JP7260059B2 - 接合体、および、絶縁回路基板 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 153
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 153
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 118
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 73
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- NJZLKINMWXQCHI-UHFFFAOYSA-N sodium;3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound [Na].[Na].OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O NJZLKINMWXQCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
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- H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
この発明は、絶縁樹脂からなる絶縁樹脂部材と金属部材とが接合された構造の接合体、および、絶縁回路基板に関するものである。
本願は、2020年3月30日に、日本に出願された特願2020-060041号、および2020年9月25日に、日本に出願された特願2020-161017号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2020年3月30日に、日本に出願された特願2020-060041号、および2020年9月25日に、日本に出願された特願2020-161017号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
パワーモジュール、LEDモジュールおよび熱電モジュールにおいては、絶縁層の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、パワー半導体素子、LED素子および熱電素子が接合された構造とされている。なお、絶縁層としては、セラミックスを用いたものや絶縁樹脂を用いたものが提案されている。
ここで、絶縁樹脂層を備えた絶縁回路基板として、例えば特許文献1には、金属ベース回路基板が提案されている。また、特許文献2には、多層配線基板が提案されている。
ここで、絶縁樹脂層を備えた絶縁回路基板として、例えば特許文献1には、金属ベース回路基板が提案されている。また、特許文献2には、多層配線基板が提案されている。
特許文献1に記載された金属ベース回路基板においては、金属基板上に絶縁樹脂層が形成され、この絶縁樹脂層上に回路パターンを有する回路層が形成されている。ここで、絶縁樹脂層は、熱硬化型樹脂であるエポキシ樹脂で構成されており、回路層は、銅箔で構成されている。
この金属ベース回路基板においては、回路層上に半導体素子が接合され、金属基板の絶縁樹脂層とは反対側の面にヒートシンクが配設されており、半導体素子で発生した熱をヒートシンク側に伝達して放熱する構造とされている。
この金属ベース回路基板においては、回路層上に半導体素子が接合され、金属基板の絶縁樹脂層とは反対側の面にヒートシンクが配設されており、半導体素子で発生した熱をヒートシンク側に伝達して放熱する構造とされている。
また、特許文献2に記載された多層配線基板においては、樹脂フィルムに接着した金属箔に対してエッチング処理することで金属箔の表面粗さ(Ra)を0.2μm以上とし、さらに回路パターン状にエッチング処理して配線回路層を形成し、樹脂フィルムの表面に形成された配線回路層を、軟質の絶縁シートの表面に圧力を加えながら埋設し、絶縁回路層を絶縁シートの表面に転写させ、このようにして得られた複数の絶縁シートを積層して一括して加熱硬化することによって製造されている。
ところで、絶縁樹脂層に金属板等を接合して回路層を形成した構造の絶縁回路基板においては、使用時に絶縁樹脂層と回路層(金属板)の剥離が生じないように、絶縁樹脂層と回路層(金属板)の密着性を確保する必要がある。
ここで、特許文献1に記載された金属ベース回路基板においては、絶縁樹脂層と回路層との密着性を向上させることは考慮されておらず、使用時に絶縁樹脂層と回路層(金属板)の剥離が生じるおそれがあった。
ここで、特許文献1に記載された金属ベース回路基板においては、絶縁樹脂層と回路層との密着性を向上させることは考慮されておらず、使用時に絶縁樹脂層と回路層(金属板)の剥離が生じるおそれがあった。
一方、特許文献2に記載された多層配線基板においては、配線回路層の表面粗さ(Ra)を0.2μm以上として絶縁シートに埋設させることで、絶縁シートと配線回路層との密着性の向上を図っている。
しかしながら、金属板(配線回路層)の表面粗さ(Ra)が大きすぎると、金属板表面が入り込んだ部分に電荷が集中し、絶縁樹脂層における絶縁性(絶縁耐圧)が低下してしまい、絶縁回路基板として使用できなくなるおそれがあった。
しかしながら、金属板(配線回路層)の表面粗さ(Ra)が大きすぎると、金属板表面が入り込んだ部分に電荷が集中し、絶縁樹脂層における絶縁性(絶縁耐圧)が低下してしまい、絶縁回路基板として使用できなくなるおそれがあった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、絶縁樹脂部材と金属部材との密着性に優れ、かつ、絶縁樹脂部材における絶縁性に優れ、安定して使用することが可能な接合体、および、絶縁回路基板を提供することを目的とする。
前述の課題を解決するために、本発明の接合体は、絶縁樹脂からなる絶縁樹脂部材と金属からなる金属部材とが接合された構造の接合体であって、前記絶縁樹脂部材と前記金属部材との接合界面は、前記金属部材が前記絶縁樹脂部材側へ突出した凸部と前記金属部材が前記絶縁樹脂部材側から後退した凹部とを有する凹凸形状をなしており、前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が、2.75以上6.00以下の範囲内とされ、前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされていることを特徴としている。
この構成の接合体によれば、前記絶縁樹脂部材と前記金属部材との接合界面は、前記金属部材が前記絶縁樹脂部材側へ突出した凸部と前記金属部材が前記絶縁樹脂部材側から後退した凹部とを有する凹凸形状をなしており、前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が、2.75以上6.00以下の範囲内とされているので、前記凸部の先端が必要以上に尖っておらず、絶縁樹脂部材における絶縁性(絶縁耐圧)を十分に確保することができる。
そして、前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされているので、金属部材と絶縁樹脂部材とが十分に係合しており、絶縁樹脂部材と金属部材との密着性を向上させることができる。
そして、前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされているので、金属部材と絶縁樹脂部材とが十分に係合しており、絶縁樹脂部材と金属部材との密着性を向上させることができる。
ここで、本発明の接合体においては、前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされているので、前記凸部の先端における電界集中の発生を抑制でき、絶縁性を確実に確保することができるとともに、前記絶縁樹脂部材と前記金属部材との密着性を確実に向上させることができる。
この場合、前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされているので、前記凸部の先端における電界集中の発生を抑制でき、絶縁性を確実に確保することができるとともに、前記絶縁樹脂部材と前記金属部材との密着性を確実に向上させることができる。
本発明の絶縁回路基板は、絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層の一方の面に金属板が接合されてなる回路層と、を備えた絶縁回路基板であって、前記絶縁樹脂層と前記回路層との接合界面は、前記回路層が前記絶縁樹脂層側へ突出した凸部と前記回路層が前記絶縁樹脂層側から後退した凹部とを有する凹凸形状をなしており、前記回路層の前記接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび前記回路層の前記接合界面における輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が、2.75以上6.00以下の範囲内とされ、前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされていることを特徴としている。
この構成の絶縁回路基板によれば、前記絶縁樹脂層と前記回路層との接合界面は、前記回路層が前記絶縁樹脂層側へ突出した凸部と前記回路層が前記絶縁樹脂層側から後退した凹部とを有する凹凸形状をなしており、前記回路層の前記接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび前記回路層の前記接合界面における輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が、2.75以上6.00以下の範囲内とされているので、前記凸部の先端が必要以上に尖っておらず、絶縁樹脂部層における絶縁性(絶縁耐圧)を十分に確保することができる。
そして、前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされているので、回路層と絶縁樹脂層とが十分に係合しており、回路層と絶縁樹脂層との密着性を向上させることができる。
そして、前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされているので、回路層と絶縁樹脂層とが十分に係合しており、回路層と絶縁樹脂層との密着性を向上させることができる。
ここで、本発明の絶縁回路基板においては、前記回路層の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記回路層の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記回路層の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記回路層の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされているので、前記凸部の先端における電界集中の発生を抑制でき、絶縁性を確実に確保することができるとともに、前記絶縁樹脂層と前記回路層との密着性を確実に向上させることができる。
この場合、前記回路層の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記回路層の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされているので、前記凸部の先端における電界集中の発生を抑制でき、絶縁性を確実に確保することができるとともに、前記絶縁樹脂層と前記回路層との密着性を確実に向上させることができる。
本発明によれば、絶縁樹脂部材と金属部材との密着性に優れ、かつ、絶縁樹脂部材における絶縁性に優れ、安定して使用することが可能な接合体、および、絶縁回路基板を提供することが可能となる。
以下に、本発明の実施形態について、添付した図面を参照して説明する。
本実施形態に係る接合体は、絶縁樹脂部材である絶縁樹脂層12と、金属部材である金属板23(回路層13)および金属基板11とが接合されることにより構成された絶縁回路基板10とされている。
図1に、本発明の実施形態である絶縁回路基板10およびこの絶縁回路基板10を用いたパワーモジュール1を示す。
本実施形態に係る接合体は、絶縁樹脂部材である絶縁樹脂層12と、金属部材である金属板23(回路層13)および金属基板11とが接合されることにより構成された絶縁回路基板10とされている。
図1に、本発明の実施形態である絶縁回路基板10およびこの絶縁回路基板10を用いたパワーモジュール1を示す。
図1に示すパワーモジュール1は、絶縁回路基板10と、この絶縁回路基板10の一方の面(図1において上面)に第1はんだ層2を介して接合された半導体素子3と、絶縁回路基板10の他方側(図1において下側)にはんだ層32を介して接合されたヒートシンク31と、を備えている。
半導体素子3は、Si等の半導体材料で構成されている。絶縁回路基板10と半導体素子3とを接合する第1はんだ層2は、例えばSn-Ag系、Sn-Cu系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材(いわゆる鉛フリーはんだ材)とされている。
ヒートシンク31は、絶縁回路基板10側の熱を放散するためのものである。ヒートシンク31は、熱伝導性が良好な銅又は銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金等で構成されている。本実施形態においては、無酸素銅からなる放熱板とされている。なお、ヒートシンク31の厚さは、3mm以上10mm以下の範囲内に設定されている。
ここで、絶縁回路基板10とヒートシンク31とは、はんだ層32を介して接合されている。このはんだ層32は、上述のはんだ層2と同様の構成とすることができる。
ここで、絶縁回路基板10とヒートシンク31とは、はんだ層32を介して接合されている。このはんだ層32は、上述のはんだ層2と同様の構成とすることができる。
そして、本実施形態である絶縁回路基板10は、図1に示すように、金属基板11と、金属基板11の一方の面(図1において上面)に形成された絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の面(図1において上面)に形成された回路層13と、を備えている。
金属基板11は、絶縁回路基板10に搭載された半導体素子3において発生した熱を面方向に拡げることによって、放熱特性を向上させる作用を有する。このため、金属基板11は、熱伝導性に優れた金属、例えば銅又は銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されている。本実施形態では、無酸素銅の圧延板で構成されている。また、金属基板11の厚さは、0.05mm以上3mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、2.0mmに設定されている。
絶縁樹脂層12は、回路層13と金属基板11との間の電気的接続を防止するものであり、絶縁性を有する熱硬化型樹脂で構成されている。
本実施形態では、絶縁樹脂層12の強度を確保するとともに、熱伝導性を確保するために、フィラーを含有する熱硬化型樹脂が用いられている。ここで、フィラーとしては、例えばアルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等を用いることができる。また、熱硬化型樹脂としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。本実施形態では、絶縁樹脂層12は、フィラーとしてアルミナを含有するエポキシ樹脂で構成されている。また、絶縁樹脂層12の厚さは、20μm以上250μm以下の範囲内とされており、本実施形態では、150μmとされている。
本実施形態では、絶縁樹脂層12の強度を確保するとともに、熱伝導性を確保するために、フィラーを含有する熱硬化型樹脂が用いられている。ここで、フィラーとしては、例えばアルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等を用いることができる。また、熱硬化型樹脂としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。本実施形態では、絶縁樹脂層12は、フィラーとしてアルミナを含有するエポキシ樹脂で構成されている。また、絶縁樹脂層12の厚さは、20μm以上250μm以下の範囲内とされており、本実施形態では、150μmとされている。
回路層13は、図4に示すように、絶縁樹脂層12の一方の面(図4において上面)に、導電性に優れた金属からなる金属板23が接合されることにより形成されている。金属板23としては、銅又は銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金等の圧延板を用いることができる。本実施形態においては、回路層13を構成する金属板23として、無酸素銅の圧延板を用いられている。
この回路層13においては、回路パターンが形成されており、その一方の面(図1において上面)が、半導体素子3が搭載される搭載面とされている。ここで、回路層13(金属板23)の厚さは0.3mm以上3mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では0.5mmに設定されている。
この回路層13においては、回路パターンが形成されており、その一方の面(図1において上面)が、半導体素子3が搭載される搭載面とされている。ここで、回路層13(金属板23)の厚さは0.3mm以上3mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では0.5mmに設定されている。
そして、本実施形態である絶縁回路基板10においては、絶縁樹脂層12と回路層13(金属基板11)との接合界面においては、回路層13(金属基板11)が絶縁樹脂層12側へ突出した凸部18と回路層13(金属基板11)が絶縁樹脂層12側から後退した凹部19とを有する凹凸形状をなしている。
すなわち、本実施形態においては、絶縁樹脂層12に回路層13(金属基板11)が入り込んだ構造とされている。
すなわち、本実施形態においては、絶縁樹脂層12に回路層13(金属基板11)が入り込んだ構造とされている。
ここで、本実施形態においては、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が、2.75以上6.00以下の範囲内とされている。
そして、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされている。
なお、本実施形態においては、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされていることが好ましい。
そして、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされている。
なお、本実施形態においては、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされていることが好ましい。
以下に、本実施形態である絶縁回路基板10において、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲面のクルトシスSku、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqを、上述のように規定した理由について説明する。
(接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSku)
輪郭曲線のクルトシスRkuは、JIS B 0601:2001に規定されたパラメータであり、輪郭曲面のクルトシスSkuは、JIS B 0681-2:2018に規定されたパラメータであり、表面の鋭さの尺度である尖度を評価したものである。
輪郭曲線のクルトシスRkuは、正規分布の形状でRku=3となり、正規分布よりも高さ分布が尖っている場合にはRku>3となり、高さ分布が正規分布よりもつぶれている場合にはRku<3となる。
また、輪郭曲面のクルトシスSkuは、輪郭曲線のクルトシスRkuを3次元に拡張したパラメータである。
輪郭曲線のクルトシスRkuは、JIS B 0601:2001に規定されたパラメータであり、輪郭曲面のクルトシスSkuは、JIS B 0681-2:2018に規定されたパラメータであり、表面の鋭さの尺度である尖度を評価したものである。
輪郭曲線のクルトシスRkuは、正規分布の形状でRku=3となり、正規分布よりも高さ分布が尖っている場合にはRku>3となり、高さ分布が正規分布よりもつぶれている場合にはRku<3となる。
また、輪郭曲面のクルトシスSkuは、輪郭曲線のクルトシスRkuを3次元に拡張したパラメータである。
ここで、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの両方が2.75未満であると、回路層13の表面(凸部18の先端)が潰れた形状となっており、回路層13(金属基板11)が十分に絶縁樹脂層12側に入り込まず、絶縁樹脂層12と回路層13(金属基板11)との密着性を向上させることができないおそれがある。一方、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの両方が6.00を超えると、回路層13の表面(凸部18の先端)が必要以上に尖っており、凸部18の先端において電界集中が発生し、絶縁樹脂層12における絶縁性(絶縁耐圧)を確保できなくなるおそれがある。
このため、本実施形態においては、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方を2.75以上6.00以下の範囲内に設定している。
なお、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方は、2.75以上とすることが好ましく、3.00以上とすることがさらに好ましい。一方、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方は、6.00以下とすることが好ましく、3.75以下とすることがさらに好ましい。
このため、本実施形態においては、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方を2.75以上6.00以下の範囲内に設定している。
なお、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方は、2.75以上とすることが好ましく、3.00以上とすることがさらに好ましい。一方、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方は、6.00以下とすることが好ましく、3.75以下とすることがさらに好ましい。
(オーバーハング率)
本実施形態においてオーバーハング率は、接合界面の断面形状を画像処理ソフトで画像解析し、得られた断面曲線について接合界面に沿った方向(水平方向:X方向)において積層方向(高さ方向:Y方向)に重複する領域をオーバーハング部とし、得られた断面曲線のX方向の全長さに対するオーバーハング部のX方向長さの割合とした。
なお、オーバーハング部をX方向に長さをカウントする場合、例えば、Y方向にオーバーハング部がない場合は0、Y方向にオーバーハング部が1つある場合は1、Y方向にオーバーハング部が2つある場合は2というように、オーバーハング部が複数ある場合は複数としてカウントした。したがって、オーバーハング率は100%以上となる場合がある。
本実施形態においてオーバーハング率は、接合界面の断面形状を画像処理ソフトで画像解析し、得られた断面曲線について接合界面に沿った方向(水平方向:X方向)において積層方向(高さ方向:Y方向)に重複する領域をオーバーハング部とし、得られた断面曲線のX方向の全長さに対するオーバーハング部のX方向長さの割合とした。
なお、オーバーハング部をX方向に長さをカウントする場合、例えば、Y方向にオーバーハング部がない場合は0、Y方向にオーバーハング部が1つある場合は1、Y方向にオーバーハング部が2つある場合は2というように、オーバーハング部が複数ある場合は複数としてカウントした。したがって、オーバーハング率は100%以上となる場合がある。
ここで、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%未満の場合には、回路層13(金属基板11)と絶縁樹脂層12とが十分に係合しておらず、絶縁樹脂層12と回路層13(金属基板11)との密着性を向上させることができないおそれがある。
このため、本実施形態においては、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率を7%以上に規定している。
なお、上述のオーバーハング率は7%以上とすることが好ましく、15%以上とすることがさらに好ましい。一方、オーバーハング率に特に制限はないが、100%以下とすることが好ましい。
このため、本実施形態においては、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率を7%以上に規定している。
なお、上述のオーバーハング率は7%以上とすることが好ましく、15%以上とすることがさらに好ましい。一方、オーバーハング率に特に制限はないが、100%以下とすることが好ましい。
(接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSq)
輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqは、JIS B 0601:2001に規定されたパラメータであり、輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqは、JIS B 0681-2:2018に規定されたパラメータであり、表面粗さの標準偏差を意味するものである。
輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqは、JIS B 0601:2001に規定されたパラメータであり、輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqは、JIS B 0681-2:2018に規定されたパラメータであり、表面粗さの標準偏差を意味するものである。
本実施形態の絶縁回路基板10において、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方を0.20μm以上とすることにより、回路層13(金属基板11)が絶縁樹脂層12側へ十分に入り込むことになり、絶縁樹脂層12と回路層13(金属基板11)との密着性を確実に向上させることができる。一方、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方を0.90μm以下とすることにより、絶縁樹脂層12の内部に入り込んだ回路層13(金属基板11)からなる凸部18の先端における電界集中の発生を抑制でき、絶縁樹脂層12の絶縁性を確実に確保することができる。
このため、本実施形態の絶縁回路基板10においては、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方を0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方は、0.20μm以上とすることが好ましく、0.30μm以上とすることがさらに好ましい。一方、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方は、0.90μm以下とすることが好ましく、0.80μm以下とすることがさらに好ましい。
なお、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方は、0.20μm以上とすることが好ましく、0.30μm以上とすることがさらに好ましい。一方、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方は、0.90μm以下とすることが好ましく、0.80μm以下とすることがさらに好ましい。
次に、本実施形態である絶縁回路基板10の製造方法について、図2から図4を参照して説明する。
(表面粗化工程S01)
まず、回路層13となる金属板23の絶縁樹脂層12との接合面に粗化めっき層23aを形成するとともに、金属基板11の絶縁樹脂層12との接合面に粗化めっき層11aを形成する。これにより、回路層13となる金属板23の絶縁樹脂層12との接合面および金属基板11の絶縁樹脂層12との接合面に、それぞれ凹凸部を形成する。なお、粗化めっき層23a、11aは、以下のようにして形成される。
まず、回路層13となる金属板23の絶縁樹脂層12との接合面に粗化めっき層23aを形成するとともに、金属基板11の絶縁樹脂層12との接合面に粗化めっき層11aを形成する。これにより、回路層13となる金属板23の絶縁樹脂層12との接合面および金属基板11の絶縁樹脂層12との接合面に、それぞれ凹凸部を形成する。なお、粗化めっき層23a、11aは、以下のようにして形成される。
金属板23および金属基板11の接合面に電解めっき処理を施す。本実施形態では、電解めっき液として硫酸銅(CuSO4)および硫酸(H2SO4)を主成分とした硫酸銅浴に、3,3´-ジチオビス(1-プロパンスルホン酸)2ナトリウムを添加した水溶液からなる電解液を用いることが好ましい。また、めっき浴の温度は例えば25℃以上35℃以下の範囲内とすることが好ましい。
そして、電解めっき処理としては、PR(Periodic Reverse)パルスめっき処理が用いられる。このPRパルスめっき処理は、電流の方向を周期的に反転させながら通電して電解めっきする方法である。例えば、1A/dm2以上30A/dm2以下の正電解(金属板23および金属基板11を陽極とする陽極電解)を1ms以上1000ms以下、1A/dm2以上30A/dm2以下の負電解(金属板23および金属基板11を負極とする負極電解)を1ms以上1000ms以下、として、これを繰り返す。
これにより、金属板23および金属基板11の表面の溶解と銅の析出とが繰り返し実施され、粗化めっき層23a、11aが形成されることになる。
これにより、金属板23および金属基板11の表面の溶解と銅の析出とが繰り返し実施され、粗化めっき層23a、11aが形成されることになる。
ここで、粗化めっき層23a、11aを形成する前の金属板23および金属基板11の表面性状、および、各種めっき条件(パルス印加時間、パルス波形(析出量/溶解量比)、パルス周波数)によって、金属板23および金属基板11の接合面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSku、オーバーハング率、輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqを調整することが可能となる。
例えば、パルス印加時間を長くすると、輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuは3に近接し、オーバーハング率は増加し、輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqは増加する。
また、パルス波形として析出量/溶解量比を大きくすると、輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuは増加し、オーバーハング率は減少し、輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqは減少する。
さらに、パルス周波数が大きくなると、輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuは3に近接し、オーバーハング率は減少し、輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqは減少する。
また、パルス波形として析出量/溶解量比を大きくすると、輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuは増加し、オーバーハング率は減少し、輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqは減少する。
さらに、パルス周波数が大きくなると、輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuは3に近接し、オーバーハング率は減少し、輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqは減少する。
ここで、図3(a)に表面粗化工程S01を実施する前の金属板23(金属基板11)の断面写真を、図3(b)に表面粗化工程S01を実施後の金属板23(金属基板11)の断面写真を示す。
本実施形態である表面粗化工程S01を実施することで、金属板23(金属基板11)の接合面に凹凸部が形成され、オーバーハング部が形成されていることが確認される。
本実施形態である表面粗化工程S01を実施することで、金属板23(金属基板11)の接合面に凹凸部が形成され、オーバーハング部が形成されていることが確認される。
(積層工程S02)
次に、金属基板11の一方の面(図4において上面)に、フィラーとしてのアルミナと熱硬化型樹脂としてのエポキシ樹脂と硬化剤とを含有する樹脂組成物22を配設する。なお、本実施形態では、樹脂組成物22は、シート状に形成されている。
また、この樹脂組成物22の一方の面(図4において上面)に、回路層13となる金属板23を配設する。
次に、金属基板11の一方の面(図4において上面)に、フィラーとしてのアルミナと熱硬化型樹脂としてのエポキシ樹脂と硬化剤とを含有する樹脂組成物22を配設する。なお、本実施形態では、樹脂組成物22は、シート状に形成されている。
また、この樹脂組成物22の一方の面(図4において上面)に、回路層13となる金属板23を配設する。
(熱圧着工程S03)
次に、積層した金属基板11、樹脂組成物22、金属板23を、積層方向に加圧するとともに加圧して、樹脂組成物22を硬化させて絶縁樹脂層12を形成するとともに、金属基板11と絶縁樹脂層12、絶縁樹脂層12と金属板23を接合する。
この熱圧着工程S03の条件は、加熱温度が150℃以上400℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間を30分以上90分以下の範囲内、積層方向の加圧圧力を1MPa以上100MPa以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、積層した金属基板11、樹脂組成物22、金属板23を、積層方向に加圧するとともに加圧して、樹脂組成物22を硬化させて絶縁樹脂層12を形成するとともに、金属基板11と絶縁樹脂層12、絶縁樹脂層12と金属板23を接合する。
この熱圧着工程S03の条件は、加熱温度が150℃以上400℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間を30分以上90分以下の範囲内、積層方向の加圧圧力を1MPa以上100MPa以下の範囲内とすることが好ましい。
(回路パターン形成工程S04)
次に、絶縁樹脂層12に接合された金属板23に対してエッチング処理を行い、回路パターンを形成し、回路層13を構成する。
次に、絶縁樹脂層12に接合された金属板23に対してエッチング処理を行い、回路パターンを形成し、回路層13を構成する。
以上のようにして、本実施形態である絶縁回路基板10が製造される。
(ヒートシンク接合工程S05)
次に、この絶縁回路基板10の金属基板11の他方の面にヒートシンク31を接合する。本実施形態では、金属基板11とヒートシンク31とを、はんだ材を介して接合している。
次に、この絶縁回路基板10の金属基板11の他方の面にヒートシンク31を接合する。本実施形態では、金属基板11とヒートシンク31とを、はんだ材を介して接合している。
(半導体素子接合工程S06)
そして、絶縁回路基板10の回路層13に半導体素子3を接合する。本実施形態では、回路層13と半導体素子3とを、はんだ材を介して接合している。
以上の工程により、図1に示すパワーモジュール1が製造される。
そして、絶縁回路基板10の回路層13に半導体素子3を接合する。本実施形態では、回路層13と半導体素子3とを、はんだ材を介して接合している。
以上の工程により、図1に示すパワーモジュール1が製造される。
以上のような構成とされた本実施形態に係る絶縁回路基板10(接合体)によれば、絶縁樹脂層12と回路層13(金属基板11)との接合界面においては、回路層13(金属基板11)が絶縁樹脂層12側へ突出した凸部18と回路層13(金属基板11)が絶縁樹脂層12側から後退した凹部19とを有する凹凸形状をなしており、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が2.75以上とされているので、回路層13(金属基板11)が十分に絶縁樹脂層12側に入り込み、絶縁樹脂層12と回路層13(金属基板11)との密着性を向上させることが可能となる。また、回路層13(金属基板11)の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が6.00以下とされているので、凸部18の先端が必要以上に尖っておらず、絶縁樹脂部層における絶縁性(絶縁耐圧)を十分に確保することができる。
そして、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされているので、回路層13(金属基板11)と絶縁樹脂層12とが十分に係合しており、回路層13(金属基板11)と絶縁樹脂層12との密着性を向上させることができる。
そして、接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされているので、回路層13(金属基板11)と絶縁樹脂層12とが十分に係合しており、回路層13(金属基板11)と絶縁樹脂層12との密着性を向上させることができる。
ここで、本実施形態の絶縁回路基板10(接合体)において、回路層13(金属基板11)の接合界面における、輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされている場合には、凸部18の先端における電界集中の発生を抑制でき、絶縁樹脂層12における絶縁性を確実に確保することができるとともに、回路層13(金属基板11)と絶縁樹脂層12との密着性を確実に向上させることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
本実施形態においては、図2から図4に示す絶縁回路基板の製造方法によって絶縁回路基板を製造するものとして説明したが、これに限定されることはない。
本実施形態においては、図2から図4に示す絶縁回路基板の製造方法によって絶縁回路基板を製造するものとして説明したが、これに限定されることはない。
また、本実施形態においては、金属基板および回路層を形成する金属板として、無酸素銅で構成されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、他の銅又は銅合金で構成されたものであってもよいし、アルミニウム又はアルミニウム合金等の他の金属で構成されたものであってもよい。さらに、複数の金属が積層された構造のものであってもよい。
さらに、本実施形態では、絶縁回路基板に半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板の回路層にLED素子を搭載してLEDモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
無酸素銅の圧延板からなる金属基板(40mm×40mm×厚さ2mm)および回路層となる金属板(40mm×40mm×厚さ0.5mm)を準備し、これら金属基板および金属板の絶縁樹脂層との接合面に、上述の実施形態に記載したPRパルス電解法によって粗化めっき層を形成した。
そして、金属基板の粗化めっき層が形成された面に、フィラーとしてAl2O3を含むエポキシ樹脂を含有する樹脂組成物のシート材(40mm×40mm×厚さ0.15mm)を配置した。
また、この樹脂組成物のシート材の一方の面に、回路層となる金属板を、粗化めっき層が形成された面が樹脂組成物のシート材側を向くように、積層した。
また、この樹脂組成物のシート材の一方の面に、回路層となる金属板を、粗化めっき層が形成された面が樹脂組成物のシート材側を向くように、積層した。
上述のように積層した金属基板と樹脂組成物のシート材と金属板とを、積層方向に加圧しながら加熱し、樹脂組成物を硬化させて絶縁樹脂層を形成するとともに、金属基板と絶縁樹脂層、および、絶縁樹脂層と金属板を接合し、絶縁回路基板を得た。なお、積層方向の加圧圧力は10MPa、加熱温度は180℃、加熱温度での保持時間は60分とした。
以上のようにして、得られた絶縁回路基板について、以下の項目についてそれぞれ評価した。
以上のようにして、得られた絶縁回路基板について、以下の項目についてそれぞれ評価した。
(クルトシスおよび二乗平均平方根高さ)
回路層と絶縁樹脂層の接合界面を、レーザ顕微鏡OLS5000を用いて対物レンズ100倍として、129μm×129μmの測定範囲で観察し、サンプルの傾き、ノイズを除去する処理を行い、接合界面における輪郭曲面のクルトシスSku、および、輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqを算出した。
次に、最も粗さが粗くなると思われる方向において、接合界面における輪郭極性のクルトシスRku、および、輪郭曲面の二乗平均平方根高さRqを算出した。なお、測定範囲内で少なくとも3箇所以上を測定し、その平均値を表に記載した。
回路層と絶縁樹脂層の接合界面を、レーザ顕微鏡OLS5000を用いて対物レンズ100倍として、129μm×129μmの測定範囲で観察し、サンプルの傾き、ノイズを除去する処理を行い、接合界面における輪郭曲面のクルトシスSku、および、輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqを算出した。
次に、最も粗さが粗くなると思われる方向において、接合界面における輪郭極性のクルトシスRku、および、輪郭曲面の二乗平均平方根高さRqを算出した。なお、測定範囲内で少なくとも3箇所以上を測定し、その平均値を表に記載した。
(オーバーハング率)
絶縁回路基板を対角線方向にかつ積層方向に沿って切断し、回路層と絶縁樹脂層の接合界面の断面を観察し、倍率10000倍のSIM像(512ピクセル=11μm)を得た。このSIM像を、画像解析ソフトImageJを用いて、二値化して手動でノイズを除去した後にアウトライン抽出した。
絶縁回路基板を対角線方向にかつ積層方向に沿って切断し、回路層と絶縁樹脂層の接合界面の断面を観察し、倍率10000倍のSIM像(512ピクセル=11μm)を得た。このSIM像を、画像解析ソフトImageJを用いて、二値化して手動でノイズを除去した後にアウトライン抽出した。
アウトライン抽出した断面曲線座標をcsv出力し、X方向長さ512ピクセルについて、Y方向に重複した金属領域数をカウントした。なお、垂直ラインを重複してカウントしないように、Y方向に延びているピクセル(Y方向に隣接するピクセル)は除外する処理を行った。そして、各X軸位置上の重複している領域数を全体のX座標長さで除してオーバーハング率を求めた。
[オーバーハング率]=[X軸位置毎のオーバーハング領域の数の合計]/[X方向のピクセル数]×100(%)
[オーバーハング率]=[X軸位置毎のオーバーハング領域の数の合計]/[X方向のピクセル数]×100(%)
測定例を図5に示す。図5に示す断面曲線においては、X軸位置毎のY方向に重複した領域数は、左から順に、0,1,1,0,0,0,0,0,1,1,2,2,1,1,0となり、これらの合計が10となり、X方向のピクセル数は15であるから、オーバーハング率は、10/15×100で67%となる。
(吸湿処理後のリフロー処理)
上述の絶縁回路基板を、恒温恒湿槽(温度85℃、湿度85%)に入れ、3日間保持した。その後、加熱炉内に装入し、290℃で10分間のリフロー処理を実施した。
リフロー処理後の絶縁回路基板において、回路層と絶縁樹脂層の接合率、絶縁破壊電圧について以下のようにして評価した。
上述の絶縁回路基板を、恒温恒湿槽(温度85℃、湿度85%)に入れ、3日間保持した。その後、加熱炉内に装入し、290℃で10分間のリフロー処理を実施した。
リフロー処理後の絶縁回路基板において、回路層と絶縁樹脂層の接合率、絶縁破壊電圧について以下のようにして評価した。
(接合率)
回路層と絶縁樹脂層及の接合率は、超音波探傷装置(株式会社日立パワーソリューションズ製FineSAT200)を用いて評価し、以下の式から算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積とした。超音波探傷像を二値化処理した画像において剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
(接合率)={(初期接合面積)-(剥離面積)}/(初期接合面積)×100
回路層と絶縁樹脂層及の接合率は、超音波探傷装置(株式会社日立パワーソリューションズ製FineSAT200)を用いて評価し、以下の式から算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積とした。超音波探傷像を二値化処理した画像において剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
(接合率)={(初期接合面積)-(剥離面積)}/(初期接合面積)×100
(絶縁破壊電圧)
図6に示すように、金属基板11をベース板61の上に載置し、回路層13の上にプローブ62を接触させ、部分放電を評価した。測定装置として、三菱電線株式会社製の部分放電試験機を用いた。なお、試験雰囲気として、3M社製フロリナート(tm)FC-770中で実施した。
そして、電圧を0.5kVごとのステッププロファイル(保持時間30秒)で昇圧し、絶縁破壊が生じた電圧(漏れ電流が10mA以上となった電圧)を絶縁破壊電圧とした。
評価結果を表1に示す。
図6に示すように、金属基板11をベース板61の上に載置し、回路層13の上にプローブ62を接触させ、部分放電を評価した。測定装置として、三菱電線株式会社製の部分放電試験機を用いた。なお、試験雰囲気として、3M社製フロリナート(tm)FC-770中で実施した。
そして、電圧を0.5kVごとのステッププロファイル(保持時間30秒)で昇圧し、絶縁破壊が生じた電圧(漏れ電流が10mA以上となった電圧)を絶縁破壊電圧とした。
評価結果を表1に示す。
回路層の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuが2.70および輪郭曲面のクルトシスSkuが2.50とされた比較例1においては、吸湿リフロー後の接合率が80%と低くなり、回路層と絶縁樹脂層との密着性が不十分であった。
回路層の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuが10.30および輪郭曲面のクルトシスSkuが9.40とされた比較例2においては、吸湿リフロー後の絶縁破壊電圧が5.1Vと低くなり、絶縁性が不十分であった。
オーバーハング率が4.2%とされた比較例3においては、吸湿リフロー後の接合率が82%と低くなり、回路層と絶縁樹脂層との密着性が不十分であった。
回路層の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuが10.30および輪郭曲面のクルトシスSkuが9.40とされた比較例2においては、吸湿リフロー後の絶縁破壊電圧が5.1Vと低くなり、絶縁性が不十分であった。
オーバーハング率が4.2%とされた比較例3においては、吸湿リフロー後の接合率が82%と低くなり、回路層と絶縁樹脂層との密着性が不十分であった。
これに対して、回路層の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が2.75以上6.00以下の範囲内、かつ、オーバーハング率が7%以上とされた本発明例1-8においては、吸湿リフロー後の接合率が84%以上であり、回路層と絶縁樹脂層との密着性に優れていた。また、吸湿リフロー後の絶縁破壊電圧が5.8V以上であり、絶縁樹脂層の絶縁性に優れていた。なお、本発明例1-8は、回路層の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が0.20μm以上0.90μm以下の範囲内であった。また、本発明例1-8は、回路層の接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび輪郭曲面のクルトシスSkuの両方が2.75以上6.00以下の範囲内であったため、回路層と絶縁樹脂層との密着性に特に優れていた。
また、回路層の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの両方が0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされた本発明例1-6,8においては、吸湿リフロー後の接合率が85%以上であり、回路層と絶縁樹脂層との密着性に特に優れていた。
また、回路層の接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの両方が0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされた本発明例1-6,8においては、吸湿リフロー後の接合率が85%以上であり、回路層と絶縁樹脂層との密着性に特に優れていた。
以上の実験結果から、本発明例によれば、絶縁樹脂層(絶縁樹脂部材)と回路層(金属部材)との密着性に優れ、かつ、絶縁樹脂層(絶縁樹脂部材)における絶縁性に優れ、安定して使用することが可能な絶縁回路基板(接合体)を提供可能であることが確認された。
10 絶縁回路基板(接合体)
11 金属基板(金属部材)
12 絶縁樹脂層(絶縁樹脂部材)
13 回路層(金属部材)
18 凸部
19 凹部
11 金属基板(金属部材)
12 絶縁樹脂層(絶縁樹脂部材)
13 回路層(金属部材)
18 凸部
19 凹部
Claims (4)
- 絶縁樹脂からなる絶縁樹脂部材と金属からなる金属部材とが接合された構造の接合体であって、
前記絶縁樹脂部材と前記金属部材との接合界面は、前記金属部材が前記絶縁樹脂部材側へ突出した凸部と前記金属部材が前記絶縁樹脂部材側から後退した凹部とを有する凹凸形状をなしており、
前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が、2.75以上6.00以下の範囲内とされ、
前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされていることを特徴とする接合体。 - 前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記金属部材の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項1に記載の接合体。
- 絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層の一方の面に金属板が接合されてなる回路層と、を備えた絶縁回路基板であって、
前記絶縁樹脂層と前記回路層との接合界面は、前記回路層が前記絶縁樹脂層側へ突出した凸部と前記回路層が前記絶縁樹脂層側から後退した凹部とを有する凹凸形状をなしており、
前記回路層の前記接合界面における輪郭曲線のクルトシスRkuおよび前記回路層の前記接合界面における輪郭曲面のクルトシスSkuの少なくとも一方が、2.75以上6.00以下の範囲内とされ、
前記接合界面に沿った方向における積層方向に重複する領域の長さ割合を示すオーバーハング率が7%以上とされていることを特徴とする絶縁回路基板。 - 前記回路層の前記接合界面における輪郭曲線の二乗平均平方根高さRqおよび前記回路層の前記接合界面における輪郭曲面の二乗平均平方根高さSqの少なくとも一方が、0.20μm以上0.90μm以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項3に記載の絶縁回路基板。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020060041 | 2020-03-30 | ||
JP2020060041 | 2020-03-30 | ||
JP2020161017 | 2020-09-25 | ||
JP2020161017 | 2020-09-25 | ||
PCT/JP2021/013405 WO2021200874A1 (ja) | 2020-03-30 | 2021-03-29 | 接合体、および、絶縁回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021200874A1 JPWO2021200874A1 (ja) | 2021-10-07 |
JP7260059B2 true JP7260059B2 (ja) | 2023-04-18 |
Family
ID=77930103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022512248A Active JP7260059B2 (ja) | 2020-03-30 | 2021-03-29 | 接合体、および、絶縁回路基板 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230164924A1 (ja) |
EP (1) | EP4132235A4 (ja) |
JP (1) | JP7260059B2 (ja) |
KR (1) | KR20220160580A (ja) |
CN (1) | CN115380633A (ja) |
TW (1) | TW202205554A (ja) |
WO (1) | WO2021200874A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015207666A (ja) | 2014-04-21 | 2015-11-19 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース基板、金属ベース基板の製造方法、金属ベース回路基板および電子装置 |
CN110832120B (zh) * | 2017-03-30 | 2022-01-11 | 古河电气工业株式会社 | 表面处理铜箔、以及使用该表面处理铜箔的覆铜板及印刷电路布线板 |
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JP2020161017A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 沖電気工業株式会社 | セキュリティインシデント可視化システム |
-
2021
- 2021-03-29 US US17/915,129 patent/US20230164924A1/en active Pending
- 2021-03-29 EP EP21779171.4A patent/EP4132235A4/en active Pending
- 2021-03-29 KR KR1020227033026A patent/KR20220160580A/ko unknown
- 2021-03-29 JP JP2022512248A patent/JP7260059B2/ja active Active
- 2021-03-29 CN CN202180025520.6A patent/CN115380633A/zh active Pending
- 2021-03-29 WO PCT/JP2021/013405 patent/WO2021200874A1/ja unknown
- 2021-03-30 TW TW110111518A patent/TW202205554A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115380633A (zh) | 2022-11-22 |
US20230164924A1 (en) | 2023-05-25 |
EP4132235A1 (en) | 2023-02-08 |
EP4132235A4 (en) | 2024-04-10 |
WO2021200874A1 (ja) | 2021-10-07 |
JPWO2021200874A1 (ja) | 2021-10-07 |
TW202205554A (zh) | 2022-02-01 |
KR20220160580A (ko) | 2022-12-06 |
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