JP7238171B2 - 不良カラム修復を提供するメモリデバイスおよびその動作方法 - Google Patents
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Description
ステップS500:アドレスコンバータ120は、論理アドレスを不良カラムテーブル180の不良カラムアドレスと比較する。
ステップS502:アドレスコンバータ120は、不良カラムテーブル180が論理アドレスに先行するか等しい少なくとも1つの不良カラムアドレスを含むかどうかを判定する。そうである場合、ステップS504に進み、そうでない場合、ステップS508に進む。
ステップS504:アドレスコンバータ120は、論理アドレスと、少なくとも1つの不良カラムアドレスの個数とに従って物理アドレスを決定する。
ステップS506:データセレクタ122は、物理アドレスに関連しないデータを選択せずに、物理アドレスに関連するデータを選択し、第2のデータを生成する。
ステップS508:アドレスコンバータ120は、メモリアレイ10の物理アドレスとして論理アドレスを採用する。
ステップS510:データセレクタ122は、物理アドレスに関連するデータを選択し、第2のデータを生成する。
ステップS800:修復論理回路12が内部メモリ18から不良カラムテーブル180を受け取る。
ステップS802:第1のバッファ11が第1のデータを受け取る。
ステップS804:修復論理回路12が第1のバッファ11から第1のデータを受け取る。
ステップS806:修復論理回路12が不良カラムテーブル180に従って第1のデータを第2のデータにマッピングする。
ステップ808:修復論理回路12が第2のデータを送信する。
11 第1のバッファ
12 修復論理回路
13 第2のバッファ
14 I/Oインターフェース
16 コントローラ
18 内部メモリ
120 アドレスコンバータ
122 データセレクタ
180 不良カラムテーブル
Claims (20)
- メモリデバイスの動作方法であって、前記メモリデバイスが、メモリアレイ、第1のバッファ、第2のバッファ、修復論理回路、および内部メモリを備え、
前記修復論理回路が前記内部メモリから不良カラムテーブルを受け取るステップであって、前記不良カラムテーブルが前記メモリアレイ内の不良カラムの情報を含む、ステップと、
前記第1のバッファが第1のデータを受け取るステップと、
前記修復論理回路が、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップと、
前記修復論理回路が、前記不良カラムテーブルに従って前記第1のデータを第2のデータにマッピングするステップであって、前記マッピングするステップは、前記不良カラムテーブルが前記第1のデータの論理アドレスに先行するか等しい少なくとも1つの不良カラムアドレスを含む場合、前記修復論理回路が、前記論理アドレスと前記少なくとも1つの不良カラムアドレスの個数とに従って前記メモリアレイの物理アドレスを決定するステップを含む、ステップと
を備える、方法。 - 前記不良カラムテーブルが前記メモリアレイ内の前記不良カラムの不良カラムアドレスを含み、
前記修復論理回路が、前記不良カラムテーブルに従って前記第1のデータを第2のデータにマッピングするステップが、
前記修復論理回路が、前記不良カラムテーブルに従って前記論理アドレスを前記メモリアレイの前記物理アドレスにマッピングするステップと、
前記修復論理回路が、前記第1のデータから、前記物理アドレスに関連しないデータを選択せずに、前記第2のデータを生成するステップと
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記修復論理回路が、前記不良カラムテーブルに従って論理アドレスを前記メモリアレイの物理アドレスにマッピングするステップが、
前記修復論理回路が、前記不良カラムテーブルが、前記論理アドレスに先行するか等しい少なくとも1つの不良カラムアドレスを含むかどうかを判定するステップ、
を備える、請求項2に記載の方法。 - 前記修復論理回路が、前記不良カラムテーブルに従って前記第1のデータを第2のデータにマッピングするステップが、
前記修復論理回路が、プリフェッチ期間の間に前記第1のデータを前記第2のデータにマッピングするステップを備える、請求項1に記載の方法。 - 読み取り動作中に、前記第1のバッファが第1の速度で前記メモリアレイから前記第1のデータを受け取るステップをさらに備え、
前記修復論理回路が、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップが、
前記読み取り動作中に、前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連することを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記修復論理回路が、前記第1の速度の2倍の速度で、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップを備える、請求項1に記載の方法。 - 読み取り動作中に、前記第1のバッファが第1の速度で前記メモリアレイから前記第1のデータを受け取るステップをさらに備え、
前記修復論理回路が、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップが、
前記読み取り動作中に、前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連しないことを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記修復論理回路が、前記第1の速度で、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップを備える、請求項1に記載の方法。 - 読み取り動作中に、前記修復論理回路が、第1の速度で前記第2のデータを前記第2のバッファに送信するステップと、
前記読み取り動作中に、前記第2のバッファが、前記第1の速度の4倍の速度で前記第2のデータを前記メモリデバイスの入力/出力インターフェースに送信するステップと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 前記修復論理回路が、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップが、
書き込み動作中に、前記修復論理回路が、第1の速度で前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップを備え、
前記方法が、
前記書き込み動作中に、前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連することを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記修復論理回路が、無効なデータを前記第1のデータに挿入して、前記第2のデータを生成するステップと、
前記書き込み動作中に、前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連することを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記修復論理回路が、前記第1の速度の2倍の速度で前記第2のデータを前記第2のバッファに送信するステップと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 前記修復論理回路が、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップが、
書き込み動作中に、前記修復論理回路が、第1の速度で前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るステップと、
前記書き込み動作中に、前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連しないことを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記修復論理回路が、前記第1の速度で前記第2のデータを前記第2のバッファに送信するステップとを備える、請求項1に記載の方法。 - 前記修復論理回路が、前記第2のデータを前記メモリアレイに送信するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 第1のデータを受け取るように構成された第1のバッファと、
第2のデータを受け取るように構成された第2のバッファと、
前記第1のバッファおよび前記第2のバッファの一方に結合され、メモリセルのアレイを備えるメモリアレイと、
前記メモリアレイの不良カラムの情報を含む不良カラムテーブルを格納するように構成された内部メモリと、
前記内部メモリと、前記第1のバッファおよび前記第2のバッファの間とに結合され、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取り、前記不良カラムテーブルに従って前記第1のデータを第2のデータにマッピングし、前記第2のデータを前記第2のバッファに送信するように構成された、修復論理回路と、
を備え、マッピングすることは、前記不良カラムテーブルが前記第1のデータの論理アドレスに先行するか等しい少なくとも1つの不良カラムアドレスを含む場合、前記修復論理回路が、前記論理アドレスと前記少なくとも1つの不良カラムアドレスの個数とに従って前記メモリアレイの物理アドレスを決定することを含む、メモリデバイス。 - 前記不良カラムテーブルが前記メモリアレイ内の前記不良カラムの不良カラムアドレスを含み、
前記修復論理回路が、前記修復論理回路に結合されたアドレスコンバータとデータセレクタとを備え、
前記アドレスコンバータが、前記不良カラムテーブルに従って前記論理アドレスを前記メモリアレイの前記物理アドレスにマッピングするように構成され、
前記データセレクタが、前記第1のデータから、前記物理アドレスに関連しないデータを選択せず、前記第2のデータを生成するように構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。 - 前記修復論理回路が、前記不良カラムテーブルが、前記論理アドレスに先行するか等しい少なくとも1つの不良カラムアドレスを含むかどうかを判定するように構成される、請求項12に記載のメモリデバイス。
- 前記修復論理回路が、プリフェッチ期間の間に前記第1のデータを前記第2のデータにマッピングするように構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。
- 読み取り動作中に、前記第1のバッファが第1の速度で前記メモリアレイから前記第1のデータを受け取るように構成され、
前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連することを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記修復論理回路が、前記第1の速度の2倍の速度で前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るように構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。 - 読み取り動作中に、前記第1のバッファが第1の速度で前記メモリアレイから前記第1のデータを受け取るように構成され、
前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連しないことを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記修復論理回路が、前記第1の速度で前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取るように構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。 - 前記修復論理回路が、第1の速度で前記第2のデータを前記第2のバッファに送信するように構成され、
読み取り動作中に、前記第2のバッファが、前記第1の速度の4倍の速度で前記第2のデータを送信するように構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。 - 書き込み動作中に、前記修復論理回路が、第1の速度で前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取り、前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連することを前記不良カラムテーブルが示す場合、無効なデータを前記第1のデータに挿入して、前記第2のデータを生成し、前記第1の速度の2倍の速度で前記第2のデータを前記第2のバッファに送信するように構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。
- 書き込み動作中に、前記修復論理回路が、第1の速度で前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取り、前記第1のデータが前記メモリアレイ内の前記不良カラムに関連することを前記不良カラムテーブルが示す場合、前記第1の速度で前記第2のデータを前記第2のバッファに送信するように構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。
- 第1のデータを受け取るように構成された第1のバッファと、
メモリセルのアレイを備えるメモリアレイと、
前記メモリアレイの不良カラムの情報を含む不良カラムテーブルを格納するように構成された内部メモリと、
前記内部メモリと、前記第1のバッファおよび前記メモリアレイの間とに結合され、前記第1のバッファから前記第1のデータを受け取り、前記不良カラムテーブルに従って前記第1のデータを第2のデータにマッピングし、前記第2のデータを前記メモリアレイに送信するように構成された、修復論理回路と、
を備え、マッピングすることは、前記不良カラムテーブルが前記第1のデータの論理アドレスに先行するか等しい少なくとも1つの不良カラムアドレスを含む場合、前記修復論理回路が、前記論理アドレスと前記少なくとも1つの不良カラムアドレスの個数とに従って前記メモリアレイの物理アドレスを決定することを含む、メモリデバイス。
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