JP7237996B2 - 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 - Google Patents
単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7237996B2 JP7237996B2 JP2020572644A JP2020572644A JP7237996B2 JP 7237996 B2 JP7237996 B2 JP 7237996B2 JP 2020572644 A JP2020572644 A JP 2020572644A JP 2020572644 A JP2020572644 A JP 2020572644A JP 7237996 B2 JP7237996 B2 JP 7237996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample rod
- sample
- rod
- diameter
- resistivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
例
例1:I-V曲線からの抵抗率の決定
例2:溶融および溶解したるつぼ壁の推定ホウ素およびリン含有量
例3:ショートインゴットとサンプルロッドの比較
例4:シリコンメルトの抵抗率の傾向
例5:複数のサンプルロッドで示されるリンの蓄積
Claims (15)
- るつぼ内に保持されたシリコン溶融物から単結晶シリコンインゴットを製造するための方法であって、前記方法は、
前記るつぼで多結晶シリコンを加熱して、前記るつぼに第1のシリコン溶融物を形成させるステップと、
前記第1のシリコン溶融物から第1のサンプルロッドを引っ張るステップであって、前記第1のサンプルロッドは、第1のサンプルロッド直径を有する、ステップと、
前記第1のサンプルロッドおよび/または前記第1のシリコン溶融物の品質に関連する第1のサンプルロッドパラメータを測定するステップと、
前記第1のシリコン溶融物から第2のサンプルロッドを引っ張るステップであって、前記第2のサンプルロッドは、第2のサンプルロッド直径を有する、ステップと、
前記第2のサンプルロッドおよび/または前記第1のシリコン溶融物の品質に関連する第2のサンプルロッドパラメータを測定するステップと、
前記第1のシリコン溶融物から第1の製品インゴットを引っ張るステップであって、前記第1の製品インゴットは、直径を有し、前記第1のサンプルロッド直径および前記第2のサンプルロッド直径は、前記製品インゴットの直径よりも小さい、ステップと、
前記るつぼで多結晶シリコンを加熱して、前記るつぼに第2のシリコン溶融物を形成させるステップと、
前記第2のシリコン溶融物から第2の製品インゴットを引っ張るステップであって、前記第2の製品インゴットは、直径を有し、前記第1のサンプルロッド直径および前記第2のサンプルロッド直径は、前記第2の製品インゴットの直径よりも小さく、前記第2のシリコン溶融物から成長した前記第2の製品インゴットの成長条件は、測定された第1のサンプルロッドパラメータと測定された第2のサンプルロッドパラメータとの間の差の変化率に少なくとも部分的に基づいて変化する、ステップと、
を含む方法。 - 前記成長条件は、ホットゾーン構成、サイドヒータ電力、ヒータ形状、るつぼライナーの厚さ、ドーパント濃度、不純物およびドーパント蒸発、ガス流量、およびチャンバ圧力からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のサンプルロッドパラメータおよび前記第2のサンプルロッドパラメータは、サンプルロッドの抵抗率であり、第1のサンプルロッド抵抗率および第2のサンプルロッド抵抗率は、ロッドを抵抗率プローブと接触させることによって測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記方法は、
前記第1のサンプルロッド上に平面セグメントを形成するステップであって、前記第1のサンプルロッドの抵抗率は、前記平面セグメント上で測定される、ステップと、
前記第2のサンプルロッド上に平面セグメントを形成するステップであって、前記第2のサンプルロッドの抵抗率は、前記平面セグメント上で測定される、ステップと、
をさらに含む請求項3に記載の方法。 - 前記方法は、電流を各サンプルロッドに印加して前記サンプルロッドの抵抗を測定するステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 各サンプルロッドは、サンプルロッドを抵抗率プローブと接触させながらサンプルロッドを保持するクランプを備える測定装置によって固定される、請求項3に記載の方法。
- 前記方法は、サンプルロッドの抵抗率を測定する前に、熱ドナーキルサイクルで各サンプルロッドをアニールするステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記第1および第2のサンプルロッドの直径は、それぞれ、第1の製品インゴットの直径の0.50倍未満、および前記第1および第2のサンプルロッドの直径は、それぞれ、第2の製品インゴットの直径の0.50倍未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1および第2のサンプルロッドおよび前記第1および第2の製品インゴットは、それぞれ、少なくとも1,500Ω-cmの抵抗率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のサンプルロッドが成長した後かつ前記第2のサンプルロッドが成長する前に、多結晶シリコンが前記るつぼに追加されていない、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のサンプルロッドパラメータおよび前記第2のサンプルロッドパラメータは、同じパラメータである、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のサンプルロッドパラメータおよび前記第2のサンプルロッドパラメータは、溶融物、第1の製品インゴットまたは第2の製品インゴットの不純物濃度に関連している、請求項1に記載の方法。
- 前記パラメータは、リン濃度、ホウ素濃度、アルミニウム濃度、ガリウム濃度、ヒ素濃度、インジウム濃度、アンチモン濃度、総不純物濃度、ドーパント濃度、およびサンプルロッドの抵抗率からなる群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 前記第1のサンプルロッドおよび第2のサンプルロッドの不純物濃度が測定され、前記第1および第2のサンプルロッドの不純物濃度は、1×1012原子/cm3未満であり、前記不純物濃度は、フーリエ変換赤外分光法またはフォトルミネッセンスによって測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記方法は、測定された第1のサンプルロッドパラメータおよび/または測定された第2のサンプルロッドパラメータに少なくとも部分的に基づいて、第1の製品インゴットの成長条件を変更するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023031098A JP2023075200A (ja) | 2018-06-27 | 2023-03-01 | 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/020,701 US11047066B2 (en) | 2018-06-27 | 2018-06-27 | Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots |
US16/020,701 | 2018-06-27 | ||
PCT/US2019/038928 WO2020005904A1 (en) | 2018-06-27 | 2019-06-25 | Growth of plural sample rods to determine impurity build-up during production of single crystal silicon ingots |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023031098A Division JP2023075200A (ja) | 2018-06-27 | 2023-03-01 | 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021528355A JP2021528355A (ja) | 2021-10-21 |
JPWO2020005904A5 JPWO2020005904A5 (ja) | 2022-06-17 |
JP7237996B2 true JP7237996B2 (ja) | 2023-03-13 |
Family
ID=67297288
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020572644A Active JP7237996B2 (ja) | 2018-06-27 | 2019-06-25 | 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 |
JP2023031098A Pending JP2023075200A (ja) | 2018-06-27 | 2023-03-01 | 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023031098A Pending JP2023075200A (ja) | 2018-06-27 | 2023-03-01 | 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11047066B2 (ja) |
EP (2) | EP4361324A3 (ja) |
JP (2) | JP7237996B2 (ja) |
KR (1) | KR102509479B1 (ja) |
CN (1) | CN112469851B (ja) |
SG (1) | SG11202012612TA (ja) |
TW (2) | TW202321531A (ja) |
WO (1) | WO2020005904A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10954606B2 (en) | 2018-06-27 | 2021-03-23 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for modeling the impurity concentration of a single crystal silicon ingot |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226295A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造工程の管理方法及びチョクラルスキー法による高抵抗シリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶 |
CN102181919A (zh) | 2011-04-13 | 2011-09-14 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法 |
JP2012129308A (ja) | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2016041638A (ja) | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 信越半導体株式会社 | 単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶育成方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3551807A (en) * | 1968-10-01 | 1970-12-29 | Pennwalt Corp | Manually adjustable electrical probe for testing printed circuits and the like |
US4134785A (en) * | 1977-04-13 | 1979-01-16 | Western Electric Company, Inc. | Real-time analysis and control of melt-chemistry in crystal growing operations |
JPS6395629A (ja) | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Hitachi Ltd | 半導体単結晶インゴツトの加工指示装置 |
US5137699A (en) | 1990-12-17 | 1992-08-11 | General Electric Company | Apparatus and method employing interface heater segment for control of solidification interface shape in a crystal growth process |
US5449883A (en) * | 1992-08-07 | 1995-09-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Continuous heat treatment system of semiconductor wafers for eliminating thermal donor |
US6663709B2 (en) | 2001-06-26 | 2003-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal puller and method for growing monocrystalline silicon ingots |
US7282094B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-10-16 | Sumco Corporation | Method of simulation with respect to density distribution and size distribution of void defect within single crystal and oxygen precipitation nucleus within single crystal |
US7635414B2 (en) | 2003-11-03 | 2009-12-22 | Solaicx, Inc. | System for continuous growing of monocrystalline silicon |
KR20080017376A (ko) * | 2005-05-19 | 2008-02-26 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | 고저항률 실리콘 구조 및 그 제조 프로세스 |
KR101841032B1 (ko) * | 2010-09-03 | 2018-03-22 | 지티에이티 아이피 홀딩 엘엘씨 | 갈륨, 인듐 또는 알루미늄으로 도핑된 실리콘 단결정 |
FR2978549B1 (fr) * | 2011-07-27 | 2014-03-28 | Commissariat Energie Atomique | Determination des teneurs en dopants dans un echantillon de silicium compense |
US20150333193A1 (en) * | 2012-12-31 | 2015-11-19 | Memc Electronic Matrials S.P.A. | Indium-doped silicon wafer and solar cell using the same |
CN103173867A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-06-26 | 江西豪安能源科技有限公司 | 一种消除太阳能单晶头部热施主导致电阻失真的方法 |
KR101665827B1 (ko) * | 2014-12-30 | 2016-10-12 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 계면의 형상을 제어할 수 있는 단결정 성장 방법 |
WO2016179022A1 (en) * | 2015-05-01 | 2016-11-10 | Sunedison, Inc. | Methods for producing single crystal ingots doped with volatile dopants |
CN105887194A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-24 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种n型单晶硅的生长方法 |
JP2018090466A (ja) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
US10954606B2 (en) * | 2018-06-27 | 2021-03-23 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for modeling the impurity concentration of a single crystal silicon ingot |
-
2018
- 2018-06-27 US US16/020,701 patent/US11047066B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-25 KR KR1020207037994A patent/KR102509479B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-25 SG SG11202012612TA patent/SG11202012612TA/en unknown
- 2019-06-25 JP JP2020572644A patent/JP7237996B2/ja active Active
- 2019-06-25 EP EP24155459.1A patent/EP4361324A3/en active Pending
- 2019-06-25 WO PCT/US2019/038928 patent/WO2020005904A1/en unknown
- 2019-06-25 CN CN201980043763.5A patent/CN112469851B/zh active Active
- 2019-06-25 EP EP19740140.9A patent/EP3814557B1/en active Active
- 2019-06-26 TW TW112103366A patent/TW202321531A/zh unknown
- 2019-06-26 TW TW108122456A patent/TWI794522B/zh active
-
2023
- 2023-03-01 JP JP2023031098A patent/JP2023075200A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002226295A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | チョクラルスキー法によるシリコン単結晶製造工程の管理方法及びチョクラルスキー法による高抵抗シリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶 |
JP2012129308A (ja) | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
CN102181919A (zh) | 2011-04-13 | 2011-09-14 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法 |
JP2016041638A (ja) | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 信越半導体株式会社 | 単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶育成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3814557A1 (en) | 2021-05-05 |
WO2020005904A1 (en) | 2020-01-02 |
TWI794522B (zh) | 2023-03-01 |
CN112469851B (zh) | 2022-12-02 |
US11047066B2 (en) | 2021-06-29 |
US20200002843A1 (en) | 2020-01-02 |
KR20210041541A (ko) | 2021-04-15 |
KR102509479B1 (ko) | 2023-03-10 |
TW202321531A (zh) | 2023-06-01 |
CN112469851A (zh) | 2021-03-09 |
JP2023075200A (ja) | 2023-05-30 |
EP3814557B1 (en) | 2024-03-13 |
EP4361324A2 (en) | 2024-05-01 |
TW202001012A (zh) | 2020-01-01 |
EP4361324A3 (en) | 2024-05-29 |
JP2021528355A (ja) | 2021-10-21 |
SG11202012612TA (en) | 2021-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2022515283A (ja) | 高抵抗率および超高抵抗率単結晶シリコンインゴット成長用ファットネックスラブの改良された比抵抗安定化測定 | |
JP2023075200A (ja) | 単結晶シリコンインゴットの製造中の不純物の蓄積を決定するための複数のサンプルロッドの成長 | |
JP7467362B2 (ja) | 単結晶シリコンインゴット製造中のサンプルロッド成長および抵抗率測定 | |
US10954606B2 (en) | Methods for modeling the impurity concentration of a single crystal silicon ingot | |
US20200199773A1 (en) | Center Slab Lapping and Resistivity Measurement During Single Crystal Silicon Ingot Production | |
US10781532B2 (en) | Methods for determining the resistivity of a polycrystalline silicon melt | |
US20200199775A1 (en) | Sample Rod Center Slab Resistivity Measurement During Single Crystal Silicon Ingot Production | |
US20200199774A1 (en) | Sample Rod Center Slab Resistivity Measurement With Four-Point Probe During Single Crystal Silicon Ingot Production | |
TW202041725A (zh) | 單晶矽錠生產期間之樣本晶棒中心板之電阻量測 | |
TWI814488B (zh) | 高電阻矽晶圓的厚度測量方法以及平坦度測量方法 | |
CN112680787B (zh) | 一种单晶硅的生长方法及单晶硅 | |
WO2023154620A1 (en) | Methods for producing a product ingot having low oxygen content | |
Deitch et al. | Growth of Large Diameter Silicon-Germanium Monocrystals |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220609 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220609 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230301 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7237996 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |