CN108119779A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种发光装置，在将激光元件与荧光体组合并发出它们的混合光的发光装置中，能够缓和与温度变化相伴的色度偏移。所述发光装置具备荧光体以及使激发该荧光体的激光振荡的第一激光元件及第二激光元件，所述第一激光元件及第二激光元件的所振荡的激光的峰值波长互不相同，所述第一激光元件的峰值波长与所述第二激光元件的峰值波长是夹着所述荧光体的激发峰值的波长的波长。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
一直以来，作为各种光源，利用有将半导体激光器与荧光体组合而使用的发光装置(例如，专利文献1等)。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2012-109400号公报
但是，作为半导体激光器的激光元件在因驱动所引起的发热而温度变高时，激光元件发出的光向长波侧偏移，而在温度变低时向短波侧偏移。与此相对，在荧光体中，即便产生温度变化，激发光谱的峰值也不发生实质性变动。由于激光元件所振荡的激光的发光光谱的半峰全宽窄，因此将激光元件与荧光体组合而得到的混合光容易因温度而导致色度发生变化。
发明内容
本发明的一个实施方式是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种发光装置，在将激光元件与荧光体组合并发出它们的混合光的发光装置中，能够缓和与温度变化相伴的色度偏移。
本申请包括以下的发明。
(1)一种发光装置，其特征在于，具备：荧光体；以及第一激光元件及第二激光元件，其使激发该荧光体的激光振荡，所述第一激光元件及第二激光元件的所振荡的激光的峰值波长互不相同，所述第一激光元件的峰值波长与第二激光元件的峰值波长是夹着所述荧光体的激发峰值的波长的波长。
(2)一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：准备荧光体；将具有夹着该荧光体的激发峰值的峰值波长的多个激光元件分为与所述激发峰值相比为短波的峰值波长的组、和与所述激发峰值相比为长波的峰值波长的组这两组；以及将分别从所述激光元件的两组选择一个以上而得到的多个激光元件与所述荧光体组合而制造发光装置。
发明效果
根据本发明的一个实施方式，在将激光元件与荧光体组合并发出它们的混合光的发光装置中，能够有效地缓和与温度变化相伴的色度偏移。
附图说明
图1A是示出实施方式1的发光装置的概要结构的俯视图。
图1B是图1A的Ib-Ib线的概要剖视图。
图2是实施方式2的发光装置的概要剖视图。
图3是实施方式3的发光装置的概要剖视图。
图4是实施方式4的发光装置的概要剖视图。
图5是示出YAG荧光体的激发光谱的图表。
图6是示出激光元件的25℃下的峰值波长与从25℃变化至85℃时的色度变化量之间的关系的图表。
附图标记说明：
10、20、30、40：发光装置；
11：第一激光元件；
12：第二激光元件；
13、23、33、43：荧光构件；
13a、33a、43a：第一主面；
14、24：光反射构件；
15：封装构件；
15a：光取出窗；
16：副安装座；
35、45a：帽构件；
36：管座；
45b：基座。
具体实施方式
以下所示的方式仅是用于将本发明的技术思想具体化的例示，并非将本发明限定为以下内容。另外，各附图所示的构件的大小、位置关系等有时为了便于说明而有所夸张。此外，关于相同的名称、附图标记，原则上示出相同或同质的构件，并适当地省略重复的说明。
〔发光装置10〕
例如，如图1A以及1B所示，发光装置10构成为具备包括荧光体的荧光构件13、以及激光元件。
作为激光元件，具有使激发荧光体的激光振荡的两个激光元件，即具有第一激光元件11及第二激光元件12。
第一激光元件11及第二激光元件12的所振荡的激光的峰值波长互不相同，第一激光元件11的峰值波长以及第二激光元件12的峰值波长是夹着荧光体的激发峰值的波长。
通过具有上述那样的结构，即便在因产生温度变化而导致第一激光元件11及第二激光元件12这双方的发光峰值波长发生了偏移的情况下，也能够减少发光装置10发出的光的色度的变化量。作为荧光体的激发光谱的一例，图5示出YAG荧光体的激发光谱的一例。图5的纵轴为相对强度，表示相对强度越大则激发强度越大。如图5所示，例如假定如下情况：第一激光元件11发出峰值波长比荧光体的激发峰值波长短的激光，第二激光元件12发出峰值波长比荧光体的激发峰值波长长的激光。在该情况下，若温度变高，则第一激光元件11的峰值波长和第二激光元件12的峰值波长均向长波长侧偏移。在此，第一激光元件11的激光的峰值波长接近荧光体的激发峰值波长，因此缘于第一激光元件11的荧光变强，另一方面，第二激光元件12的激光的峰值波长远离荧光体的激发峰值波长，因此缘于第二激光元件的荧光变弱。另外，若温度变低，则第一激光元件11的峰值波长和第二激光元件12的峰值波长均向短波长侧偏移。在此，第一激光元件11的激光的峰值波长远离荧光体的激发峰值波长，因此缘于第一激光元件11的荧光变弱，另一方面，第二激光元件12的激光的峰值波长接近荧光体的激发峰值波长，因此缘于第二激光元件的荧光变强。
从而，由于在温度变高的情况和变低的情况下均能够减轻荧光整体的强度变化，因此能够减小发光装置10发出的光的色度的变化量。上述那样的效果所要求的温度范围例如为-数十℃到100℃左右而较大，换句话说，在适用温度范围较大的车载用途中尤为有利。需要说明的是，激光元件的波长偏移本身也会导致发光装置10发出的光的色度发生些许变化，但与荧光体的激发强度的变化相比影响小，几乎可以无视。
(荧光体)
荧光体用于对从激光元件射出的激光的至少一部分进行波长转换。荧光体使用在激发光谱中具有激发峰值的材料。需要说明的是，虽然荧光体的激发光谱有时存在多个激发峰值，但在没有特别说明的情况下，在本说明书中，“激发峰值”是指多个激发峰值中的最接近激发光的波长的激发峰值。具有该激发峰值的激发光谱的半峰全宽(FWHM)越窄，激发光对波长偏移的影响越大。因此，尤其是在使用FWHM比较窄的荧光体的情况下，作为激发源而优选使用第一激光元件11及第二激光元件12。比较窄的FWHM例如为110nm以下，进而优选为90nm以下，更优选为75nm以下。另外，作为FWHM比较窄的荧光体，具体地可以举出YAG系荧光体、LAG系荧光体、TAG系荧光体等。尤其是在使用活性层由GaN系材料构成的激光元件的情况下，优选对激光的耐久性高且能够与蓝色激光器组合而得到白色光的YAG系荧光体。也可以使用多个种类的荧光体，还可以将两种以上的荧光体包含于一个荧光构件13内。在作为荧光体而使用多个种类的情况下，优选以发光强度强的一个荧光体的激发峰值为基准。在使用两种以上的荧光体时，一个荧光体的荧光还能够成为其他荧光体的激发源，因此使用一种荧光体更容易实现通过第一激光元件11及第二激光元件12带来的波长偏移的影响缓和效果，故而优选。
(含有荧光体的荧光构件13)
荧光构件13可以仅由荧光体构成，也可以包括荧光体和用于保持荧光体的保持体而构成。
荧光构件13在仅由荧光体形成的情况下，能够成为与包括保持体的情况相比散射少且透射率高的荧光构件13。
在荧光构件13包括保持体的情况下，保持体优选由无机材料形成。由此，能够抑制从激光元件射出的光引起的保持体的劣化、变色等。另外，荧光构件13优选由即便照射有高输出的光也难以发生变质等的耐光性以及耐热性良好的材料形成。例如可以举出熔点为1000℃～3000℃的材料，优选为1300℃～2500℃。作为无机材料，例如可以举出陶瓷。其中，由于透光性良好、熔点以及导热性也良好，因此优选含有氧化铝。
在荧光构件13由荧光体与陶瓷等的保持体的混合体形成的情况下，可以举出荧光体的比例相对于荧光构件13的总重量为50重量％以下、30重量％以下，优选为1重量％以上。在激发光的入射面与荧光构件13的光取出面为相同的面即反射型的情况下，也可以为50重量％以上。
荧光构件13例如为板状构件。另外，能够具有实质上平坦的面，进而能够平行地具备实质上平坦的面作为上表面以及下表面。实质上平坦的面只要宏观地平坦即可，微观下也可以为粗糙面。在荧光构件13的光取出面使用粗糙面的情况下，由于能够使光散射，因此能够更高效地使荧光与来自激光元件的光混合。能够获得上述那样的混合光的发光装置10在车辆用头灯用等谋求一定程度均匀的色度分布的用途方面是有利的。在此，粗糙面例如是指算术平均粗糙度Ra为0.2以上的面，优选为1以下。
荧光构件13考虑到防止破裂、处理性良好以及散热性，其厚度例如优选为50μm～500μm，更优选为80μm～350μm。荧光构件13的厚度也可以局部地发生变化。
(第一激光元件11及第二激光元件12)
在发光装置10中，至少两个激光元件被用作光源。激光元件由于射出指向性强的光，因此亮度通常比发光二极管(LED)发出的光的亮度高。因此，通过使用激光元件作为光源，与使用LED的情况相比，能够实现高亮度的发光装置10。其中，发光装置10也可以使用3个以上的多个激光元件。
作为激光元件，例如，可以举出具备氮化物半导体(主要由通式InxAlyGa1-x-yN，0≤x，0≤y，x+y≤1)表示)等的半导体层的层叠构造的元件。通过调整其组成等，能够调整激光元件的振荡波长。例如可以是紫外线的波长，优选使用发出在400～500nm的范围具有振荡波长的峰值的紫色光至蓝绿色光的范围的光的激光元件。其中，在第一激光元件11和第二激光元件12中，半导体层的层叠构造(各半导体层的组成、层叠顺序、膜厚、杂质的掺杂量等的设定值)优选实质上相同。这是因为，若半导体层的层叠构造不同，则温度特性不同，基于温度的波长偏移的程度发生变动。例如，在以同样的设定值制作多个激光元件的情况下，通常，振荡波长产生偏差，因此能够从上述那样的激光元件中选择第一激光元件11及第二激光元件12。
发光装置10所包含的第一激光元件11及第二激光元件12的峰值波长是夹着荧光体的激发峰值的波长的波长。激光元件的峰值波长分别例如可以举出430～470nm，优选为440～460nm。第一激光元件11及第二激光元件12分别使激光振荡。激光的半峰全宽比LED光的半峰全宽窄，例如为5nm以下，优选为4nm以下。需要说明的是，第一激光元件11的峰值波长以及第二激光元件12的峰值波长优选为将荧光体的激发峰值的波长大致对称地夹着的波长。在此的“大致对称”是指，允许±数nm左右的变动。需要说明的是，激光元件的峰值波长根据温度而发生变化，但只要没有特别地说明，在本说明书中，“峰值波长”是指通常的测定时的峰值波长。通常的测定时的峰值波长是指，例如，在室温下驱动激光元件时的峰值波长。
另外，第一激光元件11与第二激光元件12的峰值波长之差优选为6nm以上，更优选为8nm以上，进一步优选为10nm以上。这样，越是增大峰值波长之差，越是能够扩大维持第一激光元件11及第二激光元件12的峰值波长夹着荧光体的激发峰值波长这样的关系的温度的范围。另一方面，若峰值波长之差过大，则第一激光元件11及第二激光元件12所振荡的激光成为分别不同的颜色。为了避免这种情况，第一激光元件11及第二激光元件12的峰值波长之差优选为小至所振荡的激光为相同的颜色(例如蓝色)的程度。具体地说，第一激光元件11与第二激光元件12的峰值波长之差优选为50nm以下，更优选为40nm以下，进一步优选为30nm以下。
第一激光元件11及第二激光元件12的峰值波长分别优选为能够充分地激发荧光体的波长。具体地说，第一激光元件11及第二激光元件12的峰值波长分别是使荧光体的激发强度成为激发峰值中的激发强度的50％以上的波长，优选为成为80％以上的波长，更优选为成为85％以上的波长，进一步优选为成为88％以上的波长。
在将第一激光元件11及第二激光元件12中的一方的输出设为100％的情况下，优选另一方的输出为80～100％，更优选两者的输出几乎等同。在此的“等同”是指，允许一方为另一方的±5％以内的输出范围。由此，即便产生激光元件的温度变化，也能够进一步减小基于第一激光元件11的荧光体的激发强度以及基于第二激光元件12的荧光体的激发强度的合计值的变动。其结果是，能够进一步减小与激光元件的温度变化相伴的荧光的强度变化量，能够进一步减小发光装置10发出的光的色度的变化量。
尤其优选第一激光元件11的峰值波长在室温下比荧光体的激发光谱的峰值波长短，并且在发光装置10的驱动温度范围的70％以上比荧光体的激发光谱的峰值波长短。另外，优选第二激光元件12的峰值波长在室温下比荧光体的激发光谱的峰值波长长，并且在发光装置10的驱动温度范围的70％以上比荧光体的激发光谱的峰值波长长。进而更优选同时满足这些条件。换句话说，优选即便因激光元件的驱动、其周围的温度的变动等导致激光元件的温度发生变动，在发光装置10的驱动温度范围的大部分中，各激光元件的峰值波长也维持在荧光体的激发峰值的两侧。需要说明的是，作为发光装置10的驱动温度范围，能够使用发光装置10的保证温度范围。例如，低温低至-20℃或者-40℃，上限高至85℃或者135℃。另外，发光装置10的驱动温度例如以周围温度Ta进行测定。
图6示出将含有在450nm附近具有激发峰值的YAG荧光体的荧光构件与激光元件组合并使周围温度从25℃变化至85℃时的色度的变化。横轴所示的波长是以周围温度25℃进行测定时的激光元件的峰值波长。激光元件针对峰值波长为445nm、447nm、450nm、453nm、456nm这五种而分别准备多个，并分别测定25℃下的色度和85℃下的色度。然后，计算这些之差即Δ色度，并按照峰值波长将Δ色度的平均值标绘于图表。需要说明的是，色度x表示色度坐标中的x值，色度y表示色度坐标中的y值。另外，激光元件的峰值波长的、从25℃变化至85℃时的波长变化量为平均+4nm左右。
如图6所示，在比荧光体的激发峰值波长靠长波侧具有峰值波长的激光元件的Δ色度的绝对值呈现比短波长侧的激光元件小的趋势。虽然成为上述那样的趋势的理由并不确定，但认为理由之一是伴随着温度上升而荧光体的激发光谱宽大化。若根据上述那样的趋势，则在一个发光装置10配置有3个以上的激光元件的情况下，优选增多在比荧光体的激发峰值波长靠长波侧具有峰值波长的激光元件的数量。这是因为，激光元件的组合越是Δ色度接近零的组合越为优选。上述那样的组合在将峰值波长为400～500nm左右的激光元件与YAG荧光体组合的情况下尤为优选。另外，在将荧光体的激发峰值波长的短波侧或者长波侧的激光元件设为多个的情况下，优选在短波侧或者长波侧分别将激光元件的峰值波长设为相同的程度(±3nm，优选为±1nm)。这是因为，容易计算发光装置10的发光的色度的偏移，调整变得更容易。
第一激光元件11及第二激光元件12均配置在从这些激光元件射出的激光直接或者经由光学构件等而照射于荧光构件13的位置。在该情况下，第一激光元件11及第二激光元件12优选配置为从各自照射的激光照射于荧光构件13的不同区域。这是为了减少因光密度的增大及/或荧光构件13的温度上升导致的荧光体的发光效率降低。另外，在该情况下，如图1A以及1B所示，优选相对于多个激光元件而使用一个荧光构件13。由此，由于在荧光构件13的内部将各个光混合，因此能够减少发光装置10的发光的颜色不均。在相对于一个激光元件而使用一个荧光构件13的情况下，优选在荧光构件13的光取出面侧设置用于对来自各荧光构件13的光进行混合的散射构件。
激光元件优选设置在与荧光构件13分离的位置。由此，能够将激光元件的散热路径与荧光构件13的散热路径设为不同的路径，能够有效地将各构件的热散出。
例如，如图1A、1B、3以及4所示，将激光元件11、12配置在荧光构件13、33、43的第一主面13a、33a、43a侧，能够使从激光元件11、12射出的光直接照射于荧光构件13、33、43的第一主面13a、33a、43a。例如，如图1A，1B所示，荧光构件13也可以将第一主面13a设为光取出面，例如，如图3、4所示，荧光构件13可以将与第一主面33a、43a相反的一侧的第二主面设为光取出面。另外，如图2所示，也可以将激光元件11、12配置于与荧光构件23的第一主面以及第二主面的任一者均不面对的位置。在该情况下，能够利用光反射构件24等使从激光元件11、12射出的光反射而改变该光的行进方向，然后使光向荧光构件23的第一主面照射。此外，作为其他方式，可以举出如下方式：在使用光纤等导光构件而控制从激光元件射出的光的行进方向之后，使从导光构件射出的光照射于荧光构件的第一主面。
(功能层等)
荧光构件具有激发光入射面和光取出面。在图1A以及1B中，激发光入射面是与光取出面相同的面。在图2至4中，激发光入射面是与光取出面相反的一侧的面。荧光构件13也可以在其激发光入射面及/或光取出面侧以接触或者非接触的方式附加有功能层。例如，也可以在荧光构件13的激发光入射面以及光取出面中的至少任一者配置有抑制激光的反射的防反射膜、透过激发光且反射荧光的短波长通过滤波器、反射激发光且透过荧光的长波长通过滤波器等。
另外，也可以在荧光构件13的激发光入射面以及光取出面以外的面以接触或者非接触的方式设置光反射膜及/或光反射构件14。例如，在反射型的情况下，能够在与荧光构件13的供激发光入射且取出光的面相反的一侧的面配置光反射膜及/或光反射构件14。光反射膜及/或光反射构件14相对于所照射的激光的反射率优选为60％以上，进而优选为90％以上。相对于荧光的反射率也优选为60％以上，进而优选为90％以上。
也可以在荧光构件13的任一面配置透光构件。作为透光构件，可以举出使激光的60％以上透过的透光构件，优选使激光的80％以上透过的透光构件。透光构件优选相对于荧光也同样具有高透射率。
(封装构件15)
优选至少激光元件配置于封装构件15内，优选利用封装构件15将激光元件气密封固。由此能够抑制激光元件所射出的激光引起的集尘。
封装构件15优选由散热性良好的材料形成，例如优选由含有铜、铜合金或者铁合金等的金属、含有氮化铝或者氧化铝等的陶瓷形成。通常，封装构件15例如由基座和帽构件构成，两者使用共晶材料等或者通过焊接而接合。构成封装构件15的基座及/或帽构件的形状例如可以举出平面形状为大致圆形、大致椭圆形、大致多边形等各种形状。
荧光构件13优选与封装构件15接触。由此，能够有效地散出荧光构件13、尤其是荧光体所产生的热，从而能够实现温度特性的提高，换句话说，能够实现高温时的发光效率的提高。荧光构件13可以配置在封装构件15内，也可以配置在堵塞封装构件15的光取出窗的位置。
另外，也能够将荧光构件13配置于封装构件15之外。例如，能够利用封装构件15对激光元件进行气密封固，将从封装构件15射出的激光直接或者经由光纤等中继构件而照射至荧光构件13。
在该情况下，封装构件15不再是荧光构件13的散热路径，因此优选设置成为荧光构件13的散热路径的其他散热构件。
(副安装座16)
激光元件能够直接或者借助副安装座16等而配置于封装构件15。通过借助副安装座16而配置于封装构件15的例如基座的上表面，能够使激光元件的光出射端面与基座的上表面分离，从而能够避免来自激光元件的光照射于基座的上表面。另外，能够利用副安装座16来提高散热性。副安装座例如能够由氮化铝、碳化硅等形成。
(聚光透镜)
在发光装置10中，在从激光元件到荧光构件13之间及/或来自荧光构件13的光的前进路径上，也可以配置有聚光透镜等透镜。由此，变得容易控制来自激光元件的光及/或来自荧光构件13的光的照射范围。
需要说明的是，以上叙述的关于荧光构件13的说明(材料、配置等)只要没有特别的限定，也可以应用于荧光构件23～43。
〔发光装置10的制造方法〕
在制造上述那样的发光装置10的情况下，首先，准备荧光体。该荧光体从能够被激光元件射出的激光激发的荧光体中适当选择。
接着，准备具有夹着所选择的荧光体的激发峰值的峰值波长的多个激光元件，并分为与荧光体的激发峰值相比为短波的峰值波长的组和与荧光体的激发峰值相比为长波的峰值波长的组这两组。优选这两组的波长范围分别是能够充分地激发荧光体的波长范围。具体地说，优选是使荧光体的激发光谱中的荧光体的激发强度成为激发峰值中的激发强度的80％以上的范围。
然后，从上述的激光元件的两组分别选择一个以上激光元件，通过将上述的激光元件与所选择的荧光体组合而组装为发光装置10，能够制造发光装置10。
根据上述那样的制造方法，能够减少与激光元件的温度变化相伴的荧光的强度变化量，从而可制造出能够减少发出的光的色度的变化量的发光装置10。
〔实施方式1〕
如图1A以及1B所示，实施方式1的发光装置10具备含有荧光体的荧光构件13、以及第一激光元件11及第二激光元件12。需要说明的是，图1A是示出省略了发光装置10的盖的状态的概要结构的俯视图。
上述的荧光构件13与第一激光元件11及第二激光元件12被气密封固于封装构件15内。封装构件15由例如铁镍钴合金形成。在封装构件15的上表面的一部分设有取出光的光取出窗15a，光取出窗15a例如在俯视观察下呈2mm×2mm的长方形且由玻璃形成。
荧光构件13为板状的构件，且由YAG荧光体(激发峰值：450nm，具有激发峰值的激发光谱的半峰宽：100nm)与氧化铝(熔点：约1900℃～2100℃)的烧结体形成。YAG荧光体相对于荧光构件13的总重量而含有3重量％。荧光构件13的大小例如为1×1×0.5mm。荧光构件13配置为，第一主面13a成为相对于从第一激光元件11及第二激光元件12射出的光的光路而具有45度的角度的面。
在荧光构件13的第二主面(不与激光元件对置的面)配置有光反射构件14。该光反射构件14配置在能够使来自激光元件11的光朝向光取出窗15a反射的位置。光反射构件14例如具有三棱柱形状。光反射构件14将其三棱柱的侧面即矩形的面设为对来自激光元件11、12的光进行反射的面。光反射构件14由铝形成。光反射构件14配置为，在与设有荧光构件13的一侧不同的一侧，其表面的大致整面与封装构件15紧贴。
第一激光元件11及第二激光元件12的室温测定的峰值波长分别是445nm、455nm(其差为10nm)，且半峰宽分别为1nm、1nm。第一激光元件11及第二激光元件12的峰值波长分别是荧光体的激发强度成为激发峰值的95％、99％的波长。在将第一激光元件11的输出设为100％的情况下，第二激光元件12的输出为96％。
第一激光元件11及第二激光元件12各自在室温下的根据峰值波长的偏移量为，-40℃时为-3.4nm左右，85℃时为+4.2nm左右。因此，至少在-40～85℃的范围内，第一激光元件11及第二激光元件12的峰值波长位于激发峰值波长的两侧。在将发光装置10的驱动温度范围设为-40～135℃的情况下，-40～85℃为驱动温度范围的约71％。换句话说，第一激光元件11的峰值波长在室温下比YAG荧光体的激发光谱的峰值波长短，在发光装置的驱动温度范围的70％以上比YAG荧光体的激发光谱的峰值波长短。另外，第二激光元件12的峰值波长在室温下比YAG荧光体的激发光谱的峰值波长长，在发光装置的驱动温度范围的70％以上比YAG荧光体的激发光谱的峰值波长长。
激光元件11、12以俯视大致平行地设置在由氮化铝(A1N)构成的副安装座16上，以使得从它们射出的激光照射于荧光构件13内的不同区域。
通过具有上述那样的结构，能够使从第一激光元件11及第二激光元件12射出的光射入荧光构件13并利用光反射构件14将该光取出。此时，因发光装置10的驱动以及使用环境的温度导致激光元件的温度发生变动，伴随于此，激光的波长偏移。但是，在该情况下，通过将荧光体的激发峰值的前后的两种第一激光元件11及第二激光元件12组合，能够减少第一激光元件11及第二激光元件12所导致的荧光体的激发强度的合计值的变动量。由此，能够减少从发光装置10取出的光的色度的变化量。
上述那样的发光装置10尤其对车载用途(例如在从-数十℃至100℃左右的温度变化的环境下使用)是有利的。
另外，在一个荧光构件13和第一激光元件11及第二激光元件12被气密封固于一个封装构件15内的情况下，封装构件15内的温度大致相同，因此第一激光元件11与第二激光元件12的波长的偏移量匹配。因此，能够容易地进行发光装置10发出的光的色度的调整。
〔实施方式2〕
如图2所示，在实施方式2的发光装置20中，荧光构件23是板状的构件，且配置为收纳于封装构件15的光取出窗。而且，光反射构件24配置为，其一面成为相对于从第一激光元件11及第二激光元件12射出的光的光路而具有45度的角度的面，此外，其反射光射入荧光构件23。除这些结构以外，具有实质上与发光装置10相同的结构。
在该发光装置20中，也能够获得与发光装置10相同的效果。
〔实施方式3〕
如图3所示，在实施方式3的发光装置30中，具备：第一激光元件11及第二激光元件12；在第一激光元件11及第二激光元件12的光路上设有贯通孔的帽构件35；以及配置于贯通孔内的荧光构件33。
激光元件11、12借助副安装座16而配置在管座36上，以使得从激光元件射出的光分别向荧光构件33的第一主面33a的不同区域射出。管座36与帽构件35气密封固。需要说明的是，帽构件35以及管座36构成封装构件。
除上述结构以外，具有实质上与发光装置10相同的结构。
在该发光装置30中，也能够获得与发光装置10相同的效果。
〔实施方式4〕
如图4所示，实施方式4的发光装置40中，第一激光元件11及第二激光元件12借助副安装座16而与封装构件的基座45b的上表面平行地配置。与第一激光元件11及第二激光元件12的光出射面对应地，在封装构件的帽构件45a的侧方的壁具有贯通孔，在该贯通孔内配置有荧光构件43。第一激光元件11及第二激光元件12配置为，向荧光构件43的第一主面43a的不同位置射出激光。
除上述结构以外，具有实质上与发光装置10相同的结构。
在该发光装置40中，也能够获得与发光装置10相同的效果。

Claims (13)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
荧光体；以及
第一激光元件及第二激光元件，其使激发该荧光体的激光振荡，
所述第一激光元件及所述第二激光元件的所振荡的激光的峰值波长互不相同，所述第一激光元件的峰值波长与所述第二激光元件的峰值波长是夹着所述荧光体的激发峰值的波长的波长。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述荧光体的具有所述激发峰值的激发光谱的半峰宽为110nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述第一激光元件及所述第二激光元件的峰值波长分别是使所述荧光体的激发强度成为所述激发峰值中的激发强度的80％以上的波长。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，其中，
所述第一激光元件及所述第二激光元件所振荡的激光各自的半峰宽为5nm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，
所述第一激光元件的峰值波长与所述第二激光元件的峰值波长之差为6nm以上。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，
所述第一激光元件的峰值波长与所述第二激光元件的峰值波长之差为50nm以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光装置，其中，
在将所述第一激光元件以及所述第二激光元件中的一方的输出设为100％的情况下，另一方的输出为80～100％。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其中，
所述发光装置还具备含有所述荧光体的板状的荧光构件，
该荧光构件配置于从所述第一激光元件及所述第二激光元件射出的激光所照射的位置。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中，
在向所述荧光构件的不同区域分别照射所述第一激光元件及所述第二激光元件的激光的位置处，配置有所述第一激光元件及所述第二激光元件。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光装置，其中，
所述第一激光元件的峰值波长在室温下比所述荧光体的激发光谱的峰值波长短，并且在所述发光装置的驱动温度范围的70％以上比所述荧光体的激发光谱的峰值波长短，
所述第二激光元件的峰值波长在室温下比所述荧光体的激发光谱的峰值波长长，并且在所述发光装置的驱动温度范围的70％以上比所述荧光体的激发光谱的峰值波长长。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光装置，其中，
所述第一激光元件及所述第二激光元件设置在一个封装构件内。
12.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
准备荧光体；
将具有夹着该荧光体的激发峰值的峰值波长的多个激光元件分为与所述激发峰值相比为短波的峰值波长的组、和与所述激发峰值相比为长波的峰值波长的组这两组；以及
将分别从所述激光元件的两组选择一个以上而得到的多个激光元件与所述荧光体组合而制造发光装置。
13.根据权利要求12所述的发光装置的制造方法，其中，
所述两组的波长范围分别是使所述荧光体的激发光谱中的所述荧光体的激发强度成为所述激发峰值的激发强度的80％以上的范围。
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