JP7303869B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、有機電界発光素子及びそれに使用される縮合多環化合物に関する。
最近、映像表示装置として、有機電界発光表示装置(Organic Electroluminescence Display)の開発が盛んに行われている。有機電界発光表示装置は液晶表示装置などとは異なって、第1電極及び第2電極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることで、発光層において有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型表示装置である。
有機電界発光素子を表示装置に応用するに当たっては、有機電界発光素子の低駆動電圧化、高発光効率化及び長寿命化が要求されており、これを安定的に実現し得る有機電界発光素子用材料の開発が継続的に要求されている。
特に、最近は高効率の有機電界発光素子を実現するために三重項状態のエネルギーを利用するりん光発光や、三重項励起子の衝突によって一重項例励起子が生成される現象(Triplet-triplet annihilation、TTA)を利用した遅延蛍光発光に関する技術が開発されており、遅延蛍光現象を利用した熱活性遅延蛍光(Thermally Activated Delayed Fluorescence、TADF)材料の開発が進められている。
本発明の目的は、発光効率及び素子寿命が改善された有機電界発光素子を提供することである。
本発明の他の目的は、有機電界発光素子の発光効率と素子寿命を改善することができる縮合多環化合物を提供することである。
一実施形態では、第1電極と、前記第1電極の上に配置される第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置される複数の有機物層と、を含み、前記有機層のうち少なくとも一つの有機層は、ジベンゾヘテロ環誘導体と、少なくとも一つの窒素原子を環形成原子として含む単環ヘテロ環誘導体とがリンカーで結合されて環を形成する縮合多環化合物を含む有機電界発光素子を提供する。
前記ジベンゾヘテロ環誘導体は電子供与部であり、前記単環ヘテロ環誘導体は電子受容部であってもよい。
前記縮合多環化合物は、一つの前記ジベンゾヘテロ環誘導体と、一つの前記単環ヘテロ環誘導体が2つの前記リンカーによって固定されたものであってもよい。
前記縮合多環化合物は、一つの前記ジベンゾヘテロ環誘導体と、二つの前記単環ヘテロ環誘導体を含んでもよい。
前記有機層は、正孔輸送領域と、前記正孔輸送領域の上に配置される発光層と、前記発光層の上に配置される電子輸送領域と、を含んでもよい。
前記発光層は、遅延蛍光を放出してもよい。
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含む遅延蛍光発光層であり、前記ドーパントは、前記縮合多環化合物を含んでもよい。
前記ジベンゾヘテロ環誘導体は、置換または非置換のカルバゾール、置換または非置換のジベンゾフラン、または置換または非置換のジベンゾチオフェンであってもよい。
前記単環ヘテロ環誘導体は、置換または非置換のトリアジン、置換または非置換のピリジン、または置換または非置換のピリミジンであってもよい。
前記リンカーは、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換の2価のビフェニリル基、または置換または非置換のナフチレン基であってもよい。
前記縮合多環化合物は、下記化学式1で表されてもよい。
[化学式1]
Figure 0007303869000001
前記化学式1において、YはNR、O、またはSであり、R~Rはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、n及びmはそれぞれ独立して0または1であり、n及びmのうち少なくとも一つは1であり、L~Lはそれぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基であってもよい。前記化学式1において、a~dはそれぞれ独立して1以上3以下の整数であり、e及びfはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、A及びBはそれぞれ独立して下記化学式2で表される。
[化学式2]
Figure 0007303869000002
前記化学式2において、X~Xはそれぞれ独立してNまたはCRであり、X~Xのうち少なくとも一つはNであり、pは0または1であり、qは0以上5以下の整数であり、pとqが同時に0である場合は除外される。前記化学式2において、Lは置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、R及びRはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。
前記化学式1は、下記化学式1-1または化学式1-2で表されてもよい。
[化学式1-1]
Figure 0007303869000003

[化学式1-2]
Figure 0007303869000004
前記化学式1-2において、p1及びp2はそれぞれ独立して0または1であり、q1及びq2はそれぞれ独立して0以上5以下の整数であり、p1とq1が同時に0である場合とp2とq2が同時に0である場合は除外され、L51及びL52はそれぞれ独立して置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、R41及びR42はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。前記化学式1-1及び化学1-2において、Y、R、R、R、L~L、X~X、a~fは、化学式1及び化学式2で定義した通りである。
前記化学式2は、下記化学式2-1~化学式2-3のうちいずれか一つで表されてもよい。
[化学式2-1]
Figure 0007303869000005

[化学式2-2]
Figure 0007303869000006

[化学式2-3]
Figure 0007303869000007
前記化学式2-1~化学式2-3において、X、X、L、R、p及びqは、化学式2で定義した通りである。
前記化学式1は、下記化学式1-3~化学式1-5のうちいずれか一つで表されてもよい。
[化学式1-3]
Figure 0007303869000008

[化学式1-4]
Figure 0007303869000009

[化学式1-5]
Figure 0007303869000010

化学式1-3~化学式1-5において、A、B、L~L、a~f、n、m、R及びRは、化学式1で定義した通りである。
前記L~Lは、それぞれ独立して下記AL-1~AL-3のうちいずれか一つで表されてもよい。
Figure 0007303869000011
前記縮合多環化合物は、下記第1化合物群に示した化合物のうち少なくとも一つであってもよい。
[第1化合物群]
Figure 0007303869000012

Figure 0007303869000013

Figure 0007303869000014

Figure 0007303869000015

Figure 0007303869000016

Figure 0007303869000017

Figure 0007303869000018
一実施形態では、第1電極と、前記第1電極の上に配置される正孔輸送領域と、前記正孔輸送領域の上に配置される発光層と、前記発光層の上に配置される電子輸送領域と、前記電子輸送領域の上に配置される第2電極と、を含み、前記正孔輸送領域、前記発光層、及び前記電子輸送領域のうち少なくとも一つは、下記化学式1で表される縮合多環化合物を含む有機電界発光素子を提供する。
[化学式1]
Figure 0007303869000019
前記化学式1において、YはNR、O、またはSであり、R~Rはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、n及びmはそれぞれ独立して0または1であり、n及びmのうち少なくとも一つは1であり、L~Lはそれぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基である。化学式1において、a~dはそれぞれ独立して1以上3以下の整数であり、e及びfはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、A及びBはそれぞれ独立して下記化学式2で表される。
[化学式2]
Figure 0007303869000020
前記化学式2において、X~Xはそれぞれ独立してNまたはCRであり、X~Xのうち少なくとも一つはNであり、pは0または1であり、qは0以上5以下の整数であり、pとqが同時に0である場合は除外され、Lは置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、R及びRはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含む遅延蛍光発光層であり、前記ドーパントは前記化学式1で表される縮合多環化合物を含んでもよい。
前記縮合多環化合物は、前記第1化合物群に示した化合物のうち少なくとも一つであってもよい。
他の実施形態は、下記化学式1で表される縮合多環化合物を提供する。
[化学式1]
Figure 0007303869000021
前記化学式1において、YはNR、O、またはSであり、R~Rはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、n及びmはそれぞれ独立して0または1であり、n及びmのうち少なくとも一つは1であり、L~Lはそれぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基である。化学式1において、a~dはそれぞれ独立して1以上3以下の整数であり、e及びfはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、A及びBはそれぞれ独立して下記化学式2で表される。
[化学式2]
Figure 0007303869000022
前記化学式2において、X~Xはそれぞれ独立してNまたはCRであり、X~Xのうち少なくとも一つはNであり、pは0または1であり、qは0以上5以下の整数であり、pとqが同時に0である場合は除外され、Lは置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基である。化学式2において、R及びRはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。
前記化学式1は、下記化学式1-1または化学式1-2で表されてもよい。
[化学式1-1]
Figure 0007303869000023

[化学式1-2]
Figure 0007303869000024
前記化学式1-2において、p1及びp2はそれぞれ独立して0または1であり、q1及びq2はそれぞれ独立して0以上5以下の整数であり、p1とq1が同時に0である場合とp2とq2が同時に0である場合は除外され、L51及びL52はそれぞれ独立して置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、R41及びR42はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。前記化学式1-1及び化学1-2において、Y、R、R、R、L~L、X~X、a~fは、化学式1及び化学式2で定義した通りである。
前記化学式1は、下記化学式1-3~化学式1-5のうちいずれか一つで表されてもよい。
[化学式1-3]
Figure 0007303869000025

[化学式1-4]
Figure 0007303869000026

[化学式1-5]
Figure 0007303869000027
化学式1-3~化学式1-5において、A、B、L~L、a~f、n、m、R及びRは、化学式1で定義した通りである。
一実施形態の有機電界発光素子は、低い駆動電圧、長寿命、及び高効率の改善された素子特性を示すことができる。
一実施形態の縮合多環化合物は、有機電界発光素子用材料として使用されて、有機電界発光素子の長寿命及び高効率化に寄与することができる。
また、一実施形態の縮合多環化合物は、有機電界発光素子の発光層に適用されて、有機電界発光素子の色再現性を上げ、信頼性を改善することができる。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。
本発明は、多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することができるため、特定の実施形態を図面に例示し、本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物又は代替物を含むと理解すべきである。
本明細書において、ある構成要素(または領域、層、部分など)が他の構成要素の「上にある」、「接続される」または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接配置/接続/結合され得るか、またはそれらの間に第3の構成要素が配置され得ることを意味する。
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は、技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。
「及び/または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
第1、第2などの用語は、多様な構成要素を説明するために使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は、一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱することなく第1構成要素は第2構成要素と命名されてもよく、類似して第2構成要素も第1構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。
異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語(技術的及び科学的用語を含む)は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書に定義されている用語のような用語は、関連技術の文脈での意味と一致する意味を有すると解釈すべきであり、理想的な、または過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。
「含む」または「有する」などの用語は、明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による有機電界発光素子及びそれに含まれた一実施形態の縮合多環化合物について説明する。
図1~図3は、本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。図1~図3を参照すると、一実施形態の有機電界発光素子(10)において、第1電極(EL1)及び第2電極(EL2)は互いに対向して配置され、第1電極(EL1)と第2電極(EL2)との間には複数の有機層が配置されることができる。複数の有機層は、正孔輸送領域(HTR)、発光層(EML)、及び電子輸送領域(ETR)を含むことができる。つまり、本発明の一実施形態による有機電界発光素子(10)は、順次に積層される第1電極(EL1)、正孔輸送領域(HTR)、発光層(EML)、電子輸送領域(ETR)、及び第2電極(EL2)を含むことができる。
一実施形態の有機発光素子(10)は、第1電極(EL1)と第2電極(EL2)との間に配置される複数の有機層のうち少なくとも一つの有機層に後述する一実施形態の縮合多環化合物を含むことができる。例えば、一実施形態の有機電界発光素子(10)は、正孔輸送領域(HTR)、発光層(EML)、及び電子輸送領域(ETR)のうち少なくとも一つの有機層に後述する一実施形態の縮合多環化合物を含むことができるが、具体的には、一実施形態の有機電界発光素子(10)は、一実施形態の縮合多環化合物を発光層(EML)の発光材料として含んでもよい。
一実施形態の縮合多環化合物は、ジベンゾヘテロ環誘導体、及び少なくとも一つの窒素原子を環形成原子として含む単環ヘテロ環誘導体がリンカーで結合されて環を形成したものであってもよい。一実施形態において、ジベンゾヘテロ環誘導体は置換または非置換のジベンゾヘテロ環を表し、単環ヘテロ環誘導体は置換または非置換の単環ヘテロ環を表してもよい。
一実施形態の縮合多環化合物は、一つのジベンゾヘテロ環誘導体と一つの単環ヘテロ環誘導体がリンカーで結合されて環を形成したものであってもよい。例えば、一実施形態の縮合多環化合物は、一つのジベンゾヘテロ環誘導体、一つの単環ヘテロ環誘導体、及び2つのリンカーが互いに結合されて形成される環化合物であってもよい。具体的には、一実施形態の縮合多環化合物は、ジベンゾヘテロ環誘導体、リンカー、単環ヘテロ環誘導体、及びリンカーの順に互いに結合されて形成される環化合物であってもよい。
一方、一実施形態の縮合多環化合物は、一つのジベンゾヘテロ環誘導体と二つの単環ヘテロ環誘導体を含んでもよい。一つのジベンゾヘテロ環誘導体は、二つの単環ヘテロ環誘導体とそれぞれリンカーで結合されて環を形成してもよい。
一実施形態の縮合多環化合物において、ジベンゾヘテロ環誘導体と少なくとも一つの窒素原子を環形成原子として含む単環ヘテロ環誘導体は、リンカーで結合されることで、相対的にリジッド(rigid)な特性を示すことができる。ジベンゾヘテロ環誘導体と少なくとも一つの窒素原子を環形成原子として含む単環ヘテロ環誘導体がリンカーで固定されて結合されることで、高いガラス転移温度値を有し、それによって改善された信頼性を有する縮合多環化合物を提供することができる。
一実施形態の縮合多環化合物において、ジベンゾヘテロ環誘導体は電子供与部(Electron Donor)であり、少なくとも一つの窒素原子を環形成原子として含む単環ヘテロ環誘導体は電子受容部(Electron Acceptor)であることができる。一実施形態の縮合多環化合物は、電子供与部と電子受容部がリンカーで結合されて環を形成したものであってもよい。
つまり、一実施形態の縮合多環化合物は、一つの化合物分子内で電子供与部と電子受容部をいずれも含み、電子供与部と電子受容部がリンカーで結合されて固定されていてもよい。一実施形態の縮合多環化合物は、一つの化合物単位に一つの電子供与部及び一つの電子受容部を含んでもよい。また、一実施形態の縮合多環化合物は、一つの化合物単位に一つの電子供与部及び二つの電子受容部を含んでもよい。
Figure 0007303869000028
Figure 0007303869000029
一実施形態の縮合多環化合物において、ジベンゾヘテロ環誘導体と単環ヘテロ環誘導体を結合するリンカーは、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基であることができる。例えば、一実施形態の縮合多環化合物において、リンカーは、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換の2価のビフェニリル基、置換または非置換のナフチレン基であってもよい。
本明細書において、「置換または非置換の」とは、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、シリル基、オキシ基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基、カルボニル基、ホウ素基、ホスフィンオキシド基、ホスフィンスルフィド基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、炭化水素環基、アリール基、及びヘテロ環基からなる群より選択される一つ以上の置換基に置換または非置換されることを意味することができる。また、前記例示した置換基のそれぞれは、置換または非置換されていてもよい。例えば、ビフェニリル基はアリール基と解釈されてもよく、フェニル基に置換されたフェニル基と解釈されてもよい。
本明細書において、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子が挙げられる。
本明細書において、アルキル基は直鎖、分枝鎖、または環状であることができる。アルキル基の炭素数は、1以上50以下、1以上30以下、1以上20以下、1以上10以下、または1以上6以下である。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、i-ブチル基、2-エチルブチル基、3、3-ジメチルブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、シクロペンチル基、1-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2-エチルペンチル基、4-メチル-2-ペンチル基、n-ヘキシル基、1-メチルヘキシル基、2-エチルヘキシル基、2-ブチルヘキシル基、シクロヘキシル基、4-メチルシクロヘキシル基、4-t-ブチルシクロヘキシル基、n-ヘプチル基、1-メチルペプチル基、2、2-ジメチルヘプチル基、2-エチルヘプチル基、2-ブチルヘプチル基、n-オクチル基、tーオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ブチルオクチル基、2-ヘキシルオクチル基、3、7-ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、アダマンチル基、2-エチルデシル基、2-ブチルデシル基、2-ヘキシルデシル基、2-オクチルデシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、2-エチルドデシル基、2-ブチルドデシル基、2-ヘキシルドデシル基、2-オクチルデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、2-エチルヘキサデシル基、2-ブチルヘキサデシル基、2-ヘキシルヘキサデシル基、2-オクチルヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-イコシル基、2-エチルイコシル基、2-ブチルイコシル基、2-ヘキシルイコシル基、2-オクチルイコシル基、n-ヘンイコシル基、n-ドコシル基、n-トリコシル基、n-テトラコシル基、n-ペンタコシル基、n-ヘキサコシル基、n-ヘプタコシル基、n-オクタコシル基、n-ノナコシル基、及びn-トリアコンチル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、炭化水素環基は、脂肪族炭化水素環から誘導された任意の作用基または置換基を意味する。炭化水素環基は、環形炭素数5以上30以下の飽和炭化水素環基であることができる。
本明細書において、アリール基は、芳香族炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基を意味する。アリール基は、単環式アリール基または多環式アリール基であることができる。アリール基の環形成炭素数は、6以上30以下、6以上20以下、または6以上15以下であることができる。アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クォーターフェニリル基、クインクフェニリル基、セクシフェニリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、フルオレニル基は置換されてもよく、2つの置換基が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。フルオレニル基が置換される場合の例示は以下のとおりである。但し、これらに限らない。
Figure 0007303869000030
本明細書において、ヘテロアリール基は、ヘテロ原子としてB、O、N、P、Si、及びSのうち一つ以上を含むことができる。ヘテロアリール基がヘテロ原子を2つ以上含む場合、2つ以上のヘテロ原子は互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。ヘテロアリール基は、単環式ヘテロ環基または多環式ヘテロ環基であってもよい。ヘテロアリール基の環形成炭素数は、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下であることができる。ヘテロアリール基の例としては、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアゾリル基、ピリジニル基、ビピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル、アクリジニル基、ピリダジニル、キノリニル基、キナゾリル基、キノキサリニル基、フェノキサニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリニル基、インドリル基、カルバゾリル基、N-アリールカルバゾリル基、N-ヘテロアリールカルバゾリル基、N-アルキルカルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、チエノチオフェニル基、ベンゾフラニル基、フェナントロリニル、イオキサゾリル、チジアゾリル基、フェノチアジニル基、ジベンゾシロリル基、及びジベンゾフラニル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、アリーレン基は2価基であることを除いては、上述したアリール基に関する説明が適用される。ヘテロアリーレン基は2価基であることを除いては、上述したヘテロアリール基に関する説明が適用される。
本明細書において、シリル基は、アルキルシリル基及びアリールシリル基を含む。シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などが挙げられるが、これらに限らない。
Figure 0007303869000031
一実施形態の有機電界発光素子(10)に含まれる一実施形態の縮合多環化合物は、下記化学式1で表されることができる。
[化学式1]
Figure 0007303869000032
Figure 0007303869000033
化学式1において、R~Rはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であることができる。
例えば、化学式1において、Rは置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基であってもよい。具体的には、Rは置換または非置換のフェニル基であってもよく、一実施形態において、Rは非置換のフェニル基であってもよい。
例えば、化学式1において、R及びRはそれぞれ独立して水素原子、シアノ基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であってもよい。具体的には、R及びRはそれぞれ独立して水素原子、シアノ基、置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のカルバゾリル基、またはtert-ブチル基(t-ブチル基)であってもよい。
e及びfは、それぞれ独立して0以上4以下の整数であることができる。eが2以上の整数であれば、複数のRは互いに同じであるかまたは互いに異なってもよい。fが2以上の整数であれば、複数のRは互いに同じであるかまたは互いに異なってもよい。
化学式1において、n及びmはそれぞれ独立して0または1であり、n及びmのうち少なくとも一つは1である。化学式1において、n及びmのうちいずれか一つが1で残りが0であるか、n及びmがいずれも1であってもよい。
化学式1において、L~Lはそれぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基である。例えば、L~Lは、それぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基であってもよい。
一方、化学式1において、A及びBはそれぞれ独立して下記化学式2で表されることができる。
[化学式2]
Figure 0007303869000034
Figure 0007303869000035
Figure 0007303869000036
は、置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であることができる。
化学式2において、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であることができる。
例えば、化学式2において、R及びRはそれぞれ独立して水素原子、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であってもよい。具体的には、R及びRはそれぞれ独立してトリフェニルシリル基、置換または非置換のフェニル基、置換または非置換のカルバゾリル基、またはtert-ブチル基であってもよい。
化学式1において、L~Lはそれぞれ独立して置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換の2価のビフェニリル基、または置換または非置換のナフチレン基であることができる。例えば、化学式1において、L~Lはそれぞれ独立して非置換のフェニレン基、非置換の2価のビフェニル基、または非置換のナフチレン基であってもよい。L~Lは、それぞれ独立して下記AL-1~AL-3のうちいずれか一つで表されてもよい。
Figure 0007303869000037
一方、化学式2は、化学式2-1~化学式2-3のうちいずれか一つで表されてもよい。
[化学式2-1]
Figure 0007303869000038

[化学式2-2]
Figure 0007303869000039

[化学式2-3]
Figure 0007303869000040
前記化学式2-1~化学式2-3において、X、X、L、R、p及びqについては、化学式2で説明した内容と同じ内容が適用されることができる。
化学式2-1は、単環ヘテロ環誘導体が一つの窒素原子を環形成原子として含む場合を示し、化学式2-2は単環ヘテロ環誘導体が2つの窒素原子を環形成原子として含む場合を示し、化学式2-3は単環ヘテロ環誘導体が3つの窒素原子を環形成原子として含む場合を示したものである。
化学式2-1は単環ヘテロ環誘導体がピリジン誘導体である場合を、化学式2-2は単環ヘテロ環誘導体がピリミジン誘導体である場合を、化学式2-3は単環ヘテロ環誘導体がトリアジン誘導体である場合をそれぞれ示したものである。
一実施形態において、化学式1は、下記化学式1-1または化学式1-2で表されてもよい。
[化学式1-1]
Figure 0007303869000041

[化学式1-2]
Figure 0007303869000042
化学式1-1は化学式1においてnが1でmが0である場合を示し、化学式1-2は化学式1においてn及びmがいずれも1である場合を示したものである。つまり、化学式1-1は一つのジベンゾヘテロ環誘導体と一つの単環ヘテロ環誘導体を含むものであり、化学式1-2は一つのジベンゾヘテロ環誘導体と2つの単環ヘテロ環誘導体を含むものであってもよい。
化学式1-1及び化学1-2において、Y、R、R、R、L~L、X~X、a~fについては、化学式1及び化学式2で説明した内容と同じ内容が適用されることができる。
Figure 0007303869000043
化学式1で表される縮合多環化合物は、下記化学式1-3~化学式1-5のうちいずれか一つで表されてもよい。
[化学式1-3]
Figure 0007303869000044

[化学式1-4]
Figure 0007303869000045

[化学式1-5]
Figure 0007303869000046
化学式1-3は化学式1においてYがNRである場合を示したものであり、具体的には、Rが非置換のフェニル基である場合を示したものである。化学式1-4はYが0である場合を示し、化学式1-5はYがSである場合を示したものである。
つまり、化学式1-3はジベンゾヘテロ環誘導体が9-フェニルカルバゾール誘導体である場合を示し、化学式1-4と化学式1-5はそれぞれジベンゾヘテロ環誘導体がジベンゾフラン誘導体及びジベンゾチオフェン誘導体である場合を示したものである。
化学式1-3~化学式1-5において、A、B、L~L、a~f、n、m、R及びRについては、上述した化学式1で説明した内容と同じ内容が適用されることができる。
一実施形態の縮合多環化合物は、下記第1化合物群に示した化合物のうちいずれか一つであってもよい。
[第1化合物群]
Figure 0007303869000047

Figure 0007303869000048

Figure 0007303869000049

Figure 0007303869000050

Figure 0007303869000051

Figure 0007303869000052

Figure 0007303869000053
上述した一実施形態の縮合多環化合物は、ジベンゾヘテロ環誘導体と単環ヘテロ環誘導体がリンカーで結合されて固定された環を含み、相対的にリジッドな化合物構造を有することで、高いガラス転移温度を示し、それによって大幅に改善された信頼性を示すことができる。また、一実施形態の縮合多環化合物は、高いアモルファス性(amorphous)を示すことができる。一方、一実施形態の縮合多環化合物は、安定的な化合物構造のため発光材料として使用される場合、発光される光の波長領域の半値幅(Full Width At Half Maximum、FWHM)を減少させることができ、有機電界発光素子が高い色再現性を示すようにすることができる。また、一実施形態の縮合多環化合物は、優れた電気的特性及び高い電荷輸送能力を有することで、有機電界発光素子の材料として使用される場合、有機電界発光素子の発光効率と素子寿命を改善することができる。
再び図1~図3を参照すると、図2は図1に比べ正孔輸送領域(HTR)が正孔注入層(HIL)及び正孔輸送層(HTL)を含み、電子輸送領域(ETR)が電子注入層(EIL)及び電子輸送層(ETL)を含む一実施形態の有機電界発光素子10の断面図を示したものである。また、図3は図1に比べ、正孔輸送領域(HTR)が正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、及び電子阻止層(EBL)を含み、電子輸送領域(ETR)が電子注入層(EIL)、電子輸送層(ETL)、及び正孔阻止層(HBL)を含む一実施形態の有機電界発光素子10の断面図を示したものである。
図1~図3に示した一実施形態の有機電界発光素子(10)において、第1電極(EL1)は導電性を有する。第1電極(EL1)は、金属合金または導電性化合物からなることができる。第1電極(EL1)はアノード(anode)であってもよい。また、第1電極(EL1)は画素電極であってもよい。第1電極(EL1)は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極であることができる。第1電極(EL1)が透過型電極であれば、第1電極(EL1)は透明金属酸化物、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indium tin zinc oxide)などを含むことができる。第1電極(EL1)が半透過型電極または反射型電極であれば、第1電極(EL1)はAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、またはこれらの化合物や混合物(例えば、AgとMgの混合物)を含むことができる。または、前記物質からなる反射膜や半透過膜、及びITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indium tin zinc oxide)などからなる透明導電膜を含む複数の層構造であることができる。例えば、第1電極(EL1)は、ITO/Ag/ITOの3槽構造を有してもよいが、これに限らない。
第1電極(EL1)の厚さは、約1000Å~約10000Å、例えば、約1000Å~約3000Åであってもよい。
正孔輸送領域(HTR)は、第1電極(EL1)の上に設けられる。正孔輸送領域(HTR)は、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、正孔バッファ層、及び電子阻止層(EBL)のうち少なくとも一つを含むことができる。正孔輸送領域(HTR)は、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有してもよい。
例えば、正孔輸送領域(HTR)は、正孔注入層(HIL)または正孔輸送層(HTL)の単一層の構造を有してもよく、正孔注入物質と正孔輸送物質からなる単一構造を有してもよい。また、正孔輸送領域(HTR)は、複数の互いに異なる物質で形成される単一層の構造を有するか、第1電極(EL1)から順番に積層された正孔注入層(HIL)/正孔輸送層(HTL)、正孔注入層(HIL)/正孔輸送層(HTL)/正孔バッファ層、正孔注入層(HIL)/正孔バッファ層、正孔輸送層(HTL)/正孔バッファ層、または正孔注入層(HIL)/正孔輸送層(HTL)/電子阻止層(EBL)の構造を有してもよいが、これに限らない。
正孔輸送領域(HTR)は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法(Langmuir-Blodgett)、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging、LITI)などのような多様な方法を利用して形成することができる。
正孔輸送領域(HTR)は、上述した一実施形態の縮合多環化合物を含んでもよい。正孔輸送領域(HTR)が複数の層からなる場合、複数の層のうち少なくとも一つの層に一実施形態の縮合多環化合物を含むことができる。
一方、正孔輸送領域(HTR)が正孔注入層(HTL)を含む場合、正孔注入層(HIL)は、例えば、銅フタロシアニン(copper phthalocyanine)などのフタロシアニン化合物(phthalocyanine)、DNTPD(N,N’-ジフェニル-N、N’-ビス-[4-フェニル-m-トリル-アミノ)-フェニル]-ビフェニル-4,4’-ジアミン)、m-MTDATA(4,4’,4”-トリス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)、TDATA(4,4’,4”-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン)、2-TNATA(4,4’,4”-トリス{N,-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ}-トリフェニルアミン)、PEDOT/PSS(ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレンスルフォナート)、PANI/DBSA(ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸)、PANI/CSA(ポリアニリン/カンファースルホン酸)、PANI/PSS((ポリアニリン)/ポリ(4-スチレンスルホン酸ナトリウム))、NPB(N,N’-ジ(ナフタレン-1-イル)-N,N’-ジフェニル-ベンジジン)、α-NPD(N,N’-ジ(1-ナフチル)-N,N’-ジフェニル-(1,1”-ビフェニル)-4,4”-ジアミン)、トリフェニルアミンを含むポリエテールケトン(TPAPEK)、4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、HAT-CN(ジピラジノ[2,3-f:2’,3’-h]キノキサリン-2,3,6,7,10,11-ヘキサカルボニトリル)などを含むことができる。
正孔輸送領域(HTR)が正孔輸送層(HTL)を含む場合、正孔輸送層(HTL)は、例えば、N-フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール系誘導体、フルオレン系誘導体、TPD(N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1-ビフェニル]-4,4’-ジアミン)、TCTA(4,4’,4”-トリス(N-カルバゾリル)トリフェニルアミン)などのようなトリフェニルアミン系誘導体、NPB(N,N’-ジ(ナフタレン-1-イル)-N,N’-ジフェニル-ベンジジン)、TAPC(4,4’-シクロへキシリデンビス[N,N-ビス(4-メチルフェニル)ベンゼンアミン])、HMTPD(4,4’-ビス[N,N’-(3-トリル)アミノ]-3,3’-ジメチルビフェニル)、mCP(1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン)、CzSi(9-(4-tert-ブチルフェニル)-3,6-ビス(トリフェニルシリル)-9H-カルバゾール)などを含むことができる。
正孔輸送領域(HTR)の厚さは、約100Å~約10000Å、例えば約100Å~約5000Åであってもよい。正孔注入層(HIL)の厚さは、例えば約30Å~約1000Åであり、正孔輸送層(HTL)の厚さは、約30Å~約1000Åであってもよい。例えば、電子阻止層(EBL)の厚さは、約10Å~約1000Åであってもよい。正孔輸送領域(HTR)、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、及び電子阻止層(EBL)の厚さが上述したような範囲を満たせば、実質的な駆動電圧の上昇なしに満足できる程度の正孔輸送特性を得ることができる。
正孔輸送領域(HTR)は、上述した物質以外に、導電性を向上するために電荷生成物質を更に含むことができる。電荷生成物質は、正孔輸送領域(HTR)内に均一にまたは不均一に分散されていてもよい。電荷生成物質は、例えば、p-ドーパント(dopant)であってもよい。p-ドーパントはキノン(quinoe)誘導体、金属酸化物及びシアノ(cyano)基含有化合物のうち一つであってもよいが、これに限らない。例えば、p-ドーパントの非制限的な例としては、TCNQ(テトラシアノキノジメタン)及びF4-TCNQ(2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン)などのようなキノン誘導体、タングステン酸化物、及びモリブデン酸化物のような金属酸化物などが挙げられるが、これらに限らない。
上述したように、正孔輸送領域(HTR)は、正孔輸送層(HTL)及び正孔注入層(HIL)以外に、正孔バッファ層及び電子阻止層のうち少なくとも一つを含むことができる。正孔バッファ層は、発光層(EML)から放出される光の波長による共振距離を補償して光放出効率を増加させることができる。正孔バッファ層に含まれる物質としては、正孔輸送領域(HTR)に含まれ得る物質を使用することができる。電子阻止層は、電子輸送領域(ETR)から正孔輸送領域(HTR)への電子の注入を防止する役割をする層である。
発光層(EML)は、正孔輸送領域(HTR)の上に設けられる。発光層(EML)は、例えば、約100Å~約1000Å、または約100Å~約300Åの厚さを有してもよい。発光層(EML)は、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。
一実施形態の有機電界発光素子(10)において、発光層(EML)は、上述した一実施形態の縮合多環化合物を含むことができる。つまり、一実施形態の有機電界発光素子(10)において、発光層(EML)は、ジベンゾヘテロ環誘導体、及び少なくとも一つの窒素原子を環形成原子として含む単環ヘテロ環誘導体がリンカーで結合されて環を形成する縮合多環化合物を含むことができる。
一実施形態の有機電界発光素子(10)の発光層(EML)に含まれる縮合多環化合物は、下記化学式1で表されることができる。
[化学式1]
Figure 0007303869000054
前記化学式1において、YはNR、O、またはSであり、R~Rはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であることができる。
化学式1において、n及びmはそれぞれ独立して0または1であり、n及びmのうち少なくとも一つは1であり、L~Lはそれぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基であり、a~dはそれぞれ独立して1以上3以下の整数であり、e及びfはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であることができる。
化学式1において、A及びBはそれぞれ独立して下記化学式2で表されることができる。
[化学式2]
Figure 0007303869000055
前記化学式2において、X~Xはそれぞれ独立してNまたはCRであり、X~Xのうち少なくとも一つはNであり、pは0または1であり、qは0以上5以下の整数であり、pとqが同時に0である場合は除外されてもよい。
化学式2において、Lは置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、R及びRはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であることができる。
一方、発光層(EML)に含まれる縮合多環化合物については、上述した一実施形態の縮合多環化合物に関する説明が同じく適用されることができる。一実施形態の有機電界発光素子(10)において、発光層(EML)は、上述した第1化合物群に示した縮合多環化合物のうち少なくとも一つを含むことができる。
一実施形態の有機電界発光素子(10)において、発光層(EML)は遅延蛍光を放出してもよい。例えば、発光(EML)は、熱活性遅延蛍光(Thermally Activated Delayed Fluorescence、TADF)を発光してもよい。
有機電界発光素子(10)の発光層(EML)は、青色光を放出してもよい。例えば、一実施形態の有機電界発光素子(10)の発光層(EML)は、480nm以下の領域の青色光を放出してもよい。しかし、実施形態はこれに限らず、発光層(EML)は赤色光または緑色光を放出してもよい。
一方、図示していないが、一実施形態の有機電界発光素子は、複数の発光層を含んでもよい。複数の発光層は順次に積層されて提供されてもよいが、例えば、複数の発光層を含む有機電界発光素子は、白色光を放出してもよい。複数の発光層を含む有機電界発光素子(10)は、タンデム(Tandem)構造の有機電界発光素子であってもよい。
一実施形態の有機電界発光素子(10)において、発光層(EML)はホスト及びドーパントを含み、上述した一実施形態の縮合多環化合物をドーパントとして含むことができる。例えば、一実施形態の有機電界発光素子(10)において、発光層(EML)は遅延蛍光発光用ホスト及び遅延蛍光発光用ドーパントを含むことができ、上述した縮合多環化合物を遅延蛍光発光用ドーパントとして含んでもよい。発光層(EML)は、上述した第1化合物群に示した縮合多環化合物のうち少なくとも一つを遅延蛍光ドーパントとして含んでもよい。
一実施形態において、発光層(EML)は熱活性遅延蛍光発光層であり、発光層(EML)は公知のホスト材料、及び上述した縮合多環化合物を含んでもよい。例えば、一実施形態において、縮合多環化合物はTADFドーパントとして使用されてもよい。
一方、一実施形態において、発光層(EML)は公知のホスト材料を含む。例えば、一実施形態において、発光層(EML)はホスト材料として、Alq(トリス(8-ヒドロキシキノリノ)アルミニウム)、CBP(4,4’-ビス(N-カルバゾリル)-1,1’-ビフェニル)、PVK(ポリ(n-ビニルカルバゾール)、ADN(9,10-ジ(ナフタレン-2-イル)アントラセン)、TCTA(4,4’,4”-トリス(カルバゾール-9-イル)-トリフェニルアミン)、TPBi(1,3,5-トリス(N-フェニルベンゾイミダゾール-2-イル)ベンゼン)、TBADN(3-tert-ブチル-9,10-ジ(ナフト-2-イル)アントラセン)、DSA(ジスチリルアリレン)、CDBP(4,4’-ビス(9-カルバゾリル)-2,2’-ジメチル-ビフェニル)、MADN(2-メチル-9,10-ビス(ナフタレン-2-イル)アントラセン)、DPEPO(ビス[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]エーテルオキシド)、CP1(ヘキサフェニルシクロトリホスファゼン)、UGH2(1、4-ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン)、DPSiO(ヘキサフェニルシクロトリシロキサン)、DPSiO(オクタフェニルシクロテトラシロキサン)、またはPPF(2、8-ビス(ジフェニルホスフォリル)ジゼンゾフラン)、mCBP(3,3’-ビス(N-カルバゾリル)-1,1’-ビフェニル)、mCP(1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン)などを含んでもよい。しかし、実施形態はこれに限らず、提示されたホスト材料以外にも公知の遅延蛍光発光ホスト材料が含まれてもよい。
一方、一実施形態の有機電界発光素子(10)において、発光層(EML)は公知のドーパント材料を更に含むことができる。一実施形態において、発光層(EML)はドーパントとして、スチリル誘導体(例えば、1,4-ビス[2-(3-N-エチルカルバゾリル)ビニル]ベンゼン(BCzVB)、4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[(ジ-p-トリルアミノ)スチリル]スチルベン(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン-2-イル)ビニル)フェニル)-N-フェニルベンゼンアミン(N-BDAVBi)、ぺリレン及びその誘導体(例えば、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルぺリレン(TBP))、ピレン及びその誘導体(例えば、1,1-ジピレン、1,4-ジピレニルベンゼン、1,4-ビス(N、N-ジフェニルアミノ)ピレン)などの2,5,8,11-テトラ-t-ブチルぺリレン(TBP))などを含んでもよい。
図1~図3に示した一実施形態の有機電界発光素子(10)において、電子輸送領域(ETR)は発光層(EML)の上に設けられる。電子輸送領域(ETR)は、正孔阻止層(HBL)、電子輸送層(ETL)、及び電子注入層(EIL)のうち少なくとも一つを含むことできるが、実施形態はこれに限らない。
電子輸送領域(ETR)は、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有することができる。
例えば、電子輸送領域(ETR)は、電子注入層(EIL)または電子輸送層(ETL)の単一層構造を有してもよく、電子注入物質と電子輸送物質からなる単一層構造を有してもよい。また、電子輸送領域(ETR)は、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有するか、発光層(EML)から順番に積層された電子輸送層(ETL)/電子注入層(EIL)、正孔阻止層(HBL)/電子輸送層(ETL)/電子注入層(EIL)の構造を有してもよいが、これに限らない。電子輸送領域(ETR)の厚さは、例えば、約1000Å~約1500Åであってもよい。
電子輸送領域(ETR)は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法(Langmuir-Blodgett)、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging、LITI)などのような多様な方法を利用して形成することができる。
電子輸送領域(ETR)は、上述した一実施形態の縮合多環化合物を含む。電子輸送領域(ETR)が複数の層からなる場合、複数の層のうち少なくとも一つの層に一実施形態の縮合多環化合物を含むことができる。
電子輸送領域(ETR)が電子輸送層(ETL)を含む場合、電子輸送領域(ETR)はアントラセン系化合物を含んでもよい。但し、これに限らず、電子輸送領域は、例えば、Alq(トリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)、1,3,5-トリ[(3-ピリジル)-フェン-3-イル]ベンゼン、2,4,6-トリス(3’-ピリジン-3-イル)ビフェニル-3-イル)-1,3,5-トリアジン、2-(4-(N-フェニルベンゾイミダゾリル-1-イルフェニル)-9,10-ジナフチルアントラセン、TPBi(1,3,5-トリ(1-フェニル-1H-ベンゾ[d]イミダゾール-2-イル)フェニル)、BCP(2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)、Bphen(4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)、TAZ(3-(4-ビフェニルイル)-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール)、NTAZ(4-(ナフタレン-1-イル)-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール)、tBu-PBD(2-(4-ビフェニルイル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール)、BAlq(ビス(2-メチル-8-キノリノラト-N1,O8)-(1,1’-ビフェニル-4-オラト)アルミニウム)、Bebq(ベリリウムビス(ベンゾキノリン-10-オラト)、ADN(9,10-ジ(ナフタレン-2-イル)アントラセン)、及びこれらの混合物を含んでもよい。電子輸送層(ETL)の厚さは、約100Å~約1000Å、例えば約150Å~約500Åであってもよい。電子輸送層(HTL)の厚さが上述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに満足できる程度の電子輸送特性を得ることができる。
電子輸送領域(ETR)が電子注入層(EIL)を含む場合、電子輸送領域(ETR)は、LiF、LiQ(リチウムキノリナート)、LiO、BaO、NaCl、CsF、Ybのようなランタノイド族金属、またはRbCl、Rblのようなハロゲン化金属などが使用されてもよいが、これに限らない。電子注入層(EIL)はまた、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩(organo metal salt)が混合された物質からなることができる。有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ(energy band gap)が約4eV以上の物質であってもよい。具体的には、例えば、有機金属塩は、酢酸金属塩(metal acetate)、安息香酸金属塩(metal benzoate)、アセト酢酸金属塩(metal acetoacetate)、金属アセチルアセトネート(metal acetylacetonate)、またはステアリン酸金属塩(stearate)を含むことができる。電子注入層(EIL)の厚さは、約1Å~約100Å、約3Å~約90Åであることができる。電子注入層(EIL)の厚さが上述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに満足できる程度の電子注入特性を得ることができる。
電子輸送領域(ETR)は、上述したように、正孔阻止層(HBL)を含むことができる。正孔阻止層(HBL)は、例えば、BCP(2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)、及びBphen(4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン)のうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限らない。
第2電極(EL2)は、電子輸送領域(ETR)の上に設けられる。第2電極(EL2)は、共通電極または負極であってもよい。第2電極(EL2)は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極であることができる。第2電極(EL2)が透過型電極であれば、第2電極(EL2)は透明金属酸化物、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indiumtin zinc oxide)などからなることができる。
第2電極(EL2)が半透過型電極または反射型電極であれば、第2電極(EL2)はAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、またはこれらを含む化合物や混合物(例えば、AgとMgの混合物)を含むことができる。または、前記物質からなる反射膜や半透過膜、及びITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indiumtin zinc oxide)などからなる透明導電膜を含む複数の層構造であることができる。
図示していないが、第2電極(EL2)は補助電極と接続することができる。第2電極(EL2)が補助電極と接続されれば、第2電極(EL2)の抵抗を減少させることができる。
一方、図面に図示していないが、一実施形態の有機電界発光素子(10)の第2電極(EL2)の上には、キャッピング層(図示せず)が更に配置されてもよい。キャッピング層(図示せず)は、例えば、α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3、CuPc、TPD15(N4,N4,N4’,N4’-テトラ(ビフェニル-4-イル)ビフェニル-4,4’-ジアミン)、TCTA(4,4’,4”-トリス(カルバゾール ソル-9-イル)トリフェニルアミン)、N,N’-ビス(ナフタレン-1-イル)などを含んでもよい。
上述した一実施形態の縮合多環化合物は、有機電界発光素(10)用材料として含まれることができる。例えば、本発明の一実施形態による有機電界発光素子(10)は、上述した縮合多環化合物を第1電極(EL1)と第2電極(EL2)との間に配置される少なくとも一つの有機層、または第2電極(EL2)の上に配置される有機層に含んでもよい。
有機電解発光素子(10)において、第1電極(EL1)と第2電極(EL2)にそれぞれ電圧が印加されることで、第1電極(EL1)から注入された正孔(hole)は正孔輸送領域(HTR)を経て発光層(EML)に移動し、第2電極(EL2)から注入された電子は電子輸送領域(ETR)を経て発光層(EML)に移動する。電子と正孔は発光層(EML)で再結合して励起子(exciton)を生成し、励起子が励起状態から基底状態に落ちながら発光するようになる。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子(10)は、上述した縮合多環化合物を第1電極(EL1)と第2電極(EL2)との間に配置される少なくとも一つの有機層に含むことで、優秀な発光効率と長寿命特性を示すことができる。特に、一実施形態による有機電界発光素子(10)は、上述した一実施形態の縮合多環化合物を発光層(EML)に含むことで、優れた色再現性と改善された信頼性を示すことができる。また、一実施形態による有機電界発光素子(10)は、上述した縮合多環化合物を発光層(EML)に含み、発光層(EML)が熱活性遅延蛍光発光するようにすることで、高い発光効率と改善された寿命特性、及び発光波長領域における狭い半値幅特性を示すことができる。
以下では実施例及び比較例を参照し、本発明の一実施形態による縮合多環化合物及び一実施形態の有機電界発光素子について具体的に説明する。また、以下に示す実施例は本発明の理解を助けるための一例示であって、本発明の範囲はこれに限らない。
[実施例]
1.縮合多環化合物の合成
まず、本実施形態による縮合多環化合物の合成方法について、化合物1、13、18、43、56、59、及び83の合成方法を例示して具体的に説明する。また、以下で説明する縮合多環化合物の合成法は一実施例であって、本発明の実施形態による縮合多環化合物の合成法は下記実施例に限らない。
(1)化合物1の合成
一実施形態による縮合多環化合物1は、例えば、下記反応式1によって合成することができる。
[反応式1]
Figure 0007303869000056
<中間体I-1の合成>
1,3-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾール3.99g(10mmol)をTHF 50mLに溶かした後、-78℃でnBuLi 8mL(2.5M inヘキサン)を加えた。1時間後、同じ温度で2-イソプロポキシ-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン4.0mL(20mmol)を加えた。室温で5時間攪拌した後、水を加えて、ジエチルエーテル(30mL)で3回洗浄した。洗浄されたジエチルエーテル層をMgSOで乾燥させ、減圧乾燥して生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体I-1を3.81g(収率77%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C3035NO:M+1 495.3)
<中間体I-2の合成>
中間体I-1 4.95g(10.0mmol)、1-ブロモ-2-ヨードベンゼン5.64g(20.0mmol)、Pd(PPh 0.58g(0.50mmol)、TBAB(テトラブチルアンモニウムブロミド)0.16g(0.5mmol)、及びNaCO 3.18g(30.0mmol)をトルエン/エタノール/HO(3/3/1)混合溶液60mLに溶かした後、80℃で16時間撹拌した。反応溶液を常温に冷却させた後、水60mLとジエチルエーテル60mLで3回抽出した。これから得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体I-2を3.69g(収率67%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C3019BrN:M+1 551.0)
<中間体I-3の合成>
中間体I-2 5.51g(10mmol)をTHF 50mLに溶かした後、-78℃でnBuLi 8mL(2.5M inヘキサン)を加えた。1時間後、同じ温度で2-イソプロポキシ-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン4.0mL(20mmol)を加えた。室温で5時間攪拌した後、水を加えて、ジエチルエーテル(30mL)で3回洗浄した。洗浄されたジエチルエーテル層をMgSOで乾燥させ、減圧乾燥して生成物を得た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体I-3を4.66g(収率72%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C4243NO:M+1 647.3)
<化合物1の合成>
中間体I-3 6.47g(10mmol)、2,4-ジクロロ-6-フェニル-1,3,5-トリアジン 1.12g(5mmol)、Pd(PPh 0.58g(0.5mmol)、及びKCO 4.14g(30mmol)をTHF/HO(2/1体積比)混合溶液60mLに溶かした後、80℃で16時間撹拌した。前記反応溶液を室温に冷やした後、水40mLを加え、エチルエーテル50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、化合物1を3.56g(収率65%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C3924:M+1 548.2)
(2)化合物13の合成
一実施形態による縮合多環化合物13は、例えば、下記反応式2によって合成することができる。
[反応式2]
Figure 0007303869000057
<中間体I-4の合成>
化合物1 5.48g(10mmol)をDMF 80mLに完全に溶かした溶液に、N-ブロモスクシンイミド1.77g(10mmol)を入れた後、130℃で12時間撹拌した。前記反応溶液に水60mLを加え、ろ過して得られた残留物をCHCl 50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させた後、メタノールで再結晶して中間体I-4を5.32g(収率85%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C3923BrN:M+1 626.2)
<化合物13の合成>
中間体I-4 6.26g(10mmol)、9H-カルバゾール1.67g(10mmol)、CuI 0.10g(0.5mmol)、及びKCO 2.76g(20.0mmol)を1,2-ジクロロベンゼン60mLに溶かした後、180℃で16時間撹拌した。前記反応溶液を室温に冷やした後、水40mLを加え、CHCl 50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、化合物13を5.13g(収率72%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C5131:M+1 713.2)
(3)化合物18の合成
一実施形態による縮合多環化合物18は、例えば、下記反応式3によって合成することができる。
[反応式3]
Figure 0007303869000058
<中間体I-5の合成>
中間体I-3 6.47(10mmol)、2,4,6-トリクロロ-1,3,5-トリアジン 1.83g(10mmol)、Pd(PPh 0.58g(0.5mmol)、及びKCO 4.14g(30mmol)をTHF/HO(2/1体積比)混合溶液60mLに溶かした後、80℃で36時間撹拌した。前記反応溶液を室温に冷やした後、水40mLを加え、エチルエーテル50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体I-5を2.88g(収率57%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C3319ClN:M+1 506.1)
<化合物18の合成>
中間体I-5 5.06g(10mmol)、3,6-ジ-tert-ブチル-9H-カルバゾール2.79g(10mmol)、CuI 0.10g(0.5mmol)、及びKCO 2.76g(20.0mmol)を1,2-ジクロロベンゼン60mLに溶かした後、180℃で16時間撹拌した。前記反応溶液を室温に冷やした後、水40mLを加え、CHCl 50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、化合物18を5.02g(収率67%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C5343:M+1 749.3)
(4)化合物43の合成
一実施形態による縮合多環化合物43は、例えば、下記反応式4によって合成することができる。
[反応式4]
Figure 0007303869000059
<中間体I-6の合成>
中間体I-3 6.47(10mmol)、2,4-ビス(3-ブロモフェニル)-6-フェニル-1,3,5-トリアジン 4.65g(10mmol)、Pd(PPh 0.58g(0.5mmol)、及びKCO 4.14g(30mmol)をTHF/HO(2/1体積比)混合溶液60mLに溶かした後、80℃で48時間撹拌した。前記反応溶液を室温に冷やした後、水40mLを加え、エチルエーテル50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、中間体I-6を2.94g(収率42%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C5132:M+1 700.3)
<中間体I-7の合成>
化合物1の代わりに中間体I-6を使用したことを除いては、前記中間体I-4の合成方法と同じ方法を利用して、中間体I-7を5.91g(収率76%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C5131BrN:M+1 778.2)
<化合物43の合成>
中間体I-7 7.78g(10mmol)とCuCN 2.57g(28.7mmol)をDMF 70mLに溶かした後、150℃で24時間攪拌した。前記反応溶液を室温に冷やした後、アンモニア水60mLと水60mLを加え、CHCl 50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、化合物43を4.71g(収率92%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C5231:M+1 725.2)
(5)化合物56の合成
一実施形態による縮合多環化合物56は、例えば、下記反応式5によって合成することができる。
[反応式5]
Figure 0007303869000060
<中間体I-8の合成>
1,3-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールの代わりに1,3-ジブロモ-6-(tert-ブチル)-9-フェニル-9H-カルバゾールを使用したことを除いては、前記中間体I-5の合成方法と同じ方法を利用して、中間体I-8を3.93g(収率70%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C3727ClN:M+1 562.2)
<化合物56の合成>
中間体I-8 5.62(10mmol)、トリフェニル(4-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボラン-2-イル)フェニル)シラン 4.62g(10mmol)、Pd(PPh 0.58g(0.5mmol)、及びKCO 4.14g(30mmol)をTHF/HO(2/1体積比)混合溶液60mLに溶かした後、80℃で16時間撹拌した。前記反応溶液を室温に冷やした後、水40mLを加え、エチルエーテル50mLで3回抽出した。集められた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を蒸発させて得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィで分離精製して、化合物56を5.43g(収率63%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C6146Si:M+1 862.4)
(6)化合物59の合成
一実施形態による縮合多環化合物59は、例えば、1,3-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールの代わりに6,8-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-カルボニトリルを使用したことを除いては、前記化合物56の合成方法と同じ方法を利用して、化合物59を4.32g(収率56%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C5837Si:M+1 831.3)
(7)化合物83の合成
一実施形態による縮合多環化合物83は、例えば、1,3-ジブロモ-9-フェニル-9H-カルバゾールの代わりに6,8-ジブロモ-3’,6’-ジメチル-9-フェニル-9H-3,9’-ビカルバゾールを使用したことを除いては、前記化合物56の合成方法と同じ方法を利用して、化合物83を5.60g(収率52%)得た。生成された化合物をLC-MSを使用して確認した。(C7149Si:M+1 999.5)
2.縮合多環化合物を含む有機電界発光素子の作製及び評価
(有機電界発光素子の作製)
一実施形態の縮合多環化合物を発光層に含む一実施形態の有機電界発光素子を下記方法で製造した。上述した化合物1、13、18、42、56、59、及び83の縮合多環化合物を発光層のドーパント材料として使用し、実施例1~実施例7の有機電界発光素子を作製した。比較例1は、下記比較例化合物C1を発光層ドーパント材料として使用して有機電界発光素子を作製した。
実施例1~実施例7及び比較例1で使用した化合物は表1に示した。
Figure 0007303869000061

ガラス基板の上に厚さ1200ÅのITOをパターニングした後、イソプロピルアルコール及び超純水で洗浄し、超音波で洗浄した後、30分間UVを照射してから、オゾン処理を行った。その後、厚さ300Åでα-NPDを蒸着し、次に、厚さ200ÅでTCTAを蒸着し、次に、厚さ100ÅでCzSiを蒸着して正孔輸送領域を形成した。正孔輸送領域の上に、DPEPOと本発明の一実施形態の縮合多環化合物または比較例化合物を90:10の割合で共蒸着して、厚さ200Åの発光層を形成した。つまり、共蒸着して形成された発光層は、実施例1~実施例7では、それぞれ化合物1、13、18、42、56、59、及び83をDPEPOと混合して蒸着し、比較例1~比較例3では、比較例化合物C1、比較例化合物C2、及び比較例化合物C3をそれぞれDPEPOと混合して蒸着した。
発光層の上にDPEPOで厚さ200Åの層を形成し、次に、TPBiで厚さ300Åの層を形成し、次に、LiFで厚さ10Åの層を形成して、電子輸送領域を形成した。次に、アルミニウム(Al)で厚さ3000Åの第2電極を形成した。
実施例において、正孔輸送領域、発光層、電子輸送領域、及び第2電極は、真空蒸着装置を利用して形成した。
実施例及び比較例の有機電界発光素子の作製に使用した化合物を以下に開示する。
Figure 0007303869000062
(有機電界発光素子の特性評価)
表2では、実施例1~実施例7、及び比較例1~比較例3に対する有機電界発光素子の評価結果を示した。表2は、作製された有機電界発光素子の駆動電圧、効率、及び発光色を比較して示している。表2に示した実施例及び比較例に対する特性評価結果において、効率は電流密度10mA/cmに対する電流効率値を示す。
Figure 0007303869000063
表2の結果を参照すると、本発明の一実施例形態縮合多環化合物を発光層材料として使用した有機電界発光素子の実施例の場合、比較例化合物を発光層に使用した比較例に比べ、低い駆動電圧、及び高い素子効率を示すことが分かる。つまり、比較例化合物に比べ、実施例で使用された本発明の縮合多環化合物の場合、電子供与部と電子受容部を一つの化合物単位に含むことで遅延蛍光発光することができ、高い素子効率を示すことができる。また、実施例に使用された縮合多環化合物の場合、高いガラス転移温度特性と高いアモルファス性を有することで優れた電気的特性と信頼性を有することができ、それによって比較例に比べ、低い駆動電圧でも優れた素子効率を示すことができる。また、本発明の一実施形態の縮合多環化合物を発光層材料として使用した有機電界発光素子の発光層は、青色光を発光することができる。
これまで本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。
よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載されている内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。
本発明は、有機電界発光素子の発光効率と素子寿命を改善するための化合物、及びそれを有機層に含む有機電界発光素子に関し、産業上の利用可能性が高い。

Claims (10)

  1. 第1電極と、
    前記第1電極の上に配置される第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に配置される複数の有機層と、を含み、
    前記第1電極及び第2電極はそれぞれ独立に、Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn、及びZnからなる群から選択される少なくとも一つ、これらの中から選択される複数を含む化合物、これらの中から選択される複数を含む混合物、又はこれらの中から選択される1つ以上の酸化物を含み、
    前記有機層のうち少なくとも一つの有機層は、下記化学式1で表される縮合多環化合物を含む、有機電界発光素子。
    [化学式1]
    Figure 0007303869000064

    (前記化学式1において、
    YはNR 、またはOであり、
    ~R はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
    n及びmはそれぞれ独立して0または1であり、n及びmのうち少なくとも一つは1であり、
    ~L はそれぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基であり、
    a~dはそれぞれ独立して1以上3以下の整数であり、
    e及びfはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、
    A及びBはそれぞれ独立して下記化学式2で表され、
    [化学式2]
    Figure 0007303869000065

    前記化学式2において、
    ~X はそれぞれ独立してNまたはCR であり、X ~X のうち少なくとも二つはNであり、
    pは0または1であり、
    qは0以上5以下の整数であり、
    pとqが同時に0である場合は除外され、
    は置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、
    及びR はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。)
  2. 前記有機層は、正孔輸送領域と、
    前記正孔輸送領域の上に配置される発光層と、
    前記発光層の上に配置される電子輸送領域と、を含む、請求項1に記載の有機電界発光素子。
  3. 前記 ~L は、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換の2価ビフェニリル基、または置換または非置換のナフチレン基である、請求項1に記載の有機電界発光素子。
  4. 前記化学式1は、下記化学式1-1または下記化学式1-2で表される、請求項に記載の有機電界発光素子:
    [化学式1-1]
    Figure 0007303869000066

    [化学式1-2]
    Figure 0007303869000067

    前記化学式1-2において、
    p1及びp2はそれぞれ独立して0または1であり、
    q1及びq2はそれぞれ独立して0以上5以下の整数であり、
    p1とq1が同時に0である場合とp2とq2が同時に0である場合は除外され、
    51及びL52はそれぞれ独立して置換または非置換の炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、
    41及びR42はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
    前記化学式1-1及び化学式1-2において、
    Y、R、R、R、L~L、X~X、a~fは、化学式1及び化学式2で定義した通りである。
  5. 前記化学式2は、下記化学式2-2~化学式2-3のうちいずれか一つで表される、請求項に記載の有機電界発光素子:
    [化学式2-2]
    Figure 0007303869000068

    [化学式2-3]
    Figure 0007303869000069

    前記化学式2-2~化学式2-3において、
    、X、L、R、p及びqは、化学式2で定義した通りである。
  6. 前記化学式1は、下記化学式1-3~化学式1-4のうちいずれか一つで表される、請求項に記載の有機電界発光素子:
    [化学式1-3]
    Figure 0007303869000070

    [化学式1-4]
    Figure 0007303869000071

    化学式1-3~化学式1-4において、
    A、B、L~L、a~f、n、m、R及びRは、化学式1で定義した通りである。
  7. 前記L~Lは、それぞれ独立して下記AL-1~AL-3のうちいずれか一つで表される、請求項に記載の有機電界発光素子:
    Figure 0007303869000072
  8. 前記縮合多環化合物は、下記第1化合物群に示した化合物のうち少なくとも一つである、請求項に記載の有機電界発光素子:
    [第1化合物群]
    Figure 0007303869000073

    Figure 0007303869000074

    Figure 0007303869000075

    Figure 0007303869000076

    Figure 0007303869000077

    Figure 0007303869000078

    Figure 0007303869000079

  9. 第1電極と、
    前記第1電極上の正孔輸送領域と、
    前記正孔輸送領域上の発光層と、
    前記発光層上の電子輸送領域と、
    前記電子輸送領域上の第2電極と、を含み、
    前記第1電極及び第2電極はそれぞれ独立に、Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Sn、及びZnからなる群から選択される少なくとも一つ、これらの中から選択される複数を含む化合物、これらの中から選択される複数を含む混合物、又はこれらの中から選択される1つ以上の酸化物を含み、
    前記正孔輸送領域、前記発光層、及び前記電子輸送領域のうち少なくとも一つは、下記化学式1で表される縮合多環化合物を含む、有機電界発光素子:
    [化学式1]
    Figure 0007303869000080

    前記化学式1において、
    YはNR、またはOであり、
    ~Rはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
    n及びmはそれぞれ独立して0または1であり、n及びmのうち少なくとも一つは1であり、
    ~Lはそれぞれ独立して置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基であり、
    a~dはそれぞれ独立して1以上3以下の整数であり、
    e及びfはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、
    A及びBはそれぞれ独立して下記化学式2で表され、
    [化学式2]
    Figure 0007303869000081

    前記化学式2において、
    ~Xはそれぞれ独立してNまたはCRであり、X~Xのうち少なくとも二つはNであり、
    pは0または1であり、
    qは0以上5以下の整数であり、
    pとqが同時に0である場合は除外され、
    は置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、
    及びRはそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換または非置換のシリル基、置換または非置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換または非置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換または非置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。
  10. 前記縮合多環化合物は、下記第1化合物群に示された化合物のうち少なくとも一つである、請求項に記載の有機電界発光素子:
    [第1化合物群]
    Figure 0007303869000082

    Figure 0007303869000083

    Figure 0007303869000084

    Figure 0007303869000085

    Figure 0007303869000086

    Figure 0007303869000087

    Figure 0007303869000088
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