JP7467362B2 - 単結晶シリコンインゴット製造中のサンプルロッド成長および抵抗率測定 - Google Patents
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Description
この出願は、2018年6月27日に出願された米国特許出願第16/020,698号の優先権を主張し、その開示全体は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
例
例1:I-V曲線からの抵抗率の決定
例2:ショートインゴットとサンプルロッドの比較
Claims (15)
- るつぼ内に保持されたシリコン溶融物から単結晶シリコンインゴットを製造するための方法であって、
前記るつぼに多結晶シリコンを追加するステップと、
前記多結晶シリコンを加熱して、前記るつぼ内にシリコン溶融物を形成させるステップと、
前記溶融物からサンプルロッドを引っ張るステップであって、前記サンプルロッドは、直径を有する、ステップと、
前記サンプルロッドを少なくとも500℃の温度で約5秒~15分間、急速熱アニールでアニールして熱ドナーを消滅させるステップであって、前記サンプルロッドは、5.5ppma未満の酸素含有量を有する、ステップと、
熱ドナーの消滅後の前記サンプルロッドの抵抗率を測定するステップであって、前記サンプルロッドの抵抗率は、前記サンプルロッドをウェーハまたはスラグにスライスすることなく測定される、ステップと、
前記溶融物にドーパントを追加するステップであって、前記溶融物に追加されるドーパントの量は、前記サンプルロッドの測定された抵抗率に基づく、ステップと、
前記溶融物から製品インゴットを引っ張るステップであって、前記製品インゴットは、直径を有し、前記サンプルロッドの直径は、前記製品インゴットの直径よりも小さい、ステップと、
を含む方法。 - 前記サンプルロッドの抵抗率は、前記ロッドを抵抗率プローブと接触させることによって測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記方法は、前記サンプルロッド上に平面セグメントを形成するステップをさらに含み、前記サンプルロッドの抵抗率は、前記平面セグメント上で測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記平面セグメントは、前記サンプルロッドの一端から前記サンプルロッドの第2の端に向かって軸方向に延びる、請求項3に記載の方法。
- 前記サンプルロッドの抵抗率を測定するために、プローブは、前記平面セグメントと接触される、請求項3に記載の方法。
- 前記方法は、電流を前記サンプルロッドに印加して前記サンプルロッドの抵抗を測定するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルロッドの直径は、前記製品インゴットの直径の0.75倍未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルロッドは、平均直径を有し、前記サンプルロッドの平均直径は、150mm未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルロッドは、最大直径を有し、前記サンプルロッドの最大直径は、50mm未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルロッドは、300mm未満の長さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記製品インゴットは、少なくとも1,500Ω-cmの抵抗率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルロッドは、少なくとも1,500Ω-cmの抵抗率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記方法は、前記サンプルロッドの平均抵抗率を決定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルロッドは、前記サンプルロッドを抵抗率プローブと接触させながら、前記サンプルロッドを保持するクランプを備える測定装置によって固定される、請求項13に記載の方法。
- 前記サンプルロッドは、平均直径を有し、前記サンプルロッドの平均直径は、25mm未満である、請求項1に記載の方法。
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