば、熱ＣＶＤ、Ｃａｔａｌｙｔｉｃ－ＣＶＤなどのＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。また、真空蒸着法も使用できる。これらの成膜手法は、ＡＬＤ法と比較して膜の付きまわり性は劣るものの、成膜レートが高く、炭素、水素、水などの不純物が少ない膜を形成することができる。

膜１２４は耐液性を有し液体に暴露されても比較的安定であり、流路１１５に充填される液体から基板を保護する機能を持つ。膜１２４は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、およびＳｉからなる群より選択されるいずれかの元素の、単体、酸化物、窒化物または炭化物を含むことが好ましい。これらの中でも、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、およびＳｉからなる群より選択されるいずれかの元素の酸化物を含むことが好ましい。

また、膜材料として有機膜を用いることができ、ポリパラキシリレン樹脂（「パリレン」ともいう）を使用することができる。ポリパラキシリレン樹脂の膜は、例えば、（２，２）－パラシクロファン化合物を原料ガスとしてＣＶＤ法で成膜することで形成することができる。また、パラキシリレンモノマーをダイマー化した後、このダイマー（ジパラキシリレン）を加熱・気化して、さらに熱分解により安定なラジカルとし、素材上に吸着、重合させることでポリパラキシリレン膜を得ることができる。

また、図４（Ｄ）に示されるように、流路の内壁面に形成される膜の厚さをｔとしたとき、ｈ＜２ｔの関係を満たすように隙間１４１の高さｈを調節する。通常、第１基板１３１の対向面１２１と第２基板１３２の対向面１２２に対して、膜１２４は同じ厚さで成膜されていくため、厚さｔの２倍の値がｈの値より大きければ膜を閉塞できると考えられるためである。ｔとｈはｈ≦ｔの関係を満たすことがより好ましい。
隙間内における膜と基板との間の密着力をより高めるためには、基板間に設けられた隙間を膜によって空隙なく埋めることが好ましい。

（４．吐出口形成部材を形成する工程）
次に、図３（Ｅ）に示すように、基板接合体１３０上に天板１１７と流路壁１１８からなる吐出口形成部材１１９を形成する。まず、フィルム基材上に光硬化性樹脂が塗布されたドライフィルムレジストを、基板接合体１３０上に貼り合わせる。その後、ドライフィルムレジストを露光することによって、圧力室１０２となるように流路壁１１８をパターニング（潜像化）し、次に、ドライフィルムレジストを用いて同様に、吐出口形成部材の天板１１７に吐出口１０１が形成できるようパターニングする。最後に、現像することによって吐出口１０１および圧力室１０２を形成し、基板接合体を含む液体吐出ヘッド用基板が完成する。ドライフィルムレジストとしては、露光部が現像液に溶解するポジ型と、露光部が現像液に不溶となるネガ型のいずれも使用できるが、ネガ型であることが部材の安定性の観点からより好ましい。

その後、各素子（チップ）にダイシングする。ダイシング方法としては特に限定されず、公知の方法がいずれも採用できる。ダイシングにより接着剤１２３で接合された外郭領域は除去され、チップとして切り出した素子は膜１２４のみで接合された基板接合体となる。また、ダイシングされる領域は、素子間が大きく隔離されているために、大きな空隙１４２が形成されることがあるが、空隙１４２を除去するようにダイシングを行うこともできる。さらに、ダイシングされる領域にダミーの貫通孔（ダミー孔という）を形成しておき、ダミー孔を介して膜１２４を成膜することで大きな空隙１４２の形成を抑制することもできる。

（第二の実施形態）
本発明にかかる基板接合体の製造方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法の第二の実施形態について、図を参照して説明する。図５（Ａ）～図５（Ｅ）は本実施形態にかかる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を、順を追って説明する工程断面図である。なお、本実施形態の説明においては、第一の実施形態と異なる点について重点的に述べるものとし、第一の実施形態と同様の工程は説明を省略する。

（１Ａ．第１基板を準備する工程）
図５（Ａ）に示すように、第一の実施形態と同様に、第１基板１３１を加工して流路１１２及び流路１１３を形成する。

（１Ａ’．段差加工工程）
本実施形態では、第一の実施形態とは異なり、第１基板の対向面１２１は、それぞれ第一の対向面１２１ａと第二の対向面１２１ｂとの段差形状を有し、第二の流路１１３間に第二の対向面１２１ｂを有する凸部１２６が形成された状態となっている。対向面１２１をこのような段差形状に加工するには次のような方法が挙げられる。まず、第二の流路１１３が形成された第１基板１３１の対向面１２１（図３（Ａ）参照）に対してエッチングマスクを形成する。第二の流路１１３のような大きな開口がある面に対してエッチングマスクを形成する手段としては、ドライフィルム上に加工したレジストを該面にラミネートして転写する方法が好ましい。また、第二の流路１１３を形成する前に、予め第一の基板１３１の対向面１２１に第一の対向面１２１ａを加工するためのエッチングマスクを形成しておいてもよい。エッチングマスクとしては、熱安定性が高く、且つ、第二の流路１１３の加工プロセスに対して安定である材料が好適である。そのような材料としては、公知のレジスト材料や、剥離液に対して不溶である有機樹脂、および気相成長法で成膜したシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの無機膜が挙げられる。続いて、エッチングマスク越しに基板をエッチングして、第一の対向面１２１ａを形成する。その後、エッチングマスクを剥離液や酸素プラズマアッシング、ドライエッチングなどの手法により除去する。この時、流路の内壁面や対向面の表面に付着したエッチング堆積物を除去するため、エッチング堆積物用の剥離液を用いて基板接合体を洗浄してもよい。

（１Ｂ．第２基板を準備する工程）
次に、図５（Ｂ）に示すように、第２基板１３２を用意する。第二の基板１３２については、第一の実施形態と同様に貫通孔として第三の流路１１４を形成する。

（２．第１基板と第２基板を仮接合する工程）
次に、図５（Ｃ）に示すように、第一の実施形態と同様に第１基板１３１と第２基板１３２が隙間１４１を持ち、接着剤で固定（仮接合）された基板を形成する。隙間１４１の間隔は広い部分（図６（Ａ）に示す高さｈ２の部分）が第一の実施形態で説明した高さｈの好ましい範囲内となるように形成する。

（３．膜を形成する工程）
図５（Ｄ）に示すように、第一の実施形態と同様の方法により膜を形成する。
図５（Ｃ）の領域Ｇの拡大工程図を図６（Ａ）～（Ｄ）に示す。流路の内壁面に形成される膜１２４の厚さをｔとし、図６（Ａ）に示す基板隙間１４１は、第２基板の対向面１２２と第１基板の第二の対向面１２１ｂとの間の高さｈ１と、第２基板の対向面１２２と第１基板の第一の対向面１２１ａとの間の高さｈ２とを有する。ここで高さｈ１とｈ２は、ｈ１＜ｈ２の関係を有し、図６（Ｄ）で示すように膜１２４の膜厚ｔに対して、第一の対向面１２１ａではｈ２＜２ｔを満たすことが好ましい。さらに、同図に示すように、第二の対向面１２１ｂでは、ｈ１＜ｔとなっていることが好ましい。通常、第一の対向面１２１ａと対向面１２２の間の高さｈ２の隙間に対して、同じ厚さで成膜されていくため、厚さｔの２倍の値が隙間の高さｈ２より大きければ膜１２４で隙間を閉塞できると考えられるためである。

この形態により、図６（Ａ）～（Ｄ）に示すような過程で高さｈ１の基板内部側は高さｈ２の流路端部側より先に閉塞され、基板内部に発生しやすいボイドの発生が抑制される。なお、隙間内における膜と基板との間の密着力をより高めるためには、隙間内の膜によって閉塞されている領域を増やすことが好ましく、第二の実施形態による方法は密着力を高めるのに適している。

（４．吐出口形成部材を形成する工程）
その後、図５（Ｅ）に示すように、第一の実施形態と同様に基板接合体１３０上に吐出口形成部材１１９を形成して、液体吐出ヘッド用基板が完成する。
本実施形態では第１基板１３１の対向面１２１に段差（凹凸）を形成する例を説明したが、第２基板１３２の対向面１２２に段差を形成してもよく、両対向面１２１及び１２２に段差を形成してもよい。すなわち、第１基板および第２基板の対向面の少なくとも一方に段差を有することができる。

（第三の実施形態）
本発明にかかる基板接合体の製造方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法の第三の実施形態について、図を参照して説明する。なお、本実施形態の説明においては、第二の実施形態と異なる点について重点的に述べるものとし、第二の実施形態と同様の工程は説明を省略する。

（１Ａ．第１基板と第２基板を準備する工程）
図５（Ａ）及び（Ｂ）までは、第二の実施形態と同様に対向面に段差を設けた第１基板と第２基板とを準備する。なお、第１基板では段差形成の際に用いたマスクを省略していたが、本実施形態では段差形成の際に用いたマスクを用いて説明する。

（１Ｂ．第１基板と第２基板の流路壁面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程）
図７（Ａ）～（Ｃ）は、第１基板１３１の第一の流路１１２、第二の流路１１３の壁面及び段差の間隔の広い領域、すなわち第一の対向面１２１ａに酸化膜を形成する工程を示し、第二の対向面１２１ｂにマスク１６２ａが形成されている。また、第1基板１３１の素子形成面を保護する保護テープ等の保護部材１６１ａを設けている（図７（Ａ））。次に、酸素プラズマ等を用いたアッシング処理により、露出する基板面を酸化処理して酸化膜１２５ａを形成する。第1基板１３１がシリコン基板である場合、酸化シリコン膜が形成される（図７（Ｂ））。酸化膜１２５ａの厚みは、第一の対向面１２１ａと第二の対向面１２１ｂとの段差が残る程度の厚みであればよい。その後、マスク１６２ａ及び保護部材１６１ａを除去する（図７（Ｃ））。
同様に、図７（Ｄ）～（Ｆ）は、第２基板１３２に酸化膜１２５ｂを形成する。図７（Ｄ）に示すように、第二の対向面１２１ｂと対向する対向面１２２には酸化膜が形成されないようにマスク１６２ｂを配置する。また、対向面１２２の反対面に保護部材１６１ｂを設けている。対向面１２２の反対面に酸化膜を形成してもよい場合は、保護部材１６１ｂを設けずに酸化処理を行えばよい。図７（Ｂ）と同様に酸素プラズマアッシングによる酸化処理により酸化膜１２５ｂを形成（図７（Ｅ））した後、マスク１６２ｂ及び保護部材１６１ｂを除去する（図７（Ｆ））。

（２．第１基板と第２基板を仮接合する工程）
次に、図７（Ｇ）に示すように、第一の実施形態と同様に第１基板１３１と第２基板１３２が隙間１４１を持ち、接着剤で固定（仮接合）された基板を形成する。

（３．膜を形成する工程）
図８（Ａ）～（Ｄ）は図６（Ａ）～（Ｄ）と同様に隙間１４１にＡＬＤ法により膜１２４が形成される過程を示す部分拡大断面図であり、図７（Ｇ）の領域Ｇに相当する。
第１基板１３１と第２基板１３２の隙間１４１では、接合領域の端面から基板接合体の内部へ向かう方向に、プリカーサの供給量が少なくなり、接合領域の端面から基板接合体の内部へ向かう方向に膜厚差が生まれ易い。特に隙間の狭くなる第二の対向面１２１ｂと対向面１２２とのｈ１の高さの隙間において、その傾向が強くなる。その結果、接合領域の端面から基板接合体の内部へ向かう方向の流路端部側より先に閉塞され、基板内部にボイドが発生しやすくなる。これを解消するため、接合領域の端面に近い対向面に酸化膜１２５を形成する事で、酸化膜１２５上ではプリカーサの吸着量が少なくなり、内部の接合面上では通常どおり成膜が行われるため成膜レートに差が発生する。これにより膜が基板内部から閉塞するため、基板内部に空隙１４２の発生がさらに抑制される。

（４．吐出口形成部材を形成する工程）
その後は、第一の実施形態と同様に基板接合体１３０上に吐出口形成部材１１９を形成して、液体吐出ヘッドが完成する。
以上、第一～第三の実施形態では、２枚の基板を接合した基板接合体について説明しているが、接合する基板の枚数は２枚に限定されず、３枚以上でもよい。また、第二の流路１１３と第三の流路１１４とは同幅である場合で説明したが、これに限定されず、それぞれが異なる幅であったり、第三の流路１１４の一部が閉塞されていたり、フィルタ状に加工されていてもよい。いずれにしても、基板接合体として一方の面から反対の他方の面に液体が流通できる経路が形成されていればよい。

以下、実施例を参照して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されず、本発明の範囲内で当業者は適宜変更することができる。

（実施例１）
第１基板１３１として、８インチシリコン基板（厚さ：７３０μｍ）の表面（ミラー面）上にアルミの配線、酸化シリコン薄膜の層間絶縁膜、窒化タンタルのヒータ薄膜パターン、外部の制御部と導通させるコンタクトパッドを形成したものを用意した（図３（Ａ））。第１基板１３１の表面に厚さ１８０μｍの紫外線硬化テープを保護テープとして貼り合わせ、第１基板の裏面を研削装置によって基板厚さが５００μｍになるまで薄化加工した。その後、研削した面を平滑化するためにＣＭＰ装置によって研磨した。研磨は、コロイダルシリカを主成分とするスラリーとポリウレタン系の研磨パッドを用いて行った。その後、アンモニア８質量％、過酸化水素水８質量％、純水８４質量％の混合液からなる洗浄液を用いて研磨面を洗浄してスラリーを除去した。

次に、第二の流路１１３を形成するためのマスク（不図示）を形成した。まず、ポリアミド樹脂をスピン塗布法によって厚さ２μｍで基板裏面全体に塗布し、２５０℃１時間の熱処理によって硬化させた。その後、ノボラック系レジストをその上に塗布し、両面アライメント露光装置により露光をし、現像装置によって現像してレジストをパターニングした。レジスト越しにＯ_２ガスとＣＦ_４ガスを放電させたプラズマを用いてドライエッチングを実施し、所望のマスク形状に加工した。エッチング後、レジストを除去し、ポリアミド樹脂からなるマスクが完成した。

次に、第二の流路１１３となる溝をエッチングにより形成した。エッチングには、ＳＦ_６ガスによるエッチングとＣＦ_４ガスによる堆積を繰り返すボッシュプロセスを用いた。平均の溝深さが３００μｍになったところでエッチングを停止した。保護テープに紫外線を照射して除去した後、ヒドロキシルアミンを主成分とする剥離液でレジストやエッチング堆積物を除去した。

次に、第１基板の裏面に保護テープを貼り合わせ、上記と同じ手段で表面にレジストマスクを形成し、基板の表面側から複数のホールから構成された第一の流路１１２をドライエッチングにより形成した。エッチング後、保護テープを除去し、剥離液によりレジストや堆積物を除去した。

次に、第二の基板として、厚さ５００μｍのシリコン基板を準備した（図３（Ｂ））。第二の基板の表面（ミラー面）に保護フィルムを張り合わせ、裏面にレジストマスクを形成し、第三の流路１１４をボッシュプロセスにより形成した。その後、保護フィルムを剥離し、レジストと堆積物を剥離液により除去した。

次に、図２に示すように第１基板の裏面に接着剤１２３を配置した。接着剤１２３としてはエポキシ系の感光性樹脂を使用し、基板裏面全体に第二の流路１１３を埋めるようにテンティングを行い形成した。

次に、露光マスクを使用し、外郭領域１３４の接着剤１２３に対してパターンを露光した。

次に、接着剤１２３の未露光部を、現像液を用いて現像処理することで除去した。現像液としてはＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールメチルエーテルアセテート）、リンス液としてはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いた。現像方法としては枚葉スピン現像を用いた。

次に、第１基板１３１と第２基板１３２を接着剤１２３を介して仮接合した基板接合体１３０を得た（図３（Ｃ））。隙間１４１の高さｈは０．５μｍとなるように接着剤１２３の厚み及び接合条件を適宜設定した。

続いて、ＡＬＤ装置によって基板接合体の流路の内壁面に膜１２４を形成した。本実施例では膜１２４としてＴｉＯ膜を厚さ０．３μｍで隙間を閉塞するように形成した。具体的には、Ｔｉプリカーサとして四塩化チタン（蒸気）を輸送用窒素ガスと共に１．１ｓｌｍの流量で装置の成膜空間に導入し、成膜空間を排気（パージ）した。その後、反応ガスとして水（水蒸気）を輸送用窒素ガスと共に４．６ｓｌｍの流量で導入し、プリカーサを酸化させた。成膜空間を排気した後、所定の膜厚まで（プリカーサ導入－パージ－反応ガス導入－パージ）のサイクルを繰り返した。成膜時の温度は３００℃とした。

その後、基板接合体の第１基板１３１の表面に、ポジ型レジストから構成されたドライフィルムレジストをラミネートして、エッチングマスクを形成した。ＣＦ_４、Ｏ_２、およびＡｒの混合ガスからなるプラズマを用いたドライエッチングにより、コンタクトパッド上のＴｉＯ膜１２４を除去した。

次に、第１基板１３１の表面上に、エポキシ樹脂から構成されたネガ型のドライフィルムを貼り合わせ、露光することにより、吐出口形成部材の壁部１１８を形成した。さらにその上からドライフィルムを貼り合わせ、露光することにより、吐出口形成部材の天板１１７を形成した。そして、現像により未露光部分を除去し、吐出口１０１と圧力室１０２を形成した（図３（Ｅ））。その後、オーブン中で２００℃１時間の条件で熱処理することにより、吐出口形成部材を硬化させた。

その後、ダイシングにより各チップに分割し、本実施例の液体吐出ヘッド用基板を作製した。

このようにして作製した液体吐出ヘッド用基板の流路の内壁面に形成された膜１２４について、図３で示す断面方向にヘッドを切断して流路内壁面を暴露させて、光学顕微鏡および電子顕微鏡で観察したところ、接合面にクラックは見られなかった。

また接合性については、インクに浸漬した基板接合体１３０を２か月間６０℃恒温槽に保存し、膜減り、外観異常がないか確認し行った。
結果、膜減りは０ｎｍから５ｎｍで、外観への異常は認められなかった。
膜質に関する評価については、Ｘ線光電子分光により組成分析を行い評価し、組成比を確認することで行った。

（実施例２）
第１基板１３１に対して、実施例１と同様にして第一の流路１１２及び第二の流路１１３を形成した。
本実施例では、ポリアミド樹脂からなるマスクを凸部１２６形成用マスクとして形成し、第二の流路を形成するためのマスクとしてレジストマスクを用いて第二の流路１１３のエッチングを行った。

次に、第１基板の表面側に保護テープをラミネートし、裏面側に形成されている凸部形成用マスク越しに、ＳＦ_６プラズマによるシリコン異方性エッチングにより深さが０．３μｍになるまでエッチングして、第一の対向面に凸部１２６を形成した。その後、剥離液によりレジストや堆積物を除去した（図５（Ａ））。
次に、第２基板１３２として、厚さ５００μｍのシリコン基板を準備し、第２基板の表面（ミラー面）に保護フィルムを張り合わせ、裏面にレジストマスクを形成し、第三の流路をボッシュプロセスにより形成した（図５（Ｂ））。その後、保護フィルムを剥離し、レジストと堆積物を剥離液により除去した。
次に、実施例１と同様に第１基板の外郭領域１３４に接着剤１２３を形成し、第１基板１３１と第２基板１３２を仮接合した（図５（Ｃ））。このとき、隙間１４１のｈ１が０．２μｍとなるように接着を行った。

次に、ＡＬＤ装置によって基板接合体の流路の内壁面に膜を形成した（図５（Ｄ））。膜としてＴｉＯ膜を厚さ０．３μｍで隙間を閉塞するように形成した。
その後、実施例1と同様に吐出口形成部材の壁部１１８と天板１１７を形成し、液流路１１５から圧力室１０２と吐出口１０１へと連通した液体吐出ヘッド用基板を作製した（図５（Ｅ））。

（実施例３）
実施例２と同様に、第１基板１３１に第一の流路１１２、第二の流路１１３と凸部１２６を形成した。実施例２との相違点は、凸部形成後に、マスク１６２ａ上から、酸素プラズマによるアッシングを行い、段差部および第一および第二の流路側面に酸化膜１２５を厚さ７ｎｍから１０ｎｍで形成した（図７（Ａ）～（Ｃ））。また、第２基板１３２においても、第三の流路１１４形成後に、対向面１２２の反対面に保護フィルム１６１ｂを貼りあわせ、対向面１２２にレジストマスクをテンティングし、第１基板の凸部１２６と対向する領域にマスク１６２ｂを形成した（図７（Ｄ））。続いて、酸素プラズマによるアッシングを行う事で、保護テープ１６１ｂ及びマスク１６２ｂで覆われた領域以外の領域と第三の流路の側面に酸化膜１２５ｂを形成した（図７（Ｅ））。その後、保護フィルムを剥がし、マスクレジストを剥離により除去した（図７（Ｆ））。
その後は、実施例２と同様に膜１２４により接合し、第1基板の素子形成面に吐出口形成部材の壁部１１８と天板１１７を形成して、液流路１１５から圧力室１０２と吐出口１０１へと連通した液体吐出ヘッド用基板を作製した。

(実施例４)
第１基板１３１に対して、実施例１と同様にして第一の流路１１２及び第二の流路１１３を形成した。
次に、実施例１と同様に第１基板の外郭領域１３４に接着剤１２３を形成し、第１基板１３１と第２基板１３２を仮接合した（図５（Ｃ））。
続いて、ポリパラキシリレン樹脂を用いて、化学的蒸着（ＣＶＤ）法によって基板接合体の流路の内壁面に膜１２４を形成した。このポリパラキシリレン樹脂を用いた膜１２４は、以下のようにして形成した。まず、原料となるパラキシリレンモノマーを熱分解して、生成物をトルエン、ベンゼンなどの有機溶媒中で急冷しダイマーと呼ばれるジパラキシリレンを得た。次いで、このジパラキシリレンを熱分解して、安定したラジカルパラキシリレンガスを生成させ、発生したガスを素材上に吸着、重合させることで、ポリパラキシリレン膜を得た。この膜を厚さ０．３μｍで隙間を閉塞するように形成した。
その後、基板接合体の第１基板１３１の表面に、ポジ型レジストから構成されたドライフィルムレジストをラミネートして、エッチングマスクを形成した。ＣＦ_４、Ｏ_２、およびＡｒの混合ガスからなるプラズマを用いたドライエッチングにより、コンタクトパッド上のポリパラキシリレン膜を除去し、その後、レジストマスクを剥離により除去した。
実施例２と同様に膜１２４により接合し、第１基板の素子形成面に吐出口形成部材の壁部１１８と天板１１７を形成して、流路部１１５から圧力室１０２と吐出口１０１へと連通した液体吐出ヘッド用基板を作製した。
実施例２ないし実施例４についても実施例１と同様の効果が得られた。

１０１ 吐出口
１０２ 圧力室
１０３ メンブレン層
１０７ エネルギー発生素子
１１５ 流路
１１９ 吐出口形成部材
１２１ 第１基板の対向面
１２１ａ 第一の対向面
１２１ｂ 第二の対向面
１２２ 第２基板の対向面
１２３ 接着剤
１２４ 膜
１２５ 酸化層
１２６ 凸部
１３０ 基板接合体
１３１ 第１基板
１３２ 第２基板
１３３ 素子形成領域（第１領域）
１３４ 外郭領域
１４１ 隙間
１４２ 空間

Claims (18)

1. 複数の素子が形成されるウエハ状の基板であって、前記複数の素子の一部を形成する第１基板と、前記複数の素子の他部を形成する第２基板とを接合するウエハ状の基板の接合方法であって、
   前記複数の素子が形成される第１領域の外であって、前記複数の素子の取得が行われない、ウエハ外周部に接着剤を設けて、前記第１基板の第１領域と第２基板の第１領域とを非接触状態で仮接合する仮接合工程と、
   前記非接触状態の第１領域の前記第１基板と第２基板との対向面の間の隙間を埋めるように膜を形成して、該膜により前記第１基板と第２基板とを本接合する本接合工程と、
   を有することを特徴とする基板接合体の製造方法。
2. 前記仮接合工程の前に、前記第１領域の前記第１基板および第２基板の少なくとも一方の対向面に対して、該対向面の端面の一部に前記隙間が広い間隔となる段差を形成する段差加工工程を有する請求項１に記載の基板接合体の製造方法。
3. 前記段差加工工程で形成された前記隙間の間隔の広い領域の、前記第１基板と第２基板の対向面に対して酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有する請求項２に記載の基板接合体の製造方法。
4. 前記本接合工程は、原子層堆積法により前記膜の形成が行われる請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
5. 前記本接合工程は、蒸着法により前記膜の形成が行われる請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
6. 前記本接合工程において形成される前記膜が、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、およびＳｉからなる群より選択されるいずれかの元素の酸化物を含む請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
7. 前記本接合工程において形成される前記膜が、ポリパラキシリレン膜であることを特徴とする請求項１乃至３もしくは請求項５のいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
8. 前記素子の形成領域が、前記第１基板と前記第２基板を接合した際に連通する貫通孔を有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
9. 液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路の組が複数形成されたウエハ状の第１基板と、前記第１基板の第１流路と連結されて流路を構成する第２流路が複数形成されたウエハ状の第２基板と、を接合して複数の液体吐出ヘッド用基板を形成する液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
   前記複数の液体吐出ヘッド用基板が形成される第１領域の外であって、前記複数の液体吐出ヘッド用基板の取得が行われない、ウエハ外周部に接着剤を設けて、前記第１基板と前記第２基板との間の前記第１領域を非接触状態で仮接合する仮接合工程と、
   前記非接触状態の前記第１領域の間を埋め、前記第１基板の第１流路と前記第２基板の第２流路によって構成される流路の壁面に被着される膜を形成し、該膜により前記第１基板と第２基板を本接合する本接合工程と、
   を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
10. 前記仮接合工程の前に、前記第１基板の第１流路に接する対向面、あるいは前記第２基板の第２流路に接する対向面の一部に対して段差を形成する段差加工工程を有する、請求項９に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
11. 前記段差加工工程で形成された前記段差の間隔の広い領域の対向する、前記第１基板と第２基板の対向面に対して酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有する、請求項１０に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
12. 前記本接合工程は、原子層堆積法により前記膜の形成が行われる請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
13. 前記本接合工程は、蒸着法により前記膜の形成が行われる請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
14. 前記本接合工程において形成される前記膜が、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、およびＳｉからなる群より選択されるいずれかの元素の酸化物を含む請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
15. 前記本接合工程において形成される前記膜が、ポリパラキシリレン膜であることを特徴とする請求項９乃至１１もしくは請求項１３のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
16. 液体を吐出する吐出口と前記吐出口に連通して前記液体を供給する第１流路を備えた第１基板と、前記第１基板の第１流路と連結されて流路を構成する第２流路を備えた第２基板と、を備えた液体吐出ヘッド用基板であって、
    前記第１流路を備えた第１基板と、前記第２流路を備えた第２基板とが対向する対向面の全ての領域と、前記第１基板の第１流路と前記第２基板の第２流路によって構成される流路の壁面の全ての領域に対して、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、およびＳｉからなる群より選択されるいずれかの元素の酸化物を含む膜もしくはポリパラキシリレンを含む膜のいずれかで構成された膜を備えたことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。
17. 前記第１基板および第２基板の対向面の少なくとも一方に段差を有する、請求項１６に記載の液体吐出ヘッド用基板。
18. 前記段差の間隔の広い領域の、前記第１基板と第２基板の対向面に酸化膜を備えている、請求項１７に記載の液体吐出ヘッド用基板。

Images