JP7233320B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
配線層を被覆する絶縁層を備えた配線基板において、配線層と絶縁層との密着性を向上することは信頼性上重要である。そのため、配線層と絶縁層との密着性を向上する様々な手法が検討されている。
例えば、絶縁層が積層される配線層の表面にシラン化合物を含む液を塗布した後、２５～１００℃の温度で且つ５分以内で乾燥を行い、次に、水洗してシラン化合物を固着させて被膜を形成し、化学的な密着力を得る手法が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、化学的な密着力に物理的な密着力を併用するために、配線層の表面を粗化する場合がある。この場合、上記と同様な手法を用いても、配線層の表面の凹凸に沿って均一な被膜を形成することは困難である。すなわち、配線層の表面の凹凸に、被膜が未着な部分が生じたり、部分的に過剰な厚さの被膜が形成されたりする場合がある。このような場合、配線層と絶縁層との密着性が十分に得られない。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、配線層と絶縁層との密着性を向上可能な配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
本配線基板の製造方法は、第１絶縁層上に配線層を形成する工程と、前記配線層の前記第１絶縁層と接していない表面を粗化して凹凸を形成する工程と、前記凹凸上に密着増強被膜を形成する工程と、酸性の溶液を用いて前記密着増強被膜を部分的に除去する工程と、前記第１絶縁層上に前記配線層を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、を有し、前記密着増強被膜を形成する工程では、前記密着増強被膜は、前記凹凸に沿って形成され、前記凹凸の凹部の底部にも形成され、前記密着増強被膜は、前記底部側に形成された薄膜部と、前記底部とは反対側に形成された厚膜部と、を含み、前記密着増強被膜を部分的に除去する工程では、前記薄膜部と前記厚膜部との厚さの差を縮小し、前記密着増強被膜の厚さの均一性を向上させる。
開示の技術によれば、配線層と絶縁層との密着性を向上可能な配線基板の製造方法を提供できる。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図であり、図１（ａ）は配線層と絶縁層が交互に複数積層された配線基板の一部を示した図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の部分拡大図である。
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図であり、図１（ａ）は配線層と絶縁層が交互に複数積層された配線基板の一部を示した図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の部分拡大図である。
図１を参照するに、配線基板１は、絶縁層１０と、配線層２０と、絶縁層３０と、配線層４０とを有している。
なお、本実施形態では、便宜上、配線基板１の絶縁層３０側を上側又は一方の側、絶縁層１０側を下側又は他方の側とする。又、各部位の絶縁層３０側の面を上面又は一方の面、絶縁層１０側の面を下面又は他方の面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置できる。又、平面視とは対象物を絶縁層１０の上面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層１０の上面の法線方向から視た形状を指すものとする。
絶縁層１０は、例えば、多層配線の層間絶縁層として、ビルドアップ工法を用いて形成できる絶縁層である。従って、絶縁層１０の下層として他の配線層や他の絶縁層が積層されていてもよい。この場合、絶縁層１０や他の絶縁層に適宜ビアホールを設け、ビアホールを介して配線層同士を接続できる。
絶縁層１０の材料としては、例えば、非感光性（熱硬化性樹脂）のエポキシ系絶縁樹脂やポリイミド系絶縁樹脂等を用いることができる。或いは、絶縁層１０の材料として、例えば、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いてもよい。絶縁層１０は、ガラスクロス等の補強材を有していても構わない。又、絶縁層１０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１０の厚さは、例えば１０～５０μｍ程度とすることができる。
配線層２０は、絶縁層１０上に形成されている。配線層２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層２０の厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。
配線層２０の上面及び側面には粗化処理が施され、凹凸２１が形成されている。凹凸２１の粗度は、表皮効果による電気特性の悪化がない程度とされており、例えば、Ｒａ＝５０～２００ｎｍ程度である。
凹凸２１が形成された配線層２０の上面及び側面には、凹凸２１に沿った形状の密着増強被膜２２が形成されている。つまり、密着増強被膜２２の表面は、凹凸２１と同程度の粗度の凹凸形状である。密着増強被膜２２の材料としては、例えば、シランカップリング剤を用いることができる。密着増強被膜２２の厚さは、例えば、３～８ｎｍ程度とすることができる。なお、図１（ａ）では、便宜上、凹凸２１を破線で示している。
シランカップリング剤において、樹脂等の有機材料と化学結合する官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、イソシネアート基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、又はスルフィド基を含むものが好ましい。シランカップリング剤と化学結合する樹脂の種類に応じて最適な官能基が選択される。
又、シランカップリング剤において、金属等の無機材料と化学結合する官能基として、アゾール基、シラノール基、メトキシ基、又はエトキシ基を含むものが好ましい。シランカップリング剤と化学結合する金属の種類に応じて最適な官能基が選択される。
なお、シランカップリング剤に代えて、チタンカップリング剤を使用してもよい。
絶縁層３０は、絶縁層１０上に、配線層２０を被覆するように形成されている。絶縁層３０の材料や厚さは、例えば、絶縁層１０と同様である。絶縁層３０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。
配線層４０は、絶縁層３０の上側に形成されている。配線層４０は、絶縁層３０を貫通し配線層２０の上面を露出するビアホール３０ｘ（開口部）内に充填されたビア配線、及び絶縁層３０の上面に形成された配線パターンを含んでいる。配線層４０の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２０と電気的に接続されている。ビアホール３０ｘは、例えば、絶縁層３０の上面側に開口されている開口部の径が配線層２０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部である。配線層４０の材料や配線パターンの厚さは、例えば、配線層２０と同様である。
このように、配線基板１では、配線層２０の上面及び側面に凹凸２１が形成され、更に凹凸２１に沿った形状の密着増強被膜２２が形成され、密着増強被膜２２の表面は、凹凸２１と同程度の粗度の凹凸形状である。
これにより、密着増強被膜２２の表面の凹凸によるアンカー効果により、配線層２０と絶縁層３０との物理的な密着力を高くできる。又、密着増強被膜２２が絶縁層３０と接することにより、配線層２０と絶縁層３０との化学的な密着力を高くできる。
又、配線基板１では、配線層２０の上面及び側面に形成されているのは微細な凹凸２１であり、必要以上に粗度を高くしていなため、表皮効果による電気特性の悪化を抑制できる。
［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図４は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施形態では、単品の配線基板を形成する工程を示すが、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程としてもよい。
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図４は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施形態では、単品の配線基板を形成する工程を示すが、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程としてもよい。
まず、図２（ａ）に示す工程では、絶縁層１０を準備し、絶縁層１０上に周知のスパッタ法やめっき法等により配線層２０を形成する。
次に、図２（ｂ）に示す工程では、配線層２０の絶縁層１０と接していない表面（上面及び側面）を粗化して凹凸２１を形成する。凹凸２１の粗度は、例えば、Ｒａ＝５０～２００ｎｍ程度となる。配線層２０の上面及び側面の粗化処理は、例えば、蟻酸を用いたウェットエッチングにより行うことができる。
次に、図２（ｃ）に示す工程では、配線層２０の凹凸２１上に密着増強被膜２２を形成する。密着増強被膜２２は、凹凸２１が形成された配線層２０の上面及び側面に、凹凸２１に沿った形状に形成される。密着増強被膜２２の表面は、凹凸２１と同程度の粗度となる。密着増強被膜２２は、例えば、シランカップリング剤を用いて形成される。密着増強被膜２２の厚さは、最も厚い部分で、例えば、２０～３０ｎｍ程度となる。
シランカップリング剤を用いて密着増強被膜２２を形成するには、例えば、図２（ｂ）の構造体をシランカップリング剤の希釈溶液に浸漬させればよい。或いは、図２（ｂ）の構造体の配線層２０の上面及び側面にシランカップリング剤の希釈溶液をスプレー塗布して密着増強被膜２２を形成してもよい。シランカップリング剤の希釈溶液の濃度は、０．１～１０％、好適には０．５～５％に設定される。
次に、図２（ｄ）に示す工程では、図２（ｃ）に示す構造体を水洗した後、除去処理液（酸性の溶液）を用いて密着増強被膜２２を部分的に除去し、密着増強被膜２２の厚さの均一性を高め、その後乾燥させる。密着増強被膜２２の厚さは、例えば、３～８ｎｍ程度となる。
ここで、密着増強被膜２２の厚さの均一性を高めるメカニズムを詳しく説明する。図３は、図２（ｃ）及び図２（ｄ）の部分拡大図である。
図３（ａ）は、図２（ｃ）の工程で、凹凸２１が形成された配線層２０の上面に形成された密着増強被膜２２を拡大して模式的に示している。
密着増強被膜２２を薬液（シランカップリング剤の希釈溶液等）を用いて形成する際に薬液が粘性を有していると、薬液が凹凸２１の凹部の底部側に侵入できずに密着増強被膜２２が未着な部分が生じるおそれがある。
そこで、本実施形態では、凹凸２１の凹部の底部側における密着増強被膜２２の未着を防ぐために、凹凸２１の凹部の底部側に薬液を侵入させる十分な処理時間をかけている。
その結果、図３（ａ）に示すように、密着増強被膜２２は、凹凸２１に沿って形成され、凹凸２１の凹部の底部にも形成される。より詳細には、凹凸２１の凹部の底部側には相対的に薄い密着増強被膜２２が形成され、それ以外の部分（底部とは反対側）には相対的に厚い密着増強被膜２２が形成され、未着な部分は生じない。
すなわち、密着増強被膜２２は、凹凸２１の凹部の底部側に形成された薄膜部と、底部とは反対側に形成された厚膜部とを含む構造となる。凹凸２１の凹部の底部側に形成された薄膜部の厚さは、例えば、３～８ｎｍ程度となり、底部とは反対側に形成された厚膜部の厚さは、例えば、２０～３０ｎｍ程度となる。なお、密着増強被膜２２を形成する薬液の推奨粘度は、５～１０ｃＰ程度である。
図３（ｂ）～図３（ｄ）は、図２（ｄ）の工程で、密着増強被膜２２の厚さの均一性を高める様子を拡大して模式的に示している。
図３（ｂ）は、密着増強被膜２２を除去処理液３００に浸した直後の様子である。除去処理液３００には、ｐＨ＝０～５の酸性の溶液を用いることができる。除去処理液３００に用いる酸としては、硫酸が好ましい。本実施形態では、除去処理液３００は、凹凸２１の底部に達する粘度に調整されている。具体的には、除去処理液３００の粘度は、密着増強被膜２２を形成する溶液の粘度と同等以下である。除去処理液３００の推奨粘度は、１～１０ｃＰ程度である。これにより、除去処理液３００は、凹凸２１の凹部の底部側（図３（ｂ）でＢで示した部分）にまで入り込む。
図３（ｃ）は、密着増強被膜２２を除去処理液３００に浸し、所定時間が経過した後の様子を拡大して模式的に示している。
凹凸２１の凹部の底部側（図３（ｂ）でＢで示した部分）に一度に入った除去処理液３００は、溜り場に閉じ込められた状態となり新たな液との置換が困難なため、処理速度が遅くなる。これに対して、凹凸２１の凹部の底部とは反対側は、常に新たな液と接触することになり、処理速度が速い状態が保たれる。
すなわち、凹凸２１の凹部の底部とは反対側の処理速度は、凹凸２１の凹部の底部側の処理速度よりも速くなり、凹凸２１の凹部の底部とは反対側の密着増強被膜２２は、凹凸２１の凹部の底部側の密着増強被膜２２よりも早く除去される。そのため、所定時間経過後には、図３（ｃ）に示したように、凹凸２１の凹部の底部側以外の部分に形成された密着増強被膜２２が部分的に除去され、密着増強被膜２２の厚さの均一性が高まる。好ましくは、凹凸２１の全体で密着増強被膜２２が略均一の厚さとなる。
このように、密着増強被膜２２の厚さの均一性を向上する工程は、凹凸２１の凹部の底部側に形成された薄膜部と、底部とは反対側に形成された厚膜部との、膜厚差を縮小させる工程である。
なお、密着増強被膜２２の厚さが凹凸２１の全体で略均一となるまでの処理時間は、密着増強被膜２２の厚さのばらつきや除去処理液３００の粘度等を考慮し、実験やシミュレーションにより予め知ることができる。
図３（ｄ）は、密着増強被膜２２を乾燥させた後の様子を拡大して模式的に示している。図３（ｃ）に示す工程の後、除去処理液３００を取り除き、密着増強被膜２２を乾燥させることで、図３（ｄ）に示す密着増強被膜２２が得られる。
配線基板１の製造工程の説明に戻り、図２（ｄ）に示す工程の後、図４（ａ）に示す工程では、絶縁層１０上に配線層２０を被覆する絶縁層３０を形成する。具体的には、例えば、絶縁層１０上に配線層２０を被覆するように半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする非感光性の熱硬化性樹脂をラミネートし、硬化させて絶縁層３０を形成する。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて絶縁層３０を形成してもよい。
次に、図４（ｂ）に示す工程では、絶縁層３０に、絶縁層３０を貫通し配線層２０の上面を露出させるビアホール３０ｘを形成する。ビアホール３０ｘは、例えば、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール３０ｘは、例えば、絶縁層３０の上面側に開口されている開口部の径が配線層２０の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部となる。
ビアホール３０ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール３０ｘの底部に露出する配線層２０の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。デスミア処理により、ビアホール３０ｘの底部に露出する配線層２０の表面に付着した密着増強被膜２２は除去される。デスミア処理の後、ビアホール３０ｘの底部に露出する配線層２０の表面をソフトエッチングしてもよい。ソフトエッチングにより、ビアホール３０ｘの底部に露出する配線層２０の表面の凹凸２１は除去され、配線層２０の表面は平滑になる。
次に、図４（ｃ）に示す工程では、絶縁層３０の上側に配線層４０を形成する。配線層４０は、ビアホール３０ｘ内に充填されたビア配線、絶縁層３０の上面に形成された配線パターンを含む。配線層４０の配線パターンは、ビア配線を介して、配線層２０と電気的に接続される。以上の工程により、配線基板１が完成する。
ここで、第１実施形態に係る配線基板１の製造方法と、従来の製造方法との相違点について説明する。
図５は、比較例１に係る配線基板の製造工程の一部を例示する図である。比較例１に係る配線基板の製造工程では、図５（ａ）に示すように配線層２０の上面及び側面に凹凸２１を形成した後、図５（ｂ）に示すように密着増強被膜２２を形成する。
このとき、密着増強被膜２２の厚さを均一化するために、比較的短い処理時間とする。そのため、密着増強被膜２２の厚さが部分的に厚くなることはないが、薬液が凹凸２１の凹部の底部側に侵入できずに、密着増強被膜２２が未着な部分（図５（ｂ）の矢印Ｃ部）が生じる場合がある。
図５（ｃ）は、図５（ｂ）の構造体上に絶縁層３０を形成した様子を示している。密着増強被膜２２が未着な部分では、配線層２０と絶縁層３０との密着強度が不足する（図５（ｃ）のＤ部）。そのため、熱履歴を伴う後工程において、密着強度が不足した部分が起点となって配線層２０と絶縁層３０との界面に剥離を生じ、隣接する配線層２０間の絶縁性が劣化して信頼性を低下させるおそれがある。
図６及び図７は、比較例２に係る配線基板の製造工程の一部を例示する図である。比較例２に係る配線基板の製造工程では、図６（ａ）に示すように配線層２０の上面及び側面に凹凸２１を形成した後、図６（ｂ）に示すように密着増強被膜２２を形成する。
このとき、図５（ｂ）とは異なり、凹凸２１の凹部の底部側における密着増強被膜２２の未着を防ぐために、凹凸２１の凹部の底部側に薬液を侵入させる十分な処理時間をかけている。その結果、凹凸２１の凹部の底部側には相対的に薄い密着増強被膜２２が形成され、凹凸２１の凹部の底部とは反対側には相対的に厚い密着増強被膜２２が形成され、未着な部分は生じない。
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層１０上に配線層２０を被覆する絶縁層３０を形成し、絶縁層３０に配線層２０の上面を露出するビアホール３０ｘを形成し、デスミア処理やソフトエッチングを行う。その後、図６（ｄ）に示すように、配線層４０を形成する。
図７（ａ）は、図６（ｃ）のＥ部の拡大図である。密着増強被膜２２の厚い部分は薬液耐性が低いため、図６（ｃ）の工程でデスミア処理を行う際に、デスミア処理に用いる薬液により密着増強被膜２２の厚い部分が侵されて消失し、図７（ａ）のＦ部のような隙間が形成される。その後、ソフトエッチングを行うと、密着増強被膜２２が消失した隙間を起点に大きな空洞が形成される（図７（ｂ）のＧ部）。
図７（ｃ）は、図７（ｂ）の状態で配線層４０を形成した様子を模式的に示している。図７（ｂ）のＧ部の空洞に配線層４０を構成する金属（電解めっき）を充填しきれず、ボイドＨが発生する。ボイドＨが発生すると、配線層２０と配線層４０との接続信頼性が低下する。
このように、比較例に係る配線基板の製造方法において、密着増強被膜２２の厚さを均一化するために薬液を侵入させる処理時間を短くすると、凹凸２１の凹部の底部側に密着増強被膜２２が未着な部分が生じる。そして、密着増強被膜２２が未着な部分が起点となって配線層２０と絶縁層３０との界面に剥離を生じ、隣接する配線層２０間の絶縁性が劣化して信頼性を低下させるおそれがある。
一方、凹凸２１の凹部の底部側に薬液を侵入させる十分な処理時間をかけると、未着な部分は生じないものの、密着増強被膜２２の厚い部分と薄い部分が生じる。又、密着増強被膜２２は、薬液耐性（エッチング耐性）が低い場合がある。その結果、ソフトエッチングの際に、密着増強被膜２２の厚い部分が除去されると大きな空洞が形成され、配線層４０を形成する際に、その空洞に配線層４０を構成する金属を充填しきれず、ボイドＨが発生し、配線層２０と配線層４０との接続信頼性が低下する。
これに対し、第１実施形態に係る配線基板１の製造方法では、密着増強被膜２２を形成する際に、凹凸２１の凹部の底部側に薬液を侵入させる十分な処理時間をかけている。その結果、凹凸２１の凹部の底部側には相対的に薄い密着増強被膜２２が形成され、底部とは反対側には相対的に厚い密着増強被膜２２が形成されるが、未着な部分は生じない。更に、厚さにバラツキのある密着増強被膜２２を除去処理液３００に浸し、凹凸２１の全体で密着増強被膜２２の厚さの均一性を高めている。その結果、比較例に係る配線基板の製造方法の説明で記載したような問題が発生せず、配線層２０と絶縁層３０との密着性を向上できる。又、絶縁層３０による高い絶縁性が得られると共に、配線層２０と配線層４０との接続信頼性を向上できる。
〈第２実施形態〉
第２実施形態では、第１実施形態とは異なる手法で密着増強被膜２２の厚さの均一性を高める例を示す。なお、第２実施形態において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
第２実施形態では、第１実施形態とは異なる手法で密着増強被膜２２の厚さの均一性を高める例を示す。なお、第２実施形態において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
図８（ａ）は、図２（ｃ）の工程で、凹凸２１が設けられた配線層２０の上面に形成された密着増強被膜２２を拡大して模式的に示している。
図３（ａ）の場合と同様に、凹凸２１の凹部の底部側には相対的に薄い密着増強被膜２２が形成され、底部とは反対側には相対的に厚い密着増強被膜２２が形成され、未着な部分は生じない。
図８（ｂ）及び図８（ｃ）は、図８（ａ）に示す密着増強被膜２２の厚さの均一性を高める様子を模式的に示している。
図８（ｂ）は、密着増強被膜２２を除去処理液３００に浸した直後の様子である。除去処理液３００には、ｐＨ＝０～５の酸性の溶液を用いることができる。除去処理液３００に用いる酸としては、硫酸が好ましい。本実施形態では、除去処理液３００は、凹凸２１の底部に達しない粘度に調整されている。具体的には、除去処理液３００の粘度は、密着増強被膜２２を形成する溶液の粘度よりも高い。除去処理液３００の推奨粘度は、１０～１５ｃＰ程度である。これにより、除去処理液３００は、凹凸２１の凹部の底部側（図８（ｂ）のＩ部）には入り込まない。
図８（ｃ）は、密着増強被膜２２を除去処理液３００に浸し、所定時間が経過した後、除去処理液３００を取り除いた様子を模式的に示している。図８（ｂ）の工程では、除去処理液３００の粘度が高いために、凹凸２１の凹部の底部側に除去処理液３００が入り込まない。そのため、所定時間経過後には、図８（ｃ）に示したように、凹凸２１の凹部の底部側以外の部分に形成された密着増強被膜２２が部分的に除去され、密着増強被膜２２の厚さの均一性が高まる。好ましくは、凹凸２１の全体で密着増強被膜２２が略均一の厚さとなる。
なお、密着増強被膜２２の厚さが凹凸２１の全体で略均一となるまでの処理時間は、密着増強被膜２２の厚さのばらつきや除去処理液３００の粘度等を考慮し、実験やシミュレーションにより予め知ることができる。
このように、密着増強被膜２２を形成するための薬品よりも高い粘度の除去処理液３００を用いても、密着増強被膜２２の厚さの均一性を高めることができる。この場合も、図８（ｃ）に示す工程の後に図４（ａ）～図４（ｃ）と同様の工程を実行することで配線基板１が完成し、第１実施形態と同様に、配線層２０と絶縁層３０との密着性を向上できる。又、絶縁層３０による高い絶縁性が得られると共に、配線層２０と配線層４０との接続信頼性を向上できる。
以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
１ 配線基板
１０ 絶縁層
２０ 配線層
２１ 凹凸
２２ 密着増強被膜
３０ 絶縁層
３０ｘ ビアホール
４０ 配線層
３００ 除去処理液
１０ 絶縁層
２０ 配線層
２１ 凹凸
２２ 密着増強被膜
３０ 絶縁層
３０ｘ ビアホール
４０ 配線層
３００ 除去処理液
Claims (5)
- 第１絶縁層上に配線層を形成する工程と、
前記配線層の前記第１絶縁層と接していない表面を粗化して凹凸を形成する工程と、
前記凹凸上に密着増強被膜を形成する工程と、
酸性の溶液を用いて前記密着増強被膜を部分的に除去する工程と、
前記第１絶縁層上に前記配線層を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記密着増強被膜を形成する工程では、前記密着増強被膜は、前記凹凸に沿って形成され、前記凹凸の凹部の底部にも形成され、
前記密着増強被膜は、前記底部側に形成された薄膜部と、前記底部とは反対側に形成された厚膜部と、を含み、
前記密着増強被膜を部分的に除去する工程では、前記薄膜部と前記厚膜部との厚さの差を縮小し、前記密着増強被膜の厚さの均一性を向上させる配線基板の製造方法。 - 前記密着増強被膜を部分的に除去する工程では、前記酸性の溶液は、前記底部に達する粘度に調整されている請求項１に記載の配線基板の製造方法。
- 前記密着増強被膜を部分的に除去する工程では、前記酸性の溶液は、前記底部に達しない粘度に調整されている請求項１に記載の配線基板の製造方法。
- 前記密着増強被膜は、シランカップリング剤を用いて形成される請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記凹凸の粗度は、Ｒａ＝５０～２００ｎｍである請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
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