JP7256980B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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このようなプラスチックなどの基材の表面に膜を形成する手段として、例えば真空蒸着法などの蒸着法による方法が知られている。また、それらの手段を用いて基材の表面に成膜する成膜装置が知られている。
基材搬送機構11Aは、基材搬送室12Aに配置された、基材1を搬送するための機構である。図2に示す例においては、基材搬送機構11Aは、基材1のロール状の原反が取り付けられた巻き出しローラー13、基材1を巻き取る巻き取りローラー15及びガイドロール14a~14dを有する。基材搬送機構11Aから送り出された基材1は、その後、プラズマ前処理室12Bに配置された、後述する前処理ローラー20と、成膜室12Cに配置された、後述する成膜ローラー25と、によって搬送される。
プラズマ前処理機構11Bについて説明する。プラズマ前処理機構11Bは、基材1の表面にプラズマ前処理を施すための機構である。図2に示すプラズマ前処理機構11Bは、プラズマ前処理室12Bに配置された前処理ローラー20と、電極部21と、前処理ローラー20と電極部21との間に磁場を形成する磁場形成部23と、プラズマ原料ガスを供給するプラズマ原料ガス供給部22と、を有する。
次に、成膜機構11Cについて説明する。図2に示す例において、成膜機構11Cは、成膜室12Cに配置された成膜ローラー25と、蒸発機構24とを有する。
温度調整機構は、例えば、冷却媒体又は熱源媒体を循環させる循環路を成膜ローラー25の内部に有する。冷却媒体(冷媒)は、例えばエチレングリコール水溶液であり、熱源媒体(熱媒)は、例えばシリコンオイルである。温度調整機構は、成膜ローラー25と対向する位置に設置されたヒータを有していてもよい。成膜機構11Cが蒸着法により膜を成膜する場合、関連する機械部品の耐熱性の制約や汎用性の面から、好ましくは、温度調整機構は、成膜ローラー25の表面の温度を-20℃以上200℃以下の範囲内の目標温度に調整する。
成膜ローラー25が温度調整機構を有することによって、成膜時に発生する熱に起因する基材1の温度の変動を抑えることができる。
図2に示す例において、成膜装置10は、前処理ローラー20と、電極部21と、に電気的に接続された、電源32をさらに備える。図2に示す例において、電源32は、電力供給配線31を介して、前処理ローラー20、及び電極部21に電気的に接続されている。電源32は、例えば交流電源である。電源32が交流電源である場合には、電源32は、例えば20kHz以上500kHz以下の周波数を有する交流電圧を前処理ローラー20と電極部21との間に印加することが可能である。電源32によって印加可能な投入電力(基材1の幅方向において、電極部21の1m幅あたりに印加可能な電力)は、特に限定されないが、例えば、0.5kW/m以上20kW/m以下である。前処理ローラー20は、電気的にアースレベルに設置されてもよく、電気的にフローティングレベルに設置されてもよい。
上述の成膜装置10を使用して、基材1の表面に成膜する成膜方法について説明する。成膜装置10を使用した成膜においては、上述の基材1の搬送経路に沿って基材1を搬送しつつ、プラズマ前処理機構11Bを用いて基材1の表面にプラズマ前処理を施すプラズマ前処理工程、及び成膜機構11Cを用いて基材1の表面に蒸着膜を成膜する成膜工程を行う。基材1の搬送速度は、好ましくは200m/min以上であり、より好ましくは480m/min以上1000m/min以下である。
プラズマ前処理工程は、例えば以下の方法により行われる。プラズマ原料ガス供給部22を用いて、前処理ローラー20と電極部21との間にプラズマ原料ガスを供給しつつ、前処理ローラー20と電極部21との間に、上述の交流電圧を印加する。交流電圧の印加の際には、投入電力制御または、インピーダンス制御などを行ってもよい。
成膜工程においては、成膜機構11Cを用いて、基材1の表面に成膜する。成膜工程の一例として、図4に示す蒸発機構24を有する成膜機構11Cを用いて、酸化アルミニウム蒸着膜を成膜する場合について説明する。
上述の実施の形態においては、プラズマ前処理機構11Bの磁場形成部23が、電極部21と、前処理ローラー20との間に位置する例について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、図5に示す変形例のように、磁場形成部23は、電極部21からみて、前処理ローラー20の位置する側とは反対の側に位置していてもよい。
第1磁石231のN極又はS極の一方は、他方よりも基材1側に位置する。また、第2磁石232のN極又はS極の他方は、一方よりも基材1側に位置する。図5及び図6に示す例においては、第1磁石231のN極が、第1磁石231のS極よりも基材1側に位置し、第2磁石232のS極が、第2磁石のN極よりも基材1側に位置する。図示はしないが、第1磁石231のS極が、第1磁石231のN極よりも基材1側に位置し、第2磁石232のN極が、第2磁石232のS極よりも基材1側に位置していてもよい。
1つの電極部21に設けられた第1磁石231は、1つの第1軸方向部分231cを有していてもよく、2つ以上の第1軸方向部分231cを有していてもよい。図7に示す例においては、1つの電極部21に設けられた第1磁石231は、1つの第1軸方向部分231cを有している。
また、基材1の搬送方向における第1軸方向部分231cの寸法L4と第2軸方向部分232cの寸法L5との比率は、特に限定されない。第1軸方向部分231cの寸法L4と第2軸方向部分232cの寸法L5とが等しくてもよく、第1軸方向部分231cの寸法L4が第2軸方向部分232cの寸法L5より大きくてもよい。
基材1として、厚さ12μmの、材料としてポリエチレンテレフタレート(PET)を含むプラスチック基材(KOLON社製、製品名「CB981」)を用意し、本発明の成膜装置10を用いて、プラズマ前処理工程、及び成膜工程を行った。
〔プラズマ前処理機構11Bの条件〕
プラズマ前処理機構11Bの形態:図2及び図3に示す形態である。
前処理ローラー20と電極部21との間に印加される電圧:340Vである。
プラズマ原料ガス供給部22が供給するプラズマ原料ガス:アルゴン(Ar)と酸素(O2)との混合ガスである。
前処理ローラー20と電極部21との間のプラズマ密度:144W・sec/m2である。
磁場形成部23:1000ガウスの永久磁石である。
〔成膜機構11Cの条件〕
プラズマ供給機構50の形態:図4に示すホローカソード51と、ボート24bからみて、基材1の幅方向における両側に配置された、ホローカソード51の空洞部の開口と対向する図示しないアノードと、を有する形態である。
プラズマ供給機構50の使用方法:ホローカソード51の空洞部にプラズマ原料ガスを供給し、放電させてプラズマを励起した。このプラズマを、対向するアノードによって、基材1の表面と蒸発機構24との間に引き出した。
スパッタリングやプラズマ処理で一般的に使われるデュアルカソード/ターゲット構造を有するプラズマ前処理機構を用いて、デュアルカソード間にMF(40kHz)電源を用いて交流電圧を印加したグロー放電前処理を施した点以外は、実施例1と同様の成膜装置を用いて、実施例1と同様の方法により、成膜を行い、基材1と蒸着膜2とを有する蒸着フィルムを複数作製した。作製した蒸着フィルムの蒸着膜2の厚さは、13nmである。
成膜装置がプラズマ前処理機構を有しない点、及びプラズマ前処理工程を行わない点以外は、実施例1と同様の成膜装置を用いて、実施例1と同様の方法により、成膜工程を行い、基材1と蒸着膜2とを有する蒸着フィルムを複数作製した。作製した蒸着フィルムの蒸着膜2の厚さは、10nmである。
成膜機構が、プラズマ供給機構を有しない点、及び成膜工程においてプラズマ供給機構を用いたプラズマの供給を行わない点以外は、実施例1の場合と同様にプラズマ前処理工程及び成膜工程を行い、基材1と蒸着膜2とを有する蒸着フィルムを複数作製した。作製した蒸着フィルムの蒸着膜2の厚さは、13nmである。
成膜装置がプラズマ前処理機構及びプラズマ供給機構を有しない点、プラズマ前処理工程を行わない点、及び成膜工程においてプラズマ供給機構を用いたプラズマの供給を行わない点以外は、実施例1と同様の成膜装置を用いて、実施例1と同様の方法により、成膜工程を行い、基材1と蒸着膜2とを有する蒸着フィルムを複数作製した。作製した蒸着フィルムの蒸着膜2の厚さは、13nmである。
上記の方法によって作製した実施例1、及び比較例1~4の蒸着フィルムのそれぞれについて、水蒸気透過率及び酸素透過率の値を測定した。
上記の方法によって作製した実施例1及び比較例1~4の蒸着フィルムの蒸着膜2の上に、シリコンアルコキシド、ポリビニルアルコール系樹脂を含有し、さらに、ゾルゲル法によって重縮合して得られるバリア性組成物を含むバリア性被覆層3を作成した。ここで、上記のバリア性被覆層3は、以下のような方法により作成した。まず、水677g、イソプロピルアルコール117g、及び0.5N塩酸(濃度0.5mol/Lの塩酸)16gを混合した溶液に、テトラエトキシシラン285gを混合させて、溶液(以下「溶液A」とも称する)を調整した。次に、溶液Aとは別に、ポリビニルアルコール70g、水1540g、及びイソプロピルアルコール80gを混合させて、溶液(以下「溶液B」とも称する)を調整した。溶液Aと溶液Bとを、重量比が13:7となるように混合して得られた溶液をバリアコート剤とした。得られたバリアコート剤を、蒸着膜2の面に塗布し、110℃で30秒間乾燥させることによって、厚さ0.3μmのバリア性被覆層3を作成した。
2 蒸着膜
3 バリア性被覆層
4 接着剤層
5 第2基材
6 接着剤層
7 シーラント層
10 成膜装置
P プラズマ
X 回転軸
11A 基材搬送機構
11B プラズマ前処理機構
11C 成膜機構
12 減圧チャンバ
12A 基材搬送室
12B プラズマ前処理室
12C 成膜室
13 巻き出しローラー
14a~d ガイドロール
15 巻き取りローラー
20 前処理ローラー
21 電極部
22 プラズマ原料ガス供給部
23 磁場形成部
23a 第1面
23b 第2面
231 第1磁石
231c 第1軸方向部分
232 第2磁石
232c 第2軸方向部分
232d 接続部分
24 蒸発機構
24b ボート
25 成膜ローラー
31 電力供給配線
32 電源
35a~35c 隔壁
50 プラズマ供給機構
51 ホローカソード
61 蒸着材料供給部
63 アルミニウム蒸気
Claims (5)
- 基材の表面にアルミニウムを含む蒸着膜を成膜する成膜装置であって、
巻きかけられた前記基材を搬送する前処理ローラーと、前記前処理ローラーとの間で電圧を印加される電極部と、を有し、前記前処理ローラーと前記電極部との間にプラズマを発生させる、プラズマ前処理機構と、
前記基材の搬送方向における前記プラズマ前処理機構よりも下流側に位置する成膜ローラーと、前記成膜ローラーに巻き掛けられた前記基材の表面に到達するようにアルミニウムを含む蒸着材料を蒸発させる蒸発機構と、前記基材の表面と前記蒸発機構との間にプラズマを供給するプラズマ供給機構と、を有し、前記成膜ローラーに巻き掛けられた前記基材の表面に前記蒸着膜を成膜する成膜機構と、を備え、
前記プラズマ前処理機構は、前記前処理ローラーと前記電極部との間に磁場を形成する磁場形成部をさらに有し、
前記電極部は、前処理ローラーに対向する第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面とを有するとともに、前記前処理ローラーとの間で交流電圧を印加され、
前記磁場形成部は、前記電極部の前記第2面側に設けられ、
前記プラズマ前処理機構は、前記電極部と前記前処理ローラーとの間に印加された前記交流電圧に基づいてプラズマを発生させ、
前記プラズマ前処理機構は、2以上の前記電極部と、2以上の前記磁場形成部と、を有し、
2以上の前記電極部は、前記基材の搬送方向に沿って並んでおり、
2以上の前記磁場形成部のそれぞれは、2以上の前記電極部のそれぞれの、前記第2面側に設けられており、
前記プラズマ前処理機構は、プラズマ密度100W・sec/m2以上8000W・sec/m2以下のプラズマを前記前処理ローラーと前記電極部との間に発生させ、
前記プラズマ供給機構は、ホローカソードを有する、成膜装置。 - 前記電極部は、前記前処理ローラーとの間で20kHz以上500kHz以下の周波数の交流電圧を印加される、請求項1に記載の成膜装置。
- 前記電極部は、前記前処理ローラーとの間で250V以上1000V以下の電圧の交流電圧を印加される、請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記成膜装置は、前記前処理ローラーと、前記電極部と、に電気的に接続された、交流電圧を印加することが可能な交流電源をさらに備え、
前記プラズマ前処理機構は、前記交流電源を用いて、前記前処理ローラーと前記電極部との間に交流電圧を印加することによりプラズマを発生させる、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記プラズマ前処理機構は、プラズマ前処理室に配置され、
前記成膜機構は、前記プラズマ前処理室から隔てられるとともに前記基材の搬送方向における前記プラズマ前処理室よりも下流側に位置する成膜室に配置されている、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜装置。
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