JP7261395B2

JP7261395B2 - 電波吸収シート及び通信装置

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Publication number: JP7261395B2
Application number: JP2020107759A
Authority: JP
Inventors: 直信喜; 真也雨海; 勇一山本; 太郎石田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2020-06-23
Filing date: 2020-06-23
Publication date: 2023-04-20
Anticipated expiration: 2040-06-23
Also published as: TW202205938A; JP2022003665A; WO2021261390A1

Description

本開示の実施形態は、電波吸収シート及び通信装置に関する。

電子機器が電波の影響を受けることを抑制するため、例えば特許文献１に開示されているように、電波を吸収する電波吸収シートが利用されている。

特許第６０６３６３１号公報

従来の電波吸収体においては、厚みの下限が、電波の波長に起因する制限を受けやすい。例えば特許文献１は、６．４ＧＨｚの電波を吸収するための電波吸収体の厚みを１００５μｍ～１３００μｍにすることを提案している。

本開示の実施形態は、このような点を考慮してなされたものであり、薄型化を実現しやすい電波吸収シートを提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．８５以下である、電波吸収シートである。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１方向における前記第１導電体層の寸法は、５．０ｍｍ未満であってもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１誘電体層の厚みは、３００μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１誘電体層の比誘電率は、２０未満であってもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１誘電体層の誘電正接は、０．２以下であってもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下であってもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートは、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下の範囲内に位置する共振周波数ｆｒを有していてもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１導電体層は、平面視において、半径ｒを有する円形であり、
前記共振周波数ｆｒは、下記の式（Ａ１）、（Ａ２）に基づいて算出されてもよい。

ｃは光速であり、ε_rは前記第１誘電体層の比誘電率であり、ｈは前記第１誘電体層の厚みである。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が０．８以上１．２以下であり、
Ｎ^２及びＲは、下記の式（Ａ３）、（Ａ４）に基づいて算出されてもよい。

Ｐはユニットセルの面積であり、Ｋは定数であり、ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接である。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１導電体層は、平面視において、長さＬ及び幅Ｗを有する長方形であり、幅Ｗは長さＬ以下であり、
前記共振周波数ｆｒは、下記の式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）に基づいて算出されてもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が０．８以上１．２以下であり、
Ｎ^２及びＲは、下記の式（Ｂ５）、（Ｂ６）に基づいて算出されてもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１導電体層は、複数の開口を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記複数の第１導電体層は、複数の第１形状層と、平面視において前記第１形状層とは異なる形状を有する複数の第２形状層と、を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、第３面及び前記第３面の反対側に位置する第４面を含む第２誘電体層と、
前記第４面に位置する第３導電体層と、を備え、
前記第２導電体層は、前記第１誘電体層の前記第２面と前記第２誘電体層の前記第３面との間に位置し、
前記第２面における前記第２導電体層の占有率が０．８５以下であってもよい。

本開示の一実施形態は、
電波を送信又は受信する通信機構と、
上記記載の電波吸収シートと、を備える、通信装置である。

本開示の実施形態によれば、薄型化を実現しやすい電波吸収シートを提供することができる。

電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。図１の電波吸収シートをＩＩ－ＩＩ方向から見た場合を示す断面図である。図１の電波吸収シートを構成するユニットセルを示す図である。電波吸収シートの等価回路を示す図である。電波吸収シートの製造方法の一例を示す断面図である。電波吸収シートの製造方法の一例を示す断面図である。図６Ａの第１導電体層の断面形状の一例を示す図である。図６Ａの第１導電体層の断面形状の一例を示す図である。電波吸収シートを備える通信装置の一例を示す断面図である。電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。図８の電波吸収シートを構成するユニットセルを示す図である。電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。図１２の電波吸収シートをＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ方向から見た場合を示す断面図である。電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。図１４の電波吸収シートをＸＶ－ＸＶ方向から見た場合を示す断面図である。例１Ａの電波吸収シートの吸収特性を示す図である。例１Ａ～１Ｇの電波吸収シートの吸収特性を示す図である。例２の電波吸収シートの吸収特性を示す図である。例３の電波吸収シートの吸収特性を示す図である。

以下、本開示の一実施形態に係る電波吸収シート１０の構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号又は類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

以下、本開示の実施の形態について説明する。まず、背景について説明する。

近年、ミリ波と呼ばれる、およそ３０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の周波数帯の電波が、様々な分野で活用され始めている。分野の例は、第５世代移動通信システムやモバイル、自動車用の衝突防止システムのレーダ、医療の生体センシングなどである。一方で、電波の活用が増えるにつれ、電子機器の誤作動、通信環境の悪化などの不具合が発生することが懸念されている。

それらの不具合を解消する製品の１つとして、電波吸収シートが知られている。
電波吸収シートは、電子機器から出るノイズや不要電波を吸収できる。電波吸収シートを用いることにより、電子機器の誤作動の防止、通信環境の改善などの効果が期待できる。

一方、従来の電波吸収シートの厚みは大きい。例えば上述の特許文献１で提案されている電波吸収シートは、１ｍｍ以上の厚みを有する。このため、小型化、薄型化が要求される電子機器に電波吸収シートを設置することは容易ではなかった。また特許文献１では６．４ＧＨｚ以下の周波数帯が想定されており、ミリ波帯の周波数帯には対応していない。

このような背景を考慮し、本実施の形態においては、薄型化を実現しやすく、且つミリ波帯の周波数帯に対応できる電波吸収シートを提案する。

図１は、電波吸収シート１０の一実施形態を示す平面図である。図２は、図１の電波吸収シート１０をＩＩ－ＩＩ方向から見た場合を示す断面図である。電波吸収シート１０は、第１面２１及び第１面２１の反対側に位置する第２面２２を含む第１誘電体層２０と、第１面２１に位置する複数の第１導電体層３０と、第２面２２に位置する第２導電体層４０と、を備える。

電波吸収シート１０は、第１面２１側から電波吸収シート１０に入射する電波を、共振を利用して吸収する。共振を利用することにより、従来の電波吸収体に比べて、電波吸収シート１０の厚みを小さくできる。

電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数は、例えば２０ＧＨｚ以上である。電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数は、例えば１１０ＧＨｚ以下であり、８０ＧＨｚ以下であってもよい。このような電波は、第５世代移動通信システム、自動車用のレーダ装置などで利用される。

電波吸収シート１０の各構成要素について説明する。

第１誘電体層２０は、絶縁性を有する材料を含む。絶縁性を有する材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよく、両者の組み合わせであってもよい。

無機材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、窒化シリコンカーバイト（ＳｉＣＮ）、炭素添加シリコンオキサイド（ＳｉＣＯ）、ホウ珪酸ガラス、石英ガラスなどを用いることができる。

有機材料としては、ポリイミド、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、BTレジン、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。また、これらの有機材料の層の中に、繊維、フィラーなどが包含されていてもよい。繊維、フィラーの材料は、ガラス、タルク、マイカ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の絶縁性を有する材料であってもよく、カーボン、金属などの導電性を有する材料であってもよい。

第１誘電体層２０の材料として、有機材料及び無機材料の両方を含む化合物又は混合物が用いられてもよい。例は、シリコーン樹脂、ＦＲ－４、ＦＲ－５などである。

第１誘電体層２０は、１５０℃程度の耐熱性を有していてもよい。例えば、第１誘電体層２０の材料のガラス転移点あるいは荷重たわみ温度が１５０℃以上であってもよい。これにより、１５０℃程度まで温度が上昇する部品を備える電子機器に電波吸収シート１０が設置される場合に、電波吸収シート１０が適切に機能できる。

第１誘電体層２０の比誘電率ε_ｒは、２０．０未満であってもよく、１５．０以下であってもよく、１０．０以下であってもよく、５．０以下であってもよい。共振を利用することにより、第１誘電体層２０の比誘電率ε_ｒが従来の電波吸収体に比べて低い場合であっても、電波を吸収できる。第１誘電体層２０の比誘電率ε_ｒは、２．０以上であってもよく、３．０以上であってもよく、５．０以上であってもよい。

第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδは、０．２０以下であってもよく、０．１５以下であってもよく、０．１０以下であってもよく、０．０５以下であってもよい。

一般的に、誘電体層の比誘電率及び誘電正接は、導電性を有するフィラーを誘電体層が高い密度で含むことによって、増加する。一方、フィラーの密度が高くなると、誘電体層が脆くなるという課題などが生じ得る。また、フィラーの密度が高くなると、フィラーの分布が不均一になることによって、誘電体層にボイドが発生したり、誘電体層の特性にばらつきが生じたりすることもある。

本実施の形態においては、共振を利用するので、上記のように第１誘電体層２０の比誘電率ε_ｒ及び誘電正接ｔａｎδが制限されている場合であっても、良好な電波吸収性能を発現することができる。このため、フィラーの密度が高くなることによって生じる課題を回避できる。

厚みｈは、例えば３００μｍ以下であり、２５０μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。共振を利用することにより、第１誘電体層２０の厚みｈが従来の電波吸収体に比べて小さい場合であっても、電波を吸収できる。

第１誘電体層２０は、単一の層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

第１誘電体層２０の比誘電率ε_ｒ及び誘電正接ｔａｎδを測定する方法としては、開放型共振器法を利用できる。開放型共振器法を実行する測定システムは、ネットワークアナライザ、ミリ波てい倍器、ミリ波検波器、ファブリペロー共振器を含む。ファブリペロー共振器としては、キーコム株式会社のＦＰＲ－４０、ＦＰＲ－５０、ＦＰＲ－６０、ＦＰＲ－７５、ＰＦＲ－９０、ＦＰＲ－１１０などを、周波数に応じて用いることができる。第１誘電体層２０の厚みを測定する測定器としては、測長機を利用でき、例えばニコン社製デジマイクロを用いることができる。測長機によっては厚みを測定できない場合、電波吸収シート１０のサンプルの断面の画像に基づいて第１誘電体層２０の厚みを算出してもよい。画像を測定する測定器としては、走査電子顕微鏡を用いることができる。

図示はしないが、第１誘電体層２０の第１面２１と第１導電体層３０との間には、接着層などの絶縁層が存在していてもよい。同様に、第１誘電体層２０の第２面２２と第２導電体層４０との間には、接着層などの絶縁層が存在していてもよい。

図示はしないが、第１誘電体層２０の第１面２１と第１導電体層３０との間の界面は粗面処理されていてもよい。例えば、第１面２１が凹凸を含んでいてもよい。これにより、第１面２１と第１導電体層３０との間の密着性を高めることができる。粗面処理は、ウェットエッチング、ブラスト、研磨、めっきなどである。粗面処理同様に、第１誘電体層２０の第２面２２と第２導電体層４０との間の界面は粗面処理されていてもよい。例えば、第２面２２が凹凸を含んでいてもよい。

第１導電体層３０について説明する。第１導電体層３０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１導電体層３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、スズ（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）等の金属又はこれらを用いた合金などを含む。第１導電体層３０は、導電性ポリマーなどの有機導電体、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）などの導電繊維などを含んでいてもよい。

第１導電体層３０の厚みＴ１は、１μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。第１導電体層３０の厚みは、５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。

次に、第１導電体層３０の形状及び配置について説明する。図１に示す例において、第１導電体層３０は、平面視において、半径ｒを有する円形である。「平面視」とは、第１誘電体層２０の面内方向に直交する方向に沿って電波吸収シート１０を見ることを意味する。

図１に示すように、複数の第１導電体層３０は、第１誘電体層２０の面内方向に並んでいてもよい。例えば、複数の第１導電体層３０は、第１周期Ｐ１で第１方向Ｄ１に並んでいてもよい。複数の第１導電体層３０は、第２周期Ｐ２で第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１とは異なる方向であり、例えば、第１方向Ｄ１に直交する方向である。第１周期Ｐ１は、第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第１導電体層３０の中心点Ｃ０の間の距離である。第２周期Ｐ２は、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第１導電体層３０の中心点Ｃ０の間の距離である。第１周期Ｐ１と第２周期Ｐ２とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。周期Ｐ１、Ｐ２は、例えば１．５ｍｍよりも大きく、２．０ｍｍ以上であってもよく、２．５ｍｍ以上であってもよい。

複数の第１導電体層３０の構成は、対象とする電波の周波数において共振が生じるように決定されている。例えば、第１面２１における第１導電体層３０の占有率が０．８５以下になるよう、第１導電体層３０の半径ｒ、周期Ｐ１、Ｐ２などが決定されている。占有率は、０．７５以下であってもよく、０．６０以下であってもよく、０．５０以下であってもよく、０．３０以下であってもよい。占有率は、０．０５以上であってもよく、０．１０以上であってもよい。

占有率は、複数の第１導電体層３０の面積の合計を、第１導電体層３０が分布している領域の面積で割ることによって算出されてもよい。第１導電体層３０が分布している領域の面積は、例えば図１において符号３５で示すように、複数の第１導電体層３０を囲う四角形３５の面積であってもよい。

複数の第１導電体層３０が周期的に並んでいる場合、占有率は、１つの第１導電体層３０の面積を、ユニットセル１２の面積で割ることによって算出されてもよい。図３は、ユニットセル１２を示す斜視図である。ユニットセル１２は、１つの第１導電体層３０と、第１誘電体層２０と、第２導電体層４０とを含み、１つの第１導電体層３０に対応する面積を有する。例えば、ユニットセル１２は、平面視において、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１辺と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２辺とを含む四角形である。第１辺の長さは第１周期Ｐ１に等しく、第２辺の長さは第２周期Ｐ２に等しい。図３に示す例において、ユニットセル１２の面積は、Ｐ１×Ｐ２である。第１誘電体層２０の面積は、πｒ^２である。従って、占有率はπｒ^２／（Ｐ１×Ｐ２）である。

図１において、符号Ｓ１は、第１方向Ｄ１における第１導電体層３０の寸法を表す。寸法Ｓ１は、例えば５．０ｍｍ未満であり、４．０ｍｍ以下であってもよく、３．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以下であってもよい。符号Ｓ２は、第２方向Ｄ２における第１導電体層３０の寸法を表す。寸法Ｓ２は、例えば５．０ｍｍ未満であり、４．０ｍｍ以下であってもよく、３．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以下であってもよい。図１に示す例において、寸法Ｓ１、Ｓ２は、第１導電体層３０の直径である。
これらの寸法の範囲に関する条件は、寸法Ｓ１及び寸法Ｓ２の両方で満たされていてもよく、若しくは、いずれか一方のみで満たされていてもよい。例えば、寸法Ｓ１は５．０ｍｍ未満であるが、寸法Ｓ２は５．０ｍｍ以上であってもよい。上述の周期Ｐ１及び周期Ｐ２の範囲に関する条件も同様に、周期Ｐ１及び周期Ｐ２の両方で満たされていてもよく、若しくは、いずれか一方のみで満たされていてもよい。

次に、第２導電体層４０について説明する。第２導電体層４０は、導電性を有する材料を含む。第２導電体層４０の材料としては、第１導電体層３０で例示した材料を用いることができる。第２導電体層４０の材料は、第１導電体層３０の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。

第２導電体層４０の厚みＴ２は、１μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。第２導電体層４０の厚みは、５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。

第２導電体層４０は、第１誘電体層２０の厚み方向において第１導電体層３０に対向している。これにより、第１導電体層３０と第２導電体層４０との間に電界を生じさせることができる。

第２導電体層４０は、平面視において、複数の第１導電体層３０と重なるように広がっていてもよい。例えば、第２導電体層４０は、第１誘電体層２０の第２面２２の全域に位置していてもよい。図示はしないが、第２導電体層４０に開口、スリットなどが形成されていてもよい。

電波吸収シート１０全体の厚みは、例えば３５０μｍ以下であり、３００μｍ以下であってもよく、２５０μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよい。第１誘電体層２０の厚みｈが小さいので、電波吸収シート１０の全体の厚みも小さくなる。電波吸収シート１０全体の厚みは、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。

電波吸収シート１０全体の厚みを小さくすることにより、電波吸収シート１０の設置場所の制約を少なくすることができる。すなわち、電波吸収シート１０のレイアウトの自由度が高くなる。また、厚み方向における電波吸収シート１０の熱抵抗を低減できる。このため、電子機器に電波吸収シート１０が設置される場合に、電波吸収シート１０に起因する電子部品の温度上昇を抑制できる。これにより、例えば、１５０℃程度まで温度が上昇する部品を備える電子機器に電波吸収シート１０を設置できる。

次に、電波吸収シート１０の作用について説明する。図４は、電波吸収シート１０の等価回路を示す図である。等価回路は、一次回路１４と、二次回路１５と、一次回路１４と二次回路１５とを結合する変成器１６と、を含む。

一次回路１４は、大気中を伝搬する電波を表している。一次回路１４は、大気の誘電率に基づく特性インピーダンスを有する。二次回路１５は、第１誘電体層２０、第１導電体層３０及び第２導電体層４０によって構成される共振回路を表している。共振回路は、例えば、並列に接続された抵抗、コンデンサ及びコイルを含む。変成器１６は、複数の第１導電体層３０によって構成される。

共振回路について説明する。上述のように、第１導電体層３０は、平面視において、半径ｒを有する円形である。この場合、共振回路の共振周波数ｆｒは、下記の式（Ａ１）、（Ａ２）に基づいて算出される。

ｃは、光速である。ｒ_ｅｆｆは、第１導電体層３０の端部におけるフリンジング効果を考慮した場合の、第１導電体層３０の実効半径である。

上述のように、電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数は、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下である。この場合、電波吸収シート１０は、共振周波数ｆｒが２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下になるよう構成される。例えば、電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数が７９ＧＨｚである場合、共振周波数ｆｒが、７９ＧＨｚと同一になる、又は近似するよう、第１誘電体層２０の厚みｈ及び比誘電率ε_ｒ並びに第１導電体層３０の半径ｒが決定される。第１誘電体層２０の厚みｈ及び比誘電率ε_ｒが予め定められている場合、共振周波数ｆｒが所望の値になるように第１導電体層３０の半径ｒが決定される。これにより、対象とする電波を、共振を利用して吸収することができる。

次に、変成器１６について説明する。電波吸収シート１０が電波を効果的に吸収するためには、二次回路１５の特性インピーダンスが一次回路１４の特性インピーダンスと同一である、又は近似していることが好ましい。二次回路１５の共振回路が共振条件を満たしている場合、二次回路１５の特性インピーダンスはＮ^２Ｒである。Ｎは、変成器１６の巻数比である。Ｒは、二次回路１５の共振抵抗である。

Ｎ^２及びＲは、下記の式（Ａ３）、（Ａ４）に基づいて算出される。

Ｐは、ユニットセル１２の面積である。Ｋは定数である。式（Ａ３）のπｒ^２／Ｐは、第１面２１における第１導電体層３０の占有率を表す。式（Ａ３）は、第１導電体層３０の占有率とＮ^２が比例関係にあることを意味する。

大気中の特性インピーダンスが真空中の特性インピーダンスと同一であると仮定すると、一次回路１４のインピーダンスは１２０πである。電波吸収シート１０は、好ましくは、Ｎ^２Ｒが１２０πと同一になる、又は近似するよう構成される。例えば、１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が０．８以上１．２以下になるよう、第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ、第１導電体層３０の半径r及びユニットセル１２の面積Ｐが決定される。第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ及び第１導電体層３０の半径rが既に決定されている場合、１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が所望の値になるようにユニットセル１２の面積Ｐが調整される。例えば、第１導電体層３０の第１周期Ｐ１及び第２周期Ｐ２が調整される。これにより、電波吸収シート１０が電波を効果的に吸収できる。１２０πに対するＮ^２Ｒの比率は、０．９以上１．１以下であってもよく、０．９５以上１．０５以下であってもよい。

次に、電波吸収シート１０の製造方法について説明する。図５～図６Ｂは、電波吸収シート１０の製造工程の一例を示す図である。

まず、第１誘電体層２０を準備する。第１誘電体層２０は、柔軟性を有する部材であってもよく、剛性を有する部材であってもよい。続いて、第１誘電体層２０の第１面２１に第１導電体層３０を形成する。また、第１誘電体層２０の第２面２２に第２導電体層４０を形成する。第１導電体層３０及び第２導電体層４０の形成方法は、特には限られない。例えば、めっき法、蒸着法、スパッタリング法などによって、第１導電体層３０及び第２導電体層４０を形成してもよい。金属箔を第１誘電体層２０に貼ることによって、第１導電体層３０及び第２導電体層４０を形成してもよい。導電ペーストを第１誘電体層２０に印刷することによって、第１導電体層３０及び第２導電体層４０を形成してもよい。第１導電体層３０の形成方法と第２導電体層４０の形成方法は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

続いて、第１導電体層３０を加工して上述の複数の第１導電体層３０に分断するパターニング工程を実施する。例えば、図５に示すように、第１導電体層３０の上に複数のレジスト層３７を形成する。複数のレジスト層３７の位置はそれぞれ、図１及び図２に示す複数の第１導電体層３０の位置に対応している。続いて、レジスト層３７をマスクとしてウェットエッチングによって第１導電体層３０を加工する。これにより、図６Ａに示すように、第１面２１の面内方向に並ぶ複数の第１導電体層３０を得ることができる。

図６Ｂ及び図６Ｃはそれぞれ、図６Ａの第１導電体層３０及びレジスト層３７の断面形状の一例である。図６Ｂに示すように、第１導電体層３０は、第１面２１に向かうにつれて寸法が減少する部分を含んでいてもよい。図６Ｃに示すように、第１導電体層３０は、第１面２１に向かうにつれて寸法が増加する部分を含んでいてもよい。図示はしないが、第１導電体層３０の寸法は、第１面２１からの距離に依らず一定であってもよい。いずれの場合であっても、第１面２１に最も近接する位置での第１導電体層３０の寸法が、電波吸収シート１０の吸収特性に影響を及ぼす。従って、上述の寸法Ｓ１は、第１面２１に最も近接する位置で測定する。

その後、レジスト層３７を除去する。このようにして、第１誘電体層２０、複数の第１導電体層３０、及び第２導電体層４０を備える電波吸収シート１０を作製できる。

本実施の形態によれば、共振を利用して電波を吸収するので、従来の電波吸収体に比べて第１誘電体層２０の厚みを小さくできる。このため、電波吸収シート１０全体の厚みも小さくできる。これにより、電波吸収シート１０が軽くなる。

図７は、電波吸収シート１０を備える通信装置１００の一例を示す図である。通信装置１００は、筐体１１０と、筐体１１０の内部に位置し、電波を送信又は受信する通信機構１２０と、筐体１１０の内部に位置し、通信機構１２０を制御する制御機構１３０と、を備える。通信機構１２０は、電波吸収シート１０が対象とする上述の周波数の電波Ｅを送信又は受信する。

図７において、符号１０Ａ～１０Ｆが付された点線はそれぞれ、電波吸収シート１０の配置の例を示している。例えば、符号１０Ａで示すように、電波吸収シート１０は、通信機構１２０と制御機構１３０との間に配置されていてもよい。符号１０Ｂで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の前面１１１と通信機構１２０との間に配置されていてもよい。符号１０Ｃで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の前面１１１に取り付けられていてもよい。符号１０Ｄで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の後面１１２と通信機構１２０との間に配置されていてもよい。符号１０Ｅで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の後面１１２に取り付けられていてもよい。符号１０Ｆで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の側面１１３に取り付けられていてもよい。

本実施の形態によれば、電波吸収シート１０の厚みが小さいので、筐体１１０の内部における電波吸収シート１０の配置の自由度が高い。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、上述の実施の形態と同様に構成され得る部分について、第１の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（第１変形例）
図８は、第１変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図８に示すように、第１導電体層３０は、平面視において、長さＬ及び幅Ｗを有する長方形であってもよい。幅Ｗは、長さＬと同一であってもよく、長さＬよりも小さくてもよい。

図８に示す例において、長さＬを有する第１導電体層３０の辺は、第１方向Ｄ１に延びており、幅Ｗを有する第１導電体層３０の辺は、第２方向Ｄ２に延びている。図示はしないが、長さＬを有する第１導電体層３０の辺は、第１方向Ｄ１とは異なる方向に延びていてもよい。

図９は、本変形例におけるユニットセル１２を示す斜視図である。ユニットセル１２は、長方形の１つの第１導電体層３０を含む。上述の実施の形態の場合と同様に、電波吸収シート１０によって実現される共振回路の特性は、ユニットセル１２の構成に基づいて決定される。

本変形例において、共振周波数ｆｒは、下記の式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）に基づいて算出される。

式（Ｂ２）のε_re（Ｌ）は、式（Ｂ３）のｘにＬを代入することによって算出される。式（Ｂ２）のε_re（Ｗ）は、式（Ｂ３）のｘにＷを代入することによって算出される。Ｌ_ｅは、第１導電体層３０の端部におけるフリンジング効果を考慮した場合の、第１導電体層３０の実効長さである。

本変形例においても、電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数は、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下である。この場合、電波吸収シート１０は、共振周波数ｆｒが２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下になるよう構成される。例えば、電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数が７９ＧＨｚである場合、共振周波数ｆｒが、７９ＧＨｚと同一になる、又は近似するよう、第１誘電体層２０の厚みｈ及び比誘電率ε_ｒ並びに第１導電体層３０の長さＬ及び幅Ｗが決定される。第１誘電体層２０の厚みｈ及び比誘電率ε_ｒが予め定められている場合、共振周波数ｆｒが所望の値になるように第１導電体層３０の長さＬ及び幅Ｗが決定される。これにより、対象とする電波を、共振を利用して吸収することができる。

本変形例において、Ｎ^２及びＲは、下記の式（Ｂ５）、（Ｂ６）に基づいて算出される。

Ｋは定数である。式（Ｂ５）のＬＷ／Ｐは、第１面２１における第１導電体層３０の占有率を表す。式（Ｂ５）は、第１導電体層３０の占有率とＮ^２が比例関係にあることを意味する。

本変形例の電波吸収シート１０も、好ましくは、Ｎ^２Ｒが１２０πと同一になる、又は近似するよう構成される。例えば、１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が０．８以上１．２以下になるよう、第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ、第１導電体層３０の長さＬ、幅Ｗ及びユニットセル１２の面積Ｐが決定される。第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ及び第１導電体層３０の長さＬ、幅Ｗが既に決定されている場合、１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が所望の値になるようにユニットセル１２の面積Ｐが調整される。例えば、第１導電体層３０の第１周期Ｐ１及び第２周期Ｐ２が調整される。これにより、電波吸収シート１０が電波を効果的に吸収できる。

（第２変形例）
図１０は、第２変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図１０に示すように、第１導電体層３０は、複数の開口３３を含んでいてもよい。これにより、電波吸収シート１０が軽くなる。また、可視光の一部が第１導電体層３０を透過できる。

開口３３を含む第１導電体層３０の具体的な構成は任意である。例えば、第１導電体層３０は、複数の線状の層を組み合わせることにより構成される、いわゆるメッシュの形態であってもよい。

図示はしないが、第２導電体層４０も複数の開口を含んでいてもよい。これにより、可視光の一部が第１導電体層３０を透過できる。第１誘電体層２０が透明である場合、可視光の一部は、電波吸収シート１０を透過できる。これにより、電波吸収シート１０が目立つことを抑制できる。

（第３変形例）
図１１は、第３変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図１１に示すように、複数の第１導電体層３０の形状は異なっていてもよい。例えば、複数の第１導電体層３０は、複数の第１形状層３１と、平面視において第１形状層３１とは異なる形状を有する複数の第２形状層３２と、を含んでいてもよい。第１形状層３１は、第１方向Ｄ１において寸法Ｓ１１を有し、第２方向Ｄ２において寸法Ｓ１２を有する。第２形状層３２は、第１方向Ｄ１において寸法Ｓ２１を有し、第２方向Ｄ２において寸法Ｓ２２を有する。図１０に示す例において、寸法Ｓ２１は寸法Ｓ１１よりも大きく、寸法Ｓ２２は寸法Ｓ１２よりも大きい。

第１形状層３１を含むユニットセル１２は、第１の共振周波数ｆｒ１を有する共振回路を構成する。第２形状層３２を含むユニットセル１２は、第２の共振周波数ｆｒ２を有する共振回路を構成する。第２の共振周波数ｆｒ２は、第１の共振周波数ｆｒ１とは異なる。本変形例によれば、電波吸収シート１０が２つの共振周波数を有するので、電波吸収シート１０が２つの吸収ピークを有することができる。

（第４変形例）
図１２は、第４変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図１３は、図１２の電波吸収シートをＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ方向から見た場合を示す断面図である。電波吸収シート１０は、第３面５１及び第３面５１の反対側に位置する第４面５２を含む第２誘電体層５０と、第４面５２に位置する第３導電体層６０と、を備えていてもよい。第２誘電体層５０は、第２導電体層４０が第１誘電体層２０の第２面２２と第２誘電体層５０の第３面５１との間に位置するよう、第１誘電体層２０に積層されている。第２誘電体層５０の第３面５１は、第２導電体層４０に接していてもよい。第３導電体層６０は、第１誘電体層２０の厚み方向において第１導電体層３０及び第２導電体層４０に対向している。

図１２に示すように、第２導電体層４０は、第１誘電体層２０の第２面２２において複数に分断されていてもよい。言い換えると、電波吸収シート１０は、第１誘電体層２０の第２面２２に位置する複数の第２導電体層４０を含んでいてもよい。この場合、図１２に示すように、第２導電体層４０は、第１誘電体層２０の厚み方向において第１導電体層３０に対向していなくてもよい。第２面２２における第２導電体層４０の占有率は、第１導電体層３０の場合と同様に、例えば０．８５以下であり、０．７５以下であってもよく、０．６０以下であってもよく、０．５０以下であってもよく、０．３０以下であってもよい。占有率は、０．０５以上であってもよく、０．１０以上であってもよい。第２面２２における第２導電体層４０の占有率は、第１面２１における第１導電体層３０の占有率よりも大きくてもよい。

第２誘電体層５０は、絶縁性を有する材料を含む。第２誘電体層５０の材料としては、第１誘電体層２０で例示した材料を用いることができる。第２誘電体層５０の材料は、第１誘電体層２０の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。

第２誘電体層５０の厚みｈ２は、例えば３００μｍ以下であり、２５０μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。厚みｈ２は、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。

第３導電体層６０は、導電性を有する材料を含む。第３導電体層６０の材料としては、第１導電体層３０で例示した材料を用いることができる。第３導電体層６０の材料は、第１導電体層３０の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。

第３導電体層６０の厚みＴ３は、１μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。第３導電体層６０の厚みは、５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。

第１誘電体層２０及び第２誘電体層５０を挟んで対向する第１導電体層３０及び第３導電体層６０は、第１の共振周波数を有する第１の共振回路を構成する。また、第２誘電体層５０を挟んで対向する第２導電体層４０及び第３導電体層６０は、第２の共振周波数を有する第１の共振回路を構成する。本変形例においても、電波吸収シート１０が２つの共振周波数を有するので、電波吸収シート１０が２つの吸収ピークを有することができる。

（第５変形例）
図１４は、第５変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図１５は、図１４の電波吸収シートをＸＶ－ＸＶ方向から見た場合を示す断面図である。

図１２及び図１３においては、第１導電体層３０と第２導電体層４０とが第１誘電体層２０の厚み方向において重ならない例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図１４及び図１５に示すように、第１導電体層３０と第２導電体層４０とが第１誘電体層２０の厚み方向において重なっていてもよい。

第１導電体層３０は、第１方向Ｄ１において寸法Ｓ１を有し、第２方向Ｄ２において寸法Ｓ２を有する。第２導電体層４０は、第１方向Ｄ１において寸法Ｓ３を有し、第２方向Ｄ２において寸法Ｓ４を有する。寸法Ｓ１は、寸法Ｓ３よりも大きくてもよい。寸法Ｓ２は、寸法Ｓ４よりも大きくてもよい。図１４に示すように、第２導電体層４０は、平面視において第１導電体層３０を囲う輪郭を有していてもよい。

第１誘電体層２０を挟んで対向する第１導電体層３０及び第２導電体層４０は、第１の共振周波数を有する第１の共振回路を構成する。また、第２誘電体層５０を挟んで対向する第２導電体層４０及び第３導電体層６０は、第２の共振周波数を有する第２の共振回路を構成する。本変形例においても、電波吸収シート１０が２つの共振周波数を有するので、電波吸収シート１０が２つの吸収ピークを有することができる。

次に、本開示の形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（例１）
まず、ガラスエポキシ基材の両面に銅箔が設けられた積層板を準備した。ガラスエポキシ基材の厚みは１００μｍであり、銅箔の厚みはいずれも１２μｍであった。ガラスエポキシ基材は、上述の第１誘電体層２０として機能する。銅箔は、上述の第１導電体層３０及び第２導電体層４０として機能する。ガラスエポキシ基材の比誘電率は４．２であり、誘電正接は０．０２であった。

続いて、一方の銅箔の上に上述の複数のレジスト層３７を形成した。続いて、レジスト層３７をマスクとしてウェットエッチングによって銅箔を加工した。このようにして、第１誘電体層２０と、第１面２１に位置する複数の第１導電体層３０と、第２面２２に位置する第２導電体層４０と、を備える電波吸収シート１０を作製した。平面視における第１導電体層３０の形状及び配置は下記のとおりである。
・第１導電体層３０の形状：半径０．５０６ｍｍの円形
・第１周期Ｐ１：２．７１２ｍｍ
・第２周期Ｐ２：２．７１２ｍｍ
第１導電体層３０の占有率は、０．１０９である。二次回路１５の特性インピーダンスＮ^２Ｒは、計算上は１２０πである。

続いて、電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。具体的には、電波吸収シート１０における電波の反射減衰量を、フリースペース法によって測定した。測定器としては、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ製のベクトルネットワークアナライザＰＮＡＮ５２２２Ｂ及びＶｉｒｇｉｎｉａＤｉｏｄｅｓ製の周波数マルチプライヤＷＲ１２を用いた。ＷＲ１２は、ＰＮＡＮ５２２２Ｂの周波数範囲を拡張するための装置である。

また、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の反射減衰量を算出した。シミュレーションソフトとしては、ＡＮＳＹＳ社のＨＦＳＳを用いた。フリースペース法による測定結果と、シミュレーションによる算出結果は同等であった。シミュレーションの結果を図１６に示す。図１６のグラフにおいて、横軸は周波数ｆを示し、縦軸は反射減衰量ｄを示す。ＢＷ１は、反射減衰量が－１５ｄＢになる位置における吸収ピークの幅である。幅ＢＷ１は０．５６ＧＨｚであった。吸収ピークの深さＨは５７．６ｄＢであった。

（例１Ｂ～例１Ｇ）
例１Ａの第１導電体層３０の周期Ｐ１，Ｐ２を変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。例１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ及び１Ｇにおける周期Ｐ１，Ｐ２は、２．１ｍｍ、２．３ｍｍ、２．５ｍｍ、２．７ｍｍ、２．９ｍｍ及び３．１ｍｍである。第１導電体層３０の形状は例１Ａの場合と同一である。従って、二次回路１５の共振回路の共振周波数ｆｒは、例１Ａの場合と同様に７９．４ＧＨｚである。一方、二次回路１５の特性インピーダンスＮ^２Ｒは、例１Ａの場合とは異なる。このため、例１Ｂ～例１Ｇの例では、二次回路１５の特性インピーダンスＮ^２Ｒが、一次回路１４の特性インピーダンスである１２０πに一致していない。

例１Ａ～例１Ｇシミュレーション結果をまとめて図１７に示す。二次回路１５の特性インピーダンスＮ^２Ｒが、一次回路１４の特性インピーダンスである１２０πに一致していない場合であっても、吸収ピークが生じていた。二次回路１５の特性インピーダンスＮ^２Ｒと１２０πとの間のずれが大きいほど、吸収ピークの深さが小さくなった。

（例２）
下記の条件で構成された電波吸収シート１０の吸収特性を、シミュレーションに基づいて評価した。第１誘電体層２０、第１導電体層３０及び第２導電体層４０の材料は、例１の場合と同様に、ガラスエポキシ、銅及び銅が想定されている。第１導電体層３０の占有率は、０．４０３である。二次回路１５の特性インピーダンスＮ^２Ｒは、計算上は１２０πである。
・第１導電体層３０の厚み：１２μｍ
・第１導電体層３０の形状：半径１．４９ｍｍの円形
・第１周期Ｐ１：４．１６ｍｍ
・第２周期Ｐ２：４．１６ｍｍ
・第２導電体層４０の厚み：１２μｍ
・第１誘電体層２０の厚み：１００μｍ
・第１誘電体層２０の比誘電率：４．２
・第１誘電体層２０の誘電正接：０．０２

シミュレーション結果を図１８に示す。共振周波数ｆｒは２８．２ＧＨｚであった。吸収ピークの深さＨは４０．４ｄＢであり、幅ＢＷ１は０．２２ＧＨｚであった。

（例３）
下記の条件で構成された電波吸収シート１０の吸収特性を、シミュレーションに基づいて評価した。第１誘電体層２０、第１導電体層３０及び第２導電体層４０の材料は、例１の場合と同様に、ガラスエポキシ、銅及び銅が想定されている。第１導電体層３０の占有率は、０．１０２である。二次回路１５の特性インピーダンスＮ^２Ｒは、計算上は１２０πである。
・第１導電体層３０の厚み：１２μｍ
・第１導電体層３０の形状：一辺の長さが０．８５ｍｍの正方形
・第１周期Ｐ１：２．６６ｍｍ
・第２周期Ｐ２：２．６６ｍｍ
・第２導電体層４０の厚み：１２μｍ
・第１誘電体層２０の厚み：１００μｍ
・第１誘電体層２０の比誘電率：４．２
・第１誘電体層２０の誘電正接：０．０２

シミュレーション結果を図１９に示す。共振周波数ｆｒは７９．３５ＧＨｚであった。吸収ピークの深さＨは４４．０９ｄＢであり、幅ＢＷ１は０．６ＧＨｚであった。

１０電波吸収シート
１２ユニットセル
１４一次回路
１５二次回路
１６変成器
２０第１誘電体層
２１第１面
２２第２面
３０第１導電体層
３１第１形状層
３２第２形状層
３３開口
３５分布領域
３７レジスト層
４０第２導電体層
５０第２誘電体層
５１第３面
５２第４面
６０第３導電体層
１００通信装置
１１０筐体
１２０通信機構
１３０制御機構
Ｄ１第１方向
Ｄ２第２方向
Ｐ１第１周期
Ｐ２第２周期

Claims

電波吸収シートであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
前記第１面に位置し、互いに接しないように第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
前記第１導電体層は、金属又は合金を含み、１μｍ以上の厚みを有する層であり、
前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．０５以上０．８５以下であり、
前記第１誘電体層の誘電正接は、０．２以下であり、
前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下であり、
前記電波吸収シートは、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下の範囲内に位置する共振周波数ｆｒを有する、電波吸収シート。
前記第１導電体層は、銅、金、銀又はアルミニウム若しくはこれらの合金を含み、１μｍ以上の厚みを有する層である、請求項１に記載の電波吸収シート。
前記第１方向における前記第１導電体層の寸法は、５．０ｍｍ未満である、請求項１又は２に記載の電波吸収シート。
前記第１誘電体層の厚みは、３００μｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
前記第１誘電体層の比誘電率は、２０未満である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
前記第１導電体層は、平面視において、半径ｒを有する円形であり、
前記共振周波数ｆｒは、下記の式（Ａ１）、（Ａ２）に基づいて算出され、

ｃは光速であり、ε_rは前記第１誘電体層の比誘電率であり、ｈは前記第１誘電体層の厚みである、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
電波吸収シートであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．８５以下であり、
前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下であり、
前記電波吸収シートは、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下の範囲内に位置する共振周波数ｆｒを有し、
前記第１導電体層は、平面視において、半径ｒを有する円形であり、
前記共振周波数ｆｒは、下記の式（Ａ１）、（Ａ２）に基づいて算出され、

ｃは光速であり、ε_rは前記第１誘電体層の比誘電率であり、ｈは前記第１誘電体層の厚みである、電波吸収シート。
１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が０．８以上１．２以下であり、
Ｎ^２及びＲは、下記の式（Ａ３）、（Ａ４）に基づいて算出され、

Ｐはユニットセルの面積であり、Ｋは定数であり、ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接である、請求項６又は７に記載の電波吸収シート。
前記第１導電体層は、平面視において、長さＬ及び幅Ｗを有する長方形であり、幅Ｗは長さＬ以下であり、
前記共振周波数ｆｒは、下記の式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）に基づいて算出され、

ｃは光速であり、ε_rは前記第１誘電体層の比誘電率であり、ｈは前記第１誘電体層の厚みである、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
電波吸収シートであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．８５以下であり、
前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下であり、
前記電波吸収シートは、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下の範囲内に位置する共振周波数ｆｒを有し、
前記第１導電体層は、平面視において、長さＬ及び幅Ｗを有する長方形であり、幅Ｗは長さＬ以下であり、
前記共振周波数ｆｒは、下記の式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）に基づいて算出され、

ｃは光速であり、ε_rは前記第１誘電体層の比誘電率であり、ｈは前記第１誘電体層の厚みである、電波吸収シート。
１２０πに対するＮ^２Ｒの比率が０．８以上１．２以下であり、
Ｎ^２及びＲは、下記の式（Ｂ５）、（Ｂ６）に基づいて算出され、

Ｐはユニットセルの面積であり、Ｋは定数であり、ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接である、請求項９又は１０に記載の電波吸収シート。
前記第１導電体層は、複数の開口を含む、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
前記複数の第１導電体層は、複数の第１形状層と、平面視において前記第１形状層とは異なる形状を有する複数の第２形状層と、を含む、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
電波吸収シートであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．８５以下であり、
前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下であり、
前記複数の第１導電体層は、複数の第１形状層と、平面視において前記第１形状層とは異なる形状を有する複数の第２形状層と、を含み、
前記電波吸収シートは、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下の範囲内に位置する共振周波数ｆｒを有する、電波吸収シート。
第３面及び前記第３面の反対側に位置する第４面を含む第２誘電体層と、
前記第４面に位置する第３導電体層と、を備え、
前記第２導電体層は、前記第１誘電体層の前記第２面と前記第２誘電体層の前記第３面との間に位置し、
前記第２面における前記第２導電体層の占有率が０．８５以下である、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
電波吸収シートであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
前記第２面に位置する第２導電体層と、
第３面及び前記第３面の反対側に位置する第４面を含む第２誘電体層と、
前記第４面に位置する第３導電体層と、を備え、
前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．８５以下であり、
前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下であり、
前記第２導電体層は、前記第１誘電体層の前記第２面と前記第２誘電体層の前記第３面との間に位置し、
前記第２面における前記第２導電体層の占有率が０．８５以下であり、
前記電波吸収シートは、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下の範囲内に位置する共振周波数ｆｒを有する、電波吸収シート。
電波を送信又は受信する通信機構と、
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の電波吸収シートと、を備える、通信装置。