JP7289677B2 - 多端子コンデンサ、多端子コンデンサの製造方法、ならびに、多端子コンデンサ実装回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、多端子コンデンサおよびその製造方法と、当該多端子コンデンサが回路基板に実装された多端子コンデンサ実装回路基板に関する。

ノイズ除去や電圧変動抑制等を目的とし回路基板に実装されるコンデンサとして、図１（Ａ）に例示した貫通型コンデンサＦＴＣ（特許文献１を参照）と、図２（Ａ）に例示したＬＷ逆転型コンデンサＬＷＲＣ（特許文献２を参照）が知られている。

図１（Ａ）に例示した貫通型コンデンサＦＴＣは、直方体状のコンデンサ本体ＣＥのｄ１方向の両端部に第１外部端子ＥＴ１と第２外部端子ＥＴ２を有し、ｄ２方向の中央の両端部に第３外部端子ＥＴ３と第４外部端子ＥＴ４を有する。コンデンサ本体ＣＥは誘電体層（図示省略）を介して積層された複数の第１内部電極層（図示省略）と複数の第２内部電極層（図示省略）とを有し、各第１内部電極層の一端部は第１外部端子ＥＴ１に接続され他端部は第２外部端子ＥＴ２に接続され、各第２内部電極層の一端部は第３外部端子ＥＴ３に接続され他端部は第４外部端子ＥＴ４に接続されている。

図１（Ｂ）は前記貫通型コンデンサＦＴＣを回路基板ＣＢに実装するときのパッド形態を例示する図であり、同図のＳＰ１およびＳＰ２はシグナルパッド、ＧＰ１およびＧＰ２はグラウンドパッドである。図１（Ｃ）は前記貫通型コンデンサＦＴＣを前記回路基板ＣＢに実装した状態を例示する図であり、貫通型コンデンサＦＴＣの第１外部端子ＥＴ１および第２外部端子ＥＴ２はシグナルパッドＳＰ１およびＳＰ２にそれぞれ接続され、第３外部端子ＥＴ３および第４外部端子ＥＴ４はグラウンドパッドＧＰ１およびＧＰ２にそれぞれ接続されている。

一方、図２（Ａ）に例示したＬＷ逆転型コンデンサＬＷＲＣは、直方体状のコンデンサ本体ＣＥのｄ１方向の両端部に第１外部端子ＥＴ１と第２外部端子ＥＴ２を有し、コンデンサ本体ＣＥのｄ１方向の寸法はｄ２方向の寸法よりも小さい。コンデンサ本体ＣＥは誘電体層（図示省略）を介して積層された複数の第１内部電極層（図示省略）と複数の第２内部電極層（図示省略）とを有し、各第１内部電極層の一端部は第１外部端子ＥＴ１に接続され、各第２内部電極層の一端部は第２外部端子ＥＴ２に接続されている。

図２（Ｂ）は前記ＬＷ逆転型コンデンサＬＷＲＣを回路基板ＣＢに実装するときのパッド形態を例示する図であり、同図のＳＰはシグナルパッド、ＧＰはグラウンドパッドである。図２（Ｃ）は前記ＬＷ逆転型コンデンサＬＷＲＣを前記回路基板ＣＢに実装した状態を例示する図であり、ＬＷ逆転型コンデンサＬＷＲＣの第１外部端子ＥＴ１はシグナルパッドＳＰに接続され、第２外部端子ＥＴ２はグラウンドパッドＧＰに接続されている。

ところで、スマートフォンやノートブックコンピューター等の電子機器には、ノイズ除去や電圧変動抑制等を目的として数多くのコンデンサが回路基板に実装されている。このコンデンサには図１（Ａ）に例示したような貫通型コンデンサと図２（Ａ）に例示したようなＬＷ逆転型コンデンサが併用されるケースが少なくなく、サイズおよび静電容量等が同じ貫通型コンデンサとＬＷ逆転型コンデンサが併用されるケースも少なくない。

しかしながら、先に述べたように貫通型コンデンサとＬＷ逆転型コンデンサは外部端子の数および位置が異なるコンデンサであるため、サイズおよび静電容量等が同じものが併用されるケースであっても貫通型コンデンサとＬＷ逆転型コンデンサを個々に用意しなければならず、サイズおよび静電容量等が同じものが２種類以上必要なケースでは各種類毎に貫通型コンデンサとＬＷ逆転型コンデンサを個々に用意しなければならず、各コンデンサの保管および管理が煩雑化するとともに、この煩雑化が、コンデンサを含む電子部品が実装された電子部品実装回路基板を得る際のコスト低減の障害にもなり得る。

特開２０１８－０１９０６６号公報 特開２００６－１７３２７０号公報

本発明が解決しようとする課題は、貫通型コンデンサとして使用できるとともにＬＷ逆転型コンデンサとしても使用できる多端子コンデンサおよびその製造方法と、当該多端子コンデンサが貫通型コンデンサまたはＬＷ逆転型コンデンサとして実装された多端子コンデンサ実装回路基板を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明に係る多端子コンデンサは、誘電体膜を介して向き合う第１導体膜と第２導体膜との間で静電容量を形成し得る容量形成部を有する直方体状のコンデンサ本体を備え、前記コンデンサ本体の相対する２つの面の対向方向を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向を第３方向としたとき、前記コンデンサ本体の第３方向の一方面には、前記第１導体膜と導通する第１外部端子および第２外部端子と、前記第２導体膜と導通する第３外部端子とが設けられていて、前記第１外部端子および前記第２外部端子と前記第３外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように構成されているとともに、前記コンデンサ本体の第３方向の他方面には、前記第１導体膜と導通する第４外部端子および第５外部端子と、前記第２導体膜と導通する第６外部端子とが設けられていて、前記第４外部端子および前記第５外部端子と前記第６外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように構成されている。

また、本発明に係る多端子コンデンサの製造方法は、誘電体膜を介して向き合う第１導体膜と第２導体膜との間で静電容量を形成し得る容量形成部を有する直方体状のコンデンサ本体を作製するコンデンサ本体作製工程と、前記コンデンサ本体の相対する２つの面の対向方向を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向を第３方向としたとき、前記コンデンサ本体の第３方向の一方面に前記第１導体膜と導通する第１外部端子および第２外部端子と前記第２導体膜と導通する第３外部端子とを前記第１外部端子および前記第２外部端子と前記第３外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように作製し、前記コンデンサ本体の第３方向の他方面に前記第１導体膜と導通する第４外部端子および第５外部端子と前記第２導体膜と導通する第６外部端子を前記第４外部端子および前記第５外部端子と前記第６外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように作製する外部端子作製工程とを備える。

さらに、本発明に係る多端子コンデンサ実装回路基板は、前掲の多端子コンデンサが前記第１外部端子と前記第２外部端子と前記第３外部端子を用いて回路基板に実装されている。また、前掲の多端子コンデンサが前記第４外部端子と前記第５外部端子と前記第６外部端子を用いて回路基板に実装されている。

本発明に係る多端子コンデンサおよびその製造方法によれば、貫通型コンデンサとして使用できるとともにＬＷ逆転型コンデンサとしても使用できる多端子コンデンサを提供すことができる。また、本発明に係る多端子コンデンサ実装回路基板によれば、前掲の多端子コンデンサが貫通型コンデンサまたはＬＷ逆転型コンデンサとして実装された多端子コンデンサ実装回路基板を提供することができる。

図１（Ａ）～図１（Ｃ）は、従前の貫通型コンデンサと、同貫通型コンデンサを回路基板に実装するときのパッド形態と、同貫通型コンデンサを同回路基板に実装した状態をそれぞれ例示する図である。 図２（Ａ）～図２（Ｃ）は、従前のＬＷ逆転型コンデンサと、同ＬＷ逆転型コンデンサを回路基板に実装するときのパッド形態と、同ＬＷ逆転型コンデンサを同回路基板に実装した状態をそれぞれ例示する図である。 図３（Ａ）は本発明の適用例を示す多端子コンデンサの平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の下側面を表す同多端子コンデンサの側面図、図３（Ｃ）は図３（Ｂ）の下側面を表す同多端子コンデンサの底面図、図３（Ｄ）は図３（Ｃ）の下側面を表す同多端子コンデンサの側面図である。 図４（Ａ）は図３（Ａ）のＳ１－Ｓ１線に沿う部分省略の拡大断面図、図４（Ｂ）は図３に示したコンデンサ本体の図３（Ａ）対応の平面図、図４（Ｃ）は図３に示したコンデンサ本体の図３（Ｃ）対応の底面図である。 図５（Ａ）は図４（Ａ）に示した基板部の図３（Ａ）対応の平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＳ２－Ｓ２線に沿う断面図、図５（Ｃ）は基板部作製工程の説明図である。 図６（Ａ）および図６（Ｂ）は容量形成部作製工程（第１導体膜作製工程）の説明図である。 図７（Ａ）および図７（Ｂ）は容量形成部作製工程（誘電体膜作製工程）の説明図である。 図８（Ａ）および図８（Ｂ）は容量形成部作製工程（第２導体膜作製工程）の説明図である。 図９（Ａ）および図９（Ｂ）は保護膜作製工程の説明図である。 図１０（Ａ）～図１０（Ｄ）は接続導体部作製工程の説明図である。 図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は外部端子作製工程（連結導体部作製工程を含む）の説明図である。 図１２（Ａ）は図３に示した多端子コンデンサを貫通型コンデンサとして回路基板に実装するときのパッド形態を示す図、図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）は同多端子コンデンサを同回路基板に実装した状態を示す図および接続説明図、図１２（Ｄ）は図１２（Ａ）に示したパッド形態の変形例を示す図である。 図１３（Ａ）は図３に示した多端子コンデンサをＬＷ逆転型コンデンサとして回路基板に実装するときのパッド形態を示す図、図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）は同多端子コンデンサを同回路基板に実装した状態を示す図および接続説明図、図１３（Ｄ）は図１３（Ａ）に示したパッド形態の変形例を示す図である。 図１４は図３に示した多端子コンデンサの第４外部端子および第５外部端子の変形例を示す図３（Ｃ）対応図である。 図１５は図３に示した多端子コンデンサの第３外部端子の変形例を示す図３（Ａ）対応図である。

以下の説明では、後記のコンデンサ本体１１０の相対する２つの面の対向方向（図３（Ａ）の左右方向）を「第１方向ｄ１」、他の相対する２つの面の対向方向（図３（Ａ）の上下方向）を「第２方向ｄ２」、残りの相対する２つの面の対向方向（図３（Ｂ）の上下方向）を「第３方向ｄ３」と表記し、図３（Ａ）および図３（Ｂ）以外の図についてもこれら方向と同様の方向表記を行う。

また、各構成要素の第１方向ｄ１に沿う寸法を「第１方向寸法Ｄ１［構成要素の符号］」、第２方向ｄ２に沿う寸法を「第２方向寸法Ｄ２［構成要素の符号］」、第３方向ｄ３に沿う寸法を「第３方向寸法Ｄ３［構成要素の符号］」と表記する。ただし、後記の第１導体膜１１２と、誘電体膜１１３と、第２導体膜１１４と、第１保護層１１５と、第２保護層１１６と、第１外部端子１２１～第６外部端子１２６と、第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３の説明にあっては、理解促進を図るために「厚さ」の用語を併用する。ちなみに、各寸法として例示した数値は設計上の基準寸法を意味するものであって、製造上の寸法公差を含むものではない。

まず、図３および図４、必要に応じ図６～図１１を適宜用いて、本発明の適用例である多端子コンデンサ１００の構成について説明する。

多端子コンデンサ１００は、図３に例示したように、
・直方体状のコンデンサ本体１１０と、
・コンデンサ本体１００の第３方向ｄ３の一方面（図３（Ｂ）の上面）に設けられた第１
外部端子１２１、第２外部端子１２２および第３外部端子１２３と、
・コンデンサ本体１００の第３方向ｄ３の他方面（図３（Ｂ）の下面）に設けられた第４
外部端子１２４、第５外部端子１２５および第６外部端子１２６と、
・第１外部端子１２１と第４外部端子１２４とを連結する第１連結導体部１３１と、
・第２外部端子１２２と第５外部端子１２５とを連結する第２連結導体部１３２と、
・第３外部端子１２３と第６外部端子１２６とを連結する第３連結導体部１３３と、
を備える。

《コンデンサ本体》
コンデンサ本体１１０について図３に準じて説明すると、コンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］は第２方向寸法Ｄ２［１１０］よりも大きく、第３方向寸法Ｄ３［１１０］は第２方向寸法Ｄ２［１１０］よりも小さい。第１方向寸法Ｄ１［１１０］と第２方向寸法Ｄ２［１１０］と第３方向寸法Ｄ３［１１０］の数値は第１方向寸法Ｄ１［１１０］＞第２方向寸法Ｄ２［１１０］の関係、または、これに加えて第３方向寸法Ｄ３［１１０］＜第２方向寸法Ｄ２［１１０］の関係を満足していれば特段の制限はない。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、コンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］としては４００～１６００μｍの範囲を例示でき、第２方向寸法Ｄ２［１１０］としては２００～８００μｍの範囲を例示でき、第２方向寸法Ｄ２［１１０］としては１００μｍ以下、または、５０μｍ以下を例示できる。

コンデンサ本体１１０は、
・複数の貫通孔１１１ａを有する直方体状の基板部１１１（図４（Ａ）と図５（Ａ）およ
び図５（Ｂ）を参照）と、
・基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図４（Ａ）の上面）と第３方向ｄ３の他方面（
図４（Ａ）の下面）と各貫通孔１１１ａの内壁とを連続して覆う第１導体膜１１２（図
４（Ａ）と図６を参照）と、
・第１導体膜１１２を覆う誘電体膜１１３（図４（Ａ）と図７を参照）と、
・誘電体膜１１３を覆う第２導体膜１１４（図４（Ａ）と図８を参照）と、
を有し、誘電体膜１１３を介して向き合う第１導体膜１１２と第２導体膜１１３との間で静電容量を形成し得る容量形成部（符号省略）が構成されている。

基板部１１１と複数の貫通孔１１１ａについて図５に準じて説明すると、基板部１１１の第１方向寸法Ｄ１［１１１］は第２方向寸法Ｄ２［１１１］よりも大きく、第３方向寸法Ｄ３［１１１］は第２方向寸法Ｄ２［１１１］よりも小さい。各貫通孔１１１ａの形状は第１方向寸法Ｄ１［１１１ａ］が第２方向寸法Ｄ２［１１１ａ］よりも大きな４角柱状であり、貫通孔１１１ａの総数は１０５個であり、貫通孔１１１ａの並び方は第１方向ｄ１が７個で第２方向ｄ２が１５個の格子状配列であり、第１方向ｄ１に並ぶ貫通孔１１１ａの間隔は等しく第２方向ｄ２に並ぶ貫通孔１１１ａの間隔も等しい。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、基板部１１１の第１方向寸法Ｄ１［１１１］と第２方向寸法Ｄ２［１１１］と第３方向寸法Ｄ３［１１１］それぞれの数値範囲は、前述のコンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］と第２方向寸法Ｄ２［１１０］と第３方向寸法Ｄ３［１１０］それぞれの数値範囲に適合していればよい。また、貫通孔１１１ａの第１方向寸法Ｄ１［１１１ａ］としては５～２０μｍの範囲を例示でき、第２方向寸法Ｄ２［１１１ａ］としては０．５～２μｍの範囲を例示でき、第１方向ｄ１に並ぶ貫通孔１１１ａの間隔としては１～１０μｍの範囲を例示でき、第２方向ｄ２に並ぶの貫通孔１１１ａの間隔としては０．５～２μｍの範囲を例示できる。

なお、図５（Ａ）および図５（Ｂ）には、計１０５個の貫通孔１１１ａを例示したが、貫通孔１１１ａの総数は基板部１１１のサイズの大小や後述の静電容量の大小等に応じて変更可能である。また、第１方向寸法Ｄ１［１１１ａ］＞第２方向寸法Ｄ２［１１１ａ］の貫通孔１１１ａを例示したが、第１方向寸法Ｄ１［１１１ａ］＝第２方向寸法Ｄ２［１１１ａ］や第１方向寸法Ｄ１［１１１ａ］＜第２方向寸法Ｄ２［１１１ａ］であってもよい。さらに、４角柱状の貫通孔１１１ａを例示したが、後述と同様の静電容量の形成が可能であれば、５角以上の多角柱状や円柱状や楕円柱状等に変更可能である。さらに、複数の貫通孔１１１ａを格子状配列で並べたものを例示したが、後述と同様の静電容量の形成が可能であれば、千鳥状配列等に変更可能である。

第１導体膜１１２は、基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図４（Ａ）の上面）に在る矩形状の第１面状部１１２ａ（図６（Ｂ）を参照）と、基板部１１１の第３方向ｄ３の他方面（図４（Ａ）の下面）に在る矩形状の第２面状部１１２ｂ（図６（Ｂ）を参照）と、基板部１１１の各貫通孔１１１ａ内に在る４角筒状の筒状部１１２ｃ（図６（Ｂ）を参照）とを連続して有する。

誘電体膜１１３は、基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図４（Ａ）の上面）に在る矩形状の第１面状部１１３ａ（図７（Ｂ）を参照）と、基板部１１１の第３方向ｄ３の他方面（図４（Ａ）の下面）に在る矩形状の第２面状部１１３ｂ（図７（Ｂ）を参照）と、基板部１１１の各貫通孔１１１ａ内に在る４角筒状の筒状部１１３ｃ（図７（Ｂ）を参照）とを連続して有する。

第２導体膜１１４は、基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図４（Ａ）の上面）に在る矩形状の第１面状部１１４ａ（図８（Ｂ）を参照）と、基板部１１１の第３方向ｄ３の他方面（図４（Ａ）の下面）に在る矩形状の第２面状部１１４ｂ（図８（Ｂ）を参照）と、基板部１１１の各貫通孔１１１ａ内に在る４角筒状の筒状部１１４ｃ（図８（Ｂ）を参照）とを連続して有する。

第１導体膜１１２と誘電体膜１１３と第２導体膜１１３について図６～図８に準じて説明すると、第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａおよび第２面状部１１２ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１２ａ＆１１２ｂ］は第２方向寸法Ｄ２［１１２ａ＆１１２ｂ］よりも大きく、かつ、第１方向寸法Ｄ１［１１２ａ＆１１２ｂ］は基板部１１１の第１方向寸法Ｄ１［１１１］よりも小さく第２方向寸法Ｄ２［１１２ａ＆１１２ｂ］は基板部１１１の第２方向寸法Ｄ２［１１１］よりも小さい。

誘電体膜１１３の第１面状部１１３ａおよび第２面状部１１３ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１３ａ＆１１３ｂ］は第２方向寸法Ｄ２［１１３ａ＆１１３ｂ］よりも大きく、かつ、第１方向寸法Ｄ１［１１３ａ＆１１３ｂ］は第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａおよび第２面状部１１２ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１２ａ＆１１２ｂ］よりも小さく第２方向寸法Ｄ２［１１３ａ＆１１３ｂ］は第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａおよび第２面状部１１２ｂの第２方向寸法Ｄ２［１１２ａ＆１１２ｂ］よりも小さい。

第２導体膜１１４の第１面状部１１４ａおよび第２面状部１１４ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１４ａ＆１１４ｂ］は第２方向寸法Ｄ２［１１４ａ＆１１４ｂ］よりも大きく、かつ、第１方向寸法Ｄ１［１１４ａ＆１１４ｂ］は誘電体膜１１３の第１面状部１１３ａおよび第２面状部１１３ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１３ａ＆１１３ｂ］よりも小さく第２方向寸法Ｄ２［１１４ａ＆１１４ｂ］は誘電体膜１１３の第１面状部１１３ａおよび第２面状部１１３ｂの第２方向寸法Ｄ２［１１３ａ＆１１３ｂ］よりも小さい。このような寸法関係を持たせた理由は、後述の第１接続導体部１１７ａ～第４接続導体部１１７ｄの作製と第５接続導体部１１８ａ～第７接続導体部１１８ｃの作製に関与する。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａおよび第２面状部１１２ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１２ａ＆１１２ｂ］および第２方向寸法Ｄ２［１１２ａ＆１１２ｂ］と、誘電体膜１１３の第１面状部１１３ａおよび第２面状部１１３ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１３ａ＆１１３ｂ］と第２方向寸法Ｄ２［１１３ａ＆１１３ｂ］と、第２導体膜１１４の第１面状部１１４ａおよび第２面状部１１４ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１４ａ＆１１４ｂ］および第２方向寸法Ｄ２［１１４ａ＆１１４ｂ］それぞれの数値範囲は、前掲の関係を満足し、かつ、前述のコンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］と第２方向寸法Ｄ２［１１０］の数値範囲内にあれば特段の制限はない。また、第１導体膜１１２の厚さと誘電体膜１１３の厚さと第２導体膜１１３の厚さとしては１～５００ｎｍの範囲を例示できる。

すなわち、前記の容量形成部（符号省略）は、基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図４（Ａ）の上面）に在る第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａと誘電体膜１１３の第１面状部１１３ａと第２導体膜１１４の第１面状部１１４ａとによって形成され得る部分静電容量と、基板部１１１の第３方向ｄ３の他方面（図４（Ａ）の下面）に在る第１導体膜１１２の第２面状部１１２ｂと誘電体膜１１３の第２面状部１１３ｂと第２導体膜１１４の第２面状部１１４ｂとによって形成され得る部分静電容量と、基板部１１１の各貫通孔１１１ａ内に在る第１導体膜１１２の筒状部１１２ｃと誘電体膜１１３の筒状部１１３ｃと第２導体膜１１４の筒状部１１４ｃとによって形成され得る部分静電容量とによって、前記の静電容量を形成し得るように構成されている。

また、コンデンサ本体１１０は、
・基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図４（Ａ）の上面）に在る第１導体膜１１２と
誘電体膜１１３と第２導体膜１１４それぞれの第１面状部１１２ａ、１１３ａおよび１
１４ａを覆い隠す第１保護膜１１５（図４（Ａ）と図９（Ａ）を参照）と、
・基板部１１１の第３方向ｄ３の他方面（図４（Ａ）の下面）に在る第１導体膜１１２と
誘電体膜１１３と第２導体膜１１４それぞれの第２面状部１１２ｂ、１１３ｂおよび１
１４ｂを覆い隠す第２保護膜１１６（図４（Ａ）と図９（Ｂ）を参照）と、
・第１保護膜１１５に設けられた第１接続導体部１１７ａ～第４接続導体部１１７ｄ（図
１０（Ａ）を参照）と、
・第２保護膜１１６に設けられた第５接続導体部１１８ａ～第７接続導体部１１８ｃ（図
１０（Ｂ）を参照）と、
を有する。

第１保護膜１１５および第２保護膜１１６について図９に準じて説明すると、第１保護膜１１５の第１方向寸法Ｄ１［１１５］および第２方向寸法Ｄ２［１１５］と、第２保護膜１１６の第１方向寸法Ｄ１［１１６］および第２方向寸法Ｄ２［１１６］は、基板部１１１の第１方向寸法Ｄ１［１１１］および第２方向寸法Ｄ２［１１１］と同じかほぼ同じである。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、第１保護膜１１５の第１方向寸法Ｄ１［１１５］および第２方向寸法Ｄ２［１１５］と、第２保護膜１１６の第１方向寸法Ｄ１［１１６］および第２方向寸法Ｄ２［１１６］それぞれの数値範囲は、前述のコンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］と第２方向寸法Ｄ２［１１０］の数値範囲に適合していればよい。また、第１保護膜１１５の厚さと第２保護膜１１６の厚さとしては０．２～５μｍの範囲を例示できる。

第１接続導体部１１７ａ～第４接続導体部１１７ｄについて図１０に準じて説明すると、第１接続導体部１１７ａは、第１保護膜１１５の第１方向ｄ１の一端部（図１０（Ａ）の左端部）を第３方向ｄ３に貫くように、かつ、第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａの第１方向ｄ１の一端部（図１０（Ａ）の左端部）に接するように設けられていて、その第１方向寸法Ｄ１［１１７ａ］は第２方向寸法Ｄ２［１１７ａ］よりも小さく、第２方向寸法Ｄ２［１１７ａ］は第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａの第２方向寸法Ｄ２［１１２ａ］よりも僅かに小さい。

第２接続導体部１１７ｂは、第１保護膜１１５の第１方向ｄ１の他端部（図１０（Ａ）の右端部）を第３方向ｄ３に貫くように、かつ、第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａの他端部（図１０（Ａ）の右端部）に接するように設けられていて、その第１方向寸法Ｄ１［１１７ｂ］は第２方向寸法Ｄ２［１１７ｂ］よりも小さく、第２方向寸法Ｄ２［１１７ｂ］は第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａの第２方向寸法Ｄ２［１１２ａ］よりも僅かに小さい。

第３接続導体部１１７ｃは、第１保護膜１１５の第１方向ｄ１の一端部の中央（図１０（Ａ）の上端部の左右方向中央）を第３方向ｄ３に貫くように、かつ、第２導体膜１１４の第１面状部１１４ａの一端部の第１方向ｄ１の中央（図１０（Ａ）の上端部の左右方向中央）に接するように設けられていて、その第１方向寸法Ｄ１［１１７ｃ］は第２方向寸法Ｄ２［１１７ｃ］よりも大きく、第１方向寸法Ｄ１［１１７ｃ］は第３外部端子１２３の第１方向寸法Ｄ１［１２３］よりも僅かに小さい。

第４接続導体部１１７ｄは、第１保護膜１１５の第１方向ｄ１の他端部の中央（図１０（Ａ）の下端部の左右方向中央）を第３方向ｄ３に貫くように、かつ、第２導体膜１１４の第１面状部１１４ａの他端部の第１方向ｄ１の中央（図１０（Ａ）の下端部の左右方向中央）に接するように設けられていて、その第１方向寸法Ｄ１［１１７ｄ］は第２方向寸法Ｄ２［１１ｄｃ］よりも大きく、第１方向寸法Ｄ１［１１７ｄ］は第３外部端子１２３の第１方向寸法Ｄ１［１２３］よりも僅かに小さい。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、第１接続導体部１１７ａと第２接続導体部１１７ｂは、第１導体膜１１２と第１外部端子１２１または第２外部端子１２２との接続抵抗が高くならないようにその第１方向寸法Ｄ１［１１７ａ＆１１７ｂ］および第２方向寸法Ｄ２［１１７ａ＆１１７ｂ］を可能な限り大きくとることが好ましい。また、第３接続導体部１１７ｃと第４接続導体部１１７ｄは、第２導体膜１１４と第３外部端子１２３との接続抵抗が高くならないようにその第１方向寸法Ｄ１［１１７ｃ＆１１７ｄ］および第２方向寸法Ｄ２［１１７ｃ＆１１７ｄ］を可能な限り大きくとることが好ましい。ちなみに、第１接続導体部１１７ａ～第４接続導体部１１７ｄの第３方向寸法Ｄ３［１１７ａ～１１７ｄ］は第１保護膜１１５の厚さと同じか僅かに大きい。

第５接続導体部１１８ａ～第７接続導体部１１８ｃについて図１０に準じて説明すると、第５接続導体部１１８ａは、第２保護膜１１６の第２方向ｄ２の一端部の第１方向ｄ１の一方側（図１０（Ｂ）の上端部の左側）を第３方向ｄ３に貫くように、かつ、第１導体膜１１２の第２面状部１１２ｂの第２方向ｄ２の一端部の第１方向ｄ１の一方側（図１０（Ｂ）の上端部の左側）に接するように設けられていて、その第１方向寸法Ｄ１［１１８ａ］は第２方向寸法Ｄ２［１１８ａ］よりも大きく、第１方向寸法Ｄ１［１１８ａ］は第４外部端子１２４の第１方向寸法Ｄ１［１２４］よりも僅かに小さい。

第６接続導体部１１８ｂは、第２保護膜１１６の第２方向ｄ２の一端部の第１方向ｄ１の他方側（図１０（Ｂ）の上端部の右側）を第３方向ｄ３に貫くように、かつ、第１導体膜１１２の第２面状部１１２ｂの第２方向ｄ２の一端部の第１方向ｄ１の他方側（図１０（Ｂ）の上端部の右側）に接するように設けられていて、その第１方向寸法Ｄ１［１１８ｂ］は第２方向寸法Ｄ２［１１８ｂ］よりも大きく、第１方向寸法Ｄ１［１１８ｂ］は第５外部端子１２５の第１方向寸法Ｄ１［１２５］よりも僅かに小さい。

第７接続導体部１１８ｃは、第２保護膜１１６の第２方向ｄ２の他端部（図１０（Ｂ）の下端部）を第３方向ｄ３に貫くように、かつ、第２導体膜１１４の第２面状部１１４ｂの一端部（図１０（Ｂ）の下端部）に接するように設けられていて、その第１方向寸法Ｄ１［１１８ｃ］は第２方向寸法Ｄ２［１１８ｃ］よりも大きく、第１方向寸法Ｄ１［１１８ｂ］は第２導体膜１１４の第２面状部１１４ｂの第１方向寸法Ｄ１［１１４ｂ］よりも僅かに小さい。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、第５接続導体部１１８ａと第６接続導体部１１７ｂは、第１導体膜１１２と第４外部端子１２４または第５外部端子１２５との接続抵抗が高くならないようにその第１方向寸法Ｄ１［１１８ａ＆１１８ｂ］および第２方向寸法Ｄ２［１１８ａ＆１１８ｂ］を可能な限り大きくとることが好ましい。また、第７接続導体部１１８ｃは、第２導体膜１１２と第６外部端子１２６との接続抵抗が高くならないようにその第１方向寸法Ｄ１［１１８ｃ］および第２方向寸法Ｄ２［１１８ｃ］を可能な限り大きくとることが好ましい。ちなみに、第５接続導体部１１８ａ～第７接続導体部１１８ｃの第３方向寸法Ｄ３［１１８ａ～１１８ｃ］は第２保護膜１１６の厚さと同じか僅かに大きい。

《外部端子》
第１外部端子１２１～第３外部端子１２３について図３に準じて説明すると、第１外部端子１２１は矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面の第１方向ｄ１の一端部（図３（Ａ）の左端部）に存在し、その第１方向寸法Ｄ１［１２１］はコンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］の１／２よりも小さく、第２方向寸法Ｄ２［１２１］はコンデンサ本体１１０の第２方向寸法Ｄ２［１１０］と同じかほぼ同じである。

第２外部端子１２２は矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面の第１方向ｄ１の他端部（図３（Ａ）の右端部）に第１外部端子１２１と第１方向ｄ１に離隔して存在し、その第１方向寸法Ｄ１［１２２］はコンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］の１／２よりも小さく、第２方向寸法Ｄ２［１２１］はコンデンサ本体１１０の第２方向寸法Ｄ２［１１０］と同じかほぼ同じである。ちなみに、図３には第２外部端子１２２の第１方向寸法Ｄ１［１２２］および第２方向寸法Ｄ２［１２２］が第１外部端子１２１の第１方向寸法Ｄ１［１２１］および第２方向寸法Ｄ２［１２１］と同じものを描いている。

第３外部端子１２３は矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面の第１外部端子１２１と第２外部端子１２１との間（図３（Ａ）の左右方向中央）に第１外部端子１２１および第２外部端子１２２と非接触で存在し、その第１方向寸法Ｄ１［１２３］は第２方向寸法Ｄ２［１２３］よりも小さく、第２方向寸法Ｄ２［１２３］はコンデンサ本体１１０の第２方向寸法Ｄ２［１１０］と同じかほぼ同じである。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、第１外部端子１２１と第２外部端子１２２と第３外部端子１２３の第１方向寸法Ｄ１［１２１～１２３］および第２方向寸法Ｄ２［１２１～１２３］は、後記の回路基板２００に実装するときの接続抵抗が高くならないように可能な限り大きくとることが好ましい。ただし、第１外部端子１２１と第３外部端子１２３との間隔（第１方向ｄ１の間隔）と、第２外部端子１２２と第３外部端子１２３との間隔（第１方向ｄ１の間隔）は、後記の回路基板２００に実装するときに用いる接合材による短絡を防止するために１００μｍ以上とすることが好ましい。また、第１外部端子１２１の厚さと第２外部端子１２２の厚さと第３外部端子１２３の厚さとしては５～１０μｍの範囲を例示できる。

第４外部端子１２４～第６外部端子１２６について図３に準じて説明すると、第４外部端子１２４は矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の他方面の第２方向ｄ２の一端部の一方側（図３（Ｃ）の上端部の左側）に存在し、その第１方向寸法Ｄ１［１２４］は第１外部端子１２１の第１方向寸法Ｄ１［１２１］と同じかほぼ同じであり、第２方向寸法Ｄ２［１２４］はコンデンサ本体１１０の第２方向寸法Ｄ２［１１０］の１／２よりも小さい。

第５外部端子１２５は矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の他方面の第２方向ｄ２の一端部の他方側（図３（Ｃ）の上端部の右側）に存在し、その第１方向寸法Ｄ１［１２５］は第２外部端子１２２の第１方向寸法Ｄ１［１２２］と同じかほぼ同じであり、第２方向寸法Ｄ２［１２５］はコンデンサ本体１１０の第２方向寸法Ｄ２［１１０］の１／２よりも小さい。

第６外部端子１２６は矩形状を成していて、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の他方面の第２方向ｄ２の他端部（図３（Ｃ）の下端部）に存在し、その第１方向寸法Ｄ１［１２６］はコンデンサ本体１１０の第１方向寸法Ｄ１［１１０］と同じかほぼ同じであり、第２方向寸法Ｄ２［１２６］はコンデンサ本体１１０の第２方向寸法Ｄ２［１１０］の１／２よりも小さい。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、第４外部端子１２４と第５外部端子１２５と第６外部端子１２６の第１方向寸法Ｄ１［１２１～１２３］および第２方向寸法Ｄ２［１２１～１２３］は、後記の回路基板２００に実装するときの接続抵抗が高くならないように可能な限り大きくとることが好ましい。ただし、第４外部端子１２４と第５外部端子１２５との間隔（第１方向ｄ１の間隔）と、第４外部端子１２４および第５外部端子１２５と第６外部端子１２６との間隔（第２方向ｄ２の間隔）は、後記の回路基板２００に実装するときに用いる接合材による短絡を防止するために１００μｍ以上とすることが好ましい。また、第４外部端子１２４の厚さと第５外部端子１２５の厚さと第６外部端子１２６の厚さとしては５～１０μｍの範囲を例示できる。

すなわち、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面（図３（Ｂ）の上面、図３（Ａ）を参照）に設けられた第１外部端子１２１および第２外部端子１２２と第３外部端子１２３とによって前記の容量形成部（符号省略）で形成された静電容量を取り出せるようになっているとともに、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の他方面（図３（Ｂ）の下面、図３（Ｃ）を参照）に設けられた第４外部端子１２４および第５外部端子１２５と第６外部端子１２６とによっても前記の容量形成部（符号省略）で形成された静電容量を取り出せるようになっている。

《連結導体部》
第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３について図３に準じて説明すると、第１連結導体部１３１は矩形状を成していて、第３方向ｄ３の一端縁（図３（Ｂ）の上縁）が第１外部端子１２１の第２方向ｄ２の一端縁（図３（Ａ）の下縁）と連続し、第３方向ｄ３の他端縁（図３（Ｂ）の下縁）が第４外部端子１２４の第２方向ｄ２の一端縁（図３（Ｃ）の上縁）と連続し、その第１方向寸法Ｄ１［１３１］は第１外部端子１２１の第１方向寸法Ｄ１［１２１］および第４外部端子１２４の第１方向寸法Ｄ１［１２４］と同じかほぼ同じである。

第２連結導体部１３２は矩形状を成していて、第３方向ｄ３の一端縁（図３（Ｂ）の上縁）が第２外部端子１２２の第２方向ｄ２の一端縁（図３（Ａ）の下縁）と連続し、第３方向ｄ３の他端縁（図３（Ｂ）の下縁）が第５外部端子１２５の第２方向ｄ２の一端縁（図３（Ｃ）の上縁）と連続し、その第１方向寸法Ｄ１［１３２］は第２外部端子１２２の第１方向寸法Ｄ１［１２２］および第５外部端子１２５の第１方向寸法Ｄ１［１２５］と同じかほぼ同じである。

第３連結導体部１３３は矩形状を成していて、第３方向ｄ３の一端縁（図３（Ｄ）の下縁）が第３外部端子１２３の第２方向ｄ２の一端縁（図３（Ａ）の上縁）と連続し、第３方向ｄ３の他端縁（図３（Ｄ）の上縁）が第６外部端子１２３の第２方向ｄ２の一端縁の第１方向ｄ１の中央（図３（Ｃ）の下縁の左右方向中央）と連続し、その第１方向寸法Ｄ１［１３３］は第３外部端子１２３の第１方向寸法Ｄ１［１２３］と同じかほぼ同じである。

多端子コンデンサ１００が小型かつ薄型の場合、第１連結導体部１３１は、第１外部端子１２１と第４外部端子１２４との連結抵抗が高くならないようにその第１方向寸法Ｄ１［１３１］を可能な限り大きくとることが好ましく、第２連結導体部１３２は、第２外部端子１２２と第５外部端子１２５との連結抵抗が高くならないようにその第１方向寸法Ｄ１［１３２］を可能な限り大きくとることが好ましく、第３連結導体部１３３は、第３外部端子１２３と第６外部端子１２６との連結抵抗が高くならないようにその第１方向寸法Ｄ１［１３３］を可能な限り大きくとることが好ましい。また、第１連結導体部１３１子１２１の厚さと第２外部端子１２２の厚さと第３外部端子１２３の厚さとしては５～１０μｍの範囲を例示できる。

すなわち、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面（図３（Ｂ）の上面、図３（Ａ）を参照）に設けられた第１外部端子１２１と第３方向ｄ３の他方面（図３（Ｂ）の下面、図３（Ｃ）を参照）に設けられた第４外部端子１２４とが第１連結導体部１３１によって連結され、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面（図３（Ｂ）の上面、図３（Ａ）を参照）に設けられた第２外部端子１２２と第３方向ｄ３の他方面（図３（Ｂ）の下面、図３（Ｃ）を参照）に設けられた第５外部端子１２５とが第２連結導体部１３２によって連結され、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面（図３（Ｂ）の上面、図３（Ａ）を参照）に設けられた第３外部端子１２３と第３方向ｄ３の他方面（図３（Ｂ）の下面、図３（Ｃ）を参照）に設けられた第６外部端子１２５とが第３連結導体部１３３によって連結されているため、第１外部端子１２１および第２外部端子１２２と第３外部端子１２３とによって前記の容量形成部（符号省略）で形成された静電容量を取り出すときと、第４外部端子１２４および第５外部端子１２５と第６外部端子１２６とによって前記の容量形成部（符号省略）で形成された静電容量を取り出すときとで、取り出される静電容量に差異が生じることを極力防止できる。

次に、図６～図１１を用いて、前述の多端子コンデンサ１００の製造方法について説明する。図６～図１１には１個の多端子コンデンサ１００に対応した図を描いているが、実際は後記の接続導体部作製工程の後に所望サイズに分割する多数個取りが採用される。

多端子コンデンサ１００の製造方法は、
・基板部作製工程と、
・容量形成部作製工程と、
・保護膜作製工程と、
・接続導体部作製工程と、
・外部端子作製工程（連結導体作製工程を含む）と、
を備える

《基板部作製工程》
基板部１１１を作製する工程は、図５（Ａ）～図５（Ｃ）に例示したように、基板部１１１よりも厚さが大きな基材Ｐ１１１を用意し、この基材Ｐ１１１の第３方向ｄ３の一方面（図５（Ｃ）の上面）に貫通孔１１１ａ対応のエッチングマスク（図示省略）を形成し、このエッチングマスクを利用したエッチングにより基材Ｐ１１１に深溝Ｐ１１１ａを形成し、この後にエッチングマスクを除去するとともに、基材Ｐ１１１の第３方向ｄ３の他方面を研削等によって部分的（図５（Ｃ）のラインＲＬよりも下の部分）に除去して、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に例示した基板部１１１を得る、ことによって行われる。

基材Ｐ１１１の材料には公知の半導体または絶縁体、例えば、シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム等が使用でき、その中でもシリコン、換言すれば、シリコンウェハーを基材Ｐ１１１として使用することが好ましい。エッチング手法には公知の乾式エッチング法と湿式エッチング法が選択的に使用でき、とりわけ、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）、その中でもボッシュプロセス等の深堀りエッチング法（ＤＲＩＥ法）が好ましい。

《容量形成部作製工程》
容量形成部（符号省略）を作製する工程は、（１）図６（Ａ）および図６（Ｂ）に例示したように、基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図６（Ｂ）の上面）を覆う第１面状部１１２ａと、基板部１１１の第３方向ｄ３の他方面（図６（Ｂ）の下面）を覆う第２面状部１１２ｂと、基板部１１１の各貫通孔１１１ａの内壁を覆う筒状部１１２ｃとが連続した第１導体膜１１２を作製するステップと、（２）図７（Ａ）および図７（Ｂ）に例示したように、第１導体膜１１２の第１面状部１１２ａを覆う第１面状部１１３ａと、第１導体膜１１２の第２面状部１１２ｂを覆う第２面状部１１３ｂと、第１導体膜１１２の各筒状部１１２ｃの内面を覆う筒状部１１３ｃとが連続した誘電体膜１１３を作製するステップと、（３）図８（Ａ）および図８（Ｃ）に例示したように、誘電体膜１１３の第１面状部１１３ａを覆う第１面状部１１４ａと、誘電膜１１３の第２面状部１１３ｂを覆う第２面状部１１４ｂと、誘電体膜１１３の各筒状部１１３ｃの内面を覆う筒状部１１４ｃとが連続した第２導体膜１１４を作製するステップと、を含む。

第１導体膜１１２と第２導体膜１１４の材料には公知の導体、例えば、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、ルテニウム、タングステン、モリブテン、チタンまたはこれらの合金等の金属の他、導電性シリコーン等の導電性材料等が使用でき、その中でもチタン（窒化チタン）が好ましい。第１導体膜１１２と誘電体膜１１３と第２導体膜１１４の作製手法には公知の乾式メッキ法と湿式メッキ法、例えば、スパッタ法、蒸着法、原子層体積法（ＡＬＤ法）を含むＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法等が使用でき、その中でも原子層体積法（ＡＬＤ法）が好ましい。

《保護膜作製工程》
第１保護膜１１５と第２保護膜１１６を作製する工程は、図９（Ａ）および図（Ｂ）に例示したように、（１）基板部１１１の第３方向ｄ３の一方面（図９（Ｂ）の上面）に在る第１導体膜１１２と誘電体膜１１３と第２導体膜１１４それぞれの第１面状部１１２ａ、１１３ａおよび１１４ａを覆い隠す第１保護膜１１５を作製するステップと、（２）基板部１１１の第３方向ｄ３の他方面（図９（Ｂ）の下面）に在る第１導体膜１１２と誘電体膜１１３と第２導体膜１１４それぞれの第２面状部１１２ｂ、１１３ｂおよび１１４ｂを覆い隠す第２保護膜１１６を作製するステップと、を含む。

第１保護膜１１５と第２保護膜１１６の材料には公知の絶縁体、例えば、ポリイミド、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等が使用でき、その中でも窒化シリコンが好ましい。第１保護膜１１５と第２保護膜１１６の作製手法としては公知の膜形成法、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、印刷法等が使用でき、その中でもスピンコート法が好ましい。

なお、前記の容量形成部（符号省略）と各保護膜１１５および１１６との間に、容量形成部への水分や水素等の侵入を防止するためのバリア膜を作製してもよい。このバリア膜の厚さとしては５～５００ｎｍの範囲を例示でき、また、バリア膜の材料としては公知の絶縁体、例えば、アルミナ、ジルコニア、酸化シリコン、酸窒化シリコン等が使用でき、作製手法としてはスパッタ法、ＣＶＤ法等が使用できる。

《接続導体部作製工程》
第１接続導体部１１７ａ～第４接続導体部１１７ｄと第５接続導体部１１８ａ～第７接続導体部１１８ｃを作製する工程は、図１０（Ａ）～図１０（Ｄ）に例示したように、第１保護膜１１５の第３方向ｄ３の一方面（図１０（Ｄ）の上面）に第１接続導体部１１７ａ～第４接続導体部１１７ｄ対応のエッチングマスク（図示省略）を形成し、このエッチングマスクを利用したエッチングにより第１保護膜１１５に貫通孔ＴＨを形成し（図１０（Ｃ）を参照）、この後にエッチングマスクを除去するとともに、各貫通孔ＴＨ内に導体部ＣＰを作製する（図１０（Ｄ）を参照）。これと同様に、第２保護膜１１６の第３方向ｄ３の一方面（図１０（Ｂ）に現れている面）に第５接続導体部１１８ａ～第７接続導体部１１８ｃ対応のエッチングマスク（図示省略）を形成し、このエッチングマスクを利用したエッチングにより第２保護膜１１６に貫通孔ＴＨ（図示省略）を形成し、この後にエッチングマスクを除去するとともに、各貫通孔ＴＨ内に導体部ＣＰ（図示省略）を作製する。

エッチング手法には公知の乾式エッチング法と湿式エッチング法が選択的に使用でき、とりわけ、その中でも乾式エッチング法が好ましい。導体部ＣＰの材料には公知の導体、例えば、銅、ニッケル、スズ、パラジウム、白金、金またはこれらの合金等の金属が使用でき、その中でもニッケルが好ましい。導体部ＣＰの作製方法には公知の乾式メッキ法と湿式メッキ法、例えば、スパッタ法、蒸着法、電解メッキ法、無電解メッキ法等が使用でき、その中でも無電解メッキ法が好ましい。

《外部端子作製工程（連結導体作製工程を含む）》
外部端子作製工程（連結導体作製工程を含む）は、第１外部端子１２１～第６外部端子１２２と第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３が単一膜から成る場合と複数膜から成る場合とで異なる。これらが単一膜から成る場合は、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示したように、コンデンサ本体１１０の全表面のうち、第１外部端子１２１～第６端子１２２と第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３を作製しない部分をメッキマスクを形成し、このメッキマスクを利用したメッキにより第１外部端子１２１～第６端子１２２と第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３を作製し、作製後のメッキマスクを除去する。

単一膜の材料には公知の導体、チタン、銅、ニッケル、銀、金、プラチナ、パラジウム、スズ、クローム、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンまたはこれの合金等の金属が使用でき、その中でもチタンまたはニッケルが好ましい。また、単一膜の作製手法には公知の乾式メッキ法、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等が使用でき、その中でもスパッタ法が好ましい。無論、単一膜の作製方法には公知の焼き付け法、すなわち、導体ペーストをローラー塗布や印刷等によって塗布しこれを焼き付ける方法を採用することも可能である。

第１外部端子１２１～第６外部端子１２２と第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３が複数膜から成る場合と場合は、前記の単一膜を下地膜としてその表面に第２の膜、加えて第２の膜の表面に第３の膜、加えて第３の膜の表面に第４の膜が適宜作製される。

第２の膜以降の材料には前記の単一膜と同様の材料を使用することも可能であが、膜相互の密着性を考慮し第２の膜以降の材料を前記の単一膜と異ならせてもよい。膜数が４の場合を例に挙げると、第１の膜（前記の単一膜）をチタンとし第２の膜をニッケルとし第３の膜を銅とし第４の膜をスズとする組み合わせや、第１の膜（前記の単一膜）をニッケルとし第２の膜を銅とし第３の膜をニッケルとし第４の膜をスズとする組み合わせ等を例示できる。無論、これら以外の組み合わせを採用してもよい。第２の膜以降の作製方法には公知の湿式メッキ法、例えば、電解メッキ法、無電解メッキ法等が使用でき、その中でも電解メッキ法が好ましい。無論、第２の膜以降の作製方法には公知の焼き付け法、すなわち、導体ペーストをローラー塗布や印刷等によって塗布しこれを焼き付ける方法を採用することも可能である。

次に、図１２および図１３を用いて、前述の多端子コンデンサ１００を貫通型コンデンサとして回路基板に実装する場合とＬＷ逆転型コンデンサとして回路基板に実装する場合について説明する。

図１２（Ａ）は多端子コンデンサ１００を貫通型コンデンサとして回路基板２００に実装するときのパッド形態を例示する図であり、同図の２０１および２０２はシグナルパッド、２０３および２０４はグランドパッドである。図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）は多端子コンデンサ１００を貫通型コンデンサとして回路基板２００に実装した状態を示す図および接続説明図であり、多端子コンデンサ１００は第１外部端子１２１を半田等の接合材（図示省略）を用いてシグナルパッド２０１に接続され、第２外部端子１２２を同接合材を用いてシグナルパッド２０２に接続され、第３外部端子１２３を同接合材を用いてグランドパッド２０３および２０４に接続されている。ちなみに、図１２（Ｄ）は図１２（Ａ）に例示したパッド形態の代用となるパッド形態を例示する図であり、このパッド形態では２つのグランドパッド２０３および２０４が１つのグランドパッド２０３’として構成されている。

図１３（Ａ）は多端子コンデンサ１００をＬＷ逆転型コンデンサとして回路基板２００に実装するときのパッド形態を例示する図であり、同図の２１１はシグナルパッド、２１２はグランドパッドである。図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）は多端子コンデンサ１００をＬＷ逆転型コンデンサとして回路基板２００に実装した状態を示す図および接続説明図であり、多端子コンデンサ１００は第４外部端子１２４および第５外部端子１２５を半田等の接合材（図示省略）を用いてシグナルパッド２１１に接続され、第６外部端子１２６は同接合材を用いてグランドパッド２１２に接続されている。ちなみに、図１３（Ｄ）は図１３（Ａ）に例示したパッド形態の代用となるパッド形態を例示する図であり、このパッド形態では１つのシグナルパッド２１１が多端子コンデンサ１００の第４外部端子１２４および第５外部端子１２５に合わせて２つのシグナルパッド２１１’に分けられている。

先に述べたように、多端子コンデンサ１００は、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の一方面（図３（Ｂ）の上面、図３（Ａ）を参照）に設けられた第１外部端子１２１および第２外部端子１２２と第３外部端子１２３とによって前記の容量形成部（符号省略）で形成された静電容量を取り出せるようになっているとともに、コンデンサ本体１１０の第３方向ｄ３の他方面（図３（Ｂ）の下面、図３（Ｃ）を参照）に設けられた第４外部端子１２４および第５外部端子１２５と第６外部端子１２６とによっても前記の容量形成部（符号省略）で形成された静電容量を取り出せるようなっている。そのため、単一の多端子コンデンサ１００を貫通型コンデンサとして回路基板２００に実装した状態（図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）を参照）と、同多端子コンデンサ１００をＬＷ逆転型コンデンサとして回路基板２００に実装した状態（図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）を参照）とで得られる静電容量は同じである。

すなわち、単一サイズの多端子コンデンサ１００を貫通型コンデンサとして使用できるとともにＬＷ逆転型コンデンサとしても使用できるため、従前のようにサイズおよび静電容量等が同じものが併用されるケースにおいて貫通型コンデンサとＬＷ逆転型コンデンサを個々に用意する必要はないし、サイズおよび静電容量等が同じものが２種類以上必要なケースでも各種類毎に貫通型コンデンサとＬＷ逆転型コンデンサを個々に用意する必要はない。

つまり、ノイズ除去や電圧変動抑制等を目的として数多くのコンデンサが回路基板に実装する場合にサイズおよび静電容量等が同じ貫通型コンデンサとＬＷ逆転型コンデンサを個々に用意する必要や２種類以上を個々に用意しなければならない場合において、用意すべきコンデンサの種類を１／２にしてその保管および管理を容易化できるとともに、この容易化によって、多端子コンデンサ１００を含む電子部品実装回路基板を得る際のコスト低減にも貢献できる。

次に、前述の多端子コンデンサ１００の変形例について説明する。

（１）第１導体膜１１２と誘電体膜１１３と第２導体膜１１４を各々１つずつ用いたものを示したが、第２導体膜を覆う誘電体膜とこの誘電体膜を覆う第３導体膜を追加してこれらによって容量形成部（符号省略）が構成することも可能であり、さらに第３導体膜を覆う誘電体膜とこの誘電体膜を覆う第４導体膜を追加してこれらによって容量形成部（符号省略）が構成することも可能である。

（Ｍ２）第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３を有するものを例示したが、第１連結導体部１３１～第３連結導体部１３３を無くしても、第１外部端子１２１および第２外部端子１２２と第３外部端子１２３とによって取り出し可能な静電容量と、第４外部端子１２４および第５外部端子１２５と第６外部端子１２６とによっても取り出し可能な静電容量を同じにすることは可能である。

（Ｍ３）第１外部端子１２１の第１方向寸法Ｄ１［１２１］と第４外部端子１２４の第１方向寸法Ｄ１［１２４］と同じかほぼ同じで、第２外部端子１２２の第１方向寸法Ｄ１［１２２］と第５外部端子１２５の第１方向寸法Ｄ１［１２５］と同じかほぼ同じものを例示したが、図１４に例示したように、第４外部端子１２４’の第１方向寸法Ｄ１［１２４’］を第１外部端子１２１の第１方向寸法Ｄ１［１２１］よりも大きくし、第５外部端子１２５’の第１方向寸法Ｄ１［１２５’］を第２外部端子１２２の第１方向寸法Ｄ１［１２１］よりも大きくして、第４外部端子１２４’および第５外部端子１２５’の実装面積（接続面積）を増加してもよい。

（Ｍ４）第３外部端子１２３に第３接続導体部１１７ｃおよび第４接続導体部１１７ｄが接続されたものを例示したが、図１５に例示したように、第３外部端子１２３を、第１分割部１２３ａと、この第１分割部１２３ａと第２方向ｄ２に離隔した第２分割部１２３ｂとから構成して、第１分割部１２３ａに第３接続導体部１１７ｃを接続し、第２分割部１２３ｂに第４接続導体部１１７ｄを接続してもよい。この場合、第１分割部１２３ａが第３連結導体部１３３によって第６外部端子１２６と連結されていればよい。

１００…多端子コンデンサ、１１０…コンデンサ本体、１１１…基板部、１１１ａ…貫通孔、１１２…第１導体膜、１１２ａ…第１面状部、１１２ｂ…第２面状部、１１２ｃ…筒状部、１１３…誘電体膜、１１３ａ…第１面状部、１１３ｂ…第２面状部、１１３ｃ…筒状部、１１４…第２導体膜、１１４ａ…第１面状部、１１４ｂ…第２面状部、１１４ｃ…筒状部、１１５…第１保護膜、１１６…第２保護膜、１１７ａ…第１接続導体部、、１１７ｂ…第２接続導体部、１１７ｃ…第３接続導体部、１１７ｄ…第４接続導体部、１１８ａ…第５接続導体部、１１８ｂ…第６接続導体部、１１８ｃ…第７接続導体部、１２１…第１外部端子、１２２…第２外部端子、１２３…第３外部端子、１２３ａ…第３外部端子の第１分割部、１２３ｂ…第３外部端子の第２分割部、１２４，１２４’…第４外部端子、１２５，１２４’…第５外部端子、１２６…第６外部端子、１３１…第１連結導体部、１３２…第２連結導体部、１３３…第３連結導体部、２００…回路基板、２０１，２０２…シグナルパッド、２０３，２０３’，２０４…グラウンドパッド、２１１，２１１’…シグナルパッド、２１２…グラウンドパッド。

Claims (17)

1. 誘電体膜を介して向き合う第１導体膜と第２導体膜との間で静電容量を形成し得る容量形成部を有する直方体状のコンデンサ本体を備え、
   前記コンデンサ本体の相対する２つの面の対向方向を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向を第３方向としたとき、
   前記コンデンサ本体の第３方向の一方面には、前記第１導体膜と導通する第１外部端子および第２外部端子と、前記第２導体膜と導通する第３外部端子とが設けられていて、前記第１外部端子および前記第２外部端子と前記第３外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように構成されているとともに、
   前記コンデンサ本体の第３方向の他方面には、前記第１導体膜と導通する第４外部端子および第５外部端子と、前記第２導体膜と導通する第６外部端子とが設けられていて、前記第４外部端子および前記第５外部端子と前記第６外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように構成されており、
   前記コンデンサ本体の第３方向の一方面において、前記第１外部端子は前記コンデンサ本体の第１方向の一端部に存在し、前記第２外部端子は前記コンデンサ本体の第１方向の他端部に前記第１外部端子と第１方向に離隔して存在し、前記第３外部端子は前記第１外部端子と前記第２外部端子との間に前記第１外部端子および前記第２外部端子と非接触で存在しており、
   前記コンデンサ本体の前記第３方向の他方面において、前記第４外部端子および前記第５外部端子は前記コンデンサ本体の第２方向の一端部の両側に存在していて互いが第１方向に離隔し、前記第６外部端子は前記コンデンサ本体の第２方向の他端部に存在していて前記第４外部端子および前記第５外部端子と第２方向に離隔している、
   多端子コンデンサ。
2. 前記第１外部端子は前記コンデンサ本体に設けられた第１接続導体部によって前記第１導体膜の第１方向の一端部に接続され、前記第２外部端子は前記コンデンサ本体に設けられた第２接続導体部によって前記第１導体膜の第１方向の他端部に接続され、前記第３外部端子は、前記コンデンサ本体に設けられた第３接続導体部および第４接続導体部によって前記第２導体膜の第２方向の一端部および他端部に接続されており、
   前記第４外部端子は前記コンデンサ本体に設けられた第５接続導体部によって前記第１導体膜の第２方向の一端部の一方側に接続され、前記第５外部端子は前記コンデンサ本体に設けられた第６接続導体部によって前記第１導体膜の第２方向の一端部の他方側に接続され、前記第６外部端子は前記コンデンサ本体に設けられた第６接続導体部によって前記第２導体膜の第２方向の他端部に接続されている、
   請求項１に記載の多端子コンデンサ。
3. 前記第３外部端子は第１分割部と前記第１分割部と第２方向に離隔した第２分割部とから構成されており、
   前記第１分割部が前記第３接続導体部によって前記第２導体膜の第２方向の一端部に接続され、前記第２分割部が前記第４接続導体部によって前記第２導体膜の第２方向の他端部に接続されている、
   請求項２に記載の多端子コンデンサ。
4. 前記第１外部端子は第１連結導体部によって前記第４外部端子と連結され、
   前記第２外部端子は第２連結導体部によって前記第５外部端子と連結され、
   前記第３外部端子は第３連結導体部によって前記第６外部端子と連結されている、
   請求項１または２に記載の多端子コンデンサ。
5. 前記第３外部端子は第１分割部と前記第１分割部と第２方向に離隔した第２分割部とから構成されており、
   前記第１分割部が前記第３連結導体部によって前記第６外部端子と連結されている、
   請求項４に記載の多端子コンデンサ。
6. 前記コンデンサ本体は複数の貫通孔を有する直方体状の基板部を有し、
   前記第１導体膜は前記基板部の第３方向の一方面と前記第３方向の他方面と前記各貫通孔の内壁とを連続して覆うように設けられ、
   前記誘電体膜は前記第１導体膜を覆うように設けられ、
   前記第２導体膜は前記誘電体膜を覆うように設けられている、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の多端子コンデンサ。
7. 前記容量形成部は、前記基板部の第３方向の一方面に在る前記第１導体膜の第１面状部と前記誘電体膜の第１面状部と前記第２導体膜の第１面状部とによって形成され得る部分静電容量と、前記基板部の第３方向の他方面に在る前記第１導体膜の第２面状部と前記誘電体膜の第２面状部と前記第２導体膜の第２面状部とによって形成され得る部分静電容量と、前記基板部の前記各貫通孔内に在る前記第１導体膜の筒状部と前記誘電体膜の筒状部と前記第２導体膜の筒状部とによって形成され得る部分静電容量とによって、前記静電容量を形成し得るように構成されている、
   請求項６に記載の多端子コンデンサ。
8. 前記コンデンサ本体は、前記基板部の第３方向の一方面に在る前記第１導体膜と前記誘電体膜と前記第２導体膜それぞれの第１面状部を覆い隠す第１保護膜と、前記基板部の第３方向の他方面に在る前記第１導体膜と前記誘電体膜と前記第２導体膜それぞれの第２面状部を覆い隠す第２保護膜とを有する、
   請求項６または７に記載の多端子コンデンサ。
9. 第１方向に沿う寸法を第１方向寸法、第２方向に沿う寸法を第２方向寸法、第３方向に沿う寸法を第３方向寸法としたとき、
   前記コンデンサ本体の第１方向寸法は前記コンデンサ本体の第２方向寸法よりも大きい、
   請求項１～８のいずれか１項に記載の多端子コンデンサ。
10. 前記コンデンサ本体の第３方向寸法は前記コンデンサ本体の第２方向寸法よりも小さい、
    請求項９に記載の多端子コンデンサ。
11. 前記コンデンサ本体の第２方向寸法は１００μｍ以下である、
    請求項１０に記載の多端子コンデンサ。
12. 前記コンデンサ本体の第２方向寸法は５０μｍ以下である、
    請求項１０に記載の多端子コンデンサ。
13. 誘電体膜を介して向き合う第１導体膜と第２導体膜との間で静電容量を形成し得る容量形成部を有する直方体状のコンデンサ本体を作製するコンデンサ本体作製工程と、
    前記コンデンサ本体の相対する２つの面の対向方向を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向を第３方向としたとき、
    前記コンデンサ本体の第３方向の一方面に前記第１導体膜と導通する第１外部端子および第２外部端子と前記第２導体膜と導通する第３外部端子とを前記第１外部端子および前記第２外部端子と前記第３外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように作製し、前記コンデンサ本体の第３方向の他方面に前記第１導体膜と導通する第４外部端子および第５外部端子と前記第２導体膜と導通する第６外部端子を前記第４外部端子および前記第５外部端子と前記第６外部端子とによって前記容量形成部で形成された静電容量を取り出せるように作製する外部端子作製工程とを備え、
    前記コンデンサ本体作製工程は、
    前記第１外部端子を前記第１導体膜の第１方向の一端部に接続するための第１接続導体部を作製し、前記第２外部端子を前記第１導体膜の第１方向の他端部に接続するための第２接続導体部を作製し、前記第３外部端子を前記第２導体膜の第２方向の一端部および他端部に接続するため第３接続導体部および第４接続導体部を作製し、前記第４外部端子を前記第１導体膜の第２方向の一端部に接続するための第５接続導体部を作製し、前記第５外部端子を前記第１導体膜の第２方向の一端部に接続するための第６接続導体部を作製し、前記第６外部端子を前記第２導体膜の第２方向の一端部に接続するための第６接続導体部を作製する接続導体部作製工程を含む、
    多端子コンデンサの製造方法。
14. 前記外部端子作製工程は、
    前記第１外部端子と前記第４外部端子とを連結する第１連結導体部を作製し、前記第２外部端子と前記第５外部端子とを連結する第２連結導体部を作製し、前記第３外部端子と前記第６外部端子とを連結する第３連結導体部を作製する連結導体部作製工程を含む、
    請求項１３に記載の多端子コンデンサの製造方法。
15. 前記コンデンサ本体作製工程は、
    複数の貫通孔を有する基板部を作製する基板部作製工程と、
    前記基板部の第３方向の一方面と前記第３方向の他方面と前記各貫通孔の内壁とを覆うように前記第１導体膜を作製し、前記第１導体膜を覆うように前記誘電体膜を作製し、前記誘電体膜を覆うように前記第２導体膜を作製する容量形成部作製工程とを含む、
    請求項１３または１４に記載の多端子コンデンサの製造方法。
16. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の多端子コンデンサが前記第１外部端子と前記第２外部端子と前記第３外部端子を用いて回路基板に実装されている、
    多端子コンデンサ実装回路基板。
17. 請求項１～１２のいずれか１項に記載の多端子コンデンサが前記第４外部端子と前記第５外部端子と前記第６外部端子を用いて回路基板に実装されている、
    多端子コンデンサ実装回路基板。
    

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