KR101108372B1 - 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 현상처리장치 및 현상처리방법에 관한 것으로서 처리 용기내에 처리 용기부의 사이에 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와 기판의 현상이 행해지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고 또한 기판 수수부와 현상 처리부의 사이를 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 기판을 반송하는 반송 기구가 설치되고 있다. 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이로서 기판을 반송하는 반송로의 윗쪽에는 기판에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과 기판에 기체를 분사하는 기체분사 노즐이 설치되고 현상 처리부에는 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐이 설치되고 있다. 본 발명에 의하면 기판의 외측면을 파지한 상태로 기판이 반송되므로 더러움이 퍼지는 경우가 없고 처리 용기내의 파티클의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.

Description

현상 처리 장치 및 현상 처리 방법{DEVELOPING TREATMENT APPARATUS AND DEVELOPING TREATMENT METHOD}

도 1은 본 실시의 형태에 관한 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다.

도 2는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다.

도 3은 반송 기구의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.

도 4는 파지 아암의 선단의 측면도이다.

도 5는 노즐 보유 지지부의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.

도 6은 세정액공급 노즐의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.

도 7은 웨이퍼로부터 세정액을 제거 하는 모습을 나타내는 설명도이다.

도 8은 노즐 보유 지지부에 세정공급 노즐을 설치한 경우의 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다.

도 9는 세정액공급 노즐을 구비한 노즐 보유 지지부의 구성의 개략을 나타내는 사시도이다.

도 10은 노즐 보유 지지부의 양측으로 에어분사 노즐을 설치한 경우의 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다.

도 11은 다른 실시의 형태에 관한 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다.

도 12는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다.

도 13A는 웨이퍼에 현상액이 공급되기 시작했을 때의 모습을 나타내는 설명도이고, 도 13B는 웨이퍼에 현상액이 공급되고 있는 도중의 모습을 나타내는 설명도이고, 도 13C는 웨이퍼에 현상액을 공급 완료 후의 모습을 나타내는 설명도이다.

도 14는 노즐 보유 지지부에 세정액공급 노즐을 설치한 경우의 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다.

도 15는 메쉬판에 인접한 위치에 세정액공급 노즐을 설치한 경우의 현상 처리 장치의 구성을 나타내는 종단면의 설명도이다.

도 16A는 웨이퍼에 현상액이 공급되기 시작했을 때의 모습을 나타내는 설명도, 도 16B는 웨이퍼에 세정액이 공급되고 있을 때의 모습을 나타내는 설명도, 도 16C는 웨이퍼가 세정액공급 노즐의 하부를 통과 완료했을 때의 모습을 나타내는 설명도이다.

도 17은 토출 방향을 기울기 아래쪽으로 했을 경우의 세정액공급 노즐을 나타내는 설명도이다.

도 18은 메쉬판 반송 기구를 구비한 경우의 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다.

도 19는 메쉬판 반송 기구를 구비한 경우의 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다.

도 20은 메쉬판과 웨이퍼를 이동시키면서 웨이퍼에 현상액을 공급하는 모습 을 나타내는 설명도이다.

도 21은 웨이퍼만을 수수부측에 되돌리는 모습을 시 치수 현상 처리 장치의 종단면의 설명도이다.

본 발명은 기판의 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법에 관한다. 예를 들면 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포트리소그래피공정에서는 예를 들면 소정 패턴으로 노광된 웨이퍼를 현상 하는 현상 처리를 하고 있다. 이 현상 처리는 통상 현상 처리 장치로 행해지고 이 현상 처리 장치에서는 예를 들면 웨이퍼를 스핀 척에 의해 회전시켜 해당 웨이퍼상에 현상액 공급 노즐로부터 현상액을 공급해 웨이퍼 표면상에 현상액의 액막을 형성함으로써 웨이퍼의 현상을 하고 있다.

그렇지만 상술한 현상 처리 장치에서는 웨이퍼를 회전시킬 필요가 있기 때문에 스핀 척에 고 토르크의 회전 모터를 이용할 필요가 있었다. 이 때문에 모터를 위한 넓은 스페이스가 필요하게 되어 현상 처리 장치가 대형화하고 있었다. 또 모터를 회전시키기 위한 전력 소비량이 많아 런닝 코스트도 증대하고 있었다.

거기서 웨이퍼를 회전시키지 않는 이른바 스핀레스의 현상 처리 장치를 이용하는 것을 제안할 수 있다. 현재 복수의 롤러에 의한 회전자 반송식의 컨베이어에 의해 웨이퍼를 반송해 웨이퍼를 현상액 공급 노즐 아래를 통과시키는 것으로 웨이퍼를 현상 하는 것이 제안되고 있다(일본국 특개2001-87721호 공보).

그렇지만 웨이퍼를 회전자 반송에 의해 반송해 웨이퍼를 현상 하는 현상 처리 장치의 경우에는 예를 들면 현상액으로 더러워진 웨이퍼의 하면에 롤러가 접촉한다. 이 때문에 롤러가 더러워져 그 더러움이 웨이퍼의 다른부분이나 다른 웨이퍼에 부착해 더러움이 확산되어 파티클의 발생원이 퍼진다. 이렇게 되면 파티클이 대량으로 발생해 예를 들면 현상되기 전에 웨이퍼가 오염되어 현상 결함을부른다.

또 현상 처리 장치로서는 예를 들면 현상액 공급 노즐이 현상액을 토출하면서 웨이퍼의 표면을 따라 이동해 웨이퍼 표면의 전면에 현상액을 공급하는 것이 이용되고 있다.

그렇지만 이런 종류의 현상 처리 장치에서는 예를 들면 현상액 공급 노즐이 이동하면서 현상액을 공급하기 때문에 현상액이 웨이퍼 상에서 유동하고 물결치기 쉽다. 이 때문에 웨이퍼상의 현상액이 안정되지 않고 현상이 불안정하게 되는 경우가 있었다. 이 문제를 해소하기 위해 예를 들면 현상액 공급 노즐과 웨이퍼의 사이에 다공질판을 개재해 현상액을 다공질판을 통해 웨이퍼상에 공급해 다공질판과 웨이퍼의 사이에 현상액을 끼우는 것이 제안되고 있다(일본국 특개2005-51008호 공보).

그렇지만 이 기술에 의해도 현상액 공급시에 예를 들면 현상액이 소정 방향의 속도성분을 가지기 때문에 다공질판과 현상액의 계면에 「전단 저항」이 발생한다. 이 전단 저항에 의해 웨이퍼상의 현상액이 유동해 현상액중에 대류가 발생한다. 이와 같이 현상액중에 대류가 발생하면 예를 들면 웨이퍼상의 현상액의 농도 가 격차 현상이 불균일하게 되는 경우가 있다. 또 현상액중의 잔사가 웨이퍼 표면의 패턴에 부착해 그부분에 현상 결함이 생기는 경우가 있다.

본 발명은 상기 점에 비추어 이루어진 것이고 기판을 회전하지 않는 방식의 현상 처리 장치에 있어서 파티클의 발생을 억제하는 것을 제1의 목적으로 하고 있다. 또 본 발명은 현상액 공급 노즐과 웨이퍼 등의 기판을 상대적으로 이동시켜 기판에 현상액을 공급하는 현상 처리 장치에 있어서 기판상의 현상액의 대류를 억제해 기판면내의 현상을 안정시켜 현상의 균일성을 향상하는 것을 제2의 목적으로 하고 있다.

상기 제1의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판의 현상 처리 장치로서 처리 용기내에 처리 용기의 외부의 사이에 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와 기판의 현상이 행해지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고 상기 처리 용기내에는 상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이를 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 기판을 반송하는 반송 기구가 설치되고 상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이로서 상기 반송 기구에 의해 기판을 반송하는 반송로의 윗쪽에는 기판에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과 기판에 기체를 분사하는 기체분사 노즐이 설치되어 상기 현상 처리부에는 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐이 설치되고 있다.

다른 관점에 의한 본 발명은 기판의 현상 처리 장치로서 처리 용기내에 처리 용기의 외부와의 사이에 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와 기판의 현상이 행해 지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고 상기 처리 용기내에는 상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이를 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 기판을 반송하는 반송 기구가 설치되고 상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이로서 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송로의 윗쪽에는 기판에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐과 기판에 기체를 분사하는 기체분사 노즐이 설치되고 있다.

또한 별개인 관점에 의하면 본 발명은 상기한 현상 처리 장치를 이용해 기판을 현상 처리하는 현상 처리 방법으로서 기판 수수부의 기판의 외측면을 상기 반송 기구에 의해 파지하는 공정과 현상액 공급 노즐로부터 현상액을 토출 상태로 기판 수수부의 기판을 상기 반송 기구에 의해 현상 처리부에 반송해 상기 기판상에 현상액의 액막을 형성하는 공정과 상기 현상 처리부에 있어서 기판을 정지 현상 하는 공정과 세정액공급 노즐로부터 세정액을 토출 상태로 상기 현상 처리부와 상기 기판 수수부의 사이에 기판을 상기 반송 기구에 의해 왕복시켜 상기 기판상에 세정액의 액막을 형성하는 공정과 기체분사 노즐로부터 기체를 분사한 상태로 상기 현상 처리부의 기판을 상기 반송 기구에 의해 상기 기판 수수부에 반송해 기판상의 세정액을 제거하는 공정을 가진다.

본 발명에 의하면 기판의 외측면을 파지한 상태로 기판이 반송되므로 종래와 같이 더러움이 퍼지는 경우가 없고 처리 용기내의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 이 결과 현상 처리 장치로 처리되는 기판의 현상 결함을 감소할 수 있다. 따라서 본 발명에 의하면 스핀레스의 현상 처리 장치가 실현되어 현상 처리 장치의 대폭적인 소형화를 꾀할 수 있는 위에 현상 결함이 없는 적정한 현상을 실시해 제품 비율을 향상할 수 있다.

상기 제2의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 현상액 공급 노즐을 기판상에 배치해 상기 현상액 공급 노즐로부터 현상액을 토출 상태로 해당 현상액 공급 노즐과 기판을 상대적으로 수평이동시켜서 기판에 현상액을 공급하는 현상 처리 장치로서 현상액 공급 노즐과 기판과의 사이에 개재 가능하여 현상액을 통과시키는 것이 가능한 메쉬판을 갖고 상기 메쉬판은 기판상에 공급된 현상액에 메쉬판이 접촉하도록 기판에 근접 가능하고 상기 메쉬판의 적어도 기판측의 면에는 친수화 처리가 실시되고 있다.

본 발명에 의하면 메쉬판의 적어도 기판측의 면이 친수화 처리되고 있으므로 현상액 공급 노즐과 기판이 상대적으로 이동하면서 현상액 공급 노즐로부터 메쉬판을 개재하여 기판상에 현상액이 공급되어 현상액이 메쉬판과 기판의 사이에 개재되어도 그 기판상의 현상액과 메쉬판의 사이에 기동하고 전단 저항을 작게할 수 있다. 이 결과 기판상의 현상액의 유동이 억제되므로 기판상의 현상액이 안정되어 기판면내의 현상이 얼룩 없이 적정하게 행해진다.

본 발명에 의하면 기판에 공급된 현상액중의 대류가 억제되어 기판상의 현상액이 안정되므로 기판이 얼룩 없고 균일하게 현상되어 제품 비율을 향상할 수 있다.

이하 본 발명의 바람직한 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시의 형태에 관한 현상 처리 장치 (1)의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다. 도 2는 현상 처리 장치 (1)의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다.

현상 처리 장치 (1)은 예를 들면 도 1에 나타나는 바와 같이 폐쇄 가능한 처리 용기 (10)을 구비하고 있다. 처리 용기 (10)은 외형이 X방향(도 1의 좌우 방향)으로 긴 대략 직방체 형상으로 형성되고 있다. 처리 용기 (10)에는 외부와의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 수수부 (11)과 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리부 (12)가 X방향으로 나열하여 설치되고 있다. 또 처리 용기 (10)에는 도 2에 나타나는 바와 같이 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사가로 웨이퍼(W)의 외측면을 파지한 상태로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구 (13)이 설치되고 있다.

도 1에 나타나는 바와 같이 예를 들면 처리 용기 (10)의 X방향 부방향(도 1의 좌방향) 측의 측벽면에는 처리 용기 (10)의 외부와의 사이에 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반송구 (20)이 형성되고 있다. 반송구 (20)에는 셔터 (21)이 설치되고 있고 처리 용기 (20)내의 환경을 외부로부터 차단할 수가 있다.

수수부 (11)에는 웨이퍼(W)를 수평으로 지지하기 위한 복수의 지지부재로서의 지지 핀 (22)가 설치되고 있다. 지지 핀 (22)는 예를 들면 실린더 등의 승강 구동부 (23)에 의해 상하 방향으로 승강할 수 있고 웨이퍼(W)를 소정의 높이로 지지할 수 있다.

도 2에 나타나는 바와 같이 처리 용기 (10)내의 Y방향(도 2의 상하 방향)의 양단부근에는 수수부 (11)로부터 현상 처리부 (12)에 걸쳐서 X방향으로 연장하는 제1의 가이드 레일 (31)이 각각 형성되고 있다. 제1의 가이드 레일 (31)상에는 도 1 및 도 3에 나타나는 바와 같이 레일 (31)상을 이동하는 가이드부인 제1의 슬라이더 (32)가 설치되고 있다. 제1의 슬라이더 (32)는 모터 등의 구동원을 구비하여 제1의 가이드 레일 (31)을 따라 X방향으로 이동할 수 있다. 제1의 슬라이더 (32)상에는 도 3에 나타나는 바와 같이 Y방향으로 연장하는 제2의 가이드 레일 (33)이 형성되고 있다. 제2의 가이드 레일 (33)에는 이동부재로서의 제2의 슬라이더 (34)가 설치되고 있다. 제2의 슬라이더 (34)는 모터 등의 구동원을 구비하여 제2의 가이드 레일 (33)을 따라 Y방향으로 이동할 수 있다.

제2의 슬라이더 (34)의 상부에는 웨이퍼(W)의 외측면을 파지하는 파지부재로서의 파지 아암 (35)가 장착되고 있다. 파지 아암 (35)는 적어도 웨이퍼(W)의 두께보다 두꺼운 판형상으로 형성되어 도 2에 나타나는 바와 같이 제2의 슬라이더 (34)로부터 처리 용기 (10)의 Y방향의 중심으로 향해 긴 대략 직사각형으로 형성되고 있다.

도 4에 나타나는 바와 같이 파지 아암 (35)로 웨이퍼(W)와 접촉하는 선단면 (35A)는 측면으로부터 볼때 안쪽으로 오목하게 굴곡하고 있다. 파지 아암 (35)의 선단면 (35A)와 웨이퍼(W)의 외측면이 접촉했을 때에 웨이퍼(W)의 높이와 파지 아암 (35)의 높이가 다소 어긋나고 있는 경우에 있어서도 선단면 (35A)의 함몰에 의해 웨이퍼(W)를 파지 아암 (35)의 두께 방향의 중심으로 유도할 수 있다. 또한 선단면 (35A)의 형상은 측면으로부터 볼때 안쪽에 삼각형 형상으로 함몰하고 있어도 괜찮다.

파지 아암 (35)의 선단면 (35A)는 도 2에 나타나는 바와 같이 평면으로부터 볼때 웨이퍼(W)의 외측면의 형상에 맞추어 굴곡형상으로 형성되고 있다. 선단면 (35A)는 웨이퍼(W)보다 약간 곡율 반경이 커지도록 형성되고 있다. 이것에 의해 파지 아암 (35)와 웨이퍼(W)가 X방향으로 어긋나고 있는 경우에도 선단면 (35A)의 굴곡에 의해 웨이퍼(W)를 파지 아암 (35)의 폭방향(X방향)의 중심으로 유도할 수 있다.

도 3에 나타나는 바와 같이 제2의 슬라이더 (34)와 파지 아암 (35)의 사이에는 수직 방향으로 세워진 복수의 탄성체로서의 스프링 (36)이 개재되고 있다. 이 스프링 (36)에 의해 파지 아암 (35)가 웨이퍼(W)를 파지했을 때의 충격을 흡수할 수 있다.

파지 아암 (35)의 후방측의 제2의 슬라이더 (34)상에는 판형상의 고정부재 (37)이 수직 방향으로 세워져 있다. 파지 아암 (35)의 후단면과 고정부재 (37)은 Y방향으로 향해진 탄성체로서의 스프링 (38)에 의해 접속되고 있다. 이 스프링 (38)에 의해 파지 아암 (35)가 웨이퍼(W)를 파지했을 때의 접촉 압력을 유지할 수 있다.

본 실시의 형태에 있어서 반송 기구 (13)은 상술의 제1의 가이드 레일 (31), 제1의 슬라이더 (32), 제2의 가이드 레일 (33), 제2의 슬라이더 (34) ,파지 아암 (35), 스프링 (36), 고정부재 (37) 및 스프링 (38)에 의해 구성되고 있다. 이 반송 기구 (13)은 제2의 슬라이더 (34)에 의해 파지 아암 (35)를 Y방향으로 이동해 지지 핀 (22)상에 재치된 웨이퍼(W)를 양측으로부터 파지하고 그 상태로 제1의 슬라이더 (32)에 의해 파지 아암 (35)를 X방향으로 이동할 수 있다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 외측면을 파지한 상태로 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 반송할 수 있다. 또한 반송 기구 (13)의 동작은 도 2에 나타내는 현상 처리 장치 (1)의 제어부 (C)로 제어되고 있다.

도 1에 나타나는 바와 같이 처리 용기 (10)내의 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에는 2개의 노즐 보유 지지부 (40, 41)이 설치되고 있다. 노즐 보유 지지부 (40, 41)은 처리 용기 (10)의 천정면과 저면의 상하에 서로 대향하도록 배치되고 있다. 노즐 보유 지지부 (40, 41)은 상기 반송 기구 (13)에 의한 웨이퍼(W)의 반송로를 사이에 두도록 배치되고 있다.

노즐 보유 지지부 (40, 41)은 예를 들면 도 5에 나타나는 바와 같이 Y방향을 향해 적어도 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 대략 직방체 형상으로 형성되고 있다. 노즐 보유 지지부 (40, 41)은 도 2에 나타나는 바와 같이 평면으로부터 볼때 처리 용기 (10)의 Y방향의 양측의 2개의 제1의 가이드 레일 (31)의 사이로 형성되어 노즐 보유 지지부 (40, 41)에 의해 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 환경이 대략 격리되고 있다.

예를 들면 노즐 보유 지지부 (40)은 도 1에 나타나는 바와 같이 처리 용기 (10)의 천정면에 장착되고 있다. 노즐 보유 지지부 (40)의 웨이퍼 단면은 수평으로 형성되어 현상액 공급 노즐 (50)과 기체분사 노즐 및 에어 공급부로서의 에어 분사 노즐 (51)이 X방향으로 배치되고 있다. 예를 들면 현상액 공급 노즐 (50)이 현상 처리부 (12) 측에 배치되어 에어분사 노즐 (51)이 수수부 (11) 측에 배치되고 있다.

현상액 공급 노즐 (50)은 도 5에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)의 긴 방향(Y방향)의 양단부에 걸쳐 형성되고 있다. 현상액 공급 노즐 (50)에는 둥근 구멍의 복수의 토출구 (50a)가 긴 방향을 따라 일렬로 나열하여 형성되고 있다.

예를 들면 도 1에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)에는 현상액 공급원 (60)에 연통하는 현상액 공급관 (61)이 접속되고 있다. 노즐 보유 지지부 (40)의 내부에는 현상액을 보내는 유로가 형성되고 있고 현상액 공급관 (61)을 통해서 노즐 보유 지지부 (40)내에 공급된 현상액을 현상액 공급 노즐 (50)의 토출구 (50a)로부터 토출할 수 있다. 노즐 보유 지지부 (40)의 하부를 X방향으로 웨이퍼(W)를 통과시키면서 현상액 공급 노즐 (50) 으로부터 웨이퍼(W)에 현상액을 토출함으로서 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급할 수가 있다.

에어분사 노즐 (51)은 도 5에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)의 긴 방향의 양단부에 걸쳐 형성되고 있다. 에어분사 노즐 (51)에는 슬릿 형상의 분사구 (51a)가 긴 방향을 따라 형성되고 있다. 예를 들면 도 1에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)에는 에어 공급원 (62)에 연통하는 에어 공급관 (63)이 접속되고 있다. 예를 들면 노즐 보유 지지부 (40)의 내부에는 에어를 통과시키는 환기로가 형성되고 있다. 에어 공급관 (63)을 통해서 노즐 보유 지지부 (40)에 공급된 에어는 노즐 보유 지지부 (40)을 통해서 에어분사 노즐 (51)의 분사구 (51a)로부터 분사된다. 노즐 보유 지지부 (40)의 하부를 X방향으로 통과하는 웨이퍼(W)에 대해서 에어 분사 노즐 (51)로부터 에어를 분사함으로써 에어 나이프를 형성하고 웨이퍼(W)상의 액체를 제거해 웨이퍼(W)를 건조시킬 수가 있다. 또한 예를 들면 에어 공급원 (62)에는 에어의 공급량을 조정하는 조정 기구가 설치되고 있고 예를 들면 제어부 (C)의 제어에 의해 에어분사 노즐 (51)로부터의 에어의 송풍량을 임의로 조정할 수 있다.

노즐 보유 지지부 (41)은 처리 용기 (10)의 저면에 장착되고 있다. 노즐 보유 지지부 (41)의 상단면은 수평으로 형성되고 또한 단면에는 에어분사 노즐 (70)이 설치되고 있다. 에어분사 노즐 (70)은 상기 노즐 보유 지지부 (40)의 에어분사 노즐 (51)과 대향하도록 배치되고 있다. 에어분사 노즐 (70)은 에어분사 노즐 (51)과 같은 구성을 갖고 에어 공급원 (71)로부터 에어 공급관 (72)를 통해서 공급된 에어를 에어분사 노즐 (70)의 분사구로부터 분사할 수 있다. 노즐 보유 지지부 (41)의 윗쪽을 통과하는 웨이퍼(W)에 대해서 에어분사 노즐 (70)으로부터 에어를 분사함으로써 「에어 나이프」를 형성하고 웨이퍼(W)의 하면의 액체를 제거할 수가 있다. 또 웨이퍼(W)에 대해 상하로부터 에어를 분무함에 따라 웨이퍼(W)의 상하면에 대한 압력을 동일한 정도로 유지할 수 있다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 상면의 액체를 제거하기 위해서 윗쪽으로부터 웨이퍼(W)의 상면에 고압력의 에어가 분무된 경우에도 웨이퍼(W)가 파지 아암 (35)로부터 빗나가 낙하하는 것을 방지할 수 있다.

현상 처리부 (12)에는 세정액공급 노즐 (80)이 배치되고 있다. 세정액공급 노즐 (80)은 X방향 부방향측을 개구부로 하는 대략 U형 형상으로 형성되고 있다. 즉 세정액공급 노즐 (80)은 도 1 및 도 6에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)의 윗쪽에 위치하고 X방향을 따른 가늘고 긴 상부 노즐 (80a)와 웨이퍼(W)의 하부에 위치 해 X방향을 따른 가늘고 긴 하부 노즐 (80b)와 웨이퍼(W)의 X방향 정방향측의 측쪽에 위치하고 상부 노즐 (80a)의 단부와 하부 노즐 (80b)의 단부를 접속하는 수직 접속부 (80c)에 의해 구성되고 있다.

상부 노즐 (80a)는 예를 들면 도 1에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)의 직경보다 길게 형성되고 있다. 상부 노즐 (80a)의 하면에는 도 6에 나타나는 바와 같이 긴 방향을 따라 복수의 토출구 (80d)가 일렬로 나열하여 형성되고 있다. 하부 노즐 (80b)는 상부 노즐 (80a)에 대향 배치되고 있다. 하부 노즐 (80b)는 상부 노즐 (80a)와 동일하게 웨이퍼(W)의 직경보다 길게 형성되고 그 상면에 복수의 토출구 (80d)가 형성되고 있다. 도 1에 나타나는 바와 같이 세정액공급 노즐 (80)에는 세정액공급원 (81)에 연통하는 세정액공급관 (82)가 접속되고 있다. 세정액공급 노즐 (80)의 내부에는 도시하지 않는 세정액의 유로가 형성되고 있어 세정액공급관 (81)을 통해서 세정액공급 노즐 (80)에 공급된 세정액은 상부 노즐 (80a)와 하부 노즐 (80b)의 토출구 (80d)로부터 토출된다.

처리 용기 (10)의 X방향 정방향측의 측벽면에는 도 1 및 도 2에 나타나는 바와 같이 Y방향으로 연장하는 레일 (90)이 형성되고 있다. 세정액공급 노즐 (80)은 예를 들면 수직 접속부 (80c)가 노즐 아암 (91)에 의해 보유 지지되고 있다. 노즐 아암 (91)은 모터 등의 구동원 (92)에 의해 레일 (90)상을 Y방향으로 이동할 수 있다. 세정액공급 노즐 (80)은 웨이퍼(W)를 사이에 둔 상태로 상하의 토출구 (80d)로부터 세정액을 토출 웨이퍼(W)의 일단부로부터 타단부까지 Y방향으로 이동하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 상면과 하면에 세정액을 공급할 수 있다.

현상 처리부 (12)의 하부에는 세정액공급 노즐 (80)이나 웨이퍼(W)로부터 낙하하는 액체를 받아 들여 회수하는 접수 용기 (100)이 설치되고 있다. 도 1에 나타나는 바와 같이 접수 용기 (100)에는 처리 용기 (10)의 외부에 통하는 배액관 (101)이 접속되고 있다.

처리 용기 (10)의 X방향 부방향측의 측벽면에는 청정한 에어를 공급하는 급기구 (110)이 형성되고 있다. 예를 들면 급기구 (110)에는 에어 공급원 (111)에 통하는 에어 공급관 (112)가 접속되고 있다. 처리 용기 (10)의 X방향 정방향측의 단부부근의 저면에는 배기구 (113)이 형성되고 있다. 배기구 (113)은 예를 들면 배기관 (114)에 의해 부압발생 장치 (115)에 접속되고 있다. 이 부압발생 장치 (115)에 의해 배기구 (113)으로부터 처리 용기 (10)내의 환경을 배기할 수가 있다. 급기구 (110)로부터 청정한 에어를 공급해 배기구 (113)으로부터 배기함으로써 처리 용기 (10)내에 수수부 (11)로부터 현상 처리부 (12)를 향해 흐르는 기류를 형성할 수 있다.

또한 이상과 같이 기재의 세정액공급 노즐 (80)의 구동, 노즐 (50, 51, 80, 70)의 토출 또는 분사의 동작 정지, 급기구 (110)의 급기, 배기구 (113)의 배기의 동작 정지 등은 제어부 (C)에 의해 제어되고 있다.

다음에 이상과 같이 구성된 현상 처리 장치 (1)로 행해지는 현상 프로세스에 대해서 설명한다.

예를 들면 현상 처리시에는 상시 급기구 (110)으로부터의 급기와 배기구 (113)으로부터의 배기가 행해지고 처리 용기 (10)내에는 수수부 (11)로부터 현상 처리부 (12)를 향해 흐르는 청정한 기류가 형성된다. 또한 예를 들면 에어분사 노즐 (51)로부터 에어가 분사되고 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이에 에어 커튼이 형성된다.

그리고 웨이퍼(W)는 먼저 외부의 반송 아암에 의해 반송구 (20)으로부터 수수부 (11)내에 반입되어 도 1에 나타나는 바와 같이 지지 핀 (22)에 지지된다. 웨이퍼(W)가 지지 핀 (22)에 지지되면 Y방향의 양측으로 대기하고 있던 파지 아암 (35)가 웨이퍼(W)측에 이동해 도 2에 나타나는 바와 같이 파지 아암 (35)에 의해 웨이퍼(W)의 Y방향의 양측의 외측면이 파지된다. 다음에 웨이퍼(W)는 파지 아암 (35)에 의해 현상 처리부 (12)측의 X방향 정방향에 수평 이동된다. 그리고 웨이퍼(W)가 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이를 통과하기 직전에 현상액 공급 노즐 (50)으로부터 현상액이 토출되기 시작해 현상액이 토출되고 있는 아래쪽을 웨이퍼(W)가 통과한다. 즉 현상액을 토출 현상액 공급 노즐 (50)이 웨이퍼(W)의 일단부로부터 타단부까지 웨이퍼(W)에 대해서 상대적으로 이동한다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 현상액의 액막이 형성된다. 이 현상액의 공급에 의해 웨이퍼(W)의 현상이 개시된다.

웨이퍼(W)는 예를 들면 현상 처리부 (12)의 중앙부까지 이동해 정지된다. 그리고 웨이퍼(W)는 파지 아암 (35)에 파지된 상태로 소정 시간 정지 현상된다. 소정 시간이 경과하면 세정액공급 노즐 (80)이 세정액을 만들어 내면서 Y방향으로 웨이퍼(W)의 일단부측으로부터 타단부측까지 이동 한다. 예를 들면 세정액공급 노즐 (80)은 웨이퍼(W)의 양단부간을 여러 차례 왕복 이동한다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 현상액이 세정액에 치환되어 웨이퍼(W) 상에 세정액의 액막(액활성화)이 형성된다. 이 세정액의 공급에 의해 웨이퍼(W)의 현상이 정지된다.

웨이퍼(W)의 표면에 세정액의 액활성화가 형성된 후 웨이퍼(W)는 파지 아암 (35)에 의해 수수부 (11)측의 X방향 부방향으로 이동된다. 웨이퍼(W)가 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이를 통과하기 직전에 아래 쪽의 에어분사 노즐 (70)으로부터 에어가 분사된다. 또 위쪽의 에어분사 노즐 (51)로부터의 에어의 분사 유량이 올라간다. 이 상하로부터 에어가 분사되고 있는 위치를 웨이퍼(W)가 통과해 웨이퍼(W)의 표면의 세정액의 액활성화와 웨이퍼(W)의 이면에 부착한 액체가 제거된다.

이 때 도 7에 나타나는 바와 같이 에어분사 노즐 (51)의 에어가 에어 나이프가 되어 웨이퍼(W)의 표면의 세정액 (R)은 에어의 압력에 의해 웨이퍼(W)의 일단부로부터 타단부를 향해 한번에 제거되어 건조된다. 또한 에어분사 노즐 (51)은 조금이라도 현상 처리부 (12) 측에 향하여 에어를 분사하도록 배치하면 수수부 (11)내에 미스트가 비산하는 것을 방지할 수 있다. 에어분사 노즐 (70)에 대해서도 동일하다.

웨이퍼(W)는 수수부 (11)내의 지지 핀 (22)의 윗쪽까지 이동 하면 정지되어 파지 아암 (35)로부터 지지 핀 (22)에 수수되고 지지 핀 (22)상에 지지된다. 그 후 웨이퍼(W)는 외부의 반송 아암에 의해 반송구 (20)으로부터 반출되어 일련의 현상 처리가 종료한다. 또한 이 일련의 현상 처리는 예를 들면 제어부 (C)가 반송 기구 (13)이나 세정액공급 노즐 (80)의 구동, 각 노즐의 토출 또는 분사의 동작 정지, 급기구 (110)의 급기나 배기구 (113)의 배기의 동작 정지 등을 제어함으로써 실현되고 있다.

이상의 실시의 형태에 의하면 처리 용기 (10)내에 반송 기구 (13)을 설치했으므로 파지 아암 (35)에 의해 웨이퍼(W)의 외측면을 파지하고 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이를 반송할 수 있다. 이 때문에 종래와 같이 처리액에 의한 오 염이 확산하는 경우가 없고 처리 용기 (10)내의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.

또 처리 용기 (10)의 현상 처리부 (12)에 Y방향으로 이동 가능한 세정액공급 노즐 (80)을 설치했으므로 세정액을 토출 세정액 공급 노즐 (80)을 웨이퍼(W)의 일단부로부터 외 단부에 걸쳐 이동시켜 웨이퍼(W)상의 현상액을 세정액에 치환해 웨이퍼(W)상에 세정액의 액활성화를 형성할 수 있다.

세정액공급 노즐 (80)을 대략 U자형 모양에 형성해 웨이퍼(W)의 표면과 이면에 세정액을 공급할 수 있도록 했으므로 웨이퍼(W)의 이면측도 세정할 수 있다.

수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 에어분사 노즐 (51)를 설치했으므로 현상 처리부 (12)로부터 수수부 (11)에 웨이퍼(W)가 이동할 때에 웨이퍼(W)상의 세정액을 제거해 건조시킬 수가 있다. 이것에 의해 현상 처리부 (12)측에서 웨이퍼(W)에 부착한 액체가 수수부 (11)에 침입하는 경우가 없고 수수부 (11)을 청정하게 유지할 수가 있다. 이 결과 예를 들면 수수부 (11)에 반입된 웨이퍼(W)에 파티클이부착하는 경우가 없고 웨이퍼(W)가 적절히 현상된다.

에어분사 노즐 (51)에 의해 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 에어 커튼이 형성된다. 이것에 의해 현상 처리부 (12)내에 부유 하는 미스트가 수수부 (11)에 들어가는 것을 억제할 수 있다.

처리 용기 (10)의 하측에도 에어분사 노즐 (70)을 설치했으므로 웨이퍼(W)의 이면에 부착한 액체도 제거할 수가 있다.

수수부 (11) 측에 급기구 (110)을 형성하고 현상 처리부 (12) 측에 배기구 (113)을 형성해 처리 용기 (10)내에 수수부 (11)측으로부터 현상 처리부 (12) 측에 흐르는 기류를 형성하도록 했으므로 현상 처리부 (12)측의 미스트 등의 더러움이 수수부 (11) 측에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이 결과 수수부 (11)에 반입된 웨이퍼(W)가 오염되는 경우가 없고 현상이 적절히 행해진다.

반송 기구 (13)의 파지 아암 (35)와 제2의 슬라이더 (34)의 사이에는 스프링 (36)이 설치되었으므로 파지 아암 (35)가 웨이퍼(W)의 외측면과 접촉했을 때의 충격을 완충 할 수 있다. 또 지지 핀 (22)상의 웨이퍼(W)의 얼마 안되는 위치 차이에도 유연에 대응할 수 있다.

파지 아암 (35)의 후방에 고정부재 (37)이 설치되고 고정부재 (37)과 파지 아암 (35)가 스프링 (38)에 의해 접속되었으므로 파지 아암 (35)가 웨이퍼(W)를 파 지킬 때의 접촉압을 일정하게 유지할 수가 있다.

파지 아암 (35)의 선단면 (35a)가 측면으로부터 볼 때 안쪽으로 오목하도록굴곡하고 있으므로 파지 아암 (35)와 웨이퍼(W)의 높이가 약간 어긋나고 있는 경우에 있어서도 파지 아암 (35)와 웨이퍼(W)의 두께 방향의 중심이 일치하도록 웨이퍼(W)를 유도할 수 있다. 이 결과 반송중에 웨이퍼(W)가 파지 아암 (35)로부터 낙하하는 것을 방지할 수 있다.

또 웨이퍼(W)의 표면에 세정액의 액활성화를 형성해 그 세정액의 액활성화를 에어 나이프에 의해 웨이퍼(W)의 일단부로부터 타단부를 향해 제거하므로 현상에 의한 생긴 잔사가 세정액중에 받아들여진 상태로 제거된다. 이 결과 잔사가 웨이퍼(W)에 부착하는 경우가 없고 이부착을 원인으로 하는 현상 결함을 방지할 수 있다.

이상의 실시의 형태에서는 세정액공급 노즐 (80)이 현상 처리부 (12)에 배치되고 있었지만 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 설치되고 있어도 좋지만 경우 도 8에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)의 현상액 공급 노즐 (50)과 에어 분사 노즐 (51)의 사이에 세정액공급 노즐 (120)이 설치된다. 세정액공급 노즐 (120)은 예를 들면 도 9에 나타나는 바와 같이 현상액 공급 노즐 (50)과 동일하게 노즐 보유 지지부 (40)의 긴 방향(Y방향)의 양단부에 걸쳐 형성되고 있다. 세정액공급 노즐 (120)에는 둥근 구멍의 복수의 토출구 (120a)가 긴 방향을 따라 일렬로 나열하여 형성되고 있다. 예를 들면 도 8에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)에는 세정액공급원 (121)에 연통하는 세정액 공급관 (122)가 접속되고 있다. 세정액 공급 노즐 (120)은 세정액공급원 (121)으로부터 세정액공급관 (122)를 통해서 공급된 세정액을 토출구 (120a)로부터 아래쪽으로 향해 토출할 수 있다.

또 아래 쪽의 노즐 보유 지지부 (41)에도 동일하게 세정액공급 노즐 (130)이 설치되고 있다. 세정액공급 노즐 (130)은 세정액공급 노즐 (120)과 대향하도록 배치되고 있다. 세정액공급 노즐 (130)은 세정액공급 노즐 (120)과 같은 구성을 갖고 세정액공급원 (131)로부터 세정액공급관 (132)를 통해서 공급된 세정액을 토출구로부터 윗쪽으로 향해 토출할 수 있다.

그리고 소정 시간의 정지 현상이 종료한 웨이퍼(W)가 수수부 (11)측의 X방향 부방향 으로 이동해 웨이퍼(W)가 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이를 통과할 때에는 세정액공급 노즐 (120)과 세정액공급 노즐 (130)으로부터 세정액이 토출된다. 이 때 에어분사 노즐 (51, 70)으로부터의 에어의 분출은 정지된다. 그리고 예를 들면 웨이퍼(W)가 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이를 X방향 부방향 측에 통과 완료한 후 이번은 웨이퍼(W)가 현상 처리부 (12)측의 X방향 정방향으로 이동해 세정액을 토출하고있는 세정액공급 노즐 (120)과 세정액공급 노즐 (130)의 사이를 다시 통과한다. 이 왕복 이동은 여러 차례 행해져도 괜찮다. 이렇게 해 웨이퍼(W)의 표면 측에는 세정액의 액활성화가 형성된다. 또 웨이퍼(W)의 이면측의 더러움이 제거된다. 그리고 최종적으로 현상 처리부 (12) 측에 도달한 웨이퍼(W)는 수수부 (11)측의 X방향 부방향으로 이동한다. 이 때 세정액공급 노즐 (120)과 (130)의 세정액의 토출이 정지되고 대신에 에어분사 노즐 (51, 70)으로부터 에어가 분사되고 에어 나이프가 형성된다. 이렇게 해 상기 실시의 형태와 동일하게 웨이퍼(W)의 표면과 이면의 세정액이 제거되어 건조된다.

이상의 예에 있어서도 파지 아암 (35)에 의해 웨이퍼(W)의 외측면을 파지한상태로 웨이퍼(W)의 현상 처리를 실시할 수가 있으므로 종래의 회전자 반송에 비해 처리 용기 (10)내의 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또 현상액 세정액 및 에어의 공급계가 노즐 보유 지지부 (40, 41)에 접속되어 이동하지 않기 때문에 그 공급계의 배관 구성을 간략화할 수 있다.

상기 예에 있어서 세정액공급 노즐 (120, 130)을 웨이퍼(W)의 반송로의 상하에 배치하고 있지만 윗쪽의 세정액공급 노즐 (120) 뿐이어도 괜찮다. 또 에어분사 노즐 (51, 70)에 대해서도 윗쪽의 에어분사 노즐 (51) 뿐이어도 괜찮다.

이상의 실시의 형태에서는 에어분사 노즐 (51)을 이용해 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 에어 커튼을 형성하고 있었지만 에어 커튼을 형성하기 위한 에어 공급부를 별도 설치해도 좋다.

또 도 10에 나타나는 바와 같이 평면으로부터 볼 때 노즐 보유 지지부 (40)의 긴 방향의 양측의 제1의 가이드 레일 (31)의 윗쪽에도 에어분사 노즐 (140)을 배치해도 괜찮다. 이렇게 하는 것으로 처리 용기 (10)의 Y방향의 양측 벽면에 걸쳐서 에어 커튼을 형성할 수 있고 현상 처리부 (12)의 미스트로 더러워진 환경이 수수부 (11)에 흘러드는 것을 확실히 방지할 수 있다. 또한 이 때 노즐 보유 지지부 (40)을 레일 (30)상에까지 늘리고 그 노즐 보유 지지부 (40)에 설치된 에어분사 노즐 (51)을 처리 용기 (10)의 Y방향의 양측 벽면에 걸쳐서 형성해도 좋다.

이상 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 매우 적합한 실시의 형태에 대해서 설명했지만 본 발명은 관련되는 예로 한정되지 않는다. 당업자이면 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범략내에 있어서 각종의 변경예 또는 수정예에 상도 할 수 있는 것은 분명하고 그들에 대해서도 당연하게 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.

예를 들면 이상의 실시의 형태에서는 현상액 공급 노즐 (50), 에어분사 노즐 (51), 세정액공급 노즐 (80, 120, 130) , 에어분사 노즐 (70)은 각각 둥근 구멍 또는 슬릿 형상의 토출구 또는 분사구를 구비하고 있었지만 각 노즐은 어느 형상의 토출구 또는 분사구를 구비하고 있어도 괜찮다.

다음에 다른 실시의 형태에 대해서 설명한다. 도 11은 다른 실시의 형태에 관련되는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도, 도 12는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 횡단면의 설명도이다. 이 다른 실시의 형태에 관련하는 현상 처리 장치 (1)의 구성은 도 1에 나타낸 것으로 주된 구성은 동일하고 도중 동일부호에 의해 나타나고 있는 부재 등은 도 1의 현상 처리 장치 (1)과 동일한 구성이다.

그리고 본 실시의 형태에 있어서는 예를 들면 현상 처리부 (12) 측에는 액체가 통과 가능한 메쉬판 (75)가 설치되고 있다. 메쉬판 (75)는 도 12에 나타나는 바와 같이 예를 들면 웨이퍼(W)의 지름보다 큰 한 변을 가지는 사방 형태로 형성되고 웨이퍼(W)의 상면의 전면을 가릴 수가 있다. 메쉬판 (75)는 예를 들면 0.1~3.0 mm정도의 두께를 갖고 예를 들면 100~300 메쉬(1 인치간의 그물망 수) 정도의 그물망을 가지고 있다. 메쉬판 (75)의 재질에는 예를 들면 폴리아틸레이트 또는 폴리아미드계의 합성 수지가 이용되고 있다. 메쉬판 (75)에는 친수화 처리가 실시되고 있어 현상액과의 접촉각이 10˚이하로 설정되어 있다. 또한 이 친수화 처리는 메쉬판 (75)의 재질에 친수화제를 침입시키는 것에 의해 행해도 괜찮고 메쉬판 (75)를 플라즈마 처리해 그 후 산화 처리하는 것에 의해 행해도 괜찮다. 또 메쉬판 (75)의 접촉각은 0˚에 가까운 측정 한계로부터 5˚의 사이가 보다 바람직하다.

메쉬판 (75)는 도 11에 나타나는 바와 같이 수수부 (11)측의 일단부가 현상액 공급 노즐 (50)의 토출구 (50a)의 아래쪽에 위치하고 그 토출구 (50a)의 아래쪽에 위치로부터 현상 처리부 (12) 측에 향하여 수평 방향으로 형성되고 있다. 또 메쉬판 (75)는 기판 반송 기구 (13)에 의한 웨이퍼(W)의 반송로보다 예를 들면 0.5~3.0 mm정도 약간 높은 위치에 설치되어 있다. 이것에 의해 웨이퍼(W)가 수수부 (11)측으로부터 현상 처리부 (12) 측에 향하여 이동해 현상액 공급 노즐 (50)의 하 부를 통과할 때에는 현상액 공급 노즐 (50)과 웨이퍼(W)의 사이에 메쉬판 (75)가 개재되고 있고 웨이퍼(W)는 그 메쉬판 (75)의 하면측을 메쉬판 (75)에 근접 상태로 이동한다. 현상액 공급 노즐 (50)으로부터 토출된 현상액은 메쉬판 (75)를 개재하여 웨이퍼(W)의 상면에 공급되어 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)의 간격에 끼워 넣는다.

현상 처리부 (12)에는 세정액공급 노즐 (80)이 배치되고 있다. 세정액공급 노즐 (80)은 X방향 부방향측을 개구부로 하는 대략 U형 형상으로 형성되고 있다. 즉 세정액공급 노즐 (80)은 도 11에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)의 윗쪽에 위치하고 X방향을 따른 가늘고 긴 상부 노즐 (80a)와 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)의 아래쪽에 위치하고 X방향에 따른 가늘고 긴 하부 노즐 (80b)와 웨이퍼(W)의 X방향 정방향측의 측쪽으로 위치하고 상부 노즐 (80a)의 단부와 하부 노즐 (80b)의 단부를 접속하는 수직 접속부 (80c)에 의해 구성되고 있다. 그리고 웨이퍼(W)의 상면에는 메쉬판 (75)를 개재하여 세정액이 공급된다.

다음에 이상과 같이 구성된 현상 처리 장치 (1)으로 행해지는 현상 프로세스에 대해서 설명한다.

예를 들면 현상 처리시에는 상시 급기구 (110)으로부터의 급기와 배기구 (113)으로부터의 배기를 해 처리 용기 (10)내에는 수수부 (11)으로부터 현상 처리부 (12)를 향해 흐르는 청정한 기류가 형성된다. 또 예를 들면 에어분사 노즐 (51)로부터 에어가 분사되고 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이에 에어 커튼이 형성된다.

그리고 웨이퍼(W)는 먼저 외부의 반송 암에 의해 반송구 (20)으로부터 수수부 (11)내에 반입되어 도 11에 나타나는 바와 같이 지지 핀 (22)에 지지된다. 웨이퍼(W)가 지지 핀 (22)에 지지되면 Y방향의 양측으로 대기하고 있던 파지 아암 (35)가 웨이퍼(W)측에 이동해 도 12에 나타나는 바와 같이 파지 아암 (35)에 의해 웨이퍼(W)의 Y방향의 양측의 외측면이 파지된다. 다음에 웨이퍼(W)는 파지 아암 (35)에 의해 현상 처리부 (12)측의 X방향 정방향에 수평 이동된다. 그리고 웨이퍼(W)가 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이를 통과하기 직전에 현상액 공급 노즐 (50)으로부터 현상액이 토출되기 시작하고 현상액이 토출되고 있는 아래쪽을 웨이퍼(W)가 통과한다.

이 때 현상액 공급 노즐 (50)으로부터 토출된 현상액은 도 13A에 나타나는 바와 같이 메쉬판 (75)를 통과하고 웨이퍼(W)의 표면에 공급된다. 도 13B에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)상에 공급된 현상액 (K)는 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)의 사이에 끼워 넣어지고 웨이퍼(W)를 탄 상태에서 메쉬판 (75)의 하면을 따라 X방향 정방향측에 이동한다. 메쉬판 (75)는 친수성을 가지므로 이 때 현상액 (K)와 메쉬판 (75)의 사이의 전단저항은 작고 현상액 (K)는 웨이퍼(W)상을 유동하는 것이 억제된다. 그리고 도 13C에 나타나는 바와 같이 현상액 공급 노즐 (50)의 아래쪽을 웨이퍼(W)가 통과 완료하면 웨이퍼(W)가 정지된다. 이 때 웨이퍼(W)의 표면의 전면에 현상액 (K)가 도포되어 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)의 사이에 현상액 (K)가 충전된 상태가 된다. 현상액 (K)는 메쉬판 (75)와 웨이퍼(W)의 사이에 눌려 들어가고 웨이퍼(W)의 표면에 현상액 (K)의 두께가 있는 액막이 형성되어 웨이퍼(W)가 현상된다.

웨이퍼(W)는 파지 아암 (35)에 파지된 상태로 소정시간 정지 현상된다. 소정 시간이 경과하면 세정액공급 노즐 (80)이 세정액을 만들어 내면서 Y방향으로 웨이 퍼(W)의 일단부측으로부터 외 단부측까지 이동한다. 예를들면 세정액공급 노즐 (80)은 웨이퍼(W)의 양단부간을 여러 차례 왕복 이동한다. 웨이퍼(W)의 표면측에는 세정액공급 노즐 (80)의 상부 노즐 (80a)로부터 메쉬판 (75)를 개재하여 세정액이 공급된다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 현상액이 세정액에 치환되어 웨이퍼(W)상에는 세정액의 액막(액활성화)이 형성된다. 이 세정액의 공급에 의해 웨이퍼(W)의 현상이 정지된다.

웨이퍼(W)의 표면에 세정액의 액활성화가 형성된 후 다음에 웨이퍼(W)는 파지 아암 (35)에 의해 수수부 (11)측의 X방향 부방향으로 이동된다. 웨이퍼(W)가 노즐 보유 지지부 (40, 41)의 사이를 통과하기 직전에 아래 쪽의 에어분사 노즐 (70)으로부터 에어가 분사된다. 또 위쪽의 에어분사 노즐 (51)로부터의 에어의 분출 유량이 올라간다. 이 상하로부터 에어가 분사되고 있는 위치를 웨이퍼(W)가 통과해 웨이퍼(W)의 표면의 세정액의 액활성화와 웨이퍼(W)의 이면에 부착한 액체가 제거된다. 이 때 앞에 나온 도 7에 나타나는 바와 같이 에어분사 노즐 (51)의 에어가 에어 나이프가 되어 웨이퍼(W)의 표면의 세정액 (R)은 에어의 압력에 의해 웨이퍼(W)의 일단부로부터 타단부를 향해 단번에 제거되어 건조된다.

웨이퍼(W)는 수수부 (11)내의 지지 핀 (22)의 윗쪽까지 이동하면 정지되어 파지 아암 (35)로부터 지지 핀 (22)에 수수된다. 그 후 웨이퍼(W)는 외부의 반송 아암에 의해 반송구 (20)으로부터 반출되어 일련의 현상 처리가 종료한다. 또한 상술의 일련의 현상 처리는 예를 들면 제어부 (C)가 기판 반송 기구 (13)이나 세정액공급 노즐 (80)의 구동, 각 노즐의 토출 또는 분출의 동작 정지, 급기구 (110)의 급기나 배기구 (113)의 배기의 동작 정지 등을 제어하는 것으로써 실현되고 있다.

이상의 실시의 형태에 의하면 현상액 공급 노즐 (50)의 하부에 친수화 처리가 실시된 메쉬판 (75)를 개재했으므로 메쉬판 (75)의 현상액에 대한 습함이 좋다. 그러므로 웨이퍼(W)가 메쉬판 (75)의 하부를 이동하면서 메쉬판 (75)와 웨이퍼(W)와의 사이에 현상액이 공급되어도 웨이퍼(W)상의 현상액과 메쉬판 (75)의 사이의 전단저항이 자고 웨이퍼(W)상의 현상액의 유동이 억제된다. 이 결과 웨이퍼(W)상의 현상액이 안정되어 웨이퍼면내의 현상이 안정되어 얼룩 없이 행해진다.

메쉬판 (75)가 현상액 공급 노즐 (50)의 아래쪽으로부터 웨이퍼(W)의 진행 방향측을 향해 형성되고 있으므로 웨이퍼(W)상의 공급된 현상액은 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)의 사이에 보유 지지된다. 이것에 의해도 현상액의 유동이 억제되어 웨이퍼(W)의 현상이 안정되어 행해진다.

세정액공급 노즐 (80)에 의해 메쉬판 (75)를 개재시켜 웨이퍼(W)상에 세정액을 공급할 수 있으므로 웨이퍼(W)상에 메쉬판 (75)와 웨이퍼(W)의 간격만큼의 세정액의 액활성화를 형성할 수 있다. 이 때문에 웨이퍼(W)상에 충분한 양의 세정액을 공급해 웨이퍼(W)상에 잔존하는 현상의 잔사가 패턴에 부착하는 것을 억제할 수 있다. 그리고 세정액중에 잔사를 취입한 상태로 에어분사 노즐 (51)의 에어 나이프에 의해 웨이퍼(W)상의 세정액을 제거할 수가 있다.

또 기판 반송 기구 (13)의 파지 아암 (35)에 의해 웨이퍼(W)의 외측면을 파지한 상태로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으므로 반송용의부재가 웨이퍼(W)의 이면에 접촉하는 경우가 없고 웨이퍼(W)의 이면이 오염되지 않는다.

수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 에어분사 노즐 (51)을 설치했으므로 현상 처리부 (12)로부터 수수부 (11)에 웨이퍼(W)가 이동할 때에 웨이퍼(W)상의 세정액을 제거해 건조시킬 수가 있다. 이것에 의해 현상 처리부 (12)측에서 웨이퍼(W)에 부착한 액체가 수수부 (11)에 침입하는 경우가 없고 수수부 (11)을 청정하게 유지할 수가 있다. 이 결과 예를 들면 수수부 (11)에 반입된 웨이퍼(W)에 불순물이부착하는 경우가 없고 웨이퍼(W)가 적정하게 현상된다.

이상의 실시의 형태에서는 세정액공급 노즐 (80)이 현상 처리부 (12)에 배치되고 있었지만 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 설치되어도 괜찮다. 관련된 경우 도 14에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)의 현상액 공급 노즐 (50)과 에어 분사 노즐 (51)의 사이에 세정액공급 노즐 (120)이 설치된다. 그리고 예를 들면 도 14에 나타나는 바와 같이 노즐 보유 지지부 (40)에는 세정액공급원 (121)에 연통하는 세정액 공급관 (122)가 접속되고 있다. 세정액공급 노즐 (120)은 세정액공급원 (121)로부터 세정액공급관 (122)를 통해서 공급된 세정액을 토출구 (120a)로부터 아래쪽으로 향해 토출할 수 있다. 또한 메쉬판 (75)는 세정액공급 노즐 (120)의 토출구 (120a)를 덮고 있어도 괜찮고 덮고 있지 않아도 좋다.

또한 소정 시간의 정지 현상이 종료한 웨이퍼(W)의 프로세스에 대해서는 앞의 도 8의 예와 같다.

이상의 예에서는 현상액, 세정액 및 에어의 공급계가 노즐 보유 지지부 (40, 41)에 접속되어 구동하지 않기 때문에 그 공급계의 배관 구성을 간략화할 수 있다.

상기 실시의 형태에서는 세정액공급 노즐 (120)이 수수부 (11)과 현상 처리 부 (12)의 사이에 설치되고 있었지만 메쉬판 (75)의 X방향 정방향측에 메쉬판 (75)에 인접해 설치되고 있어도 괜찮다. 도 l5는 관련된 일례를 나타내는 것이다. 예를 들면 메쉬판 (75)는 X방향의 길이가 짧고 예를 들면 웨이퍼(W)의 지름보다 짧게 형성되고 있다. 예를 들면 메쉬판 (75)는 예를 들면 웨이퍼(W)의 지름의 반정도의 길이로 형성되고 있다.

메쉬판 (75)의 X방향 정방향측에는 상술의 세정액공급 노즐 (120)이 메쉬판 (75)에 근접해 설치되고 있다. 현상액 공급 노즐 (50)의 토출 위치로부터 세정액공급 노즐 (120)의 토출 위치까지의 X방향의 거리는 웨이퍼(W)의 지름보다 짧고 예를 들면 웨이퍼(W)의 지름의 반정도로 설정되어 있다. 세정액공급 노즐 (120)은 예를 들면 처리 용기 (10)의 천정면에 고정된 노즐 보유 지지부 (135)에 보유 지지되고 있다. 또 세정액공급 노즐 (120)의 하부에는 상술의 실시의 형태와 동일하게 세정액공급 노즐 (130)이 설치된다. 세정액공급 노즐 (130)은 노즐 보유 지지부 (136)에 보유 지지되고 있다. 기판 반송 기구 (13)은 웨이퍼(W)를 메쉬판 (75)의 하부를 메쉬판 (75)를 따라 통과시키고 또한 세정액공급 노즐 (120)의 토출구 (120a)의 하부를 통과시킬 수가 있다.

그리고 현상 처리 시에는 상기 실시의 형태와 동일하게 수수부 (11)의 웨이퍼(W)가 기판 반송 기구 (13)에 의해 현상 처리부 (12)측의 X방향 정방향으로 반송된다. 이 때 도 16A에 나타나는 바와 같이 현상액 공급 노즐 (50)으로부터 메쉬판 (75)를 통해서 웨이퍼(W)의 표면에 현상액 (K)가 공급된다. 웨이퍼(W)는 현상액 (K)가 액활성화되면서 메쉬판 (75)의 아래쪽을 통과하고 이때에 웨이퍼(W)의 현상 을 한다. 도 16B에 나타나는 바와 같이 세정액공급 노즐 (120)으로부터 세정액 (A)가 토출되고 웨이퍼(W)는 메쉬판 (75)를 통과 완료한 직후에 세정액 (A)가 공급된다. 이 세정액 (A)의 공급에 의해 현상이 정지된다. 이와 같이 현상액 공급 노즐 (50)으로부터 현상액 (K)가 공급되어 메쉬판 (75)의 X방향 정방향측의 세정액공급 노즐 (120)로부터 세정액 (A)가 공급될 때까지의 사이가 웨이퍼(W)의 현상 시간이 된다. 이 현상 시간은 기판 반송 기구 (13)에 의해 웨이퍼(W)의 반송 속도를 조정하는 것에 의해 제어된다.

도 16C에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)가 세정액공급 노즐 (120)의 아래쪽을 통과하면 웨이퍼(W)의 표면의 전면에 세정액 (A)가 공급되고 웨이퍼(W)의 전면의 현상이 정지된다. 이 때 웨이퍼(W)의 표면에 세정액 (A)의 액활성화가 형성된다. 또 웨이퍼(W)의 통과중에 세정액공급 노즐 (130)으로부터도 세정액이 만들어 져 웨이퍼(W)의 이면측도 세정된다.

웨이퍼(W)상에 세정액의 액활성화가 형성된 후 웨이퍼(W)는 수수부 (11)측의 X방향 부방향으로 이동되어 에어분사 노즐 (51, 70)으로부터의 에어에 의해 웨이퍼(W)가 건조된다.

이 예에 의하면 현상액이 공급되고 나서 세정액이 공급될 때까지의 시간이 웨이퍼 표면의 어느점 에 있어서도 일정하게 되므로 웨이퍼면내의 현상을 균일하게 실시할 수가 있다. 또 기판 반송 기구 (13)의 웨이퍼(W)의 반송 속도를 조정하는 것으로써 웨이퍼(W)의 현상 시간을 간단하게 제어할 수 있다.

상기 실시의 형태에 기재한 세정액공급 노즐 (120)은 도 17에 나타나는 바와 같이 토출구 (120a)가 메쉬판 (75)와 반대측의 기울기 아래쪽으로 향해지고 있어도 괜찮다. 이렇게 하는 것으로 세정액이 메쉬판 (75)내에 들어가는 메쉬판 (75)를 오염하는 것을 방지할 수 있다.

이상의 실시의 형태에서는 메쉬판 (75)를 고정해 배치하고 있었지만 웨이퍼(W)의 이동에 수반해 이동시키도록 해도 괜찮다.

도 18은 일례를 나타내는 것이다. 도 18에 나타나는 바와 같이 처리 용기 (10)내에 메쉬판 (75)를 보유 지지해 반송하는 메쉬판반송 기구 (150)이 설치되고 있다. 메쉬판반송 기구 (150)은 도 19에 나타나는 바와 같이 메쉬판 (75)를 기판 반송 기구 (13)에 의한 웨이퍼의 반송로보다 높은 위치로서 현상액 공급 노즐 (50)보다 낮은 위치를 X방향으로 반송할 수 있다.

메쉬판반송 기구 (150)은 예를 들면 도 18에 나타나는 바와 같이 처리 용기 (10)내의 각 레일 (31)의 바깥쪽에 수수부 (11)로부터 현상 처리부 (12)에 걸쳐서 레일 (31)과 평행하게 연장하는 레일 (151)을 구비하고 있다. 각 레일 (151)상에는 슬라이더 (152)가 설치되고 있다. 슬라이더 (152)는 예를 들면 모터등의 구동원을 구비하여 레일 (151)을 따라 X방향으로 이동할 수 있다.

각 슬라이더 (152)상에는 메쉬판 (75)의 Y방향측의 단부를 보유 지지하는 보유 지지 아암 (153)이 장착되고 있다.

본 실시의 형태에 있어서는 메쉬판반송 기구 (150)은 레일 (151), 슬라이더 (152) 및 보유 지지 아암 (153)에 의해 구성되고 있다. 이 메쉬판반송 기구 (150)에 의해 메쉬판 (75)를 보유 지지한 보유 지지 아암 (153)을 X방향으로 이동시켜 메쉬판 (75)를 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 반송할 수 있다. 또한 메쉬판반송 기구 (150)의 동작의 제어는 제어부 (C)에 의해 행해진다.

그리고 현상 처리 시에는 먼저 외부로부터 처리 용기 (10)내에 웨이퍼(W)가 반입되어 웨이퍼(W)가 지지 핀 (22)에 지지되면 메쉬판 (75)가 웨이퍼(W)의 윗쪽에 배치된다. 이 때 메쉬판 (75)는 평면으로부터 볼 때 웨이퍼(W)의 상면의 전면을 가리도록 배치된다. 그 후 상기 실시의 형태와 동일하게 웨이퍼(W)가 기판 반송 기구 (13)에 의해 현상 처리부 (12)측에 이동되면 메쉬판 (75)도 메쉬판 반송 기구 (150)에 의해 현상 처리부 (12) 측에 이동된다. 이 때 메쉬판 (75)는 웨이퍼(W)와 같은 속도로 반송되어 웨이퍼(W)의 상면을 가린 상태가 유지된다.

웨이퍼(W)가 현상액 공급 노즐 (50)의 하부를 통과하기 전에 현상액의 토출이 개시되어 도 20에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)가 현상액 공급 노즐 (50)의 하부를 통과할 때에는 현상액 (K)가 메쉬판 (75)를 개재하여 웨이퍼(W)상에 공급된다. 웨이퍼(W)상에 공급된 현상액 (K)는 메쉬판 (75)와 웨이퍼(W)의 사이에 끼워 넣여져 충전된다. 이 때 상기 실시의 형태와 동일하게 메쉬판 (75)의 친수성이 높기 때문에 메쉬판 (75)와 현상액 (K)의 사이의 전단저항이 작고 웨이퍼(W)상의 현상액 (K)의 유동이 억제된다. 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)가 현상액 공급 노즐 (50)의 아래쪽을 통과 완료하면 웨이퍼(W)의 표면의 전면에 현상액 (K)가 공급된다.

현상액 공급 노즐 (50)의 아래쪽을 통과한 웨이퍼(W)와 메쉬판 (75)는 도 19에 나타나는 바와 같이 측면으로부터 볼 때 현상 처리부 (12)측의 세정액공급 노즐 (80)에 끼워진 위치에서 정지된다. 웨이퍼(W)는 이 상태로 소정 시간 정지 현상된 다. 정지 현상이 종료하면 상술 한 실시의 형태와 동일하게 세정액공급 노즐 (80)이 세정액을 토출하면서 Y방향으로 웨이퍼(W)의 일단부측으로부터 타단부측까지 이동해 웨이퍼(W)의 표면에 세정액의 액활성이 형성된다.

그 후 예를들면 도 21에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)만이 수수부 (11)측의 X방향 부방향으로 이동되어 상기 실시의 형태와 동일하게 에어분사 노즐 (51)로부터의 에어 나이프에 의해 웨이퍼(W)의 표면의 세정액의 액활성화가 제거된다. 또 웨이퍼(W)의 이면도 에어 분사 노즐 (70)으로부터의 에어에 의해 액체가 제거된다.

웨이퍼(W)는 수수부 (11)내의 지지 핀 (22)의 윗쪽까지 이동하면 정지되고 지지 핀 (22)에 수수된다. 그 후 웨이퍼(W)는 외부의 반송 암에 의해 반송구 (20)으로부터 반출된다.

한편 메쉬판 (75)는 예를 들면 웨이퍼(W)가 반출된 후에 수수부 (11) 측에 이동되어 웨이퍼(W)와 동일하게 에어분사 노즐 (51, 70)에 의해 건조된다. 그리고 다음의 웨이퍼(W)가 반입될 때까지 예를 들면 지지 핀 (22)의 윗쪽에서 대기한다.

이 예에 의해도 이동하는 웨이퍼(W)와 현상액 공급 노즐 (50)의 사이에 친수화 처리가 실시된 메쉬판 (75)가 개재되므로 메쉬판 (75)의 현상액에 대한 습한 성질이 높아진다. 이 고 웨이퍼(W)가 이동하면서 현상액이 공급되어도 웨이퍼(W)상의 현상액과 메쉬판 (75)의 사이의 전단저항이 작아져 웨이퍼(W)상의 현상 그 유동이 억제된다. 이 결과 웨이퍼(W)상의 현상액이 안정되어 웨이퍼면내의 현상이 안정되어 얼룩 없이 행해진다.

또한 메시판 (75)와 웨이퍼(W)를 함께 이동시키는 상기 예 에 있어서 상술한 바와 같이 세정공급 노즐 (80)을 수수부 (11)과 현상 처리부 (12)의 사이에 배치해도 좋다.

이상 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 매우 적합한 실시의 형태에 대해서 설명했지만 본 발명은 관련된 예에 한정되지 않는다. 예를 들면 상기 한 예에서는 메쉬판 (75)의 전체가 친수화 처리되고 있지만 적어도 메쉬판 (75)의 하면이 친수화 처리되고 있으면 좋다.

또 이상의 실시의 형태는 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 예였지만 본 발명은 웨이퍼 이외의 예를 들면 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토 마스크용의 마스크레티클 등의 다른 기판을 현상처리하는 경우에도 적용할 수 있다.

본 발명은 기판을 회전하지 않는 현상처리장치에 있어서 파티클의 발생을 억제할 때에 유용하다. 또 본 발명은 기판에 공급된 현상액중의 대류를 억제할 때에 유용하다.

Claims (28)

1. 기판의 현상 처리 장치로서,

   처리 용기 내에, 처리 용기의 외부와의 사이에서 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와 기판의 현상이 행해지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고,

   상기 처리 용기 내에는, 상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이를, 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 기판을 반송하는 반송 기구가 설치되고,

   상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이이며, 상기 반송 기구에 의해 기판을 반송하는 반송로의 윗쪽에는 기판에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과 기판에 기체를 분무하는 기체분사 노즐이 설치되고,

   상기 현상 처리부에는 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐이 설치되어 있고,

   상기 세정액공급 노즐은 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향에 대해서 직각 방향으로 수평 이동하면서 기판에 세정액을 공급하고,

   상기 세정액공급 노즐은, 기판의 상면에 세정액을 공급하는 상부 노즐과 기판의 하면에 세정액을 공급하는 하부 노즐을, 상기 현상 처리부 내의 기판을 사이에 두도록 하여 구비하고,

   상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐은, 상기 기판의 반송 방향의 기판의 일단부로부터 타단부에 걸쳐 세정액을 토출할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
2. 청구항 1의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

   상기 세정액공급 노즐은, 상기 현상 처리부 내의 기판의 상면과, 상기 기판의 상기 기판 수수부와 반대의 측면과, 상기 기판의 하면을 둘러싸는 U자형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
3. 청구항 1의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

   상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이에 에어 커튼을 형성하는 에어 공급부를 가지는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
4. 청구항 1의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

   상기 처리 용기에는, 상기 기판 수수부 측에 급기구가 형성되고, 상기 현상 처리부 측에 배기구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
5. 청구항 1의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

   상기 반송 기구는, 기판의 반송 방향에 대해 직각 방향의 기판의 양측면을 파지하는 파지부재와, 상기 파지부재를 지지하여 상기 직각 방향으로 이동시키는 이동부재를 구비하고,

   상기 파지부재와 상기 이동부재의 사이에는 탄성체가 개재하고 있고,

   파지하는 기판의 반대 측에 위치하는 상기 파지부재의 후방 측에는, 상기 이동부재에 고정된 고정부재가 설치되고,

   상기 고정부재와 상기 파지부재는 탄성체를 개재하여 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
6. 청구항 1의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

   상기 반송 기구는, 기판의 반송 방향에 대해 직각 방향의 기판의 양측면을 파지하는 파지부재와, 상기 파지부재를 지지하여 상기 직각 방향으로 이동시키는 이동부재를 구비하고,

   상기 파지부재와 상기 이동부재의 사이에는 탄성체가 개재하고 있고,

   상기 파지부재에 있어서의 기판의 외측면과의 접촉 단면은 측면으로부터 볼때 안쪽으로 오목하도록 만곡되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
7. 현상액 공급 노즐을 기판 상에 배치하고, 상기 현상액 공급 노즐로부터 현상액을 토출한 상태로, 상기 현상액 공급 노즐과 기판을 상대적으로 수평 이동시켜 기판에 현상액을 공급하는 현상 처리 장치로서,

   현상액 공급 노즐과 기판 사이에 개재 가능하며, 현상액이 통과 가능한 메쉬판을 갖고,

   상기 메쉬판은, 기판 상에 공급된 현상액에 메쉬판이 접촉하도록 기판에 근접 가능하고,

   상기 메쉬판의 적어도 기판 측의 면에는 친수화 처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
8. 청구항 7의 현상 처리 장치에 있어서,

   상기 메쉬판의 적어도 기판 측의 면은, 현상액에 대한 접촉각이 10˚이하가 되도록 친수화되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
9. 청구항 7의 현상 처리 장치에 있어서,

   상기 현상액 공급 노즐의 하면에는, 기판의 한방향의 치수보다 긴 거리에 걸쳐서 소정 방향으로 토출구가 형성되어 있고,

   상기 소정 방향과 직교하는 수평 방향으로 기판을 반송하고, 상기 기판을 상기 현상액 공급 노즐의 토출구의 아래쪽을 통과시키는 기판 반송 기구를 또한 갖고,

   상기 메쉬판은, 그 일단부가 상기 현상액 공급 노즐의 토출구의 아래쪽에 위치하고, 또한 상기 메쉬판은 상기 토출구의 아래쪽의 위치로부터 상기 기판의 통과 방향을 향하여 형성되고 또한 상기 토출구의 아래쪽을 통과 완료한 기판의 상면의 전부 또는 일부를 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
10. 청구항 9의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 메쉬판의 상기 기판의 통과 방향 측에는, 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐이 상기 메쉬판에 인접하여 설치되고,

    상기 기판 반송 기구는, 상기 기판의 통과 방향을 향해, 기판을 상기 메쉬판의 아래쪽을 통과시키고, 또한 상기 세정액공급 노즐의 아래쪽을 통과시킬 수가 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
11. 청구항 10의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 세정액공급 노즐은, 그 하면에 세정액의 토출구를 갖고,

    상기 기판 반송 기구는, 기판이 상기 현상액 공급 노즐의 토출구의 아래쪽을 통과하고 나서 상기 세정액공급 노즐의 토출구의 아래쪽을 통과할 때까지의 시간이 소정의 현상 시간이 되도록 기판을 반송하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
12. 청구항 7의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 메쉬판은, 기판의 상면의 전면을 덮을 수 있는 크기로 형성되고,

    상기 현상액 공급 노즐의 하면에는, 기판의 한방향의 치수보다 긴 거리에 걸쳐서 소정 방향으로 토출구가 형성되어 있고,

    상기 소정 방향과 직교하는 수평 방향으로 기판을 반송하고, 상기 기판을 상기 현상액 공급 노즐의 토출구의 아래쪽을 통과시키는 기판 반송 기구와, 상기 메쉬판을 기판의 상면을 덮은 상태로 상기 기판과 동일 방향으로 반송하고, 상기 메쉬판을 상기 현상액 공급 노즐의 토출구의 아래쪽을 통과시키는 메쉬판 반송 기구를 또한 가지는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
13. 청구항 9의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 메쉬판의 윗쪽으로부터 상기 메쉬판을 통해 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
14. 청구항 12의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 메쉬판의 윗쪽으로부터 상기 메쉬판을 통해 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
15. 청구항 9의 현상 처리 장치에 있어서,

    처리 용기 내에, 처리 용기의 외부와의 사이에 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와, 기판의 현상이 행해지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고,

    상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이에는, 상기 현상액 공급 노즐과, 기판에 기체를 분사하는 기체 분사 노즐이 배치되고,

    상기 기판 반송 기구는, 상기 기판 수수부와 현상 처리부의 사이를, 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 반송하는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
16. 기판의 현상 처리 장치로서,

    처리 용기 내에 처리 용기의 외부와의 사이에 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와, 기판의 현상이 행해지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고,

    상기 처리 용기 내에는, 상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이를, 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 기판을 반송하는 반송 기구가 설치되고,

    상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이이며, 상기 반송 기구에 의해 기판을 반송하는 반송로의 윗쪽에는, 기판에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과, 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐과, 기판에 기체를 분무하는 기체분사 노즐이 설치되고 있고,

    상기 세정액공급 노즐은, 기판의 상면에 세정액을 공급하는 상부 노즐과, 기판의 하면에 세정액을 공급하는 하부 노즐을, 상기 현상 처리부내의 기판을 사이에 두도록 하여 구비하고,

    상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐은, 상기 기판의 반송 방향의 기판의 일단부로부터 타단부에 걸쳐 세정액을 토출할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
17. 청구항 16의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이이며, 상기 기판의 반송로의 윗쪽에는 노즐 보유 지지부가 설치되고,

    상기 노즐 보유 지지부에는, 상기 기판 수수부로부터 상기 현상 처리부를 향해, 상기 기체분사 노즐, 상기 세정액공급 노즐, 상기 현상액 공급 노즐이 이 순서로 나열하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
18. 청구항 16의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 기판의 반송로의 아래쪽에도 세정액공급 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
19. 청구항 16의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 기판의 반송로의 아래쪽에도 기체분사 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
20. 청구항 16의 기판의 현상 처리 장치에 있어서,

    상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이이며 상기 기판의 반송로의 아래쪽에는 노즐 보유 지지부가 설치되고,

    상기 기판의 반송로의 아래쪽의 노즐 보유 지지부에는, 상기 기판 수수부로부터 상기 현상 처리부로 향해, 상기 기체분사 노즐, 상기 세정액공급 노즐이 이 순서로 나열하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 현상 처리 장치.
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22. 현상 처리 장치를 이용해 기판을 현상 처리하는 현상 처리 방법으로서,

    상기 현상 처리 장치는, 처리 용기 내에, 처리 용기의 외부와의 사이에서 기판 수수가 행해지는 기판 수수부와, 기판의 현상이 행해지는 현상 처리부가 나열하여 설치되고,

    상기 처리 용기 내에는, 상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이를, 기판의 외측면을 양측으로부터 파지한 상태로 기판을 반송하는 반송 기구가 설치되고,

    상기 기판 수수부와 상기 현상 처리부의 사이이며, 상기 반송 기구에 의해 기판을 반송하는 반송로의 윗쪽에는, 기판에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐과, 기판에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐과, 기판에 기체를 분무하는 기체 분사 노즐이 설치되고,

    상기 세정액공급 노즐은, 기판의 상면에 세정액을 공급하는 상부 노즐과, 기판의 하면에 세정액을 공급하는 하부 노즐을, 상기 현상 처리부 내의 기판을 사이에 두도록 하여 구비하고, 상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐은, 상기 기판의 반송 방향의 기판의 일단부로부터 타단부에 걸쳐 세정액을 토출할 수 있도록 구성되고,

    기판 수수부의 기판의 외측면을 상기 반송 기구에 의해 파지하는 공정과,

    현상액 공급 노즐로부터 현상액을 토출한 상태로, 기판 수수부의 기판을 상기 반송 기구에 의해 현상 처리부에 반송하고, 상기 기판 상에 현상액의 액막을 형성하는 공정과,

    상기 현상 처리부에 있어서 기판을 정지 현상하는 공정과,

    세정액 공급 노즐로부터 세정액을 토출한 상태로, 상기 현상 처리부와 상기 기판 수수부의 사이에서 기판을 상기 반송 기구에 의해 왕복시키고, 상기 기판 상에 세정액의 액막을 형성하는 공정과,

    기체 분사 노즐로부터 기체를 분사한 상태로, 상기 현상 처리부의 기판을 상기 반송 기구에 의해 상기 기판 수수부에 반송하여, 기판 상의 세정액을 제거하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 현상 처리 방법.
23. 현상액 공급 노즐을 기판 상에 배치하고, 상기 현상액 공급 노즐로부터 현상액을 토출한 상태로, 상기 현상액 공급 노즐과 기판을 상대적으로 수평 이동시켜 기판에 현상액을 공급하는 현상 처리 장치를 이용하여, 기판을 현상 처리하는 현상 처리 방법이며,

    상기 현상 처리 장치는, 현상액 공급 노즐과 기판 사이에 개재 가능하며, 현상액이 통과 가능한 메쉬판을 갖고,

    상기 메쉬판은, 기판 상에 공급된 현상액에 메쉬판이 접촉하도록 기판에 근접 가능하고,

    상기 메쉬판의 적어도 기판 측의 면에는, 친수화 처리가 실시되고 있고,

    상기 현상액 공급 노즐로부터 상기 메쉬판을 통하여 기판의 표면에 현상액을 공급하는 공정과,

    그 후, 기판을 정지 현상하는 공정과,

    그 후, 상기 메쉬판을 통하여 기판의 표면에 세정액을 공급하여, 기판 표면에 세정액의 액막을 형성하는 공정과,

    그 후, 기판 상의 세정액을 제거하는 공정을 가지는 현상 처리 방법.
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