JP7330437B2 - 蓄電デバイス、およびその製造方法 - Google Patents
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Description
項2 エチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体が、下記一般式(2)由来の構成単位と、下記一般式(1)由来の構成単位および/または下記一般式(3)由来の構成単位を含有するポリエーテル重合体である項1に記載の蓄電デバイス。
式(2):
項3 エチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体の重量平均分子量が10万~250万である項1または2に記載の蓄電デバイス。
項4 シリコン系活物質がSiおよび/またはSiOを含有する項1~3いずれかに記載の蓄電デバイス。
項5 正極における正極材料に用いられる活物質が、AMO2(Aはアルカリ金属、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)、AM2O4(Aはアルカリ金属、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)、A2MO3(Aはアルカリ金属、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)、AMBO4(Aはアルカリ金属、BはP、Si、Sまたはその混合物、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)のいずれかである項1~4いずれかに記載の蓄電デバイス。
項6 正極、高分子電解質層、負極を有する蓄電デバイスの製造方法であって、高分子電解質層がエチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体を含有し、負極の負極材料層にシリコン系活物質を含有し、負極材料層の厚さが15μm以下とし、正極、高分子電解質層、負極が積層される蓄電デバイスの製造方法。
項7 負極における負極材料層がエチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体を含む電極材料用スラリーを含浸されて製造されていない項6記載の蓄電デバイスの製造方法。
本発明の蓄電デバイスは、正極と、負極と、高分子電解質層とを備えることを特徴としている。
正極は、公知の正極を用いることができ、集電体と正極材料層とを備える正極を例示することができる。
負極は、集電体と、シリコン系活物質を含む負極材料層とを備える。
高分子電解質層がエチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体を含有する。ポリエーテル重合体は架橋されていることが好ましい。
式(1):
式(2):
市販品から入手可能な化合物としては、例えば、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、tert-ブチルグリシジルエーテル、ベンジルグリシジルエーテル、1,2-エポキシドデカン、1,2-エポキシオクタン、1,2-エポキシヘプタン、2-エチルヘキシルグリシジルエーテル、1,2-エポキシデカン、1,2-エポキシへキサン、グリシジルフェニルエーテル、1,2-エポキシペンタン、グリシジルイソプロピルエーテルなどが使用できる。これら市販品のなかでは、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、グリシジルイソプロピルエーテルが好ましく、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテルが特に好ましい。
合成によって得られる式(1)で表される単量体では、Rは-CH2O(CR1R2R3)が好ましく、R1、R2、R3の少なくとも一つが-CH2O(CH2CH2O)nR4であることが好ましい。R4は炭素数1~6のアルキル基が好ましく、炭素数1~4のアルキル基がより好ましい。nは0~6が好ましく、0~4がより好ましい。
合物を含有する。
特に、リチウムイオンキャパシタにおいて電解質塩化合物としては、Li塩化合物が好適に用いられる。
光反応開始剤の量はエチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体100質量部に対して0.01~6.0質量部の範囲内が好ましく、更に好ましくは0.1~4.0質量部である。
本発明の蓄電デバイスの製造方法は、正極、高分子電解質層、負極を積層することにより製造することができ、具体的には、正極と負極との間に高分子電解質層を挟持することにより製造される。
前記エチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体と電解質塩化合物を含有する高分子電解質層を作製する工程、および
前記作製された高分子電解質層を正極、負極の間に積層させる工程を含む蓄電デバイスの製造方法である。
撹拌機、温度計および蒸留装置を備えた3つ口フラスコにトリブチル錫クロライド10gおよびトリブチルホスフェート35gを入れ、窒素気流下に撹拌しながら250℃で20分間加熱して留出物を留去させ残留物として固体状の縮合物質を得た。以下の重合例で重合触媒として用いた。
ポリエーテル共重合体の分子量測定にはゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)測定を行い、標準ポリスチレン換算により重量平均分子量を算出した。GPC測定は(株)島津製作所製RID-6A、昭和電工(株)製ショウデックスKD-807、KD-806、KD-806MおよびKD-803カラム、および溶媒にDMFを用いて60℃で行った。
内容量3Lのガラス製4つ口フラスコの内部を窒素置換し、これに重合触媒として触媒の合成例で示した縮合物質1gと水分10ppm以下に調整したグリシジルエーテル化合物(a):
内容量3Lのガラス製4つ口フラスコの内部を窒素置換し、これに重合触媒として触媒の合成例で示した縮合物質1gと水分10ppm以下に調整したグリシジルエーテル化合物(a)150g、アリルグリシジルエーテル 30g、および溶媒としてn-ヘキサン1000gを仕込み、化合物(a)の重合率をガスクロマトグラフィーで追跡しながら、エチレンオキシド150gを逐次添加した。このときの重合温度は20℃とし、10時間反応を行った。重合反応はメタノールを1mL加えて反応を停止した。デカンテーションによりポリマーを取り出した後、常圧下40℃で24時間、更に減圧下45℃で10時間乾燥してポリマー290gを得た。得られたポリエーテル共重合体の重量平均分子量およびモノマー換算組成分析結果を表1に示す。
重合例2で得たポリエーテル共重合体1.0g、光開始剤としてベンゾフェノン0.002g、架橋助剤としてN,N’-m-フェニレンビスマレイミド0.05g、かつモル比(電解質塩化合物のモル数)/(共重合体のエーテル酸素原子の総モル数)が0.05となるようにビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドリチウムをアセトニトリル10mLに溶解したものを、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に500μmギャップのバーコーターを用いて塗布し、そのまま80℃に加熱して乾燥させたのち、電解質表面をラミネートフィルムでカバーした状態で、高圧水銀灯(30mW/cm2)を30秒間照射することにより架橋高分子電解質膜を作製した。当該架橋高分子電解質膜の厚みは80μmであった。
負極活物質には、平均粒径5μmのSiを用いた。この負極活物質8.0gに対して、導電助剤としてアセチレンの熱分解によって製造された球状炭素微粒子を0.2g、バインダーとして溶剤系ポリイミドを1.8g添加し、1-メチル-2-ピロリドン(NMP)を溶媒として自公転攪拌機を用いて、10分攪拌したのち、Niめっき処理を施した鉄集電体(厚み10μm)上に25μmギャップのバーコーターを用いて塗布し、大気下80℃で10分仮乾燥した。その後にロールプレスを行い、アルゴン雰囲気下350℃で1時間熱処理後、負極とした。当該負極の厚みは14μm、負極材料層の厚みは4μmであった。
アルゴンガスで置換されたグローブボックス内において、負極上に架橋例1で得た架橋高分子電解質膜を貼り合わせ、更に対極として金属リチウムを貼り合わせて、ラミネートセルを組み立てた。電気化学特性(可逆容量、サイクル性能)は北斗電工(株)製の充放電装置を用い、50時間で所定の充電および放電が行える試験条件(0.02C)にて、上限を1.0V、下限を0.001Vとし、一定電流通電により正極の評価をした。試験温度は45℃環境とした。試験結果を表2に示す。
負極活物質には、平均粒径1μmのSiOを用いた。この負極活物質8.0gに対して、導電助剤としてアセチレンの熱分解によって製造された球状炭素微粒子を0.2g、バインダーとして溶剤系ポリイミドを1.8g添加し、1-メチル-2-ピロリドン(NMP)を溶媒として自公転攪拌機を用いて、10分攪拌したのち、Niめっき処理を施した鉄集電体(厚み10μm)上に28μmギャップのバーコーターを用いて塗布し、大気下80℃で10分仮乾燥した。その後にロールプレスを行い、アルゴン雰囲気下350℃で1時間熱処理後、負極とした。熱処理後の負極の厚みは14μm、負極材料層の厚みは4μmであった。
実施例1と同様の方法で負極と架橋高分子電解質膜を貼り合わせ、更に対極として金属リチウムを貼り合わせてラミネートセルを作製した。電気化学特性は実施例1と同様の方法で行った。試験温度は60℃環境とした。試験結果を表2に示す。
負極活物質には、平均粒径12μmのグラファイト粉末(多孔質構造材料)を用いた。この負極活物質9.8gに対して、バインダーとして水溶液系ポリイミドを0.2g添加し、水を溶媒として自公転攪拌機を用いて、10分攪拌したのち、Niめっき処理を施した鉄集電体(厚み10μm)上に75μmギャップのバーコーターを用いて塗布し、大気下80℃で10分仮乾燥した。その後にロールプレスを行い、真空下150℃で12時間熱処理後、負極とした。熱処理後の負極は50μm、負極材料層の厚みは40μmであった。
その後、実施例1と同様の方法でラミネートセルを作製し、負極の電気化学特性を評価した。試験結果を表2に示す。
正極活物質には、平均粒径10μmのLiFePO4を用いた。この正極活物質8.5gに対して、導電助剤としてアセチレンの熱分解によって製造された球状炭素微粒子を1.0g、バインダーとしてポリフッ化ビニリデン(PVDF)を0.5g添加し、1-メチル-2-ピロリドン(NMP)を溶媒として自公転攪拌機を用いて、10分攪拌したのち、ステンレス集電体(厚み10μm)上に100μmギャップのバーコーターを用いて塗布し、大気下80℃で10分仮乾燥した。その後にロールプレスを行い、真空下150℃で12時間熱処理後、正極とした。熱処理後の正極の厚みは60μmで、正極材料層の厚みは50μmあった。
また、重合例1で得たポリエーテル共重合体1.0g、かつモル比(電解質塩化合物のモル数)/(共重合体のエーテル酸素原子の総モル数)が0.05となるようにビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドリチウムをアセトニトリル10mLに溶解したものを、上記の正極上に500μmギャップのバーコーターを用いて塗布し、そのまま80℃に加熱して、正極上に高分子電解質が一体化された正極/電解質シートを作製した。
このシートをアルゴンガスで置換されたグローブボックス内において、架橋例1で得た架橋高分子電解質膜を貼り合わせ、更に対極として実施例1で得られた負極を貼り合わせてラミネートセルを作製した。電気化学特性(放電容量)は充放電装置を用い、上限を3.8 V、下限を2.5Vとし、一定電流通電により正極・負極の評価をした。充放電レートは、20時間で所定の充電および放電が行える試験条件(0.05C)から、1時間で所定の充電および放電が行える試験条件(1.0C)までの範囲において表3に記載の条件で実施した。試験温度は80℃環境とした。試験結果を表3に示す。
比較例1で得た負極を用いた以外は実施例3と同様の方法でラミネートセルを作製し、正極・負極の電気化学特性を評価した。試験結果を表3に示す。
Claims (6)
- 正極、高分子電解質層、負極を有する蓄電デバイスであって、正極、高分子電解質層、負極が積層されてなり、高分子電解質層がエチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体を含有し、負極の負極材料層にシリコン系活物質を含有し、負極材料層の厚さが15μm以下であり、
前記エチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体が、下記一般式(2)由来の構成単位と、下記一般式(1)由来の構成単位および/または下記一般式(3)由来の構成単位を含有するポリエーテル重合体である蓄電デバイス。
式(1):
[式中、Rは炭素数1~12のアルキル基、または-CH 2 O(CR 1 R 2 R 3 )である。R 1 、R 2 、R 3 は水素原子または-CH 2 O(CH 2 CH 2 O) n R 4 であり、nおよびR 4 はR 1 、R 2 、R 3 の間で異なっていてもよい。R 4 は炭素数1~12のアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基であり、nは0~12の整数である。]
式(2):
式(3)
[式中、R 5 はエチレン性不飽和基を有する基である。] - エチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体の重量平均分子量が10万~250万である請求項1に記載の蓄電デバイス。
- シリコン系活物質がSiおよび/またはSiOを含有する請求項1または2に記載の蓄電デバイス。
- 正極における正極材料に用いられる活物質が、AMO2(Aはアルカリ金属、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)、AM2O4(Aはアルカリ金属、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)、A2MO3(Aはアルカリ金属、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)、AMBO4(Aはアルカリ金属、BはP、Si、Sまたはその混合物、Mは単一または2種以上の遷移金属からなり、その一部に非遷移金属を含んでもよい)のいずれかである請求項1~3のいずれかに記載の蓄電デバイス。
- 請求項1~4のいずれかに記載の正極、高分子電解質層、負極を有する蓄電デバイスの製造方法であって、高分子電解質層がエチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体を含有し、負極の負極材料層にシリコン系活物質を含有し、負極材料層の厚さが15μm以下とし、正極、高分子電解質層、負極が積層する蓄電デバイスの製造方法。
- 負極における負極材料層がエチレンオキシド由来の構成単位を有するポリエーテル重合体を含む電極材料用スラリーを含浸されて製造されていない請求項5記載の蓄電デバイスの製造方法。
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