JP7227128B2 - 対象物の3d合成画像を生成し、3d合成画像に基づき対象物の特性を決定するための方法システム - Google Patents
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Description
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- パッケージ化された半導体素子の3D検査のための方法であって、各前記素子は、上面、底面、およびz軸方向に前記素子の前記上面と前記底面の間で垂直に伸長する複数の側壁を有する本体を備え、前記方法は、
(a)前記素子の上面が第1の素子配置表面の上に束縛されずに静止しており、かつ前記素子が、重力以外の外部からの圧縮力を受けない間、または(b)前記素子の上面が、吸引力を用いて第1の吸引先端により支えられ、かつ前記第1の吸引先端とは別個の第1の基準構造物に対して前記素子の前記上面を強制的に圧縮することが回避される間、1セットの3D素子画像化または走査ステーションにより前記素子の底面の3Dプロファイル画像を取り込んで、対応する底面3Dプロファイル画像データセットを生成するステップと、
(c)前記素子の底面が前記第1の素子配置表面または第2の素子配置表面の上に束縛されずに静止しており、かつ前記素子が、前記重力以外の前記外部からの圧縮力を受けない間、または(d)前記素子の底面が、前記吸引力を用いて前記第1の吸引先端または第2の吸引先端により支えられ、かつ前記第1の基準構造物、および前記第2の吸引先端とは別個の第2の基準構造物の各々に対して前記素子の前記底面を強制的に圧縮することが回避される間、前記1セットの3D素子画像化または走査ステーションにより前記素子の上面の3Dプロファイル画像を取り込んで、対応する上面3Dプロファイル画像データセットを生成するステップと、
素子側壁走査ステーションにより前記素子の複数の側壁画像を取り込んで、対応する側壁画像の2D側壁画像データセットを含む側壁画像データセットを生成するステップと、
前記底面3Dプロファイル画像データセット、前記上面3Dプロファイル画像データセット、および前記側壁画像データセットに基づき、またはそれらを使用して、少なくとも1つの処理ユニットおよび1セットのプログラム命令を記憶するメモリにより前記素子の3Dデジタル再構築または推定に対応する3D合成画像データセットを生成するステップと
を備え、
前記3D合成画像データセットを生成する前記ステップは、底面プロファイル(bottom surface profile、BSP)データセットおよび上面プロファイル(top surface profile、TSP)データセットを生成するステップと、生成したBSPデータセット、TSPデータセットおよび側壁画像データセットを互いに対してデジタル方式で整列させる、または登録するステップと、前記デジタル方式で整列させた、または登録した底面プロファイルデータセット、上面プロファイルデータセット、および側壁画像データセットを一緒につなぎ合わせるステップとをさらに備え、
前記底面プロファイル(BSP)データセットおよび上面プロファイル(TSP)データセットを生成する前記ステップは、湾曲した底面画像データセットおよび湾曲した上面画像データセットの各々を生成するステップを備える方法。 - 前記底面3Dプロファイル画像データセットは、前記素子の前記底面の領域全体にわたって遂行される底面3D走査線画像化手順を用いて生成され、前記上面3Dプロファイル画像データセットは、前記素子の前記上面の領域全体にわたり遂行される上面3D走査線画像化手順を用いて生成される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の素子配置表面は、前記素子の前記上面および前記底面の少なくとも一方の表面領域に対して平坦である、および/または前記第2の素子配置表面は、前記素子の前記上面および前記底面の少なくとも一方の前記表面領域に対して平坦である、請求項1に記載の方法。
- (a)前記素子の上面は、前記第1の素子配置表面の上に束縛されずに静止しており、前記素子は、前記素子の底面の前記3Dプロファイル画像の前記取込み中、前記重力以外の前記外部からの圧縮力を受けず、(c)前記素子の底面は、前記第1の素子配置表面または前記第2の素子配置表面の上に束縛されずに静止しており、前記素子は、前記素子の上面の前記3Dプロファイル画像の前記取込み中、前記重力以外の前記外部からの圧縮力を受けない、請求項1に記載の方法。
- 前記底面の3Dプロファイル画像を取り込む前記ステップの間、(a)前記素子の上面は、前記第1の素子配置表面の上に束縛されずに静止しており、前記素子は、前記素子の底面の前記3Dプロファイル画像の前記取込み中、前期重力以外の前記外部からの圧縮力を受けず、前記上面の3Dプロファイル画像を取り込む前記ステップの間、(d)前記素子の底面は、前記吸引力を用いて前記第1の吸引先端または前記第2の吸引先端により支えられ、前記第1の基準構造物および前記第2の基準構造物の各々に対する前記素子の前記底面の強制的圧縮が回避される、または
前記底面の3Dプロファイル画像を取り込む前記ステップの間、(b)前記素子の上面は、前記吸引力を用いて前記第1の吸引先端により支えられ、前記第1の基準構造物に対する前記素子の前記上面の強制的圧縮が回避され、前記上面の3Dプロファイル画像を取り込む前記ステップの間、(c)前記素子の底面は、前記第1の素子配置表面および前記第2の素子配置表面の一方の上に束縛されずに静止している、
請求項1に記載の方法。 - 前記素子が、前記パッケージ化された半導体素子を貯蔵または移送するために使用する、半導体業界に関連する標準設計を有するキャリア、プラットフォーム、または媒体の中に置かれている間、前記素子の上面の前記3Dプロファイル画像および前記素子の底面の前記3Dプロファイル画像の一方が取り込まれる、請求項1に記載の方法。
- 前記キャリア、プラットフォーム、または媒体は、所定のサイズのパッケージ化された半導体素子を運ぶように構成された業界標準トレイ、業界標準ボート、または業界標準テープ構造物のうち1つを備える、請求項6に記載の方法。
- 前記湾曲した底面画像データセットを生成する前記ステップは、
前記素子の物理的底面に対応する底面基準平面を規定する(x、y)値のアレイを数値的に決定するステップと、
前記底面基準平面内部の前記(x、y)値の前記アレイ内部の前記(x、y)値ごとに、前記底面3Dプロファイル画像データセットと前記底面基準平面の間のz軸偏差を数値的に決定するステップと
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記z軸に対する物理的素子底面非一様性に対応する底面プロファイル値の(x、y)アレイを備える底面プロファイル(BSP)データセットとして、(x、y)値ごとに前記底面3Dプロファイル画像データセットと前記底面基準平面の間のz軸偏差を記憶するステップをさらに備える、請求項8に記載の方法。
- 前記湾曲した上面画像データセットを生成する前記ステップは、
前記素子の物理的上面に対応する上面基準平面を規定する(x、y)値のアレイを数値的に決定するステップと、
前記上面基準平面内部の前記(x、y)値の前記アレイ内部の前記(x、y)値ごとに、前記上面3Dプロファイル画像データセットと前記上面基準平面の間のz軸偏差を数値的に決定するステップと
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記z軸に対する物理的素子上面非一様性に対応する上面プロファイル値の(x、y)アレイを備える上面プロファイル(TSP)データセットとして、(x、y)値ごとに前記上面3Dプロファイル画像データセットと前記上面基準平面の間のz軸偏差を記憶するステップをさらに備える、請求項10に記載の方法。
- 真の対象物本体の厚さ(True Object Main Body Thickness、TOMBT)データセットを生成するステップをさらに含み、前記TOMBTデータセットでは、任意の所与のTOMBT(x、y)値は、特有の(x、y)点で前記3D合成画像データセット内部の前記TSPと前記BSPの間のz軸距離を表す、請求項11に記載の方法。
- 前記素子の底面の前記3Dプロファイル画像、および前記素子の上面の前記3Dプロファイル画像を分析することによって、対象物全体の厚さ(Total Object Thickness、TOT)値を決定するステップ;ならびに前記素子の底面の前記3Dプロファイル画像内の最も低い物理的素子構造物と前記素子の上面の前記3Dプロファイル画像内の最も高い物理的素子構造物の間の最大z軸距離を決定するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- パッケージ化された半導体素子の3D検査のためのシステムであって、各前記素子は、上面、底面、およびz軸方向に前記素子の前記上面と前記底面の間で垂直に伸長する複数の側壁を有する本体を備え、前記システムは、
1セットの3D素子画像化または走査ステーションであって、
(i)(a)前記素子の上面が第1の素子配置表面の上に束縛されずに静止しており、かつ前記素子が、重力以外の外部からの圧縮力を受けない間、または(b)前記素子の上面が、吸引力を用いて第1の吸引先端により支えられ、かつ前記第1の吸引先端とは別個の第1の基準構造物に対する前記素子の前記上面の強制的圧縮が回避される間、前記素子の底面の3Dプロファイル画像を取り込んで、対応する底面3Dプロファイル画像データセットを生成するステップ、および
(ii)(c)前記素子の底面が前記第1の素子配置表面または第2の素子配置表面の上に束縛されずに静止しており、かつ前記素子が、前記重力以外の前記外部からの圧縮力を受けない間、または(d)前記素子の底面が、前記吸引力を用いて前記第1の吸引先端または第2の吸引先端により支えられ、かつ前記第1の基準構造物、および前記第1の吸引先端とは別個の第2の基準構造物の各々に対する前記素子の前記底面の強制的圧縮が回避される間、前記素子の上面の3Dプロファイル画像を取り込んで、対応する上面3Dプロファイル画像データセットを生成するステップ
を用いて、前記素子の底面および前記素子の上面の各々を画像化または走査して、それぞれ3D素子底面データセットおよび3D素子上面データセットを生成するように構成された1セットの3D素子画像化または走査ステーションと、
複数の素子側壁を画像化または走査して、対応する側壁画像データセットを生成するように構成された素子側壁走査ステーションと、
少なくとも1つの処理ユニットと、
前記底面3Dプロファイル画像データセット、前記上面3Dプロファイル画像データセット、および前記側壁画像データセットに基づき、またはそれらを使用して、前記素子の3Dデジタル再構築または推定に対応する3D合成画像データセットを生成するように構成された1セットのプログラム命令を記憶するメモリとを備え、
前記3D合成画像データセットを生成することは、底面プロファイル(BSP)データセットおよび上面プロファイル(TSP)データセットを生成することと、生成したBSPデータセット、TSPデータセットおよび側壁画像データセットを互いに対してデジタル方式で整列させる、または登録することと、前記デジタル方式で整列させた、または登録した底面プロファイルデータセット、上面プロファイルデータセット、および側壁画像データセットを一緒につなぎ合わせることとを含むシステム。 - 前記1セットの3D素子画像化または走査ステーションは、少なくとも1つの3D走査線プロファイル画像化装置を備える、請求項14に記載のシステム。
- 前記素子側壁走査ステーションは、複数の素子側壁を同時に画像化または走査するように構成された装置を備える、請求項14に記載のシステム。
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