JP7344534B2 - ノズル管理装置、ノズル管理方法、及び塗布装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る塗布装置100の一例を模式的に示す側面図である。図2は、塗布装置100の一例を模式的に示す平面図である。図1及び図2に示す塗布装置100は、基板Sの表面に薄膜を形成するための塗布液(液体)を塗布するのに用いられる。基板Sの表面に薄膜を形成する例としては、例えばファンアウト型PLP(Fan-out Panel Level Package)技術において、基板Sであるガラス基板に、光の吸収又は加熱により変質する反応層(分離層)を形成するための塗布液を塗布する場合が挙げられる。
また、塗布液は、上述した分離層を形成するための液以外であってもよく、典型的には、基板Sの表面にデバイス等を載置するために用いる接着層を形成するための液であってもよいし、基板Sに塗布する感光性を有する薬液(レジスト)等であってもよい。
図10は、第2実施形態に係るノズル管理装置130の一例を示す図である。第1実施形態では、1種類の溶媒Q2により所定ガスGを生成する場合を例に挙げて説明したが、本実施形態では、2種類の溶媒Q2、Q3により所定ガスGを生成する場合について説明する。本実施形態は、塗布液Q1が溶媒Q2、Q3を含んで生成されている場合に適用されてもよいし、塗布液Q1が溶媒Q2又は溶媒Q3の一方を含んで生成されている場合に適用されてもよい。なお、第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、その説明を省略又は簡略化する。
図11は、第3実施形態に係る塗布装置300の一例を示す図である。塗布装置300は、チャンバCと、ノズル管理装置230とを有する。図11に示すように、チャンバCは、塗布装置300の各部を囲むように設けられている。なお、第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、その説明を省略又は簡略化する。ノズル管理装置230は、ガス生成部31と、ガス供給部232とを有する。ガス生成部31の構成については、第1実施形態と同様である。
図12は、第4実施形態に係る塗布装置400の一例を示す図である。塗布装置400は、ノズル管理装置330を有する。なお、第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、その説明を省略又は簡略化する。図12に示すように、ノズル管理装置330は、ガス生成部31及びガス供給部32に加えて、予備吐出部60を有する。ガス生成部31及びガス供給部32については、第1実施形態と同様の構成を有する。
図13は、第5実施形態に係る塗布装置500の一例を示す図である。塗布装置500は、ノズル管理装置430を有する。なお、第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、その説明を省略又は簡略化する。図13に示すように、ノズル管理装置430は、ガス生成部31及びガス供給部432を有する。本実施形態では、ガス供給部432(ノズル受33)がX方向に移動可能となっている。ガス供給部432(ノズル受33)は、不図示の移動装置により移動し、制御部50によりその動作及び移動位置が制御される。
図14は、第6実施形態に係る塗布装置600の一例を示す図である。塗布装置600は、ノズル管理装置530を有する。なお、第1実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、その説明を省略又は簡略化する。図14に示すように、ノズル管理装置530は、ガス生成部31及びガス供給部32を有する。ガス生成部31及びガス供給部32の構成については、第1実施形態と同様である。本実施形態では、ノズル管理装置530がステージ10の+Y側に配置されている。また、ノズル20の待機位置P1は、ステージ10の+Y側に設定されている。待機位置P1は、X方向が長手方向となっている。このため、待機位置P1と塗布位置P2との間でノズル20を移動させる場合、Z軸周りに回動させることになる。
P1・・・待機位置
P2・・・塗布位置
P3・・・予備吐出位置
Q1・・・塗布液
Q2、Q3・・・溶媒
S・・・基板
10・・・ステージ
11・・・載置面
20・・・ノズル
21・・・先端
22・・・位置検出部
25・・・周辺領域
30、130、230、330、430、530・・・ノズル管理装置
31、131・・・ガス生成部
32、132、232、432・・・ガス供給部
33・・・ノズル受
34・・・加熱部
34b・・・供給管(冷却部)
34c・・・ヒータ
35・・・不活性ガス供給部
36・・・ミスト生成部
37・・・溶媒補充部
38・・・流量調整部
39・・・混合部
40・・・移動装置
50・・・制御部
51・・・動作制御部
60・・・予備吐出部
100、300、400、500、600・・・塗布装置
139・・・混合部
Claims (14)
- ノズルから吐出される液体に含まれる溶媒を気化させて所定ガスを生成するガス生成部と、
前記溶媒のミストを生成するミスト生成部と、
前記ガス生成部により生成された前記所定ガスを前記ノズルの先端の周辺領域に供給するガス供給部と、を備え、
前記ガス生成部は、前記ミスト生成部により生成されたミストと、前記溶媒とを気化させて前記所定ガスを生成する、ノズル管理装置。 - 前記所定ガスは、前記溶媒の飽和ガスである、請求項1に記載のノズル管理装置。
- 前記液体は、第1溶媒と、前記第1溶媒とは異なる種類の第2溶媒とを含み、
前記所定ガスは、前記ミスト生成部により生成されたミストと、前記第1溶媒と、前記第2溶媒とを気化させたガスである、請求項1又は請求項2に記載のノズル管理装置。 - 前記液体に含まれる前記第1溶媒と前記第2溶媒との混合比と、前記所定ガスを生成するために用いられる前記第1溶媒と前記第2溶媒との混合比とは、同一である、請求項3に記載のノズル管理装置。
- 前記ガス生成部は、前記溶媒を加熱して気化させる加熱部を有する、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のノズル管理装置。
- 前記ミストを気化させるために昇温された不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を有する、請求項5に記載のノズル管理装置。
- 前記ガス生成部は、前記加熱部で気化した前記溶媒を含む前記不活性ガスを冷却して前記溶媒の一部を結露させる冷却部を有する、請求項6に記載のノズル管理装置。
- 前記ノズルの先端における周辺領域を区画するノズル受を有し、
前記ガス供給部は、前記ノズル受内に前記所定ガスを供給する、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のノズル管理装置。 - 前記ガス供給部から供給される前記所定ガスの流量を調整する流量調整部を有する、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のノズル管理装置。
- 前記ノズルの位置を検出する位置検出部を有し、
前記流量調整部は、前記位置検出部の検出結果に応じて前記所定ガスの流量を調整する、請求項9に記載のノズル管理装置。 - 前記位置検出部は、前記ノズルを移動させる移動装置から前記ノズルの位置情報を取得し、
前記流量調整部は、前記位置検出部が取得した前記位置情報に応じて前記所定ガスの流量を調整する、請求項10に記載のノズル管理装置。 - ノズルから吐出される液体に含まれる溶媒を気化させて所定ガスを生成することと、
前記溶媒のミストを生成することと、
生成された前記所定ガスを前記ノズルの先端の周辺領域に供給することと、を含み、
前記溶媒のミストと、前記溶媒とを気化させて前記所定ガスを生成する、ノズル管理方法。 - 基板に塗布液を塗布するノズルと、
請求項1から請求項11のいずれか一項に記載のノズル管理装置と、を備える、塗布装置。 - 前記ノズル管理装置の前記ガス供給部は、基板への非塗布時に前記ノズルを待機させる待機位置に前記所定ガスを供給する、請求項13に記載の塗布装置。
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