JP7248119B2 - 波長可変レーザおよびその制御方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 26
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 14
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 14
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012014 optical coherence tomography Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- 後方DBR領域と、
前記後方DBR領域に続いて配置された位相調整領域と、
前記位相調整領域に続いて配置されたレーザ活性領域と、
前記レーザ活性領域に続いて配置された前方DBR領域と、
前記前方DBR領域に続いて配置された増幅領域と、
前記後方DBR領域および前記前方DBR領域に、DBR電流を注入する第1電流注入部と、
前記位相調整領域に、前記DBR電流と同期して、前記DBR電流の2倍の周波数で変化する位相調整電流を注入する第2電流注入部と
を備え、
前記第1電流注入部は、前記DBR電流を変調する変調信号が負値を取る領域では、前記変調信号を反転する波長可変レーザ。 - 後方DBR領域と、
前記後方DBR領域に続いて配置された位相調整領域と、
前記位相調整領域に続いて配置されたレーザ活性領域と、
前記レーザ活性領域に続いて配置された前方DBR領域と、
前記前方DBR領域に続いて配置された増幅領域と
を備える波長可変レーザの制御方法であって、
前記位相調整領域には、前記後方DBR領域および前記前方DBR領域に注入されるDBR電流と同期し、前記DBR電流の2倍の周波数で変化する位相調整電流を注入し、
前記DBR電流を変調する変調信号が負値を取る領域では、前記変調信号を反転する
ことを特徴とする波長可変レーザの制御方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/026493 WO2021001964A1 (ja) | 2019-07-03 | 2019-07-03 | 波長可変レーザおよびその制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021001964A1 JPWO2021001964A1 (ja) | 2021-01-07 |
JP7248119B2 true JP7248119B2 (ja) | 2023-03-29 |
Family
ID=74101210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021529632A Active JP7248119B2 (ja) | 2019-07-03 | 2019-07-03 | 波長可変レーザおよびその制御方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220360046A1 (ja) |
JP (1) | JP7248119B2 (ja) |
WO (1) | WO2021001964A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024116403A1 (ja) * | 2022-12-02 | 2024-06-06 | 日本電信電話株式会社 | 波長マップデータ取得装置および取得方法 |
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-
2019
- 2019-07-03 US US17/619,721 patent/US20220360046A1/en active Pending
- 2019-07-03 WO PCT/JP2019/026493 patent/WO2021001964A1/ja active Application Filing
- 2019-07-03 JP JP2021529632A patent/JP7248119B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021001964A1 (ja) | 2021-01-07 |
US20220360046A1 (en) | 2022-11-10 |
JPWO2021001964A1 (ja) | 2021-01-07 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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