JP7270491B2 - 加熱調理器 - Google Patents

Description

本発明は、誘導加熱手段と高周波加熱手段とを有する加熱調理器に関する。

従来、誘導加熱手段と高周波加熱手段とを有する加熱調理器が知られている。例えば、特許文献１には、調理庫の上方に高周波加熱手段が設けられ、調理庫の下方に誘導加熱手段が設けられた加熱調理器が記載されている。高周波加熱手段は、マグネトロン、導波管、及びマイクロ波拡散室を有している。誘導加熱手段は、誘導加熱コイルを有している。調理庫内には調理対象物が収容された容器が収納される。高周波加熱手段を駆動することにより、マイクロ波の作用による調理対象物の加熱調理が行われ、誘導加熱手段を駆動することにより容器の底部に渦電流が誘起され、ジュール熱による調理対象物の加熱調理が行われる。

特許文献１の加熱調理器の主制御部には、高周波加熱手段の駆動部であるＥＭ駆動部と、誘導加熱手段の駆動部であるＩＨ駆動部とが接続されている。ＥＭ駆動部にはＥＭインバータ回路が接続され、ＩＨ駆動部にはＩＨインバータ回路が接続されている。

特開２０１１－１５５０１２号公報

しかしながら、特許文献１に記載の加熱調理器においては、直流電源回路から主制御部への電源の供給は、１系統で行われている。そのため、ＩＨインバータ回路のグランド電位と、ＥＭインバータ回路のグランド電位とは同電位となっている。従って、ＩＨインバータ回路及びＥＭインバータ回路のうちの一方のインバータ回路を主制御部で駆動すると、駆動されていない他方のインバータ回路に電流が流れる可能性がある。その結果、他方のインバータ回路にノイズが重畳するという課題があった。

本発明は、上述のような課題を背景としてなされたものであり、高周波加熱手段と誘導加熱手段とを有し、各加熱手段のインバータ回路におけるノイズの発生が抑制されている加熱調理器を提供するものである。

本発明に係る加熱調理器は、被加熱物が載置されるトッププレートと、前記トッププレートの下方に配置され、前記トッププレートに載置される被加熱物を加熱する誘導加熱手段と、前記誘導加熱手段の下方に設けられ、被加熱物が収納される加熱庫と、前記加熱庫に収納される被加熱物を加熱するマイクロ波加熱手段と、前記誘導加熱手段へ電力を供給するための誘導加熱回路部と、前記マイクロ波加熱手段へ電力を供給するためのマイクロ波加熱回路部と、を備え、前記誘導加熱回路部は、前記誘導加熱手段へ高周波電流を供給するためのＩＨスイッチング素子を有するＩＨインバータ駆動部と、前記ＩＨスイッチング素子を駆動するＩＨスイッチング素子駆動手段とを有し、前記マイクロ波加熱回路部は、前記マイクロ波加熱手段に高周波電流を供給するためのレンジスイッチング素子を有するレンジインバータ駆動部と、前記レンジスイッチング素子を駆動するためのレンジスイッチング素子駆動手段とを有し、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段及び前記レンジスイッチング素子駆動手段に制御電源を供給する少なくとも１つの電源回路部と、前記ＩＨインバータ駆動部と前記レンジインバータ駆動部とを制御する制御部と、を備え、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位と、前記レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位とは別電位で構成され、前記制御部の制御電源のグランド電位と、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段及び前記レンジスイッチング素子駆動手段のいずれか一方の制御電源のグランド電位とは同電位で構成されているものである。
また、本発明に係る加熱調理器は、被加熱物が載置されるトッププレートと、前記トッププレートの下方に配置され、前記トッププレートに載置される被加熱物を加熱する誘導加熱手段と、前記誘導加熱手段の下方に設けられ、被加熱物が収納される加熱庫と、前記加熱庫に収納される被加熱物を加熱するマイクロ波加熱手段と、前記誘導加熱手段へ電力を供給するための誘導加熱回路部と、前記マイクロ波加熱手段へ電力を供給するためのマイクロ波加熱回路部と、を備え、前記誘導加熱回路部は、前記誘導加熱手段へ高周波電流を供給するためのＩＨスイッチング素子を有するＩＨインバータ駆動部と、前記ＩＨスイッチング素子を駆動するＩＨスイッチング素子駆動手段とを有し、前記マイクロ波加熱回路部は、前記マイクロ波加熱手段に高周波電流を供給するためのレンジスイッチング素子を有するレンジインバータ駆動部と、前記レンジスイッチング素子を駆動するためのレンジスイッチング素子駆動手段とを有し、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段及び前記レンジスイッチング素子駆動手段に制御電源を供給する少なくとも１つの電源回路部と、前記ＩＨインバータ駆動部と前記レンジインバータ駆動部とを制御する制御部と、を備え、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位と、前記レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位とは別電位で構成され、前記制御部の制御電源のグランド電位と、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位と、前記レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されているものである。

本発明によれば、ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されている。従って、誘導加熱回路部及びマイクロ波加熱回路部のうちの一方のインバータ駆動部を駆動した場合、駆動されていない他方のインバータ駆動部に電流が流れることが抑制される。その結果、他方のインバータ駆動部にノイズが重畳することが抑制されるという効果が得られる。

実施の形態１に係る加熱調理器の平面図である。 実施の形態１に係る加熱調理器の断面図である。 実施の形態１に係る加熱調理器の断面図である。 本実施の形態１に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態１の第１変形例を示す電気回路構成図である。 実施の形態１の第２変形例を示す電気回路構成図である。 実施の形態２に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態２の第１変形例を示す電気回路構成図である。 実施の形態２の第２変形例を示す電気回路構成図である。 実施の形態２の第３変形例を示す電気回路構成図である。 実施の形態３に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態３の第１変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態３の第２変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態４に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態４の第１変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態４の第２変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 実施の形態４の第３変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。 比較例の加熱調理器の電気回路における電流の流れを説明する図である。 実施の形態１の加熱調理器の電気回路における電流の流れを説明する図である。 実施の形態３に係る加熱調理器の断面図である。

以下、本発明に係る加熱調理器の実施の形態を、図面を参照して説明する。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、本発明は、以下の各実施の形態に示す構成のうち、組合せ可能な構成のあらゆる組合せを含むものである。また、図面に示す加熱調理器は、本発明の加熱調理器が適用される機器の一例を示すものであり、図面に示された加熱調理器によって本発明の適用機器が限定されるものではない。また、以下の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語（例えば「上」、「下」、「右」、「左」、「前面」、「背面」など）を適宜用いるが、これらは説明のためのものであって、本発明を限定するものではない。また、各図において、同一の符号を付したものは、同一の又はこれに相当するものであり、これは明細書の全文において共通している。尚、各図面では、各構成部材の相対的な寸法関係又は形状等が実際のものとは異なる場合がある。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る加熱調理器の平面図である。図１の下側は加熱調理器の前面側であり、上側は加熱調理器の背面側である。図１の右側は加熱調理器を前面側から見たときの右側であり、左側は加熱調理器を前面側からみたときの左側である。すなわち、図１の上下方向は加熱調理器の前後方向に相当し、図１の左右方向は加熱調理器の左右方向に相当する。図２は、実施の形態１に係る加熱調理器の断面図である。図２は、加熱調理器を図１の線Ａ－Ａで切断し、矢印方向から示している。図３は、実施の形態１に係る加熱調理器の断面図である。図３は、加熱調理器を図２の線Ｂ－Ｂで切断し、矢印方向から示している。

図２に示されるように、加熱調理器１はキッチンカウンター２０１に組み込まれるタイプの調理器である。図２及び図３に示されるように、加熱調理器１は、上部ユニット１０と下部ユニット６０とを備えている。上部ユニット１０は加熱調理器１の上部に配置され、下部ユニット６０は加熱調理器１の下部に配置されている。

上部ユニット１０は、上部ケース１１と、支持板１２と、トッププレート２０とを有している。上部ケース１１は、例えば、１枚の亜鉛鋼板等の金属製薄板をプレス加工して形成されたものである。支持板１２は金属製の枠状部材である。支持板１２は上部ケース１１の上部に配置されている。トッププレート２０は、例えば耐熱強化ガラス製又は結晶化ガラス製の板状部材である。トッププレート２０は支持板１２により支持されている。

図１に示されるように、トッププレート２０には、右側載置部２１と左側載置部２２とが形成されている。右側載置部２１及び左側載置部２２は、それぞれ被加熱物が載置される載置部である。右側載置部２１及び左側載置部２２の下方には、それぞれ誘導加熱手段が配置されている。トッププレート２０の前面側端部には、統合表示部３０と、右側表示部３１と、左側表示部３２とが設けられている。統合表示部３０は左右方向の略中央に配置されている。右側表示部３１は右側端部に配置されている。左側表示部３２は左側端部に配置されている。統合表示部３０、右側表示部３１、及び左側表示部３２は、液晶表示画面を有している。統合表示部３０には、誘導加熱手段及びマイクロ波加熱手段に関する情報が表示される。右側表示部３１には、右側載置部２１の下方に設けられた誘導加熱手段の動作状態等の情報が表示される。左側表示部３２には、左側載置部２２の下方に設けられた誘導加熱手段の動作状態等の情報が表示される。誘導加熱手段及びマイクロ波加熱手段については後述する。トッププレート２０の前面側端部において、統合表示部３０、右側表示部３１、及び左側表示部３２の前面側には、操作部３３が設けられている。操作部３３には、加熱調理器１の電源オンオフのための操作ボタン、誘導加熱手段及びマイクロ波加熱手段の各種操作ボタン等が設けられている。

トッププレート２０の背面側には、排気口蓋２３が設けられている。排気口蓋２３は排気口カバー２４が取り付けられている。トッププレート２０の前面側にはドア６５が配置され、ドア６５には取っ手６６が設けられている。

図２及び図３に示すように、上部ケース１１において、トッププレート２０の下方には誘導加熱手段５１及び誘導加熱手段５２が収納されている。誘導加熱手段５１及び誘導加熱手段５２は、例えば銅線若しくはアルミ線を渦巻状に巻いたコイル部材である。

上部ケース１１には、誘導加熱回路部４０が収納されている。誘導加熱回路部４０は、誘導加熱手段５１及び誘導加熱手段５２の下方に配置されている。図２に示すように、誘導加熱回路部４０はカバー４４で覆われている。

誘導加熱とは、図１に示されるトッププレート２０に載置された金属製である被加熱物に渦電流を発生させ、この渦電流によるジュール熱で被加熱物を発熱させるものである。誘導加熱手段５１及び５２に、例えば２０ｋＨｚ～５０ｋＨｚの高周波電流を流すことにより、被加熱物を発熱させる。

下部ユニット６０は、下部ケース６１と、加熱庫６４と、ドア６５と、マイクロ波加熱手段７０と、不図示のアンテナ収容室とを有している。下部ケース６１は背面板６２と底板６３とを有している。背面板６２の下部は、背面側から前面側に向かって下方に傾斜している。加熱庫６４は、底板６３の上部に配置されている。ドア６５は、加熱庫６４の前面側の開口６４Ａに開閉可能に取り付けられている。ドア６５には取っ手６６が設けられている。加熱庫６４には被加熱物が収容される。被加熱物は、角皿６７に載置された状態で加熱庫６４に収容される。角皿６７は、例えばセラミックを矩形に形成したものである。角皿６７は加熱庫６４の開口６４Ａを介して加熱庫６４の内外に出し入れされる。

マイクロ波加熱手段７０は、マグネトロン７１と、発振部７２と、導波管７３と、不図示のアンテナ及びアンテナモータと、を有している。アンテナは、不図示のアンテナ収容室に収容されている。

マイクロ波加熱回路部８０は、マイクロ波加熱手段７０に高周波電流を供給するための回路である。マイクロ波加熱手段７０により、加熱庫６４に収容された被加熱物が加熱される。

波長の短いマイクロ波を被加熱物に向かって照射すると、その被加熱物に含まれる水分子はマイクロ波のエネルギーを吸収する。その結果、水分子は振動し発熱する。このように、マイクロ波加熱とは、マイクロ波を照射し被加熱物の内部から加熱するものである。

図３に示されるように、誘導加熱回路部４０は、誘導加熱手段５１及び５２の下方であって加熱庫６４の上方に配置されている。

また、図３に示されるように、マイクロ波加熱回路部８０は、下部ユニット６０内において、加熱庫６４の外側であって、右側端部に配置されている。また、図２に示されるように、マイクロ波加熱回路部８０は、マイクロ波加熱手段７０の前面側に配置されている。すなわち、マイクロ波加熱回路部８０は、加熱庫６４の周囲において、マイクロ波加熱手段７０が配置されている側に配置されている。

電源回路部９０は、下部ユニット６０内において、加熱調理器１の背面側の端部に設けられている。電源回路部９０は、誘導加熱回路部４０及びマイクロ波加熱回路部８０に供給される電圧が生成される。

図２及び図３に示されるように、マイクロ波加熱回路部８０は誘導加熱回路部４０の下方に位置している。また、図３に示されるように、誘導加熱回路部４０とマイクロ波加熱回路部８０とは、左右方向において、間隔を空けて配置されている。すなわち、誘導加熱回路部４０とマイクロ波加熱回路部８０とは、平面視及び側方視で互いに重なり合わないよう配置されている。

図２に示されるように、統合表示部３０の下方には表示基板３０Ａが配置されている。また、操作部３３の下方には操作基板３３Ａが配置されている。

図４は、本実施の形態１に係る加熱調理器の電気回路構成図である。加熱調理器１は、制御部１００と、上述の誘導加熱回路部４０、マイクロ波加熱回路部８０、及び電源回路部９０と、を有している。

制御部１００は、専用のハードウェア、又はメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）で構成されている。尚、ＣＰＵは、中央処理装置、処理装置、演算装置、マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、又はプロセッサともいう。

制御部１００が専用のハードウェアである場合、制御部１００は、例えば、単一回路、複合回路、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、又はこれらを組み合わせたものが該当する。制御部１００が実現する各機能部のそれぞれを、個別のハードウェアで実現してもよいし、各機能部を一つのハードウェアで実現してもよい。

制御部１００がＣＰＵの場合、制御部１００が実行する各機能は、ソフトウェア、ファームウェア、又はソフトウェアとファームウェアとの組み合わせにより実現される。ソフトウェア及びファームウェアはプログラムとして記述され、メモリに格納される。ＣＰＵは、メモリに格納されたプログラムを読み出して実行することにより、制御部１００の各機能を実現する。ここで、メモリは、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ、又はＥＥＰＲＯＭ等の、不揮発性又は揮発性の半導体メモリである。

制御部１００の機能の一部を専用のハードウェアで実現し、一部をソフトウェア又はファームウェアで実現するようにしてもよい。

制御部１００は、図１に示す操作部３３で入力された火力設定情報に基づいて、誘導加熱回路部４０のＩＨスイッチング素子駆動手段４１とマイクロ波加熱回路部８０のレンジスイッチング素子駆動手段８１にオンオフ信号を出力する。ＩＨスイッチング素子駆動手段４１及びレンジスイッチング素子駆動手段８１については後述する。尚、制御部１００を、操作部３３を操作することにより設定された火力設定情報に基づいて、統合表示部３０、右側表示部３１、及び左側表示部３２の表示を変更するよう構成してもよい。また、制御部１００とは別に操作制御部を設け、操作制御部で操作部３３からの情報の受け取り、統合表示部３０、右側表示部３１、及び左側表示部３２の表示制御を行うよう構成してもよい。

誘導加熱回路部４０は、誘導加熱手段５１へ電力を供給するための回路部である。誘導加熱回路部４０は、直流電源回路４２と、ＩＨインバータ駆動部４３と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１と、を有している。尚、以降の説明において、誘導加熱手段５１を例にとって誘導加熱回路部４０を説明するが、誘導加熱手段５０についても同様の構成を有する誘導加熱回路部が構成されている。

直流電源回路４２は、商用電源２００から入力される交流電流を直流電流に変換して、ＩＨインバータ駆動部４３に出力する回路である。直流電源回路４２は、ダイオードブリッジ４２１と、リアクトル４２２と、平滑コンデンサ４２３と、を有している。商用電源２００から入力される交流電流は、ダイオードブリッジ４２１で直流電流に整流される。リアクトル４２２はノイズフィルタとして機能する。ダイオードブリッジ４２１から出力された直流電流は、リアクトル４２２及び平滑コンデンサ４２３を介しＩＨインバータ駆動部４３へ入力される。

ＩＨインバータ駆動部４３は、誘導加熱手段５１と、ＩＨスイッチング素子４０１と、共振コンデンサ４０２と、を有している。共振コンデンサ４０２は、誘導加熱手段５１と共に共振回路を形成している。ＩＨスイッチング素子４０１は、誘導加熱手段５１へ高周波電流を供給するためのものである。ＩＨスイッチング素子４０１は、例えば、上スイッチング素子４０１Ａと下スイッチング素子４０１Ｂとを備えている。ＩＨスイッチング素子４０１は、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１からの出力により、オンオフされる。ＩＨスイッチング素子４０１をオンオフすることにより、ＩＨインバータ駆動部４３に入力された直流電流は交流電力に変換され、誘導加熱手段５１に供給され、上述のトッププレート２０に載置された被加熱物が加熱される。

上述のように、本実施の形態１において、ＩＨインバータ駆動部４３に形成されている電流共振型回路は、ハーフブリッジ型回路で構成したインバータ回路であるが、これに限るものではない。ＩＨインバータ駆動部４３を、フルブリッジ型のインバータ回路、若しくは電圧共振型のインバータ回路で構成してもよい。

マイクロ波加熱回路部８０は、マイクロ波加熱手段７０に高周波電流を供給するための回路である。マイクロ波加熱回路部８０は、直流電源回路８２と、レンジインバータ駆動部８３と、レンジスイッチング素子駆動手段８１と、を有している。

直流電源回路８２は、商用電源２００から入力される交流電流を直流電流に変換して、レンジインバータ駆動部８３に出力する回路である。直流電源回路８２は、ダイオードブリッジ８２１と、リアクトル８２２と、平滑コンデンサ８２３と、を有している。商用電源２００から入力される交流電流は、ダイオードブリッジ８２１で直流電流に整流される。リアクトル８２２はノイズフィルタとして機能する。ダイオードブリッジ８２１から出力された直流電流は、リアクトル８２２及び平滑コンデンサ８２３を介しレンジインバータ駆動部８３へ入力される。

レンジインバータ駆動部８３は、巻線８０１と、共振コンデンサ８０２と、レンジスイッチング素子８０３と、を有している。巻線８０１は、リアクタンス素子である高周波トランスである。巻線８０１と共振コンデンサ８０２とで共振回路が形成されている。直流電源回路８２から出力された直流電流は共振回路に入力される。レンジスイッチング素子８０３は、レンジスイッチング素子駆動手段８１からの数百Ｈｚの周波数成分を含む出力により、オンオフされる。レンジスイッチング素子８０３をオンオフすることにより、レンジインバータ駆動部８３に入力された直流電流は交流電力に変換され、高周波トランスの巻線８０１に供給され、昇圧及び整流されて、マイクロ波加熱手段７０に供給される。これにより、マイクロ波加熱手段７０が発振される。

電源回路部９０は、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の電源、レンジスイッチング素子駆動手段８１の電源、及び、制御部１００の制御電源を生成する。電源回路部９０には、例えば不図示の直流電源回路と電源トランスとスイッチング素子とで構成されたスイッチング電源が用いられる。

電源回路部９０は、電圧Ｖ１、電圧Ｖ２、及び電圧Ｖ３を生成する。電圧Ｖ１は、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１に出力される。電圧Ｖ２は、レンジスイッチング素子駆動手段８１に出力される。電圧Ｖ３は、制御部１００に出力される。制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位は異なっている。

本実施の形態１において、電圧Ｖ１及び電圧Ｖ３については制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ２については制御グランドＶｅ２で構成されている。ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位となっている。また、制御部１００の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは同電位で構成されている。制御部１００の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されている。

制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者は別電位である。そのため、制御部１００とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には絶縁回路１１０が接続されている。

ここで、図１８及び図１９を参照して、本実施の形態１の効果について説明する。図１８は、比較例の加熱調理器の電気回路における電流の流れを説明する図である。図１９は、実施の形態１の加熱調理器の電気回路における電流の流れを説明する図である。図１８に示す比較例では、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１のグランド電位はＶｅ１であり、両者のグランド電位は同電位となっている。

ＩＨインバータ駆動部４３が駆動されているとき、電流経路は図１８において太線Ｃ１で示すように形成され、電流は太矢印で示す方向に流れる。このとき、比較例のように、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１のグランド電位とレンジスイッチング素子駆動手段８１のグランド電位とが同電位であると、電位Ｖａと電位Ｖｂも同電位となる。電位Ｖａは、誘導加熱回路部４０の直流電源回路４２の平滑コンデンサ４２３の両端電位であり、電位Ｖｂは、マイクロ波加熱回路部８０の直流電源回路８２の平滑コンデンサ８２３の両端電位である。電位Ｖａと電位Ｖｂが同電位となると、図１８において矢印Ｌ１で示すように電流が流れ始め、電流は矢印Ｌ２、Ｌ３及びＬ４で示すように流れる。矢印Ｌ２及びＬ３は、別の回路の制御グランド、例えば制御部１００を構成するＣＰＵの配線パターンであり、この配線パターンを経由し、電位Ｖａから電位Ｖｂに電流が流れる。すなわち、誘導加熱回路部４０を流れている電流がマイクロ波加熱回路部８０へ回り込む。その結果、マイクロ波加熱回路部８０の配線及びパターンにおいて電圧降下が発生し、電圧差が発生する。マイクロ波加熱回路部８０において電圧差が発生すると、レンジスイッチング素子駆動手段８１が誤動作し、レンジスイッチング素子８０３が誤点弧し、ノイズが重畳する可能性がある。

レンジインバータ駆動部８３が駆動されているときも、同様の現象が発生する可能性がある。すなわち、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１のグランド電位とレンジスイッチング素子駆動手段８１のグランド電位とが同電位であることから、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１が誤動作し、ＩＨスイッチング素子４０１が誤点弧する可能性がある。その結果、ノイズが重畳する可能性がある。

これに対し、本実施の形態１では、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１のグランド電位はＶｅ２であり、両者のグランド電位は別電位となっている。従って、図１９に示すように、誘導加熱回路部４０を流れている電流がマイクロ波加熱回路部８０へ回り込むことはない。従って、ＩＨインバータ駆動部４３の駆動中に、レンジスイッチング素子駆動手段８１が誤動作し、レンジスイッチング素子８０３が誤点弧することが抑制される。その結果、ノイズの発生を抑制することができる。同様に、マイクロ波加熱回路部８０の駆動中に、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１が誤動作し、ＩＨスイッチング素子４０１が誤点弧することが抑制され、ノイズの発生が抑制される。

上述のように、上部ケース１１は、１枚の亜鉛鋼板等の金属製薄板をプレス加工して形成されたものである。そして、誘導加熱回路部４０は上部ケース１１に配置され、マイクロ波加熱回路部８０は、上部ケース１１の下方に位置する下部ケース６１に配置されている。すなわち、本実施の形態１において、誘導加熱回路部４０とマイクロ波加熱回路部８０との間には、図２に示すように導電性の金属板である上部ケース１１の底面部分が配置されている。このように、金属板を介在させることにより、誘導加熱回路部４０とマイクロ波加熱回路部８０との間の距離が短くなったとしても、誘導加熱回路部４０の誘導加熱で形成される磁界の影響に起因するノイズの発生を抑制することができる。

＜実施の形態１の第１変形例＞
図５は、実施の形態１の第１変形例を示す電気回路図である。第１変形例において、電圧Ｖ１については制御グランドＶｅ１で構成され電圧Ｖ２及び電圧Ｖ３については制御グランドＶｅ２で構成されている。すなわち、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されている。制御部１００の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されている。制御部１００の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とを同電位で構成されている。そして、制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、両者は別電位である。そのため、制御部１００とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には絶縁回路１１１が接続されている。その他の構成は、図４と同様である。

第１変形例においても、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者は別電位である。従って、上述の効果と同様の効果が得られる。

＜実施の形態１の第２変形例＞
図６は、実施の形態１の第２変形例を示す回路図である。第２変形例において、制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位と制御グランドＶｅ３とはそれぞれ異なっている。第２変形例において、電圧Ｖ１については制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ２については制御グランドＶｅ２で構成され、電圧Ｖ３については制御グランドＶｅ３で構成されている。

すなわち、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位と、制御部１００の制御電源のグランド電位とをそれぞれ別電位で構成されている。制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ３であり、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、両者は別電位である。そのため、制御部とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には絶縁回路１１１が接続されている。制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ３であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者は別電位である。そのため、制御部１００とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には絶縁回路１１０が接続されている。その他の構成は、図４と同様である。

第２変形例においても、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者は別電位である。従って、上述の効果と同様の効果が得られる。

第２変形例において、制御部１００の制御電源のグランド電位とＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。制御部１００の制御電源のグランド電位とレンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、同様に、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。

実施の形態２．
図７は、実施の形態２に係る加熱調理器の電気回路構成図である。実施の形態１の加熱調理器と同一の構成要素には、図１～図４における符号と同一の符号が付されている。本実施の形態２において、加熱調理器２は、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを有している。ＩＨ制御部１０１及びレンジ制御部１０２は、実施の形態１の制御部と同様、専用のハードウェア、又はメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵで構成されている。

ＩＨ制御部１０１は、ＩＨインバータ駆動部４３を制御する制御部である。ＩＨ制御部１０１は、図１の操作部３３で入力された火力設定情報に基づいて、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１にオンオフ信号を出力する。レンジ制御部１０２は、レンジインバータ駆動部８３を制御する制御部である。レンジ制御部１０２は、図１の操作部３３で入力された火力設定情報に基づいて、レンジスイッチング素子駆動手段８１にオンオフ信号を出力する。その他の構成は、実施の形態１と同様である。

本実施の形態２において、電源回路部９０は、電圧Ｖ１、電圧Ｖ２、電圧Ｖ３、及び電圧Ｖ４を生成する。電圧Ｖ１は、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１に出力される。電圧Ｖ２は、レンジスイッチング素子駆動手段８１に出力される。電圧Ｖ３は、ＩＨ制御部１０１に出力される。電圧Ｖ４は、レンジ制御部１０２に出力される。

また、実施の形態１と同様、制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位とは異なっている。本実施の形態２において、電圧Ｖ１、電圧Ｖ３、及び電圧Ｖ４については制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ２については制御グランドＶｅ２で構成される。すなわち、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。また、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは同電位である。また、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。そのため、レンジ制御部１０２とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には絶縁回路１１０が接続されている。その他の構成は、実施の形態１の図４と同様である。

本実施の形態２によれば、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の制御電源のグランド電位は異なっている。従って、実施の形態１と同様、ＩＨインバータ駆動部４３及びレンジインバータ駆動部８３のいずれか一方を駆動させたとき、駆動していない他方に電流が流れることが抑制され、ノイズの発生が抑制される。

さらに、本実施の形態２によれば、ＩＨインバータ駆動部４３とレンジインバータ駆動部８３とに対して、それぞれ個別の制御部、すなわち、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを設けている。従って、ＩＨ制御部１０１とＩＨインバータ駆動部４３との間の配線、及びレンジ制御部１０２とレンジインバータ駆動部８３との間の配線を、それぞれ短くすることができる。その結果、各配線における電流ループが短くなり、ノイズを抑制することができる。また、配線を短くすることができるため、回路構成の設計の自由度が向上する。

＜実施の形態２の第１変形例＞
図８は、実施の形態２の第１変形例を示す回路図である。第１変形例において、電圧Ｖ１については制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ２、電圧Ｖ３、及び電圧Ｖ４については制御グランドＶｅ２で構成される。すなわち、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。また、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは同電位である。また、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位である。そのため、ＩＨ制御部１０１とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には絶縁回路１１１が接続されている。その他の構成は、実施の形態２の図７と同様である。

第１変形例によれば、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位となっている。従って、上述した実施の形態１の効果と同様の効果が得られる。また、第１変形例によれば、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを設けている。従って、実施の形態２の効果に関する上述の効果と同様の効果が得られる。

＜実施の形態２の第２変形例＞
図９は、実施の形態２の第２変形例を示す回路図である。第２変形例において、制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位と制御グランドＶｅ３とはそれぞれ異なっている。電圧Ｖ１については制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ２については制御グランドＶｅ２で構成され、電圧Ｖ３については制御グランドＶｅ３で構成され、電圧Ｖ４については、制御グランドＶｅ３で構成されている。すなわち、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。また、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位とは同電位である。ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位である。レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。そのため、ＩＨ制御部１０１とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には絶縁回路１１１が接続され、レンジ制御部１０２とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には絶縁回路１１０が接続されている。その他の構成は、実施の形態２の図７と同様である。

第２変形例によれば、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とを別電位となっている。従って、上述した実施の形態１の効果と同様の効果が得られる。また、第２変形例によれば、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを設けている。従って、実施の形態２の効果に関する上述の効果と同様の効果が得られる。

第２変形例において、制御部の制御電源のグランド電位とＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。制御部の制御電源のグランド電位とレンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、同様に、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。

＜実施の形態２の第３変形例＞
図１０は、実施の形態２の第３変形例を示す回路図である。第３変形例において、電源回路部９０は、電圧Ｖ１、電圧Ｖ２、電圧Ｖ３、及び電圧Ｖ４を生成する。電圧Ｖ１は、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１に出力される。電圧Ｖ２は、レンジスイッチング素子駆動手段８１に出力される。電圧Ｖ３は、ＩＨ制御部１０１に出力される。電圧Ｖ４は、レンジ制御部１０２に出力される。また、制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位とは異なっている。

電圧Ｖ１及び電圧Ｖ３については制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ２及び電圧Ｖ４については制御グランドＶｅ２で構成されている。すなわち、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位とは別電位である。ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは同電位である。レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは同電位である。その他の構成は、実施の形態２の図７と同様である。

第３変形例によれば、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位となっている。従って、上述した実施の形態１の効果と同様の効果が得られる。また、第３変形例によれば、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを設けている。従って、実施の形態２の効果に関する上述の効果と同様の効果が得られる。

さらに、第３変形例によれば、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは同電位であるため、ＩＨ制御部１０１とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間に絶縁回路が不要となる。また、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは同電位であるため、レンジ制御部１０２とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間に絶縁回路が不要となる。

実施の形態３．
図１１は、実施の形態３に係る加熱調理器の電気回路構成図である。図２０は、実施の形態３に係る加熱調理器の断面図である。図２０は、加熱調理器を図１の線Ａ－Ａに相当する位置で切断し、矢印方向から示している。図１１及び図２０において、実施の形態１及び実施の形態２の加熱調理器と同一の構成要素には、図４～図１０における符号と同一の符号が付されている。本実施の形態３において、加熱調理器３は、ＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを有している。ＩＨ電源回路部９１は、図２に示す誘導加熱手段５１及び５２の下方であって、加熱庫６４の上方に配置されている。レンジ電源回路部９２は、図３に示す加熱庫６４の周囲において、マイクロ波加熱手段７０が配設されている側に配置されている。

ＩＨ電源回路部９１は、電圧Ｖ１と電圧Ｖ３とを生成する。電圧Ｖ１は、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１に出力される。電圧Ｖ３は、制御部１００に出力される。レンジ電源回路部９２は、電圧Ｖ２を生成する。電圧Ｖ２は、レンジスイッチング素子駆動手段８１に出力される。制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位とは異なっている。本実施の形態３において、電圧Ｖ１及び電圧Ｖ３について制御グランドＶｅ１で構成されている。電圧Ｖ２について制御グランドＶｅ２で構成されている。また、制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の電位は異なっている。そのため、制御部１００とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には、絶縁回路１１０が接続されている。

本実施の形態３において、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の制御電源のグランド電位は異なっている。従って、実施の形態１及び実施の形態２と同様、ＩＨインバータ駆動部４３及びレンジインバータ駆動部８３のいずれか一方を駆動させたとき、駆動していない他方に電流が流れることが抑制され、ノイズの発生が抑制される。

また、本実施の形態３において、誘導加熱回路部４０及びマイクロ波加熱回路部８０のそれぞれに、個別にＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを設けている。すなわち、複数の制御電源の供給先のそれぞれの近傍に、電源回路部を配置することができる。従って、誘導加熱回路部４０とＩＨ電源回路部９１との間の配線、及びマイクロ波加熱回路部８０とレンジ電源回路部９２との間の配線を短くすることができ、ノイズ発生を抑制することができる。

また、本実施の形態３において、ＩＨ電源回路部９１は、誘導加熱手段５１及び５２の下方であって、加熱庫６４の上方に配置されている。レンジ電源回路部９２は、加熱庫６４の周囲において、マイクロ波加熱手段７０が配設されている側に配置されている。すなわち、複数ある電源回路部が、それぞれの制御電源の供給先の近傍に配置されている。従って、配線を短く構成でき、ノイズの発生が抑制される。

＜実施の形態３の第１変形例＞
図１２は、実施の形態３の第１変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。第１変形例において、電圧Ｖ１について制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ２及び電圧Ｖ３について制御グランドＶｅ２で構成されている。すなわち、制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、両者の電位は異なっている。そのため、制御部１００とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には、絶縁回路１１１が接続されている。その他の構成は、図１１の構成と同様である。

第１変形例においても、誘導加熱回路部４０及びマイクロ波加熱回路部８０のそれぞれに、個別にＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを設けている。従って、上述のように、配線を短くすることができ、ノイズ発生を抑制することができる。

＜実施の形態３の第２変形例＞
図１３は、実施の形態３の第２変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。第２変形例において、制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位と制御グランドＶｅ３の電位とはそれぞれ異なっている。電圧Ｖ１について制御グランドＶｅ１で構成され、電圧Ｖ３について制御グランドＶｅ３で構成されている。電圧Ｖ２について制御グランドＶｅ２で構成されている。制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ３であり、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、両者の電位は異なっている。そのため、制御部１００とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には、絶縁回路１１１が接続されている。また、制御部１００の制御電源のグランド電位はＶｅ３であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の電位は異なっている。そのため、制御部１００とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には、絶縁回路１１０が接続されている。その他の構成は、図１１に示す回路構成と同様である。

第２変形例においても、誘導加熱回路部４０及びマイクロ波加熱回路部８０のそれぞれに、個別にＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを設けている。従って、上述のように、配線を短くすることができ、ノイズ発生を抑制することができる。

さらに、第２変形例において、制御部１００の制御電源のグランド電位とＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。また、制御部１００の制御電源のグランド電位とレンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、同様に、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。

実施の形態４．
図１４は、実施の形態４に係る加熱調理器の電気回路構成図である。実施の形態１～実施の形態３の加熱調理器と同一の構成要素には、図４～図１３、及び図２０における符号と同一の符号が付されている。本実施の形態４において、加熱調理器４は、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを有している。ＩＨ制御部１０１及びレンジ制御部１０２は、実施の形態１の制御部と同様、専用のハードウェア、又はメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵで構成されている。また、加熱調理器４は、ＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを有している。図２０を参照して説明した実施の形態３と同様、ＩＨ電源回路部９１は、図２に示す誘導加熱手段５１及び５２の下方であって、加熱庫６４の上方に配置されている。また、実施の形態３と同様、レンジ電源回路部９２は、図３に示す加熱庫６４の周囲において、図２に示すマイクロ波加熱手段７０が配設されている側に配置されている。

図１４に示すように、ＩＨ電源回路部９１は、電圧Ｖ１と電圧Ｖ３と電圧Ｖ４とを生成する。電圧Ｖ１は、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１に出力される。電圧Ｖ３は、ＩＨ制御部１０１に出力される。電圧Ｖ４は、レンジ制御部１０２に出力される。レンジ電源回路部９２は、電圧Ｖ２を生成する。電圧Ｖ２は、レンジスイッチング素子駆動手段８１に出力される。制御グランドＶｅ１の電位と制御グランドＶｅ２の電位とは異なっている。電圧Ｖ１、電圧Ｖ３、及び電圧Ｖ４について制御グランドＶｅ１で構成されている。電圧Ｖ２について制御グランドＶｅ２で構成されている。また、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の電位は異なっている。そのため、制御部とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には、絶縁回路１１０が接続されている。その他の構成は、実施の形態１～実施の形態３と同様である。

本実施の形態４によれば、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の制御電源のグランド電位は異なっている。従って、実施の形態１～実施の形態３と同様、ＩＨインバータ駆動部４３及びレンジインバータ駆動部８３のいずれか一方を駆動させたとき、駆動していない他方に電流が流れることが抑制され、ノイズの発生が抑制される。

本実施の形態４において、ＩＨインバータ駆動部４３とレンジインバータ駆動部８３とに対して、それぞれ個別の制御部、すなわち、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを設けている。従って、実施の形態２と同様、ＩＨ制御部１０１とＩＨインバータ駆動部４３との間の配線、及びレンジ制御部１０２とレンジインバータ駆動部８３との間の配線を、それぞれ短くすることができる。その結果、各配線における電流ループが短くなり、ノイズを抑制することができる。また、配線を短くすることができるため、回路構成の設計の自由度が向上する。

本実施の形態４において、誘導加熱回路部４０及びマイクロ波加熱回路部８０のそれぞれに、個別にＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを設けている。すなわち、複数の制御電源の供給先のそれぞれの近傍に、電源回路部を配置することができる。従って、実施の形態３と同様、誘導加熱回路部４０とＩＨ電源回路部９１との間の配線、及びマイクロ波加熱回路部８０とレンジ電源回路部９２との間の配線を短くすることができ、ノイズ発生を抑制することができる。

＜実施の形態４の第１変形例＞
図１５は、実施の形態４の第１変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。第１変形例において、電圧Ｖ１について制御グランドＶｅ１で構成されている。電圧Ｖ２、電圧Ｖ３、及び電圧Ｖ４について制御グランドＶｅ２で構成されている。また、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、両者の電位は異なっている。そのため、ＩＨ制御部１０１とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には、絶縁回路１１１が接続されている。

第１変形例においても、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の制御電源のグランド電位は異なっている。また、制御部として、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを有している。また、電源回路部としてＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを有している。従って、上述した図１４の電気回路構成と同様の効果が得られる。

＜実施の形態４の第２変形例＞
図１６は、実施の形態４の第２変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。ＩＨスイッチング素子駆動手段４１に出力される電圧Ｖ１については、制御電源のグランドを制御グランドＶｅ１で構成され、ＩＨ制御部１０１に出力される電圧Ｖ３については、制御電源のグランドを制御グランドＶｅ３で構成されている。レンジスイッチング素子駆動手段８１に出力される電圧Ｖ２については、制御グランドＶｅ２で構成され、レンジ制御部１０２に出力される電圧Ｖ４については制御グランドＶｅ３で構成されている。このように、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位と、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されている。また、レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位と、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されている。そのため、ＩＨ制御部１０１とＩＨスイッチング素子駆動手段４１との間には絶縁回路１１１が接続され、レンジ制御部１０２とレンジスイッチング素子駆動手段８１との間には絶縁回路１１０が接続されている。その他の構成は、実施の形態４の図１４の構成と同様である。

第２変形例においても、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の制御電源のグランド電位は異なっている。また、制御部として、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを有している。また、電源回路部としてＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを有している。従って、上述した図１４の電気回路構成と同様の効果が得られる。

第２変形例において、ＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位とＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。レンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位とレンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とは別電位である。従って、同様に、電流ループが短くなり、ノイズの発生を抑制することができる。

＜実施の形態４の第３変形例＞
図１７は、実施の形態４の第３変形例に係る加熱調理器の電気回路構成図である。第３変形例において、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１に出力される電圧Ｖ１及びＩＨ制御部１０１に出力される電圧Ｖ３は、制御グランドＶｅ１で構成されている。また、レンジスイッチング素子駆動手段８１に出力される電圧Ｖ２及びレンジ制御部１０２に出力される電圧Ｖ４は、制御グランドＶｅ２で構成されている。ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位とＩＨ制御部１０１の制御電源のグランド電位とは同電位であるため、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１とＩＨ制御部１０１との間に、絶縁回路は接続されていない。レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位とレンジ制御部１０２の制御電源のグランド電位とは同電位であるため、レンジスイッチング素子駆動手段８１とレンジ制御部１０２との間に、絶縁回路は接続されていない。その他の構成は、図１４～図１６に示す電気回路構成と同様である。

第３変形例においても、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１の制御電源のグランド電位はＶｅ１であり、レンジスイッチング素子駆動手段８１の制御電源のグランド電位はＶｅ２であり、両者の制御電源のグランド電位は異なっている。また、制御部として、ＩＨ制御部１０１とレンジ制御部１０２とを有している。また、電源回路部としてＩＨ電源回路部９１とレンジ電源回路部９２とを有している。従って、上述した図１４の電気回路構成と同様の効果が得られる。

さらに、第３変形例によれば、ＩＨスイッチング素子駆動手段４１とＩＨ制御部１０１との間、及びレンジスイッチング素子駆動手段８１とレンジ制御部１０２との間に絶縁回路を設ける必要が無いため、電気回路を構成する要素の点数を抑えることができる。従って、コストの上昇を抑制することができる。

１ 加熱調理器、１０ 上部ユニット、１１ 上部ケース、１２ 支持板、２０ トッププレート、２１ 右側載置部、２２ 左側載置部、２３ 排気口蓋、２４ 排気口カバー、３０ 統合表示部、３０Ａ 表示基板、３１ 右側表示部、３２ 左側表示部、３３ 操作部、３３Ａ 操作基板、４０ 誘導加熱回路部、４１ ＩＨスイッチング素子駆動手段、４２ 直流電源回路、４３ ＩＨインバータ駆動部、４４ カバー、５０ 誘導加熱手段、５１ 誘導加熱手段、５２ 誘導加熱手段、６０ 下部ユニット、６１ 下部ケース、６２ 背面板、６３ 底板、６４ 加熱庫、６４Ａ 開口、６５ ドア、６６ 取っ手、６７ 角皿、７０ マイクロ波加熱手段、７１ マグネトロン、７２ 発振部、７３ 導波管、７６ アンテナ収容室、８０ マイクロ波加熱回路部、８１ レンジスイッチング素子駆動手段、８２ 直流電源回路、８３ レンジインバータ駆動部、９０ 電源回路部、１００ 制御部、１１０ 絶縁回路、１１１ 絶縁回路、２００ 商用電源、２０１ キッチンカウンター、４０１ ＩＨスイッチング素子、４０１Ａ 上スイッチング素子、４０１Ｂ 下スイッチング素子、４０２ 共振コンデンサ、４２１ ダイオードブリッジ、４２２ リアクトル、４２３ 平滑コンデンサ、８０１ １次巻線、８０２ 共振コンデンサ、８０３ レンジスイッチング素子、８２１ ダイオードブリッジ、８２２ リアクトル、８２３ 平滑コンデンサ、２ 加熱調理器、１０１ ＩＨ制御部、１０２ レンジ制御部、３ 加熱調理器、９１ ＩＨ電源回路部、９２ レンジ電源回路部、４ 加熱調理器、Ｖ１ 電圧、Ｖ２ 電圧、Ｖ３ 電圧、Ｖ４ 電圧、Ｖａ 電位、Ｖｂ 電位、Ｖｅ１ 制御グランド、Ｖｅ２ 制御グランド、Ｖｅ３ 制御グランド。

Claims (8)

1. 被加熱物が載置されるトッププレートと、
   前記トッププレートの下方に配置され、前記トッププレートに載置される被加熱物を加熱する誘導加熱手段と、
   前記誘導加熱手段の下方に設けられ、被加熱物が収納される加熱庫と、
   前記加熱庫に収納される被加熱物を加熱するマイクロ波加熱手段と、
   前記誘導加熱手段へ電力を供給するための誘導加熱回路部と、
   前記マイクロ波加熱手段へ電力を供給するためのマイクロ波加熱回路部と、を備え、
   前記誘導加熱回路部は、前記誘導加熱手段へ高周波電流を供給するためのＩＨスイッチング素子を有するＩＨインバータ駆動部と、前記ＩＨスイッチング素子を駆動するＩＨスイッチング素子駆動手段とを有し、
   前記マイクロ波加熱回路部は、前記マイクロ波加熱手段に高周波電流を供給するためのレンジスイッチング素子を有するレンジインバータ駆動部と、前記レンジスイッチング素子を駆動するためのレンジスイッチング素子駆動手段とを有し、
   前記ＩＨスイッチング素子駆動手段及び前記レンジスイッチング素子駆動手段に制御電源を供給する少なくとも１つの電源回路部と、
   前記ＩＨインバータ駆動部と前記レンジインバータ駆動部とを制御する制御部と、を備え、
   前記ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位と、前記レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位とは別電位で構成され、
   前記制御部の制御電源のグランド電位と、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段及び前記レンジスイッチング素子駆動手段のいずれか一方の制御電源のグランド電位とは同電位で構成されている加熱調理器。
2. 被加熱物が載置されるトッププレートと、
   前記トッププレートの下方に配置され、前記トッププレートに載置される被加熱物を加熱する誘導加熱手段と、
   前記誘導加熱手段の下方に設けられ、被加熱物が収納される加熱庫と、
   前記加熱庫に収納される被加熱物を加熱するマイクロ波加熱手段と、
   前記誘導加熱手段へ電力を供給するための誘導加熱回路部と、
   前記マイクロ波加熱手段へ電力を供給するためのマイクロ波加熱回路部と、を備え、
   前記誘導加熱回路部は、前記誘導加熱手段へ高周波電流を供給するためのＩＨスイッチング素子を有するＩＨインバータ駆動部と、前記ＩＨスイッチング素子を駆動するＩＨスイッチング素子駆動手段とを有し、
   前記マイクロ波加熱回路部は、前記マイクロ波加熱手段に高周波電流を供給するためのレンジスイッチング素子を有するレンジインバータ駆動部と、前記レンジスイッチング素子を駆動するためのレンジスイッチング素子駆動手段とを有し、
   前記ＩＨスイッチング素子駆動手段及び前記レンジスイッチング素子駆動手段に制御電源を供給する少なくとも１つの電源回路部と、
   前記ＩＨインバータ駆動部と前記レンジインバータ駆動部とを制御する制御部と、を備え、
   前記ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位と、前記レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位とは別電位で構成され、
   前記制御部の制御電源のグランド電位と、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位と、前記レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源のグランド電位とは別電位で構成されている加熱調理器。
3. 前記誘導加熱回路部と前記マイクロ波加熱回路部とは、平面視及び側方視で互いに重なり合わないよう配置されている請求項１又は２に記載の加熱調理器。
4. 前記誘導加熱回路部は前記誘導加熱手段の下方であって前記加熱庫の上方に配置されている請求項３に記載の加熱調理器。
5. 前記マイクロ波加熱回路部は、前記加熱庫の周囲において、前記マイクロ波加熱手段が配置されている側に配置されている請求項３に記載の加熱調理器。
6. 前記誘導加熱回路部と前記マイクロ波加熱回路部との間に金属板が配置されている請求項１～５のいずれか一項に記載の加熱調理器。
7. 前記ＩＨスイッチング素子駆動手段及び前記レンジスイッチング素子駆動手段において、制御電源のグランド電位が前記制御部の制御電源のグランド電位と別電位で構成されている素子駆動手段と、前記制御部との間に、絶縁回路が接続されている請求項１～６のいずれか一項に記載の加熱調理器。
8. 前記電源回路部は、前記ＩＨスイッチング素子駆動手段の制御電源を生成するＩＨ電源回路部と、前記レンジスイッチング素子駆動手段の制御電源を生成するレンジ電源回路部とを含んでおり、
   前記ＩＨ電源回路部は、前記誘導加熱手段の下方であって前記加熱庫の上方に配置され、
   前記レンジ電源回路部は、前記加熱庫の周囲において、前記マイクロ波加熱手段が配設されている側に配置されている請求項１、又は請求項１に従属する請求項４～７のいずれか一項に記載の加熱調理器。

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