JP7209355B2 - 非晶質硬質炭素膜とその成膜方法 - Google Patents
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Description
基材の表面に被覆される非晶質硬質炭素膜であって、
表面粗さRa(μm)を膜厚d(μm)で除した面粗さ指数Ra/dが、0.035以下であり、
膜中のグラファイトのC軸が、基材表面に対して平行に配向していることを特徴とする非晶質硬質炭素膜である。
断面において、グラファイト粒を核とする略円錐台状の異常成長粒を有しており、
前記異常成長粒の円錐台の頂角が、5~30°であることを特徴とする請求項1に記載の非晶質硬質炭素膜である。
ナノインデンテーション硬度が、10~35GPaであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の非晶質硬質炭素膜である。
膜厚が、1~50μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の非晶質硬質炭素膜である。
水素含有量が、10原子%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の非晶質硬質炭素膜である。
真空中でカーボンを主成分とする円柱状の陰極の外周面にアークスポットを形成させ、アーク放電を生じさせることにより、前記アークスポットから前記カーボンを昇華させて、磁石および電磁コイルにより形成された磁場により、前記昇華させたカーボンを基材に誘導して、前記基材の表面に請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の非晶質硬質炭素膜を成膜する非晶質硬質炭素膜の成膜方法であって、
前記基材に0~-50Vのバイアス電圧を印加すると共に、
アーク電流を10~200A、炉内圧力を5.0Pa以下に制御して、
前記基材の温度を250~350℃に制御しながら、
前記基材の表面に、前記非晶質硬質炭素膜を成膜することを特徴とする非晶質硬質炭素膜の成膜方法である。
1.非晶質硬質炭素膜
図1は、本実施の形態に係る非晶質硬質炭素膜の模式的断面図である。また、図2は、異常成長粒の円錐台の頂角の測定法を示す模式的斜視図である。なお、図1、図2において、101は基材であり、102は非晶質硬質炭素膜であり、103は成膜中に粉砕粒子として取り込まれたグラファイト粒であり、104はグラファイト粒を核とした異常成長粒である。そして、αは円錐台の断面における頂角を示す。
本実施の形態において、非晶質硬質炭素膜を形成させる基材としては特に限定されず、鉄系の他、非鉄系の金属あるいはセラミックス、硬質複合材料等の基材を使用することができる。例えば、炭素鋼、合金鋼、軸受け鋼、焼入れ鋼、高速度工具鋼、鋳鉄、アルミ合金、Mg合金や超硬合金等を挙げることができるが、非晶質硬質炭素膜の成膜温度を考慮すると、250℃以上の温度で特性が大きく劣化しない基材が好ましい。
非晶質硬質炭素膜の形成に際しては、基材上に予め中間層を設けることが好ましい。これにより、基材と非晶質硬質炭素膜の密着性を向上させることができる。
次に、本実施の形態に係る非晶質硬質炭素膜の成膜方法について、成膜装置、成膜方法の順に説明する。
本実施の形態において、非晶質硬質炭素膜の形成にはアークスポットを円柱状の陰極の外周面に生じさせて成膜を行うアーク式PVD法を用いる。
最初に、本実施の形態のアーク式PVD装置の基本的な構成について説明する。図8および図9は本実施の形態に係る非晶質硬質炭素膜の成膜に用いられるアーク式PVD装置の構成を示す概略断面図であり、図9に円形の開口部42を有する板材41が設けられた空間形成部40が設けられていることを除いては、いずれの装置も基本的に同じ構成となっている。
真空チャンバー1には排気口11が設けられており、排気口11に連結されたターボ分子ポンプやロータリーポンプなどの排気手段(図示省略)によって真空チャンバー1の内部を真空排気することができる。
基材保持手段2は、真空チャンバー1内に収容されており、成膜対象となる基材20を保持する。また、基材保持手段2は真空チャンバー1と絶縁されている。なお、図8においては、1つの基材20を保持する基材保持手段2を示しているが、複数の基材20を保持することができるような基材保持手段を用いることもできる。
陰極保持手段3は、真空チャンバー1内に収容されており、基材保持手段2に保持された基材20と対向するように陰極4を保持できるように構成されている。なお、陰極4はカーボンを主成分とする材料で構成されており、等方性黒鉛を用いることが望ましい。
このアーク式PVD装置10においては、基材保持手段2に基材用の電源6が接続されており、基材保持手段2を介して基材20に負の電圧を印加できるように構成されている。同様に、陰極保持手段3には、アーク電源7が接続されており、陰極保持手段3を介して陰極4に負の電圧を印加できるように構成されている。
本実施の形態のアーク式PVD装置は、上記した従来の基本的な構造の下に、以下の特徴的な構造を備えている。
本実施の形態のアーク式PVD装置においても、放電開始手段としてのトリガー電極8を備えており、負の電圧が印加された陰極4にトリガー電極8の先端を接触させることにより、接触位置にアークスポットを生じさせて、陰極4と陽極である真空チャンバー1との間でアーク放電を発生させる点においては、従来の装置と同様であるが、トリガー電極8が陰極4に接触する位置が、陰極4の先端から陰極4の外周面に変更されている点において従来の装置と異なる。
磁場発生手段31は、円柱状の陰極4の周囲に環状に配置された部材であり、磁力線が陰極4の軸方向に沿った磁場を発生させる。これにより、アークスポットにおいて昇華させたカーボンを基材20に向けて誘導、飛散させて基材20の表面に付着させることができる。なお、この磁場発生手段31は、環状で一体に形成された部材に限定されず、複数の磁石を陰極に対して放射状に配置して環状に形成させた部材であってもよい。
本実施の形態のアーク式PVD装置では、上記したコイルを収納するためのコイル筐体が電位調整筒32として用いられている。このような電位調整筒32を設けた場合、上記したように、アーク放電の最中に、電位調整筒32には幾らか電子が流入する一方で、抵抗が繋がれているため、通常0~10V程度の負の電圧に維持される。そして、このように負の電圧の電位調整筒には、接地G2と比較して電子が流入しにくくなるため、アーク放電時、大部分の電子は電位調整筒32を回避して、接地G2に流れる。
本実施の形態において、アーク式PVD装置には、図9に示すように、陰極保持手段で保持された円柱状の陰極4の真空チャンバー1側の先端部近傍の外周方向に筒状の空間を形成する空間形成部40が設けられていることが好ましい。なお、本実施の形態において、空間形成部40には、空間と真空チャンバー1との境界に配置された円形の開口部42を有する板材41を含む。
本実施の形態に係る非晶質硬質炭素膜をアーク式PVD法により形成する場合、上記したような円柱状の陰極を備えたアーク式PVD装置を用いて、基材表面に非晶質硬質炭素膜の成膜を行う。そして、円柱状の陰極の外周面にアークスポットを形成させ、アーク放電を生じさせることにより、アークスポットからカーボンを昇華させて、磁石および電磁コイルにより形成された磁場により、昇華させたカーボンを基材に誘導して、基材の表面に非晶質硬質炭素膜を形成させる。
本実施の形態に係る非晶質硬質炭素膜は、厚膜化した場合でも表面粗さの増大が抑制されているため、短時間のラップで平滑な膜表面を得ることができる。
次に、本実施の形態に係る非晶質硬質炭素膜の検査方法について説明する。
非晶質硬質炭素膜の膜表面の表面粗さRaは、非晶質硬質炭素膜を所定の膜厚に被覆した後に、炉内より基材を取り出し、摺動面をANSI B46.1(対応国際規格ISO4287)に準ずる方法により測定される。また、面粗さ指数Ra/dは、測定したRaを、膜厚dで除することにより算出される。
FIB(Focused Ion Beam)にて基材に対して垂直な断面を薄膜化した非晶質硬質炭素膜を加速電圧200kV、試料吸収電流10-9A、ビームスポットサイズ200nmφにて断面と垂直方向から制限視野電子線回折を行い、極微小電子線回折図形の画像を取得する。また、スポット近傍の強度間隔Lを測定して、2Lλ=カメラ長の関係から格子間隔λ(nm)を求める。
FIBを用いて薄膜化した非晶質硬質炭素膜を、TEM(透過型電子顕微鏡:Transmission Electron Microscope)により、例えば加速電圧300kVで明視野TEM像を観察する。明視野TEM像では、密度が低くなるほど電子線の透過量が増加するため、組成が同じ物質の場合、密度が低くなるほど像が白くなる。従って、観察条件を適宜設定することにより、密度が異なるグラファイトを核とした略円錐台の異常成長粒を可視化することができる。
ナノインデンテーション硬度は、エリオニクス社製ナノインデンターENT1100aを用いて、荷重300mgf、荷重分割数500ステップ、荷重負荷時間1秒の条件で測定する。測定は、膜表面からナノインデンテーション硬度の測定が可能であるが、別の被覆層などが設けられて最上層でない場合には、膜の断面を鏡面研磨した後に測定を行う。
HFS(Hydrogen Forward Scattering)分析により非晶質硬質炭素膜中の水素含有量を測定する。
上記したように、本発明に係る非晶質硬質炭素膜は、表面粗さRa(μm)を膜厚d(μm)で除した面粗さ指数Ra/dが、0.035以下であり、厚膜化しても表面粗さの増大が抑制されている。
鋼基材を基材支持装置でもある自転治具に配置した後、アーク式PVD装置(日本アイ・ティ・エフ社製アーク式PVD装置M720)の炉内の公転治具にセットし、Arガスを75ccm流した状態で基材温度を熱電対によって制御すると共に、円柱状の焼結グラファイト原料の円柱側面で、アーク放電により、カーボンをイオン化させる真空アーク法を用いて、基材には基材バイアス電圧0~-300V、アーク電流150A、コイル電流60Aの条件で、炉内圧力0.1Paとして、基材を自転(40rpm)および公転(4rpm)させながら、基材の表面に、表1に示す膜厚及び膜硬度及び基材温度及び、面粗さ指数Ra/d及びグラファイト粒の円錐角度及びC軸の向きをそれぞれに変えて、非晶質硬質炭素膜を被覆した。なお、比較例5、6は従来の真空アーク法を用いて成膜した。
非晶質硬質炭素膜について、得られた試験片を、フィルムラッピング(研磨剤:酸化アルミナ、番手:#6000)により、表面粗さRa0.01μm以下まで研磨し、下記試験条件下で往復動試験を実施し、動摩擦係数を測定した。さらに試験後の非晶質硬質炭素膜の摺動痕深さから摩耗量を測定した。
・摺動側試験片:φ31×3mm(平板形状試験片、材質SCM415)
・相手側試験片:φ15×22mm(円筒形状試験片、材質SUJ2)
・試験装置 :往復動試験装置
・周波数 :25Hz
・試験温度 :40℃
・荷重 :300N
・測定時間 :120min後
膜磨き性の評価にあたっては、各例の摺動側試験片を表面粗さRa0.01μm以下まで研磨するのに要した時間で判定を行っており、2min以内であれば優、3min以内であれば良、5min以上であれば可、10min以上であれば不可と判定した。優、良、可であれば実用性能を満足すると判断できる。
耐摩耗性の評価にあたっては、摩耗量が総膜厚の10%以下であれば優、20%以下であれば良、30%以下であれば可、31%以上あるいは総膜厚を超えて下地が露出する摩耗量であれば不可と判定した。優、良、可であれば実用性能を満足すると判断できる。
評価結果をまとめて表1に示す。
2 基材保持手段
3 陰極保持手段
4 陰極
6 基材用の電源
7 アーク電源
8 トリガー電極
9 トリガー電極の抵抗
10 アーク式PVD装置
11 排気口
20、101 基材
31 磁場発生手段
32 電位調整筒
33 抵抗
34 封止板
40 空間形成部
41 板材
42 開口部
102 非晶質硬質炭素膜
103 グラファイト粒
104 異常成長粒
G1、G2 接地
α 頂角
Claims (6)
- 基材の表面に被覆される非晶質硬質炭素膜であって、
表面粗さRa(μm)を膜厚d(μm)で除した面粗さ指数Ra/dが、0.035以下であり、
膜中のグラファイトのC軸が、基材表面に対して平行に配向していることを特徴とする非晶質硬質炭素膜。 - 断面において、グラファイト粒を核とする略円錐台状の異常成長粒を有しており、
前記異常成長粒の円錐台の頂角が、5~30°であることを特徴とする請求項1に記載の非晶質硬質炭素膜。 - ナノインデンテーション硬度が、10~35GPaであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の非晶質硬質炭素膜。
- 膜厚が、1~50μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の非晶質硬質炭素膜。
- 水素含有量が、10原子%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の非晶質硬質炭素膜。
- 真空中でカーボンを主成分とする円柱状の陰極の外周面にアークスポットを形成させ、アーク放電を生じさせることにより、前記アークスポットから前記カーボンを昇華させて、磁石および電磁コイルにより形成された磁場により、前記昇華させたカーボンを基材に誘導して、前記基材の表面に請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の非晶質硬質炭素膜を成膜する非晶質硬質炭素膜の成膜方法であって、
前記基材に0~-50Vのバイアス電圧を印加すると共に、
アーク電流を10~200A、炉内圧力を5.0Pa以下に制御して、
前記基材の温度を250~350℃に制御しながら、
前記基材の表面に、前記非晶質硬質炭素膜を成膜することを特徴とする非晶質硬質炭素膜の成膜方法。
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