JP7201936B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7201936B2
JP7201936B2 JP2021143765A JP2021143765A JP7201936B2 JP 7201936 B2 JP7201936 B2 JP 7201936B2 JP 2021143765 A JP2021143765 A JP 2021143765A JP 2021143765 A JP2021143765 A JP 2021143765A JP 7201936 B2 JP7201936 B2 JP 7201936B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
laser element
phosphor
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021143765A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021184506A (ja
Inventor
利章 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2021143765A priority Critical patent/JP7201936B2/ja
Publication of JP2021184506A publication Critical patent/JP2021184506A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7201936B2 publication Critical patent/JP7201936B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/90Methods of manufacture
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/16Laser light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21SNON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/176Light sources where the light is generated by photoluminescent material spaced from a primary light generating element
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64Fluorescence; Phosphorescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/02208Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/30Semiconductor lasers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64Fluorescence; Phosphorescence
    • G01N2021/6417Spectrofluorimetric devices
    • G01N2021/6419Excitation at two or more wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02255Out-coupling of light using beam deflecting elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。
従来から、種々の光源として、半導体レーザと、蛍光体とを組み合わせて用いた発光装
置が利用されている(例えば、特許文献1等)。
特開2012-109400号公報
しかし、半導体レーザであるレーザ素子は、駆動による発熱によって温度が高くなると
、レーザ素子が発光する光が長波側にシフトし、一方、温度が低くなると短波側にシフト
する。これに対して、蛍光体は、温度変化が生じても、励起スペクトルのピークが実質的
に変動しない。レーザ素子が発振するレーザ光は発光スペクトルの半値全幅が狭いため、
レーザ素子と蛍光体とを組み合わせて得られた混合光は、温度によって色度が変化しやす
い。
本発明の一実施形態は、上記課題を解決するためになされたものであり、レーザ素子と
蛍光体とを組み合わせ、これらの混合光を発光する発光装置において、温度変化に伴う色
度シフトを緩和させることができる発光装置を提供することを目的とする。
本願は以下の発明を含む。
(1)蛍光体と、
該蛍光体を励起するレーザ光を発振する第1レーザ素子及び第2レーザ素子とを備え、
前記第1レーザ素子及び第2レーザ素子は、発振するレーザ光のピーク波長が互いに異
なり、前記第1レーザ素子のピーク波長と第2レーザ素子のピーク波長とは、前記蛍光体
の励起ピークの波長を挟む波長であることを特徴とする発光装置。
(2)蛍光体を準備し、
該蛍光体の励起ピークを挟むピーク波長を有する複数のレーザ素子を、前記励起ピーク
よりも短波であるピーク波長の群と長波であるピーク波長の群とに2つの群に分類し、
前記レーザ素子の2つの群それぞれから1以上選択される複数のレーザ素子と前記蛍光
体とを組み合わせて発光装置を製造することを含む発光装置の製造方法。
本発明の一実施形態によれば、レーザ素子と蛍光体とを組み合わせ、これらの混合光を
発光する発光装置において、温度変化に伴う色度シフトを効果的に緩和させることができ
る。
実施形態1の発光装置の概略構成を示す平面図である。 図1AのA-A’線の概略断面図である。 実施形態2の発光装置の概略断面図である。 実施形態3の発光装置の概略断面図である。 実施形態4の発光装置の概略断面図である。 YAG蛍光体の励起スペクトルを示すグラフである。 レーザ素子の25℃におけるピーク波長と、25℃から85℃まで変化させたときの色度変化量との関係を示すグラフである。
以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明を以下
に限定するものではない。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確
にするために誇張していることがある。さらに、同一の名称、符号については、原則とし
て同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略する。
〔発光装置10〕
発光装置10は、例えば、図1A及び1Bに示すように、蛍光体を含む蛍光部材13と
、レーザ素子とを備えて構成される。
レーザ素子として、蛍光体を励起するレーザ光を発振する2つのレーザ素子、つまり第
1レーザ素子11及び第2レーザ素子12を有する。
第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12は、発振するレーザ光のピーク波長が互い
に異なり、第1レーザ素子11のピーク波長及び第2レーザ素子12のピーク波長は、蛍
光体の励起ピークの波長を挟む波長である。
このような構成を有することにより、温度変化が生じることで、第1レーザ素子11及
び第2レーザ素子12の双方の発光ピーク波長がシフトした場合であっても、発光装置1
0が発する光の色度の変化量を低減させることができる。蛍光体の励起スペクトルの一例
として、図5に、YAG蛍光体の励起スペクトルの一例を示す。図5の縦軸は相対強度で
あり、相対強度が大であるほど励起強度が大であることを示している。図5に示すように
、例えば、第1レーザ素子11が蛍光体の励起ピーク波長よりも短いピーク波長のレーザ
光を発し、第2レーザ素子12が蛍光体の励起ピーク波長よりも長いピーク波長のレーザ
光を発する場合を想定する。この場合、温度が高くなれば、第1レーザ素子11のピーク
波長も第2レーザ素子12のピーク波長も長波長側にシフトする。ここで、第1レーザ素
子11についてはレーザ光のピーク波長が蛍光体の励起ピーク波長に近づくので第1レー
ザ素子11に起因する蛍光は強くなる一方で、第2レーザ素子12についてはレーザ光の
ピーク波長が蛍光体の励起ピーク波長から離れるので第2レーザ素子に起因する蛍光は弱
くなる。また、温度が低くなれば、第1レーザ素子11のピーク波長も第2レーザ素子1
2のピーク波長も短波長側にシフトする。ここで、第1レーザ素子11についてはレーザ
光のピーク波長が蛍光体の励起ピーク波長から離れるので第1レーザ素子11に起因する
蛍光は弱くなる一方で、第2レーザ素子12についてはレーザ光のピーク波長が蛍光体の
励起ピーク波長に近づくので第2レーザ素子に起因する蛍光は強くなる。
したがって、温度が高くなる場合も低くなる場合も、蛍光全体の強度変化を軽減するこ
とができるので、発光装置10が発する光の色度の変化量を低減させることができる。こ
のような効果は、例えば-数十℃から100℃程度までと、要求される温度範囲が広い、
つまり、適用温度が広範な車載用途において、特に有利である。なお、レーザ素子の波長
シフト自体によっても発光装置10が発光する光の色度は若干変化するが、蛍光体の励起
強度の変化よりは影響が少ないため、ほぼ無視してよい。
(蛍光体)
蛍光体は、レーザ素子から出射されるレーザ光の少なくとも一部を波長変換するために
利用される。蛍光体は、励起スペクトルにおいて励起ピークを有するものを用いる。なお
、蛍光体の励起スペクトルには複数の励起ピークが存在する場合があるが、特に説明がな
い場合、本明細書では「励起ピーク」とは複数の励起ピークのうち励起光の波長に最も近
い励起ピークを指す。この励起ピークを有する励起スペクトルの半値全幅(FWHM)が
狭いほど励起光の波長シフトによる影響が大きくなる。したがって、特に、FWHMが比
較的狭い蛍光体を用いる場合に、励起源として第1レーザ素子11及び第2レーザ素子1
2を用いることが好ましい。比較的狭いFWHMとは、例えば110nm以下であり、さ
らには90nm以下が好ましく、75nm以下がより好ましい。また、FWHMが比較的
狭い蛍光体としては、具体的には、YAG系蛍光体、LAG系蛍光体、TAG系蛍光体等
が挙げられる。特に、活性層がGaN系材料からなるレーザ素子を用いる場合には、レー
ザ光に対する耐久性が高く、青色レーザと組み合わせて白色光を得ることができるYAG
系蛍光体が好ましい。複数種類の蛍光体を用いることもでき、2種以上の蛍光体を1つの
蛍光部材13内に含めることもできる。蛍光体として、複数種類を用いる場合は、発光強
度の強い1つの蛍光体の励起ピークを基準とすることが好ましい。2種以上の蛍光体を用
いると1つの蛍光体の蛍光が別の蛍光体の励起源ともなり得るため、1種の蛍光体を用い
る方が、第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12を用いることによる波長シフトの影
響緩和効果を狙いやすく、好ましい。
(蛍光体を含む蛍光部材13)
蛍光部材13は、蛍光体のみで構成されていてもよいし、蛍光体と蛍光体を保持するた
めの保持体とを含んで構成されていてもよい。
蛍光部材13が蛍光体のみによって形成されている場合、保持体を含む場合よりも散乱
が少なく透過率の高い蛍光部材13とすることができる。
蛍光部材13が保持体を含む場合、保持体は、無機材料によって形成されていることが
好ましい。これにより、レーザ素子から出射される光に起因する保持体の劣化、変色等を
抑制することができる。また、蛍光部材13は、高出力の光が照射されても変質等が発生
しにくい耐光性及び耐熱性の良好な材料によって形成されているものが好ましい。例えば
、融点が1000℃~3000℃のものが挙げられ、1300℃~2500℃が好ましい
。無機材料としては、例えば、セラミックスが挙げられる。なかでも、透光性が良好であ
り、融点及び熱伝導性も良好であることから、酸化アルミニウムを含むものが好ましい。
蛍光部材13が蛍光体とセラミックス等の保持体との混合体によって形成される場合には
、蛍光体の割合が蛍光部材13の総重量に対して50重量%以下、30重量%以下が挙げ
られ、1重量%以上であることが好ましい。励起光の入射面と蛍光部材13の光取り出し
面が同じ面である反射型の場合は、50重量%以上でもよい。
蛍光部材13は、例えば、板状部材である。また、実質的に平坦な面を有することがで
き、さらには実質的に平坦な面を上面及び下面として平行に備えることができる。実質的
に平坦な面とは、巨視的に見て平坦であればよく、微視的に粗面であってもよい。蛍光部
材13の光取り出し面に粗面を用いる場合、光を乱反射させることができるため、蛍光と
レーザ素子からの光とをより効率的に混合させることができる。このような混合光が得ら
れる発光装置10は、車両用ヘッドライト用等のある程度均一な色度分布が求められる用
途に対して有利である。ここで、粗面とは、例えば、算術平均粗さRaが0.2以上のも
のを指し、1以下が好ましい。
蛍光部材13は、割れを防止し、ハンドリングを良好とすることと、放熱性とを考慮し
て、その厚みは、例えば、50μm~500μmが好ましく、80μm~350μmがよ
り好ましい。蛍光部材13は、部分的に厚みが変化していてもよい。
(第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12)
発光装置10では、少なくとも2つのレーザ素子が光源として用いられる。レーザ素子
は、指向性が強い光を出射するため、発光ダイオード(LED)が発する光よりも一般的
に輝度が高い。従って、光源としてレーザ素子を用いることにより、LEDを用いる場合
よりも高輝度な発光装置10を実現することができる。ただし、発光装置10は、3以上
の複数のレーザ素子を用いてもよい。
レーザ素子としては、例えば、窒化物半導体(主として一般式InxAlyGa1-x
-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される)などの半導体層の積層構造を備える
素子が挙げられる。その組成等を調整することにより、レーザ素子の発振波長を調整する
ことができる。例えば、紫外線の波長であってもよいが、400~500nmの範囲に発
振波長のピークを有する紫色光から青緑色光の範囲の光を発するレーザ素子を用いること
が好ましい。ただし、第1レーザ素子11と第2レーザ素子12とでは、半導体層の積層
構造(各半導体層の組成、積層順序、膜厚、不純物のドープ量等の設定値)は実質的に同
じものが好ましい。半導体層の積層構造が異なると温度特性が異なり、温度による波長シ
フトの度合いが変動するためである。例えば、同様の設定値で複数のレーザ素子を作製す
る場合、通常、発振波長にばらつきが生じるため、このようなレーザ素子の中から第1レ
ーザ素子11及び第2レーザ素子12を選択することができる。
発光装置10に含まれる第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12のピーク波長は、
蛍光体の励起ピークの波長を挟む波長である。レーザ素子のピーク波長は、それぞれ、例
えば、430~470nmが挙げられ、440~460nmが好ましい。第1レーザ素子
11及び第2レーザ素子12はそれぞれレーザ光を発振する。レーザ光はLED光よりも
半値全幅が狭く、例えば5nm以下であり、4nm以下であるものが好ましい。なお、第
1レーザ素子11のピーク波長及び第2レーザ素子12のピーク波長は、蛍光体の励起ピ
ークの波長に対して略対称に挟む波長であることが好ましい。ここでの略対称とは、±数
nm程度の変動は許容されることを意味する。なお、レーザ素子のピーク波長は温度によ
り変化するが、特に説明がない限り本明細書では「ピーク波長」とは通常の測定時におけ
るピーク波長を指す。通常の測定時のピーク波長とは、例えば、レーザ素子を室温で駆動
した際のピーク波長である。
また、第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12のピーク波長の差は、6nm以上で
あることが好ましく、8nm以上であることがより好ましく、10nm以上であることが
さらに好ましい。このようにピーク波長の差を大きくするほど、第1レーザ素子11及び
第2レーザ素子12のピーク波長が蛍光体の励起ピーク波長を挟むという関係が維持され
る温度の範囲を広くすることができる。一方、ピーク波長の差が大きすぎると、第1レー
ザ素子11及び第2レーザ素子12が発振するレーザ光がそれぞれ異なる色になる。これ
を避けるため、第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12のピーク波長との差は、これ
らが発振するレーザ光が同じ色(例えば青色)である程度に小さいことが好ましい。具体
的には、第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12のピーク波長との差は、50nm以
下であることが好ましく、40nm以下であることがより好ましく、30nm以下である
ことがさらに好ましい。
第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12のピーク波長は、それぞれ、蛍光体を十分
に励起できる波長であることが好ましい。具体的には、第1レーザ素子11及び第2レー
ザ素子12のピーク波長は、それぞれ、蛍光体の励起強度が励起ピークにおける励起強度
の50%以上となる波長であり、80%以上となる波長であることが好ましく、85%以
上となる波長であることがより好ましく、88%以上となる波長であることがさらに好ま
しい。
第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12の一方の出力を100%とした場合、他方
の出力が80~100%であることが好ましく、ほぼ両者の出力が同等であることがより
好ましい。ここでの同等とは、一方が他方の±5%以内の出力範囲であることが許容され
る。これにより、レーザ素子の温度変化が生じても、第1レーザ素子11による蛍光体に
よる励起強度及び第2レーザ素子12による蛍光体による励起強度の合計値の変動をより
少なくすることができる。その結果、レーザ素子の温度変化に伴う蛍光の強度変化量をよ
り一層低減させることができ、発光装置10が発光する光の色度の変化量をさらに低減さ
せることができる。
特に、第1レーザ素子11のピーク波長は、室温において蛍光体の励起スペクトルのピ
ーク波長よりも短く、且つ、発光装置10の駆動温度範囲の70%以上において蛍光体の
励起スペクトルのピーク波長よりも短いことが好ましい。また、第2レーザ素子12のピ
ーク波長は、室温において蛍光体の励起スペクトルのピーク波長よりも長く、且つ、発光
装置10の駆動温度範囲の70%以上において蛍光体の励起スペクトルのピーク波長より
も長いことが好ましい。さらに、これらを同時に満たすものがより好ましい。つまり、レ
ーザ素子の駆動やその周囲の温度の変動等によりレーザ素子の温度が変動しても、発光装
置10の駆動温度範囲の大部分において、各レーザ素子のピーク波長は、蛍光体の励起ピ
ークの両側に維持されることが好ましい。なお、発光装置10の駆動温度範囲としては、
発光装置10の保証温度範囲を用いることができる。例えば、低温が-20℃まで又は-
40℃までであり、上限が85℃まで又は135℃までである。また、発光装置10の駆
動温度は、例えば周囲温度Taで測定する。
図6に、450nm付近に励起ピークを有するYAG蛍光体を含有する蛍光部材と、レ
ーザ素子とを組み合わせて、周囲温度を25℃から85℃まで変化させたときの色度の変
化を示す。横軸に示す波長は、周囲温度25℃で測定したときのレーザ素子のピーク波長
である。レーザ素子は、ピーク波長が445nm、447nm、450nm、453nm
、456nmの5種類をそれぞれ複数個ずつ準備し、それぞれについて25℃での色度と
85℃での色度を測定した。そして、それらの差であるΔ色度を算出し、ピーク波長ごと
にΔ色度の平均値をグラフにプロットした。なお、色度xは色度座標におけるx値を示し
、色度yは色度座標におけるy値を示す。また、レーザ素子のピーク波長の、25℃から
85℃まで変化させたときの波長変化量は、平均+4nm程度であった。
図6に示すように、蛍光体の励起ピーク波長よりも長波側にピーク波長を有するレーザ
素子は、Δ色度の絶対値が、短波長側のレーザ素子よりも小さい傾向にある。このような
傾向となる理由は定かではないが、温度上昇に伴い蛍光体の励起スペクトルがブロード化
することが理由の1つと考えられる。このような傾向からすれば、1つの発光装置10に
3以上のレーザ素子が配置される場合は、蛍光体の励起ピーク波長よりも長波側にピーク
波長を有するレーザ素子の数を多くすることが好ましい。レーザ素子の組み合わせは、Δ
色度がゼロに近づく組み合わせほど好ましいからである。このような組み合わせは、ピー
ク波長が400~500nm程度のレーザ素子とYAG蛍光体とを組み合わせる場合に特
に好ましい。また、蛍光体の励起ピーク波長の短波側又は長波側のレーザ素子を複数とす
る場合、短波側又は長波側でそれぞれ、レーザ素子のピーク波長は同じ程度(±3nm、
好ましくは±1nm)が好ましい。発光装置10の発光の色度のシフトを計算しやすく、
調整がより容易となるからである。
第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12は、いずれも、これらのレーザ素子から出
射されるレーザ光が、直接又は光学部材等を介して、蛍光部材13に照射される位置に配
置されている。この場合、第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12は、それぞれから
照射されるレーザ光が、蛍光部材13の異なる領域に照射されるように配置されているこ
とが好ましい。光密度の増大及び/又は蛍光部材13の温度上昇による蛍光体の発光効率
低下を低減するためである。また、この場合、図1A及び1Bに示すように、複数のレー
ザ素子に対して1つの蛍光部材13を用いることが好ましい。これにより、蛍光部材13
の内部でそれぞれの光が混合されるため、発光装置10の発光の色むらを低減することが
できる。1つのレーザ素子に対して1つの蛍光部材13を用いる場合には、蛍光部材13
の光取り出し面側に、各蛍光部材13からの光を混合するための散乱部材を設けることが
好ましい。
レーザ素子は、蛍光部材13から離間した位置に設けることが好ましい。これにより、
レーザ素子の放熱経路と蛍光部材13の放熱経路とを別経路とすることができ、各部材の
熱を効率的に逃がすことができる。
例えば、図1A、1B、3及び4に示すように、レーザ素子11、12を、蛍光部材1
3、33、43の第1主面13a、33a、43a側に配置して、レーザ素子11、12
から出射された光を直接蛍光部材13、33、43の第1主面13a、33a、43aに
照射させることができる。蛍光部材13は、例えば、図1A、1Bに示すように、第1主
面13aを光取り出し面としてもよいし、例えば、図3、4に示すように、第1主面33
a、43aと反対側の第2主面を光取り出し面としてもよい。また、図2に示すように、
レーザ素子11、12を蛍光部材23の第1主面及び第2主面のいずれとも対面しない位
置に配置してもよい。この場合、レーザ素子11、12から出射された光を光反射部材2
4等で反射させて、その光の進行方向を変え、その後、蛍光部材23の第1主面に光を照
射させることができる。さらに、別の形態としては、ファイバ等の導光部材を用いてレー
ザ素子から出射される光の進行方向を制御した後、導光部材から出射する光を蛍光部材の
第1主面に照射させる形態が挙げられる。
(機能層等)
蛍光部材13は、その励起光入射面及び/又は光取り出し面側に、接触して又は非接触
で、機能層が付加されていてもよい。例えば、蛍光部材13の励起光入射面及び光取り出
し面の少なくともいずれかに、レーザ光の反射を抑える反射防止膜、励起光を透過し蛍光
を反射する短波長パスフィルター、励起光を反射し蛍光を透過する長波長パスフィルター
等が配置されていてもよい。
また、蛍光部材13の励起光入射面及び光取り出し面以外の面に、接触して又は非接触
で、光反射膜及び/又は光反射部材14を設けてもよい。例えば、反射型の場合は、蛍光
部材13の励起光が入射し且つ光が取り出される面とは反対側の面に、光反射膜及び/又
は光反射部材14を配置することができる。光反射膜及び/又は光反射部材14は、照射
されるレーザ光に対する反射率が60%以上であることが好ましく、さらには90%以上
であることが好ましい。蛍光に対する反射率も60%以上であることが好ましく、さらに
は90%以上であることが好ましい。
蛍光部材13のいずれかの面に、透光部材を配置してもよい。透光部材としては、レー
ザ光の60%以上を透過するものが挙げられ、80%以上を透過するものが好ましい。透
光部材は、蛍光に対しても同様に高い透過率を有することが好ましい。
(パッケージ部材15)
少なくともレーザ素子は、パッケージ部材15内に配置されていることが好ましく、パ
ッケージ部材15によりレーザ素子が気密封止されていることが好ましい。これによりレ
ーザ素子が出射するレーザ光による集塵を抑制することができる。
パッケージ部材15は、放熱性が良好な材料、例えば、銅、銅合金又は鉄合金等を含む
金属、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウム等を含むセラミックによって形成すること
が好ましい。通常、パッケージ部材15は、例えば、ベースとキャップとから構成され、
両者は、共晶材料等を用いて又は溶接によって接合される。パッケージ部材15を構成す
るベース及び/又はキャップの形状は、例えば、平面形状が、略円形、略楕円形、略多角
形等の種々の形状が挙げられる。
パッケージ部材15には、蛍光部材13が接触していることが好ましい。これによって
、蛍光部材13、特に蛍光体で発生する熱を効果的に放出することができ、温度特性の向
上、つまり高温時の発光効率の向上を図ることができる。蛍光部材13は、パッケージ部
材15内に配置されていてもよいし、パッケージ部材15の光取り出し窓を塞ぐ位置に配
置されていてもよい。
また、蛍光部材13をパッケージ部材15の外に配置することも可能である。例えば、
レーザ素子をパッケージ部材15で気密封止し、パッケージ部材15から出射するレーザ
光を、直接又はファイバ等の中継部材を介して、蛍光部材13に照射することができる。
この場合、パッケージ部材15は蛍光部材13の放熱経路ではなくなるため、蛍光部材1
3の放熱経路となる別の放熱部材を設けることが好ましい。
(サブマウント16)
レーザ素子は、パッケージ部材15に直接又はサブマウント16等を介して配置するこ
とができる。パッケージ部材15の、例えば、ベースの上面にサブマウント16を介して
配置することにより、レーザ素子の光出射端面をベースの上面から離すことができ、レー
ザ素子からの光がベースの上面に当たるのを回避することができる。また、サブマウント
16を利用して、放熱性を向上させることができる。サブマウントは、例えば、窒化アル
ミニウム、炭化珪素等によって形成することができる。
(集光レンズ)
発光装置10においては、レーザ素子から蛍光部材13までの間、及び/又は、蛍光部
材13からの光の進路上において、集光レンズ等のレンズが配置されていてもよい。これ
により、レーザ素子からの光及び/又は蛍光部材13からの光の照射範囲を制御すること
が容易となる。
〔発光装置10の製造方法〕
上述したような発光装置10を製造する場合、まず、蛍光体を準備する。この蛍光体は
、レーザ素子が出射するレーザ光により励起可能な蛍光体の中から適宜選択することがで
きる。
次いで、選択した蛍光体の励起ピークを挟むピーク波長を有する複数のレーザ素子を準
備し、蛍光体の励起ピークよりも短波であるピーク波長の群と、長波であるピーク波長の
群との2つの群に分類する。これら2つの群の波長範囲は、それぞれ、蛍光体を十分に励
起できる波長範囲であることが好ましい。具体的には、蛍光体の励起スペクトルにおける
蛍光体の励起強度が励起ピークにおける励起強度の80%以上となる範囲であることが好
ましい。
そして、これらのレーザ素子の2つの群それぞれから1以上レーザ素子を選択し、これ
らのレーザ素子を、選択した蛍光体と組み合わせて発光装置10として組み立てることに
より、発光装置10を製造することができる。
このような製造方法により、レーザ素子の温度変化に伴う蛍光の強度変化量を低減させ
ることができ、発光する光の色度の変化量を低減可能な発光装置10を製造することがで
きる。
〔実施形態1〕
図1A及び1Bに示すように、実施形態1の発光装置10は、蛍光体を含む蛍光部材1
3と、第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12とを備える。なお、図1Aは、発光装
置10の蓋を省略した状態を示す概略構成の平面図である。
これら蛍光部材13と、第1レーザ素子11及び第2レーザ素子12は、パッケージ部
材15内に気密封止されている。パッケージ部材15は、例えば、コバールによって形成
されている。パッケージ部材15の上面の一部に光を取り出す光取り出し窓15aが、例
えば、上面視において2mm×2mmの長方形で、ガラスにより形成され、設けられてい
る。
蛍光部材13は、板状の部材であり、YAG蛍光体(励起ピーク:450nm、励起ピ
ークを有する励起スペクトルの半値幅:100nm)と酸化アルミニウム(融点:約19
00℃~2100℃)との焼結体により形成されている。YAG蛍光体は、蛍光部材13
の全重量に対して、3重量%含有されている。蛍光部材13の大きさは、例えば、1×1
×0.5mmである。蛍光部材13は、第1及び第2レーザ素子11、12から出射され
る光の光路に対して、第1主面13aが45度の角度を有する面となるように配置してい
る。
蛍光部材13の第2主面(レーザ素子と対向していない面)には、光反射部材14が配
置されている。この光反射部材14は、レーザ素子11からの光を光取り出し窓15aに
向かって反射させることができる位置に配置している。光反射部材14は、例えば、三角
柱形状を有する。光反射部材14は、その三角柱の側面である矩形状の面をレーザ素子1
1、12からの光を反射する面としている。光反射部材14は、アルミニウムによって形
成されている。光反射部材14は、蛍光部材13が設けられた側と異なる側において、そ
の表面の略全面がパッケージ部材15に密着して配置されている。
第1及び第2レーザ素子11、12は、室温測定のピーク波長がそれぞれ445nm、
455nmであり(その差は10nm)、それぞれ半値幅が1nm、1nmである。第1
レーザ素子11及び第2レーザ素子12のピーク波長は、それぞれ、蛍光体の励起強度が
励起ピークの95%、99%となる波長である。第1レーザ素子11の出力を100%と
した場合、第2レーザ素子12の出力は、96%である。
第1及び第2レーザ素子11、12はそれぞれ、室温でのピーク波長からのシフト量が
、-40℃のときに-3.4nm程度であり、85℃のときに+4.2nm程度である。
したがって、少なくとも-40~85℃の範囲において第1及び第2レーザ素子11、1
2のピーク波長は励起ピーク波長の両側に位置している。発光装置10の駆動温度範囲を
-40~135℃とする場合には、-40~85℃は駆動温度範囲の約71%である。つ
まり、第1レーザ素子11のピーク波長は、室温においてYAG蛍光体の励起スペクトル
のピーク波長よりも短く、発光装置の駆動温度範囲の70%以上において、YAG蛍光体
の励起スペクトルのピーク波長よりも短い。また、第2レーザ素子12のピーク波長は、
室温においてYAG蛍光体の励起スペクトルのピーク波長よりも長く、発光装置の駆動温
度範囲の70%以上においてYAG蛍光体の励起スペクトルのピーク波長よりも長い。
レーザ素子11、12は、それらから出射されるレーザ光が、蛍光部材13内の異なる
領域に照射されるように、窒化アルミニウム(AlN)からなるサブマウント16上に、
平面視で略平行に設置されている。
このような構成を有することにより、第1及び第2レーザ素子11、12から出射され
た光を蛍光部材13に入射させ、その光を、光反射部材14を利用して取り出すことがで
きる。この際、発光装置10の駆動及び使用環境における温度によって、レーザ素子の温
度が変動し、それに伴って、レーザ光の波長がシフトする。しかしこの場合において、蛍
光体の励起ピークの前後における2種類の第1及び第2レーザ素子11、12を組み合わ
せることにより、第1及び第2レーザ素子11、12による蛍光体の励起強度の合計値の
変動量を低減することができる。これにより、発光装置10から取り出される光の色度の
変化量を低減することができる。
このような発光装置10は、特に、車載用途(例えば-数十℃から100℃程度までの
温度変化の環境下で用いられる)に有利となる。
また、1つの蛍光部材13と第1及び第2レーザ素子11、12とが、1つのパッケー
ジ部材15内に気密封止される場合には、パッケージ部材15内の温度が略同じであるた
めに、第1及び第2レーザ素子11、12の波長のシフト量が揃う。このために、発光装
置10が発光する光の色度の調整を容易に行うことができる。
〔実施形態2〕
図2に示すように、実施形態2の発光装置20では、蛍光部材23は、板状の部材であ
り、パッケージ部材15の光取り出し窓に収まるように配置されている。そして、光反射
部材24が、第1及び第2レーザ素子11、12から出射される光の光路に対して、その
一面が45度の角度を有する面となるように、さらにその反射光が蛍光部材23に入射す
るように配置されている。これらの構成以外、実質的に発光装置10と同様の構成を有す
る。
この発光装置20においても、発光装置10と同様の効果を得ることができる。
〔実施形態3〕
図3に示すように、実施形態3の発光装置30では、第1及び第2レーザ素子11、1
2と、第1及び第2レーザ素子11、12の光路上に貫通孔が設けられたキャップ35と
、貫通孔内に配置された蛍光部材33とを備える。
レーザ素子11、12は、レーザ素子から出射された光が、それぞれ蛍光部材33の第
1主面33aの異なる領域に出射されるように、サブマウント16を介して、ステム36
上に配置されている。ステム36は、キャップ35と気密封止されている。なお、キャッ
プ35及びステム36はパッケージ部材を構成する。
これらの構成以外は、実質的に発光装置10と同様の構成を有する。
この発光装置30においても、発光装置10と同様の効果を得ることができる。
〔実施形態4〕
実施形態4の発光装置40は、図4に示すように、第1及び第2レーザ素子11、12
が、パッケージ部材のベース45bの上面に対してサブマウント16を介して平行に配置
されている。第1及び第2レーザ素子11、12の光出射面に対応して、パッケージ部材
のキャップ45aの側方の壁に貫通孔を有し、この貫通孔内に蛍光部材43が配置されて
いる。第1及び第2レーザ素子11、12は、蛍光部材43の第1主面43aの異なる位
置にレーザ光が出射されるように配置されている。
これらの構成以外は実質的に発光装置10と同様の構成を有する。
この発光装置40においても、発光装置10と同様の効果を得ることができる。
10、20、30、40 :発光装置
11 :第1レーザ素子
12 :第2レーザ素子
13、23、33、43 :蛍光部材
13a、33a、43a :第1主面
14、24 :光反射部材
15 :パッケージ部材
15a :光取り出し窓
16 :サブマウント
35、45a :キャップ
36 :ステム
45b :ベース

Claims (6)

  1. 励起ピーク波長を有し且つ前記励起ピークを有する励起スペクトルの半値全幅が110nm以下である蛍光体が含有された蛍光部材を準備し、
    複数のレーザ素子のピーク波長を測定し、
    前記複数のレーザ素子から、前記蛍光体の励起ピーク波長よりも短い第1ピーク波長を有する第1レーザ素子と、前記第1ピーク波長との差が6nm以上50nm以下であり且つ前記蛍光体の励起ピーク波長よりも長い第2ピーク波長を有する第2レーザ素子と、を選択し、
    前記第1レーザ素子と前記第2レーザ素子と前記蛍光体部材とを、前記第1レーザ素子及び前記第2レーザ素子から出射されるレーザ光が前記蛍光部材に照射されるように組み合わせて発光装置を製造することを含む発光装置の製造方法。
  2. 前記第1レーザ素子と前記第2レーザ素子をパッケージ部材内に配置し、前記蛍光体を前記パッケージ部材に接触させることにより、前記発光装置を製造する請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記蛍光部材は板状である請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記蛍光部材の異なる領域に前記第1レーザ素子及び前記第2レーザ素子のレーザ光がそれぞれ照射される位置に、前記第1レーザ素子及び前記第2レーザ素子を配置する請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記第1レーザ素子及び前記第2レーザ素子の一方の出力を100%とした場合、他方の出力が80~100%である請求項1~のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記第1ピーク波長および前記第2ピーク波長は、それぞれ、前記蛍光体の励起スペクトルにおける前記蛍光体の励起強度が前記励起ピークの励起強度の80%以上となる範囲である請求項1~のいずれか1つに記載の発光装置の製造方法。
JP2021143765A 2016-11-30 2021-09-03 発光装置の製造方法 Active JP7201936B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021143765A JP7201936B2 (ja) 2016-11-30 2021-09-03 発光装置の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016232743A JP6944104B2 (ja) 2016-11-30 2016-11-30 発光装置
JP2021143765A JP7201936B2 (ja) 2016-11-30 2021-09-03 発光装置の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016232743A Division JP6944104B2 (ja) 2016-11-30 2016-11-30 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021184506A JP2021184506A (ja) 2021-12-02
JP7201936B2 true JP7201936B2 (ja) 2023-01-11

Family

ID=60473379

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016232743A Active JP6944104B2 (ja) 2016-11-30 2016-11-30 発光装置
JP2021143765A Active JP7201936B2 (ja) 2016-11-30 2021-09-03 発光装置の製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016232743A Active JP6944104B2 (ja) 2016-11-30 2016-11-30 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10648911B2 (ja)
EP (1) EP3331108B1 (ja)
JP (2) JP6944104B2 (ja)
CN (1) CN108119779B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7319528B2 (ja) * 2019-06-04 2023-08-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US20230344192A1 (en) * 2020-06-08 2023-10-26 Nichia Corporation Light emitting device
WO2024028137A1 (en) 2022-08-04 2024-02-08 Signify Holding B.V. High-brightness laser-phosphor lighting with cct control

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071726A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006173324A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2007173595A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp 発光装置とそれを含む表示装置
JP2008282984A (ja) 2007-05-10 2008-11-20 Nichia Corp 半導体発光装置
JP2011067266A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Fujifilm Corp 内視鏡装置
WO2012042962A1 (ja) 2010-09-30 2012-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP2012208445A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Olympus Corp 光源装置及びそれを用いた光源システム
WO2013015357A1 (ja) 2011-07-28 2013-01-31 オリンパス株式会社 光源装置
US20140126200A1 (en) 2008-08-05 2014-05-08 The Regents Of The University Of California White light source employing a iii-nitride based laser diode pumping a phosphor
JP2017536680A (ja) 2014-12-02 2017-12-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. レーザベースの照明システムおよび方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100894372B1 (ko) * 2001-10-01 2009-04-22 파나소닉 주식회사 반도체 발광소자와 이를 이용한 발광장치
US7433115B2 (en) 2004-12-15 2008-10-07 Nichia Corporation Light emitting device
JP4401348B2 (ja) * 2004-12-28 2010-01-20 シャープ株式会社 発光デバイスならびにそれを用いた照明機器および表示機器
KR101388470B1 (ko) 2005-02-28 2014-04-23 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 형광체 및 그 제조 방법, 및 그 응용
JP4822919B2 (ja) 2006-04-26 2011-11-24 シャープ株式会社 発光装置および車両用ヘッドランプ
JP2008311320A (ja) 2007-06-13 2008-12-25 Ushio Inc レーザダイオードチップおよびその製造方法
JP2009153712A (ja) 2007-12-26 2009-07-16 Olympus Corp 光源装置およびそれを備えた内視鏡装置
US8506478B2 (en) 2008-06-04 2013-08-13 Fujifilm Corporation Illumination device for use in endoscope
JP5344149B2 (ja) 2009-01-28 2013-11-20 東芝ライテック株式会社 Led装置の製造方法
JP2012109400A (ja) 2010-11-17 2012-06-07 Sharp Corp 発光素子、発光装置および発光素子の製造方法
JP5606342B2 (ja) 2011-01-19 2014-10-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5707618B2 (ja) * 2011-06-30 2015-04-30 シャープ株式会社 発光装置
JP2013109928A (ja) 2011-11-18 2013-06-06 Sharp Corp 照明装置、車両用前照灯、およびダウンライト
JP2013191385A (ja) 2012-03-13 2013-09-26 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
RU2623682C2 (ru) 2012-04-06 2017-06-28 Филипс Лайтинг Холдинг Б.В. Модуль излучения белого света
JP6253231B2 (ja) * 2012-12-27 2017-12-27 オリンパス株式会社 被検体観察システム及びその方法、カプセル型内視鏡システム
DE102013206154A1 (de) * 2013-04-08 2014-10-09 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchtvorrichtung mit variabel einstellbarer Lichtfarbe
JP2015022955A (ja) 2013-07-22 2015-02-02 日立金属株式会社 光源装置
US9797556B2 (en) * 2013-10-29 2017-10-24 Philips Lighting Holding B.V. Phosphor based lighting devices and method of generating a light output
JP6225663B2 (ja) 2013-11-21 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2015126160A (ja) 2013-12-27 2015-07-06 サンケン電気株式会社 発光装置
JP6225812B2 (ja) * 2014-04-18 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6524612B2 (ja) * 2014-05-23 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP5949872B2 (ja) * 2014-10-27 2016-07-13 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
KR101758165B1 (ko) * 2015-02-17 2017-07-14 엘지전자 주식회사 레이저 다이오드를 포함하는 광출력장치
JP2016219519A (ja) 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
WO2017021087A1 (en) 2015-07-31 2017-02-09 Philips Lighting Holding B.V. Crisp white with improved efficiency

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071726A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006173324A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2007173595A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp 発光装置とそれを含む表示装置
JP2008282984A (ja) 2007-05-10 2008-11-20 Nichia Corp 半導体発光装置
US20140126200A1 (en) 2008-08-05 2014-05-08 The Regents Of The University Of California White light source employing a iii-nitride based laser diode pumping a phosphor
JP2011067266A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Fujifilm Corp 内視鏡装置
WO2012042962A1 (ja) 2010-09-30 2012-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP2012208445A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Olympus Corp 光源装置及びそれを用いた光源システム
WO2013015357A1 (ja) 2011-07-28 2013-01-31 オリンパス株式会社 光源装置
JP2017536680A (ja) 2014-12-02 2017-12-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. レーザベースの照明システムおよび方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200232919A1 (en) 2020-07-23
JP6944104B2 (ja) 2021-10-06
US20180149591A1 (en) 2018-05-31
CN108119779B (zh) 2021-03-30
JP2021184506A (ja) 2021-12-02
EP3331108B1 (en) 2024-05-15
EP3331108A1 (en) 2018-06-06
US11018471B2 (en) 2021-05-25
US10648911B2 (en) 2020-05-12
CN108119779A (zh) 2018-06-05
JP2018092977A (ja) 2018-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7201936B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6253392B2 (ja) 発光装置及びそれを用いたプロジェクター用光源
US10527235B2 (en) Light emitting device
JP2017198983A (ja) 波長変換部材および投光器
JP2011009305A (ja) 発光モジュール
JP2012190628A (ja) 光源装置および照明装置
US10174925B2 (en) Wavelength conversion member and light source device having wavelength conversion member
JP2012129135A (ja) 光源装置、照明装置、蛍光体層作製方法
US10514135B2 (en) Light emitting device
JP5550368B2 (ja) 光源装置および照明装置
JP2013168602A (ja) 光源装置および照明装置
US11585494B2 (en) Fluorescent module and illumination device
JP2006222297A (ja) 白色発光装置
JP6022839B2 (ja) 発光装置
JP5766521B2 (ja) 照明装置
JP2021144062A (ja) 波長変換素子、光源装置、車両用前照灯具、表示装置、光源モジュール、投影装置
US20210215318A1 (en) Phosphor element, method for producing same, and lighting device
JP6728931B2 (ja) 光源装置およびプロジェクター
JPWO2020100728A1 (ja) 発光装置
US20240063349A1 (en) Light-emitting device
JP7319528B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6149617B2 (ja) 光源装置
JP2018097351A (ja) 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2012111928A (ja) 蛍光材料および白色光発光素子
CN115769391A (zh) 陶瓷磷光体阵列

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210921

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210921

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221205

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7201936

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151