JP7202037B1 - レジスト用樹脂組成物、レジスト膜の製造方法、及びパターン化されたレジスト膜 - Google Patents

Abstract

【課題】塗膜が耐熱性及び柔軟性を有しながら、塗膜において、光が照射された部分の現像性、及び光が照射されていない部分の耐現像液性を向上できるレジスト用樹脂組成物を提供する。【解決手段】レジスト用樹脂組成物は、ノボラック樹脂（Ａ）と、アクリル樹脂（Ｂ）と、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）と、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）とを含有する。ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、１４０℃以上である。アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度は、４０℃以下である。【選択図】図１

Description

本開示は、レジスト用樹脂組成物、レジスト膜の製造方法、及びパターン化されたレジスト膜に関する。詳しくは、本開示は、ポジ型のレジスト用樹脂組成物、パターン化されたレジスト膜の製造方法、及びパターン化されたレジスト膜に関する。

半導体集積回路、液晶表示素子、回路形成用基板のパターニング等に利用される画像形成方法として、回路パターンを保護するレジスト（以下、「レジストパターン」という）をマスクとして用いて金属層のエッチングを行ったり、レジストパターンをメッキ用の鋳型として用いてめっきを行ったりする方法が知られている。

レジスト及びレジストパターンを形成するための樹脂組成物には、ネガ型とポジ型とがある。ネガ型のレジスト用の樹脂組成物では、樹脂組成物から塗膜を作製し、塗膜を露光し、現像することで塗膜における未露光部が除去され、露光部が硬化し残存することでレジスト膜（レジスト層）として機能する。一方、ポジ型のレジスト用の樹脂組成物では、樹脂組成物から塗膜を作製し、塗膜を露光し、現像することで塗膜における露光部が除去され、未露光部が残存することでレジスト膜（レジスト層）として機能する。

例えば、特許文献１には、（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）繰り返し単位当たり５～４０重量％のカルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有するラジカル重合性単位を含むアルカリ可溶性アクリル樹脂、及び（Ｃ）キノンジアジド基含有化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物が開示され、（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂は、ノボラック樹脂１００重量部に対して５～５０ｗｔ％を含有させることが開示されている（特許文献１の段落０００７）。

また、例えば特許文献２には、（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂、及び（Ｃ）感光剤を含有するポジ型レジスト組成物が開示され、（Ｂ）アルカリ可溶性アクリル樹脂を可塑剤として用いること、（Ｃ）感光剤は、キノンジアジド基含有化合物が好ましいこと、ガラス転移温度（Ｔｇ）は－２０℃以下が好ましいことが開示されている（特許文献２の段落０００８、００３７、００４０）。

特開２００４－２１９５３６号公報 特開２０１０－０１５０７９号公報

ポジ型の感光性樹脂組成物には、例えば、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）やＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）技術等、柔軟性を有するテープ基材上において、レジスト膜にクラックが入らないことが要求される。加えて、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の製造においては、ポジ型の感光性樹脂組成物を露光、現像処理後に基板にレジスト膜を作製した面とは反対側の裏面デバイスホール部に裏止め剤をコーティングし、加熱する場合がある。この場合、レジストパターンが変形したり、レジストパターンのエッジ部分において丸みが生じたりすることがあるため、レジストパターン形状を維持するためには塗膜に高い耐熱性が求められる。

また、発明者らは、アルカリ可溶性ノボラック樹脂と、アルカリ可溶性のアクリル樹脂と、を配合した感光性樹脂組成物から塗膜を形成し、この塗膜をポジ型のレジスト膜として利用する研究を重ねてきた。発明者らが研究開発を通じて独自に得た知見によると、上記の感光性樹脂組成物から作製した塗膜をパターン形成用のマスクを介して露光し、アルカリ溶液で現像すると、露光した部分（露光部分）の一部が残留したり、露光していない部分（未露光部分）の塗膜が薄くなる膜減りが生じうることがわかった。

本開示の目的は、塗膜が耐熱性及び柔軟性を有しながら、塗膜において、光が照射された部分の現像性、及び光が照射されていない部分の耐現像液性を向上できるレジスト用樹脂組成物、レジスト膜の製造方法、及びパターン化されたレジスト膜を提供することにある。

本開示の一態様に係るレジスト用樹脂組成物は、ノボラック樹脂（Ａ）と、アクリル樹脂（Ｂ）と、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）と、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）とを含有する。前記ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、１４０℃以上である。前記アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度は、４０℃以下である。

本開示の一態様に係るレジスト膜の製造方法は、基材に、前記レジスト用樹脂組成物を塗布して樹脂層を作製する塗布工程と、前記樹脂層を部分的に露光する露光工程と、前記露光された部分を除去する現像工程と、を含む。

本開示の一態様に係るパターン化されたレジスト膜は、前記レジスト用樹脂組成物を含有する。

本開示の一態様によれば、塗膜が優れた耐熱性及び柔軟性を有しながら、塗膜において光が照射された部分の現像性、及び光が照射されていない部分の耐現像液性を向上できる。

図１は、本開示の一形態に係るレジスト用樹脂組成物から、基材上に塗膜を形成した状態の例を示す概略の断面図である。 図２Ａは、本開示の一形態に係るレジスト用樹脂組成物から作製した塗膜を用いた回路形成用基板における樹脂層を露光する工程の例を示す概略の断面図である。図２Ｂは、上記の回路形成用基板において露光した後の状態の例を示す概略の断面図である。図２Ｃは、上記の回路形成用基板において現像する工程の例を示す概略の断面図である。図２Ｄは、上記の回路形成用基板においてエッチングする工程の例を示す断面図である。 図３Ａは、本開示の他の一形態に係るレジスト用樹脂組成物から作製した塗膜を用いた回路形成用基板の他の例を示す概略の断面図である。図３Ｂは、図３Ａの回路形成用基板において保護膜を形成した回路形成用基板の概略の断面図である。図３Ｃは、図３Ｂの回路形成用基板をエッチングする工程の例を示す概略の断面図である。

以下、本開示の一実施形態について説明する。なお、以下の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。以下の実施形態は、本開示の目的を達成できれば設計に応じて種々の変更が可能である。

１．概要
本実施形態に係るレジスト用樹脂組成物は、ノボラック樹脂（Ａ）と、アクリル樹脂（Ｂ）と、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）と、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）と、を含有する。ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、１４０℃以上である。アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０℃以下である。

従来のアルカリ可溶性ノボラック樹脂及びアルカリ可溶性のアクリル樹脂を含有するポジ型のレジスト用樹脂組成物は、この樹脂組成物から塗膜を作製し、露光後のアルカリ性水溶液で現像すると露光部には現像残渣が生じ、現像性が低下すること、未露光部の塗膜がアルカリ性水溶液により溶解し耐現像液性が低下すること、ポジ型のレジストは耐熱性が低く、現像後に加熱加工するにあたり、レジストパターンが熱で変形する不良が生じるなどといった問題があった。また、基材上に作製した塗膜において、ロール ｔｏ ロール装置等で製造等するにあたり、塗膜の柔軟性が低いために塗膜に欠けやクラック等を生じるといった問題もあった。

これに対し、本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、上記構成を備えるため、塗膜の露光部の現像性、及び未露光部の耐現像液性に優れ、かつ塗膜が高い耐熱性及び柔軟性を有しうる。本実施形態のレジスト用樹脂組成物が上記の特性を有する理由は、正確には明らかとされていないが、以下の理由によると推察される。なお、本開示において、「露光部」とは、塗膜をマスク等を介して選択的に光が照射され露光された部分をいい、「未露光部」とは、塗膜において光が照射されず露光されなかった部分をいう。露光部は、現像処理により溶解しうる部分でもある。

ノボラック樹脂（Ａ）は、未露光部における耐現像液性を向上させうる。一方、アクリル樹脂（Ｂ）は、露光部における現像性を向上させうる。しかし、ノボラック樹脂（Ａ）とアクリル樹脂（Ｂ）とを含有するレジスト用樹脂組成物において、ノボラック樹脂（Ａ）とアクリル樹脂（Ｂ）との分子構造や、その剛直性、極性等の違いにより、相溶性や溶解性に差異が生じることで、レジスト用樹脂組成物から作製した塗膜を露光してから、現像するにあたり、露光部の塗膜が残存することがある。このため、未露光部における耐現像液性と露光部における現像性との向上の両立は難しいことがある。これに対し、本実施形態では、レジスト用樹脂組成物がポリヒドロキシスチレン（Ｄ）を含有することで、ノボラック樹脂（Ａ）とアクリル樹脂（Ｂ）との相溶性を高めうる。これにより、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜を露光し、現像した場合の露光部の残渣を生じにくくしうる。

また、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）は、レジスト用樹脂組成物の塗膜において露光部のアルカリ可溶性を高めることができる。このため、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）は、露光時の露光部の感光性を高め、かつ現像時の露光部の現像性の向上に寄与しうる。

さらに、本実施形態では、ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点が１４０℃以上であることで、塗膜における未露光部の耐熱性を高めうる。また、アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）が４０℃以下であることで塗膜における露光部及び未露光部の柔軟性を高めうる。

本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、上記のとおり、特にポジ型のレジスト膜を作製するために好適に用いることができる。すなわち、本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、パターン化されたレジスト膜を作製できる。本開示において、「パターン化された」とは、露光後に現像されることで所定のレジストパターンが形成されていることをいう。なお、本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、前記用途に限らず、適宜の感光性の材料、例えばエッチングレジスト、めっきレジスト等として利用可能である。詳細は後述する。

２．詳細
レジスト用樹脂組成物に含まれうる成分ついて、更に詳しく説明する。
［レジスト用樹脂組成物］
レジスト用樹脂組成物は、ノボラック樹脂（Ａ）と、アクリル樹脂（Ｂ）と、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）と、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）と、を含有する。

本実施形態のノボラック樹脂（Ａ）は、分子内に１つ以上の水酸基を有しており、アルカリ可溶性を有する。すなわち、ノボラック樹脂（Ａ）は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂である。なお、本開示において、「アルカリ可溶性」とは、アルカリ性の水溶液に溶解することをいう。また、アルカリ可溶性であることは、濃度約３％、５０℃の水酸化ナトリウム水溶液に厚み１μｍの乾燥塗膜を浸漬し、揺動した後、目視で乾燥塗膜が残存していないことを観察することにより確認することができる。

ノボラック樹脂（Ａ）は、フェノール類と、縮合剤とを酸性触媒の存在下で反応させることで得られる。例えば、フェノール類１モルに対して、縮合剤０．５モル以上１．０モル以下の範囲内で反応させることが好ましい。

フェノール類は、例えばフェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール等のクレゾール類；２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール等のキシレノール類；ｏ－エチルフェノール、ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール等のエチルフェノール類、２－イソプロピルフェノール、３－イソプロピルフェノール、４－イソプロピルフェノール、ｏ－ブチルフェノール、ｍ－ブチルフェノール、ｐ－ブチルフェノール、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール等のアルキルフェノール類；２，３，５－トリメチルフェノール、３，４，５－トリメチルフェノール等のトリアルキルフェノール類；レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール等の多価フェノール類；アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルキルハイドロキノン等のアルキル多価フェノール類（前記いずれのアルキル基も炭素数１～４である）、α－ナフトール、β－ナフトール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む。

なかでも、フェノール類は、ｍ－クレゾールとｐ－クレゾールとのうち少なくとも一方であることが好ましく、ｍ－クレゾールとｐ－クレゾールとの両方を含むことがより好ましい。すなわち、ノボラック樹脂（Ａ）は、ｍ－クレゾール骨格と、ｐ－クレゾール骨格とのうち少なくとも一方を有することが好ましく、ｍ－クレゾール骨格と、ｐ－クレゾール骨格との両方を有することがより好ましい。フェノール類がｍ－クレゾールとｐ－クレゾールとの両方を含む場合、ｍ－クレゾールとｐ－クレゾールとの質量比は、３：７～８：２の範囲内であることが好ましい。ｍ－クレゾールの比率が３以上であれば、レジスト用樹脂組成物の（露光部分の）現像性を高く維持することができる。また、ｍ－クレゾールの比率が８以下であれば、レジスト用樹脂組成物の耐熱性を良好に維持することができる。

縮合剤は、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、アセトアルデヒド等のアルデヒド類を含む。縮合剤は、前記アルデヒド類からなる群から選択される少なくとも一種の化合物であってよい。

酸性触媒は、適宜の酸性条件としうる触媒であってよく、例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、亜リン酸等の無機酸類、蟻酸；シュウ酸、酢酸、ジエチル硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸等の有機酸類；酢酸亜鉛等の金属塩類等からなる群から選択される少なくとも一種の酸を含む。

本実施形態のノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、１４０℃以上である。このため、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜に優れた耐熱性が付与されうる。さらに、ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点が１４０℃以上であると、熱にさらされた際にレジストパターンが変形したり、レジストパターンのエッジ部分に丸みが生じるのを防ぎ、レジストパターン形状を保持することができる。ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、1４５℃以上であればより好ましく、１５０℃以上であれば更に好ましい。ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点の上限は特に限定されないが、例えば２００℃以下である。なお、ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、上記で説明したフェノール類、縮合剤、酸性触媒、及び必要により適宜の添加剤の各成分、組成割合、反応条件を適宜調整することにより調整可能であり、環球法（ＪＩＳ－Ｋ ７２３４）により測定可能である。

ノボラック樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、２０，０００以上５０，０００以下であることが好ましい。ノボラック樹脂（Ａ）の重量平均分子量が２０，０００以上であると、レジスト組成物から作製された塗膜がより高い耐現像液性を維持しうる。ノボラック樹脂（Ａ）の重量平均分子量が５０，０００以下であると、露光部の高い現像性を維持しうる。ノボラック樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、ＧＰＣ測定装置により適宜の条件で測定可能である。

レジスト用樹脂組成物の固形分全量に対するノボラック樹脂（Ａ）の質量割合は、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましい。この場合、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜のより高い耐熱性を維持することができ、塗膜における未露光部の耐現像液性をより向上しうる。レジスト用樹脂組成物の固形分全量に対するノボラック樹脂（Ａ）の質量割合は、５０質量％以上８０質量％以下であればより好ましく、６０質量％以上７５質量％以下であれば更に好ましい。なお、ここでいう固形分量とは、レジスト用樹脂組成物から塗膜を作製する過程で揮発する溶剤などの成分を除いた、全成分の合計量のことである。

本実施形態のアクリル樹脂（Ｂ）は、アルカリ可溶性を有する。すなわち、アクリル樹脂（Ｂ）は、アルカリ可溶性アクリル樹脂である。

アクリル樹脂（Ｂ）は、ラジカル重合性化合物（ｂ１）の重合体（以下、「重合体（Ｂ１）」ということもある。）を含むことが好ましい。この場合、アルカリ水溶液に対する溶解性を更に向上させうる。これにより、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜により高い現像性を付与しうる。さらに、この場合、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜は、より高い柔軟性を有しうる。

ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、適宜のラジカル反応性を有する化合物であってよく、例えばラジカル重合性化合物（ｂ１）は、分子内に少なくとも１つのエチレン性不飽和結合を有する化合物である。具体的には、ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、例えばアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などのジカルボン酸、２－メタクリロイルオキシエチルコハク酸、２－メタクリロイルオキシエチルマレイン酸、２－メタクリロイルオキシエチルフタル酸、２－メタクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタル酸などのカルボキシル基およびエステル結合を有するメタクリル酸誘導体等のラジカル重合性化合物；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アルキルエステル類；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル類；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アリールエステル類；マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどのジカルボン酸ジエステル類；酢酸ビニルなどのビニル基含有脂肪族化合物；ブタジエン、イソプレンなどの共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物；塩化ビニル、塩化ビニリデンなどの塩素含有重合性化合物；アクリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド結合含有重合性化合物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含みうる。

ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、炭素数６以上１８以下の長鎖アルキル基を有することが好ましい。長鎖アルキル基には、直鎖若しくは分岐鎖アルキル基を含む。この場合、アクリル樹脂（Ｂ）の疎水性をより向上させうる。これにより、レジスト用樹脂組成物が感光された場合の未露光部分の耐現像液性をより高めることができる。また、この場合、アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）を低めうる。このため、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の柔軟性を高めやすい。これにより、レジスト用樹脂組成物をフレキシブル基板におけるレジスト膜として形成した回路形成用基板をロール加工しても、塗膜に欠けやクラック等をより生じにくくすることができる。

炭素数６以上１８以下の長鎖アルキル基を有するラジカル重合性化合物（ｂ１１）は、例えば、アクリル酸オクチル、メタクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、メタクリル酸ノニル、アクリル酸デシル、メタクリル酸デシル、アクリル酸ラウリル、メタクリル酸ラウリル、アクリル酸トリデシル、メタクリル酸トリデシル、アクリル酸オクタデシル、メタクリル酸オクタデシル、アクリル酸イソオクチル、メタクリル酸イソオクチル、アクリル酸イソノニル、メタクリル酸イソノニル、アクリル酸イソデシル、メタクリル酸イソデシル、アクリル酸２－エチルへキシル、メタクリル酸２－エチルへキシル、アクリル酸２－エチルヘプチル、メタクリル酸２－エチルヘプチルからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む。ラジカル重合性化合物（ｂ１１）における炭素数は、８以上であることが好ましく、炭素数は、１０以上であることがより好ましい。

なお、ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、上記で示した化合物に限定されない。

アクリル樹脂（Ｂ）は、末端にスチレン基を有することが好ましい。この場合、レジスト用樹脂組成物に疎水性を付与しうるため、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の未露光部の耐現像液性を更に高めうる。

ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、α―メチルスチレンダイマーを含有することが好ましい。この場合、アクリル樹脂（Ｂ）の疎水性が高まりうる。これにより、レジスト用樹脂組成物の未露光部の耐現像液性を更に高めうる。また、α―メチルスチレンダイマーを含有すると、重合体であるアクリル樹脂（Ｂ）の分散度を調製しやすい。αーメチルスチレンダイマーは、ラジカル重合反応において、連鎖移動剤として用いられる化合物である。

α－メチルスチレンダイマーの含有量は、ラジカル重合性化合物（ｂ１）１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下であり、より好ましくは０．１質量％以上５質量％以下である。

ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、例えばプレポリマーを含有してもよい。プレポリマーは、例えばエチレン性不飽和結合を有するモノマーを重合させてからエチレン性不飽和基を付加して得られるプレポリマー、並びにオリゴ（メタ）アクリレートプレポリマー類からなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含有できる。オリゴ（メタ）アクリレートプレポリマー類は、例えばエポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、アルキド樹脂（メタ）アクリレート、シリコーン樹脂（メタ）アクリレート、及びスピラン樹脂（メタ）アクリレートからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有できる。

ラジカル重合性化合物（ｂ１）から重合体を得るにあたっては、ラジカル重合開始剤を含有してもよい。ラジカル重合開始剤は、熱又は光によりラジカルを生じうる化合物である。ラジカル重合開始剤の例は、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２．４－ジメチルバレロニトリル）、２，２－アゾビス（２－シクロプロピルプロピオニトリル）、２．２－アゾビス（２．４－ジメチルジメチルバレロニトリル）、ジメチル２．２－アゾビスイソブチレート等のアゾ重合開始剤、ベンゾイルパーオキシド、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルパーオキシド、クメンハイドロパーオキシド等の有機過酸化物重合開始剤等が挙げられる。

重合体（Ｂ１）は、溶剤を含有してもよい。溶剤としては、例えば、エタノール、ジエチレングリコール等のアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等の多価アルコールのアルキルエーテル類；エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用しても良い。

アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０℃以下である。このため、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜に高い柔軟性を付与しうる。アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、３５℃以下であればより好ましく、３０℃以下であれば更に好ましい。なお、本開示におけるアクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、上記で説明した組成、組成割合、反応条件を適宜調整することにより調整可能である。アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）の下限は、特に制限されないが、例えば－１５℃以上である。

アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、８，０００以上５０，０００以下であることが好ましい。アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が８，０００以上であると、レジスト用樹脂組成物から作製された塗膜における未露光部により高い耐現像液性が付与されうる。アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が５０，０００以下であると、レジスト用樹脂組成物から作製された塗膜を露光するにあたり、残渣をより生じにくくすることができ、より高い現像性が実現されうる。アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、１０，０００以上４０，０００以下であればより好ましく、１５，０００以上３５，０００以下であれば更に好ましい。アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ＧＰＣ測定装置により測定可能である。例えば、アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィによる分子量測定結果から算出される。ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィでの分子量測定は、例えば、次の条件の下で行うことができる。
ＧＰＣ装置：ＳＨＩＭＡＺＵ製 ＳＩＬ－２０ＡＣＨＴ
カラム：ＳＨＯＤＥＸ ＧＰＣ ＫＦ－８０１ ＫＦ－８０３ ＫＦ－８０５、
移動相：ＴＨＦ、
流量：１ｍｌ／分、
カラム温度：４０℃
検出器：ＲＩ、
換算：ポリスチレン。

アクリル樹脂（Ｂ）の数平均分子量をＭｎ、重量平均分子量をＭｗで表すときに、ＭｗとＭｎの比（Ｍｗ／Ｍｎ）で表される分散度は、１．０以上３．０以下であることが好ましい。アクリル樹脂（Ｂ）の分散度が上記範囲内であると、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の未露光部の耐現像液性と露光部の現像性がより向上しうる。アクリル樹脂（Ｂ）の分散度は、２．５以下であればより好ましい。

アクリル樹脂（Ｂ）の酸価は、１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましい。この場合、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の露光部の現像性を更に向上させうる。アクリル樹脂（Ｂ）の酸価は、１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であればより好ましく、１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であれば更に好ましい。アクリル樹脂（Ｂ）の酸価の上限は特に制限されないが、例えば２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。アクリル樹脂（Ｂ）の酸価は、例えば、カルボキシル基を有するラジカル重合性成分の量を適宜調整することで調整することができる。

ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対するアクリル樹脂（Ｂ）の含有量は、５質量部以上６０質量部以下であることが好ましい。アクリル樹脂（Ｂ）の含有量が５質量部以上であれば、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の柔軟性を向上させやすく、６０質量部以下であれば、塗膜の未露光部の耐現像液性を維持しつつ、露光部の現像性をより向上させやすい。ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対するアクリル樹脂（Ｂ）の含有量は、１０質量部以上５０質量部以下であればより好ましく、１５質量部以上４０質量部以下であれば更に好ましい。

本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）を含有する。このため、レジスト用樹脂組成物を露光した場合に、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）は光分解し、アルカリ可溶性を有する化合物に変化する。これにより、レジスト用樹脂組成物の塗膜の露光部の現像性を高めうる。また、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）は、レジスト用樹脂組成物の塗膜の未露光部の耐現像液性を高めうる。

キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）は、例えば２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，６－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４－トリヒドロキシ－２’－メチルベンゾフェノン、２，３，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，６－ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，４’－ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，３，４，５－ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３’，４，４’，５’，６－ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３’，４，４’，５’－ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン類；ビス（２，４－ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）メタン、２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－（４’－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－（２，４－ジヒドロキシフェニル）－２－（２’，４’－ジヒドロキシフェニル）プロパン、２－（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）－２－（２’，３’，４’－トリヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’－｛１－［４－〔２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－プロピル〕フェニル］エチリデン｝ビスフェノール，３，３’－ジメチル－｛１－［４－〔２－（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）－２－プロピル〕フェニル］エチリデン｝ビスフェノールなどのビス［（ポリ）ヒドロキシフェニル］アルカン類；トリス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４－ヒドロキシ－３、５－ジメチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルフェニル）－３，４－ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－３，４－ジヒドロキシフェニルメタンなどのトリス（ヒドロキシフェニル）メタン類又はそのメチル置換体；ビス（３－シクロヘキシル－４－ヒドロキシフェニル）－３－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３－シクロヘキシル－４－ヒドロキシフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３－シクロヘキシル－４－ヒドロキシフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）－３－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－２－メチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３－シクロヘキシル－２－ヒドロキシフェニル）－３－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）－３－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３－シクロヘキシル－２－ヒドロキシフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（３－シクロヘキシル－２－ヒドロキシフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－２－ヒドロキシ－４－メチルフェニル）－２－ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５－シクロヘキシル－２－ヒドロキシ－４－メチルフェニル）－４－ヒドロキシフェニルメタンなどの、ビス（シクロヘキシルヒドロキシフェニル）（ヒドロキシフェニル）メタン類またはそのメチル置換体；フェノール、ｐ－メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール－１，３－ジメチルエーテル、没食子酸、アニリン、ｐ－アミノジフェニルアミン、４，４’－ジアミノベンゾフェノンなどの水酸基またはアミノ基をもつ化合物；ノボラック、ピロガロール－アセトン樹脂、ｐ－ヒドロキシスチレンのホモポリマー又はこれと共重合しうるモノマーとの共重合体などと、ナフトキノン－１，２－ジアジド－５－スルホン酸又はナフトキノン－１，２－ジアジド－４－スルホン酸、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸などのキノンジアジド基含有スルホン酸と、の完全エステル化合物、部分エステル化合物、アミド化物または部分アミド化物からなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む。

キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）として使用される上記キノンジアジド基含有スルホン酸としては、特に限定されないが、例えば、ナフトキノン－１，２－ジアジド－５－スルホン酸、ナフトキノン－１，２－ジアジド－４－スルホン酸等のナフトキノンジアジドスルホン酸が好ましい。これらの化合物をキノンジアジド基含有化合物（Ｃ）として、ポジ型感光性樹脂組成物に配合すると、高感度のポジ型レジスト用樹脂組成物を得やすい。

ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対するキノンジアジド基含有化合物（Ｃ）の含有量は、５質量部以上４０質量部以下であることが好ましい。この場合、レジスト用樹脂組成物の塗膜の露光部の現像性と未露光部の耐現像液性とをより向上させうる。ノボラック樹脂（Ａ）１００質量部に対するキノンジアジド基含有化合物（Ｃ）の含有量は、８質量部以上３５質量部以下であればより好ましく、１０質量部以上３０質量部以下であれば更に好ましい。

本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）を含有する。このため、レジスト用樹脂組成物中でのノボラック樹脂（Ａ）とアクリル樹脂（Ｂ）との相溶性が高められやすい。これにより、レジスト用樹脂組成物から塗膜を作製し、露光した場合の露光部における残渣が生じにくい。

ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）は、例えばヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン誘導体の単量体を重合することにより得られる。具体的には、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）は、２－ヒドロキシスチレン、３－ヒドロキシスチレン、４－ヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン誘導体からなる群から選択される少なくとも一種の化合物の重合体である。ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）は、例えばヒドロキシスチレンと、ヒドロキシスチレン誘導体との共重合体であってもよい。

ヒドロキシスチレン誘導体は、ヒドロキシスチレンにおける芳香環の水素原子の少なくとも１つが置換基で置換された構造を有する。ヒドロキシスチレン誘導体は、例えば、α－メチル－４－ヒドロキシスチレン、α－メチル－３－ヒドロキシスチレン、α－メチル－２－ヒドロキシスチレン、α－エチル－４－ヒドロキシスチレン、α－エチル－３－ヒドロキシスチレン、及びα－エチル－２－ヒドロキシスチレンからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む。

ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）は、ヒドロキシスチレン単独重合体を含むことが好ましく、４－ヒドロキシスチレン単独重合体を含むことがより好ましい。この場合、ノボラック樹脂（Ａ）とアクリル樹脂（Ｂ）との相溶性を更に高めうる。これにより、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の現像性が更に高まりうる。ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）は、ヒドロキシスチレン単独重合体と４－ヒドロキシスチレン単独重合体とのうちいずれか一方であることが更に好ましい。

ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）の重量平均分子量は、特に制限されないが例えば１，０００以上であることが好ましく、４，０００以上であることがより好ましく、３０，０００以下であることも好ましい。

ノボラック樹脂（Ａ）とアクリル樹脂（Ｂ）とポリヒドロキシスチレン（Ｄ）との合計量に対するポリヒドロキシスチレン（Ｄ）の質量割合は、０．１質量％以上１５質量％以下であることが好ましい。この場合、レジスト用樹脂組成物の現像性及び耐現像液性を更に良好にできる。ノボラック樹脂（Ａ）とアクリル樹脂（Ｂ）とポリヒドロキシスチレン（Ｄ）との合計量に対するポリヒドロキシスチレン（Ｄ）の質量割合は、０．５質量％以上１０質量％以下であればより好ましく、１質量％以上９質量％以下であれば更に好ましい。

レジスト用樹脂組成物は、有機溶剤を含有してもよい。有機溶剤は、レジスト用樹脂組成物の液状化又はワニス化、粘度調整、塗布性の調整、造膜性の調整などの目的で使用される。

有機溶剤は、例えばエタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ヘキサノール、エチレングリコール等の直鎖、分岐、２級或いは多価のアルコール類；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；スワゾールシリーズ（丸善石油化学社製）、ソルベッソシリーズ（エクソン・ケミカル社製）等の石油系芳香族系混合溶剤；セロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類；カルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等の多価アルコールのアルキルエーテル類；エチレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の多価アルコールのアルキルエーテルアセテート；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類；並びにジアルキルグリコールエーテル類からなる群から選択される一種以上の化合物を含有できる。有機溶剤は、前記のうち単独で、又は２種以上を任意の割合で使用することができる。

レジスト用樹脂組成物が有機溶剤を含有する場合、有機溶剤の量は、塗布方法などで異なるので、塗布方法に応じて割合が適宜調節されることが好ましい。特に、レジスト用樹脂組成物の固形分全量に対して、有機溶剤の割合が、０質量％以上９９．５質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上８０質量％以下であればより好ましい。

レジスト用樹脂組成物は、本開示の効果を阻害しない範囲において、上記で説明した成分以外の成分を含有してもよい。レジスト用樹脂組成物は、例えば塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させるため、界面活性剤を含有していてもよい。界面活性剤としてはアクリル系・シリコン系・フッ素系の種々の界面活性剤を使用することが出来る。

レジスト用樹脂組成物は、密着性付与剤を含有してもよい。密着性付与剤としては、例えばアセトグアナミン（２，４－ジアミノ－６－メチル－１，３，５－トリアジン）、及びベンゾグアナミン（２，４－ジアミノ－６－フェニル－１，３，５－トリアジン）等のグアナミン誘導体、並びに２，４－ジアミノ－６－メタクリロイルオキシエチル－Ｓ－トリアジン、２－ビニル－４，６－ジアミノ－Ｓ－トリアジン、２－ビニル－４，６－ジアミノ－Ｓ－トリアジン・イソシアヌル酸付加物、２，４－ジアミノ－６－メタクリロイルオキシエチル－Ｓ－トリアジン・イソシアヌル酸付加物等のＳ－トリアジン誘導体、シランカップリング剤、メラミン誘導体等が、挙げられる。

レジスト用樹脂組成物は、レオロジーコントロール剤を含有してもよい。レオロジーコントロール剤により、レジスト用樹脂組成物の粘性が好適化しやすくなる。レオロジーコントロール剤としては、例えば、ウレア変性中極性ポリアマイド（ビッグケミー・ジャパン株式会社製の品番ＢＹＫ－４３０、ＢＹＫ－４３１）、ポリヒドロキシカルボン酸アミド（ビッグケミー・ジャパン株式会社製の品番ＢＹＫ－４０５）、変性ウレア（ビッグケミー・ジャパン株式会社製の品番ＢＹＫ－４１０、ＢＹＫ－４１１、ＢＹＫ－４２０）、高分子ウレア誘導体（ビッグケミー・ジャパン株式会社製の品番ＢＹＫ－４１５）、ウレア変性ウレタン（ビッグケミー・ジャパン株式会社製の品番ＢＹＫ－４２５）、ポリウレタン（ビッグケミー・ジャパン株式会社製の品番ＢＹＫ－４２８）、ひまし油ワックス、ポリエチレンワックス、ポリアマイドワックス、ベントナイト、カオリン、クレーが挙げられる。

レジスト用樹脂組成物は、着色剤；チクソトロピー剤；重合禁止剤；ハレーション防止剤；難燃剤；酸化防止剤；並びに高分子分散剤からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有してもよい。

本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、適宜の方法で調製されうる。例えば上記で説明したレジスト用樹脂組成物に含まれうる成分（原料）を混合し、撹拌することによりレジスト用樹脂組成物を調製できる。また、例えばディゾルバー、ホモジナイザー等の分散装置を用いて分散してもよい。三本ロール、ボールミル、サンドミル等を用いる適宜の混練方法によって混練することで、レジスト用樹脂組成物を調製してもよい。原料に液状の成分、粘度の低い成分等が含まれる場合には、原料のうち液状の成分、粘度の低い成分等を除く部分をまず混練し混合物を調製してから、得られた混合物に、液状の成分、粘度の低い成分等を加えて混合することで、レジスト用樹脂組成物を調製してもよい。レジスト用樹脂組成物が溶剤を含む場合、まず原料のうち、溶剤の一部又は全部を混合してから、原料の残りと混合してもよい。また、上記の原料を混合した混合物を、メッシュ、メンブレンフィルター等を通過させろ過させることでレジスト用樹脂組成物を調製してもよい。

レジスト用樹脂組成物の塗膜は、上記で調製したレジスト用樹脂組成物を、作製されうる塗膜を支持するための適宜の支持体（例えば基材）に塗布し、必要により乾燥させることで得られる。

本実施形態のレジスト用樹脂組成物から作製される塗膜は、例えばプリント配線板等を作製するための回路形成用基板１００（図１参照）等に用いることができる。図１では、回路形成用基板１００は、基材１と、基材１を覆う樹脂層３と、を備える。レジスト用樹脂組成物は、例えば回路形成用基板１００における基材１を覆う樹脂層３に用いられる。樹脂層３は、レジスト用樹脂組成物を含有する。例えば、樹脂層３は、レジスト用樹脂組成物の乾燥物を含む。そして、樹脂層３に、適宜の処理を施すことで、例えば基材１を部分的に覆うレジスト膜３０が作製できる（図２Ｃ、Ｄ、図３Ａ～Ｃ参照）。すなわち、基材１上に、パターン化されたレジスト膜３０が作製される。

このように、本実施形態のレジスト用樹脂組成物は、所望の回路パターンを保護するレジスト膜３０を作製するために用いることができる。

回路形成用基板１００における基材１は、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、テフロン（登録商標）基板、シリコンウェハ、金属基板、セラミック基板などといったリジッドな基板のほか、プラスチック基板、ポリイミド基板、ポリエステル基板などといったフレキシブルな基板であってよい。図１では、基材１上に金属箔等の導体層２を備えるコア材１０上に、樹脂層３が作製されているが、回路形成用基板１００において、樹脂層３は、コア材１０を覆うものであってもよい。すなわち、コア材１０は、基材１を含む。この場合、回路形成用基板１００は、基材１、導体層２、及び樹脂層３をこの順に備え、樹脂層３は、コア材１０を覆う。コア材１０は、例えばポリイミド基板を基材１とする基材１上に、例えば金属箔を導体層２として貼り合わせることで基材１と導体層２を重ねたフレキシブル基材としてのコア材１０とすることができる。

導体層２は、特に制限されず、適宜の電気伝導性を有する材料から作製される。導体層２は、例えば金属箔であり、金属箔は、例えば銅箔を含む。

樹脂層３は、例えばレジスト用樹脂組成物から作製される塗膜である。レジスト用樹脂組成物は、上記で説明したとおりである。樹脂層３の膜厚は、回路形成用基板１００及び所望のプリント配線板の用途等に応じて適宜設定すればよいが、例えば１μｍ以上３０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下とすることができる。樹脂層３は、上記のレジスト用樹脂組成物を含有することで、高い柔軟性を有し、かつ高い耐熱性を有する。このため、樹脂層３、及び樹脂層３から作製されるレジスト膜３０に破損を生じにくい。また、加熱して加工する場合にも、回路形成用基板１００に形成される回路パターンに不良を生じにくくしうる。

以下、図２Ａから図２Ｄ及び図３Ａから図３Ｃを参照して、回路形成用基板１００から、パターン化されたレジスト膜３０を備えるレジスト回路形成用基板１０１（１０２，１０３）に形成されうる回路パターンを保護するレジスト膜３０を作製するための方法を、説明する。回路形成用基板１０１は、基材１及び導体層２と、これらを覆うレジスト膜３０とを備える基板であり（図２Ｃ参照）、回路形成用基板１０２は、基材１及び導体配線２０と、これらを覆うレジスト膜３０とを備える基板である（図２Ｄ参照）。また、回路形成用基板１０３は、基材１及び導体層２と、これらを覆うレジスト膜３０とを備え、基材１には部分的に開口１２が形成されている基板である（図３Ａ参照）。なお、以下の説明においては、回路形成用基板１００は、コア材１０の導体層２上に樹脂層３が作製されているものを例に説明するが、基材１上に、基材１を覆う樹脂層３が作製されている場合にも適用できる。

本実施形態のレジスト膜の作製方法は、コア材１０上に、レジスト用樹脂組成物を塗布することで樹脂層３を作製する塗布工程と、樹脂層３を部分的に露光する露光工程と、露光された樹脂層３を現像する現像工程と、を含む。現像工程では、露光された樹脂層３を除去することを含む。

具体的には、まず、基材１上に導体層２を備えるコア材１０を用意する。基材１、導体層２、及びコア材１０は、上記で既に説明した構成を採用できる。

続いて、コア材１０上に、レジスト用樹脂組成物を塗布することで樹脂層３を作製する。レジスト用樹脂組成物を塗布する方法は、適宜の方法であってよく、例えば浸漬法、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、及びスクリーン印刷法からなる群から選択される。

塗布工程で樹脂層３を作製するにあたり、レジスト用樹脂組成物を塗布してから、必要により樹脂層３を乾燥塗膜とするために、乾燥工程を含んでもよい。乾燥工程における条件は、レジスト用樹脂組成物の組成、溶剤を配合する場合には溶剤の種類、配合量等により適宜調整すればよいが、例えば加熱温度８０℃以上１５０℃以下で加熱時間１８０秒以上９００秒以下、好ましくは加熱時間３００秒以上６００秒以下とすることができる。

これにより、コア材１０、及びコア材１０を覆う樹脂層３を備え、樹脂層３がレジスト用樹脂組成物を含有する、回路形成用基板１００が作製できる。このように作製された回路形成用基板１００は、コア材１０が例えばポリイミド基板などのフレキシブル基材であっても、コア材１０上に作製された樹脂層３が高い柔軟性を有するため、回路形成用基板１００をロール状に加工しても、樹脂層３にクラックが生じにくく、樹脂層３に欠けも生じにくい。

続いて、樹脂層３を露光して露光工程を行う。露光工程では、図２Ａに示すように、上記で作製した樹脂層３に、コア材１０とは反対側である樹脂層３側に所定の回路パターンを有するマスクＭを配置して、マスクＭを介して活性エネルギー線を照射する。マスクＭは、マスクフィルム、乾板等のフォトツールである。マスクＭは、活性エネルギー線を透過する透過部Ｍａと、活性エネルギー線を遮蔽する遮蔽部Ｍｂとを有する。このため、露光工程では、樹脂層３は選択的に活性エネルギー線が照射される。本実施形態では、ポジ型のレジスト用樹脂組成物であるため、マスクＭはポジ型のマスクである。

露光工程において、マスクＭを介して塗膜に活性エネルギー線を照射するにあたり、マスクＭの透過部Ｍａに対応する位置が樹脂層３における露光部３１が形成され、マスクＭの遮蔽部に対応する位置が樹脂層３における未露光部３２となる（図２Ａ及び図２Ｂ参照）。このように、マスクＭを介在させることで、樹脂層３を選択的に露光して露光部３１と未露光部３２とを作製できる。

活性エネルギー線は、適宜の光源から発せられる光であればよいが、光源としては、波長３６５ｎｍ（ｉ線）、４０５ｎｍ（ｈ線）、４３５ｎｍ（ｇ線）付近の光を発光する低圧水銀灯、高圧水銀灯、及び超高圧水銀灯等の光源であってもよいし、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、極紫外線（ＥＵＶ）、真空紫外線（ＶＵＶ）、電子線（ＥＢ）、Ｘ線、及び軟Ｘ線等の放射線等を発する光源であってもよい。

露光工程では、特定の波長が樹脂層３における露光部３１となる部分に照射されることを回避するために、波長カットフィルターをマスクと樹脂層との間、又はマスクの樹脂層３とは反対側に配置して特定の波長をカットしてもよい。

なお、露光方法は、マスクを用いる以外の方法であってもよい。例えば光源から発せられる紫外線を塗膜上の露光すべき部分のみに照射する直接描画法で塗膜を露光してもよい。直接描画法に適用される光源は、例えば高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ＹＡＧレーザー、ＬＥＤ、ｇ線、ｈ線、ｉ線、並びにｇ線、ｈ線及びｉ線のうちの二種以上の組み合わせからなる群から選択される。また、露光するにあたり、樹脂層３上に、適宜の被覆層（不図示）を備えていてもよい。

続いて、露光した樹脂層３を現像する現像工程を行う。露光後の樹脂層３に現像処理を施すことで、樹脂層３からレジスト膜３０が作製できる。具体的には、本実施形態では、現像処理を施すことで、図２Ｂに示す樹脂層３の露光部３１が除去され、樹脂層３の未露光部３２が残存する。本実施形態では、未露光部３２がレジスト膜３０となる（図２Ｃ参照）。このように、パターン化されたレジスト膜３０は、上記のレジスト用樹脂組成物から作製される。すなわち、レジスト膜３０は、レジスト用樹脂組成物を含有する。

現像処理では、レジスト用樹脂組成物の組成に応じた適宜の現像液を使用できる。現像液は、例えばアルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物のうち少なくとも一方を含有するアルカリ性水溶液、又は有機アミンである。アルカリ性水溶液は、より具体的には、例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム及び水酸化リチウムからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有する。アルカリ性水溶液中の溶媒は、水のみであっても、水と低級アルコール類等の親水性有機溶媒との混合物であってもよい。有機アミンは、例えばモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、及び水酸化テトラメチルアンモニウムからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有する。現像液は、アルカリ金属塩及びアルカリ金属水酸化物のうち少なくとも一方を含有するアルカリ性水溶液であることが好ましく、水酸化ナトリウム水溶液であることが特に好ましい。この場合、作業環境の向上及び廃棄物処理の負担軽減を達成できる。

現像処理は、特に制限されないが、例えば１質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用いる場合、液温２０℃以上３０℃以下の温度の条件で、液浴に、コア材１０と樹脂層３とを備える回路形成用基板１００を浸漬、揺動させ、取り出した後、水などで洗浄（リンス）を行う。また、現像処理の後に、ポストベーク処理を行ってもよい。ポストベークの条件は、適宜調整すればよい。

これにより、回路形成用基板１００から、コア材１０における導体層２を部分的に覆う、パターン化されたレジスト膜３０を備える回路形成用基板１０１が作製できる（図２Ｃ参照）。レジスト膜３０の厚みは、特に制限されないが、例えば１μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。

上記工程は、電子部品等を組み込むための穴（開口１２）を設けた基材１を備える回路形成用基板１０３に対しても施すことができる（図３Ａ参照）。具体的には、基材１に複数の穴を空け開口１２を形成してから、基材１と複数の開口１２を覆うように銅箔等の導体層２を貼り付けることで、コア材１０を作製する。

このコア材１０上に、上記のレジスト用樹脂組成物を塗布することで、樹脂層３を作製する（塗布工程）。

続いて、適宜のパターンを作製するためのマスクを介して、上記の開口１２を含むコア材１０を覆う樹脂層３を部分的に露光することで、露光部３１と未露光部３２を作製する（露光工程）。

続いて、樹脂層３における露光部３１を現像することで、樹脂層３からレジスト膜３０を作製する（現像工程）。

これにより、図３Ａに示すような基材１及び導体層２と、これらを覆うレジスト膜３０とを備え、基材１には部分的に開口１２が形成されている回路形成用基板１０３が作製できる。回路形成用基板１０３は、図２Ｃにおける回路形成用基板１０１と同様に、樹脂層３における未露光部３２が、パターン化されたレジスト膜３０となり、レジスト膜３０は、基材１及び導体層２を部分的に保護している。

続いて、回路形成用基板１００の導体層２における不要な部分を除去するエッチング工程を行う。エッチング工程では、コア材１０における導体層２上に部分的にレジスト膜３０が形成された回路形成用基板１０１を、エッチング液を入れた液浴に浸漬する。エッチング液は、適宜の組成を有するエッチング液を使用可能であるが、例えば塩化第二鉄水溶液といった組成のエッチング液を使用できる。回路形成用基板１０１を浸漬した後、液浴から取り出し、必要により水洗などにより残存するエッチング液を除去する。なお、エッチングの方法は、上記ではウエットエッチングによる方法を説明したが、これに限らず、気相を用いたドライエッチングによる方法であってもよい。

基材１（コア材１０）に部分的に複数の開口１２を有する回路形成用基板１０３（図３Ａ参照）をエッチングするにあたっては、例えば、予め、基材１のレジスト膜３０とは反対側に裏止め剤を塗布して保護膜５０が形成されている（図３Ｂ参照）。保護膜５０は、エッチング液による、残存させたい導体層２の腐食を防ぎ、作製したい回路パターンに欠陥が生じるのを防ぐため等に設けられる。コア材１０に保護膜５０を設けるにあたっては、現像処理後にコア材１０における基材１、基材１における開口１２、及び導体層２を覆うようにレジスト膜３０の形成されている側とは反対側から裏止め剤を塗布して、加熱される。この場合、レジスト膜３０の耐熱性が低いと、レジスト膜３０に破損が生じ、回路形成用基板１００に形成される回路パターンに不良を生じることがある。しかし、本実施形態では、レジスト膜３０が上記のレジスト用樹脂組成物から作製されうるため、高い耐熱性を有する。このため、回路形成用基板１０３において、裏止め剤による保護膜５０を作製しても、レジスト膜３０に破損を生じにくい。

続いて、コア材１０における導体層２が設けられている面を部分的に覆うレジスト膜３０が残存した状態で、導体層２のレジスト膜３０が覆っていない部分が除去されることで、導体層２から導体配線２０が作製できる（図２Ｄ及び図３Ｃ参照）。すなわち、基材１と、導体配線２０と、レジスト膜３０とを備える回路形成用基板１０２（１０３）が作製できる。本実施形態のレジスト膜３０は、上記のレジスト用樹脂組成物の乾燥物を含んで作製されるため、エッチング液に晒されてもレジスト膜３０が高い耐薬品性を有しうる。このため、レジスト膜３０は、膜減り（塗膜が薄くなること）しにくく、膜にも欠けが生じにくい。

このように、回路形成用基板１０３（図２Ｄ）におけるレジスト膜３０を適宜の剥離液により剥離することで、プリント配線板を作製できる。また、回路形成用基板１０３（図３Ｃ）の場合、レジスト膜３０及び保護膜５０を適宜の剥離液により剥離することで、プリント配線板を作製できる。

以下、本実施形態の具体的な実施例を提示する。ただし、本実施形態は下記の実施例のみに制限されない。

（１）アクリル樹脂の合成
（１－１）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ１
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、α－メチルスチレンダイマー０．３質量部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）５部、メタクリル酸２５部、メタクリル酸メチル４０部、メタクリル酸オクタデシル３５部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量２１，０００、分散度２．０、ガラス転移温度２７℃、酸価１６２ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ１を得た。

（１－２）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ２
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、α－メチルスチレンダイマー０．３質量部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）５部、メタクリル酸２５部、メタクリル酸メチル４０部、スチレン３５部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量１８，０００、分散度２．０、ガラス転移温度１１４℃、酸価１６２ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ２を得た。

（１－３）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ３
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、α－メチルスチレンダイマー０．３質量部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）５部、メタクリル酸１０部、メタクリル酸メチル５５部、メタクリル酸オクタデシル３５部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量２０，０００、分散度２．０、ガラス転移温度２４℃、酸価７８ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ３を得た。

（１－４）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ４
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）５部、メタクリル酸２５部、メタクリル酸メチル３５部、アクリル酸ブチル４０部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量３０，０００、分散度３．２、ガラス転移温度２３℃、酸価１６２ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ４を得た。

（１－５）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ５
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、α－メチルスチレンダイマー０．３質量部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）５部、メタクリル酸２５部、メタクリル酸メチル３５部、アクリル酸ブチル４０部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量２０，０００、分散度２．０、ガラス転移温度２３℃、酸価が１６２ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ５を得た。

（１－６）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ６
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）６部、メタクリル酸３５部、メタクリル酸メチル６５部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量３０，０００、分散度３．５、ガラス転移温度１１３℃、酸価が２２８ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ６を得た。

（１－７）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ７
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、α－メチルスチレンダイマー１質量部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）３部、メタクリル酸２５部、メタクリル酸メチル４０部、メタクリル酸オクタデシル３５部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量２０，０００、分散度２．０、ガラス転移温度２７℃、酸価が１６２ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ７を得た。

（１－８）合成例：アルカリ可溶性アクリル樹脂Ｂ８
還流冷却管、温度計、窒素吹き込み管及び攪拌機を取り付けた四つ口フラスコ内に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２５部、α－メチルスチレンダイマー３質量部、重合開始剤（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）１部、メタクリル酸２５部、メタクリル酸メチル４０部、メタクリル酸オクタデシル３５部を加えた。窒素雰囲気中、８０℃の条件下で６時間重合を行い、ポリスチレン換算重量平均分子量１８，０００、分散度２．０、ガラス転移温度２７℃、酸価が１６２ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分濃度が４０重量％のアルカリ可溶性アクリル樹脂溶液Ｂ８を得た。

（２）ポジ型レジスト用樹脂組成物の調製
＜実施例１＞
表中に示す成分を、室温下で表中に示す質量で混合し、塗膜を作製するためのポジ型レジスト用樹脂組成物を得た。なお、表に示される成分の詳細は以下のとおりである。
―アルカリ可溶性ノボラック樹脂
・アルカリ可溶性ノボラック樹脂溶液Ａ１：重量平均分子量３０，０００、軟化点１６５℃、固形分濃度４５重量％（溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、骨格としてｏ－クレゾール：ｐ－クレゾールを、６：４の割合で含む。
・アルカリ可溶性ノボラック樹脂溶液Ａ2：量平均分子量１５，０００、軟化点１６０℃、固形分濃度４５重量％（溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、骨格としてｏ－クレゾール：ｐ－クレゾールを、５：５の割合で含む。
・アルカリ可溶性ノボラック樹脂溶液Ａ3：重量平均分子量１，５００、軟化点７３℃、固形分濃度４５重量％（溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、骨格としてビフェニレン骨格を含む。
―キノンジアジド基含有化合物
・東洋合成株式会社製の品名ＴＰＰＡ－３００Ａ（４，４‘－［１－［４－［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノールの全フェノール性水酸基の水素原子の一部又は全てが１，２－ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換された化合物）
―ポリヒドロキシスチレン
・ポリヒドロキシスチレン１：丸善石油化学株式会社製の品名マルカリンカー（登録商標）Ｍ２ＶＰＭ。重量平均分子量５，０００。固形分濃度３０％（溶剤プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７０％）。
・ポリヒドロキシスチレン２：丸善石油化学株式会社製の品名マルカリンカー（登録商標）ＨＰＳ－Ｈ１０Ｋ。重量平均分子量１０，０００。固形分濃度３０％（溶剤プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７０％）。
・ポリヒドロキシスチレン３：丸善石油化学株式会社製の品名マルカリンカー（登録商標）ＨＰＳ－Ａ３０Ｋ。重量平均分子量３０，０００。固形分濃度３０％（溶剤プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７０％）。
―（その他の成分）
・添加剤：ビックケミー・ジャパン株式会社製の品名ＢＹＫ－３０７。表面調整剤。ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン。

（３）テストピースの作製
まず、１０ｃｍ×１０ｃｍのポリイミド基材上に銅箔を貼り合わせた基材を用意し、基材上に、各実施例又は比較例のそれぞれのポジ型レジスト組成物を塗布した。基材に塗布した塗膜を、ＢＯＸオーブンにいれ、加熱温度１１０℃で、加熱時間４２０秒間乾燥して、塗膜の膜厚が５μｍである樹脂層を得た。

続いて、作製した樹脂層に、所定の遮光パターンが描かれたマスクを介し、３４０－４４０ｎｍの光のみ透過できるように波長カットフィルターを使用して２４０ｍＪ／ｃｍ²の条件で光を照射した。

続いて、露光後の樹脂層に、１％水酸化ナトリウム水溶液を現像液として用い、６０秒間浸漬し、揺動させた後、２０秒間水洗した。これにより、樹脂層からパターン化されたレジスト膜を作製しテストピースを得た。

（４）評価試験
（４－１）現像性
上記（３）のテストピースにおけるレジスト膜作製時に生じた残渣の様子を、目視により観察して、以下の基準で、現像性を評価した。
Ａ：露光現像後の基材上に現像残渣が見られなかった。
Ｂ：露光現像後の基材上にわずかに現像残渣が見られた。
Ｃ：露光現像後の基材上に全体的に現像残渣が見られた。

（４－２）耐現像液性（膜減り）
上記で作製したテストピースにおけるレジスト膜の膜厚を測定し、樹脂層の膜厚（５μｍ）とレジスト膜の膜厚との比を求め、この値に１００を掛けた値を「未露光部残膜率（％）」とした。そして、以下の基準で、耐現像液性を評価した。
Ａ：未露光部残膜率は９５％以上であり、現像後の塗膜の表面にざらつきも見られなかった。
Ｂ：未露光部残膜率は９５％以上であったが、現像後の塗膜の表面に一部ざらつきが見られた。
Ｃ：未露光部残膜率は９０％以上９５％未満であり、現像後の塗膜の表面にざらつきや、凹凸が見られた。
Ｄ：未露光部残膜率は９０％未満であり、現像後の塗膜の表面にざらつきや、凹凸、又は基材の表面の一部において露出が見られた。

（４－３）形状保持性（耐熱性）
上記（３）で作製したテストピースを、更に温度１３０℃に設定したＩＲ乾燥炉に入れ、１０分間ポストベークを行った。ポストベーク前後での、１０μｍ幅のレジストラインが太り方向に寸法変化した形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。観察して得られた結果を、以下の基準で評価した。
Ａ：１０μｍ幅のレジスト膜のライン幅の寸法変化が３μｍ以下であった。
Ｂ：１０μｍ幅のレジスト膜のライン幅の寸法変化が３μｍ超６μｍ以下であった。
Ｃ：１０μｍ幅のレジスト膜のライン幅の寸法変化が６μｍ超であった。

なお、比較例４は、現像処理後にレジスト膜が残らなかったため、評価はできなかった。

（４－４）柔軟性
上記で作製したテストピースに対し、折曲試験機（東洋精機（株）製）により、ＪＩＳ－Ｋ ５６００に準拠して、１分間の曲げ試験を行った。１分経過後のテストピースの状態を確認し、以下の基準で評価した。
Ａ：円筒型マンドレルの外径φ２ｍｍで曲げ試験を行っても、レジスト膜にひび及び割れが生じなかった。
Ｂ：円筒型マンドレルの外径φ２ｍｍで曲げ試験を行うと、レジスト膜にひび及びひび割れが生じるが、円筒型マンドレルの外径φ６ｍｍで曲げ試験を行っても、レジスト膜にひび及び割れが生じなかった。
Ｃ：円筒型マンドレルの外径φ６ｍｍで曲げ試験を行うと、レジスト膜にひび及び割れが生じた。

各実施例及び比較例において、上記（４－１）から（４－４）で行った評価試験の結果を、下記表１及び表２に示した。

（まとめ）
上記実施形態及び変形例から明らかなように、本発明は、下記の態様を含む。以下では、実施形態との対応関係を明示するためだけに、符号を括弧書きで付している。

第１の態様のレジスト用樹脂組成物は、ノボラック樹脂（Ａ）と、アクリル樹脂（Ｂ）と、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）と、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）と、を含有する。前記ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、１４０℃以上である。前記アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度は、４０℃以下である。

第１の態様によれば、塗膜の露光部の現像性、及び未露光部の耐現像液性を向上でき、優れた耐熱性及び柔軟性を有しうるレジスト用樹脂組成物が得られる。

第２の態様のレジスト用樹脂組成物は、第１の態様において、前記アクリル樹脂（Ｂ）は、ラジカル重合性化合物（ｂ１）の重合体を含む。

第２の態様によれば、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜により高い現像性とより高い柔軟性を付与しうる。

第３の態様のレジスト用樹脂組成物は、第２の態様において、前記ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、炭素数６以上１８以下の炭化水素基を有する化合物を含む。

第３の態様によれば、レジスト用樹脂組成物に疎水性を付与しうるため、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の未露光部の耐現像液性を更に高めうる。レジスト用樹脂組成物に柔軟性を付与しうるため、レジスト用樹脂組成物から作製される塗膜の柔軟性を更に高めうる。

第４の態様のレジスト用樹脂組成物は、第２又は第３の態様において、前記ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、更にα－メチルスチレンダイマーを含有する。前記ラジカル重合性化合物（ｂ１）１００質量部に対する前記α―メチルスチレンダイマーの含有量は、０．０１質量部以上１０質量部以下である。

第４の態様によれば、未露光部の耐現像液性を更に高めうる。

第５の態様のレジスト用樹脂組成物は、第１から第４のいずれか１つの態様において、前記ノボラック樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、２０，０００以上５０，０００以下である。

第５の態様によれば、レジスト用樹脂組成物が感光された場合の露光部の現像性と未露光部の耐現像液性を更に高めうる。

第６の態様のレジスト用樹脂組成物は、第１から第５のいずれか１つの態様において、前記アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、８，０００以上５０，０００以下である。

第６の態様によれば、レジスト用樹脂組成物から作製された塗膜における未露光部により高い耐現像液性が付与されうる。また、この場合、レジスト用樹脂組成物から作製された塗膜を露光するにあたり、残渣をより生じにくくすることができ、より高い現像性が実現されうる。

第７の態様のレジスト用樹脂組成物は、第１から第６のいずれか１つの態様において、前記アクリル樹脂（Ｂ）の酸価は、１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である。

第７の態様によれば、レジスト樹脂組成物から作製された塗膜の現像性が更に高まりうる。

第８の態様のレジスト膜（３０）の製造方法は、基材（１）に、第１から第７のいずれか一の態様のレジスト用樹脂組成物を塗布して樹脂層（３）を作製する塗布工程と、前記樹脂層（３）を部分的に露光する露光工程と、前記露光された部分を除去する現像工程と、を含む。

第８の態様によれば、現像性及び耐現像液性に優れ、高い耐熱性及び高い柔軟性を有するレジスト膜が得られる。

第９の態様のパターン化されたレジスト膜（３０）は、第１から第７のいずれか一の態様のレジスト用樹脂組成物を含有する。

第９の態様によれば、高い耐熱性及び高い柔軟性を有するレジスト膜が得られる。

１ 基材
３ 樹脂層
３０ レジスト膜

Claims (10)

1. ノボラック樹脂（Ａ）と、アクリル樹脂（Ｂ）と、キノンジアジド基含有化合物（Ｃ）と、ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）と、を含有し、
   前記ノボラック樹脂（Ａ）及び前記アクリル樹脂（Ｂ）は、アルカリ可溶性を有し、
   前記アクリル樹脂（Ｂ）は、ラジカル重合性化合物（ｂ１）の重合体を含み、前記ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、分子内に１つのエチレン性不飽和結合を有する化合物のみからなり、
   前記ノボラック樹脂（Ａ）の軟化点は、１４０℃以上であり、
   前記アクリル樹脂（Ｂ）のガラス転移温度は、４０℃以下である、
   レジスト用樹脂組成物。
2. 前記レジスト用樹脂組成物の固形分全量に対する前記ノボラック樹脂（Ａ）の質量割合は、４０質量％以上８５質量％以下であり、
   前記ノボラック樹脂（Ａ）と前記アクリル樹脂（Ｂ）と前記ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）との合計量に対する前記ポリヒドロキシスチレン（Ｄ）の質量割合は、０．１質量％以上１５質量％以下である、
   請求項１に記載のレジスト用樹脂組成物。
3. 前記ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、炭素数６以上１８以下の炭化水素基を有する化合物を含む、
   請求項１又は２に記載のレジスト用樹脂組成物。
4. 前記ラジカル重合性化合物（ｂ１）は、更にα－メチルスチレンダイマーを含有する、
   請求項１から３のいずれか一項に記載のレジスト用樹脂組成物。
5. 前記ラジカル重合性化合物（ｂ１）１００質量部に対する前記α－メチルスチレンダイマーの含有量は、０．０１質量部以上１０質量部以下である、
   請求項４に記載のレジスト用樹脂組成物。
6. 前記ノボラック樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、２０，０００以上５０，０００以下である、
   請求項１から５のいずれか一項に記載のレジスト用樹脂組成物。
7. 前記アクリル樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、８，０００以上５０，０００以下である、
   請求項１から６のいずれか一項に記載のレジスト用樹脂組成物。
8. 前記アクリル樹脂（Ｂ）の酸価は、１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である、
   請求項１から７のいずれか一項に記載のレジスト用樹脂組成物。
9. 基材に、請求項１から８のいずれか一項に記載のレジスト用樹脂組成物を塗布して樹脂層を作製する塗布工程と、
   前記樹脂層を部分的に露光する露光工程と、
   前記露光された部分を除去する現像工程と、
   を含む、
   レジスト膜の製造方法。
10. 請求項１から８のいずれか一項に記載のレジスト用樹脂組成物を含有する、
    パターン化されたレジスト膜。

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