JP7277331B2

JP7277331B2 - 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

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Publication number: JP7277331B2
Application number: JP2019176056A
Authority: JP
Inventors: 昌男笹平; 裕輔後藤; 良栗浦
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2019-09-26
Filing date: 2019-09-26
Publication date: 2023-05-18
Anticipated expiration: 2039-09-26
Also published as: JP2021057103A

Description

本発明は、電極間の電気的な接続等に用いることができる導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。また、上記導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いる接続としては、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（ＦｉｌｍｏｎＧｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（ＣｈｉｐｏｎＦｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（ＣｈｉｐｏｎＧｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（ＦｉｌｍｏｎＢｏａｒｄ））等が挙げられる。

例えば、近年、上記異方性導電材料は、スマートウォッチやスマートグラスのウェアラブルディスプレイ等の電子機器等に用いられている。

上記異方性導電材料に用いることができる上記導電性粒子が、下記の特許文献１～３に開示されている。

下記の特許文献１には、樹脂粒子と、上記樹脂粒子の表面に形成された金属被覆層（導電層）とを備える導電性粒子が開示されている。上記導電性粒子では、ハロゲンイオンの含有量が３０μｇ／ｇ以下、又は、アルカリ金属イオンの含有量が５０μｇ／ｇ以下である。特許文献１では、高温高湿下や長期の連続使用といった過酷な条件下においても、金属被覆層が腐食せず、導電性が低下し難いことが記載されている。

下記の特許文献２には、導電層を少なくとも外表面に有する導電性粒子が開示されている。上記導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた液を、密封下において１２１℃で２４時間加熱したときに、加熱後の液における水相中の有機酸の濃度が、導電性粒子１ｇ当たり３００μｇ以下である。特許文献２では、上記導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、電極の腐食を抑制できること、及び、電極間の導通信頼性を高めることができることが記載されている。

また、特許文献３には、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層をと備える導電性粒子が開示されている。上記導電層は、ニッケルを含む導電層である。上記ニッケルを含む導電層は、ニッケルとリンとを含み、かつリンの含有量が５．０重量％以上である第１の領域と、ニッケルとボロンとを含み、かつボロンの含有量が０．５重量％以上である第２の領域とを有する。上記ニッケルを含む導電層の厚み方向において、上記第１の領域の内側端部分が上記第２の領域の全体よりも上記基材粒子側に位置しており、上記第２の領域の外側端部分が上記第１の領域の全体よりも上記基材粒子側とは反対側に位置している。

特開２００４－０１４４０９号公報ＷＯ２０１１／１１５１０５Ａ１特開２０１５－１０９２６７号公報

スマートウォッチやスマートグラスのウェアラブルディスプレイ等の電子機器では、常時電源がＯＮの状態で使用されることがある。また、ウェアラブルディスプレイ等の電子機器は、高温高湿下にて高い電圧下で使用されることがある。

しかしながら、特許文献１，２に記載のような導電性粒子を用いた導電材料では、導電接続後の電子機器が高温高湿下で使用されると、導電部にマイグレーションが発生することがある。従来の導電材料では、導電接続後の電子機器が高温高湿下で長期間使用されると、接続抵抗が高くなることがある。

また、特許文献３に記載のようなニッケルを含む導電層は、無電解Ｎｉめっきにより形成されることがある。無電解Ｎｉ－Ｂめっき及び無電解純Ｎｉめっきにより、ニッケルを含む導電部を形成すると、ニッケルを含む導電部を比較的硬質にすることができ、導電接続後の初期の接続抵抗を低くすることができる。

しかしながら、無電解Ｎｉ－Ｂめっき及び無電解純Ｎｉめっきでは、還元剤として、ジメチルアミンボランやヒドラジン等が使用される。これらの還元剤は、ニッケルを含む導電部に残存しやすい。このため、無電解Ｎｉ－Ｂめっきにより形成された導電部を有する導電性粒子を含む導電材料では、導電接続後の電子機器が高温高湿下で長期間使用されると、接続抵抗が高くなりやすいという問題がある。

本発明の目的は、導電接続後の接続構造体が高温高湿下で長期間使用されたときに、導通信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。

本発明の広い局面によれば、アミン化合物及びヒドラジン化合物の内の少なくとも一方である窒素含有化合物を含む導電性粒子であり、前記導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱したときに、加熱後の前記測定用液における水相中の前記窒素含有化合物の含有量が１０００μｇ以下である、導電性粒子が提供される。

本発明の広い局面によれば、窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子であり、前記導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱したときに、加熱後の前記測定用液における水相中の前記アミン化合物の含有量が１０００μｇ以下である、導電性粒子が提供される。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、ニッケルと、前記窒素含有化合物とを含む。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面に突起を有する。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が２５％以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部内において、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備える。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が防錆処理されている。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が、炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物により防錆処理されている。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が、リンを含まない化合物により防錆処理されている。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、粒子径が１μｍ以上１０μｍ以下である。

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

本発明に係る導電性粒子は、アミン化合物及びヒドラジン化合物の内の少なくとも一方である窒素含有化合物を含む導電性粒子である。本発明に係る導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱する。本発明に係る導電性粒子では、加熱後の上記測定用液における水相中の上記窒素含有化合物の含有量が１０００μｇ以下である。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後の接続構造体が高温高湿下で長期間使用されたときに、導通信頼性を高めることができる。

本発明に係る導電性粒子は、窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子である。本発明に係る導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱する。本発明に係る導電性粒子では、加熱後の上記測定用液における水相中の上記アミン化合物の含有量が１０００μｇ以下である。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後の接続構造体が高温高湿下で長期間使用されたときに、導通信頼性を高めることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

（導電性粒子）
本発明に係る導電性粒子は、アミン化合物及びヒドラジン化合物の内の少なくとも一方である窒素含有化合物を含む導電性粒子である。本発明に係る導電性粒子は、アミン化合物を含んでいてもよく、ヒドラジン化合物を含んでいてもよく、アミン化合物とヒドラジン化合物との双方を含んでいてもよい。本発明に係る導電性粒子としては、窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子、及び、窒素含有化合物であるヒドラジン化合物を含む導電性粒子が挙げられる。

本発明に係る導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱する。本発明に係る導電性粒子では、加熱後の上記測定用液における水相（以下、水相（Ｘ）と記載することがある）中の上記窒素含有化合物の含有量が１０００μｇ以下である。

本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、導電接続後の接続構造体が高温高湿下で長期間使用されたときに、導通信頼性を高めることができる。

高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、アミン化合物及びヒドラジン化合物の内の少なくとも一方である窒素含有化合物を含む導電性粒子において、上記水相（Ｘ）中の上記窒素原子含有化合物の含有量は、好ましくは１０００μｇ以下、より好ましくは５００μｇ以下、さらに好ましくは２００μｇ以下である。アミン化合物及びヒドラジン化合物の内の少なくとも一方である窒素含有化合物を含む導電性粒子において、上記水相（Ｘ）中の上記窒素原子含有化合物の含有量は、０μｇを超え、５０μｇ以上であってもよく、１００μｇ以上であってもよい。

上記窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱する。この導電性粒子では、加熱後の上記測定用液における水相（Ｘ）中の上記アミン化合物の含有量が１０００μｇ以下であることが好ましい。この場合には、高温高湿下での導通信頼性をより一層高めることができる。上記窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子は、ヒドラジン化合物を含んでいなくてもよい。

高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子において、上記水相（Ｘ）中の上記アミン化合物の含有量は、好ましくは１０００μｇ以下、より好ましくは５００μｇ以下、さらに好ましくは２００μｇ以下である。窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子において、上記水相（Ｘ）中の上記アミン化合物の含有量は、０μｇを超え、５０μｇ以上であってもよく、１００μｇ以上であってもよい。

上記窒素含有化合物であるヒドラジン化合物を含む導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱する。この導電性粒子では、加熱後の上記測定用液における水相（Ｘ）中の上記ヒドラジン化合物の含有量が１０００μｇ以下であることが好ましい。この場合には、高温高湿下での導通信頼性をより一層高めることができる。上記窒素含有化合物であるヒドラジン化合物を含む導電性粒子は、アミン化合物を含んでいなくてもよい。

高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、窒素含有化合物であるヒドラジン化合物を含む導電性粒子において、上記水相（Ｘ）中の上記ヒドラジン化合物の含有量は、好ましくは１０００μｇ以下、より好ましくは５００μｇ以下、さらに好ましくは２００μｇ以下、特に好ましくは６０μｇ以下である。窒素含有化合物であるヒドラジン化合物を含む導電性粒子において、上記水相（Ｘ）中の上記ヒドラジン化合物の含有量は、０μｇを超え、５０μｇ以上であってもよく、１００μｇ以上であってもよい。

上記特定の窒素含有化合物の含有量を少なくする方法としては、以下の方法等が挙げられる。

導電層を形成する際に用いられる無電解めっき液中に含有する窒素含有化合物の濃度を少なくし、導電層中に取り込まれる窒素含有化合物及び導電層の最外層に吸着する窒素含有化合物を少なくする方法。導電層に存在する窒素含有化合物を熱水煮沸洗浄にて除去する方法。導電層に存在する窒素含有化合物を有機酸化合物又は無機酸化合物で置換して除去する方法。導電層に存在する窒素含有化合物をオゾン水や過酸化水素水等の酸化剤を使用して導電層の表面をエッチングすることで除去する方法。導電層に存在する窒素含有化合物を強力な酸化力を有する酸素プラズマを照射して除去する方法。導電層に存在する窒素含有化合物を超臨界ＣＯ_２により除去する方法。導電層に存在する窒素含有化合物を紫外線と紫外線から発生したオゾンから分離した活性酸素とにより除去する方法。導電層に存在する窒素含有化合物をマイクロバブルの発生により除去する方法。導電層に存在する窒素含有化合物を強力超音波振動により除去する方法。

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置は、レーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。

上記導電性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：導電性粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子の粒子径の平均値

上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。

以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的に説明する。なお、図１及び後述する図において、異なる箇所は互いに置き換え可能である。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、導電部３とを有する。導電部３は、基材粒子２の表面上に配置されている。第１の実施形態では、導電部３は、基材粒子２の表面に接している。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。

導電性粒子１では、導電部３は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、２層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。

導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子１は表面に突起を有さない。導電性粒子１は球状である。導電部３は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、絶縁性物質を有さない。但し、導電性粒子１は、導電部３の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子２と、導電部１２と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。導電部１２は、基材粒子２の表面上に基材粒子２に接するように配置されている。

導電性粒子１１では、導電部１２は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記導電部が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記導電部が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子では、上記導電部は、単層の導電層であってもよく、２層以上の層から構成される多層の導電層であってもよい。

導電性粒子１１は導電性の表面に、複数の突起１１ａを有する。導電部１２は外表面に、複数の突起１２ａを有する。複数の芯物質１３が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質１３は、導電部１２内に埋め込まれている。芯物質１３は、突起１１ａ，１２ａの内側に配置されている。導電部１２は、複数の芯物質１３を被覆している。複数の芯物質１３により導電部１２の外表面が隆起されており、突起１１ａ，１２ａが形成されている。

導電性粒子１１は、導電部１２の外表面上に配置された絶縁性物質１４を有する。導電部１２の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質１４により被覆されている。絶縁性物質１４は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。

図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図３に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、導電部２２と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。導電部２２は全体で、基材粒子２側に第１の導電部２２Ａと、基材粒子２側とは反対側に第２の導電部２２Ｂとを有する。

導電性粒子１１と導電性粒子２１とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子１１では、１層構造の導電部１２が形成されているのに対し、導電性粒子２１では、２層構造の第１の導電部２２Ａ及び第２の導電部２２Ｂが形成されている。第１の導電部２２Ａと第２の導電部２２Ｂとは別の導電部として形成されている。

第１の導電部２２Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電部２２Ｂとの間に、第１の導電部２２Ａが配置されている。第１の導電部２２Ａは、基材粒子２に接している。第２の導電部２２Ｂは、第１の導電部２２Ａに接している。従って、基材粒子２の表面上に第１の導電部２２Ａが配置されており、第１の導電部２２Ａの表面上に第２の導電部２２Ｂが配置されている。導電性粒子２１は導電性の表面に、複数の突起２１ａを有する。導電部２２は外表面に複数の突起２２ａを有する。第１の導電部２２Ａは外表面に、複数の突起２２Ａａを有する。第２の導電部２２Ｂは外表面に、複数の突起２２Ｂａを有する。

図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図４に示す導電性粒子３１は、全体が導電部である。導電性粒子３１は、中心部分及び表面部分の双方が、導電部により形成されている。導電性粒子３１は、基材粒子を有さない。

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。

（基材粒子）
上記基材粒子の材料は特に限定されない。上記基材粒子の材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよい。上記有機材料のみより形成された基材粒子としては、樹脂粒子等が挙げられる。上記無機材料のみにより形成された基材粒子としては、金属を除く無機粒子等が挙げられる。上記有機材料と上記無機材料との双方により形成された基材粒子としては、有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。初期の接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることがより好ましい。

上記基材粒子は、金属粒子でなくてもよい。

上記有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン共重合体等としては、ジビニルベンゼン－スチレン共重合体及びジビニルベンゼン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記基材粒子の圧縮特性を好適な範囲に容易に制御できるので、上記基材粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記基材粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

上記非架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、スチレン、α－メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；塩化ビニル、フッ化ビニル等のハロゲン含有単量体；（メタ）アクリル化合物として、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート等のハロゲン含有（メタ）アクリレート化合物；α－オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン化合物；共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、１，４－ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル単量体；（メタ）アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；アリル化合物として、トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル；シラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ｎ－デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド化合物；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド；デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン；片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性（反応性）シリコーンオイル；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。

上記基材粒子は、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させることによって得ることができる。上記の重合方法としては特に限定されず、ラジカル重合、イオン重合、重縮合（縮合重合、縮重合）、付加縮合、リビング重合、及びリビングラジカル重合等の公知の方法が挙げられる。また、他の重合方法としては、ラジカル重合開始剤の存在下での懸濁重合が挙げられる。

上記無機材料としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等が挙げられる。

上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子が有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された基材粒子としては特に限定されないが、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる基材粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

上記有機コアの材料としては、上述した有機材料等が挙げられる。

上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

上記基材粒子の粒子径は、上記導電性粒子の粒子径を考慮して、選択することができる。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは３００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらに一層好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性をより一層高めることができ、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に、凝集した導電性粒子を形成され難くすることができる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が十分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができ、さらに電極間の間隔をより小さくすることができる。

上記基材粒子の粒子径は、１μｍ以上３μｍ以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が、１μｍ以上３μｍ以下の範囲内であると、基材粒子の表面に導電部を形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。

上記基材粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各基材粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置は、レーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

導電性粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。検査用埋め込み樹脂中に分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。

（導電部）
本発明に係る導電性粒子は、導電部を有する。本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備えていてもよい。上記導電部は、金属を含むことが好ましい。上記導電部を構成する金属は特に限定されない。

上記導電部を構成する金属としては、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記導電部を構成する金属及としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。上記導電部を構成する金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記導電部は、ニッケル、金、パラジウム、銀、又は銅を含むことが好ましく、ニッケル、金又はパラジウムを含むことがより好ましく、ニッケルを含むことが特に好ましい。

ニッケルを含む導電部１００重量％中のニッケルの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、より一層好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記ニッケルを含む導電部１００重量％中のニッケルの含有量は、９７重量％以上であってもよく、９７．５重量％以上であってもよく、９８重量％以上であってもよく、１００重量％であってもよい。

ニッケルを含む導電部は、ボロンを含むことが好ましい。初期の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、ニッケルとボロンとを含む導電層１００重量％中、ボロンの含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１．０重量％以上、好ましくは１０．０重量％以下、より好ましくは３．０重量％以下である。

なお、導電部の表面には、酸化により水酸基が存在することが多い。一般的に、ニッケルにより形成された導電部の表面には、酸化により水酸基が存在する。このような水酸基を有する導電部の表面（導電性粒子の表面）に、化学結合を介して、絶縁性物質を配置できる。

上記導電部は、１つの層により形成されていてもよい。上記導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、上記導電部は、２層以上の積層構造を有していてもよい。上記導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層を構成する金属は、金、ニッケル、パラジウム、銅又は錫と銀とを含む合金であることが好ましく、金であることがより好ましい。最外層を構成する金属がこれらの好ましい金属である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層を構成する金属が金である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。最外層を構成する金属は、ニッケルであってもよい。

上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。上記導電部を形成する方法は、無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法であることが好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法としては、シーターコンポーザ（徳寿工作所社製）等が用いられる。

上記導電部の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電部の厚みは、導電部が多層である場合には導電部全体の厚みである。導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子を十分に変形させることができる。

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電部の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電部の厚みが、上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗を十分に低くすることができる。また、上記最外層を構成する金属が金である場合には、最外層の厚みが薄いほど、コストを低くすることができる。

上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。上記導電部の厚みについては、任意の導電部の厚み５箇所の平均値を１個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することが好ましく、導電部全体の厚みの平均値を１個の導電性粒子の導電部の厚みとして算出することがより好ましい。上記導電部の厚みは、任意の導電性粒子１０個について、各導電性粒子の導電部の厚みの平均値を算出することにより求めることが好ましい。

上記導電部は、上記窒素含有化合物を含むことが好ましい。上記導電部は、窒素含有化合物である上記アミン化合物を含むことが好ましい。上記導電部は、窒素含有化合物であるヒドラジン化合物を含むことが好ましい。本発明に係る導電性粒子が特定の窒素含有化合物を含んでいても、本発明に係る導電性粒子では、上記水相（Ｘ）中の特定の窒素含有化合物の含有量が少ないので、高温高湿下での導通信頼性を効果的に高めることができる。

上記導電部は、ニッケルと、上記窒素含有化合物とを含むことが好ましい。上記導電部は、ニッケルと、窒素含有化合物である上記アミン化合物とを含むことが好ましい。上記導電部は、ニッケルと、窒素含有化合物であるヒドラジン化合物とを含むことが好ましい。本発明に係る導電性粒子が特定の窒素含有化合物を含んでいても、本発明に係る導電性粒子では、上記水相（Ｘ）中の特定の窒素含有化合物の含有量が少ないので、高温高湿下での導通信頼性を効果的に高めることができる。

無電解Ｎｉめっきにより、ニッケルを含む導電部を形成する際に、めっき錯化剤及びめっき還元剤等が用いられる。上記めっき錯化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が用いられてもよい。上記めっき還元剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が用いられてもよい。

上記めっき錯化剤としては、アミン化合物及びヒドラジン化合物等が挙げられる。

上記めっき錯化剤としてのアミン化合物としては、ピリシン、２－アミノピリジン、３－アミノピリジン、４－アミノピリジン、エチレンジアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ベンジルアミン、メチレンジアミン、エタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミン、エチレンジアミン四酢酸（ＥｔｈｙｌｅｎｅＤｉａｍｉｎｅＴｅｔｒａａｃｅｔｉｃＡｃｉｄ：ＥＤＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸のアルカリ金属塩、ＥＤＴＡ誘導体、及びグリシン等が挙げられる。

上記めっき錯化剤としてのヒドラジン化合物としては、ヒドラジン及びヒドラジンの誘導体等が挙げられる。上記ヒドラジン化合物としては、ヒドラジン、水添ヒドラジン、硝酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、マレイン酸ヒドラジン、リン酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、ジメチルヒドラジン、アセトヒドラジド、カルボヒドラジド、及びヒドラジンヒドラート等が挙げられる。

上記めっき還元剤としては、アミンボラン化合物などのアミン化合物等が挙げられる。上記アミンボラン化合物としては、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、及びトリメチルアミンボラン（ＴＭＡＢ）等が挙げられる。

上記導電部は、アミン化合物又はヒドラジン化合物を含むめっき錯化剤を用いて形成されているか、又は、アミン化合物又はヒドラジン化合物を含むめっき還元剤を用いて形成されている導電部であってもよい。上記導電部は、アミン化合物又はヒドラジン化合物を含むめっき錯化剤を用いて形成されている導電部であってもよく、アミン化合物又はヒドラジン化合物を含むめっき還元剤を用いて形成されている導電部であってもよい。

（芯物質及び突起）
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に突起を有することが好ましい。上記突起は、複数であることが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電部の表面に突起を有する導電性粒子を用いた場合には、電極間に導電性粒子を配置して圧着させることにより、突起により上記酸化被膜を効果的に排除できる。このため、電極と導電部とがより一層確実に接触し、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、導電性粒子が絶縁性物質を備える場合に、又は導電性粒子がバインダー樹脂に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又はバインダー樹脂をより一層効果的に排除できる。このため、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。

上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部内において、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。また、上記突起を形成するために、上記芯物質を用いなくてもよい。

上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。また、突起を形成するために、上記芯物質を用いずに、基材粒子に無電解めっきにより導電部を形成した後、導電部の表面上に突起状にめっきを析出させ、さらに無電解めっきにより導電部を形成する方法等を用いてもよい。

基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法としては、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御する観点からは、基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法は、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法であることが好ましい。

上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。酸化被膜をより一層効果的に排除する観点からは、上記芯物質は硬い方が好ましい。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記芯物質は、金属であることが好ましい。

上記金属は特に限定されない。上記金属としては、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫－鉛合金、錫－銅合金、錫－銀合金、錫－鉛－銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くする観点からは、上記金属は、ニッケル、銅、銀又は金であることが好ましい。上記金属は、上記導電部（導電層）を構成する金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

上記芯物質の粒子径は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の粒子径が、上記下限以上及び上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。

上記芯物質の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることがより好ましい。芯物質の粒子径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各芯物質の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの芯物質の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の芯物質の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの芯物質の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記芯物質の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。測定の精度の高さから、粒度分布測定装置は、レーザー回折式粒度分布測定装置であることが好ましい。

初期の接続抵抗をより一層低くし、高温高湿下での導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは２５％以上、より好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上である。上記突起がある部分の表面積は、９５％以下であってもよく、９０％以下であってもよく、８０％以下であってもよい。

上記突起がある部分の表面積は、突起の存在密度の指標である。上記導電性粒子について、日立ハイテクノロジーズ社製の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、倍率１００００倍で粒子観察を行い、突起の存在密度を調べることができる。

突起とは、導電部の隆起している部分を意味する。上記突起がある部分の表面積は、導電性粒子の正投影面において突起として現れている部分の面積の比率を測定することにより求めることができる。

上記導電性粒子１個当たりの上記突起の数は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。上記突起の数が、上記下限以上であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。

上記突起の数は、任意の導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の数は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子における突起の数の平均値を算出することにより求めることが好ましい。

上記突起の高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の高さが、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。

上記突起の高さは、任意の導電性粒子における突起を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察して算出することができる。上記突起の高さは、導電性粒子１個当たりのすべての突起の高さの平均値を１個の導電性粒子の突起の高さとして算出することが好ましい。上記突起の高さは、任意の導電性粒子５０個について、各導電性粒子の突起の高さの平均値を算出することにより求めることが好ましい。

（絶縁性物質）
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、上記導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層効果的に防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。さらに、導電部の外表面に突起を有する導電性粒子である場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。

上記絶縁性物質としては、絶縁層及び絶縁性粒子等が挙げられる。電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。

上記絶縁性物質の材料としては、上述した有機材料、上述した無機材料、及び上述した基材粒子の材料として挙げた無機物等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、上述した有機材料であることが好ましい。

上記絶縁性物質の他の材料としては、ポリオレフィン化合物、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。上記絶縁性物質の材料は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びエチレン－アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリドデシル（メタ）アクリレート及びポリステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン－アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂の架橋物としては、ポリエチレングリコールメタクリレート、アルコキシ化トリメチロールプロパンメタクリレートやアルコキシ化ペンタエリスリトールメタクリレート等の導入が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。また、重合度の調整に、連鎖移動剤を使用してもよい。連鎖移動剤としては、チオールや四塩化炭素等が挙げられる。

上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電部の表面上に上記絶縁性物質を配置する方法は、物理的方法であることが好ましい。

上記導電部の外表面、及び上記絶縁性物質の外表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。上記導電部の外表面と上記絶縁性物質の外表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。上記導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミン等の高分子電解質を介して絶縁性物質の外表面の官能基と化学結合していても構わない。

上記絶縁性物質が絶縁性粒子である場合、上記絶縁性粒子の粒子径は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性粒子の粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは３００ｎｍ以上、特に好ましくは５００ｎｍ以上であり、好ましくは４０００ｎｍ以下、より好ましくは２０００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５００ｎｍ以下、特に好ましくは１０００ｎｍ以下である。絶縁性粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の粒子径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性粒子を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。

上記絶縁性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。絶縁性粒子の粒子径は、任意の絶縁性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各絶縁性粒子の粒子径の平均値を算出したり、粒度分布測定装置を用いたりして求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の絶縁性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの絶縁性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記絶縁性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。上記導電性粒子において、上記絶縁性粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。

導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の絶縁性粒子を観察する。各導電性粒子における絶縁性粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して絶縁性粒子の粒子径とする。

上記導電性粒子の粒子径の、上記絶縁性粒子の粒子径に対する比（導電性粒子の粒子径／絶縁性粒子の粒子径）は、好ましくは４以上、より好ましくは８以上であり、好ましくは２００以下、より好ましくは１００以下である。上記比（導電性粒子の粒子径／絶縁性粒子の粒子径）が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間を電気的に接続した場合に、絶縁信頼性及び導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。

（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は回路接続用導電材料であることが好ましい。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができ、導電性粒子同士の凝集の発生をより一層効果的に抑制することができる。上記導電材料では、上述した導電性粒子が用いられているので、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。

上記バインダー樹脂としては、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ビニル樹脂としては、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、スチレン－ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル－スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法は、従来公知の分散方法を用いることができ、特に限定されない。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を分散させる方法としては、以下の方法等が挙げられる。上記バインダー樹脂中に上記導電性粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記導電性粒子を水又は有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、上記バインダー樹脂中に添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。上記バインダー樹脂を水又は有機溶剤等で希釈した後、上記導電性粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法。

上記導電材料の２５℃での粘度（η２５）は、好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは４００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３００Ｐａ・ｓ以下である。上記導電材料の２５℃での粘度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記粘度（η２５）は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。

上記粘度（η２５）は、例えば、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）等を用いて、２５℃及び５ｒｐｍの条件で測定することができる。

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性をより一層高めることができる。

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗をより一層効果的に低くすることができる。上記導電性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。

（防錆処理）
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記導電部の外表面は防錆処理されていることが好ましい。

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面は、炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。上記導電部の外表面は、リンを含まない化合物により防錆処理されていてもよく、炭素数６～２２のアルキル基を有しかつリンを含まない化合物により防錆処理されていてもよい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、導電部の外表面に、防錆膜を形成できる。

上記防錆膜は、炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物（以下、化合物Ａともいう）により形成されていることが好ましい。上記導電部の外表面は、上記化合物Ａにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上であると、導電部全体で錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が２２以下であると、導電性粒子の導電性が高くなる。導電性粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Ａにおける上記アルキル基の炭素数は１６以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。

上記化合物Ａは、炭素数６～２２のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Ａは、炭素数６～２２のアルキル基を有するリン酸エステル若しくはその塩、炭素数６～２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル若しくはその塩、又は炭素数６～２２のアルキル基を有するアルコキシシランであることが好ましい。上記化合物Ａは、炭素数６～２２のアルキル基を有するアルキルチオール、又は、炭素数６～２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドであることが好ましい。上記炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物Ａは、リン酸エステル若しくはその塩、亜リン酸エステル若しくはその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール又はジアルキルジスルフィドであることが好ましい。これらの好ましい化合物Ａの使用により、上記第２の導電部に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Ａは、上記リン酸エステル若しくはその塩、亜リン酸エステル若しくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステル若しくはその塩、又は、亜リン酸エステル若しくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Ａは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記化合物Ａは、上記導電部の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Ａは、上記絶縁性物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、上記導電部と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁性物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記導電部及び上記絶縁性物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、上記導電部に錆がより一層生じ難くなり、かつ導電性粒子の表面から絶縁性物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。

上記炭素数６～２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。

（接続構造体）
本発明に係る接続構造体は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性粒子により電気的に接続されている。

上記接続構造体は、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材との間に、上記導電性粒子又は上記導電材料を配置する工程と、熱圧着することにより導電接続する工程とを経て、得ることができる。上記導電性粒子が上記絶縁性物質を有する場合には、上記熱圧着時に、上記絶縁性物質が上記導電性粒子から脱離することが好ましい。

上記導電性粒子が単独で用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。即ち、上記第１の接続対象部材と上記第２の接続対象部材とが上記導電性粒子により接続される。上記接続構造体を得るために用いられる上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。

図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図である。

図５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図５では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１に代えて、導電性粒子１１，２１等の他の導電性粒子を用いてもよい。

第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記熱圧着の圧力は好ましくは４０ＭＰａ以上、より好ましくは６０ＭＰａ以上であり、好ましくは９０ＭＰａ以下、より好ましくは７０ＭＰａ以下である。上記熱圧着の加熱の温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１２０℃以下である。上記熱圧着の圧力及び温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高めることができる。また、上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、導電接続時に導電性粒子の表面から絶縁性粒子が容易に脱離できる。

上記導電性粒子が上記絶縁性粒子を有する場合には、上記積層体を加熱及び加圧する際に、上記導電性粒子と、上記第１の電極及び上記第２の電極との間に存在している上記絶縁性粒子を排除することができる。例えば、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子と、上記第１の電極及び上記第２の電極との間に存在している上記絶縁性粒子が、上記導電性粒子の表面から容易に脱離する。なお、上記加熱及び加圧の際には、上記導電性粒子の表面から一部の上記絶縁性粒子が脱離して、上記導電部の表面が部分的に露出することがある。上記導電部の表面が露出した部分が、上記第１の電極及び上記第２の電極に接触することにより、上記導電性粒子を介して第１の電極と第２の電極とを電気的に接続することができる。

上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、特に限定されない。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、ＬＥＤチップ、ＬＥＤパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第１の接続対象部材及び第２の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、ＳＵＳ電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
基材粒子Ａとして、粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ－２０３」）を用意した。

上記基材粒子Ａの表面上に、以下のようにして導電層を形成した。

パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。

次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。

次に、アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（１）を得た。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、トリエタノールアミン０．１５ｍｏｌ／Ｌ、グリシン０．２ｍｏｌ／Ｌ及びジメチルアミンボラン０．３０ｍｏｌ／Ｌを含み、かつアンモニア水でｐＨ７．５に調整されたニッケル－ボロンめっき液を用意した。

また、ＤＬ－リンゴ酸０．１ｍｏｌ／Ｌを含むアミン化合物除去液（ｐＨ２．８）を用意した。

また、２－エチルヘキシルアジッドホスフェイト０．０５ｍｏｌ／Ｌを含む防錆剤溶液を用意した。

得られた懸濁液（１）を４０℃にて攪拌しながら、上記ニッケル－ボロンめっき液（ｐＨ７．５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、導電部としてニッケル－ボロン導電層（ボロン含有量１．５重量％）を形成した。

その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル－ボロンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

得られた懸濁液（３）を５０℃にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、上記アミン化合物除去液をゆっくりと添加し、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（４）を得た（洗浄工程）。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子をエタノール５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（５）を得た。

得られた懸濁液（５）を３０℃にて攪拌しながら、粒子の表面を防錆処理するために、上記防錆剤溶液をゆっくりと添加し、１０分間撹拌し、防錆処理後の後の懸濁液（６）を得た。

その後、懸濁液（６）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

得られた導電性粒子では、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０２ｎｍ）が形成されていた。得られた導電性粒子では、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％であった。

（実施例２）
１回目の洗浄工程に用いる洗浄液として、オゾン水生成装置（ＭＴＫ社製）で生成された５０ｐｐｍオゾン水（ｐＨ５．５、ＤＬ－リンゴ酸溶液にてｐＨ調整）を用意した。

また、２回目の洗浄工程に用いる洗浄液として、実施例１と同様のＤＬ－リンゴ酸０．１ｍｏｌ／Ｌを含むアミン化合物除去液（ｐＨ２．８）を用意した。

実施例１と同様の懸濁液（３）を２５℃にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、上記５０ｐｐｍオゾン水をゆっくりと添加し、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（４）を得た（１回目の洗浄工程）。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（５）を得た。

次に、得られた懸濁液（５）を５０℃にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、上記アミン化合物除去液をゆっくりと添加し、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（６）を得た（２回目の洗浄工程）。

その後、懸濁液（６）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子をエタノール５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（７）を得た。

得られた懸濁液（７）を３０℃にて攪拌しながら、粒子の表面を防錆処理するために、実施例１と同様の防錆剤溶液をゆっくりと添加し、１０分間撹拌し、防錆処理後の後の懸濁液（８）を得た。

その後、懸濁液（８）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

（実施例３）
以下の変更をしたこと以外は、実施例２と同様にして、導電性粒子を得た。

１回目の洗浄工程に用いる洗浄液を変更した。具体的には、オゾン水生成装置（ＭＴＫ社製）で生成された５０ｐｐｍオゾン水を、５％過酸化水素水（ｐＨ４．５、ＤＬ－リンゴ酸溶液にてｐＨ調整）に変更した。

（実施例４）
実施例１と同様の懸濁液（１）を４０℃にて攪拌しながら、実施例１と同様のニッケル－ボロンめっき液（ｐＨ７．５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、導電部としてニッケル－ボロン導電層（ボロン含有量１．５重量％）を形成した。

得られた懸濁液（３）を９５℃の煮沸した蒸留水中にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（４）を得た（１回目の洗浄工程）。

得られた懸濁液（５）を５０℃にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、実施例１と同様のアミン化合物除去液をゆっくりと添加し、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（６）を得た（２回目の洗浄工程）。

得られた懸濁液（７）を３０℃にて攪拌しながら、粒子の表面を防錆処理するために、実施例１と同様の上記防錆剤溶液をゆっくりと添加し、１０分間撹拌し、防錆処理後の後の懸濁液（８）を得た。

（実施例５）
導電層形成用めっき液として、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、グリシン０．２５ｍｏｌ／Ｌ及び硫酸ヒドラジニウム１．５０ｍｏｌ／Ｌを含み、かつアンモニア水でｐＨ９．０に調整された高純度ニッケルめっき液を用意した。

実施例１と同様の懸濁液（１）を７０℃にて攪拌しながら、上記高純度ニッケルめっき液（ｐＨ９．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、導電部として高純度ニッケル導電層を形成した。

その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解高純度ニッケルめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（３）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（４）を得た。

得られた懸濁液（４）を９５℃の煮沸した蒸留水中にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（５）を得た（１回目の洗浄工程）。

その後、懸濁液（５）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（６）を得た。

得られた懸濁液（６）を５０℃にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、実施例１と同様のアミン化合物除去液をゆっくりと添加し、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（７）を得た（１回目の洗浄工程）。

その後、懸濁液（７）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子をエタノール５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（８）を得た。

得られた懸濁液（８）を３０℃にて攪拌しながら、粒子の表面を防錆処理するために、実施例１と同様の防錆剤溶液をゆっくりと添加し、１０分間撹拌し、防錆処理後の後の懸濁液（９）を得た。

その後、懸濁液（９）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

（実施例６）
導電層形成用めっき液として、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸０．１ｍｏｌ／Ｌ、グリシン０．１ｍｏｌ／Ｌ及びジメチルアミンボラン０．１５ｍｏｌ／Ｌを含み、かつアンモニア水でｐＨ９．５に調整されたニッケル－ボロンめっき液を用意した。

実施例１と同様の懸濁液（１）を６０℃にて攪拌しながら、上記ニッケル－ボロンめっき液（ｐＨ９．５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、導電部としてニッケル－ボロン導電層（ボロン含有量０．５重量％）を形成した。

（実施例７）
導電層形成用めっき液として、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、グリシン０．３５ｍｏｌ／Ｌ及び硫酸ヒドラジニウム０．７５ｍｏｌ／Ｌを含み、かつアンモニア水でｐＨ１２．０に調整された高純度ニッケルめっき液を用意した。

実施例１と同様の懸濁液（１）を８５℃にて攪拌しながら、上記高純度ニッケルめっき液（ｐＨ１２．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、導電部として高純度ニッケル導電層を形成した。

得られた懸濁液（６）を５０℃にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、実施例１と同様のアミン化合物除去液をゆっくりと添加し、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（７）を得た（２回目の洗浄工程）。

（実施例８）
１層目の導電層形成用めっき液として、硫酸ニッケル０．０８ｍｏｌ／Ｌ、トリエタノールアミン０．１５ｍｏｌ／Ｌ、グリシン０．２ｍｏｌ／Ｌ及びジメチルアミンボラン０．３０ｍｏｌ／Ｌを含み、かつアンモニア水でｐＨ７．５に調整されたニッケル－ボロンめっき液を用意した。

２層目の導電層形成用めっき液として、硫酸ニッケル０．０４ｍｏｌ／Ｌ、グリシン０．２５ｍｏｌ／Ｌ及び硫酸ヒドラジニウム１．５０ｍｏｌ／Ｌを含み、かつアンモニア水でｐＨ９．０に調整された高純度ニッケルめっき液を用意した。

実施例１と同様の懸濁液（１）を５０℃にて攪拌しながら、１層目の導電層形成用めっき液として、上記ニッケル‐ボロンめっき液（ｐＨ７．５）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、導電部としてニッケル－ボロン導電層（ボロン含有量１．２重量％）を形成した。

懸濁液（３）を７５℃にて攪拌しながら、２層目の導電層形成用めっき液として上記高純度ニッケルめっき液（ｐＨ９．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、導電部として１層目にニッケル－ボロン導電層（ボロン含有量１．２重量％）が形成され、２層目に高純度ニッケル導電層を形成した。

その後、ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル－ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

得られた懸濁液（６）を９５℃の煮沸した蒸留水中にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（７）を得た（１回目の洗浄工程）。

その後、懸濁液（７）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（８）を得た。

得られた懸濁液（８）を５０℃にて攪拌しながら、粒子の表面のアミン化合物を除去するために、実施例１と同様のアミン化合物除去液をゆっくりと添加し、５分間撹拌し、アミン化合物を除去した後の懸濁液（９）を得た（１回目の洗浄工程）。

その後、懸濁液（９）をろ過することにより、粒子を取り出し、十分に水洗した。この粒子をエタノール５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（１０）を得た。

得られた懸濁液（１０）を３０℃にて攪拌しながら、粒子の表面を防錆処理するために、実施例１と同様の防錆剤溶液をゆっくりと添加し、１０分間撹拌し、防錆処理後の後の懸濁液（１１）を得た。

その後、懸濁液（１１）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

（実施例９）
アルミナ粒子スラリーをニッケルスラリー（１５０ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１０）
上記基材粒子Ａを、基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１．５μｍである基材粒子Ｂに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１１）
上記基材粒子Ａを、基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１０μｍである基材粒子Ｃに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１２）
攪拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン４．１ｇと、ビニルトリメトキシシラン１９．２ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマー（信越化学工業社製「Ｘ－４１－１０５３」）０．７ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液２．４ｍＬを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０－１７ａｔｍ、３５０℃で２時間焼成して、粒子径が３．０μｍの有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ｄ）を得た。上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｄに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１３）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコを用意した。上記セパラブルフラスコ内に、イオン交換水を入れ、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－２－メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるように秤取した。その後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。０．３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は４０％であった。

（実施例１４）
実施例１と同様の懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

（実施例１５）
アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）の添加量を１重量部から０．３３重量部に変更し、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積を２６％に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１６）
アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）の添加量を１重量部から１．３３重量部に変更し、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積を９９％に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（比較例１）
実施例１と同様の懸濁液（３）をろ過することにより、粒子を取り出し、純水で十分に洗浄した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（４）を得た（洗浄工程）。

懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

（比較例２）
実施例５と同様の懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し純水で十分に洗浄した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（５）を得た（洗浄工程）。

その後、懸濁液（５）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

（比較例３）
実施例８と同様の懸濁液（６）をろ過することにより、粒子を取り出し、純水で十分に洗浄した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（７）を得た（洗浄工程）。

その後、懸濁液（７）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

（比較例４）
実施例１と同様の基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（１）を得た。

その後、懸濁液（３）をろ過することにより、粒子を取り出し、純水で十分に洗浄した。この粒子を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（４）を得た（洗浄工程）。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、エタノール洗浄し、乾燥することにより、導電性粒子を得た。

得られた導電性粒子では、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０２ｎｍ）が形成されていた。得られた導電性粒子では、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が０％であった。

（評価）
（１）窒素含有化合物の残存量の評価
開口を有する石英管を用意し、洗浄した。この石英管内に、得られた導電性粒子１ｇと、イオン交換水（比抵抗１８ＭΩ）１０ｍＬとを入れた。次に、ガスバーナーにより石英管の開口を溶融し、密封し、試験体を得た。１２１℃のオーブン内に試験体を入れ、１２１℃で４８時間加熱した。その後、石英管を開封した。石英管内の加熱後の液を０．１μｍのメンブランフィルターでろ過し、加熱後の液における水相を取り出した。ろ過した水相中の有機酸の濃度をイオンクロマトグラフ装置（ＤＩＯＮＥＸ社製「ＩＣＳ－３０００」）を用いて測定した。

（２）初期の接続抵抗Ａ
得られた導電性粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ－５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。

Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍであるＩＴＯ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍであるＡｕ電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。

その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。

上記接続構造体１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。２つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。

［初期の接続抵抗Ａの判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が８．０Ω以下
○ ：接続抵抗の平均値が８．０Ωを超え１０．０Ω以下
△ ：接続抵抗の平均値が１０．０Ωを超え１５．０Ω以下
× ：接続抵抗の平均値が１５．０Ωを超える

（３）耐マイグレーション性試験後の接続抵抗Ｂ（導通信頼性）
上記（２）の初期の接続抵抗Ａの評価で得られた接続構造体の測定用端子間に１０Ｖの電圧を印加した状態で８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下にて１００時間暴露した。この間、測定用端子間の接続抵抗Ｂを測定した。耐マイグレーション性を下記基準で判定した。

［耐マイグレーション性試験後の接続抵抗Ｂの判定基準］
○○○：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの１倍未満
○○ ：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの１倍以上、１．５倍未満
○ ：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの１．５倍以上、２倍未満
△ ：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの２倍以上、５倍未満
× ：接続抵抗Ｂが接続抵抗Ａの５倍以上

（４）初期の接続抵抗Ｃ
接続構造体の作製：
以下の成分を配合して、配合物を得た。

熱硬化性化合物であるエポキシ化合物（ナガセケムテックス社製「ＥＰ－３３００Ｐ」）２０重量部
熱硬化性化合物であるエポキシ化合物（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮＨＰ－４０３２Ｄ」）１５重量部
熱硬化剤である熱カチオン発生剤（三新化学社製サンエイド「ＳＩ－６０」）５重量部
フィラーであるシリカ（平均粒子径０．２５μｍ）２０重量部

得られる異方性導電ペースト１００重量％中で導電性粒子の含有量が１０重量％となるように、得られた配合物に導電性粒子を添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。

Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍのＡｌ－Ｔｉ４％電極パターン（Ａｌ－Ｔｉ４％電極厚み１μｍ）を上面に有するガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍの金電極パターン（金電極厚み２０μｍ）を下面に有する半導体チップを用意した。

上記ガラス基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ２０μｍとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。次に、異方性導電材料層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が１７０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、２．５ＭＰａの圧力をかけて、異方性導電材料層を１７０℃で硬化させ、接続構造体を得た。

接続抵抗の測定：
上記接続構造体１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。２つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。初期の接続抵抗を下記の基準で判定した。

［初期の接続抵抗Ｃの判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が８．０Ω以下
○ ：接続抵抗の平均値が８．０Ωを超え１０．０Ω以下
△ ：接続抵抗の平均値が１０．０Ωを超え１５．０Ω以下
× ：接続抵抗の平均値が１５．０Ωを超える

（５）耐マイグレーション性試験後の接続抵抗Ｄ（導通信頼性）
上記（４）の初期の接続抵抗Ｃの評価で得られた接続構造体を２０Ｖの電圧を印加した状態で８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下にて１００時間放置した。接続構造体を上記条件で放置したことによって、バインダー樹脂中に浸入した水とバインダー樹脂中に含まれる酸の反応によって、接続構造体における電極間の接続部分が酸の存在下に一定期間晒された。放置後の接続構造体において、接続構造体の対向する電極間の接続抵抗Ｄを４端子法により測定した。また、酸の存在下に晒された後の接続抵抗を下記の基準で判定した。

［耐マイグレーション性試験後の接続抵抗Ｄの判定基準］
○○○：接続抵抗Ｄが接続抵抗Ｃの３倍未満
○○ ：接続抵抗Ｄが接続抵抗Ｃの３倍以上、３．５倍未満
○ ：接続抵抗Ｄが接続抵抗Ｃの３．５倍以上、４倍未満
△ ：接続抵抗Ｄが接続抵抗Ｃの４倍以上、５倍未満
× ：接続抵抗Ｄが接続抵抗Ｃの５倍以上

（６）絶縁性Ａ
上記の（２）初期の接続抵抗Ａの評価で得られた接続構造体の隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。絶縁性を下記の基準で判定した。

［絶縁性Ａの判定基準］
○：リーク箇所が全くない
×：リーク箇所がある

（７）絶縁性Ｂ
上記の（４）初期の接続抵抗Ｃの評価で得られた接続構造体の隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。絶縁性を下記の基準で判定した。

［絶縁性Ｂの判定基準］
○：リーク箇所が全くない
×：リーク箇所がある

詳細及び結果を下記の表１～４に示す。

１…導電性粒子
２…基材粒子
３…導電部
１１…導電性粒子
１１ａ…突起
１２…導電部
１２ａ…突起
１３…芯物質
１４…絶縁性物質
２１…導電性粒子
２１ａ…突起
２２…導電部
２２ａ…突起
２２Ａ…第１の導電部
２２Ａａ…突起
２２Ｂ…第２の導電部
２２Ｂａ…突起
３１…導電性粒子
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部

Claims

アミン化合物及びヒドラジン化合物の内の少なくとも一方である窒素含有化合物を含む導電性粒子であり、
前記導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱したときに、加熱後の前記測定用液における水相中の前記窒素含有化合物の含有量が１０００μｇ以下である、導電性粒子。
窒素含有化合物であるアミン化合物を含む導電性粒子であり、
前記導電性粒子１ｇをイオン交換水１０ｍＬに加えた測定用液を、密封条件下において１２１℃で４８時間加熱したときに、加熱後の前記測定用液における水相中の前記アミン化合物の含有量が１０００μｇ以下である、導電性粒子。
基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
前記導電部が、ニッケルと、前記窒素含有化合物とを含む、請求項３に記載の導電性粒子。
前記導電部の外表面に突起を有する、請求項３又は４に記載の導電性粒子。
前記導電部の外表面の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が２５％以上である、請求項５に記載の導電性粒子。
前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部内において、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備える、請求項５又は６に記載の導電性粒子。
前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項３～７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項３～８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
前記導電部の外表面が防錆処理されている、請求項３～９のいずれか１項に記載の導電性粒子。
前記導電部の外表面が、炭素数６～２２のアルキル基を有する化合物により防錆処理されている、請求項１０に記載の導電性粒子。
前記導電部の外表面が、リンを含まない化合物により防錆処理されている、請求項１０又は１１に記載の導電性粒子。
粒子径が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の導電性粒子。
請求項１～１３のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項１～１３のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。