JP7195133B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態1に従う半導体装置1について説明する図である。
周辺回路4は、ロジック回路等である。
クロックCLKは、読出/書込動作の基準となるクロック信号である。
図2を参照して、ここでは、4個のNMOSトランジスタMN1~MN4と、2個のPMOSトランジスタMP1,MP2を備えたSRAMメモリセルとなっている。
ここで、通常時においては、所定の期間経過後に制御信号SAEが活性化されてセンスアンプ回路24が動作し、読出データが出力される。
図7は、実施形態2に従うアシスト回路を説明する図である。
制御信号BBC(「L」レベル)の入力に従ってスイッチSW1がオンする。この場合、スイッチSW2はオフしている。
NチャネルMOSトランジスタ222は、書込ドライバ22の接地ノードN0と接地電圧GNDとの間に設けられ、インバータIV2の出力をゲートに受ける。
動作について説明する。
図10は、実施形態3に従うバイアス調整回路について説明する図である。
図11を参照して、バイアス調整回路300は、AND回路306と、PチャネルMOSトランジスタ308と、NチャネルMOSトランジスタ310,312とを含む。
実施形態4においては、制御信号RSのタイミング調整について説明する。
図12を参照して、本例においては、制御信号RSのタイミング調整について説明する。
セレクタ400は、制御信号RSのインバータ群402,404を介する遅延信号と、インバータ群402を介する遅延信号を選択する。
一例として、セレクタ400は、基板バイアス電圧を印加しない場合には、制御信号BBC(「L」レベル)に従ってインバータ群402,404を介する遅延信号を選択して、インバータ群406を介して制御信号RSOとして出力する。
Claims (11)
- SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)トランジスタで形成されるメモリ回路と、
前記メモリ回路の動作速度を指定するモード指定回路とを備え、
前記メモリ回路は、
行列状に配置されたメモリアレイと、
前記SOTBトランジスタに基板バイアス電圧を供給することが可能な基板バイアス回路と、
前記メモリアレイの読出/書込動作に用いるタイミング信号を生成するタイミング信号生成回路とを含み、
前記基板バイアス回路は、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を第1速度で動作させる第1動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給し、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を前記第1速度よりも高速な第2速度で動作させる第2動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給せず、
前記タイミング信号生成回路は、
前記第1動作モードが指定される場合には、第1の遅延段による第1タイミング信号を生成し、
前記第2動作モードが指定される場合には、第2の遅延段による第2タイミング信号を生成し、
前記メモリ回路は、前記メモリアレイの書込動作をアシストすることが可能なアシスト回路を含み、
前記アシスト回路は、前記第1動作モードの場合には動作し、前記第2動作モードの場合には動作しない、半導体装置。 - 前記SOTBトランジスタの閾値電圧は、前記基板バイアス電圧を供給する場合は前記基板バイアス電圧を供給しない場合よりも高い、請求項1記載の半導体装置。
- 前記タイミング信号生成回路は、前記第1動作モードあるいは前記第2動作モードの指定に従って前記第1の遅延段あるいは前記第2の遅延段とによる前記第1タイミング信号あるいは前記第2タイミング信号を切り替えて出力するセレクタ回路を含む、請求項1記載の半導体装置。
- 前記アシスト回路は、前記書込動作時において、ビット線の電圧を第1の電圧から第2の電圧に変更する、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記メモリ回路は、前記第1動作モードの指定に従って前記アシスト回路を活性化させる活性化回路をさらに含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記アシスト回路は、前記書込動作時において、ワード線の電圧を第1の電圧から第2の電圧に変更する、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)トランジスタで形成されるメモリ回路と、
前記メモリ回路の動作速度を指定するモード指定回路とを備え、
前記メモリ回路は、
行列状に配置されたメモリアレイと、
前記SOTBトランジスタに基板バイアス電圧を供給することが可能な基板バイアス回路と、
前記メモリアレイの読出/書込動作に用いるタイミング信号を生成するタイミング信号生成回路とを含み、
前記基板バイアス回路は、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を第1速度で動作させる第1動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給し、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を前記第1速度よりも高速な第2速度で動作させる第2動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給せず、
前記タイミング信号生成回路は、
前記第1動作モードが指定される場合には、第1の遅延段による第1タイミング信号を生成し、
前記第2動作モードが指定される場合には、第2の遅延段による第2タイミング信号を生成し、
前記メモリ回路は、前記メモリアレイのバイアス電圧を調整することが可能な調整回路を含み、
前記調整回路は、前記第2動作モードの場合には動作し、前記第1動作モードの場合には動作しない、半導体装置。 - 前記調整回路は、接地線とメモリセルとの間に設けられたスイッチ回路を含み、
前記スイッチ回路は、第2動作モードの場合にはオフし、前記第1動作モードの場合にはオンする、請求項7記載の半導体装置。 - 前記第1および第2タイミング信号は、レジュームスタンバイ信号である、請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)トランジスタで形成されるメモリ回路と、
前記メモリ回路の動作速度を指定するモード指定回路とを備え、
前記メモリ回路は、
行列状に配置されたメモリアレイと、
前記SOTBトランジスタに基板バイアス電圧を供給することが可能な基板バイアス回路と、
前記メモリアレイの書込動作をアシストすることが可能なアシスト回路とを含み、
前記基板バイアス回路は、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を第1速度で動作させる第1動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給し、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を前記第1速度よりも高速な第2速度で動作させる第2動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給せず、
前記アシスト回路は、
前記第1動作モードが指定される場合には動作し、
前記第2動作モードが指定される場合には動作しない、半導体装置。 - SOTB(Silicon on Thin Buried Oxide)トランジスタで形成されるメモリ回路と、
前記メモリ回路の動作速度を指定するモード指定回路とを備え、
前記メモリ回路は、
行列状に配置されたメモリアレイと、
前記SOTBトランジスタに基板バイアス電圧を供給することが可能な基板バイアス回路と、
前記メモリアレイのバイアス電圧を調整することが可能な調整回路とを含み、
前記基板バイアス回路は、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を第1速度で動作させる第1動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給し、
前記モード指定回路により前記メモリ回路を前記第1速度よりも高速な第2速度で動作させる第2動作モードが指定される場合、前記SOTBトランジスタに前記基板バイアス電圧を供給せず、
前記調整回路は、
前記第2動作モードが指定される場合には動作し、
前記第1動作モードが指定される場合には動作しない、半導体装置。
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