JP7292255B2 - ミソプロストールの製造および精製の方法 - Google Patents

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Description

本発明の主題は、一般式Ｉ
Figure 0007292255000001
 （式中、Ｒは直鎖状もしくは分枝鎖状のＣ１～１４アルキル基を表す）
の化合物の製造方法である。
合成の改変ＰＧＥ１誘導体であり、一般式Ｉに分類されるミソプロストール（Ｉａ）（Ｒ＝メチル）は、ラセミ化合物であり、４つの立体異性体の混合物である。
ラセミ化合物の次の構造式は、相対立体化学を表す。
Figure 0007292255000002
ラセミのミソプロストールは、４つの異性体の１：１：１：１の比の混合物である。
Figure 0007292255000003
ミソプロストールの治療的使用は、非ステロイド系抗炎症薬（ＮＳＡＩＤ）によって誘発される胃潰瘍および十二指腸潰瘍を発症するリスクを低減することである。（非特許文献１）。この保護効果により、これはまた、非ステロイド系抗炎症薬と一緒に、配合剤に適用もされる（非特許文献２）。ミソプロストール自体はまた、分娩を誘発することができる（非特許文献３）。
ミソプロストールの製造については、いくつかの方法が知られている。
特許明細書特許文献１に記載の方法では、ミソプロストールを２成分クプラートカップリングにおいて合成した。
非保護またはＴＨＰ基保護（ＴＨＰ＝テトラヒドロピラニル－）シクロペンテノンエステルを、いわゆる「低位（Ｌｏｗｅｒ Ｏｒｄｅｒ）」クプラート試薬と反応させた（図１）。
Figure 0007292255000004
クプラート試薬はＴＢＤＭＳ－オクチノール（ＴＢＤＭＳ＝ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル－）から製造した（図２）。
三重結合はカテコールボランまたはジイソブチルアルミニウムヒドリドで還元し、次いで、ホウ素原子またはアルミニウム原子を組み込んだ置換基はヨウ素と交換した。
Figure 0007292255000005
ヨード化合物から得られたビニルリチウム成分を、ペンチニル銅のヘキサメチルホスホラミド（ＨＭＰＡ）溶液と－６０℃で反応させて、クプラートカップリングに適する銅化合物が生成した。
方法の利点は、クプラートカップリングがミソプロストールの製造に首尾よく適用されたことであるが、この合成はまたいくつかの欠点も有する：
・ カテコールボランまたはジイソブチルアルミニウムヒドリドでのオクチノールの還元は、非常に低い収率で進行する
・ 反応中に、予想されるｔｒａｎｓ－オレフィンのそばに、ｃｉｓジオメトリを有する生成物も形成される
・ クプラート試薬の製造には、－６０℃への冷却および発癌性ＨＭＰＡの使用が必要である。
特許明細書特許文献２に記載の方法は、クプラートカップリングの発展バージョンである。ＴＥＳ－保護（ＴＥＳ＝トリエチルシリル－）シクロペンテノン誘導体を「高位」クプラート試薬（Ｘ＝ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＳＯ２ＣＦ３、Ｓ－フェニル）と反応させた。クプラート試薬の合成は大幅に単純化した（図３）。
Figure 0007292255000006
クプラート試薬を得るために、シアン化銅（ｌ）をＭｅリチウムまたはＢｕリチウムで処理した。このようにして得られた銅化合物と別のアルキルリチウムとの反応により、ジアルキルクプラートが得られ、ビニルスタンナンとの反応でこれは、カップリングに必要なビニルクプラートをもたらした（図４）。
Figure 0007292255000007
方法の利点：
・ ビニルスタンナンの製造は、ヨードビニル誘導体の製造よりも単純である
・ 「高位」クプラートとビニルスタンナンとの反応には、ディープフリージングが必要ない。
方法の欠点：
・ これは有毒なＣｕＣＮ試薬を使用する
・ ビニルスタンナンは、ＴＭＳ－オクチノール（ＴＭＳ＝トリメチルシリル－）をトリブチルスズヒドリドで還元することにより製造する。還元中に、１５％のｃｉｓ異性体不純物が形成される（図５）。
Figure 0007292255000008
特許明細書特許文献３ではさらなる開発が記載されており、ＴＭＳ－オクチノールの還元を、すなわち、ジルコノセンクロリドヒドリドを使用して実行した（図６）。
Figure 0007292255000009
生成するビニルジルコニウム誘導体から「高位」クプラート試薬を製造し、ＴＥＳ－シクロペンテノンと反応させた。ＴＥＳ基の酸性加水分解後、ミソプロストールを得た。
方法の利点：
・ ビニルジルコニウム誘導体はｃｉｓ異性体が混入していない。
方法の欠点：
・ ジルコノセンクロリドヒドリドは高価な試薬である。
特許明細書特許文献４に記載の方法では、共役付加反応用のビニルクプラート試薬は、最初にアルキルリチウムをハロゲン化銅と反応させ、次いで、得られた「低位」ジアルキルクプラートをビニルスタンナンで処理することによって得た。（図７）。
Figure 0007292255000010
方法について検討したところ、ジアルキルクプラートの製造にアルキルリチウム２当量超を使用すると、「低位」クプラートとビニルスタンナンとの反応が０－（－）－３０℃で実行が可能であり、ビニルクプラートを得るために（－７８）℃に冷却する必要はない、ことがわかった。
アルキルリチウムの量が２当量以下の場合、ビニルクプラートは形成されない。
アルキルリチウムの量が高すぎる場合、望ましくない副生成物が発生する。
当該特許の特許請求の範囲に記載されているように、アルキルリチウムの比は、ハロゲン化銅１ｍｏｌに対して２．０５～４ｍｏｌである。
有利なモル比は：アルキルリチウム：ハロゲン化銅＝２．１～２．２５：１である。
添加順序の効果についても調査した。ハロゲン化銅－アルキルリチウム－ビニルスタンナンまたはビニルスタンナン－ハロゲン化銅－アルキルリチウムの順は、ビニルクプラート試薬を得るのに等しく適用可能であった。
方法の利点：
・ アルキルリチウム２当量超を使用することにより、ビニルクプラート試薬は０－（－）－３０℃で製造可能であり、（－７８）℃までのディープフリージングは必要がない。
・有毒なＣｕＣＮの使用が回避される。
方法の欠点：
・ アルキルリチウムの過剰量によって、望ましくない副生成物の形成が引き起こされる（例えば、１，４－付加の代わりに１，２－付加が発生する）
・ 副生成物が形成されるので、収率がより低い。
特許明細書特許文献５に記載の方法では、非保護オクチノールをトリブチルスズヒドリドと反応させた。
すなわち、非保護ｃｉｓ－およびｔｒａｎｓ－ＨＯ－ビニルスタンナン異性体は、カラムクロマトグラフィーによって分離可能であり、したがって、カップリング反応で使用されるクプラート試薬は、ｃｉｓ－異性体の夾雑物を含有しないことになる（図８）。
Figure 0007292255000011
次いで、種々のモル比の銅塩（ＣｕＹ）、アルキルリチウム（ＲＬｉ）、ルイス酸（Ｇ）およびリチウム塩（Ｚ）の存在下で、ｔｒａｎｓ－ＨＯ－ビニルスタンナンを所要のビニルクプラート試薬に変換した（図９）。
ビニルクプラートを製造する際に、試薬の添加順序も変化させ、調査した。
Figure 0007292255000012
Figure 0007292255000013
ＣｕＹ：ＲＬｉ比が１：３または１：４であった場合、クプラートカップリング反応の収率は最高であった。
添加物（ルイス酸、リチウム塩）はクプラートカップリングの収率を改善しなかった。
試薬の添加順序は、反応に実際には影響しなかった。
方法の利点：
・ ｃｉｓスタンナン不純物を除去する簡単な方法
・ クプラート試薬は０－（－）－４０℃で製造され、ディープフリージングは必要がない。
方法の欠点：
・ 有毒なシアン化銅の使用。
特許明細書特許文献６では、二成分カップリングによるプロスタグランジンの製造が記載されている。方法によれば、保護されたシクロペンテノンを、ロジウム含有［ＲｈＣｌ（１，５－シクロオクタジエン）］２触媒の存在下でビニルボロン誘導体と反応させる（図１０）。
Figure 0007292255000014
方法の利点
・ ディープフリージング下での反応は不要
・ 有毒な有機銅化合物もしくは有機スズ化合物、または高価で化学的に敏感な有機ジルコニウム化合物を使用しない
・ 有毒なシアン化物リガンドを使用しない。
方法の欠点：
・ カップリングは、スケールアップを妨げるマイクロ波反応器で実行する必要がある
・ 加熱条件下で、カップリング反応は行うのに数日を要する。
ＣＡ１０４０１９７Ａ ＵＳ４９０４８２０ ＵＳ５０５５６０４ ＵＳ５６８４１７７ ＥＰ０９４３６０７ ＷＯ２０１６００５９４３Ａ１
ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄｒｕｇｓ．ｃｏｍ／ｐｒｏ／ｍｉｓｏｐｒｏｓｔｏｌ．ｈｔｍｌ、２０１６年２月１８日ダウンロード ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｄｒｕｇｓ．ｃｏｍ／ｃｄｉ／ｄｉｃｌｏｆｅｎａｃ－ｍｉｓｏｐｒｏｓｔｏｌ．ｈｔｍｌ、２０１６年２月１８日ダウンロード ｈｔｔｐｓ：／／ｗｗｗ．ｆｅｒｒｉｎｇ．ｃｏｍ／ｅｎ／ｍｅｄｉａ／ｐｒｅｓｓ－ｒｅｌｅａｓｅｓ／２０１３／ｍｉｓｏｄｅｌ－１７ｏｃｔ１３／、２０１６年２月１８日ダウンロード
本発明の主題は、一般式Ｉ
Figure 0007292255000015
 （式中、Ｒは、直鎖状または分枝鎖状のＣ１～４アルキル基を表す）
の化合物の製造方法であって、
一般式ＩＩＩのビニルスタンナンをハロゲン化銅ＣｕＸおよびアルキルリチウムＲ１Ｌｉと反応させることにより製造した、一般式ＩＩのビニルクプラートと
Figure 0007292255000016
 （式中：
Ｒ２は、Ｈ、または、トリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基のような、ケイ素原子を含有する場合もあるアルコール保護基、またはテトラヒドロピラニル、メトキシメチルもしくはエトキシメチル基のような、酸素原子を含有する環状のもしくは開鎖のアルキル基を表し；
ＸはＩ、Ｂｒ、ＣＮ、ＳＣＮ、ＯＳ０２ＣＦ３を意味し、
Ｒ１はＣ１～６アルキル基を表し、
Ｒ２が水素原子ではない場合はｎ＞２であり、Ｒ２が水素原子である場合はｎ＞３である）、
クプラート反応に参加する、一般式ＩＶの保護されたエノンと
Figure 0007292255000017
 （式中、Ｒ３はＴＨＰ基またはトリアルキルシリル基を表し、Ｒの意味は上で定義の通りである）
のクプラートカップリングによる製造方法であり、
ａ．）ヨウ化Ｃｕ（ｌ）に比して
Ｒ２≠Ｈの場合、２～２．４のモル比で、
Ｒ２＝Ｈの場合、３～３．４のモル比で
適用されるアルキルリチウムの過剰量を、ＩＩおよびＩＶのカップリング反応の前に分解すること、
ｂ．）生じた一般式Ｖ
Figure 0007292255000018
 （式中、Ｒ、Ｒ２およびＲ３の意味は上で定義の通りである）
の化合物の保護基を除去し、得られた一般式Ｉの化合物をクロマトグラフィーにより精製すること
を特徴とする、製造方法である。
ミソプロストールを、すなわちＲがメチル基を表す本発明による化合物Ｉを製造するために、クプラートカップリングに必要な試薬は、ビニルスタンナン（ｔｒａｎｓ異性体とｃｉｓ異性体８５：１５比の混合物）をヨウ化銅およびメチルリチウムと反応させることにより製造する。
特許明細書ＵＳ５６８４１７７では、クプラート試薬製造におけるハロゲン化銅（Ｉ）に比したアルキルリチウムのモル比が詳細に研究されている。特許請求の範囲に示されているように、アルキルリチウムの量は、ハロゲン化銅（Ｉ）１ｍｏｌに対して２．０５～４ｍｏｌである。好ましいアルキルリチウム－ハロゲン化銅（Ｉ）比は２．１～２．２５：１である。
本発明の実験によれば、許容される収率でビニルクプラート試薬を得るために、ＭｅＬｉ／ＣｕＩモル比は２超とする必要がある。本発明の場合（Ｒ２≠Ｈ）２．４倍過剰が最も好都合であることが判明した。
しかし、メチルリチウムの過剰量は副生成物の形成を引き起こし、これは収率を低下させ、生成物の精製をより困難とする。
本発明の新規性は、クプラート試薬の形成後、しかしクプラートカップリングの前に、メチルリチウム過剰量を「ワンポット」法で分解することである。
本発明の方法では、メチルリチウム過剰量の効果でもって、ビニルクプラート試薬を十分に高い変換率で形成し、メチルリチウムの過剰量はクプラート試薬の形成後に分解されるので、カップリング反応から生じる不純物の量は著明に減少する。
メチルリチウム過剰量の分解は、非水性媒体中でメチルリチウムと反応するいかなる種類の化合物を用いて行うことが可能であるが、それ自体とメチルリチウムで得られたその誘導体両方とも、出発材料またはクプラート共役付加の生成物とは反応しない。
メチルリチウム過剰量を分解するのに適した試薬は、ケトン、エステル、ハロゲン化シリル化剤である。
メチルリチウムの過剰量を分解するのに最も適した試薬は、その過剰量およびメチルリチウム反応でそれから生じる化合物が、例えば蒸発によりまたはクロマトグラフィー精製により反応混合物から容易に除去されるので、低分子量のケトン、エステルまたはハロゲン化シリル化剤である。
メチルリチウムの過剰量を分解するのに最も適した試薬は、アセトン、酢酸エチルまたはクロロトリメチルシランである。
酸性分解後、メチルリチウムとアセトンとの反応により、第三級ブタノールが生成し、酢酸エチルとの反応により、アセトンまたはアセトンと第三級ブタノールとが得られ、クロロトリメチルシランとの反応により、テトラメチルシランが生成する。これらの化合物はそれぞれ低沸点であり、単純な蒸発により反応混合物から除去することができる。
メチルリチウム過剰量の分解に続いて、ビニルクプラート試薬を、テトラヒドロフラン中、（－）－５５℃でＴＭＳ－エノンとワンポット反応で反応させる。
分解および後処理後に得られる反応混合物は、保護されたＴＭＳ－ミソプロストール粗生成物を含有する。
トシル酸ピリジニウムによりメタノール中で保護基を除去すると、粗ミソプロストールが得られる。
ミソプロストールは油状物であり、ＵＳＰおよびＰｈＥｕｒの仕様で要求される品質に適合するために、カラムクロマトグラフィーにより精製する必要がある。
Figure 0007292255000019
カラムクロマトグラフィー精製については、グラビティクロマトグラフィーを選択した。
グラビティクロマトグラフィーは、高圧分取クロマトグラフィーまたは中圧「フラッシュ」クロマトグラフィーよりも有利である、なぜなら、
・ これは、コスト節約であり、産業的に実現しやすい
・ これは、高価な耐圧装置を必要としない
・ 固定相に使用されるシリカゲルは、中圧および高圧クロマトグラフィーシステムで使用されるシリカゲルよりも安価である
・ グラビティクロマトグラフィーで使用されるカラムでは、生産時間を短縮する１回のランで精製が実行される、
からである。
固定相としての精製方法では、本発明者らは、最も広く使用されかつ最も経済的なイレギュラーＫｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ）（メーカー：Ｍｅｒｃｋ）、かなりより高価なスフェリカルＹＭＣ Ｓ７５、ＹＭＣ Ｓ１５０（メーカー：ＹＭＣ Ｃｏ．Ｌｔｄ．）、Ｃｈｒｏｍａｔｏｒｅｘ ＭＢ７０－４０／７５、Ｃｈｒｏｍａｔｏｒｅｘ ＭＢ７０－７５／２００（メーカー：Ｆｕｊｉ Ｓｉｌｙｓｉａ Ｃｈｅｎ．Ｌｔｄ）およびイレギュラーＳｅｐｒａ Ｓｉｌｉｃａ ５０（Ｆｅｎｏｍｅｎｅｘ Ｌｔｄ）の各シリカゲルを適用した。
溶離液に関しては、本発明者らは、多成分混合物を使用した。多成分系の極性成分に関しては、本発明者らはケトンタイプ、エーテルタイプ、エステルタイプ系およびアルコールタイプの各溶媒を適用し、一方、非極性成分については、本発明者らは炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素およびエーテルタイプの各溶媒を使用した。
したがって、溶媒の段階的勾配混合物：
ヘキサン：酢酸エチル、
トルエン：酢酸エチル、トルエン：テトラヒドロフラン
ジクロロメタン：アセトン、ジクロロメタン：メチルエチルケトン、ジクロロメタン：テトラヒドロフラン
ジイソプロピルエーテル：アセトン、ジイソプロピルエーテル：メチルエチルケトン、ジイソプロピルエーテル：イソプロパノール
ジイソプロピルエーテル：アセトン：メタノール
を適用した。
本発明のクロマトグラフィーの実験中に、本発明者らは、アルコールを含有する溶媒混合物を使用することによって最適な精製に到達可能であることを見いだした。しかし、一不純物、８－イソ－ミソプロストールの量は、クロマトグラフィー精製中に、減少するのではなく、著明に増加し、したがって、この方法の使用は問題ありとした。
問題の解決策は、酢酸またはギ酸を０．１～０．０１％、好ましくは０．０５％、クロマトグラフィーの溶離液に加えるという、本発明の革新的な発見によってもたらされた。溶離液の酸性度によって、両性であるシリカゲルの塩基性部位が遮断され、したがって、塩基の効果で起こる、化学的に敏感なミソプロストールの８－イソ－ミソプロストールへの分解が妨げられた。
酸の好都合な効果は、酸含有量０．０１％未満では現れないが、一方、酸含有量０．１％超は、ミソプロストールＡおよび８－イソ－ミソプロストール不純物の形成を引き起こす可能性がある。
８－イソ－ミソプロストール不純物の形成を妨げるには、酢酸およびギ酸の両方が適しているが、除去するのがより容易であるので、ギ酸の使用がより有利である。
現行の仕様に準拠する品質に適合するミソプロストール製品は、ＹＭＣ Ｓ７５シリカゲルと、溶離液として、０．０５％のギ酸を含有する、ジイソプロピルエーテル：イソプロパノール勾配混合物とを使用することにより、最高の収率で得られた。
はるかに安価なＫｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ）シリカゲルを適用すると、ミソプロストールの前に溶出する不純物の量は仕様で許容される値まで減少したが、ＲＲＴ＞１で溶出する関連不純物の量は許容される０．１０質量％よりも依然として高いままであった。
しかし、精製クロマトグラフィーの濃縮された主要画分が活性炭を通すろ過によって清澄化された場合、驚くべきことに、本発明者らは、その量が許容限度０．１０質量％未満まで減少する程度で、ミソプロストールよりも極性の高い除去困難な関連不純物が活性炭の表面に結合することを、見いだした。
したがって、適切な品質のミソプロストールは、溶離液としてジイソプロピルエーテル：イソプロパノール ギ酸０．０５％混合物を使用する高価なスフェリカルＹＭＣ Ｓ７５シリカゲルでのクロマトグラフィーによるだけではなく、溶離液としてジイソプロピルエーテル：イソプロパノール ギ酸０．０５％混合物またはジイソプロピルエーテル：アセトン：メタノール ギ酸０．０５％混合物を使用する、はるかに安価なイレギュラーＫｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ）シリカゲルでのクロマトグラフィーと、それに続く活性炭でのろ過によっても、製造することができる。
ミソプロストールの精製方法の最後の工程は、精製中に使用した溶媒から生じる夾雑物を除去するためのシリカゲルを通すろ過である。
蒸留したジクロロメタン：アセトン ギ酸０．０５％溶媒およびメチルｔｅｒｔ－ブチルエーテル：アセトンおよびギ酸０．０５％溶媒の段階的勾配混合物を使用して、Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ）シリカゲルでシリカゲルを通すろ過を実行した。
生成物を含有する画分を合わせ、炭酸水素ナトリウム溶液および水で洗浄し、清澄化し、脱水し、ろ過し、蒸発させた。
本発明による上の方法を適用して、現行の仕様に適合する適切な品質のミソプロストール製品を製造することができる。
以下に、本発明者らは、上の精製方法に適用されるいくつかの固定相の特性を実証する。
Ｆｕｊｉ Ｓｉｌｙｓｉａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｌｔｄ．
Figure 0007292255000020
Figure 0007292255000021
ＹＭＣ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
Figure 0007292255000022
（±）－５－オキソ－３－［（トリメチルシリル）オキシ］－１－シクロペンテン－１－ヘプタン酸メチルエステル
Figure 0007292255000023
 ３－ヒドロキシ－５－オキソ－１－シクロペンテン－１－ヘプタン酸メチルエステル（ＨＯ－エノン）１９５５ｇを不活性雰囲気下でテトラヒドロフラン（２０ｋｇ）に溶かした。この溶液にトリエチルアミン１．７Ｌ、次いでクロロトリメチルシラン１．１４Ｌを加えた。所望の変換率に達した後、クロロトリメチルシランの過剰量をメタノールで分解し、反応混合物をろ過し、沈殿物をテトラヒドロフランで洗浄し、液体ろ液にトリエチルアミンを加え、混合物を蒸発によって濃縮した。
シリル化生成物（ＴＭＳ－エノン）を、さらに精製することなく次の反応工程に移した。
（±）－（１１α，１３Ｅ）－１６－メチル－９－オキソ－１１，１６－ビス［（トリメチルシリル）オキシ］－１３－エン－プロスタン酸メチルエステル
クプラート試薬の製造
Figure 0007292255000024
メチルリチウム過剰量の分解
Figure 0007292255000025
カップリング（共役付加）
Figure 0007292255000026
クプラート試薬の製造
トリブチル［１（Ｅ）－４－メチル－４－［（トリメチルシリル）オキシ］１－オクテン－１－イル］－スタンナン（ビニルスタンナン）８．４ｋｇを不活性雰囲気中でテトラヒドロフランに溶かした。この溶液にヨウ化銅（ｌ）２．７２ｋｇを加えた。反応混合物を室温で３０分間アジテーションし、次いで（－）－３５℃に冷却し、メチルリチウム３４．５ｍｏｌに当量のメチルリチウム溶液を加え、反応混合物を（－）－２０～（－）－２５℃でアジテーションした。３０分間の撹拌後の変換率が十分でない場合、メチルリチウム０．７ｍｏｌにさらなる量の当量のメチルリチウム溶液を加え、（－）－２０～（－）２５℃での撹拌をさらに３０分間続けた。
カップリング（共役付加）
反応混合物を（－）－６０℃に冷却し、メチルリチウム過剰量を分解するためにアセトンを加えた。（－）－５５℃で、ＴＭＳ－エノン誘導体のテトラヒドロフラン溶液を反応混合物に加えた。３０～４０分のアジテーション後、反応混合物を、塩化アンモニウム－水酸化アンモニウム溶液（水７７ｋｇ、水酸化アンモニウム溶液９．２ｇ、塩化アンモニウム２５．３ｋｇ）にこれを加えることにより、分解した。
分解した反応混合物をメチルｔｅｒｔ－ブチルエーテルで抽出し、有機相を硫酸水素ナトリウムの塩化ナトリウム溶液で、次いで飽和塩化ナトリウム溶液で洗浄し、次いで硫酸ナトリウムで脱水した。
蒸発させた反応混合物を、さらに精製することなく次の反応工程に移した。
ミソプロストール
（±）－（１１α，１３Ｅ）－１１、１６－ジヒドロキシ－１６－メチル－９－オキソ－１３－エン－プロスタン酸メチルエステル
Figure 0007292255000027
 実施例２によるカップリング反応で製造したＴＭＳ－ミソプロストール（８．１１ｍｏｌ）を室温でメタノール（１７ｋｇ）に溶かし、トシル酸ピリジニウム２０５ｇをこれに加え、所望の変換率に到達するまで、混合物をアジテーションした。次いで、混合物を塩化ナトリウム溶液へと入れた。生成物をメチルｔｅｒｔ－ブチルエーテルで抽出し、合わせた有機相を塩化ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水し、ろ過し、ろ液溶液を蒸発させた。
ミソプロストール
実施例３に従って製造した粗ミソプロストール濃縮物（８．１１ｍｏｌ）をジイソプロピルエーテルに溶かし、溶離液としてジイソプロピルエーテル：アセトン：メタノールおよびギ酸０．０５％の段階的勾配混合物を使用して、シリカゲル（Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ））１００ｋｇからできているカラムでのクロマトグラフィーにより精製した。ここで、
ジイソプロピルエーテル：アセトン：メタノール＝１００：５：２、１００：１０：２、１００：０．５：５、１００：０．５：７．５である。
合わせた主要画分を濃縮した。主要画分のジイソプロピルエーテル溶液に、これが不透明になるまでヘキサンを加え、次いでこれを、ヘキサン：アセトン＝５：１およびヘキサン：アセトン＝１：１の溶媒混合物を使用して活性炭床１．６ｋｇを通してろ過した。生成物を含有するろ液を濃縮し、濃縮中に溶媒をトルエンに変更した。
予備精製ミソプロストール濃縮物は、シリカゲル（Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ）２０ｋｇのカラムと、ジクロロメタン：アセトン＝１０：１、ギ酸０．０５％、ジクロロメタン：アセトン＝７：１、ギ酸０．０５％、メチルｔｅｒｔ－ブチルエーテル：アセトン＝２：１、ギ酸０．０５％からできている溶離液混合物とを使用するクロマトグラフィーにより精製した。
ろ過クロマトグラフィーの目的は、精製中に使用される溶媒から生じる夾雑物を除去することであり、したがって、このクロマトグラフィーには蒸留した溶媒を使用した。
クロマトグラフィーの主要画分を炭酸水素ナトリウム溶液で中和し、水で中性になるまで洗浄し、活性炭を含有する硫酸ナトリウムで脱水し、ろ過し、蒸発させ、溶媒なしとした。
収率：１．６５ｋｇ、５３％（ＨＯ－エノンで計算）、無色の油状物。
ミソプロストール
実施例３に従ってエノン１．３ｍｏｌから製造した粗ミソプロストール濃縮物（１．３ｍｏｌ）をメチルｔｅｒｔ－ブチルエーテルに溶かし、シリカゲル（ＹＭＣ Ｓ７５）２２．５ｋｇからできているカラムと、ジイソプロピルエーテル：イソプロパノール＝１５：１、ギ酸０．０５％およびジイソプロピルエーテル：イソプロパノール＝１０：１、ギ酸０．０５％からできている溶離液混合物とを使用するクロマトグラフィーにより精製した。
合わせた主要画分を炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄し、次いで塩化ナトリウム溶液で洗浄し、中和された溶液を蒸発させた。蒸発後に得られた濃縮物をジクロロメタンに溶かし、シリカゲルカラム（Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ））と、ジクロロメタン：アセトン＝１０：１、ギ酸０．０５％、ジクロロメタン：アセトン＝７：１、ギ酸０．０５％およびメチルｔｅｒｔ－ブチルエーテル：アセトン＝２：１、ギ酸０．０５％からできている溶離液混合物とを使用するクロマトグラフィーにより精製した。
ろ過クロマトグラフィーには蒸留した溶媒を使用した。
合わせた主要画分を炭酸水素ナトリウム溶液で、次いで水で中性になるまで洗浄し、活性炭を含有する硫酸ナトリウムで脱水し、ろ過し、蒸発させて、溶媒なしとした。
収率：２７５ｇ、５５％（ＨＯ－エノンで計算）、無色の油状物。

Claims (16)

  1. 一般式Ｉ
    Figure 0007292255000028
     （式中、Ｒは、直鎖状または分枝鎖状のＣ1～4アルキル基を表す）
    の化合物の製造方法であって、
    一般式ＩＩＩのビニルスタンナンをＣｕＸおよびアルキルリチウムＲ1Ｌｉと反応させ
    ることにより製造した、一般式ＩＩのビニルクプラートと
    Figure 0007292255000029
     （式中：
    Ｒ2は、Ｈ、または、トリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔｅｒｔ－ブチルジメチ
    ルシリル基のような、ケイ素原子を場合により含有するアルコール保護基、またはテトラヒドロピラニル、メトキシメチルもしくはエトキシメチル基のような、酸素原子を含有する環状のもしくは開鎖のアルキル基を表し；
    Ｘはヨウ素原子、臭素原子を意味し、
    Ｒ1はＣ1～6アルキル基を表し、
    Ｒ2の意味が水素原子以外である場合はｎ＞２であり、Ｒ2の意味が水素原子である場合はｎ＞３である）、
    クプラート反応に参加する、一般式ＩＶの保護されたエノンと
    Figure 0007292255000030
     （式中、Ｒ3はＴＨＰ基またはトリアルキルシリル基を表し、Ｒの意味は上で定義の通り
    である）
    のクプラートカップリングによる該製造方法であり、
    ａ．）ＣｕＸに比して
    Ｒ2≠Ｈの場合、２～２．４のモル比で、
    Ｒ2＝Ｈの場合、３～３．４のモル比で
    適用されるアルキルリチウムの過剰量を、一般式ＩＩおよびＩＶの化合物のカップリング反応の前に分解すること、
    ｂ．）生じた一般式Ｖ
    Figure 0007292255000031
     （式中、Ｒ、Ｒ2およびＲ3の意味は上で定義の通りである）
    の化合物の保護基を除去し、得られた一般式Ｉの化合物をクロマトグラフィーにより精製すること
    を特徴とする、前記製造方法。
  2. アルキルリチウム過剰量の分解は、低分子量のケトン、エステルまたはトリアルキルシリルハロゲニド化合物を用いて実行されることを含む、請求項１に記載の方法。
  3. アルキルリチウム過剰量の分解は、アセトンまたは酢酸エチルを用いて実行されることを含む、請求項２に記載の方法。
  4. ミソプロストールの精製は、グラビティカラムクロマトグラフィーによるシリカゲルカラムで実行されることを含む、請求項１に記載の方法。
  5. シリカゲルでのクロマトグラフィーについては、多成分段階的勾配混合物が溶離液として使用されることを含む、請求項４に記載の方法。
  6. 多成分溶離液混合物は少量の酸を含有することを含む、請求項５に記載の方法。
  7. 少量の酸は０．１～０．０１％の酢酸またはギ酸であることを含む、請求項６に記載の方法。
  8. シリカゲルクロマトグラフィーの溶離液は、０．０５％のギ酸を含有することを含む、請求項７に記載の方法。
  9. ミソプロストールの精製は、精製クロマトグラフィーおよびろ過クロマトグラフィーによって実行されることを含む、請求項４に記載の方法。
  10. 精製クロマトグラフィーによって技術的および関連する不純物を除去し、一方、ろ過クロマトグラフィーによって溶媒の夾雑物を除去することを含む、請求項９に記載の方法。
  11. 精製クロマトグラフィーについては、スフェリカルＹＭＣ Ｓ７５シリカゲルが使用されるか、またはイレギュラーＫｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ）シリカゲルおよび活性炭を通すろ過が適用されることを含む、請求項１０に記載の方法。
  12. 精製クロマトグラフィーの多成分溶離液は、ジイソプロピルエーテル、Ｃ1～6アルコール、場合によりアセトン、メチルエチルケトンおよび０．０５％のギ酸を含有することを含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 精製クロマトグラフィーの溶離液は、０．０５％のギ酸を含有する、ジイソプロピルエーテル：イソプロパノール溶媒またはジイソプロピルエーテル：アセトン：メタノール溶媒の段階的勾配混合物であることを含む、請求項１２に記載の方法。
  14. 活性炭を通すろ過は、ヘキサン：アセトン溶媒混合物を使用して実行されることを含む、請求項１０に記載の方法。
  15. ろ過クロマトグラフィーは、Ｋｉｅｓｅｌｇｅｌ Ｓｉ６０（０．０６３～０．２００ｍｍ）シリカゲルカラムで実行され、溶離液として、０．０５％のギ酸を含有する、ジクロロメタン：アセトン溶媒およびメチルｔｅｒｔ－ブチルエーテル：アセトン溶媒の段階的勾配混合物が適用されることを含む、請求項１０に記載の方法。
  16. ０．０５％の酸を含有するクロマトグラフィーの画分は、中性になるまで洗浄してから後処理することを含む、請求項６に記載の方法。
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