JP7226683B2 - Mems素子の製造方法 - Google Patents
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- 円形のバックチャンバーを備えた矩形のハンドル基板上に、固定電極を含む固定電極膜と可動電極を含む可動電極膜とをスペーサーを介して対向配置するように形成したMEMS素子の製造方法において、
前記ハンドル基板上に、犠牲層を挟んだ前記可動電極膜と前記固定電極膜とを形成する工程と、
前記固定電極膜に貫通孔を形成する工程と、
前記固定電極膜および前記可動電極膜と接合する前記犠牲層と前記ハンドル基板の表面の一部を円柱状に残して除去する工程と、
前記ハンドル基板の一部を除去し、前記バックチャンバーを形成することで、前記円柱状に残したハンドル基板の表面を、壁厚が均一なドーナツ形状とする工程と、
前記犠牲層の一部をエッチング除去し、前記固定電極膜と前記可動電極膜との間のエアーギャップを形成することで、前記円柱状に残した犠牲層を、壁厚が均一なドーナツ形状のスペーサーとする工程と、を含むことを特徴とするMEMS素子の製造方法。
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