JP2021057582A - 有機電界発光素子及び有機電界発光素子用多環化合物 - Google Patents

有機電界発光素子及び有機電界発光素子用多環化合物 Download PDF

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Abstract

【課題】発光効率が改善された有機電界発光素子を提供する。【解決手段】有機電界発光素子は、互いに向かい合う第1電極EL1と第2電極EL2、及び第1電極と第2電極との間に配置される発光層EMLを含み、前記発光層は下記化学式1で表される多環化合物を含むことで改善された発光効率を示す。化学式1において、L及びAのうち少なくとも一つは、電子受容性置換基を含み、Dは、特定の置換基である。・・・(化学式1)【選択図】図1

Description

本発明は有機電界発光素子及びそれに使用される多環化合物に関し、より詳しくは、発光材料として使用される多環化合及びそれを含む有機電界発光素子に関する。
最近、映像表示装置として、有機電界発光表示装置(Organic Electroluminescence Display)の開発が盛んに行われている。有機電界発光表示装置は液晶表示装置などとは異なって、第1電極及び第2電極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることで、発光層において有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型表示装置である。
有機電界発光素子を表示装置に応用するに当たっては、有機電界発光素子の低駆動電圧化、高発光効率化及び長寿命化が要求されており、これを安定的に実現し得る有機電界発光素子用材料の開発が持続的に要求されている。
特に、最近は高効率の有機電界発光素子を実現するために三重項状態のエネルギーを利用するりん光発光や、三重項励起子の衝突によって一重項例励起子が生成される現象(Triplet−triplet annihilation、TTA)を利用した遅延蛍光発光に関する技術が開発されており、遅延蛍光現象を利用した熱活性遅延蛍光(Thermally Activated Delayed Fluorescence、TADF)材料に関する開発が行われている。
韓国公開特許第10−2017−0030130号公報 韓国登録特許第10−1305934号公報 米国特許第10211411号明細書 韓国公開特許第10−2015−0130797号公報 韓国公開特許第10−2017−0111387号公報
本発明の目的の一つは、発光効率が改善された有機電界発光素子を提供することである。
本発明の他の目的は、有機電界発光素子の発光効率を改善することができる多環化合物を提供することである。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子は、第1電極と、前記第1電極と向かい合う第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、下記化学式1で表される多環化合物を含む発光層と、を含む。
Figure 2021057582
・・・(化学式1)
化学式1において、Lは置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、Aは置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下ヘテロアリール基であり、L及びAのうち少なくとも一つは電子受容性(electron acceptor)置換基を含み、nは0以上3以下の整数であり、lは1又は2であり、Dは下記化学式2で表される。
Figure 2021057582
・・・(化学式2)
化学式2において、XはO、S、NR、またはSiRであり、Y〜Y11はそれぞれ独立してNまたはCRであり、R〜Rはそれぞれ独立して、単結合、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、R〜Rは隣接する基と互いに結合して環を形成してもよく、R〜Rのうちいずれか一つは化学式1のLと結合される部位である。したがって、R〜Rのうち、化学式1のLと結合される基は、単結合である。
前記発光層は、遅延蛍光を放出してもよい。
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含む遅延蛍光発光層であってもよい。前記ドーパントは、前記化学式1で表される多環化合物を含んでもよい。
前記発光層は、第1最低三重項励起エネルギー準位を有するホストと、前記第1最低三重項励起エネルギー準位より低い第2最低三重項励起エネルギー準位を有する第1ドーパントと、前記第2最低三重項励起エネルギー準位より低い第3最低三重項励起エネルギー準位を有する第2ドーパントと、を含んでもよい。前記第1ドーパントは、前記化学式1で表される多環化合物を含んでもよい。
前記第1ドーパントは遅延蛍光ドーパントであり、前記第2ドーパントは蛍光ドーパントであってもよい。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子は、前記第1電極と前記発光層との間に配置される正孔輸送領域と、前記発光層と前記第2電極との間に配置される電子輸送領域と、を更に含んでもよい。
前記Aは、下記化学式A−1〜化学式A−3のうちいずれか一つで表されてもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式A−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3)
前記化学式A−1〜化学式A−3において、W〜W12はそれぞれ独立してNまたはCR13であり、ZはOまたはSであり、ZはO、S、NR14、CR1516、またはSiR1718であり、mは0または1であり、R〜R18はそれぞれ独立して、単結合、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、R〜R18は隣接する基と互いに結合して環を形成してもよく、R〜R12のうち少なくとも一つはハロゲン原子またはシアノ基である。R〜R18のうちいずれか一つは化学式1のLと結合される部位である。したがって、R〜R18のうち、化学式1のLと結合される基は、単結合である。
前記Aは、下記化学式A−1−1〜化学式A−3−3のうちいずれか一つで表されてもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式A−1−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−1−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−2−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−2−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3−3)
前記化学式A−1−1〜化学式A−3−3において、W〜W12、Z、Z、m、R〜R18は、前記化学式A−1〜化学式A−3で定義したとおりである。
前記化学式1で表される多環化合物は、下記化学式3で表されてもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式3)
前記化学式3において、L及びLはそれぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、Dは前記化学式2で表され、Dは電子供与性(electron donor)置換基である。前記化学式3において、Aは前記化学式1で定義したとおりである。
前記Dは、置換若しくは無置換のアリールアミノ基、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のアクリジニル基、または置換若しくは無置換のフェノキサジニル基であってもよい。
前記Dは、下記化学式2−1〜下記化学式2−5で表されてもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式2−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−3)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−4)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−5)
前記化学式2−1〜化学式2−5において、Y〜Y11、及びR〜Rは、前記化学式2で定義したとおりである。
前記Lは置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のピリジニレン基、置換若しくは無置換のトリアジニレン基、置換若しくは無置換のベンゾオキサゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾイミダゾリレン基、置換若しくは無置換のイミダゾピリジニレン基、置換若しくは無置換のオキサゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のチアゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のジベンゾボリニレン基、または置換若しくは無置換のジベンゾオキサボリニレン基であってもよい。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子において、前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれ独立してAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Zn、及びSnからなる群より選択されるいずれか一つ、これらのうちから選択される2つ以上の化合物、これらのうちから選択される2つ以上の混合物、またはこれらのうちから選択される一つ以上の酸化物を含んでもよい。
本発明の一実施形態による多環化合物は、前記化学式1で表される。
前記化学式1で表される多環化合物は、最低一重項励起エネルギー準位(S1)と最低三重項励起エネルギー準位(T1)との差の絶対値が0.2eV以下であってもよい。
一実施形態に係る有機電界発光素子は、青色領域で高い発光効率を示す改善された素子特性を示す。
一実施形態に係る多環化合物は、有機電界発光素子の発光層に含まれることにより有機電界発光素子の高効率化に寄与する。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。
上述した本発明の目的、他の目的、特徴、及び利点は、添付した図面及び下記好ましい実施形態を介して容易に理解できるはずである。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限らず、他の形態で実現されてもよい。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底で完全なものになるように、そして通常の技術者に本発明の思想が十分に伝達されるようにするために提供されるものである。
各図面を説明しながら、類似した参照符号を類似した構成要素に対して使用している。添付した図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示している。第1、第2などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しない限り第1構成要素は第2構成要素と称されてもよく、同様に第2構成要素も第1構成要素と称されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
本明細書において、「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする場合、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下部に」にあるとする場合、これは他の部分の「直下」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
Figure 2021057582
一方、本明細書において、「置換若しくは無置換の」とは重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、シリル基、オキシ基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基、カルボニル基、ホウ素基、ホスフィンオキシド基、ホスフィンスルフィド基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、炭化水素環基、アリール基、及びヘテロ環基からなる群より選択される一つ以上の置換基に置換される若しくは無置換であることを意味する。また、前述の例示された置換基それぞれは、置換されてもよく、または無置換であってもよい。例えば、ビフェニリル基はアリール基と解釈されてもよく、フェニル基に置換されたフェニル基と解釈されてもよい。
本明細書において、「隣接する基と互いに結合して環を形成」するとは、隣接する基と互いに結合して置換若しくは無置換の炭化水素環、または置換若しくは無置換のヘテロ環を形成することを意味する。炭化水素環は、脂肪族炭化水素環及び芳香族炭化水素環を含む。ヘテロ環は、脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環を含む。隣接する基と互いに結合して形成された環は、単環または多環である。また、互いに結合して形成された環は、他の環と結合されてスピロ構造を形成してもよい。
本明細書において、「隣接する基」とは該当置換基が置換された原子と直接結合された原子に置換された置換基、該当置換基が置換された原子に置換された他の置換基または該当置換基と立体構造的に最も隣接する置換基を意味する。例えば、1、2−ジメチルベンゼンにおける2つのメチル基は互いに「隣接する基」と解釈され、1、1−ジエチルシクロペンテンにおける2つのエチル基は互いに「隣接する基」と解釈される。
本明細書において、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子が挙げられる。
本明細書において、アルキル基は直鎖、分枝鎖、または環状である。アルキル基の炭素数は、1以上50以下、1以上30以下、1以上20以下、1以上10以下、または1以上6以下である。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、i−ブチル基、2−エチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、シクロペンチル基、1−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、2−エチルペンチル基、4−メチル−2−ペンチル基、n−ヘキシル基、1−メチルヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−ブチルヘキシル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−t−ブチルシクロヘキシル基、n−ヘプチル基、1−メチルペプチル基、2,2−ジメチルヘプチル基、2−エチルヘプチル基、2−ブチルヘプチル基、n−オクチル基、tーオクチル基、2−エチルオクチル基、2−ブチルオクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3,7−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、アダマンチル基、2−エチルデシル基、2−ブチルデシル基、2−ヘキシルデシル基、2−オクチルデシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、2−エチルドデシル基、2−ブチルドデシル基、2−ヘキシルドデシル基、2−オクチルデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、2−エチルヘキサデシル基、2−ブチルヘキサデシル基、2−ヘキシルヘキサデシル基、2−オクチルヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−イコシル基、2−エチルイコシル基、2−ブチルイコシル基、2−ヘキシルイコシル基、2−オクチルイコシル基、n−ヘンイコシル基、n−ドコシル基、n−トリコシル基、n−テトラコシル基、n−ペンタコシル基、n−ヘキサコシル基、n−ヘプタコシル基、n−オクタコシル基、n−ノナコシル基、及びn−トリアコンチル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、炭化水素環は、脂肪族炭化水素環及び芳香族炭化水素環を含む。ヘテロ環は、脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環を含む。炭化水素環及びヘテロ環は、単環または多環である。
本明細書において、炭化水素環基は、脂肪族炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基、または芳香族炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基である。炭化水素環基の環形成炭素数は、5以上60以下であってもよい。また、炭化水素環基は、環形炭素数5以上20以下の飽和炭化水素環基であってもよい。
本明細書において、ヘテロ環基は、少なくとも一つのヘテロ原子を環形成原子として含むヘテロ環から誘導される任意の作用基または置換基である。ヘテロ環基は、ヘテロ原子としてB、O、N、P、Si、及びSのうち一つ以上を含む。ヘテロ環基がヘテロ原子を2つ以上含めば、2つ以上のヘテロ原子は互いに同じであってもよく、異なってもよい。ヘテロ環基は単環式ヘテロ環基または多環式ヘテロ環基であってもよく、ヘテロアリール基を含む概念である。ヘテロ環基の環形成炭素数は、2以上60以下であってもよく、例えば、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下であってもよい。
本明細書において、アリール基は、芳香族炭化水素環から誘導された任意の作用基または置換基を意味する。アリール基は、単環式アリール基または多環式アリール基である。アリール基の環形成炭素数は、6以上30以下、6以上20以下、または6以上15以下である。アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クォーターフェニリル基、キインクフェニリル基、セクシフェニリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、フルオレニル基は置換されてもよく、2つの置換基が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。フルオレニル基が置換される場合の例示は以下のようである。但し、これらに限らない。
Figure 2021057582
本明細書において、ヘテロアリール基はヘテロ原子としてB、O、N、P、Si、及びSのうち一つ以上を含む。ヘテロアリール基がヘテロ原子を2つ以上含む場合、2つ以上のヘテロ原子は互いに同じであってもよく、異なってもよい。ヘテロアリール基は、単環式へテロ環基または多環式へテロ環基である。ヘテロアリール基の環形成炭素数は、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下である。ヘテロアリール基の例としては、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアゾリル基、ピリジニル基、ビピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、アクリジニル基、ピリダジニル基、キノリニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フェノキサジニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリニル基、インドリル基、カルバゾリル基、N−アリールカルバゾリル基、N−ヘテロアリールカルバゾリル基、N−アルキルカルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、チエノチオフェニル基、ベンゾフラニル基、フェナントロリニル基、イソオキサゾリル基、チアジアゾリル基、フェノチアジニル基、ジベンゾシロリル基、及びジベンゾフラニル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、シリル基はアルキルシリル基及びアリールシリル基を含む。シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、ボリル基はアルキルボリル基及びアリールボリル基を含む。ボリル基の例としては、トリメチルボリル基、トリエチルボリル基、t−ブチルジメチルボリル基、トリフェニルボリル基、ジフェニルボリル基、フェニルボリル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、アミノ基の炭素数は特に限らないが、1以上30以下である。アミノ基は、アルキルアミノ基及びアリールアミノ基を含む。アミノ基の例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、9−メチル−アントラセニルアミノ基、トリフェニルアミノ基などが挙げられるが、これらに限らない。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による有機電界発光素子及びそれに含まれた一実施形態に係る多環化合物について説明する。
図1〜図4は、本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。図1〜図4を参照すると、一実施形態に係る有機電界発光素子10において、第1電極EL1及び第2電極EL2は互いに対向して配置され、第1電極EL1と第2電極EL2との間には複数個の有機層が配置される。複数個の有機層は正孔輸送領域HTR、発光層EML、及び電子輸送領域ETRを含む。つまり、本発明の一実施形態による有機電界発光素子10は、順次に積層される第1電極EL1、正孔輸送領域HTR、発光層EML、電子輸送領域ETR、及び第2電極EL2を含む。第2電極EL2の上にはキャッピング層CPLが更に配置されてもよい。
一実施形態に係る有機電界発光素子10は、第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置される複数個の有機層の間のうち少なくとも一つの有機層に後述する一実施形態による多環化合物を含む。例えば、一実施形態に係る有機電界発光素子10は、第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置される発光層EMLに後述する一実施形態に係る多環化合物を含む。しかし、本発明の実施形態はこれに限らず、一実施形態に係る有機電界発光素子10は、発光層EML以外に、第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置される複数の有機層である正孔輸送領域HTR及び電子輸送領域ETRに含まれる少なくとも一つの有機層に後述する一実施形態による多環化合物を含んでもよく、または第2電極EL2の上に配置されるキャッピング層CPLに後述する一実施形態による多環化合物を含んでもよい。
図2では、図1とは異なり、正孔輸送領域HTRが正孔注入層HIL及び正孔輸送層HTLを含み、電子輸送領域ETRが電子注入層EIL及び電子輸送層ETLを含む一実施形態に係る有機電界発光素子10の断面図を示す。また、図3では、図1とは異なり、正孔輸送領域HTRが正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、及び電子阻止層EBLを含み、電子輸送領域ETRが電子注入層EIL、電子輸送層ETL、及び正孔阻止層HBLを含む一実施形態に係る有機電界発光素子10の断面図を示す。図4では、図2とは異なり、第2電極EL2の上に配置されるキャッピング層CPLを含む一実施形態に係る有機電界発光素子10の断面図を示す。
以下では、一実施形態に係る有機電界発光素子10に関する説明において、発光層EMLに後述する一実施形態による多環化合物を含む場合を一例として説明するが、本発明の実施形態はこれに限らず、後述する一実施形態による多環化合物は正孔輸送領域HTR、電子輸送領域ETR、またはキャッピング層CPLに含まれてもよい。
第1電極EL1は導電性を有する。第1電極EL1は、金属合金または導電性化合物からなる。第1電極EL1はアノード(anode)である。また、第1電極EL1は画素電極である。第1電極EL1は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第1電極EL1が透過型電極であれば、第1電極EL1は透明金属酸化物、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indium tin zinc oxide)などを含む。第1電極EL1が半透過型電極または反射型電極であれば、第1電極EL1はAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、またはこれらの化合物や混合物(例えば、AgとMgの合金)を含む。また、第1電極EL1は、前述の物質からなる反射膜や半透過膜、及びITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indium tin zinc oxide)などからなる透明導電膜を含む複数の層構造を有してもよい。例えば、第1電極EL1はITO/Ag/ITOの3槽構造を有してもよいが、これに限らない。第1電極EL1の厚さは、約100nm〜約1000nm、例えば、約100nm〜約300nmである。
正孔輸送領域HTRは第1電極EL1の上に設けられる。正孔輸送領域HTRは、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、正孔バッファ層(図示せず)、及び電子阻止層EBLのうち少なくとも一つを含む。正孔輸送領域HTRの厚さは、例えば、約5nm〜約150nmである。
正孔輸送領域HTRは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
例えば、正孔輸送領域HTRは正孔注入層HILまたは正孔輸送層HTLの単一層の構造を有してもよく、正孔注入物質及び正孔輸送物質からなる単一層の構造を有してもよい。また、正孔輸送領域HTRは、複数の互いに異なる物質を有する単一層の構造を有するか、第1電極EL1から順番に積層された正孔注入層HIL/正孔輸送層HTL、正孔注入層HIL/正孔輸送層HTL/正孔バッファ層、正孔注入層HIL/正孔バッファ層(図示せず)、正孔輸送層HTL/正孔バッファ層(図示せず)、または正孔注入層HIL/正孔輸送層HTL/正孔阻止層の構造を有してもよいが、本実施形態はこれに限らない。
正孔輸送領域HTRは、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法(Langmuir−Blodgett)、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging、LITI)などのような多様な方法を利用して形成される。
正孔注入層HTLは、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、DNTPD(N,N’−ジフェニル−N、N’−ビス−[4−フェニル−m−トリル−アミノ)−フェニル]−ビフェニル−4,4’−ジアミン)、m−MTDATA(4,4’,4”−[トリス(3−メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミノ)、TDATA(4,4’,4”−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン)、2−TNATA(4,4’,4”−トリス{N,−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ}−トリフェニルアミン)、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルフォナート))、PANI/DBSA(ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸)、PANI/CSA(ポリアニリン/カンファースルホン酸)、PANI/PSS(ポリアニリン/ポリ(4−スチレンスルフォナート))、NPB(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン)、NPD(N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−(1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)、トリフェニルアミンを含むポリエテールケトン(TPAPEK)、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウム[テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート]、HAT−CN(ジピラジノ[2,3−f:2’,3’−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル)などを含んでもよい。
正孔輸送層HTLは、例えば、N−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール系誘導体、フルオレン系誘導体、TPD(N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、TCTA(4,4’,4”−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン)などのようなトリフェニルアミン系誘導体、NPB(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン)、TAPC(4,4’−シクロへキシリデンビス[N,N−ビス(4−メチルフェニル)ベンゼンアミン])、HMTPD(4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル)、mCP(1,3−ビス(N−カルバゾリル)ベンゼン)、CzSi(9−(4−テルト−ブチルフェニル)−3,6−ビス(トリフェニルシリル)−9H−カルバゾール)などを含んでもよい。
正孔輸送領域HTRの厚さは、約10nm〜約1000nm、例えば、約10nm〜約500nmである。正孔注入層HILの厚さは、例えば約3nm〜約100nmであり、正孔輸送層HTLの厚さは、約3nm〜約100nmである。例えば、電子阻止層EBLの厚さは、約1nm〜約100nmである。正孔輸送領域HTR、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、及び電子阻止層EBLの厚さが上述したような範囲を満たす場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分なの正孔輸送特性が得られる。
正孔輸送領域HTRは、上述した物質以外に、導電性を向上するために電荷生成物質を更に含んでもよい。電荷発生物質は、正孔輸送領域HTR内に均一にまたは不均一に分散されている。電荷発生物質は、例えば、p−ドーパント(dopant)である。p−ドーパントはキノン誘導体、金属酸化物及びシアノ基含有化合物のうち一つであってもよいが、これに限らない。例えば、p−ドーパントの例としては、TCNQ(テトラシアノキノジメタン)及びF4−TCNQ(2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7’,8,8’−テトラシアノキノジメタン)などのようなキノン誘導体、タングステン酸化物、及びモリブデン酸化物のような金属酸化物などが挙げられるが、これに限らない。
上述したように、正孔輸送領域HTRは、正孔注入層HIL及び正孔輸送層HTL以外に、正孔バッファ層(図示せず)及び電子阻止層EBLのうち少なくとも一つを更に含んでもよい。正孔バッファ層(図示せず)は、発光層EMLから放出される光の波長による共振距離を補償して光放出効率を増加させる。正孔バッファ層(図示せず)に含まれる物質としては、正孔輸送領域HTRに含まれ得る物質を使用することができる。電子阻止層EBLは、電子輸送領域ETRから正孔輸送領域HTRへの電子の注入を防止する役割をする層である。
発光層EMLは正孔輸送領域HTRの上に設けられる。発光層EMLは、例えば約10nm〜100nmであり、約10nm〜約30nmの厚さを有してもよい。発光層EMLは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
一実施形態に係る有機電界発光素子10において、発光層EMLは一実施形態に係る多環化合物を含む。
一実施形態に係る多環化合物は、置換若しくは無置換のインドロフェナジニル基、または置換若しくは無置換のインドロフェノキサジニル基を含む。一実施形態に係る多環化合物は、電子供与性置換基に置換若しくは無置換されているインドロフェナジニル基、または置換若しくは無置換のインドロフェノキサジニル基を含む。
一実施形態に係る多環化合物は、下記化学式1で表される。
Figure 2021057582
・・・(化学式1)
化学式1において、Lは置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基である。一実施形態において、Lは置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のピリジニレン基、置換若しくは無置換のトリアジニレン基、置換若しくは無置換のベンゾオキサゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾイミダゾリレン基、置換若しくは無置換のイミダゾピリジニレン基、置換若しくは無置換のオキサゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のチアゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のジベンゾボリニレン基、または置換若しくは無置換のジベンゾオキサボリニレン基であってもよい。
化学式1において、Aは置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。一実施形態において、Aは置換若しくは無置換のフェニル基、置換若しくは無置換のピリジニル基、置換若しくは無置換のトリアジニル基、置換若しくは無置換のベンゾオキサゾリル基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリル基、置換若しくは無置換のベンゾイミダゾリル基、置換若しくは無置換のイミダゾピリジニル基、置換若しくは無置換のオキサゾロピリジニル基、置換若しくは無置換のチアゾロピリジニル基、置換若しくは無置換のジベンゾボリニル基、または置換若しくは無置換のジベンゾオキサボリニル基であってもよい。一実施形態において、Aは置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のアリールアミノ基、置換若しくは無置換のアクリジニル基、または置換若しくは無置換のフェノキサジニル基であってもよい。
化学式1において、L及びAのうち少なくとも一つは電子受容性置換基を含む。一実施形態において、Lは置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基であり、Aは電子受容性置換基を含んでもよい。一実施形態において、Lは電子受容性置換基を含み、Aは置換若しくは無置換のカルバゾール基、置換若しくは無置換のアリールアミノ基、置換若しくは無置換のアクリジニル基、または置換若しくは無置換のフェノキサジニル基であってもよい。
化学式1において、nは0以上3以下の整数である。化学式1において、lは1又は2である。
化学式1において、Dは電子供与性置換基である。Dは下記化学式2で表される。
Figure 2021057582
・・・(化学式2)
化学式2において、XはO、S、NR、またはSiRである。一実施形態において、XはO、S、またはNRである。XがOであれば、化学式1で表される多環化合物は、電子供与性置換基としてインドロフェノキサジニル基を含む。XがNRであれば、化学式1で表される多環化合物は電子供与性置換基としてインドロフェナジニル基を含む。
化学式2において、Y〜Y11はそれぞれ独立してNまたはCRである。一実施形態において、Y乃至Y11はいずれもCRであってもよい。一実施形態において、Y〜Y11のうちいずれか一つはNであり、残りはいずれもCRであってもよい。
化学式2において、R〜Rはそれぞれ独立して、単結合、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。また、R〜Rはそれぞれ独立して隣接する基と互いに結合して環を形成してもよい。一実施形態において、Rは置換若しくは無置換のメチル基、または置換若しくは無置換のフェニル基であってもよい。一実施形態において、Rは水素原子であってもよい。Rが複数であれば、複数のRは互いに異なってもよく、同じであってもよい。
化学式2において、R〜Rのうちいずれか一つは化学式1のLと結合される部位である。したがって、R〜Rのうち、化学式1のLと結合される基は、単結合である。一実施形態において、化学式2で表される置換基構造においてXはNRであり、RはLと結合される部位であってもよい。また、化学式2で表される置換基構造において、YまたはY10がCRで、Rが化学式1のLと結合される部分であってもよい。
化学式1において、Aは下記化学式A−1〜化学式A−3のうちいずれか一つで表されてもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式A−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3)
化学式A−1〜化学式A−3において、W〜W12はそれぞれ独立してNまたはCR13である。化学式A−1において、W〜WはいずれもCR13であってもよい。また、WはNで、W〜WはCR13であってもよい。化学式A−2において、W〜W12はいずれもCR13であってもよい。
化学式A−1において、ZはOまたはSである。ZがOであれば、化学式A−1で表される置換基はベンゾオキサゾール部分構造を含む。ZがSであれば、化学式A−1で表される置換基はベンゾチアゾール部分構造を含む。
化学式A−2において、ZはO、S、NR14、CR1516、またはSiR1718である。一実施形態において、ZはO、またはCR1516であってもよい。ZがOであれば、化学式A−2で表される置換基はジベンゾオキサボリニル部分構造を含む。ZがCR1516であれば、化学式A−2で表される置換基はジベンゾボリニル部分構造を含む。
化学式A−2において、mは0または1である。mが0であれば、化学式A−2で表される置換基においてZが存在せず、ホウ素原子に6員環の芳香族環2つが置換されていることを意味する。一実施形態において、mが0でW〜W12がいずれもCR13であれば、化学式A−2で表される置換基はジフェニルボラン部分構造を含む。
化学式A−1〜化学式A−3において、R〜R18はそれぞれ独立して、単結合、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。一実施形態において、R及びRはいずれも水素原子であってもよい。
化学式A−3において、R〜R12のうち少なくとも一つはハロゲン原子またはシアノ基である。一実施形態において、R〜R12のうち一つまたは2つはシアノ基である。または、R〜R12はいずれもハロゲン原子であってもよい。R〜R12はいずれもフッ素原子であってもよい。
化学式A−1〜化学式A−4において、R〜R18のうちいずれか一つは化学式1のLと結合される部位である。したがって、R〜R18のうち、化学式1のLと結合される基は、単結合である。
化学式1において、Aは下記化学式A−1−1〜化学式A−3−3のうちいずれか一つで表されてもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式A−1−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−1−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−2−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−2−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式A−3−3)
化学式A−1−1〜化学式A−3−3において、W〜W12、Z、Z、m、R〜R18に対しては、前述の化学式A−1〜化学式A−3で説明した内容と同じ内容が適用される。
化学式1において、Dは下記化学式2−1または化学式2−5で表されてもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式2−1)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−2)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−3)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−4)
Figure 2021057582
・・・(化学式2−5)
化学式2−1〜化学式2−5において、Y〜Y11、及びR〜Rに対しては、前述の化学式2で説明した内容と同じ内容が適用される。
化学式1で表される多環化合物は、下記化学式3で表される。
Figure 2021057582
・・・(化学式3)
化学式3において、L〜Lは、それぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基である。一実施形態において、L及びLは、それぞれ独立して置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のピリジニレン基、置換若しくは無置換のトリアジニレン基、置換若しくは無置換のベンゾオキサゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾイミダゾリレン基、置換若しくは無置換のイミダゾピリジニレン基、置換若しくは無置換のオキサゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のチアゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のジベンゾボリニレン基、または置換若しくは無置換のジベンゾオキサボリニレン基である。化学式3において、L〜Lに対しては、前述の化学式1のLについて説明した内容と同じ内容が適用される。
化学式3において、Dは電子供与性置換基である。Dは前述の化学式2で表される。化学式3において、Dに対しては、前述の化学式1でDについて説明した内容と同じ内容が適用される。
化学式3において、Dは電子供与性置換基である。例えば、Dは、置換若しくは無置換のアリールアミノ基、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のアクリジニル基、または置換若しくは無置換のフェノキサジニル基である。
化学式3において、D及びDは互いに異なる。一実施形態において、Dは置換若しくは無置換のインドロフェナジニル基であり、Dは置換若しくは無置換のアリールアミノ基、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のアクリジニル基、または置換若しくは無置換のフェノキサジニル基であってもよい。一実施形態において、Dは、置換若しくは無置換のインドロフェノキサジニル基であり、Dは置換若しくは無置換のアリールアミノ基、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のアクリジニル基、または置換若しくは無置換のフェノキサジニル基であってもよい。
一実施形態に係る多環化合物は、下記第1化合物群及び第2化合物群に示される化合物のうちいずれか一つであってもよい。一実施形態に係る有機電界発光素子10は、第1化合物群及び第2化合物群に示した化合物のうち少なくとも一つの多環化合物を発光層EMLに含む。
[第1化合物群]
Figure 2021057582

Figure 2021057582

Figure 2021057582

Figure 2021057582
[第2化合物群]
Figure 2021057582

Figure 2021057582

Figure 2021057582

Figure 2021057582
化学式1で表される一実施形態に係る多環化合物は、熱活性遅延蛍光発光材料である。また、化学式1で表される一実施形態に係る多環化合物は、最低三重項励起エネルギー準位(T1 level)と最低一重項励起エネルギー準位(S1 level)の差(ΔEST)が0.2eV以下である熱活性遅延蛍光ドーパントである。例えば、化学式1で表される一実施形態に係る多環化合物のΔESTは0.10eV以下であってもよい。
一実施形態に係る有機電界発光素子10において、発光層EMLは遅延蛍光を放出する。例えば、発光層EMLは熱活性遅延蛍光(Thermally Activated Delayed Fluorescene、TADF)を出射してもよい。
化学式1で表される一実施形態に係る化合物は、D(donor)−A(acceptor)タイプの遅延蛍光ドーパント材料である。化学式1で表される一実施形態に係る化合物において、インドロフェナジンまたはインドロフェノキサジン部分構造は電子供与部に当たり、「A」で表される置換基部分は電子受容部に当たる。つまり、化学式1で表される一実施形態に係る化合物は、D−Aタイプの熱活性遅延蛍光ドーパントである。
または、化学式1で表される一実施形態に係る化合物は化学式3で表され、D(donor)−A(acceptor)−D(donor)タイプの遅延蛍光ドーパント材料である。化学式3で表される一実施形態に係る化合物において、D及びDで表される置換基部分は電子供与部に当たり、「A」で表される置換基部分は電子受容部に当たる。
また、有機電界発光素子10の発光層EMLは赤色光または緑色光を放出する。しかし、本発明の実施形態はこれに限らず、発光層EMLは青色光を放出してもよい。
一実施形態に係る化合物は、インドロフェナジンまたはインドロフェノキサジン部分構造を電子供与部として含む新規化合物であり、熱活性遅延蛍光発光材料として使用され、有機電界発光素子の発光層材料として使用されて発光効率を改善する。特に、一実施形態による化合物は、緑色または赤色波長領域の光を放出する発光材料として使用され、優れた発光効率を示す。
一方、図示していないが、一実施形態に係る有機電界発光素子10は複数の発光層を含んでもよい。複数の発光層は順次に積層されて設けられるが、例えば、複数の発光層を含む有機電界発光素子10は白色光を放出してもよい。複数の発光層を含む有機電界発光素子10は、タンデム(Tandem)構造の有機電界発光素子である。有機電界発光素子10が複数の発光層を含む場合、少なくとも一つの発光層EMLは、上述した一実施形態に係る多環化合物を含む。
一実施形態において、発光層EMLはホスト及びドーパントを含み、上述した多環化合物をドーパントとして含む。例えば、一実施形態に係る例の有機電界発光素子10において、発光層EMLは遅延蛍光発光用ホスト及び遅延蛍光発光用ドーパントを含むが、上述した多環化合物を遅延蛍光発光用ドーパントとして含んでもよい。発光層EMLは、上述した第1化合物群及び第2化合物群に示した多環化合物のうち少なくとも一つを熱活性遅延蛍光ドーパントとして含む。
一実施形態において、発光層EMLは遅延蛍光発光層であり、発光層MELは公知のホスト材料、及び上述した多環化合物を含んでもよい。例えば、一実施形態において、一実施形態に係る多環化合物はTADFドーパントとして使用されてもよい。
発光層EMLのホスト材料としては公知の材料を使用してもよく、特に限定されないが、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、アントラセン誘導体、フルオレン誘導体、ぺリレン誘導体、クリセン誘導体などが選択される。発光層EMLのホスト材料としては、好ましくは、ピレン誘導体、ぺリレン誘導体、アントラセン誘導体が挙げられる。例えば、発光層EMLのホスト材料として、下記化学式4で表されるアントラセン誘導体を使用してもよい。
Figure 2021057582
・・・(化学式4)
化学式4において、R31〜R40は、それぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換の炭素数1以上10以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。R31〜R40は、隣接する基と結合して環を形成してもよい。具体的には、R31〜R40は隣接する基と互いに結合して飽和炭化水素環または不飽和炭化水素環を形成してもよい。
化学式4において、c及びdはそれぞれ独立して0以上5以下の整数である。
化学式4は、下記化学式3−1〜化学式3−16のうちいずれか一つで表されてもよい。
Figure 2021057582
Figure 2021057582

Figure 2021057582

Figure 2021057582

Figure 2021057582

Figure 2021057582
一実施形態において、発光層EMLはホスト材料として、Alq(トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウム)、CBP(4,4’−ビス(N−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニル)、PVK(ポリ(n−ビニルカルバゾール)、ADN(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン)、TCTA(4,4’,4”−トリス(カルバゾール−9−イル)−トリフェニルアミン)、TPBi(1,3,5−トリス(N−フェニルベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼン)、TBADN(3−tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン)、DSA(ジスチリルアリレン)、CDBP(4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−2,2’−ジメチル−ビフェニル)、MADN(2−メチル−9,10−ビス(ナフタレン−2−イル)アントラセン)、DPEPO(ビス[2−ジフェニルホスフィノフェニル]エーテルオキシド)、CP1(ヘキサフェニルシクロトリホスファゼン)、UGH2(1,4−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン)、DPSiO(ヘキサフェニルシクロトリシロキサン)、DPSiO(オクタフェニルシクロテトラシロキサン)、またはPPF(2,8−ビス(ジフェニルホスフォリル)ジゼンゾフラン)、mCBP(3,3’−ビス(N−カルバゾリル)−1,1’−ビフェニル)、mCP(1,3−ビス(N−カルバゾリル)ベンゼン)などを含んでもよい。しかし、ホスト材料はこれに限らず、提示されたホスト材料以外にも公知の遅延蛍光発光ホスト材料が含まれてもよい。
尚、本発明の一実施形態に係る化合物は、発光層EMLのホスト材料として使用されてもよい。一実施形態に係る化合物がホスト材料として使用される場合、発光層EMLには一実施形態に係る化合物以外にも公知のドーパント材料が共に使用されてもよい。
一実施形態に係る有機電界発光素子10において、発光層EMLは公知のドーパント材料を更に含んでもよい。一実施形態において、発光層MELは、ドーパントとして、スチリル誘導体(例えば、1,4−ビス[2−(3−N−エチルカルバゾリル)ビニル]ベンゼン(BCzVB)、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン(DPAVB)、N−(4−((E)−2−(6−((E)−4−(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン−2−イル)ビニル)フェニル)−N−フェニルベンゼンアミン(N−BDAVBi)、ぺリレン及びその誘導体(例えば、2,5,8,11−テトラ−t−ブチルぺリレン(TBP))、ピレン及びその誘導体(例えば、1,1−ジピレン、1,4−ジピレニルベンゼン、1,4−ビス(N、N−ジフェニルアミノ)ピレンなどを更に含んでもよい。
また、一実施形態において、発光層EMLは、最低三重項励起エネルギー準位(T1 level)が互いに異なる2つのドーパント材料を含んでもよい。一実施形態の有機電界発光素子10において、発光層EMLは、第1最低三重項励起エネルギー準位を有するホスト、第1最低三重項励起エネルギー準位より低い第2最低三重項励起エネルギー準位を有する第1ドーパント、及び第2最低三重項励起エネルギー準位より低い第3最低三重項励起エネルギー準位を有する第2ドーパントを含んでもよい。一実施形態において、発光層EMLは第1ドーパントとして上述した一実施形態に係る多環化合物を含む。
発光層EMLにホスト、第1ドーパント、及び第2ドーパントを含む一実施形態の有機電界発光素子10において、第1ドーパントは遅延蛍光ドーパントであり、第2ドーパントは蛍光ドーパントである。また、一実施形態の有機電界発光素子10において、化学式1で表される多環化合物は、補助ドーパント(assistant dopant)の役割をする。
例えば、一実施形態の有機電界発光素子10の発光層EMLが複数のドーパントを含む場合、発光層EMLは上述した一実施形態に係る多環化合物を第1ドーパントとして含んでもよく、上述した公知のドーパント物質を第2ドーパントとして含んでもよい。例えば、発光層EMLが青色光を発光する場合、発光層EMLは、第2ドーパントとしてスピロ−DPVBi、スピロ−6P、DSB(ジスチリル−ベンゼン)、DSA(ジスチリル−アリレン)、PFO(ポリフルオレン)系高分子、及びPPV(ポリ(p−フェニレンビニレン)系高分子からなる群より選択されるいずれか一つを更に含む。また、第2ドーパントとしては(4,6−Fppy)Irpicのような金属錯化合物(metal complex)または有機金属錯体(organometaliic complex)、ぺリレン(perlene)及びその誘導体などが使用されてもよい。
一方、一実施形態に係る多環化合物を発光層EMLの第1ドーパントとして含む一実施形態の有機電界発光素子10において、発光層EMLは緑色光または赤色光を放出する場合に使用される第2ドーパント物質は、上述した公知のドーパントであるか、または公知の緑色蛍光ドーパント、または公知の赤色蛍光ドーパントであってもよい。
一実施形態の有機電界発光素子10において、発光層EMLはりん光発光層であってもよい。この場合、例えば、一実施形態に係る多環化合物は、りん光ホスト物質として発光層EMLに含まれてもよい。
図1〜図4に示した一実施形態に係る有機電界発光素子10において、電子輸送領域ETRは、発光層EMLの上に設けられる。電子輸送領域ETRは、正孔阻止層HBL、電子輸送層ETL、及び電子注入層のEILうち少なくとも一つを含むが、これに限らない。
電子輸送領域ETRは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
例えば、電子輸送領域ETRは、電子注入層のEILまたは電子輸送層ETLの単一層構造を有してもよく、電子注入物質と電子輸送物質からなる単一層構造を有してもよい。また、電子輸送領域ETRは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有するか、発光層EMLから順番に積層される電子輸送層ETL/電子注入層EIL、正孔阻止層HBL/電子輸送層ETL/電子注入層EILの構造を有してもよいが、これらに限らない。電子輸送領域ETRの厚さは、例えば、約10nm〜約150nmである。
電子輸送領域ETRは、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法(Langmuir−Blodgett)、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging、LITI)などのような多様な方法を利用して形成される。
電子輸送領域ETRが電子輸送層ETLを含む場合、電子輸送領域ETRは、アントラセン系化合物を含む。但し、これに限らず、電子輸送領域は、例えば、Alq(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)、1,3,5−トリ[(3−ピリジル)−フェン−3−イル]ベンゼン、2,4,6−トリス(3’−ピリジン−3−イル)ビフェニル−3−イル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(N−フェニルベンゾイミダゾリル−1−イルフェニル)−9,10−ジナフチルアントラセン、TPBi(1,3,5−トリ(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)フェニル)、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)、Bphen(4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)、TAZ(3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−テルト−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール)、NTAZ(4−(ナフタレン−1−イル)−3,5−ジフェニル−4H−1,2,4−トリアゾール)、tBu−PBD(2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−テルトーブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、BAlq(ビス(2−メチル−8−キノリノラト−N1,O8)−(1,1’−ビフェニル−4−オラト)アルミニウム)、Bebq(ベリリウムビス(ベンゾキノリン−10−オラト)、ADN(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン)、及びこれらの混合物を含んでもよい。電子輸送層ETLの厚さは、約10nm〜約100nm、例えば、約15nm〜約50nmである。電子輸送層ETLの厚さが上述したような範囲を満たせば、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な電子輸送特性が得られる。
電子輸送領域ETRが電子注入層EILを含む場合、電子輸送領域ETRは、LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuIのようなハロゲン化金属、Ybのようなランタノイド族金属、LiO、BaOのような金属酸化物、またはLiQ(リチウムキノラート)などが使用されてもよいが、これらに限らない。電子注入層EILはまた、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩(organo metal salt)が混合された物質からなってもよい。有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ(energy band gap)が約4eV以上の物質である。詳しくは、例えば、有機金属塩は、酢酸金属塩(metal acetate)、安息香酸金属塩(metal benzoate)、アセト酢酸金属塩(metal acetoacetate)、金属アセチルアセトネート(metal acetylacetonate)、またはステアリン酸金属塩(stearate)を含む。電子注入層EILの厚さは、約0.1nm〜約50nm、例えば、約0.3nm〜約30nmである。電子注入層EILの厚さが上述したような範囲を満たせば、実質的な駆動電圧の上昇なしに十分な電子注入特性が得られる。
電子輸送領域ETRは、上述したように、正孔阻止層HBLを含んでもよい。正孔阻止層HBLは、例えば、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)、及びBphen(4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)のうち少なくとも一つを含んでもよいが、これらに限らない。
第2電極EL2は、電子輸送領域ETRの上に設けられる。第2電極EL2は、共通電極または負極である。第2電極EL2は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第2電極EL2が透過型電極であれば、第2電極EL2は透明金属酸化物、例えば、ITO、IZO、ZnO、ITZOなどからなる。
第2電極EL2が半透過型電極または反射型電極であれば、第2電極EL2はAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、またはこれらを含む化合物や混合物(例えば、AgとMgの合金)を含む。また、第2電極EL2は、前述の物質からなる反射膜や半透過膜、及びITO、IZO、ZnO、ITZOなどからなる透明導電膜を含む複数の層構造であってもよい。
図示していないが、第2電極EL2は補助電極と接続される。第2電極EL2が補助電極と接続されれば、第2電極EL2の抵抗を減少させることができる。
一方、一実施形態に係る有機電界発光素子10の第2電極EL2の上には、キャッピング層CPL更に配置されてもよい。キャッピング層CPLは、例えば、α−NPD、NPB、TPD、m−MTDATA、Alq、CuPc、TPD15(N4,N4,N4’,N4’−テトラ(ビフェニル−4−イル)ビフェニル−4,4’−ジアミン)、TCTA(4,4’,4”−トリス(カルバゾール ソル−9−イル)トリフェニルアミン)、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)などを含んでもよい。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子10は、上述した一実施形態に係る多環化合物を第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置される発光層EMLに含むことで、高い発光効率特性を示す。また、一実施形態による多環化合物は熱活性遅延蛍光ドーパントであり、発光層EMLは一実施形態に係る多環化合物を含んで熱活性遅延蛍光発光することで高い発光効率特性を示す。
一方、上述した一実施形態に係る多環化合物は、発光層EML以外の有機層で有機電界発光素子10用材料として含まれてもよい。例えば、本発明の一実施形態による有機電界発光素子10は、上述した多環化合物を第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置される少なくとも一つの有機層、または第2電極EL2の上に配置されるキャッピング層CPLに含んでもよい。
上述した一実施形態に係る多環化合物は、電子供与部としてインドロフェナジンまたはインドロフェノキサジン部分構造を含む新規構造により、従来の化合物に比べ相対的に最低三重項励起エネルギー準位(T1 level)と最低一重項励起エネルギー準位(S1 level)の差(ΔEst)を低減する。それによって、有機電界発光素子の材料として使用される場合、有機電界発光素子の効率をより改善することができる。
以下、具体的な実施例及び比較例を介して、本発明の一実施形態による多環化合物及び一実施形態に係る有機電界発光素子についてより詳しく説明する。下記実施例は、本発明の理解を助けるための例示に過ぎず、本発明の範囲はこれに限らない。
1.多環化合物の合成
まず、本実施形態による多環素化合物の合成方法について、化合物4、化合物5、化合物6、化合物10、化合物11、化合物38、化合物に72、及び化合物77の合成方法を例示して具体的に説明する。また、以下で説明する多環化合物の合成法は一実施例であって、本発明の実施形態による多環化合物の合成法は下記実施例に限らない。
(1)化合物4の合成
一実施形態による多環化合物4は、例えば、下記反応式1によって合成される。
[反応式1]
Figure 2021057582
(中間体(1)の合成)
2000mL一口フラスコに2−フルオロアニリン40.0g(360.0mmol)、2−ブロモヨードベンゼン106.9g(378.0mmol)、及びトルエン1200mLを添加した。Pd(dba)を6.2g(10.8mmol)、NaOBuを69.2g(719.9mmol)、及びDPPFを11.97g(21.6mmol)添加した後、100℃で3時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してからジクロロメタンを使用してセライトろ過した後、減圧蒸留を利用して溶媒を除去し、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:Hexane=1:5)を利用して精製し、オレンジ色液体の化合物(中間体(1))81.7g(収率:85.3%)を得た。
(中間体(2)の合成)
3000mL二口フラスコに中間体(1)81.7g(307.02mmol)とDMAc1535mLを添加した。Pd(OAc)を6.9g(30.7mmol)、KCOを89.1g(644.7mmol)、及びトリシクロヘキシルホスフィンテトラフルオロボラート22.6g(61.4mmol)を添加したあと、150℃で2時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してからジクロロメタンを使用してセライトろ過した後、減圧蒸留を利用して溶媒を除去し、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:Hexane=1:5)を利用して精製した。得られた化合物をジクロロメタンとヘキサンを使用してスラリー工程を行い、薄いピンク色固体の化合物(中間体(2))41.6g(収率:73.1%)を得た。
(中間体(3)の合成)
2000mL一口フラスコに中間体(2)25.0g(135.0mmol)、2−フルオロニトロベンゼン22.9g(162.0mmol)、及びDMF540mLを添加した後、CsCOを88.0g(270.0mmol)添加し100℃で一日中撹拌した。反応終結後、常温に冷却してからジクロロメタン500mLを使用してセライトろ過した後、減圧蒸留を利用して溶媒を除去し、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:Hexane=1:2)を利用して精製した。得られた化合物をジクロロメタンとヘキサンを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物(中間体(3))34.6g(収率:83.8%)を得た。
(中間体(4)の合成)
2000mL一口フラスコに中間体(3)34.6g(113.0mmol)、及びエタノール565mLを添加した後、SnClを75.0g(395.4mmol)添加し85℃で30分間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから20%NaOH水溶液500mLを添加して塩基化した後、酢酸エチルを添加し常温で1時間撹拌した。析出された無機物をセライトろ過して除去した。ろ過した溶液を酢酸エチルで抽出して、無水硫酸マグネシウムを使用して水分を除去した後、減圧蒸留を利用して溶媒を除去し、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:Hexane=1:1)を利用して精製した。得られた化合物をジクロロメタンとヘキサンを使用してスラリー工程を行い、薄いオレンジ色固体の化合物(中間体(4))25.5g(収率:81.6%)を得た。
(中間体(5)の合成)
250mL一口フラスコに2−(4−ブロモフェニル)ベンゾオキサゾール2.0g(7.2mmol)、中間体(4)2.0g(7.2mmol)、及びキシレン28mLを添加した。Pd(dba)を0.4g(0.7mmol)、CsCOを7.1g(21.7mmol)、及びXPhosを0.7g(1.5mmol)添加した後、140℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水100mLを添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、灰色固体を得た。得られた固体をSiOカラムクロマトグラフィ(EA:HEX=1:5)で精製した。得られた固体をジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、アイボリー色固体の化合物(中間体(5))1.7g(収率:50.8%)を得た。
(化合物4の合成)
250mL一口フラスコに中間体(5)3.7g(7.9mmol)とDMF78mLを添加し、常温で撹拌した。NaOtBuを1.3g(11.8mmol)添加した後、100℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水を添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、黄色固体を得た。得られた固体をジクロロメタン200mLに溶かし、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:HEX=2:1)で精製した。ジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物4を3.1g(収率:88.4%)得た。FAB−MS測定で測定された化合物4の分子量は450であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物4であることを確認した。
(2)化合物5の合成
一実施形態による多環化合物5は、例えば、下記反応式2によって合成される。
[反応式2]
Figure 2021057582
(中間体(6)の合成)
250mL一口フラスコに2−(5−ブロモピリジン−2−イル)ベンゾオキサゾール1.97g(7.2mmol)、中間体(4)2.0g(7.2mmol)、及びキシレン28mLを添加した。Pd(dba)を0.4g(0.7mmol)、CsCOを7.1g(21.7mmol)、及びXPhosを0.7g(1.5mmol)添加した後、140℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水100mLを添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、灰色固体を得た。得られた固体をSiOカラムクロマトグラフィ(EA:HEX=1:5)で精製した。得られた固体をジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、アイボリー色固体の化合物(中間体(6))1.52g(収率:45.5%)を得た。
(化合物5の合成)
250mL一口フラスコに中間体(6)3.5g(7.4mmol)とDMF78mLを添加し、常温で撹拌した。NaOBuを1.3g(11.8mmol)添加した後、100℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水を添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、黄色固体を得た。得られた固体をジクロロメタン200mLに溶かし、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:HEX=2:1)で精製した。ジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物5を2.5g(収率:76.4%)得た。FAB−MS測定で測定された化合物5の分子量は451であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物5であることを確認した。
(3)化合物6の合成
一実施形態による多環化合物6は、例えば、下記反応式3によって合成される。
[反応式3]
Figure 2021057582
(中間体(7)の合成)
250mL一口フラスコに2−(4−ブロモフェニル)ベンゾ[d]オキサゾール−6−カルボニトリル1.97g(7.2mmol)、中間体(4)2.15g(7.2mmol)、及びキシレン28mLを添加した。Pd(dba)を0.4g(0.7mmol)、CsCOを7.1g(21.7mmol)、及びXPhosを0.7g(1.5mmol)添加した後、140℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水100mLを添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、灰色固体を得た。得られた固体をSiOカラムクロマトグラフィ(EA:HEX=1:5)で精製した。得られた固体をジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、アイボリー色固体の化合物(中間体(7))1.85g(収率:51.9%)を得た。
(化合物6の合成)
250mL一口フラスコに中間体(7)3.3g(7.0mmol)とDMF78mLを添加し、常温で撹拌した。NaOBuを1.3g(11.8mmol)添加した後、100℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水を添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、黄色固体を得た。得られた固体をジクロロメタン200mLに溶かし、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:HEX=2:1)で精製した。ジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物6を2.3g(収率:70.2%)得た。FAB−MS測定で測定された化合物6の分子量は475であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物6であることを確認した。
(4)化合物10の合成
一実施形態による化合物10は、例えば、下記反応式4によって合成される。
[反応式4]
Figure 2021057582
(中間体(8)の合成)
500mL一口フラスコに2−アミノピリジン−3−オル20.0g(181.6mmol)と4−ヨード安息香酸45.1g(181.6mmol)をよく溶かした後、0℃でPOClを140mLを徐々に入れてから撹拌した。90℃に昇温した後、12時間反応した。反応終結後、常温に冷却し、氷に反応物を徐々に滴加した。炭酸ナトリウム溶液で中和した後、形成された固体をろ過して水とメタノールで洗浄し乾燥して、白色固体の化合物(中間体(8))43.0g(収率:73.5%)を得た。
(中間体(9)の合成)
250mL二口フラスコに中間体(4)3.5g(12.6mmol)、中間体(8)4.1g(12.6mmol)、Pd(dba)を1.4g(2.5mmol)、X−Phosを2.4g(5.1mmol)、CsCOを8.3g(25.3mmol)、及びキシレン40mLを投入し、26時間還流撹拌した。反応終結を確認した後、常温に冷却してからろ過し、酢酸エチルで洗浄した。ろ液を精製水と共に抽出した後、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥してからろ過して、減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ(Hex:EA=2:1)で精製し、得られた固体にジクロロメタンとヘキサンを入れて1時間撹拌した後ろ過して、黄色固体の化合物(中間体(9))2.4g(収率:40.4%)を得た。
(化合物10の合成)
250mL二口フラスコに中間体(9)2.2g(4.7mmol)、KOtBu0.8g(7.1mmol)、及びDMF50mLを投入し、110℃で5時間撹拌した。反応終結を確認した後、常温に冷却してから、蒸留水50mLを投入しろ過した。固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィ(Hex:EA:MC=1:1:2)で精製し、得られた固体にジクロロメタンとヘキサンを入れて1時間撹拌した後ろ過して、黄色固体の化合物10を0.7g(収率:35.6%)得た。FAB−MS測定で測定された化合物10の分子量は451であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物10であることを確認した。
(5)化合物11の合成
一実施形態による化合物11は、例えば、下記反応式5によって合成される。
[反応式5]
Figure 2021057582
(中間体(10)の合成)
250mL一口フラスコに2−(5−ブロモピリジン−2−イル)ベンゾオキサゾール1.97g(7.2mmol)、中間体(4)2.15(7.2mmol)、及びキシレン28mLを添加した。Pd(dba)を0.4g(0.7mmol)、CsCOを7.1g(21.7mmol)、及びXPhosを0.7g(1.5mmol)添加した後、140℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水100mLを添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、灰色固体を得た。得られた固体をSiOカラムクロマトグラフィ(EA:HEX=1:5)で精製した。得られた固体をジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、アイボリー色固体の化合物(中間体(10))0.90g(収率:26.6%)を得た。
(化合物11の合成)
250mL一口フラスコに中間体(10)3.3g(7.0mmol)とDMF78mLを添加し、常温で撹拌した。NaOBuを1.3g(11.8mmol)添加した後、100℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水を添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、黄色の固体を得た。得られた固体をジクロロメタン200mLに溶かし、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:HEX=2:1)で精製した。ジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物11を1.4g(収率:44.7%)を得た。FAB−MS測定で測定された化合物11の分子量は452であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物11であることを確認した。
(6)化合物38の合成
一実施形態による多環化合物38は、例えば、下記反応式6によって合成される。
[反応式6]
Figure 2021057582
(中間体(11)の合成)
250mL一口フラスコに2−(4−クロロフェニル)ジメシチルボラン2.6g(7.2mmol)、中間体(4)2.15g(7.2mmol)、及びキシレン28mLを添加した。Pd(dba)を0.4g(0.7mmol)、CsCOを7.1g(21.7mmol)、及びXPhosを0.7g(1.5mmol)を添加した後、140℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水100mLを添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、灰色固体を得た。得られた固体をSiOカラムクロマトグラフィ(EA:HEX=1:5)で精製した。得られた固体をジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、アイボリー色固体の化合物中間体(11)2.68g(収率:61.9%)を得た。
(化合物38の合成)
250mL一口フラスコに中間体(11)4.2g(7.0mmol)とDMF78mLを添加し、常温で撹拌した。NaOBuを1.3g(11.8mmol)添加した後、100℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水を添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、黄色固体を得た。得られた固体をジクロロメタン200mLに溶かし、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:HEX=2:1)で精製した。ジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物38を0.74g(収率:18.3%)を得た。FAB−MS測定で測定された化合物38の分子量は581であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物38であることを確認した。
(7)化合物72の合成
一実施形態による多環化合物27は、例えば、下記反応式7によって合成される。
[反応式7]
Figure 2021057582
(中間体(12)の合成)
250mL一口フラスコに10−(4−ブロモベンゾ[d]オキサゾール−2−イル)フェニル)−10H−フェノキサジン3.3g(7.2mmol)、中間体(4)2.15g(7.2mmol)、及びキシレン28mLを添加した。Pd(dba)を0.4g(0.7mmol)、CsCOを7.1g(21.7mmol)、及びXPhosを0.7g(1.5mmol)添加した後、140℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水100mLを添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、灰色固体を得た。得られた固体をSiOカラムクロマトグラフィ(EA:HEX=1:5)で精製した。得られた固体をジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、アイボリー色固体の化合物中間体(12)2.85g(収率:60.8%)を得た。
(化合物72の合成)
250mL一口フラスコに中間体(12)4.6g(7.0mmol)とDMF78mLを添加し、常温で撹拌した。NaOBuを1.3g(11.8mmol)添加した後、100℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水を添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、黄色の固体を得た。得られた固体をジクロロメタン200mLに溶かし、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:HEX=2:1)で精製した。ジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物72を2.21g(収率:50.1%)を得た。FAB−MS測定で測定された化合物72の分子量は631であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物72であることを確認した。
(8)化合物77の合成
一実施形態による多環化合物77は、例えば、下記反応式8によって合成される。
[反応式8]
Figure 2021057582
(中間体(13)の合成)
250mL一口フラスコに9−(4−(6−ブロモベンゾ[d]オキサゾール−2−イル)フェニル)−2−ジフェニルアミノカルバゾール4.36g(7.2mmol)、中間体(4)2.15g(7.2mmol)、及びキシレン28mLを添加した。Pd(dba)を0.4g(0.7mmol)、CsCOを7.1g(21.7mmol)、及びXPhosを0.7g(1.5mmol)を添加した後、140℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水100mLを添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、灰色固体を得た。得られた固体をSiOカラムクロマトグラフィ(EA:HEX=1:5)で精製した。得られた固体をジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、アイボリー色固体の化合物中間体(13)3.88g(収率:67.2%)を得た。
(化合物77の合成)
250mL一口フラスコに中間体(13)5.6g(7.0mmol)とDMF78mLを添加し、常温で撹拌した。NaOBuを1.3g(11.8mmol)添加した後、100℃で4時間撹拌した。反応終結後、常温に冷却してから蒸留水を添加して常温で1時間撹拌した後、析出された固体を減圧下で蒸留水とメタノールでろ過し、黄色固体を得た。得られた固体をジクロロメタン200mLに溶かし、SiOカラムクロマトグラフィ(DCM:HEX=2:1)で精製した。ジクロロメタンとメタノールを使用してスラリー工程を行い、黄色固体の化合物77を2.8g(収率:51.4%)を得た。FAB−MS測定で測定された化合物77の分子量は782であった。この結果を介して、得られた化合物が化合物77であることを確認した。
2.多環化合物のエネルギー準位の評価
実施例1〜実施例8、及び比較例1〜比較例2で使用した実施例化合物及び比較例化合物の構造は下記のようである。
Figure 2021057582
下記表1は、実施例化合物である化合物4、化合物5、化合物6、化合物10、化合物11、化合物38、化合物72、化合物77、及び比較例化合物C1、比較例化合物C2の最低一重項励起エネルギー準位(S1 level)、最低三重項励起エネルギー準位(T1 level)、及びΔESTを示している。表1におけるエネルギー準位値は、非経験的分子軌道法によって計算された。詳しくは、Gaussian社製のGaussian09を利用し、B3LYP/6−31G(d)で計算された。ΔESTは、最低一重項励起エネルギー順位(S1 level)と最低三重項励起エネルギー準位(T1 level)の差を示す。
Figure 2021057582

3.多環化合物を含む有機電界発光素子の製作及び評価
(有機電界発光素子の作製)
一実施形態に係る多環化合物を発光層に含む一実施形態の有機電界発光素子を下記方法で作製した。上述した実施例化合物である化合物4、化合物5、化合物6、化合物10、化合物11、化合物38、化合物72、及び化合物77の多環化合物を発光層のドーパント材料として使用し、実施例1〜実施例8の有機電界発光素子を作製した。比較例1〜比較例2は、比較例化合物C1及び比較例化合物C2を発光層のドーパント材料として使用して作製された有機電界発光素子に当たる。
まず、ITOをパターニングされたガラス基板を超純水で洗浄し、超音波で洗浄した後、30分間UVを照射してから、オゾン処理を行った。次に、厚さ120nmでHT1を蒸着し、HT2を厚さ10nmで蒸着して正孔輸送領域を形成した。
次に、発光層を形成する際、一実施形態の化合物または比較例化合物とCBPを20:80の割合で共蒸着し、厚さ40nmの層を形成した。つまり、共蒸着して形成された発光層は、実施例ではそれぞれ発明の化合物をmCBPと混合して蒸着しており、比較例では比較例化合物をmCBPと混合して蒸着している。
次に、発光層の上にETとLiqを5:5混合蒸着して厚さ30nmの層を形成し、LiQで厚さ1nmの層を形成して電子輸送領域を形成した。次に、Mg:Ag(10:1)で厚さ10nmの第2電極を形成した。
以上に述べた、正孔輸送領域、発光層、電子輸送領域、及び第2電極は、真空蒸着装置を利用して形成した。
素子作製に使用された各層の化合物の構造は下記のようである。
Figure 2021057582
(有機電界発光素子の特性評価)
表2は、実施例1〜実施例8、及び比較例1〜比較例2に対する有機電界発光素子の評価結果を示している。
表2に示した実施例及び比較例に対する特性評価において、発光効率及び素子寿命は比較例1の素子の発光効率及び素子寿命が100%である場合の、各素子の効率及び寿命を比較して示している。
Figure 2021057582
表2の結果を参照すると、本発明の一実施形態による多環化合物を発光層材料として使用した有機電界発光素子の実施例の場合、比較例に比べ、相対的に高い発光効率と寿命を示すことが分かる。
実施例化合物の場合、多環芳香族環による多重共振現象を利用してTADF特性を示しながらも、インドロフェナジンまたはインドロフェノキサジン部分構造を電子供与部として含み、電子供与部と電子受容部がリンカーを介して結合されている構造を含むことで、比較例化合物C1及びC2などに比べ小さいΔEST値を有する。それによって、実施例の有機電界発光素子は、比較例の有機電界発光素子より改善された発光効率を示す。特に、実施例の有機電界発光素子は、一実施形態に係る多環化合物を発光層の材料として使用することで、赤色光または緑色光波長領域で高い発光効率を実現する。
これまで本発明の実施形態を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。
よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載されている内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。
10:有機電界発光素子 EL1:第1電極
EL2:第2電極 HTR:正孔輸送領域
EML:発光層 ETR:電子輸送領域

Claims (15)

  1. 第1電極と、
    前記第1電極と対向する第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、下記化学式1で表される多環化合物を含む発光層と、を含み、
    前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれ独立してAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、In、Zn、及びSnからなる群より選択されるいずれか一つ、これらのうちから選択される2つ以上の化合物、これらのうちから選択される2つ以上の混合物、またはこれらのうちから選択される一つ以上の酸化物を含む、有機電界発光素子。
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式1)
    (前記化学式1において、
    Lは、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、
    Aは、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
    L及びAのうち少なくとも一つは、電子受容性置換基を含み、
    nは、0以上3以下の整数であり、
    lは、1又は2であり、
    Dは、下記化学式2で表され、
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式2)
    化学式2において、
    Xは、O、S、NR、またはSiRであり、
    〜Y11は、それぞれ独立してNまたはCRであり、
    〜Rは、それぞれ独立して、単結合、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、R〜Rは、隣接する基と互いに結合して環を形成するか、、結合せず、
    〜Rのうちいずれか一つは、化学式1のLと結合される部位である。)
  2. 前記発光層は、遅延蛍光を放出する、請求項1に記載の有機電界発光素子。
  3. 前記発光層は、ホスト及びドーパントを含む遅延蛍光発光層であり、
    前記ドーパントは、前記化学式1で表される多環化合物を含む、請求項2に記載の有機電界発光素子。
  4. 前記発光層は、第1最低三重項励起エネルギー準位を有するホストと、
    前記第1最低三重項励起エネルギー準位より低い第2最低三重項励起エネルギー準位を有する第1ドーパントと、
    前記第2最低三重項励起エネルギー準位より低い第3最低三重項励起エネルギー準位を有する第2ドーパントと、を含み、
    前記第1ドーパントは、前記化学式1で表される多環化合物を含む、請求項2に記載の有機電界発光素子。
  5. 前記第1ドーパントは、遅延蛍光ドーパントであり、
    前記第2ドーパントは、蛍光ドーパントである、請求項4に記載の有機電界発光素子。
  6. 前記第1電極と前記発光層との間に配置される正孔輸送領域と、
    前記発光層と前記第2電極との間に配置される電子輸送領域と、を更に含む、請求項1に記載の有機電界発光素子。
  7. 前記Aは、下記化学式A−1〜化学式A−3のうちいずれか一つで表される、請求項1に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−1)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−2)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−3)
    (前記化学式A−1〜化学式A−3において、
    〜W12は、それぞれ独立してNまたはCR13であり、
    は、OまたはSであり、
    は、O、S、NR14、CR1516、またはSiR1718であり、
    mは、0または1であり、
    〜R18は、それぞれ独立して、単結合、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、R〜R18は、隣接する基と互いに結合して環を形成するか、結合せず、
    〜R12のうち少なくとも一つは、ハロゲン原子またはシアノ基であり、
    〜R18のうちいずれか一つは、化学式1のLと結合される部位である。)
  8. 前記Aは、下記化学式A−1−1〜化学式A−3−3のうちいずれか一つで表される、請求項7に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−1−1)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−1−2)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−2−1)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−2−2)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−3−1)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−3−2)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式A−3−3)
  9. 前記化学式1で表される多環化合物は、下記化学式3で表される、請求項1に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式3)
    (前記化学式3において、
    及びLは、それぞれ独立して置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、
    は、前記化学式2で表され、
    は、電子供与性置換基である。)
  10. 前記Dは、置換若しくは無置換のアリールアミノ基、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、置換若しくは無置換のアクリジニル基、または置換若しくは無置換のフェノキサジニル基である、請求項9に記載の有機電界発光素子。
  11. 前記Dは、下記化学式2−1または下記化学式2−5で表される、請求項1に記載の有機電界発光素子。
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式2−1)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式2−2)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式2−3)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式2−4)
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式2−5)
  12. 前記Lは、置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のピリジニレン基、置換若しくは無置換のトリアジニレン基、置換若しくは無置換のベンゾオキサゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾチアゾリレン基、置換若しくは無置換のベンゾイミダゾリレン基、置換若しくは無置換のイミダゾピリジニレン基、置換若しくは無置換のオキサゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のチアゾロピリジニレン基、置換若しくは無置換のジベンゾボリニレン基、または置換若しくは無置換のジベンゾオキサボリニレン基である、請求項1に記載の有機電界発光素子。
  13. 前記化学式1で表される多環化合物は、下記第1化合物群及び第2化合物群に示される化合物うちから選択される少なくとも一つである、請求項1に記載の有機電界発光素子。
    [第1化合物群]
    Figure 2021057582

    Figure 2021057582

    Figure 2021057582

    Figure 2021057582

    [第2化合物群]
    Figure 2021057582

    Figure 2021057582

    Figure 2021057582

    Figure 2021057582
  14. 下記化学式1で表される多環化合物。
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式1)
    (前記化学式1において、
    Lは、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリーレン基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリーレン基であり、
    Aは、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
    L及びAのうち少なくとも一つは、電子受容性置換基を含み、
    nは、0以上3以下の整数であり、
    lは、1又は2であり、
    Dは、下記化学式2で表され、
    Figure 2021057582
    ・・・(化学式2)
    前記化学式2において、
    Xは、O、S、NR、またはSiRであり、
    〜Y11は、それぞれ独立してNまたはCRであり、
    〜Rは、それぞれ独立して、単結合、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、R〜Rは、隣接する基と互いに結合して環を形成するか、結合せず、
    〜Rのうちいずれか一つは化学式1のLと結合される部位である。)
  15. 前記化学式1で表される多環化合物は、最低一重項励起エネルギー準位(S1)と最低三重項励起エネルギー準位(T1)との差の絶対値が0.2eV以下である、請求項14に記載の多環化合物。
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