JP7220381B2 - 金属微粒子の作製装置および金属微粒子の作製方法 - Google Patents
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Description
前記粒子発生槽の周囲とその上方を囲み前記第1溶剤を満たした粒子分裂槽と、第2超音波振動子と、を含み、前記粒子発生槽の上方を介して前記粒子分裂槽へ運搬された前記一次粒子に前記第2超音波振動子による第2超音波を下方より照射し、前記一次粒子を分裂させる粒子分裂部と、
を備える。
前記粒子発生槽で生成された前記一次粒子が、前記粒子発生槽の上方より前記粒子分裂槽に輸送され、
前記一次粒子は、前記粒子分裂槽における沈降の過程で、前記第2超音波振動子からの第2超音波によって前記粒子分裂槽における粒子分裂工程が行われる。
前記粒子発生槽の周囲とその上方を囲み前記第1溶剤を満たした粒子分裂槽と、第2超音波振動子と、を含み、前記粒子発生槽の上方を介して前記粒子分裂槽へ運搬された前記一次粒子に前記第2超音波振動子による第2超音波を下方より照射し、前記一次粒子を分裂させて金属微粒子とする粒子分裂部と、
を備える。
前記粒子分裂槽の周囲と下方を囲んでおり、ヒータが載置され、第2溶剤を満たした加熱槽と、
前記加熱槽の下方に載置され、前記第2超音波振動子が載置され、第3溶剤を満たした冷却槽と、
を備えてもよい。
かつ前記第1溶剤は、金属組成物107と反応しない溶剤であってもよい。
前記粒子分裂槽の下方に作製された金属微粒子および前記第1溶剤を回収する回収部が接続されていてもよい。
前記粒子発生槽で生成された前記一次粒子が、前記粒子発生槽の上方より前記粒子分裂槽に輸送され、
前記一次粒子は、前記粒子分裂槽における沈降の過程で、前記第2超音波振動子からの第2超音波によって前記粒子分裂槽における粒子分裂工程が行われる。
<金属微粒子の作製装置>
図1は、本開示の実施の形態1に係る金属微粒子の作製装置200の断面を示す模式断面図である。なお、図1において、便宜上、鉛直方向をz方向とし、原料供給部208からの金属組成物206の供給方向をx方向として示している。
実施の形態1に係る金属微粒子の作製装置200は、金属微粒子の原料である金属組成物206に、超音波を照射して一次粒子を発生させる粒子発生部201と、発生した一次粒子に超音波を照射して一次粒子を分裂させて金属微粒子とする粒子分裂部203と、を少なくとも有していればよく、これらをそれぞれ別の構成として備えている。粒子発生部201は、粒子発生槽202と、第1超音波振動子209と、を含む。また、粒子発生部201は、粒子発生槽202内で第1溶剤内の溶融した金属組成物に第1超音波振動子209による第1超音波を照射し、金属組成物206から一次粒子218を発生させる。粒子分裂部203は、粒子発生槽202の周囲とその上方を囲み第1溶剤を満たした粒子分裂槽204と、第2超音波振動子214と、を含む。また、粒子分裂部203は、粒子発生槽202の上方を介して粒子分裂槽204へ運搬された一次粒子218に第2超音波振動子214による第2超音波を下方より照射し、一次粒子218を分裂させる。
このように粒子発生部201と粒子分裂部203とをそれぞれ別の構成にすることで、金属組成物から一次粒子を効率よく発生させつつ、さらに一次粒子を分裂させて金属微粒子を作製することができる。
粒子発生部201は、粒子発生槽202と、第1超音波振動子209と、を含む。粒子発生部201では、粒子発生槽202内で第1溶剤205内の溶融した金属組成物206に第1超音波振動子209による第1超音波を照射し、金属組成物206から一次粒子218を発生させる。
粒子発生部201の粒子発生槽202には、金属組成物206の融点以上の沸点を持つ第1溶剤205が満たされる。粒子発生槽202にはさらに、金属微粒子の原料となる金属組成物206が供給される。ここで、金属組成物206は、溶融状態で供給してもよく、非溶融状態で供給してもよい。
粒子発生槽202は、粒子分裂槽204の上部で接続され、粒子分裂槽の内側に設置されている。また、粒子発生槽202は、粒子分裂槽204を介してヒータ207が設置された加熱槽212の内側に設置されている。粒子発生部201では、金属組成物206(および溶剤205)を、加熱槽212のヒータ207で第2溶剤213を加熱することによって、金属組成物206の融点以上に加熱できる構造になっている。
粒子発生槽202において、第1溶剤205には上側からホーン型の第1超音波振動子209が浸漬され、第1溶剤205を介して、金属組成物206の表面に超音波キャビテーションを作用させることができる。
粒子分裂部203は、粒子分裂槽204と、第2超音波振動子214と、を含む。また、粒子分裂部203は、粒子発生槽202の上方を介して粒子分裂槽204へ運搬された一次粒子218に第2超音波振動子214による第2超音波を下方より照射し、一次粒子218を分裂させる。また、粒子分裂部203は、加熱槽212と冷却槽210とをさらに備える。
以下、当該粒子分裂槽204について詳しく説明する。
粒子分裂槽204は、ヒータ207が設置された加熱槽212の内側に設置されている。粒子発生槽202と上部で接続している粒子分裂槽204には、金属組成物206の融点以上の沸点を持つ第1溶剤205が満たされている。粒子分裂槽204の下部には、第2溶剤が満たされたヒータ207が配置された加熱槽212と、第3溶剤が満たされ底部に第2超音波振動子214が配置された冷却槽210とが設置されている。
上述のように、粒子分裂槽204の粒子分裂部203の下部には、第2超音波振動子214を冷却するための第3溶剤211を満たした冷却槽210が設けられている。また、その底部に第2超音波振動子214が設置される。このように設置することで、粒子発生部201で発生した金属微粒子219は、粒子分裂部203において粒子分裂槽204の下部から超音波キャビテーションによる作用がなされる。粒子発生部201で発生した金属微粒子219は、その粒子径にばらつきを持っており、粒子径が大きいものほど沈降しやすいため、粒子分裂槽204の下部に存在しやすい。また、粒子分裂槽204内における超音波キャビテーションの作用は、第2超音波振動子214に近い粒子分裂槽204の下部ほど大きいため、粒子分裂の速度が大きくなる。これにより、粒子径が大きい金属微粒子219は粒子分裂の速度が大きく、粒子径が小さい金属微粒子219は粒子分裂の速度が小さいため、より粒子径の分布が小さい金属微粒子219を生成することができる。
加熱槽212は、第2溶剤213が満たされる。粒子発生部201および粒子分裂部203では、金属組成物206(および溶剤205)を、ヒータ207で第2溶剤213を加熱することによって、金属組成物206の融点以上に加熱できる構造になっている。一方、加熱槽212の下部には、投げ込み型の第2超音波振動子214と、当該第2超音波振動子214を冷却するための冷却槽210とが設けられている。冷却槽210には沸点70℃以上の第3溶剤211が満たされている。
また、本実施の形態では、第1超音波振動子209にホーン型の超音波振動子、第2超音波振動子214に投げ込み型の超音波振動子を用いているが、これらの組み合わせは任意である。例えば、ホーン型とホーン型との組み合わせであってもよく、投げ込み型とホーン型との組み合わせであってもよく、投げ込み型と投げ込み型との組み合わせであってもよい。
次に、金属微粒子の作製方法について説明する。
図2は、実施の形態1に係る金属微粒子の作製方法の工程を示す図である。本開示の金属微粒子の作製方法は、粒子発生工程102および粒子分裂工程103を少なくとも含んでいればよい。図2に示すように、本実施の形態1では、原料供給工程101、粒子形成工程104、粒子回収工程105等も行う。
この金属微粒子の作製方法では、粒子発生工程102および粒子分裂工程103とを別々に行うことによって、
(1)原料供給工程101は、金属微粒子の原料である金属組成物を供給する工程であり、その融点以上に加熱して溶融させた液体状の金属組成物を溶剤の中に供給する工程である。
(2)粒子発生工程102は、溶剤内に供給した液体状の金属組成物に超音波を照射して一次粒子を発生させる工程である。粒子発生工程102では、キャビテーションの衝撃圧を作用させて、溶融した金属組成物の表面から液滴(一次粒子)を発生させる。
ここで、粒子分裂工程103は、主に溶剤と一次粒子とを含む混合物に対して行う。つまり、上述の粒子発生工程102で得られた溶剤および一次粒子を金属微粒子の作製装置内の別の箇所に移動させたり、別途、異なる装置に移したりして、超音波を更に照射する。なお、粒子発生工程102および粒子分裂工程103は、一つの金属微粒子の作製装置内で行うことが、金属微粒子の作製効率の点で好ましい。上述の金属微粒子の作製装置200では、粒子発生部201で粒子発生工程を行い、粒子分裂部203で粒子分裂工程を行っている。この場合において、粒子発生部201の粒子発生槽202と粒子分裂部203の粒子分裂槽204とを接続して、全体を一つの金属微粒子の作製装置200内に設けている。また、粒子発生工程102で使用する溶剤と、粒子分裂工程103で使用する溶剤は、同一であってもよく、異なっていてもよい。ただし、同一であるほうが、より効率よく金属微粒子112を作製可能となる。
(5)粒子回収工程105は、作製した金属微粒子を溶剤と分離して回収する工程である。
以上によって、金属微粒子を得ることができる。
図3(a1)乃至(a3)および図3(b1)乃至(b3)は、金属組成物107から金属微粒子が形成されるプロセスを示した図である。粒子発生プロセスを高速度カメラによって10000コマ/秒で詳細に観察することで、今まで未知であった超音波照射による粒子形成メカニズムを解明することができた。
粒子発生工程102で超音波108を照射する方法は特に制限されず、一般的な超音波振動子を用いて照射することができる。超音波振動子は、ホーン型や投げ込み型等、いずれであってもよいが、溶剤106側から超音波を照射することが、キャビテーションの強度が高まりやすいことから好ましく、ホーン型であることがより好ましい。
粒子発生工程102で照射する超音波の周波数について説明する。図4は、溶剤106の下方に位置する金属組成物107に、450Wの超音波を15秒間照射した時の超音波周波数と一次粒子の発生量との関係を示す図である。図4において、一次粒子の発生量は、超音波照射前に溶剤に供給した金属組成物107の質量と、超音波照射後に一次粒子111にならずに残っていた金属組成物107の質量と、の差分である。質量は0.0001gまで測定可能な精密天秤で測定した。
また、粒子発生工程102で照射する超音波出力を変化させると振動波の振幅の大きさが変化する。そのため、気泡を成長させる作用が強くなり、気泡圧壊時の衝撃圧が大きくなる。
下記表1に、金属組成物107に周波数26kHz、出力450Wの超音波を照射した時の超音波照射時間と得られる粒子の平均粒子径との関係を示す。表1における、平均粒子径はレーザー回折粒子径測定装置で計測した値である。
粒子分裂工程103では、粒子発生工程102で得られた一次粒子111、すなわち溶剤106中に分散された一次粒子111に超音波108を照射する。超音波の照射方法は特に制限されない。超音波の照射は、一般的な超音波振動子を用いて照射することができる。このとき、超音波108は、本実施の形態の目的および効果を損なわなければ、どの方向から照射してもよいが、超音波の減衰が少ない方向から照射することが好ましい。超音波108を照射するための超音波振動子は、ホーン型であってもよく、投げ込み型であってもよい。
粒子分裂工程103で照射する超音波108の照射条件は、本実施の目的および効果を損なわなければ、特に制限されない。例えば、周波数は、22~130kHzとすることができる。また、超音波出力は、90W~1kWとすることができる。また、超音波照射時間は、15秒~3分とすることが望ましい。
金属微粒子112の原料である金属組成物107は、例えば、電子回路基板のはんだ付けに用いるソルダーペースト用の合金等とすることができ、本実施の形態では、例えば、Bi-45質量%Inとしている。ただし、当該金属組成物107(ひいては金属微粒子112)は、Bi-45質量%Inに限られず、BiとInの混合比率を変化させたBi-In合金であってもよい。また、Bi-Inの組み合わせに限らず、Sn、Ag、Cu、Sb、Bi、Inから選ばれる少なくとも1種類の金属もしくはその合金とすることができる。また、これらの金属や合金から得られる金属酸化物としてもよい。
本実施の形態に用いる溶剤は、金属組成物107の融点より高い沸点を有し、かつ金属組成物107と反応しない溶剤であれば特に制限されない。例えば沸点が200~500℃程度の溶剤とすることができ、その例にはトリエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、シリコーンオイル、コーン油等が含まれる。また揮発性の低いイオン液体等であってもよい。
かかる構成によれば、粒子発生工程で、金属微粒子の原料である金属組成物に、超音波を照射してキャビテーション圧壊時の衝撃圧を作用させることで一次粒子を発生させる。そして、粒子発生工程とは異なる粒子分裂工程で超音波を照射して一次粒子を分裂させることで、粒子径1μm~10μmの金属微粒子を効率的に作製することができる。さらに、粒子径を小さくしたい場合は、粒子分裂工程での超音波照射時間を長くすることで、粒子発生量を低下させることなく金属微粒子を作製することができる。
粒子形成工程104では、粒子分裂槽204で一次粒子から分裂した液滴(金属微粒子)は、表面張力によって球状の金属微粒子219に変化する。その後、回収にあたって金属組成物の融点未満に冷却して固体の金属微粒子とする。
粒子回収工程105では、固体の金属微粒子219と溶剤205との混合物が、回収部216に送られ、金属微粒子219を溶剤と分離して回収する。
本開示の実施の形態1の金属微粒子の作製装置を用い、金属組成物206をBi-45質量%In(液相95℃、固相89℃)として金属微粒子219の作製を実際に行った。なお、本実施の形態では、第1溶剤205および第2溶剤213としてトリエチレングリコールモノブチルエーテル(沸点:278℃)、第3溶剤211として水道水を用いた。ホーン型の第1超音波振動子209には周波数20kHzで最大出力600W、ホーン先端の直径は50mmであるものを用いた。投げ込み型の第2超音波振動子214には、周波数26kHzで最大出力が500Wである。粒子分裂槽204は、鉛直方向の長さが20~500mmであり、直径が130mmである装置を用いた。
以上より、粒子分裂槽204の鉛直方向の長さは100mm以上400mm以下であることが望ましい。
102 粒子発生工程
103 粒子分裂工程
104 粒子形成工程
105 粒子回収工程
106 溶剤
107 金属組成物
108 超音波
109 気泡
110 衝撃波
111 一次粒子
112 金属微粒子
200 金属微粒子作製装置
201 粒子発生部
202 粒子発生槽
203 粒子分裂部
204 粒子分裂槽
205 第1溶剤
206 金属組成物
207 ヒータ
208 原料供給部
209 第1超音波振動子
210 冷却槽
211 第3溶剤
212 加熱槽
213 第2溶剤
214 第2超音波振動子
215 冷却装置
216 回収部
217 脱気器
218 一次粒子
219 金属微粒子
Claims (7)
- 粒子発生槽と、第1超音波振動子と、を含み、前記粒子発生槽内で第1溶剤内の溶融した金属組成物に前記第1超音波振動子による第1超音波を照射し、前記金属組成物から一次粒子を発生させる粒子発生部と、
前記粒子発生槽の周囲とその上方を囲み前記第1溶剤を満たした粒子分裂槽と、第2超音波振動子と、を含み、前記粒子発生槽の上方を介して前記粒子分裂槽へ運搬された前記一次粒子に前記第2超音波振動子による第2超音波を下方より照射し、前記一次粒子を分裂させて粒子径が1~10μmである金属微粒子とする粒子分裂部と、
を備える、金属微粒子の作製装置。 - 前記粒子分裂槽の鉛直方向の長さが100mm以上、400mm以下である、請求項1に記載の金属微粒子の作製装置。
- 前記粒子分裂部は、
前記粒子分裂槽の周囲と下方を囲んでおり、ヒーターが載置され、第2溶剤を満たした加熱槽と、
前記加熱槽の下方に載置され、前記第2超音波振動子が載置され、第3溶剤を満たした冷却槽と、
を備える、請求項1または2に記載の金属微粒子の作製装置。 - 前記第1溶剤および前記第2溶剤が、前記金属組成物の融点より高い沸点を有し、
かつ前記第1溶剤は、前記金属組成物と反応しない溶剤である、
請求項3に記載の金属微粒子の作製装置。 - 前記粒子発生槽に前記金属組成物を供給する原料供給部が接続され、
前記粒子分裂槽の下方に作製された金属微粒子および前記第1溶剤を回収する回収部が接続されている、
請求項1から4の何れか1項に記載の金属微粒子の作製装置。 - 請求項1から5の何れか1項に記載の金属微粒子の作製装置を使用する金属微粒子の作製方法であって、
前記粒子発生槽で生成された前記一次粒子が、前記粒子発生槽の上方より前記粒子分裂槽に輸送され、
前記一次粒子は、前記粒子分裂槽における沈降の過程で、前記第2超音波振動子からの第2超音波によって前記粒子分裂槽における粒子分裂工程が行われる、金属微粒子の作製方法。 - 前記粒子分裂槽における前記粒子分裂工程の時間が、5min以上、20min以下である、請求項6に記載の金属微粒子の作製方法。
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