JP7295888B2 - 半導体層を半導体基板から取り外す方法 - Google Patents
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Description
本願は、係属中且つ譲受人同一たる以下の出願、即ち
米国暫定特許出願第62/677833号、出願日:2018年5月30日、出願人:Srinivas Gandrothula及びTakeshi Kamikawa、名称「半導体層を半導体基板から取り外す方法」(METHOD OF REMOVING SEMICONDUCTING LAYERS FROM A SEMICONDUCTING SUBSTRATE)、代理人事件番号第G&C30794.0682USP1(UC2018-614-1)、
に基づき米国特許法第119条(e)の規定による利益を主張する出願であるので、参照により当該出願を本願に繰り入れることにする。
国際特許出願第PCT/US19/32936号、出願日:2019年5月17日、出願人:Takeshi Kamikawa及びSrinivas Gandrothula、名称「1個又は複数個のデバイスからなるバーを分割する方法」(METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES)、代理人事件番号第30794.0681WOU1(UC2018-605-2)なる出願であり、係属中且つ譲受人同一たる米国暫定特許出願第62/672913号、出願日:2018年5月17日、出願人:Takeshi Kamikawa及びSrinivas Gandrothula、名称「1個又は複数個のデバイスからなるバーを分割する方法」(METHOD FOR DIVIDING A BAR OF ONE OR MORE DEVICES)、代理人事件番号第G&C30794.0682USP1(UC2018-605-1)なる出願に基づき米国特許法第119条(e)の規定による利益を主張する出願、
国際特許出願第PCT/US18/31393号、出願日:2018年5月7日、出願人:Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li及びDaniel A. Cohen、名称「基板除去方法」(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE)、代理人事件番号第30794.0653WOU1(UC2017-621-2)なる出願であり、係属中且つ譲受人同一たる米国暫定特許出願第62/502205号、出願日:2017年5月5日、出願人:Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li及びDaniel A. Cohen、名称「基板除去方法」(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE)、代理人事件番号第30794.0653USP1(UC2017-621-1)なる出願に基づき米国特許法第119条(e)の規定による利益を主張する出願、並びに
国際特許出願第PCT/US18/51375号、出願日:2018年9月17日、出願人:Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula及びHongjian Li、名称「劈開技術で以て基板を除去する方法」(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)、代理人事件番号第30794.0659WOU1(UC2018-086-2)なる出願であり、係属中且つ譲受人同一たる米国暫定特許出願第62/559378号、出願日:2017年9月15日、出願人:Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula及びHongjian Li、名称「劈開技術で以て基板を除去する方法」(METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH A CLEAVING TECHNIQUE)、代理人事件番号第30794.0659USP1(UC2018-086-1)なる出願に基づき米国特許法第119条(e)の規定による利益を主張する出願、
に関連しているので、それら出願全てを参照により本願に繰り入れることにする。
本発明は、剥離技術で以て半導体基板から半導体エピタキシャル層を取り外す方法に関する。
本発明では、エピタキシャル半導体層による島状構造の下部に、その構造の中央に向かい内方に延びる水平トレンチを設け、そのエピタキシャル半導体層を分離させることで、半導体基板からエピタキシャル半導体層を取り外す方法を開示する。水平トレンチ形成策には、化学エッチング及びドライエッチングの併用、並びにエピタキシャル横方向過成長(ELO)という二策があるが、本発明はこれらの策に限定されない。ELO法は、III族窒化物ベース半導体層上にて水平トレンチを得る上で、とりわけ役立つ。
大略、本発明で述べる半導体デバイス製造方法は、複数個の開エリアを有する成長制限マスクをIII族窒化物ベース半導体たる基板上に直接又は間接形成する工程、並びに成長制限マスクの縞状開エリアに対し平行な方向に成長が進むよう且つ島状III族窒化物半導体層が合体しないようその成長制限マスクを用いその基板上に複数個の島状III族窒化物半導体層を成長させる工程を有している。
本発明は以下の様々な成長制限マスクデザインに適用されるが、それらのデザインには限定されない。例えばSiO2、SiN、或いはSiO2及びSiNの組合せ、或いはHfO2、Al2O3、MgF、TiN、Ti等々といった諸素材のうち何れかを含有する成長制限マスクで以てIII族窒化物ベース基板をパターニングし、そのマスクで以てエピタキシャルGaN層をIII族窒化物ベース基板上に成長させる。
図5(a)に、基板101、成長制限マスク102、開エリア103及び島状III族窒化物半導体層109であり成長を経たものを示す。図5(b)記載の通り、ここで化学溶剤例えばフッ化水素酸(HF)又はバッファドHFを用い成長制限マスク102を除去することで、島状III族窒化物半導体層109下に水平トレンチ501が発生する。これに代え、ドライエッチングを実行することでも、成長制限マスク102を除去することができる。
図6(a)及び図6(b)記載の通り、成長制限マスク102を溶解させた後にポリマ/接着フィルム601を島状III族窒化物半導体層109に付着させる。好ましくはポリマ/接着フィルム601の厚みをHt-Hbとし、長さHLに亘り島状III族窒化物半導体層109上に延設する。
図7(a)及び図7(b)は、ポリマ/接着フィルム601装着後に、その島状III族窒化物半導体層109のクラック発生限界を超過しない範囲で、好適ツール701を用い島状III族窒化物半導体層109の一側面又は複数側面に抗しポリマ/接着フィルム601を僅かに加圧することで、ポリマ/接着フィルム601の下表面Hbを少なくとも島状III族窒化物半導体層109の上表面HLよりも下方に到達させるやり方を、描いたものである。
図10に描かれている装置1001は、ポリマ/接着フィルム601を有する標本101,109を金属クランプ902で以て2枚の石英板901間に挟み込み、その温度を変化させるものである。温度は圧力を印加しつつ室温から低下/上昇させる。その後は、装置1001全体に亘り乾燥窒素ガスを持続的に吹き付けることで装置1001をハンドリング温度例えば室温に復帰させ、ポリマ/接着フィルム601付の標本101,109に対する圧力を解除する。
図13(a)は島状III族窒化物半導体層109上にポリマ/接着フィルム601を配置した後における基板101の模式図、図13(b)はそのフィルム601の剥離方向1301を表す頂面図、図13(c)はそのフィルム601の剥離方向1301を表す断面図である。
(III族窒化物ベース基板)
成長制限マスク102を通じたIII族窒化物ベース半導体層105,106,109の成長が可能なIII族窒化物ベース基板101である限り、バルクGaN結晶からスライスされたGaN基板101等、バルクIII族窒化物ベース結晶から(0001)、(1-100)、(20-21)又は(20-2-1)面或いはその他の面上でスライスされた何れのIII族窒化物ベース基板101も用いることができる。島状III族窒化物半導体層109をIII族窒化物ベース基板101から剥離により取り外す際、その剥離面内に、非極性や半極性の基板101の場合はm面ファセット、有極性基板101の場合は有極性の表面があってもよい。
III族窒化物ベース半導体層の例はELO-III族窒化物層105、III族窒化物半導体デバイス層106及び島状III族窒化物半導体層109である。半導体デバイス110では、通常、島状III族窒化物半導体層109の側部を(1-10a)面(但しaは任意の整数)、(11-2b)面(但しbは任意の整数)又はそれらに対し結晶学的に等価な面で以て形成し、或いは島状III族窒化物半導体層109の側部を(1-10a)面(但しaは任意の整数)を含むものとする。
成長制限マスク102は誘電体層、例えばSiO2、SiN、SiON、Al2O3、AlN、AlON、MgF、TiN、Tiか、耐火金属例えばW、Mo、Ta、Nb、Pt等々で構成する。成長制限マスク102を、上掲の諸素材から選抜されたもののラミネート構造としてもよい。成長制限マスク102を、上掲の諸素材から選ばれたものの積層構造としてもよい。
平坦面領域107は層反り領域108同士の間にある。更に、平坦面領域107は成長制限マスク102上にも開エリア103上にもある。
能動層106aを有する層反り領域108がLEDデバイス110内に残っていると、その能動層106aからの放射光のうち一部分が再吸収される。結局、それらデバイス110内の層反り領域108は除去した方がよい。
水平トレンチ501は島状III族窒化物半導体層109の下部に生じる構造であり、その構造の中央に向かい内方に延びるものである。
島状III族窒化物半導体層109を基板101上で成長させた後、ドライエッチングを用いそれら島状III族窒化物半導体層109を分割して本発明実施上とりわけ有用な分離幅とした上で、その構造の中央内方に延びる水平トレンチ501を化学エッチングの助力により実現する。
水平トレンチ501が得られる第2の方法はエピタキシャル横方向過成長(ELO)である。分解無しでMOCVD温度に保持でき且つ後刻成長させる半導体エピタキシャル層とほとんど反応しない成長制限マスク102で以て、基板101をマスクする。基板101上のそのマスク102を、幾つかの開エリア103が周期的又は非周期的に備わるものとし、それにより島状III族窒化物半導体層109の成長を助長する。ELO-III族窒化物層105は開エリア103からマスク102上を通り横方向に成長していき、トレンチ501の長さによりその層105の幅が定まることとなる。トレンチ501の長さは0.1μm以上が好ましかろう。
大まかには、ポリマ/接着フィルム601を、島状III族窒化物半導体層109上で且つその上へと転がせばよい。加えて、ポリマ/接着フィルム601を、例えば畝縞、p電極等々を含め完成したデバイス110構造上で且つその上へと転がすこともできる。
本半導体デバイス製造方法には、必要に応じ、更に、剥離プロセスが終了した後にそのIII族窒化物ベースエピ構造の露出面側を接合/装着する工程を、設けることができる。ポリマ/接着フィルム601を用いる場合、そのポリマ/接着フィルム601上に付着しているエピ層を支持基板に接合して更なる処理に供する。
本半導体デバイス製造方法に、更に、III族窒化物ベース半導体層の露出部分に支持基板を接合する工程を含めてもよい。ポリマ/接着フィルム601を剥離プロセスにて用いる際には、III族窒化物エピ層の露出部分を下表面即ちIII族窒化物ベース基板・III族窒化物エピ層間界面とすることができる。これに代え、III族窒化物エピ層の露出部分を、III族窒化物ベース基板上に成長させたIII族窒化物エピ構造の頂部とすることもできる。
(第1実施形態)
第1実施形態に係るIII族窒化物ベース半導体デバイス及びその製造方法を説明する。
成長制限マスク102の様々な例を示してきた。どのデザインでも、成長制限マスク102の縞の第1方向を<11-20>軸に対し垂直とし、第2方向を半極性や非極性のIII族窒化物ベース基板101例えば(10-1-1)、(10-11)、(20-2-1)、(20-2-1)、(30-3-1)、(30-31)、(1-100)等々では<11-20>に沿わせ、C面(0001)III族窒化物ベース基板101では<11-20>及び<1-100>それぞれに沿わせている。
図17(a)及び図17(b)記載の通り、光共振長を踏まえエッチド鏡ファセット1702の在処を決める。Arイオンビーム及びCl2雰囲気ガスを用いたエッチングプロセスによりGaNエッチングを行う。エッチング深さは約1μm~約4μmとする。SiO2、Al2O3、AlN、AlON、SiN、SiON、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、Zr2O等々からなる集合から誘電体膜を選び、それによりエッチド鏡ファセット1702を被覆してもよい。
エッチングを用い成長制限マスク102を除去する。ドライエッチング又はウェットエッチング、或いは両プロセスの組合せを用いることで、成長制限マスク102を少なくとも部分的に溶解させることができる。本発明は、成長制限マスク102を溶解させることなく実施することもできるが、より良好な歩留まり及び品質にするため少なくとも部分に溶解させることが推奨される。
その後は、ポリマ/接着フィルム601を島状III族窒化物半導体層109の上方に配置し、その島状III族窒化物半導体層109の破断点に達しない範囲で僅かに押圧する。本工程は、島状III族窒化物半導体層109のレイアウトの周りにポリマ/接着フィルム601によって好適に枠が形成されるようにするためのものである。
上掲の複合体、即ち島状III族窒化物半導体層109にポリマ/接着フィルム601を装着したものを、好適なツールを用い上側及び下側から押圧し、一体に挟み込む。例えば、その複合体の下側及び上側に1枚ずつ石英板を配し、それら石英板を一緒に挟み込むことで、島状III族窒化物半導体層109上でのポリマ/接着フィルム601の好適な固定を実現できよう。
次いで、この新たな複合体(挟み込み構造)の温度を、その構造に働く圧力を保ちつつ上昇又は低下させる。その上で、その構造の温度を低下/上昇させてハンドリング温度に戻す。或いは、ペルチエデバイスを用い温度を変化させることで、上昇及び低下に係るランプレートを所望の如く制御することもできる。
この温度サイクルの途上でポリマ/接着フィルム601が被る急峻な伸縮衝撃、並びにポリマ/接着フィルム601・III族窒化物半導体層105,106,109間の熱膨張差により、ELO-III族窒化物層105・基板101間界面にてクラック又は劈開が始まる。
n電極をIII族窒化物半導体層109の背面上に配置してもよい。通常、そのn電極をTi、Hf、Cr、Al、Mo、W、Auなる素材のうち一種類又は複数種類で組成するが、これらの素材には限定されない。
チップ又はデバイス110への分割方法には2個の工程がある。第1の工程では島状III族窒化物半導体層をスクライビングする。第2の工程ではレーザスクライビング等々を用い支持基板を分割する。
第2実施形態は第1実施形態とほぼ同じであるが、基板101の面が異なっている。本実施形態では、ELO-III族窒化物層105をm面III族窒化物基板101上で成長させる。成長制限マスク102における開エリア103の幅及び長さはそれぞれ30μm及び1200μm超、ELO-III族窒化物層105の厚みは約15μmである。
第3実施形態は第1実施形態とほぼ同じであるが、デザインのタイプが異なっている。本実施形態でもたらされるのは、C面III族窒化物ベース基板101から剥離されたELO-III族窒化物層105であり、マスクデザインがタイプ2のものである。
第4実施形態は第1実施形態とほぼ同じであるが、デザインのタイプが異なっている。本実施形態でもたらされるのは、C面III族窒化物ベース基板101から剥離されたELO-III族窒化物層105であり、デザインがタイプ4のものである。
第5実施形態は第1実施形態とほぼ同じであるが、基板101の面が異なっている。本実施形態は他の面、例えば(20-21)、(20-2-1)、(1-100)等々の使用によって記述される。島状III族窒化物半導体層109は、パターニングされた半極性や非極性の基板101上、例えば(20-21)又は(20-2-1)又は(1-100)基板101上にMOCVDにより成長させた約12μm厚のGaN層を備える。従って、島状III族窒化物半導体層109を半極性や非極性の基板101から取り外す際には第1実施形態と同じ方法が用いられる。
第6実施形態は第1実施形態とほぼ同じであるが、用いるELO-III族窒化物層105が異なっている。具体的には、本実施形態ではAlGaNをELO-III族窒化物層105として用いている。図25(a)、図25(b)、図25(c)、図25(d)及び図25(e)は、AlGaNで構成されたELO-III族窒化物層105の光学顕微鏡画像であり、III族窒化物ベース基板101から取り外される前及び取り外された後のものである。
第7実施形態は第1実施形態とほぼ同じであるが、用いる成長制限マスク102の素材が異なっており、第1実施形態にて用いられているそれより厚手な成長制限マスク102を用いている。例えば、第7実施形態では、III族窒化物ベース基板101・ELO-III族窒化物層105間界面層として用いる成長制限マスク102を窒化シリコン(SiN)で組成し、50nmのSiNに1μmのSiO2が後続する成長制限マスク102とすることができる。これを例えばm面(1-100)III族窒化物ベース基板101と併用することや、別の面方位例えば(30-31)、(30-3-1)、(20-21)、(20-2-1)、(10-11)、(10-1-1)、(11-22)、(11-2-2)等々を有するIII族窒化物基板101と併用することができる。
第8実施形態は第1実施形態と同様であるが、発明に係る温度を低下及び/又は上昇させている間にポリマ/接着フィルム601に対する印加応力の方向を変更する点で異なっている。
第9実施形態は第8実施形態と同様であるが、模式図たる図29(a)、図29(b)、図29(c)及び図29(d)に記載の通り、温度を低下及び/又は上昇させている間にポリマ/接着フィルム601に対し印加される応力の方向について改善版を付加し、取り外された島状III族窒化物半導体層109の品質及び歩留まりをそれにより改善する点で異なっている。
第10実施形態では、温度を上昇又は低下させることで、ポリマ/接着フィルム601・島状III族窒化物半導体層109間に熱応力を誘起させる。その結果、ポリマ/接着フィルム601のうち軟質な領域が、島状III族窒化物半導体層109の上及び周囲へと均一に押されることになる。結果として、大きなアスペクト比を有する島状III族窒化物半導体層109や、ランダムな形状を有する島状III族窒化物半導体層109を、基板101から非常に効果的に取り外すことができる。例えば、図28(a)、図28(b)、図28(c)及び図28(d)に示す画像は、そのアスペクト比がほぼ70、長さが約4000μm、幅が約55μmのELO-III族窒化物層105についてのものである。
第11実施形態は第10実施形態と同様であるが、他の剥離技術に比べもう1個の長所が加わっている点で異なっている。言及した他の取外し技術、例えばPECエッチング、スポーリング及びレーザリフトオフを用いウェハ101全体のうち指定部分からELO-III族窒化物層105をピックすることは、高度に不可能なことである。
第12実施形態は第11実施形態と同様である。
第13実施形態は第1実施形態と同様であるが、開エリア103の幅が異なっている。本実施形態では、開エリア103の幅が異なり50、100又は200μmである3個の標本を作成している。
第14実施形態で言及するのは本発明を用い作成された半導体層であり、リサイクル上の長所を提供するものである。具体的には、図37中の画像群は開エリア103での島状III族窒化物半導体層109の取外しを経た基板101の表面についてのものであり、図38(a)及び図38(b)は開エリア103での島状III族窒化物半導体層109の取外しを経た基板101の表面を描出する模式図である。
図39は基板101から半導体層を取り外す方法を描いたフローチャートであり、成長制限マスク102及びエピタキシャル横方向過成長を用い基板101上に成長させた島状III族窒化物半導体層109で以てそれら半導体層を構成し、またそれら島状III族窒化物半導体層109が合体する前にそのエピタキシャル横方向過成長を停止させている。
本発明では多くの長所及び利点が提供される:
・本発明ではどのような面のIII族窒化物ベース基板も用いることができ、また個々のIII族窒化物ベース基板上にどのような方向でパターニングされているELO-III族窒化物層でも剥離させることができる。
・本発明はヘテロ基板と併用することができ、III族窒化物半導体デバイス以外の半導体デバイスとも併用することができる。
・100μm超の開エリアを有する幅広なパターンも除去でき、それによりMOCVD成長時間が短縮されデバイスデザインに対しより多くの柔軟性が付加されることとなるので、例えば電力系電子回路にて本機構を採用すること、即ち幅広な開エリアを有する厚手なELO-III族窒化物層を取り外して絶縁破壊電圧が高いデバイスを実現することができる。
・本プロセスは、ポリマ/接着フィルム以外の剥離用リソースを用いていないため、かなり低価格で実現することができる。
・本発明は現在のディスプレイテクノロジ、例えばレーザダイオードやマイクロLEDディスプレイのように1個ずつハンドリングして他画素と共に集積しなければ機能的ディスプレイを実現できないデバイスに対し、生来的長所を有している。処理されたデバイスが、基板からの取外し後にそのポリマ/接着フィルムに装着されたまま留まりうるからである。そのフィルムの接着性をUV又はIR照射により低下させることができ、その後にツール、例えばロボット式真空チャックを用い各デバイスをピックして他波長画素と集積することで、機能的ディスプレイを実現することができる。
・本プロセスにより、島状III族窒化物半導体層内応力を解放しうる最良のデザインが提供される。
・商業的に入手可能なデバイスに比べ、デバイス又はチップのサイズが顕著に低減される。
・その接合故にデバイスの熱管理が顕著に改善される。
・本発明は、マイクロLED、電力デバイス、VCSEL等々でも採用することができる。
・本方法は大き目のウェハ(>2インチ)でも容易に採用することができる。
・本方法は反復的に実施することができる。
・本方法は基板の一部分のみを対象にして実施することができる。
これで本発明の好適実施形態についての記述を終わることにする。本発明の1個又は複数個の実施形態についての上掲の記述は例証及び記述を目的として提供されたものである。除外する意図や本発明を被開示形態そのものに限定する意図はない。上掲の教示を手掛かりにして多くの修正及び改変をなすことができる。想定上、本発明の技術的範囲はこの詳細記述により限定されるものではなく、寧ろこれに添付されている特許請求の範囲により限定される。
Claims (23)
- 基板から半導体層を取り外す方法であって、
前記基板上に1個又は複数個の島状半導体層を形成したものを準備し、
前記島状半導体層にフィルムを付着させ、
前記フィルムは、軟質層及び硬質層が備わる多層膜であって、
前記フィルム及び前記基板の温度を変化させることによって前記フィルムと前記島状半導体層との間の熱膨張係数差に起因する熱応力を前記基板と前記島状半導体層との間に生じさせ、前記熱応力により前記基板と前記島状半導体層との間にクラックを生じさせ、前記基板から前記フィルムを前記島状半導体層と共に剥離させる方法。 - 請求項1の方法であって、前記フィルムの下面を前記島状半導体層の上面より下方に押し込むことにより前記フィルムを前記島状半導体層の側部に付着させ、前記フィルムにより前記1個又は複数個の島状半導体層の側部から圧力を印加しつつ、前記フィルム及び前記基板の温度を変化させることによって前記フィルムと前記島状半導体層との間の熱膨張係数差に起因する熱応力を前記基板と前記島状半導体層との間に生じさせ、前記熱応力により前記基板と前記島状半導体層との間にクラックを生じさせる方法。
- 請求項1の方法であって、前記フィルムは、UV感応又はIR感応テープである、方法。
- 請求項1の方法であって、剥離された前記フィルムをUV又はIR照射に曝すことで、前記フィルムの接着性を低下させて前記フィルムから前記島状半導体層を除去することを容易化する、方法。
- 請求項4の方法であって、
前記フィルムは、上層と下層を有し、
複数の前記島状半導体層の間の窪み領域へと前記下層を内側に押し込む、方法。 - 請求項1の方法であって、前記フィルムの下表面であり前記島状半導体層の上又は上方にあるものを、少なくとも前記島状半導体層の上表面より低いレベルまで押す方法。
- 請求項6の方法であって、前記フィルムの前記下表面を前記島状半導体層の凸領域の表面より下方に到達させる方法。
- 請求項1の方法であって、前記フィルムを前記島状半導体層の上表面より下方、前記基板の表面上に付着させる方法。
- 請求項2の方法であって、可圧縮性素材を前記フィルム上に配置することで前記島状半導体層への装着具合を改善し、前記圧力をその可圧縮性素材に印加することで当該島状半導体層に対するそのフィルムの接合具合を改善する方法。
- 請求項1の方法であって、前記フィルム及び前記基板の温度を低下させることにより発生する熱応力によって前記島状半導体層を備える前記フィルムを前記基板から剥離させる、方法。
- 請求項1の方法であって、前記フィルムと前記基板の温度を下げることで、前記フィルムを硬化させる、方法。
- 請求項2の方法であって、前記温度を変化させる前に前記圧力を解除する方法。
- 請求項1の方法であって、前記島状半導体層がIII族窒化物ベース半導体層である方法。
- 請求項1の方法であって、前記基板がIII族窒化物ベース基板又はヘテロ基板である方法。
- 請求項1の方法であって、前記島状半導体層に前記フィルムを付着させる工程、前記フィルム及び前記基板の温度を変化させることによって前記基板から前記フィルムを前記島状半導体層と共に剥離させる工程、のうち1個又は複数個を自動装置によって実行する方法。
- 請求項1の方法であって、前記島状半導体層をランダムに形状設定する方法。
- 請求項1の方法であって、前記フィルムを前記島状半導体層と共に任意方向に沿い前記基板から剥離させる方法。
- 請求項1の方法であって、前記島状半導体層に前記フィルムを付着させる工程、前記フィルム及び前記基板の温度を変化させることによって前記基板から前記フィルムを前記島状半導体層と共に剥離させる工程のうち、1個又は複数個を反復することで、前記基板から前記島状半導体層を取り外す方法。
- 請求項1の方法であって、前記島状半導体層をパターニングすることで、少なくとも一側部が鉛直方向に沿い前記島状半導体層の下方に備わるものとなるよう、前記島状半導体層の中心に向かい内方へと水平トレンチを延設する方法。
- 請求項1の方法であって、剥離された前記島状半導体層を、前記フィルムから別の基板に接合する工程を含む方法。
- 請求項1の方法であって、前記剥離後に前記島状半導体層のうち少なくとも一部が前記基板と共に留まる方法。
- 請求項1の方法であって、前記剥離後に前記基板のどの部分も前記島状半導体層と共に留まらない方法。
- 請求項1の方法であって、成長制限マスク及びエピタキシャル横方向過成長を用い前記基板上に前記島状半導体層を形成し、前記島状半導体層同士が合体する前にそのエピタキシャル横方向過成長を停止させる方法。
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