JP7207298B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
磁気記録媒体の構成
磁気記録媒体の製造方法
効果
変形例
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、図1に示すように、長尺状の基体11と、基体11の一方の主面上に設けられた下地層(非磁性層)12と、下地層12上に設けられた記録層(磁性層)13とを備える。磁気記録媒体が、必要に応じて、記録層13上に設けられた保護層(図示せず)および潤滑剤層(図示せず)などをさらに備えるようにしてもよい。また、必要に応じて、基体11の他方の主面上に設けられたバックコート層14をさらに備えるようにしてもよい。磁気記録媒体は長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。
50℃にて磁気記録媒体の厚み方向(垂直方向)に測定した保磁力Hc(50)と25℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Hc(25)との比率R(=(Hc(50)/Hc(25))×100)が、95%以上、好ましくは96%以上、より好ましくは97%以上、更により好ましくは98%以上である。上記比率Rが95%未満であると、保磁力Hcの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるSNRの劣化を抑制することが困難となる虞がある。
磁気記録媒体の走行方向(長手方向)に測定した角形比S1が、好ましくは30%以下、より好ましくは25%以下、更により好ましくは20%以下である。角形比S1が30%を超えると、記録層13の垂直配向性が低くなり、上記比率Rが95%未満となる虞がある。したがって、保磁力Hcの温度依存性が大きくなり、高温環境下におけるSNRの劣化を抑制することが困難となる虞がある。
角形比S1(%)=(Mr/Ms)×100
活性化体積Vactが、好ましくは5000nm3以下、より好ましくは4000nm3以下、更により好ましくは3000nm3以下である。活性化体積Vactが5000nm3以下であると、ビット反転領域を急峻にすることができ、良好なSNRを得ることができる。
Vact(nm3)=kB×T×Χirr/(μ0×Ms×S)
(但し、kB:ボルツマン定数(1.38×10-23J/K)、T:温度(K)、Χirr:非可逆磁化率、μ0:真空の透磁率、S:磁気粘性係数、Ms:飽和磁化(emu/cm3))
非可逆磁化率Χirrは、残留磁化曲線(DCD曲線)の傾きにおいて、残留保磁力Hr付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体全体に-1193kA/m(15kOe)の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約15.9kA/m(200Oe)の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに15.9kA/m大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしDCD曲線を測定する。得られたDCD曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Hrとし、さらにDCD曲線を微分し、各磁界におけるDCD曲線の傾きを求める。このDCD曲線の傾きにおいて、残留保磁力Hr付近の傾きがΧirrとなる。
まず、磁気記録媒体の厚み方向に磁気記録媒体(測定サンプル)全体のM-Hループを測定する。次に、アセトンおよびエタノールなどを用いて塗膜(下地層12、記録層13など)を払拭し、基体11のみを残して、バックグラウンド補正用として、基体11のM-Hループを同様に厚み方向に測定する。その後、磁気記録媒体全体のM-Hループから基体11のM-Hループを引き算して、バックグラウンド補正後のM-Hループを得る。得られたM-Hループの飽和磁化Ms(emu)の値と、測定サンプル中の記録層13の体積(cm3)から、Ms(emu/cm3)を算出する。なお、記録層13の体積は測定サンプルの面積に記録層13の平均厚みを乗ずることにより求められる。記録層13の体積の算出に必要な記録層13の平均厚みの算出方法については後述する。
まず、磁気記録媒体(測定サンプル)全体に-1193kA/m(15kOe)の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、DCD曲線より得られた残留保磁力Hrの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で1000秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間tと磁化量M(t)の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Sを算出する。
M(t)=M0+S×ln(t)
(但し、M(t):時間tの磁化量、M0:初期の磁化量、S:磁気粘性係数、ln(t):時間の自然対数)
支持体となる基体11は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚みは、例えば3μm以上8μm以下である。基体11の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロースブチレートなどのセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金などの軽金属、アルミナガラスなどのセラミックなどを用いることができる。
記録層13は、いわゆる垂直記録層であり、例えば、磁性粉、結着剤および導電性粒子を含んでいる。記録層13が、必要に応じて、潤滑剤、研磨剤、防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。
磁性粉は、ε酸化鉄を含むナノ粒子(以下「ε酸化鉄粒子」という。)の粉末を含んでいる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保持力を得ることができる。ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なSNRを得ることができる。
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂などに架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
記録層13は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム(α、βまたはγアルミナ)、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン(ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン)などをさらに含有していてもよい。
下地層12は、非磁性粉および結着剤を主成分として含む非磁性層である。下地層12が、必要に応じて、導電性粒子、潤滑剤、硬化剤および防錆剤などのうちの少なくとも1種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
下地層12の平均厚みは、好ましくは0.6μm以上2.0μm以下、より好ましくは0.8μm以上1.4μm以下である。なお、上記の下地層12の平均厚みの算出方法は、記録層13の平均厚みの算出方法と同様である。
非磁性粉は、無機物質でも有機物質でもよい。また、非磁性粉は、カーボンブラックなどでもよい。無機物質としては、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物などが挙げられる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状などの各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
結着剤は、上述の記録層13と同様である。
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体の製造方法の一例について説明する。まず、非磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤などを溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体は、ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層13を備える。また、50℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Hc(50)と25℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Hc(25)との比率((Hc(50)/Hc(25))×100)が95%以上であり、保磁力Hc(25)が200kA/m以上であり、磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比S1が30%以下である。これにより、保磁力Hcの温度依存性を低減し、高温環境下におけるSNRの劣化を抑制できる。
(変形例1)
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子が2層構造のシェル部22を有している場合について説明したが、図3に示すように、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部23を有していてもよい。この場合、シェル部23は、第1シェル部22aと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述した一実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子が2層構造のシェル部22を有していることが好ましい。
磁気記録媒体が、図4に示すように、基体11の両主面のうち、バックコート層14側となる他方の主面(以下「裏面」という。)に設けられた強化層15をさらに備えていてもよい。この場合、強化層15上にバックコート層14が設けられる。
磁気記録媒体が、図5に示すように、強化層15上に設けられたカッピング抑制層16をさらに備えていてもよい。なお、下地層12およびカッピング抑制層16が基体11の裏面側に設けられた場合、バックコート層14はカッピング抑制層16上に設けられる。一方、下地層12およびカッピング抑制層16が基体11の表面側に設けられた場合、下地層12はカッピング抑制層16上に設けられる。
磁気記録媒体は、図6に示すように、基体11の表面上に設けられた第1強化層17と、基体11の裏面上に設けられた第2強化層18と、第2強化層18上に設けられた凝着抑制層19とをさらに備えていてもよい。この場合、バックコート層14は、凝着抑制層19上に設けられる。基体11、第1強化層17、第2強化層18および凝着抑制層19により積層体10が構成される。
磁気記録媒体が、リング型ヘッド以外の記録ヘッド(例えばSingle Pole Type(SPT)の記録ヘッドなど)を備える記録再生装置を用いて、75nm以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてもよい。
粒子A1~A5の粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子(ε-Fe2O3結晶粒子)の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対して還元処理および徐酸化処理を施すことにより、2層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。
まず、ε酸化鉄ナノ粒子の粉末を石英ボートに載せ、管状炉へ投入した。投入後、管状炉を一度N2雰囲気に置換した後、所定の温度まで昇温させた。昇温後、100%H2を流量100ml/minでフローさせながら、350℃で加熱処理を行った。これにより、ε酸化鉄ナノ粒子の表面が還元されα-Feに変態し、ε酸化鉄ナノ粒子の表面にα-Fe層が形成された。この際、350℃での加熱処理(還元処理)の時間を、表1に示すように0.04h~0.45hの範囲で調整することにより、α-Fe層の厚みを0.3nm~3.5nmの範囲で変化させた。その後、再びN2雰囲気に置換して、室温まで冷却した。これにより、α-Fe層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末が得られた。
続いて、所定の温度まで加熱し、微量酸素を含むN2ガスを流量100ml/minでフローさせながら、300℃で5分間加熱処理を行った。これにより、α-Fe層の表面が酸化され、α-Fe層の表面にα-Fe2O3層が形成された。その後、再びN2雰囲気に置換して、室温まで冷却した。以上により、α-Fe2O3層(酸化被膜)およびα-Fe層(軟磁性層)を表面に有する、平均粒子サイズ20nmのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末(粒子A1~A5の粉末)が得られた。
粒子Bの粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子(ε-Fe2O3結晶粒子)の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対して還元処理およびスパッタリング処理を施すことにより、2層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。
まず、粒子A2の粉末と同様の還元処理を行うことにより、厚み2nmのα-Fe層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。
続いて、還元処理後の粒子が大気中に暴露されないように、スパッタリング処理を行うチャンバー内に搬送した。そして、粒子を振動させながら、Al2O3ターゲットを用いたスパッタリング処理を施すことにより、Al2O3層(酸化被膜)およびα-Fe層(軟磁性層)を表面に有する、平均粒子サイズ20nmのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末(粒子Bの粉末)を得た。
粒子Cの粉末を次のようにして作製した。まず、ほぼ球形を有するε酸化鉄ナノ粒子(ε-Fe2O3結晶粒子)の粉末を準備した。次に、以下のようにしてε酸化鉄ナノ粒子の粉末に対してスパッタリング処理を施すことにより、2層構造のシェル部を有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。
まず、ε酸化鉄ナノ粒子をスパッタリング処理を行うチャンバー内に搬送した。そして、粒子を振動させながら、Ni-Feターゲットを用いたスパッタリング処理を施すことにより、Ni-Fe合金層を表面に有するコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末を得た。
次に、粒子Bの粉末と同様のスパッタリング処理を行うことにより、Al2O3層(酸化被膜)およびNi-Fe合金層(軟磁性層)を表面に有する、平均粒子サイズ20nmのコアシェル型のε酸化鉄ナノ粒子の粉末(粒子Cの粉末)を得た。
ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ20nmのε酸化鉄ナノ粒子(ε-Fe2O3結晶粒子)の粉末を準備し、還元処理および徐酸化処理を施さずにそのままの状態で粒子Dの粉末とした。
粒子Eの粉末として、Alが添加された、ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ17nmのε酸化鉄ナノ粒子の粉末を準備した。
粒子Fの粉末として、Gaが添加された、ほぼ球形を有する、平均粒子サイズ17nmのε酸化鉄ナノ粒子の粉末を準備した。
(記録層形成用塗料の調製工程)
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第1組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第1組成物と、下記配合の第2組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。
粒子A1~A5の粉末(表1、2参照):100質量部
塩化ビニル系樹脂(シクロヘキサノン溶液30質量%):10質量部
(重合度300、Mn=10000、極性基としてOSO3K=0.07mmol/g、2級OH=0.3mmol/gを含有する。)
酸化アルミニウム粉末:5質量部
(α-Al2O3、平均粒径0.2μm)
カーボンブラック:2質量部
(東海カーボン社製、商品名:シーストTA)
塩化ビニル系樹脂:1.1質量部
(樹脂溶液:樹脂分30質量%、シクロヘキサノン70質量%)
n-ブチルステアレート:2質量部
メチルエチルケトン:121.3質量部
トルエン:121.3質量部
シクロヘキサノン:60.7質量部
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第3組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第3組成物と、下記配合の第4組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
針状酸化鉄粉末:100質量部
(α-Fe2O3、平均長軸長0.15μm)
塩化ビニル系樹脂:55.6質量部
(樹脂溶液:樹脂分30質量%、シクロヘキサノン70質量%)
カーボンブラック:10質量部
(平均粒径20nm)
ポリウレタン系樹脂UR8200(東洋紡績製):18.5質量部
n-ブチルステアレート:2質量部
メチルエチルケトン:108.2質量部
トルエン:108.2質量部
シクロヘキサノン:18.5質量部
バックコート層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バックコート層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック(旭社製、商品名:#80):100質量部
ポリエステルポリウレタン:100質量部
(日本ポリウレタン社製、商品名:N-2304)
メチルエチルケトン:500質量部
トルエン:400質量部
シクロヘキサノン:100質量部
上述のようにして作製した塗料を用いて、非磁性支持体である厚み6.2μmのポリエチレンナフタレートフィルム(PENフィルム)上に平均厚み1.2μmの下地層、および平均厚み75nmの記録層を以下のようにして形成した。まず、PENフィルム上に、下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、PENフィルム上に下地層を形成した。次に、下地層上に、記録層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をPENフィルムの厚み方向に磁場配向させた。続いて、下地層、および記録層が形成されたPENフィルムに対してカレンダー処理を行い、記録層表面を平滑化した。その後、記録層とは反対側の面に、バックコート層形成用塗料を膜厚0.6μmに塗布し乾燥することにより、バックコート層を形成した。
上述のようにして下地層、記録層およびバックコート層が形成されたPENフィルムを1/2インチ(12.65mm)幅に裁断した。これにより、表2に示す保磁力Hc(25)、Hc(50)、角形比S1、S2および活性化体積Vactを有する磁気テープを得た。
上記の記録層の成膜工程において、ソレノイドコイルにより、磁性粉をPENフィルムの長手方向(磁気テープの走行方向)に磁場配向させたのちに、磁性粉をPENフィルムの厚み方向(垂直方向)に磁場配向させた。また、記録層の成膜工程において、磁場配向の際の磁場の強度、および乾燥風の風量を調整することにより、角形比S1、S2を表2に示す値に設定した。上記以外のことは実施例2と同様にして磁気テープを得た。
上記の記録層の成膜工程において、ソレノイドコイルにより、磁性粉をPENフィルムの幅方向に磁場配向させたのちに、磁性粉をPENフィルムの厚み方向(垂直方向)に磁場配向させた。また、記録層の成膜工程において、磁場配向の際の磁場の強度、および乾燥風の風量を調整することにより、角形比S1、S2を表2に示す値に設定した。上記以外のことは実施例2と同様にして磁気テープを得た。
表2に示すように、粒子A1の粉末に代えて、粒子B、C、D、E、Fの粉末を用いたこと以外は実施例1と同様にして磁気テープを得た。
表2に示すように、粒子A1の粉末に代えて、六角板状を有するバリウムフェライト(BaFe)粒子の粉末を用いたこと以外は実施例1と同様にして磁気テープを得た。
表2に示すように、粒子A1の粉末に代えて、針状を有するFe-Co合金系のメタル粒子の粉末を用いたこと以外は実施例1と同様にして磁気テープを得た。
上述のようにして得られた実施例1~12、比較例1~8の磁気テープに以下の評価を行った。
記録/再生ヘッドおよび記録/再生アンプを取り付けた1/2インチテープ走行装置(Mountain Engineering II社製MTS Transport)を用いて、25℃環境における磁気テープのSNR(電磁変換特性)を測定した。記録ヘッドにはギャップ長0.2μmのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離0.1μmのGMRヘッドを用いた。相対速度は6m/s、記録クロック周波数は160MHzとした。また、SNRは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、実施例4のSNRを0dBとする相対値で表2に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
まず、記録/再生ヘッドおよび記録/再生アンプを取り付けた1/2インチテープ走行装置(Mountain Engineering II社製MTS Transport)を用いて、25℃、50℃環境におけるSNRを測定した。なお、測定条件およびSNRの算出方法は、上記の“25℃環境におけるSNR”の測定方法と同様とした。次に、下記の式にてSNR劣化量を算出した。その結果を表2に示した。
(SNR劣化量)[dB]=(環境温度50℃にて測定されたSNR)-(環境温度25℃にて測定されたSNR)
Hc(50):環境温度50℃にて磁気テープの厚み方向(垂直方向)に測定された保磁力
S1:環境温度25℃にて磁気テープの長手方向に測定された角形比
S2:環境温度25℃にて磁気テープの幅方向に測定された角形比
Vact:磁性粉の活性化体積
実施例1~12では、(a)記録層がε酸化鉄粒子の粉末を含み、(b)保磁力Hc(50)と保磁力Hc(25)との比率R(=Hc(50)/Hc(25)×100)が95%以上であり、(c)保磁力Hc(25)が200kA/m以上であり、(d)磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比S1が30%以下であるため、温度変化に対するSNRの劣化量を抑制できる。
実施例1~8、11、12では、(a)記録層がε酸化鉄粒子の粉末を含み、(b)保磁力Hc(50)と保磁力Hc(25)との比率Rが95%以上であり、(c)保磁力Hc(25)が200kA/m以上340kA/m以下であり、(d)磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比S1が30%以下であり、(e)活性化体積Vactが5000nm3以下であるため、温度変化に対するSNRの劣化量を抑制でき、かつ、環境温度25℃において良好なSNRを得ることができる。
比較例2では、長手方向、幅方向の角形比S1、S2がいずれも30%を超えるため、垂直配向性が低く、保磁力Hc(50)と保磁力Hc(25)との比率Rが95%未満であり、温度変化に対するSNRの劣化量が大きくなる。
比較例3では、幅方向の角形比S2が30%を大きく超えるため、垂直配向性が低く、保磁力Hc(50)と保磁力Hc(25)との比率Rが95%未満であり、温度変化に対するSNRの劣化量が大きくなる。また、環境温度25℃におけるSNRが悪化する。
比較例4では、シェル層を形成していないため、保磁力Hc(25)が高すぎ、信号の記録が困難である。
比較例5、6では、磁性粉としてバリウムフェライト(BaFe)粒子の粉末、Fe-Co合金系のメタル粒子の粉末を用いているため、保磁力Hc(25)が200kA/m未満である。したがって、保磁力Hcの温度依存性が大きく、保磁力Hc(50)と保磁力Hc(25)との比率Rが95%未満となり、温度変化に対するSNRの劣化量が大きくなる。また、比較例6では、粒子が針状を有するため、長手方向、幅方向の角形比S1、S2がいずれも30%を大きく超える。したがって、垂直配向性が非常に低く、環境温度25℃におけるSNRが大きく悪化する。
比較例7、8では、Al、Gaを添加して保磁力Hcを調整しているが、保磁力Hcの温度依存性が大きく、保磁力Hc(50)と保磁力Hc(25)との比率Rが95%未満であり、温度変化に対するSNRの劣化量が大きくなる。
(1)
ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
50℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Hc(50)と25℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Hc(25)との比率((Hc(50)/Hc(25))×100)が、95%以上であり、
前記保磁力Hc(25)が、200kA/m以上であり、
磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比が、30%以下である磁気記録媒体。
(2)
前記保磁力Hc(25)が、200kA/m以上340kA/m以下である(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)
前記粒子は、コアシェル構造を有している(1)または(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)
前記粒子は、
ε酸化鉄を含むコア部と、
軟磁性体を含むシェル部と
を備える(1)から(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(5)
前記シェル部は、
前記コア部上に設けられた第1シェル部と、
前記第1シェル部上に設けられた第2シェル部と
を備え、
前記第1シェル部は、α-Fe、NiFe合金またはFeSiAl合金を含み、
前記第2シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む(4)に記載の磁気記録媒体。
(6)
活性化体積が、5000nm3以下である(1)から(5)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(7)
磁気記録媒体の幅方向に測定した角形比が、30%以下である(1)から(6)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(8)
ライブラリ装置に用いられる(1)から(7)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(9)
最短記録波長が75nm以下である記録再生装置に用いられる(1)から(8)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(10)
前記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える(9)に記載の磁気記録媒体。
12 下地層
13 記録層
14 バックコート層
15 強化層
16 カッピング抑制層
17 第1強化層
18 第2強化層
19 凝着抑制層
21 コア部
22、23 シェル部
22a 第1シェル部
22b 第2シェル部
Claims (10)
- ε酸化鉄を含む粒子の粉末を含む記録層を備え、
前記粒子は、コアシェル構造を有し、
50℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Hc(50)と25℃にて磁気記録媒体の厚み方向に測定した保磁力Hc(25)との比率((Hc(50)/Hc(25))×100)が、95%以上であり、
前記保磁力Hc(25)が、200kA/m以上であり、
磁気記録媒体の走行方向に測定した角形比が、30%以下である磁気記録媒体。 - 前記保磁力Hc(25)が、200kA/m以上340kA/m以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記保磁力Hc(25)が、200kA/m以上300kA/m以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記粒子は、
ε酸化鉄を含むコア部と、
軟磁性体を含むシェル部と
を備える請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 前記シェル部は、
前記コア部上に設けられた第1シェル部と、
前記第1シェル部上に設けられた第2シェル部と
を備え、
前記第1シェル部は、α-Fe、NiFe合金またはFeSiAl合金を含み、
前記第2シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む請求項4に記載の磁気記録媒体。 - 活性化体積が、5000nm3以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 磁気記録媒体の幅方向に測定した角形比が、30%以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- ライブラリ装置に用いられる請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 最短記録波長が75nm以下である記録再生装置に用いられる請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える請求項9に記載の磁気記録媒体。
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