JP2021132207A - 有機電界発光素子及び有機電界発光素子用多環化合物 - Google Patents
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Abstract
【課題】高効率の有機電界発光素子及びそれに使用される多環化合物を提供する。【解決手段】第1電極EL1と、有機層OLと、第2電極EL2と、を含み、有機層OLは化学式1で表される多環化合物を含む。(化学式1)【選択図】図1
Description
本発明は、有機電界発光素子及び有機電界発光素子用多環化合物に関する。
最近、映像表示装置として、有機電界発光表示装置(Organic Electroluminescence Display)の開発が盛んに行われている。有機電界発光表示装置は液晶表示装置などとは異なって、第1電極及び第2電極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることで、発光層において有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型表示装置である。
有機電界発光素子を表示装置に応用するに当たっては、有機電界発光素子の低駆動電圧化、高発光効率化が要求されており、これを安定的に実現し得る有機電界発光素子用材料の開発が持続的に要求されている。
特に、最近は高効率の有機電界発光素子を実現するために三重項状態のエネルギーを利用するりん光発光や、三重項励起子の衝突によって一重項例励起子が生成される現象(Triplet−triplet anniHILation、TTA)を利用した遅延蛍光発光に関する技術が開発されており、遅延蛍光現象を利用した熱活性遅延蛍光(Thermally Activated Delayed Fluorescence、TADF)材料に関する開発が進められている。
本発明の目的は、高効率の有機電界発光素子及びそれに使用される多環化合物を提供することである。
本発明の他の目的は、熱活性遅延蛍光発光材料を含む有機電界発光素子及び熱活性遅延蛍光発光材料として使用される多環化合物を提供することである。
一実施形態において、第1電極と、前記第1電極の上に配置される有機層と、前記有機層の上に配置される第2電極と、を含み、前記の有機層は下記化学式1で表される多環化合物を含む有機電界発光素子を提供する。
前記化学式1において、X1〜X4はそれぞれ独立してNR9、O、またはSであり、R1〜R8はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、R9は水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と結合して環を形成し、a〜fはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、m及びnはそれぞれ独立して0または1であり、点線は結合または非結合を意味し、環Aは下記化学式2−1〜2−3のうちいずれか一つで表される。
(化学式2−2)
(化学式2−3)
前記化学式2−1〜化学式2−3において、「*」印は縮合される位置を示し、X5及びX6はそれぞれ独立してCR30R31、NR32、O、またはSであり、R30〜R32はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、R20〜R29はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であるが、但し、前記環Aが前記化学式2−1または2−2で表される際、前記m及びnのうち少なくとも一つは1である。
前記有機層は、前記第1電極の上に配置される正孔輸送領域と、前記正孔輸送領域の上に配置される発光層と、前記発光層の上に配置される電子輸送領域と、を含む。
前記発光層は前記多環化合物を含み、遅延蛍光を放出する。
前記発光層はホスト及びドーパントを含む遅延蛍光発光層であり、前記ドーパントは前記多環化合物である。
前記発光層は、青色光を放出する熱活性遅延蛍光発光層である。
前記電子輸送領域は、前記発光層の上に配置される電子輸送層と、前記電子輸送層の上に配置される電子注入層と、を含み、前記電子輸送層または前記電子注入層は前記多環化合物を含む。
前記化学式2−2は、下記化学式3−1〜化学式3−4のうちいずれか一つで表される。
(化学式3−1)
(化学式3−2)
(化学式3−3)
(化学式3−4)
前記化学式3−1〜化学式3−4において、「*」印は縮合される位置を示し、R30、R31、及びR33はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、または置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基であり、jは0以上5以下の整数である。
(化学式3−2)
(化学式3−3)
(化学式3−4)
前記化学式3−1〜化学式3−4において、「*」印は縮合される位置を示し、R30、R31、及びR33はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、または置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基であり、jは0以上5以下の整数である。
前記化学式2−3は、下記化学式4−1〜化学式4−3のうちいずれか一つで表される。
(化学式4−1)
(化学式4−2)
(化学式4−3)
前記化学式4−1〜化学式4−3において、「*」印は縮合される位置を示し、R34は水素原子、重水素原子、または置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基であり、kは0以上5以下の整数である。
(化学式4−2)
(化学式4−3)
前記化学式4−1〜化学式4−3において、「*」印は縮合される位置を示し、R34は水素原子、重水素原子、または置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基であり、kは0以上5以下の整数である。
前記化学式1は、下記化学式5−1または化学式5−2で表される。
・・・(化学式5−1)
・・・(化学式5−2)
前記化学式5−1及び化学式5−2において、X1〜X4、R1〜R8、R20、R21、a〜fは、化学式1及び化学式2−1で定義した通りである。
・・・(化学式5−1)
・・・(化学式5−2)
前記化学式5−1及び化学式5−2において、X1〜X4、R1〜R8、R20、R21、a〜fは、化学式1及び化学式2−1で定義した通りである。
前記化学式1は、下記化学式6−1または化学式6−2で表される。
・・・(化学式6−1)
・・・(化学式6−2)
前記化学式6−1及び化学式6−2において、X1〜X5、R1〜R8、R22〜R25、a〜fは、化学式1及び化学式2−2で定義した通りである。
・・・(化学式6−1)
・・・(化学式6−2)
前記化学式6−1及び化学式6−2において、X1〜X5、R1〜R8、R22〜R25、a〜fは、化学式1及び化学式2−2で定義した通りである。
前記化学式1は、下記化学式7−1〜化学式7−3のうちいずれか一つで表される。
・・・(化学式7−1)
・・・(化学式7−2)
・・・(化学式7−3)
前記化学式7−1及び化学7−3において、X1〜X4、X6、R1〜R8、R26〜R29、a〜fは、化学式1及び化学式2−3で定義した通りである。
・・・(化学式7−1)
・・・(化学式7−2)
・・・(化学式7−3)
前記化学式7−1及び化学7−3において、X1〜X4、X6、R1〜R8、R26〜R29、a〜fは、化学式1及び化学式2−3で定義した通りである。
前記X1〜X4はそれぞれ独立してNR11、またはOであり、前記R11は置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30アリール基である。
前記X1及びX4は互いに同じであり、前記X2及びX3は互いに同じである。
前記化学式1で表される化合物は、下記第1化合物群〜第3化合物群に示した化合物のうちいずれか一つである。
他の実施形態において、化学式1で表される多環化合物を提供する。
本発明の一実施形態による有機電界発光素子は、高効率を得ることができる。
本発明の一実施形態による多環化合物は、有機電界発光素子の効率を改善することができる。
本発明は、多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することができるゆえ、特定実施形態を図面に例示し、本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に対して限定しようとするのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物〜代替物を含むと理解すべきである。
本明細書において、ある構成要素(または領域、層、部分など)が他の構成要素の「上にある」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接配置・連結・結合され得るか、またはそれらの間に第3の構成要素が配置され得ることを意味する。
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。
「及び/または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
第1、第2などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第1構成要素は第2構成要素と命名されてもよく、類似して第2構成要素も第1構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の連関関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。
異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語(技術的及び科学的用語を含む)は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書に定義されている用語のような用語は、関連技術の脈絡での意味と一致する意味を有すると解釈すべきであり、理想的な、または過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。
「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
一方、本明細書において、「置換若しくは無置換」とは、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、シリル基、オキシ基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基、カルボニル基、ホウ素基、ホスフィンオキシド基、ホスフィンスルフィド基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、炭化水素環基、アリール基、及びヘテロ環基からなる群より選択される一つ以上の置換基に置換されるまたは置換されないことを意味する。また、前記例示した置換基それぞれは、置換されるまたは非置換されなくてもよい。例えば、ビフェニル基はアリール基と解釈されてもよく、フェニル基に置換されたフェニル基と解釈されてもよい。
本明細書において、「隣接する基と互いに結合して環を形成」するとは、隣接する基と互いに結合して置換若しくは無置換炭化水素環、または置換若しくは無置換ヘテロ環を形成することを意味する。炭化水素環は、脂肪族炭化水素環及び芳香族炭化水素環を含む。ヘテロ環基は、脂肪族ヘテロ環基、及び芳香族ヘテロ環基を含む。隣接する基と互いに結合して形成される環は、単環または多環である。また、互いに結合して形成される環は、他の環と連結されてスピロ構造を形成してもよい。
本明細書において、「隣接する基」とは該当する置換基が置換された原子と直接連結された原子に置換された置換基、該当する置換基が置換された原子に置換された他の置換基または該当置換基と立体構造的に最も隣接した置換基を意味する。例えば、1,2−ジメチルベンゼンにおける2つのメチル基は互いに「隣接する基」と解釈され、1,1−ジエチルシクロペンタンにおける2つのエチル基は互いに「隣接する基」と解釈される。
本明細書において、ハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子が挙げられる。
本明細書において、ホウ素基はアルキルホウ素基及びアリールホウ素基を含む。ホウ素基は、前記定義されたアルキル基またはアリール基にホウ素原子が結合されているものを意味する。ホウ素基の例としては、トリメチルホウ素基、トリエチルホウ素基、t−ブチルジメチルホウ素基、トリフェニルホウ素基、ジフェニルホウ素基、フェニルホウ素基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、アルキル基は直鎖、分枝鎖、または環状である。アルキル基の炭素数は、1以上50以下、1以上30以下、1以上20以下、1以上10以下、または1以上6以下である。アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、i−ブチル基、2−エチルブチル基、3、3−ジメチルブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、シクロペンチル基、1−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、2−エチルペンチル基、4−メチル−2−ペンチル基、n−ヘキシル基、1−メチルヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−ブチルヘキシル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−t−ブチルシクロヘキシル基、n−ヘプチル基、1−メチルペプチル基、2、2−ジメチルヘプチル基、2−エチルヘプチル基、2−ブチルヘプチル基、n−オクチル基、tーオクチル基、2−エチルオクチル基、2−ブチルオクチル基、2−ヘキシルオクチル基、3、7−ジメチルオクチル基、シクロオクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、アダマンチル基、2−エチルデシル基、2−ブチルデシル基、2−ヘキシルデシル基、2−オクチルデシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、2−エチルドデシル基、2−ブチルドデシル基、2−ヘキシルドデシル基、2−オクチルデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、2−エチルヘキサデシル基、2−ブチルヘキサデシル基、2−ヘキシルヘキサデシル基、2−オクチルヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−イコシル基、2−エチルイコシル基、2−ブチルイコシル基、2−ヘキシルイコシル基、2−オクチルイコシル基、n−ヘンイコシル基、n−ドコシル基、n−トリコシル基、n−テトラコシル基、n−ペンタコシル基、n−ヘキサコシル基、n−ヘプタコシル基、n−オクタコシル基、n−ノナコシル基、及びn−トリアコンチル基などが挙げられるが、これに限らない。
本明細書において、アルケニル基は、炭素数2以上のアルキル基の中間または末端に一つ以上の炭素二重結合を含む炭化水素基を意味する。アルケニル基は直鎖または分枝鎖である。炭素数は特に限らないが、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下である。アルケニル基の例としては、ビニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、1,3−ブタジエニルアリール基、スチレニル基、スチリルビニル基などが挙げられるが、これに限らない。
本明細書において、アルキニル基は、炭素数2以上のアルキル基の中間または末端に一つ以上の炭素三重結合を含む炭化水素基を意味する。アルキニル基は直鎖または分枝鎖である。炭素数は特に限らないが、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下である。アルキニル基の具たち的な例としては、エチニル基、プロピニル基などが挙げられるが、これに限らない。
本明細書において、炭化水素環基は、脂肪族炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基、または芳香族炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基である。炭化水素環基の環形成炭素数は、5以上60以下、5以上30以下、または5以上20以下である。
本明細書において、アリール基は芳香族炭化水素環から誘導される任意の作用基または置換基を意味する。アリール基は、単環式アリール基または多環式アリール基である。アリール基の環形成炭素数は、6以上30以下、6以上20以下、または6以上15以下である。アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニリル基、テルフェニリル基、クォーターフェニリル基、クインクフェニリル基、セクシフェニリル基、トリフェニルエニル基、ピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、クリセニル基などが挙げられるが、これに限らない。
本明細書において、フルオレニル基は置換されてもよく、2つの置換基が互いに結合してスピロ構造を形成してもよい。フルオレニル基が置換される場合の例示は以下のようである。但し、これに限らない。
本明細書において、ヘテロ環基はヘテロ原子としてB、O、N、P、Si、及びSのうち一つ以上を含む環から誘導される任意の作用基または置換基を意味する。ヘテロ環基は、脂肪族ヘテロ環基及び芳香族ヘテロ環基を含む。芳香族ヘテロ環基はヘテロアリール基である。脂肪族ヘテロ環及び芳香族ヘテロ環は単環または多環である。
本明細書において、ヘテロ環基は、ヘテロ原子としてB、O、N、P、Si、及びSのうち一つ以上を含む。ヘテロ環基がヘテロ原子を2つ以上含めば、2つ以上のヘテロ原子は互いに同じであってもよく、異なってもよい。ヘテロ環基は単環式ヘテロ環基または多環式ヘテロ環基であってもよく、ヘテロアリール基を含む概念である。ヘテロ環基の環形成炭素数は、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下である。
本明細書において、脂肪族ヘテロ環基はヘテロ原子としてB、O、N、P、Si、及びSのうち一つ以上を含む。脂肪族ヘテロ環基の環形成炭素数は、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下である。脂肪族ヘテロ環基の例としては、オキシラン基、チイラン基、ピロリジン基、ピペリジン基、テトラヒドロフラン基、テトラヒドロチオフェン基、チアン基、テトラヒドロピラン基、1,4−ジオキサン基などが挙げられるが、これに限らない。
本明細書において、ヘテロアリール基はヘテロ原子としてB、O、N、P、Si、及びSのうち一つ以上を含む。ヘテロアリール基がヘテロ原子を2つ以上含めば、2つ以上のヘテロ原子は互いに同じであってもよく、異なってもよい。ヘテロアリール基は、単環式ヘテロ環基または多環式ヘテロ環基であってもよい。ヘテロアリール基の環形成炭素数は、2以上30以下、2以上20以下、または2以上10以下である。ヘテロアリル基の例としては、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピリジニル基、ビピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、アクリジル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、キノリニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フェノキサニル基、フタラジニル基、ピリドピリミジニル基、ピリドピラジニル基、ピラジノピラジニル基、イソキノリニル基、インドリル基、カルバゾリル基、N−アリールカルバゾリル基、N−ヘテロアリールカルバゾリル基、N−アルキルカルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、チエノチオフェニル基、ベンゾフラニル基、フェナントロリニル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、フェノチアジニル基、ジベンゾシロリル基、及びジベンゾフラン基などが挙げられるが、これに限らない。
本明細書において、シリル基はアルキルシリル基及びアリールシリル基を含む。シリル基の例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルシリル基、フェニルシリル基などが挙げられるが、これらに限らない。
本明細書において、アミノ基の炭素数は特に限らないが、1以上30以下である。アミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、またはへテロアリールアミノ基を含む。アミノ基の例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、9−メチル−アントラセニルアミノ基、トリフェニルアミノ基などが挙げられるが、これに限らない。
本明細書において、チオール基はアルキルチオ基及びアリールチオ基を含む。
本明細書において、アルコキシ基は直鎖、分枝鎖、または環状である。アルコキシ基の炭素数は特に限らないが、例えば、1以上20以下、または1以上10以下であってもよい。オキシ基の例としては、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ベンジルオキシなどが挙げられるが、これに限らない。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による有機電界発光素子及びそれに含まれる一実施形態の化合物について説明する。
図1〜図5は、本発明の一実施形態による有機電界発光素子を概略的に示す断面図である。図1〜図5を参照すると、一実施形態の有機電界発光素子10において、第1電極EL1及び第2電極EL2は互いに向かい合って配置され、第1電極EL1と第2電極EL2との間には有機層OLが配置される。
一方、図2〜図5を参照すると、一実施形態の有機層OLは複数の機能層を含む。複数の機能層は、正孔輸送領域HTR、発光層EML、及び電子輸送領域ETRを含む。つまり、本発明の一実施形態による有機電界発光素子10は、順次に積層される第1電極EL1、正孔輸送領域HTR、発光層EML、電子輸送領域ETR、及び第2電極EL2を含む。また、一実施形態の有機電界発光素子10は、第2電極EL2の上に配置されるキャッピング層CPLを更に含む。
一実施形態の有機発光素子10は、第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置された有機層OLに後述する本発明の一実施形態による多環化合物を含む。有機層OLが発光層EMLを含めば、発光層EMLは一実施形態の多環化合物を含む。しかし、実施形態はこれに限らず、一実施形態の有機発光素子10は、発光層EML以外に、第1電極EL1と第2電極EL2との間に配置される複数の機能層である正孔輸送領域HTRまたは電子輸送領域ETRに後述する一実施形態の多環化合物を含むか、または第2電極EL2の上に配置されるキャッピング層CPLに後述する一実施形態の多環化合物を含んでもよい。
一方、図3は図2に比べ、正孔輸送領域HTRが正孔注入層HIL及び正孔輸送層HTLを含み、電子輸送領域ETRが電子注入層EIL及び電子輸送層ETLを含む一実施形態の有機電界発光素子10の断面図を示している。また、図4は図2に比べ、正孔輸送領域HTRが正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、及び電子阻止層EBLを含み、電子輸送領域ETRが電子注入層EIL、電子輸送層ETL、及び正孔阻止層HBLを含む一実施形態の有機電界発光素子10の断面図を示す。図5は図3に比べ、第2電極EL2の上に配置されるキャッピング層CPLを含む一実施形態の有機電界発光素子10の断面図を示す。
第1電極EL1は導電性を有する。第1電極EL1は、金属合金または導電性化合物からなる。第1電極EL1は画素電極または正極である。第1電極EL1は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第1電極EL1が透過型電極であれば、第1電極EL1は透明金属酸化物、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO(zinc oxide)、ITZO(indium tin zinc oxide)などを含む。第1電極EL1が半透過型電極または反射型電極であれば、第1電極EL1はAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、またはこれらの化合物や混合物(例えば、AgとMgの混合物)を含む。または、前記物質からなる反射膜や半透過膜、及びITO、IZO、ZnO、ITZOなどからなる透明導電膜を含む複数の層構造である。例えば、第1電極EL1はITO/Ag/ITOの3槽構造を有してもよいが、これに限らない。第1電極EL1の厚さは、約100nm〜約1000nm、例えば、約100nm〜約300nmであってもよい。
有機層OLは第1電極EL1の上に配置される。有機層OLは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。例えば、有機層OLは発光層EMLの単一層の構造を有してもよく、正孔輸送領域HTR、発光層EML、及び電子輸送領域ETRからなる多層の構造を有してもよいが、実施形態はこれに限らない。
一実施形態の有機電界発光素子10の有機層OLは、本発明の一実施形態による多環化合物を含む。有機層OLが複数の層を有する多層構造であれば、複数の層のうちいずれか一層が一実施形態による多環化合物を含む。例えば、有機層OLが第1電極EL1の上に配置される正孔輸送領域HTR、正孔輸送領域HTRの上に配置される発光層EML、及び発光層EMLの上に配置される電子輸送領域ETRを含んでもよく、発光層EMLまたは電子輸送領域ETRは本発明の一実施形態による多環化合物を含んでもよい。
本発明の一実施例による多環化合物は、下記化学式1で表される。
化学式1において、R1〜R8はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の輪形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。
化学式1において、R9はて水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と結合して環を形成する。
化学式1において、aは0以上4以下の整数であり、一方、aが2以上であれば、複数のR2は互いに同じであるか異なる。
化学式1において、bは0以上4以下の整数であり、一方、bが2以上であれば、複数のR3は互いに同じであるか異なる。
化学式1において、cは0以上4以下の整数であり、一方、cが2以上であれば、複数のR4は互いに同じであるか異なる。
化学式1において、dは0以上4以下の整数であり、一方、dが2以上であれば、複数のR5は互いに同じであるか異なる。
化学式1において、eは0以上4以下の整数であり、一方、eが2以上であれば、複数のR6は互いに同じであるか異なる。
化学式1において、fは0以上4以下の整数であり、一方、fが2以上であれば、複数のR7は互いに同じであるか異なる。
化学式1において、m及びnはそれぞれ独立して0または1であり、点線は結合または非結合を意味する。例えば、mが0であれば、(B)m周辺の点線は非結合を意味し、mが1であれば、(B)m周辺の点線は結合を意味する。nが0であれば、(B)n周辺の点線は非結合を意味し、nが1であれば、(B)n周辺の点線は結合を意味する。結合とは、下記1−1のようにBと点線で連結される炭素との間に単一結合が形成されている状態を意味し、非結合とは、下記1−2のようにBがなくて炭素が水素と単一結合を形成している状態を意味する。
・・・(1−2)
化学式1において、環Aは芳香族性を満足するアリール基またはヘテロアリール基である。詳しくは、化学式1において、環Aは下記化学式2−1〜式2−3のうちいずれか一つで表される。
化学式2−1〜化学式2−3において、化学式X5及びX6はそれぞれ独立してCR30R31、NR32、O、またはSである。
化学式2−1〜化学式2−3において、R30〜R32はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。
化学式2−1〜化学式2−3において、R20〜R29はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基である。
但し、前記環Aが前記化学式2−1または2−2で表される際、前記m及びnのうち少なくとも一つは1である。一実施形態において、化学式1の環Aが化学式2−1または2−2で表される際、化学式1のmは1、nは0であってもよく、または化学式1のmは0、nは1であってもよい。
一実施形態において、化学式1の環Aが化学式2−1または2−2で表される際、化学式1のmまたはnはそれぞれ1であってもよい。
一実施形態において、化学式1の環Aが化学式2−3で表される際、m及びnはそれぞれ0であってもよく、またはm及びnのうち少なくとも一つは1であってもよい。一実施形態において、化学式1の環Aが化学式2−3で表される際、化学式1のm及びnはそれぞれ1であってもよい。
一実施形態において、化学式1の前記X1〜X4はそれぞれ独立してNR11、またはOであり、R11は置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30アリール基である。
一実施形態において、化学式1のX1及びX4は互いに同じであり、化学式1のX2及びX3は互いに同じである。
一実施形態において、化学式2−2は、下記化学式3−1〜化学式3−4のうちいずれか一つで表される。
化学式3−1において、R30及びR31はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、または置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基である。
化学式3−2において、R33はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、または置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基であり、jは0以上5以下の整数である。一方、jが2以上であれば、複数のR33は互いに同じであるか異なる。
一実施形態において、化学式2−3は、下記化学式4−1〜化学式4−3のうちいずれか一つで表される。
化学4−3において、R34は水素原子、重水素原子、または置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基である。
化学式4−3において、kは0以上5以下の整数であり、一方、kが2以上であれば、複数のR34は互いに同じであるか異なる。
一実施形態において、化学式1の環Aは化学式2−1で表される。この場合、化学式1は化学式5−1または化学式5−2で表される。
・・・(化学式5−1)
・・・(化学式5−2)
化学式5−1及び化学式5−2において、X1〜X4、R1〜R8、R20、R21、a〜fは、化学式1及び化学式2−1で定義した通りである。
・・・(化学式5−2)
化学式5−1及び化学式5−2において、X1〜X4、R1〜R8、R20、R21、a〜fは、化学式1及び化学式2−1で定義した通りである。
一実施形態において、化学式1の環Aは化学式2−2で表される。この場合、化学式1は化学式6−1または化学式6−2で表される。
・・・(化学式6−1)
・・・(化学式6−2)
化学式6−1及び化学式6−2において、X1〜X5、R1〜R8、R22〜R25、a〜fは、化学式1及び化学式2−2で定義した通りである。
・・・(化学式6−2)
化学式6−1及び化学式6−2において、X1〜X5、R1〜R8、R22〜R25、a〜fは、化学式1及び化学式2−2で定義した通りである。
一実施形態において、化学式1の環Aは化学式2−3で表される。この場合、一実施形態において、化学式1は下記化学式7−1〜化学式7−3のうちいずれか一つで表される。
・・・(化学式7−2)
・・・(化学式7−3)
化学式7−1及び化学7−3において、X1〜X4、X6、R1〜R8、R26〜R29、a〜fは、化学式1及び化学式2−3で定義した通りである。
上述した多環化合物は、一実施形態の有機電界発光素子10に使用されて有機電界発光素子の効率を改善させる。詳しくは、上述した多環化合物は、一実施形態の有機電界発光素子10の有機層OLに使用されて有機電界発光素子の発光効率、電子輸送性を改善させる。
有機層OLは、化学式1で表される多環化合物を1種または2種以上含む。例えば、有機層OLは、上述した第1化合物群〜第3化合物群に示した化合物のうちから選択される少なくとも一つを含んでもよい。
更に図2〜図5を参照すると、有機層OLは、正孔輸送領域HTR、発光層EML、及び電子輸送領域ETRを含む。
正孔輸送領域HTRは第1電極EL1の上に配置される。正孔輸送領域HTRは、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、正孔バッファ層(図示せず)、及び電子阻止層EBLのうち少なくとも一つを含む。
正孔輸送領域HTRは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
例えば、正孔輸送領域HTRは正孔注入層HILまたは正孔輸送層HTLの単一層の構造を有してもよく、正孔注入物質及び正孔輸送物質からなる単一層の構造を有してもよい。また、正孔輸送領域HTRは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有するか、第1電極EL1から順番に積層される正孔注入層HIL/正孔輸送層HTL、正孔注入層HIL/正孔輸送層HTL/正孔バッファ層(図示せず)、正孔注入層HIL/正孔バッファ層(図示せず)、正孔輸送層HTL/正孔バッファ層、または正孔注入層HIL/正孔輸送層HTL/電子阻止層EBLの構造を有してもよいが、実施形態はこれに限らない。
正孔輸送領域HTRは、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法(Langmuir−Blodgett)、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging、LITI)などのような多様な方法を利用して形成される。
正孔注入層HTLは、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、DNTPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス−[4−フェニル−m−トリルーアミノ)−フェニル]−ビフェニル−4,4’−ジアミン)、m−MTDATA(4,4’,4”−[トリス(3−メチルフェニル)フェニルアミノ)トリフェニルアミノ]、TDATA(4,4’,4”−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン)、2−TNATA(4,4’,4”−トリス{N,−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ}−トリフェニルアミン)、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4−スチレンスルフォナート)、PANI/DBSA(ポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸)、PANI/CSA(ポリアニリン/カンファースルホン酸)、PANI/PSS((ポリアニリン)/ポリ(4−スチレンスルフォナート))、NPD(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン)、トリフェニルアミンを含むポリエテールケトン(TPAPEK)、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、HAT−CN(ジピラジノ[2,3−f:2’,3’−h]キノキサリン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル)などを含んでもよい。
正孔輸送層HTLは、該当技術分野で知られている一般的な材料を含む。例えば、N−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール系誘導体、フルオレン系誘導体、TPD(N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、TCTA(4,4’,4”−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン)などのようなトリフェニルアミン系誘導体、NPD(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン)、TAPC(4,4’−シクロへキシリデンビス[N,N−ビス(4−メチルフェニル)ベンゼンアミン])、HMTPD(4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル)、mCP(1,3−ビス(N−カルバゾリル)ベンゼン)などを含んでもよい。
電子阻止層EBLは、例えば、N−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール系誘導体、フルオレン系誘導体、TPD(N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1、1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、TCTA(4,4’、4”−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン)などのようなトリフェニルアミン系誘導体、NPD(N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン)、TAPC(4,4’−シクロへキシリデンビス[N,N−ビス(4−メチルフェニル)ベンゼンアミン])、HMTPD(4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3、3’−ジメチルビフェニル)、またはmCPなどを含んでもよい。
正孔輸送領域HTRの厚さは、約5nm〜約1,500nm、例えば約10nm〜約500nmであってもよい。正孔注入層HILの厚さは、例えば約3nm〜約100nmであり、正孔輸送層HTLの厚さは、約3nm〜約100nmであってもよい。例えば、電子阻止層EBLの厚さは、約1nm〜約100nmであってもよい。正孔輸送領域HTR、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、及び電子阻止層EBLの厚さが上述したような範囲を満足すれば、実質的な駆動電圧の上昇なしに満足できる程度の正孔輸送特性が得られる。
正孔輸送領域HTRは、上述した物質以外に、導電性を向上するために電荷生成物質を更に含む。電荷発生物質は、正孔輸送領域HTR内に均一にまたは不均一に分散されている。電荷発生物質は、例えば、p−ドーパント(dopant)である。p−ドーパントはキノン誘導体、金属酸化物、及びシアノ基含有化合物のうち一つであってもよいが、これに限らない。例えば、p−ドーパントの非制限的な例としては、TCNQ(テトラシアノキノジメタン)及びF4−TCNQ(2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン)などのようなキノン誘導体、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物のような金属酸化物などが挙げられるが、これに限らない。
上述したように、正孔輸送領域HTRは、正孔輸送層HTL及び正孔注入層HIL以外に、正孔バッファ層(図示せず)及び電子阻止層EBLのうち少なくとも一つを更に含む。正孔バッファ層(図示せず)は、発光層EMLから放出される光の波長による共振距離を補償して光放出効率を増加させる。正孔バッファ層(図示せず)に含まれる物質としては、正孔輸送領域HTRに含まれ得る物質を使用する。電子阻止層EBLは、電子輸送領域ETRから正孔輸送領域HTRへの電子の注入を防止する役割をする層である。
発光層EMLは正孔輸送領域HTRの上に配置される。発光層EMLは、例えば、約10nm〜約100nm、または約10nm〜約30nmの厚さを有する。発光層EMLは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
発光層EMLは、赤色光、緑色光、青色光、白色光、黄色光、シアン光のうち一つを発光する。発光層EMLは、蛍光発光物質またはりん光発光物質を含む。
一実施形態において、発光層EMLは蛍光発光層である。例えば、発光層EMLから放出された光のうち一部は熱活性遅延蛍光発光(TADF)によるものであってもよい。詳しくは、発光層EMLは熱活性遅延蛍光発光する発光成分を含み、一実施形態において、発光層EMLは青色光を放出する熱活性遅延蛍光発光する発光層であってもよい。
一実施形態の有機電界発光素子10の発光層EMLは、本発明の一実施形態による多環化合物を含む。詳しくは、上述した多環化合物は、一実施形態の有機電界発光素子10の発光層EMLに使用されて有機電界発光素子の発光効率を改善させる。
発光層EMLは、化学式1で表される多環化合物を1種または2種以上含んでもよい。例えば、発光層EMLは、上述した第1化合物群〜第3化合物群に示した化合物のうちから選択される少なくとも一つを含んでもよい。
一実施形態において、発光層EMLはホスト及びドーパントを含み、ホストは遅延蛍光発光用ホストであり、ドーパントは遅延蛍光発光用ドーパントである。一方、化学式1で表される一実施形態の多環化合物は、発光層EMLのドーパント材料として含まれる。例えば、化学式1で表される一実施形態の多環化合物は、TADFドーパントとして使用されてもよい。
一方、図示していないが、一実施形態の有機電界発光素子10は複数の発光層を含んでもよい。複数の発光層は順次に積層されて提供されるが、例えば、複数の発光層を含む有機電界発光素子10は白色光を放出してもよい。複数の発光層を含む有機電界発光素子10は、タンデム(Tandem)構造の有機電界発光素子である。有機電界発光素子10が複数の発光層を含めば、少なくとも一つの発光層EMLは、上述したように本発明による多環化合物を含む。
発光層EMLはドーパントを更に含んでもよいが、ドーパントとしては公知の材料を使用する。例えば、スチリル誘導体(例えば、1、4−ビス[2−(3−N−エチルカルバゾリル)ビニル」ベンゼン(BCzVB)、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4”−[(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン(DPAVB)、N−(4−((E)−2−(6−((E)−4−(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン−2−イル)ビニル)フェニル)−N−フェニルベンゼンアミン(N−BDAVBi)、ぺリレン及びその誘導体(例えば、2,5,8,8,11−テトラ−t−ブチルぺリレン(TBPe))、ピレン及びその誘導体(例えば、1,1−ジピレン、1,4−ジピレニルベンゼン、1−4−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)ピレン、1,6−ビス(N,N−ジフェニルアミノ)ピレン)、2,5,8,11−テトラ−t−ブチルぺリレン(TBP)、及びTPBi(1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)ベンゼン)のうち少なくともいずれか一つをドーパントして使用してもよいが、これに限らない。
発光層EMLは、ホスト物質として該当技術分野で知られている一般的な材料を更に含んでもよい。例えば、発光層EMLはホスト物質としてAlq3(トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウム)、DPEPO(ビス−[2−(ジフェニルホスフィノ)フェニル]エーテルオキシド)、CBP(4,4’−ビス(N−カルバゾール−9−イル)ビフェニル)、mCP(1,3−ビス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン)、PPF(2,8−ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾ[b,d]フラン)、TCTA(4,4’,4”−トリス(カルバゾール−9−イル)−トリフェニルアミン)、PVK(ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ADN(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン)、TBADN(3−tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン)、DSA(ジスチリルアリレン)、CDBP(4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−2,2’−ジメチル−ビフェニル)、MADN(2−メチル−9,10−ビス(ナフタレン−2−イル)アントラセン)、CP1(ヘキサフェニルシクロトリホスファゼン)、UGH−2(1,4−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン)、DPSiO3(ヘキサフェニルシクロトリシロキサン)、DPSiO4(オクタフェニルシクロテトラシロキサン)、PPF(2,8−ビス(ジフェニルホスホリル)ジゼンゾフラン)、及びTPBi(1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)ベンゼン)のうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限らない。
発光層EMLが赤色光を発光する場合、発光層EMLは、例えば、PBD:Eu(DBM)3(Phen)(トリス(ジベンゾイルメタナト)フェナントロリンユウロピウム)またはペリレンを含む蛍光物質を更に含む。発光層EMLが赤色を発光する場合、発光層EMLに含まれるドーパントは、例えば、PIQIr(acac)(ビス(1−フェニルイソキノリン)アセチルアセトネートイリジウム)、PQIr(acac)(ビス(1−フェニルキノリン)アセチルアセトネートイリジウム)、PQIr(トリス(1−フェニルキノリン)イリジウム)、及びPtOEP(オクタエチルポリフィリンプラチナ)のような金属錯化合物(metal complex)、または有機金属錯体(organometalic complex)、ルブレン及びその誘導体、及び4−ジシアノメチレン−2−(p−ジメチルアミノスチリル)−6−メチル−4H−ピラン(DCM)及びその誘導体から選択される。
発光層EMLが緑色光を発光する場合、発光層EMLは、例えば、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウム)を含む蛍光物質を更に含む。発光層が緑色を発光する場合、発光層EMLに含まれたドーパントは、例えば、Ir(ppy)3(fac−トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム)のような金属錯化合物、または有機金属錯体、及びクマリン及びその誘導体から選択される。
発光層EMLが青色光を発光する場合、発光層EMLは、例えば、スピロ−DPVBi、スピロ−6P、DSB(ジスチリル−ベンゼン)、DSA(ジスチリル−アリーレン)、PFO(ポリフルオレン)系高分子、及びPPV(ポリ(p−フェニレンビニレン)系高分子からなる群から選択されるいずれか一つを含む蛍光物質を更に含む。発光層EMLが青色を発光する場合、発光層EMLに含まれるドーパントは、例えば、(4,6−F2ppy)2Irpicのような金属錯化合物、または有機金属錯体、及びぺリレン及びその誘導体から選択される。
電子輸送領域ETRは、発光層EMLの上に配置される。電子輸送領域ETRは、正孔阻止層HBL、電子輸送層ETL、及び電子注入層EILのうち少なくとも一つを含むが、実施形態はこれに限らない。
電子輸送領域ETRは、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有する。
例えば、電子輸送領域ETRは電子注入層のEILまたは電子輸送層ETLの単一層構造を有してもよく、電子注入物質と電子輸送物質からなる単一層構造を有してもよい。また、電子輸送領域ETRは、複数の互いに異なる物質からなる単一層の構造を有するか、発光層EMLから順番に積層された電子輸送層ETL/電子注入層EIL、正孔阻止層HBL/電子輸送層ETL/電子注入層EILの構造を有してもよいが、これに限らない。電子輸送領域ETRの厚さは、例えば、約100nm〜約150nmであってもよい。
一実施形態の有機電界発光素子10の電子輸送領域ETRは、本発明の一実施形態による多環化合物を含む。例えば、電子輸送領域ETRは化学式1で表される多環化合物を含んでもよい。
電子輸送領域ETRが複数の層を有する多層構造であれば、複数の層のうちいずれか一つの層が化学式1で表される多環化合物を含む。例えば、電子輸送領域ETRが発光層EMLの上に配置される電子輸送層ETL、及び電子輸送層ETLの上に配置される電子注入層EILを含み、電子輸送層ETLまたは電子注入層EILが本発明の一実施形態による多環化合物を含んでもよい。
電子輸送領域ETRは、化学式1で表される多環化合物を1種または2種以上含む。例えば、電子輸送領域ETRは、上述した第1化合物群〜第3化合物群に示した化合物のうちから選択される少なくとも一つを含んでもよい。
電子輸送領域ETRは、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェットプリント法、レーザプリント法、レーザ熱転写法(LITI)などのような多様な方法を利用して形成される。
電子輸送領域ETRは、多環化合物以外の公知の物質を更に含む。電子輸送領域ETRが電子輸送層ETLを含めば、電子輸送領域ETRはアントラセン系化合物を含む。但し、これに限らず、電子輸送領域は、例えば、Alq3(トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム)、1,3,5−トリ[(3−ピリジル)−フェン−3−イル]ベンゼン、2,4,6−トリス(3’−ピリジン−3−イル)ビフェニル−3−イル)−1,3,5−トリアジン、DPEPO(ビス[2−(ジフェニルホスフィノ)フェニル]フェニルエーテルオキシド)、2−(4−(N−フェニルベンゾイミダゾリル−1−イルフェニル)−9,10−ジナフチルアントラセン、TPBi(1,3,5−トリ(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)フェニル)、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)、Bphen(4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)、TAZ(3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−テルト−ブチルフェニル−1,2,4−トリアゾール)、NTAZ(4−(ナフタレン−1−イル)−3,5−ジフェニル−4H−1,2,4−トリアゾール)、tBu−PBD(2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−テルトーブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール)、BAlq(ビス(2−メチル−8−キノリノラト−N1,O8)−(1,1’−ビフェニル−4−オラト)アルミニウム)、Bebq2(ベリリウムビス(ベンゾキノリン−10−オラト)、ADN(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン)、またはこれらの混合物を含んでもよい。電子輸送層ETLの厚さは、約10nm〜約100nm、例えば、約15nm〜約50nmである。電子輸送層HTLの厚さが上述したような範囲を満足すれば、実質的な駆動電圧の上昇なしに満足できる程度の電子輸送特性が得られる。
電子輸送領域ETRが電子注入層EILを含めば、電子輸送領域ETRは、LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbIのようなハロゲン化金属、Ybのようなランタン族金属、Li2O、BaOのような金属酸化物、またはLiQ(リチウムキノラート)などが使用されてもよいが、これに限らない。電子注入層EILはまた、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩(organo metal salt)が混合された物質からなる。有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ(energy band gap)が約4eV以上の物質である。詳しくは、例えば、有機金属塩は、酢酸金属塩(metal acetate)、安息香酸金属塩(metal benzoate)、アセト酢酸金属塩(metal acetoacetate)、金属アセチルアセトネート(metal acetylacetonate)、またはステアリン酸金属塩(stearate)を含む。電子注入層EILの厚さは、約0.1nm〜約10nm、約0.3nm〜約9nmである。電子注入層EILの厚さが上述したような範囲を満足すれば、実質的な駆動電圧の上昇なしに満足できる程度の電子注入特性が得られる。
電子輸送領域ETRは、上述したように、正孔阻止層HBLを含む。正孔阻止層HBLは、例えば、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)、DPEPO(ビス[2−(ジフェニルホスフィノ)フェニル]フェニルエーテルオキシド)、及びBphen(4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)のうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限らない。
第2電極EL2は電子輸送領域ETRの上に配置される。第2電極EL2は、共通電極または負極である。第2電極EL2は、透過型電極、半透過型電極、または反射型電極である。第2電極EL2が透過型電極であれば、第2電極EL2は透明金属酸化物、例えば、ITO、IZO、ZnO、ITZOなどからなる。
第2電極EL2が半透過型電極または反射型電極であれば、第2電極EL2はAg、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti、またはこれらを含む化合物や混合物(例えば、AgとMgの混合物)を含む。または、前記物質からなる反射膜や半透過膜、及びITO、IZO、ZnO、ITZOなどからなる透明導電膜を含む複数の層構造である。
図示していないが、第2電極EL2は補助電極と連結される。第2電極EL2が補助電極と連結されれば、第2電極EL2の抵抗を減少させることができる。
一方、図4を参照すると、一実施形態の有機電界発光素子10は、第2電極EL2の上にキャッピング層CPLを更に含む。キャッピング層CPLは、例えば、α−NPD、NPB、TPD、m−MTDATA、Alq3、CuPc、TPD15(N4,N4,N4’,N4’−テトラ(ビフェニル−4−イル)ビフェニル−4,4’−ジアミン)、TCTA(4,4’,4”−トリス(カルバゾール ソル−9−イル)トリフェニルアミン)などを含んでもよい。
本発明一実施形態による有機電界発光素子10は、上述したように、化学式1で表される多環化合物を含むことで優秀な発光効率特性を示す。また、一実施形態の有機電界発光素子10は、青色波長領域で高効率特性を示す。
以下では実施形態及び比較例を参照し、本発明の一実施形態による化合物及び一実施形態の有機電界発光素子について詳しく説明する。また、以下に示す実施形態は本発明の理解を助けるための一例示であって、本発明の範囲はこれに限らない。
(多環化合物の合成)
以下で説明する多環化合物の合成法は一実施例であって、本発明の実施形態による多環化合物の合成法は下記実施例に限らない。
以下で説明する多環化合物の合成法は一実施例であって、本発明の実施形態による多環化合物の合成法は下記実施例に限らない。
(1)中間体1−9aの合成
3,5−ビス(ジフェニルアミノ)フェノール(1eq.)、1−ブロモ−3−フルオロベンゼン(1.1eq.)、炭酸カリウム(2eq.)をDMFに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体1−9aを得た。(収率:80%)
3,5−ビス(ジフェニルアミノ)フェノール(1eq.)、1−ブロモ−3−フルオロベンゼン(1.1eq.)、炭酸カリウム(2eq.)をDMFに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体1−9aを得た。(収率:80%)
(2)中間体1−9bの合成
中間体1−9a(1eq.)、N1,N1,N3,N3,N5−ペンタフェニルベンゼン−1,3,5−トリアミン(1.1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で12時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体1−9bを得た。(収率:75%)
中間体1−9a(1eq.)、N1,N1,N3,N3,N5−ペンタフェニルベンゼン−1,3,5−トリアミン(1.1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で12時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体1−9bを得た。(収率:75%)
(3)中間体1−9cの合成
中間体1−9c(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体1−9cを得た。(収率:15%)
中間体1−9c(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体1−9cを得た。(収率:15%)
(4)化合物1−9の合成
中間体1−9c(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物1−9を得た。(収率:10%)
中間体1−9c(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物1−9を得た。(収率:10%)
(1)中間体1−10aの合成
N1,N1,N3,N3,N5−ペンタフェニルベンゼン−1,3,5−トリアミン(2.2eq.)、1,3−ジブロモベンゼン(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で12時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体1−10aを得た。(収率:65%)
N1,N1,N3,N3,N5−ペンタフェニルベンゼン−1,3,5−トリアミン(2.2eq.)、1,3−ジブロモベンゼン(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で12時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体1−10aを得た。(収率:65%)
(2)中間体1−10bの合成
中間体1−10a(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体1−10bを得た。(収率:15%)
中間体1−10a(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体1−10bを得た。(収率:15%)
(3)化合物1−10の合成
中間体1−10b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物1−10を得た。(収率:10%)
中間体1−10b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物1−10を得た。(収率:10%)
(1)中間体2−2aの合成
2,7−ジブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール(1eq.)、3,5−ビス(ジフェニルアミノ)フェノール(2.5eq.)、炭酸カリウム(5eq.)をDSMOに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏180度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−2aを得た。(収率:50%)
2,7−ジブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール(1eq.)、3,5−ビス(ジフェニルアミノ)フェノール(2.5eq.)、炭酸カリウム(5eq.)をDSMOに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏180度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−2aを得た。(収率:50%)
(2)中間体2−2bの合成
中間体2−2a(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−2bを得た。(収率:15%)
中間体2−2a(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−2bを得た。(収率:15%)
(3)化合物2−2の合成
中間体2−2b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−2を得た。(収率:10%)
中間体2−2b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−2を得た。(収率:10%)
(1)中間体2−3aの合成
1,3−ジブロモ−5−フェノキシベンゼン(1eq.)、ジフェニルアミン(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.01eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.05eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏90度で2時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−3aを得た。(収率:65%)
1,3−ジブロモ−5−フェノキシベンゼン(1eq.)、ジフェニルアミン(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.01eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.05eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏90度で2時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−3aを得た。(収率:65%)
(2)中間体2−3bの合成
中間体2−3a(1eq.)、アニリン(1.1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.01eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.05eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏90度で2時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−3bを得た。(収率:75%)
中間体2−3a(1eq.)、アニリン(1.1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.01eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.05eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏90度で2時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−3bを得た。(収率:75%)
(3)中間体2−3cの合成
中間体2−3b(2.1eq.)、2,7−ジブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で24時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−3cを得た。(収率:65%)
中間体2−3b(2.1eq.)、2,7−ジブロモ−9−フェニル−9H−カルバゾール(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で24時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−3cを得た。(収率:65%)
(4)中間体2−3dの合成
中間体2−3c(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体2−3bを得た。(収率:15%)
中間体2−3c(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体2−3bを得た。(収率:15%)
(5)化合物2−3の合成
中間体2−3b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−3を得た。(収率:10%)
中間体2−3b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−3を得た。(収率:10%)
(1)中間体2−13aの合成
N1,N1,N3,N3,N5−ペンタフェニルベンゼン−1,3,5−トリアミン(2.2eq.)、3,3−ジブロモジベンゾ[b,d]フラン(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で12時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−13aを得た。(収率:65%)
N1,N1,N3,N3,N5−ペンタフェニルベンゼン−1,3,5−トリアミン(2.2eq.)、3,3−ジブロモジベンゾ[b,d]フラン(1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.05eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.1eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏100度で12時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体2−13aを得た。(収率:65%)
(2)中間体2−13bの合成
中間体2−13a(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体2−13bを得た。(収率:15%)
中間体2−13a(1eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BBr3(4eq.)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、24時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して中間体2−13bを得た。(収率:15%)
(3)化合物2−13の合成
中間体2−13b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−13を得た。(収率:10%)
中間体2−13b(1eq)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却し、BI3(2.5eq)を徐々に注入した。滴下終了後、温度を摂氏160度に上げ、6時間攪拌した。冷却後、フラスコにトリエチルアミンを発熱が止まるまで徐々に滴下し、反応を終結させた後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をシリカろ過で精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物2−13を得た。(収率:10%)
(1)中間体3−1aの合成
4−フルオロ−2−((3−フルオロフェニル)アミノ)安息香酸(1eq.)をCH3CNに0.44Mの濃度で添加し、摂氏90度に加熱した後、オキシ塩化リン(V)(2.2eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加が完了した後、摂氏90度で2時間撹拌した。冷却後、H2O(70eq.)を添加し、摂氏100度で3時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1aを得た。(収率:30%)
4−フルオロ−2−((3−フルオロフェニル)アミノ)安息香酸(1eq.)をCH3CNに0.44Mの濃度で添加し、摂氏90度に加熱した後、オキシ塩化リン(V)(2.2eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加が完了した後、摂氏90度で2時間撹拌した。冷却後、H2O(70eq.)を添加し、摂氏100度で3時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1aを得た。(収率:30%)
(2)中間体3−1bの合成
中間体3−1a(1eq.)、ブロモベンゼン(1.1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.01eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.05eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏90度で2時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1bを得た。(収率:65%)
中間体3−1a(1eq.)、ブロモベンゼン(1.1eq.)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.01eq.)、トリーtert−ブチルホスフィン(0.05eq.)、ナトリウムt−ブトキシド(3eq.)をトルエンに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏90度で2時間攪拌した。冷却後、酢酸エチルと水で3回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1bを得た。(収率:65%)
(3)中間体3−1cの合成
5−ヨードベンゼン1,3−ジオール(1eq.)、フルオロベンゼン(1.1eq.)、炭酸カリウム(2eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で12時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1cを得た。(収率:50%)
5−ヨードベンゼン1,3−ジオール(1eq.)、フルオロベンゼン(1.1eq.)、炭酸カリウム(2eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で12時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1cを得た。(収率:50%)
(4)中間体3−1dの合成
中間体3−1c(1eq.)、ビス(2−(トリメチルシリル)フェニル)アミン(2.2eq.)、ヨウ化銅(0.05eq.)、水酸化カリウム(5eq.)、1,10−フェナントロリン(0.05eq.)をキシレンに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏110度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1dを得た。(収率:50%)
中間体3−1c(1eq.)、ビス(2−(トリメチルシリル)フェニル)アミン(2.2eq.)、ヨウ化銅(0.05eq.)、水酸化カリウム(5eq.)、1,10−フェナントロリン(0.05eq.)をキシレンに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏110度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1dを得た。(収率:50%)
(5)中間体3−1eの合成
中間体3−1b(1eq.)、中間体3−1d(2.2eq.)、炭酸セシウム(5eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1eを得た。(収率:35%)
中間体3−1b(1eq.)、中間体3−1d(2.2eq.)、炭酸セシウム(5eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−1eを得た。(収率:35%)
(6)化合物3−1の合成
BBr3(5eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却して、オルトジクロロベンゼンに溶解されている中間体3−1e(1eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加後、常温で2時間撹拌して摂氏0度に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン(15eq.)を添加した。添加後、摂氏160に温度を上げ、24時間攪拌した。反応終結後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物3−1を得た。(収率:15%)
BBr3(5eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却して、オルトジクロロベンゼンに溶解されている中間体3−1e(1eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加後、常温で2時間撹拌して摂氏0度に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン(15eq.)を添加した。添加後、摂氏160に温度を上げ、24時間攪拌した。反応終結後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物3−1を得た。(収率:15%)
(1)中間体3−2aの合成
2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンを砂浴を利用して摂氏220度で6時間加熱した後、カラムクロマトグラフィで中間体3−2aを得た。(収率:85%)
2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンを砂浴を利用して摂氏220度で6時間加熱した後、カラムクロマトグラフィで中間体3−2aを得た。(収率:85%)
(2)中間体3−2bの合成
中間体3−2a(1eq.)、1−フルオロ−3−ヨード−5−フェノキシベンゼン(2.2eq.)、炭酸セシウム(5eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−2bを得た。(収率:35%)
中間体3−2a(1eq.)、1−フルオロ−3−ヨード−5−フェノキシベンゼン(2.2eq.)、炭酸セシウム(5eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−2bを得た。(収率:35%)
(3)中間体3−2cの合成
中間体3−2b(1eq.)、ビス(2−(トリメチルシリル)フェニル)アミン(2.2eq.)、ヨウ化銅(0.05eq.)、水酸化カリウム(5eq.)、1,10−フェナントロリン(0.05eq.)をキシレンに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏110度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−2cを得た。(収率:55%)
中間体3−2b(1eq.)、ビス(2−(トリメチルシリル)フェニル)アミン(2.2eq.)、ヨウ化銅(0.05eq.)、水酸化カリウム(5eq.)、1,10−フェナントロリン(0.05eq.)をキシレンに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏110度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−2cを得た。(収率:55%)
(4)化合物3−2の合成
BBr3(5eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却して、オルトジクロロベンゼンに溶解されている中間体3−2c(1eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加後、常温で2時間撹拌して摂氏0度に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン(15eq.)を滴加した。滴加後、摂氏160に温度を上げ、24時間攪拌した。反応終結後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物3−2を得た。(収率:15%)
BBr3(5eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却して、オルトジクロロベンゼンに溶解されている中間体3−2c(1eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加後、常温で2時間撹拌して摂氏0度に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン(15eq.)を滴加した。滴加後、摂氏160に温度を上げ、24時間攪拌した。反応終結後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物3−2を得た。(収率:15%)
(1)中間体3−4aの合成
3−ブロモ−5−(ジフェニルアミノ)フェノール(1eq.)、ビス(2−(トリメチルシリル)フェニル)アミン(1.1eq.)、ヨウ化銅(0.05eq.)、水酸化カリウム(5eq.)、1,10−フェナントロリン(0.05eq.)をキシレンに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏110度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−4aを得た。(収率:55%)
3−ブロモ−5−(ジフェニルアミノ)フェノール(1eq.)、ビス(2−(トリメチルシリル)フェニル)アミン(1.1eq.)、ヨウ化銅(0.05eq.)、水酸化カリウム(5eq.)、1,10−フェナントロリン(0.05eq.)をキシレンに添加した後、窒素雰囲気下、摂氏110度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−4aを得た。(収率:55%)
(2)中間体3−4bの合成
中間体3−4a(2.2eq.)、3,6−ジフルオロ−10−フェニルアクリジン−9(10H)−オン(1eq.)、炭酸セシウム(5eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−4bを得た。(収率:35%)
中間体3−4a(2.2eq.)、3,6−ジフルオロ−10−フェニルアクリジン−9(10H)−オン(1eq.)、炭酸セシウム(5eq.)をDMSOに溶かした後、窒素雰囲気下、摂氏160度で24時間撹拌した。冷却後、酢酸エチルと水で5回洗浄し、得られた有機層をMgSO4で乾燥した後、減圧乾燥した。カラムクロマトグラフィで中間体3−4bを得た。(収率:35%)
(3)化合物3−4の合成
BBr3(5eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却して、オルトジクロロベンゼンに溶解されている中間体3−4b(1eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加後、常温で2時間撹拌して摂氏0度に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン(15eq.)を滴加した。滴加後、摂氏160に温度を上げ、24時間攪拌した。反応終結後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物3−4を得た。(収率:15%)
BBr3(5eq.)をオルトジクロロベンゼンに溶かした後、フラスコを窒素雰囲気下、摂氏0度に冷却して、オルトジクロロベンゼンに溶解されている中間体3−4b(1eq.)を1時間の間徐々に添加した。添加後、常温で2時間撹拌して摂氏0度に冷却し、ジイソプロピルエチルアミン(15eq.)を滴加した。滴加後、摂氏160に温度を上げ、24時間攪拌した。反応終結後、ヘキサンを加え析出させて、固形分をろ過して得た。得られた固形分をカラムクロマトグラフィで精製した後、更にMC/Hex再結晶で精製して化合物3−4を得た。(収率:15%)
ガラス基板の上に120nmの厚さでITOをパターニングした後、超純水で洗浄し、UVオゾン処理を30分間実施した。その後、正孔注入層として厚さ30nmでNPDを真空蒸着し、正孔輸送層としてTATAを厚さ20nmで真空蒸着した。正孔輸送層の上部に化合物CzSiを厚さ10nmで真空蒸着した。
次に、発光層を形成する際、一実施例の多環化合物または比較例化合物とmCPを1:99の割合で共蒸着し、厚さ20nmの層を形成した。
発光層の上にTSP01を厚さ20nmで形成した後、電子注入層化合物としてTPBIを厚さ30nmで蒸着した。電子輸送層の上部にハロゲン化アルカリ金属であるLiFを電子注入層として厚さ1nmで蒸着し、Alを厚さ300nmで真空蒸着してLiF/Al電極を形成することで、有機電界発光素子を製造した。
(有機電界発光素子の特性評価)
実施例及び比較例による有機電界発光素子の特性を評価するために、最大発光波長(nm)、及び輝度1000cd/m2である際の外部量子効率(%)を測定した。
実施例及び比較例による有機電界発光素子の特性を評価するために、最大発光波長(nm)、及び輝度1000cd/m2である際の外部量子効率(%)を測定した。
一実施例による多環化合物は、広い板状の骨格を有することで多重共鳴効果が更に活性化され、発光層のホストマトリックス内でドーパントの遷移双極子モーメントの高い水平配向率を有するようになる。よって、ΔESTをより下げることができるため、発光効率が向上される。
10:有機電界発光素子 EL1:第1電極
EL2:第2電極 OL:有機相
HTR:正孔輸送領域 EML:発光層
ETR:電子輸送領域
EL2:第2電極 OL:有機相
HTR:正孔輸送領域 EML:発光層
ETR:電子輸送領域
Claims (15)
- 第1電極と、
前記第1電極の上に配置される有機層と、
前記有機層の上に配置される第2電極と、を含み、
前記の有機層は下記化学式1で表される多環化合物を含む有機電界発光素子:
前記化学式1において、
X1〜X4はそれぞれ独立してNR9、O、またはSであり、
R1〜R8はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
R9は水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と結合して環を形成し、
a〜fはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、
m及びnはそれぞれ独立して0または1であり、
点線は結合または非結合を意味し、
環Aは下記化学式2−1〜2−3のうちいずれか一つで表される:
・・・(化学式2−2)
・・・(化学式2−3)
前記化学式2−1〜化学式2−3において、
「*」印は縮合される位置を示し、
X5及びX6はそれぞれ独立してCR30R31、NR32、O、またはSであり、
R30〜R32はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
R20〜R29はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であるが、
但し、前記環Aが前記化学式2−1または2−2で表される際、前記m及びnのうち少なくとも一つは1である。 - 前記有機層は、
前記第1電極の上に配置される正孔輸送領域と、
前記正孔輸送領域の上に配置される発光層と、
前記発光層の上に配置される電子輸送領域と、を含む、
請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 前記発光層は前記多環化合物を含み、遅延蛍光を放出する、
請求項2に記載の有機電界発光素子。 - 前記発光層はホスト及びドーパントを含む遅延蛍光発光層であり、
前記ドーパントは前記多環化合物である、
請求項3に記載の有機電界発光素子。 - 前記発光層は、青色光を放出する熱活性遅延蛍光発光層である、
請求項3に際の有機電界発光素子。 - 前記電子輸送領域は、
前記発光層の上に配置される電子輸送層と、
前記電子輸送層の上に配置される電子注入層と、を含み、
前記電子輸送層または前記電子注入層は前記多環化合物を含む請求項2に記載の有機電界発光素子。 - 前記X1〜X4はそれぞれ独立してNR11、または0であり、
前記R11は置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30アリール基である請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 前記X1及びX4は互いに同じであり、
前記X2及びX3は互いに同じである請求項1に記載の有機電界発光素子。 - 下記化学式1で表される多環化合物:
前記化学式1において、
X1〜X4はそれぞれ独立してNR9、O、またはSであり、
R1〜R8はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
R9は水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であるか、または隣接する基と結合して環を形成し、
a〜fはそれぞれ独立して0以上4以下の整数であり、
m及びnはそれぞれ独立して0または1であり、
点線は結合または非結合を意味し、
環Aは下記化学式2−1〜2−3のうちいずれか一つで表される:
・・・(化学式2−1)
・・・(化学式2−2)
・・・(化学式2−3)
前記化学式2−1〜化学式2−3において、
「*」印は縮合される位置を示し、
X5及びX6はそれぞれ独立してCR30R31、NR32、O、またはSであり、
R30〜R32はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であり、
R20〜R29はそれぞれ独立して水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換若しくは無置換のホウ素基、置換若しくは無置換のシリル基、置換若しくは無置換のアミノ基、置換若しくは無置換の炭素数1以上20以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6以上30以下のアリール基、または置換若しくは無置換の環形成炭素数2以上30以下のヘテロアリール基であるが、
但し、前記環Aが前記化学式2−1または2−2で表される際、前記m及びnのうち少なくとも一つは1である。
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