JP7193459B2 - 極端紫外線源（ｅｕｖ源） - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１７年１月６日出願の米国出願第１５／４００，９２９号、２０１７年２月２８日出願の欧州出願第１７１５８２８０．２号、及び２０１７年１２月８日出願の米国出願第６２／５９６，６２９号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示は、ガス流誘導デバイスと、そのような誘導デバイスを含む放射源とに関する。本開示は、例えばリソグラフィシステムで使用する誘導デバイス及び放射源に関する。本開示はまた、容器内壁のガス供給部によってデブリから保護される容器内壁を有するＥＵＶ容器を含む放射源、並びにより具体的には、容器内壁のＥＵＶ容器のＥＵＶコレクタより重力方向上方にある一部分などの容器内面を保護するためにＥＵＶ容器内にガス流を供給するための方法及び装置に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）から基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上へパターンを投影することができる。

[0004] 基板上にパターンを投影するためにリソグラフィ装置によって使用される放射の波長は、その基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置は、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用し得る装置）より小さいフィーチャを基板上に形成するために使用することができる。

[0005] リソグラフィシステムは、１つ以上の放射源と、ビームデリバリシステムと、１つ以上のリソグラフィ装置とを備えてよい。ビームデリバリシステムは、放射源の１つ以上からリソグラフィ装置のそれぞれに放射を搬送するように構成されてよい。

[0006] 極端紫外線（ＥＵＶ）放射は、極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）などの用途に使用される。ＥＵＶ源は、スズ（Ｓｎ）などのターゲット材料を高出力レーザ放射源からの放射で照明することによりＥＵＶ放射を生成することができる。ターゲット材料をレーザ放射で照明することでレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）が生成され、結果としてＥＵＶ放射を放出することができる。

[0007] スズなどのターゲット材料をレーザ放射で照明してプラズマを生成するとき、ターゲット材料のある部分はデブリになる。例えば、ターゲット材料デブリには、Ｓｎ蒸気、ＳｎＨ_４蒸気、Ｓｎ原子、Ｓｎイオン、Ｓｎクラスタ、Ｓｎ微粒子、Ｓｎナノ粒子、及びＳｎ堆積物が含まれてよい。ＳｎデブリがＥＵＶコレクタ又はＥＵＶ容器の１つ以上の容器内壁に蓄積する場合、ＥＵＶコレクタの効率性、寿命、及び有用性は低減する可能性がある。

[0008] ＥＵＶ放射はプラズマを使用して生成することができる。プラズマは、例えばレーザビームを放射源の燃料に向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマはＥＵＶ放射を放出することができる。燃料の一部はデブリになり、デブリは放射源の１つ以上のコンポーネントに蓄積する可能性がある。

[0009] これによって放射源の１つ以上のコンポーネントが汚染される可能性があり、この汚染を除去するのは困難な場合がある。デブリによる放射源の１つ以上のコンポーネントの汚染は、放射源の性能、例えば生成されるＥＵＶ放射の質の低下を引き起こし、ひいては関連するリソグラフィ装置の性能の低下を引き起こす可能性がある。これによって最終的に放射源のコンポーネントを洗浄又は交換する間のリソグラフィ装置の休止時間が長くなる可能性がある。本発明の実施形態が生じるのはこのような状況の中である。

[00010] 本開示の実施形態は、容器内壁ガス供給部を備えたＥＵＶ容器に関連するシステム及び装置、より具体的には１つ以上の容器内壁上のデブリ汚染を低減可能なガス流の流動形状をＥＵＶ容器内に提供するためのシステム及び装置を提供する。一実施形態は、シャワーヘッド又はカーテンフローを介して容器にガスを導入すること、及び排出構成によって容器からガスを排出することを含む。一構成では、容器は非対称の排出構成を有するように設計される。別の構成では、容器は対称な排出構成を有するように設計される。本開示は、プロセス、装置、システム、デバイス又は方法を実行するように構成されたコンピュータ可読媒体上の命令などの様々な手段で実施できることを理解されたい。本開示のいくつかの発明の実施形態を以下で説明する。

[00011] 一実施形態では、ＥＵＶ源が、容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器を備える。この実施形態は、容器の内部に配設され、容器内壁と接続されたＥＵＶコレクタを備える。ＥＵＶコレクタは、容器のＩＦ領域を方向的に向くように構成された反射面を備える。この実施形態はまた、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設されたシャワーヘッドを備える。シャワーヘッドは、容器にガスを導入する複数のノズルを備える。この実施形態には、容器に導入されたガスを除去するための１つ以上の排出部も含まれ、１つ以上の排出部は、容器に導入されたガスをＥＵＶコレクタから離れる方向に流すようにＩＦ領域の近くに配向される。

[00012] 別の実施形態では、ＥＵＶ源が、容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器を備える。この実施形態は、容器の内部に配設され、容器内壁と接続されたＥＵＶコレクタであって、容器のＩＦ領域を方向的に向くように構成された反射面を有するＥＵＶコレクタを備える。この実施形態は、ＥＵＶコレクタの反射面の近くに配設され、容器にガスを導入するための複数のインレットを有する第１のガス源を備える。この実施形態はまた、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設され、容器にガスを導入するための複数のノズルを有するシャワーヘッドを備える。容器内壁に沿って方位角的に非対称な位置に配設された排出部も容器からガスを排出するために備えられる。特定の実施形態では、非対称排出部は、例えば重力の方向に向かって下方傾斜角度で配向されてよい。これら及び他の実施形態では、非対称排出部は、容器内壁のＥＵＶコレクタより重力方向上方にある天井エリアに近い領域と概ね対向するように配向されてよい。

[00013] 別の実施形態では、ＥＵＶ源が、容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器を備える。この実施形態は、容器の内部に配設され、容器内壁と接続されたＥＵＶコレクタを備え、ＥＵＶコレクタは、容器のＩＦ領域を方向的に向くように構成された反射面を有する。この実施形態は、容器内壁の一部分に少なくとも部分的に沿って横方向に配設された容器壁ガス源を備える。この実施形態によれば、容器壁ガス源は複数のノズルアセンブリを備える。ノズルアセンブリのそれぞれは、容器にガスを導入するための第１のアウトレットと第２のアウトレットとを備えてよく、第１のアウトレットは、第２のアウトレットがガスを導入するように構成された第２の方向から離れる第１の方向にガスを導入するように構成される。これらの実施形態では、どちらのアウトレットも容器内壁の周囲に沿ってガスを導入するように構成される。

[00014] ある態様によれば、プラズマ形成領域を含むチャンバ（すなわち容器）と、チャンバ内に配置され、プラズマ形成領域から放出された放射を収集し、収集した放射を中間焦点領域に方向付けるように構成された放射コレクタと、第１のガス流を中間焦点領域からプラズマ形成領域に方向付けるように構成されたデブリ軽減システムと、第１のガス流が周囲に方向付けられるようにチャンバ内に配置された誘導デバイスと、を備えた放射源が提供される。

[00015] 誘導デバイスは、第１のガス流が対称的に誘導デバイスの周囲に方向付けられる及び／又は誘導デバイスにより拡散されるように配置されてよい。

[00016] デブリ軽減システムは、第２のガス流を放射コレクタからプラズマ形成領域に方向付けるように構成されてよい。

[00017] 誘導デバイスは、第１のガス流と第２のガス流との相互作用を低減させるように構成されてよい。

[00018] 誘導デバイスは、第１のガス流と第２のガス流との相互作用を妨げるように構成されてよい。

[00019] 誘導デバイスは、第１のガス流の放射コレクタに向かうジェットの形成を妨げるように構成されてよい。

[00020] 誘導デバイスは、放射コレクタの光軸に少なくとも部分的に沿って延在するようにチャンバ内に配置されてよい。

[00021] 誘導デバイスは、中間焦点領域に又はその近くに配置されてよい。

[00022] 誘導デバイスは、誘導デバイスの第１の端部から誘導デバイスの第２の端部に向かってテーパ状に配置されてよい。誘導デバイスの第１の端部は拡大部を含んでよい。誘導デバイスの第２の端部は尖頭部又は丸み部を含んでよい。

[00023] 誘導デバイスは、誘導デバイスの第１の端部が中間焦点領域から遠位に配置されるようにチャンバ内に配置されてよい。誘導デバイスは、誘導デバイスの第２の端部が中間焦点領域に又はその近位に配置されるようにチャンバ内に配置されてよい。

[00024] 誘導デバイスは、少なくとも１つの開口部又は複数の開口部を備えてよい。少なくとも１つの開口部、複数の開口部又は複数の開口部の各開口部は、第３のガス流を放射コレクタに方向付けるように構成されてよい。

[00025] 少なくとも１つの開口部、複数の開口部の各開口部又は複数の開口部は、少なくとも１つの開口部、複数の開口部の各開口部又は複数の開口部からの第３のガス流が第１のガス流と相互作用して、例えば第１のガス流をチャンバの少なくとも一部分の近くに方向付ける又は押し込むように誘導デバイスに配置されてよい。

[00026] 誘導デバイスは加熱要素を備えてよい。加熱要素は、誘導デバイスの温度を上昇させるように構成されてよい。

[00027] 加熱要素は、誘導デバイスの温度を第１のガス流の増加した量が誘導デバイスの周囲に方向付けられる第１の温度に上昇させるように構成されてよい。加熱要素は、誘導デバイスの温度を誘導デバイス上に存在するデブリの拡散が高まる第２の温度未満に維持するように構成されてよい。

[00028] 誘導デバイスは、冷却剤により冷却するように構成されてよい。冷却剤は、冷却剤源によって供給可能であっても供給されてもよい。

[00029] 放射源はデブリ受取面を含んでよい。デブリ受取面は、デブリが中間焦点領域に到達するのを抑制する又は妨げるようにチャンバ内に配置されてよい。

[00030] デブリ受取面は、放射コレクタの光軸と交差する又はこれを横切って延在するように配置されてよい。

[00031] 誘導デバイスは、デブリ受取面と中間焦点領域の間に配置されてよい。

[00032] デブリ受取面は、プラズマ形成領域で生成されたデブリがデブリ受取面に入射するように、誘導デバイスの少なくとも一部分又は全体にわたって延びる又はこれと重なるように配置されてよい。

[00033] デブリ受取面は、誘導デバイスに含まれるか、誘導デバイスの一部であるか、又は誘導デバイスにより提供されてよい。

[00034] ある態様によれば、放射源におけるデブリ堆積を低減する方法であって、第１のガス流を放射源の中間焦点領域から放射源のプラズマ生成領域に方向付けること、及び第１のガス流を放射源のチャンバ内に配置された誘導デバイスの周囲に方向付けることを含む方法が提供される。

[00035] ある態様によれば、容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器と、容器の内部に配設され、容器内壁と接続されたＥＵＶコレクタであって、容器のＩＦ領域を方向的に向くように構成された反射面を備えたＥＵＶコレクタと、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設され、容器にガスを導入するための複数のノズルを備え、内部にガスを供給するための少なくとも１つのインレットを有するシャワーヘッドと、ガスをＥＵＶコレクタから離れる方向に流すように容器内壁の少なくとも一部分に沿って配向され、容器に導入されたガスを除去するための１つ以上の排出部と、を備えた極端紫外線（ＥＵＶ）源が提供される。

[00036] ＥＵＶ源はさらに、ＥＵＶコレクタの反射面により収集され、リソグラフィ装置の少なくとも一部への入射のためにＩＦ領域に方向付けられるプラズマ放射を生成するための容器内に配設された材料ターゲット領域を含んでよい。ガスを複数のノズルを介して容器に導入することによって、容器内壁を材料の堆積から保護できる可能性がある。

[00037] 複数のノズルは、容器内壁の内面の少なくとも一部分に沿って、容器内壁の内面から離れる方向を向く方向に配向されてよい。

[00038] 容器内壁は、円錐形状、円筒形状、又は多面体形状を有してよい。

[00039] シャワーヘッドは、容器内壁の少なくとも一部分に沿って外周方向及び横方向に延在してよい。

[00040] ＥＵＶ源はさらに、容器を取り囲む、１つ以上の排気口を有する容器外壁を備えてよい。

[00041] シャワーヘッドは、それぞれが複数のノズルの少なくとも一部分を含み、それぞれにガスが個別に供給されて容器にガスを導入するための個別に制御可能なゾーンを実現する１つ以上のゾーンを含んでよい。

[00042] 容器内壁は、滑らかな表面、羽根面、又は滑らかな表面と羽根面の組み合わせによって画定されてよい。

[00043] ある態様によれば、容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器と、容器の内部に配設され、容器内壁と接続されたＥＵＶコレクタであって、容器のＩＦ領域を方向的に向くように構成された反射面を備えたＥＵＶコレクタと、容器にガスを導入するための、ＥＵＶコレクタの反射面の近くに配設された第１の複数のインレットを備えた第１のガス源と、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設され、容器にガスを導入するための複数のノズルを備え、内部にガスを供給するための少なくとも１つのインレットを有するシャワーヘッドと、容器内壁に沿って方位角的に非対称な位置に配設され、容器からガスを排出するための排出部と、を備えた極端紫外線（ＥＵＶ）源が提供される。

[00044] 排出部はさらに、容器内壁の第１の領域の近くに配向されてよい。容器内壁の第１の領域は、容器内壁のＥＵＶコレクタより重力方向上方に位置する第２の領域と概ね対向してよい。排出部は、第１のガス源及び複数のノズルにより導入されたガスがＥＵＶ源の動作中に第２の領域から離れる方向に流れることを可能にしてよい。

[00045] 複数のノズルは、容器内壁のＥＵＶコレクタより重力方向上方に位置する領域に少なくとも部分的に沿って分布されてよい。

[00046] 複数のノズルは、容器内壁の内面に沿って容器内壁の内面から離れる方向に配向されてよい。複数のノズルの配向は、容器内壁の内面の少なくとも一部分から離れる方向に少なくとも部分的に方向付けられたガス流を可能にしてよい。

[00047] 複数のノズルは、容器内壁のＥＵＶコレクタより重力方向上方に位置する天井領域に少なくとも部分的に沿って配設されてよい。複数のノズルは、天井領域から離れる方向を向く方向に配向されてよい。複数のノズルによりガスを導入することによって、デブリを排除するための天井領域に隣接した拡散バリアが提供されてよい。

[00048] シャワーヘッドは１つ以上のゾーンを含んでよい。１つ以上のゾーンのそれぞれは、複数のノズルの少なくとも一部分を含んでよい。１つ以上のゾーンのそれぞれは、容器にガスを導入するための個別に制御可能なゾーンを実現するためにガスが個別に供給されてよい。

[00049] 容器内壁は、円錐形状、円筒形状、又は多面体形状を有してよい。

[00050] 容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器と、容器の内部に配設され、容器内壁と接続されたＥＵＶコレクタであって、容器のＩＦ領域を方向的に向くように構成された反射面を備えたＥＵＶコレクタと、容器内壁に少なくとも部分的に沿って横方向に配設され、それぞれが容器にガスを導入するための少なくとも第１のアウトレットと第２のアウトレットとを有する複数のノズルアセンブリを備え、第１のアウトレットが、第２のアウトレットがガスを導入するように構成された第２の方向から離れる第１の方向にガスを導入するように構成された容器壁ガス源と、容器に導入されたガスを排出するための、ＩＦ領域の近くにあり、容器壁ガス源により導入されたガスがＥＵＶコレクタから離れる方向に流れることを可能にする排出部と、を備えた極端紫外線（ＥＵＶ）源が提供される。

[00051] 複数のノズルアセンブリのそれぞれの第１のアウトレット及び第２のアウトレットによりそれぞれガスが導入され得る第１の方向及び第２の方向は、容器内壁の周囲に沿ったガスのカーテンフローを可能にするために、容器内壁の周囲に少なくとも部分的に沿って配向されてよい。

[00052] 複数のノズルアセンブリの少なくとも一部分はさらに、容器にガスを導入するための第３のアウトレットを備えてよい。第３のアウトレットは、容器内壁から離れる方向にガスを導入するように構成されてよい。

[00053] 複数のノズルアセンブリは、ＥＵＶ源の動作中に容器内壁のＥＵＶコレクタより重力方向上方に位置する第１の領域に少なくとも部分的に沿って分布されてよい。排出部はさらに、容器に導入されたガスが容器内壁の第１の領域から離れる方向に流れることができるように、容器内壁の容器内壁の第１の領域に対向し得る第２の領域の近くに配向されてよい。

[00054] 容器内壁は、円錐形状、円筒形状、又は多面体形状を有してよい。

[00055] ある態様によれば、内壁と材料ターゲット領域とを含むチャンバと、チャンバ内に配置され、材料ターゲット領域から放出された放射を収集し、収集した放射を中間焦点領域に方向付けるように構成された放射コレクタと、第１のガス流を中間焦点領域から材料ターゲット領域に方向付けるように構成され、第２のガス流をチャンバの内壁の一部分からチャンバ内に方向付けるように構成されたデブリ軽減システムと、第１のガス流が周囲に方向付けられるようにチャンバ内に配置された誘導デバイスと、デブリ軽減システムにより供給されたガスをチャンバから除去するための排出部と、を備えた放射源が提供される。

[00056] 排出部は、チャンバの内壁の一部分から延在するように方位角的に非対称な位置に配置されてよい。

[00057] デブリ軽減システムはシャワーヘッドを備えてよい。シャワーヘッドは、チャンバの内壁の少なくとも一部分に沿って配置されてよい。シャワーヘッドは、第２のガス流をチャンバに導入するための複数のノズルを備えてよい。

[00058] 誘導デバイスは、第１のガス流と第２のガス流との相互作用を低減させるように構成されてよい。

[00059] デブリ軽減システムは、第３のガス流をチャンバ内の誘導デバイスの位置又はこれに近い位置から材料ターゲット領域に方向付けるように構成されてよい。

[00060] 誘導デバイスは、第１のガス流と第３のガス流との相互作用を低減させるように構成されてよい。

[00061] デブリ軽減システムは、第４のガス流を放射コレクタから材料ターゲット領域に方向付けるように構成されてよい。

[00062] 誘導デバイスは、第１のガス流と第４のガス流との相互作用を低減させるように構成されてよい。

[00063] 誘導デバイスは、誘導デバイスの第１の端部から誘導デバイスの第２の端部に向かってテーパ状に配置されてよい。誘導デバイスの第１の端部は拡大部を含んでよい。誘導デバイスの第２の端部は尖頭部又は丸み部を含んでよい。

[00064] 誘導デバイスは、誘導デバイスの第１の端部が中間焦点領域から遠位に配置され、誘導デバイスの第２の端部が中間焦点領域に又はその近位に配置されるようにチャンバ内に配置されてよい。

[00065] 誘導デバイスは、放射コレクタの光軸に少なくとも部分的に沿って延在するようにチャンバ内に配置されてよい。

[00066] 誘導デバイスは、少なくとも１つの開口部又は複数の開口部を備えてよい。少なくとも１つの開口部、複数の開口部の各開口部、又は複数の開口部は、第５のガス流を放射コレクタに方向付けるように構成されてよい。

[00067] 少なくとも１つの開口部、複数の開口部の各開口部又は複数の開口部は、少なくとも１つの開口部、複数の開口部の各開口部又は複数の開口部からの第５のガス流が第１のガス流と相互作用して、第１のガス流をチャンバの内壁の少なくとも一部分の近くに方向付ける又は押し込むように誘導デバイスに配置されてよい。

[00068] 誘導デバイスは加熱要素を備えてよい。加熱要素は、誘導デバイスの温度を上昇させるように構成されてよい。

[00069] 加熱要素は、誘導デバイスの温度を第１のガス流の増加した量が誘導デバイスの周囲に方向付けられる第１の温度に上昇させるように構成されてよい。加熱要素は、誘導デバイスの温度を誘導デバイス上に存在するデブリの拡散が高まる第２の温度未満に維持するように構成されてよい。

[00070] 誘導デバイスは、冷却剤により冷却するように構成されてよい。冷却剤は、冷却剤源によって供給可能であっても供給されてもよい。

[00071] 放射源はデブリ受取面を備えてよい。デブリ受取面は、デブリが中間焦点領域に到達するのを抑制する又は妨げるようにチャンバ内に配置されてよい。

[00072] デブリ受取面は、誘導デバイスに含まれるか、誘導デバイスの一部であるか、又は誘導デバイスにより提供されてよい。

[00073] ある態様によれば、放射源におけるデブリ堆積を低減する方法であって、第１のガス流を放射源の中間焦点領域から放射源の材料ターゲット領域に方向付けること、第２のガス流を放射源のチャンバの内壁の一部分からチャンバ内に方向付けること、第１のガス流を放射源のチャンバ内に配置された誘導デバイスの周囲に方向付けること、及びチャンバからガスを除去すること、を含む方法が提供される。

[00074] ある態様によれば、レーザ、及び（ｉ）本明細書に記載の放射源、又は（ｉｉ）本明細書に記載の極端紫外線（ＥＵＶ）源を備えた放射システムが提供される。

[00075] ある態様によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に投影するように構成されたリソグラフィ装置と、放射の少なくとも一部をリソグラフィ装置に提供するように構成された本明細書に記載の放射システムと、を備えたリソグラフィシステムが提供される。

[00076] ある態様によれば、内壁と材料ターゲット領域とを含むチャンバと、チャンバ内に配置され、材料ターゲット領域から放出された放射を収集し、収集した放射を中間焦点領域に方向付けるように構成された放射コレクタと、第１のガス供給システムと第２のガス供給システムとを備えたデブリ軽減システムと、デブリ軽減システムにより供給されたガスをチャンバから除去するように構成された排出部と、を備え、第１のガス供給システムが、第１のガス流を中間焦点領域から材料ターゲット領域又はプラズマ形成領域に方向付けるように構成され、第１のガス流を放射ビームの伝搬方向と実質的に反対方向にチャンバ内に方向付けるように配置された１つ以上の開口部を備え、第２のガス供給システムが、第２のガス流を第１のガス流の伝搬方向に対して実質的に垂直な又はある角度で傾斜した方向に方向付けるように配置された１つ以上の開口部を備える、放射源が提供される。

[00077] １つ以上のガス流インレット及び非対称排出部により容器壁を保護してＬＰＰ ＥＵＶ源のコレクタ寿命を改善する方法及び装置の他の態様は、方法及び装置の原理を例として示す、添付図面と併せて理解される以下の詳細な説明から明らかになるであろう。

[00078] 当業者には容易に明らかであるが、以上及び以下に述べられる本発明の様々な態様及び特徴は、本発明の様々な他の態様及び特徴と組み合わせてもよい。

[00079] 本発明の実施形態を、単なる例として添付の概略図を参照して以下に説明する。

[00080] ある実施形態によるリソグラフィ装置及び放射源を備えたリソグラフィシステムを示す。 [00081] 図１のリソグラフィシステムのデブリ軽減システムを含む放射源を示す。 [00082] 図２の放射源の第１のガス流及び第２のガス流のシミュレーションを示す。 [00083] 誘導デバイスを含む図２の放射源の一部分を示す。 [00084] 図４Ａの誘導デバイスの別の実施形態を示す。 [00085] 図４Ａの誘導デバイスの別の実施形態を示す。 [00086] 図４Ａの誘導デバイスの別の実施形態を示す。 [00087] 誘導デバイスの別の実施形態を含む図２の放射源の一部分を示す。 [00088] デブリ受取面を含む図４Ａの放射源の一部分を示す。 [00089] 図６のデブリ受取面を含む図２の放射源の一部分における第１のガス流のシミュレーションを示す。 [00090] 図７Ａの放射源の一部分におけるデブリ堆積のシミュレーションを示す。 [00091] 図４Ａの誘導デバイスを含む図２の放射源の一部分における第１のガス流のシミュレーションを示す。 [00092] 図８Ａの放射源の一部分におけるデブリ堆積のシミュレーションを示す。 [00093] ＥＵＶ容器の容器内壁の少なくとも一部に沿って配設されたシャワーヘッドを有するＥＵＶ容器のある実施形態の簡略化された概略図である。 [00094] 第１の複数のノズル及び第２の複数のノズルを介して容器にガスを導入するシャワーヘッドを有するＥＵＶ容器のある実施形態の簡略化された概略図である。 [00095] 共通のガス供給システムにより制御される複数のノズルを備えたシャワーヘッドを有するＥＵＶ容器のある実施形態の簡略化された概略図である。 [00096] 各ゾーンが個別のガス供給システムにより別々に制御可能な複数のゾーンを含むシャワーヘッドを有するＥＵＶ容器のある実施形態の簡略化された概略図である。 [00097] シャワーヘッド及び非対称排出部を有するＥＵＶ容器のある実施形態の簡略化された概略図である。 [00098] 動作中にある上方傾斜角度で配向させたＥＵＶ容器のある実施形態の簡略化された概略図である。 [00099] ガスが異なる供給部から容器に導入され、対称排出構造により排出される複数の流路を示すＥＵＶ容器のある実施形態の断面図である。 [000100] ガスが様々な供給部から容器に導入され、非対称排出部により排出される複数の流路を示すＥＵＶ容器のある実施形態の断面図である。 [000101] ガスを容器内部空間に導入するシャワーヘッドの横方向に分布させたノズルを有するＥＵＶ容器の断面図である。 [000102] ガスをカーテンフローとして容器に導入するためのカーテンフローノズルアセンブリを有するＥＵＶ容器の断面図である。 [000103] １つのシミュレートされた実施形態による、容器内部空間内のデブリ濃度を示すシャワーヘッド及び非対称排出部を有するＥＵＶ容器の断面図である。 [000104] １つのシミュレートされた実施形態による、シミュレーションに基づいた容器内壁へのデブリ堆積速度を示すシャワーヘッド及び非対称排出部を有するＥＵＶ容器の断面図である。 [000105] １つのシミュレートされた実施形態による、容器内部空間内のデブリ濃度を示すカーテンフロー供給部及び非対称排出部を有するＥＵＶ容器の断面図である。 [000106] １つのシミュレートされた実施形態による、容器内壁へのデブリ堆積速度を示すカーテンフロー供給部及び非対称排出部を有するＥＵＶ容器の断面図である。 [000107] 誘導デバイスを備えた図１０のＥＵＶ容器の断面図である。 [000108] 図１７のＥＵＶ容器内のシミュレートされたガス流路を示す。 [000109] 図１７のＥＵＶ容器内のシミュレートされたデブリ濃度を示す。 [000110] 図１７の誘導デバイスのある実施形態の概略図である。 [000111] 図１７の誘導デバイスのある実施形態の概略図である。 [000112] 図１７の誘導デバイスの別の実施形態の概略図である。 [000113] 誘導デバイスの別の実施形態を含む図１０のＥＵＶ容器の断面図である。 [000114] デブリ受取面を備えた図１７のＥＵＶ容器の断面図である。 [000115] ＥＵＶ容器内の動的ガス流（ＤＧＬフロー）のシミュレーションを示す。 [000116] ＥＵＶ容器内の動的ガス流（ＤＧＬフロー）及び２つの側噴流のシミュレーションを示す。 [000117] ガスをＥＵＶ容器に導入する２つの側噴流インレット（ノズル）を有するＥＵＶ容器のある実施形態の簡略化された概略図である。

[000118] 図１は、ある実施形態による放射源を含むリソグラフィシステムを示している。このリソグラフィシステムは、放射源ＳＯとリソグラフィ装置ＬＡとを備える。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを生成するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成されたサポート構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを備える。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡに入射する前に放射ビームＢを調節するように構成される。投影システムは、放射ビームＢ（ここではマスクＭＡによりパターン付与されている）を基板Ｗ上に投影するように構成される。基板Ｗは前に形成されたパターンを含むことができる。この場合、リソグラフィ装置はパターン付与された放射ビームＢを基板Ｗ上に前に形成されたパターンと位置合わせする。

[000119] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳはいずれも、外部環境から隔離できるように構築し配置することができる。大気圧より低い圧力のガス（例えば水素）を放射源ＳＯ内に提供してよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には真空を提供してよい。大気圧よりかなり低い圧力の少量のガス（例えば水素）を照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に提供してよい。

[000120] 図１に示す放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれることがあるタイプのものである。レーザ１は、例えばＣＯ２レーザであってよく、燃料放出器３から提供されるスズ（Ｓｎ）などの燃料にレーザビーム２を介してエネルギーを付与するように構成される。以下の説明ではスズについて言及するが、任意の適切な燃料を使用することができる。燃料は、例えば液状であってよく、例えば金属又は合金であってよい。燃料放出器３は、例えば液滴の形のスズを軌道に沿ってプラズマ形成領域４に方向付けるように構成されたノズルを備えてよい。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４でスズに入射する。スズにレーザエネルギーを付与することにより、プラズマ形成領域４にプラズマ７が生じる。ＥＵＶ放射を含む放射は、プラズマのイオンの脱励起及び再結合中にプラズマ７から放出される。

[000121] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ５（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることもある）によって集光及び合焦される。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように構成された多層構造を有してよい。コレクタ５は、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有してよい。第１焦点はプラズマ形成領域４にあってよい。第２焦点６ａは、中間焦点領域６に又はその近くに位置してよい。

[000122] レーザ１は放射源ＳＯから離れていてよい。この場合、レーザビーム２は、レーザ１から放射源ＳＯへ、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示せず）を用いて送られてよい。レーザ１及び放射源ＳＯは、合わせて放射システムとみなすことができる。

[000123] コレクタ５により反射された放射は、放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは点６ａで合焦され、プラズマ形成領域４の像を形成する。この像は、照明システムＩＬの仮想放射源の役割を果たす。放射ビームＢが合焦される点６ａは、中間焦点６ａと呼ばれることがある。放射源ＳＯは、中間焦点６ａが放射源の閉鎖構造９の開口部８に又はその近くに位置するように配置される。

[000124] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから照明システムＩＬ内に入る。照明システムＩＬは、放射ビームを調節するように構成される。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０とファセット瞳ミラーデバイス１１とを備えてよい。ファセットフィールドミラーデバイス１０とファセット瞳ミラーデバイス１１は、連携して放射ビームＢに所望の断面形状及び所望の角度強度分布を与える。放射ビームＢは照明システムＩＬから、サポート構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射し、これにパターン付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又は代わりに他のミラー又はデバイスを備えてよい。

[000125] パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入射する。投影システムは、基板テーブルＷＴに保持された基板Ｗ上に放射ビームＢを投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャより小さいフィーチャを有する像を形成することができる。例えば縮小係数４を適用することができる。図１では投影システムＰＳは２つのミラー１３、１４を有しているが、投影システムは、任意の数のミラー（例えば６個のミラー）を備えてよい。

[000126] 図１に示した放射源ＳＯは、図示されていないコンポーネントを備えてよい。例えば、放射源にスペクトルフィルタを設けてよい。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透過的であるが、赤外線放射などの他の放射波長を実質的にブロックするものであってよい。

[000127] 図２は、デブリ軽減システム１５を含む例示的な放射源ＳＯを概略的に示している。明瞭にするために、図２ではレーザビーム２及び放射ビームＢは破線で示されている。デブリ軽減システム１５は、第１のガス流１６を中間焦点領域６からプラズマ形成領域４に方向付けるように構成される。例えばデブリ軽減システム１５は第１のガス供給システム１７を備えてよい。第１のガス供給システム１７は、第１のガス流１６をプラズマ形成領域４に向けて供給するように構成されてよい。第１のガス供給システム１７は、１つ以上の開口部１８、例えば１つ以上のノズル又はスリットを備えてよく、１つ以上の開口部１８は中間焦点領域６、例えば中間焦点６に又はその近くに設けられる。１つ以上の開口部１８は、コレクタ５に向かう第１のガス流１６を生成できるように配置されてよい。例えば１つ以上の開口部１８は、放射ビームＢの伝搬方向と反対（例えば実質的に反対）方向に第１のガス流１６を方向付けるように配置されてよい。第１のガス流１６は、デブリが中間焦点６ａに向かって移動することを抑制する又は妨げるのに十分な流量を有してよい。第１のガス供給システム１７は、動的ガスロック（ＤＧＬ）システムと見なす又はこれに含めることができる。燃料をレーザビーム２で照明してプラズマ７を生成するとき、燃料の一部がデブリになる可能性がある。デブリには、例えばＳｎクラスタ、Ｓｎ微粒子、Ｓｎナノ粒子、及び／又はＳｎ堆積物などの微粒子デブリや、例えばＳｎ蒸気、ＳｎＨ_ｘ蒸気、Ｓｎ原子、Ｓｎイオンなどの分子及び／又は原子デブリが含まれる可能性がある。

[000128] デブリ軽減システム１５は、第２のガス流１９をコレクタ５からプラズマ形成領域４に方向付けるように構成されてよい。例えばデブリ軽減システム１５は、第２のガス供給システム２０を備えてよい。第２のガス供給システム２０は、第２のガス流１９をコレクタ５からプラズマ形成領域４に向けて供給するように構成されてよい。第２のガス流１９は、プラズマ形成領域４に方向付けられ、プラズマ７により生成されたデブリがコレクタ５に到達することを抑制する又は妨げることができる。例えば第２のガス供給システム２０は、コレクタ５の中心開口５ａから第２のガス流１９を供給するように配置されてよい。他の実施形態では、第２のガス供給システム又はその一部をコレクタに設けてよいことが理解されるであろう。例えば第２のガス供給システムは、１つ以上のアウトレットを備えてよく、１つ以上のアウトレットはコレクタ内に配置されてよい。付加的又は代替的に、第２のガス供給システムは、第２のガス流をコレクタの周縁部から供給するように構成されてよい。

[000129] 第２のガス流１９は、デブリがコレクタ５に堆積するのを妨げるのに十分な流量を有してよい。例えば第２のガス流１９は、約３０～２００ｓｌｍ（標準リットル毎分）、望ましくは約５０～１５０ｓｌｍの範囲の流量を有してよい。第２のガス流１９の流量は、第２のガス供給システム２０の配置又は形状に応じて選択されてよい。

[000130] 第１のガス流１６は、デブリが照明システムＩＬに入るのを妨げるように選択されてよい。第１のガス流１６の流量は、第１のガス流１６に使用されるガス、第１のガス流１６に使用されるガスの速度、第１のガス流１６に使用されるガスの密度又は圧力、デブリ、例えば微粒子デブリのサイズ、デブリの速度、及び／又は放射源ＳＯにおけるデブリ拡散の方向に応じて選択されてよい。付加的又は代替的に、第１のガス流１６の流量は、第１のガス供給システム１７の配置又は形状に応じて選択されてよい。例えば第１のガス流１６の流量は、開口部１８の数、第１のガス供給システム１７の各開口部１８の幅（例えば直径）及び／又は中間焦点領域６の幅（例えば直径）、外周又は寸法に応じて選択されてよい。例えば第１のガス流１６に使用されるガスの最高速度は、約１０００～３０００ｍ／秒の範囲内にあってよい。

[000131] 第１のガス流１６は、約５～３０ｓｌｍの範囲内の流量を有してよい。放射源ＳＯで生成された分子及び／又は原子デブリが照明システムＩＬに入るのを妨げるには約７ｓｌｍの流量で足り得る。微粒子デブリが照明システムＩＬに到達するのを抑制するために、７ｓｌｍより大きい第１のガス流の流量が必要となる可能性がある。例えば微粒子デブリが照明システムに到達するのを抑制するために、１５ｓｌｍより大きい第１のガス流１６の流量が必要となる可能性がある。１５ｓｌｍより大きい流量において、第１のガス流１６の非対称流が観察される可能性がある。換言すれば、第１のガス流１６は、以下で説明されるように、放射源ＳＯの内壁に向けて押される可能性がある。

[000132] 図３は、例えば第１のガス流１６の流量が１５ｓｌｍ以上の場合の、放射源ＳＯ内のシミュレートされた第１及び第２のガス流１６、１９を示している。図３から、第１のガス流１６は放射源ＳＯの（例えばチャンバ２３の）内壁２１に押し付けられていることが分かる。これは第１のガス流１６と第２のガス流１９との相互作用に起因するとみられる。第１のガス流１６と第２のガス流１９との相互作用によって、コレクタ５の一部に向かう第１のガス流１６のジェットの形成がもたらされる可能性がある。第１のガス流１６のジェットが形成される結果、デブリ、例えば微粒子デブリがコレクタ５に堆積する可能性がある。これによってコレクタ５及び／又は放射源ＳＯの汚染が増大する可能性がある。

[000133] 図４Ａは、ある実施形態による放射源ＳＯを概略的に示している。図４Ａに示す放射源ＳＯは、誘導デバイスをさらに備えている以外は図２に示したものと同様である。誘導デバイスは、流れスプリッタ２２の形で設けられてよい。明瞭にするために、第１及び第２のガス供給システム１７、２０、１つ以上の開口部１８、レーザ１、レーザビーム２及び放射ビームＢは図４Ａでは省略されている。しかしながら、図４Ａに示す例示的な放射源ＳＯが、図１から図３に関連して以上で説明した放射源ＳＯの特徴を備え得ることが理解されるであろう。放射源はチャンバ２３を備えてよい。流れスプリッタ２２は、第１のガス流１６が流れスプリッタ２２の周囲に方向付けられるようにチャンバ２３内に配置される。例えば流れスプリッタ２２は、第１のガス流が流れスプリッタ２２の周囲に対称的に方向付けられるように配置されてよい。流れスプリッタ２２は、第１のガス流１６を拡散又は分散させる、例えば対称的に拡散又は分散させるように構成されてよい。チャンバ２３内に流れスプリッタ２２を配置することによって、チャンバ２３内で第１のガス流１６の少なくとも一部が再循環することを抑制することができる。これによって、放射源ＳＯの内壁２１に堆積するデブリが減少する可能性がある。付加的又は代替的に、第１のガス流１６を流れスプリッタ２２の周囲に方向付けるようにチャンバ２３内に流れスプリッタ２２を配置することによって、例えばデブリによる流れスプリッタ２２の汚染を抑制する又は妨げることができる。

[000134] 流れスプリッタ２２は、放射源ＳＯのチャンバ２３内に配置され、放射源ＳＯの第１の位置における第１のガス流１６に使用されるガスの最高速度を維持することができる。第１の位置において、第１のガス流１６に使用されるガスの速度は、例えば放射源ＳＯのチャンバ２３内に流れスプリッタが配置されていない場合の、第１のガス流１６に使用されるガスの最高速度に一致する（又は実質的に一致する）可能性がある。流れスプリッタ２２は、放射源ＳＯ内に配置され、第１のガス流１６を拡散又は分散させて、例えば中間焦点６ａに向かう方向への第１のガス流１６の一部の再循環を妨げる又は抑制することができる。流れスプリッタ２２は、放射源ＳＯのチャンバ２３内に配置され、第２の位置において第１のガス流１６を拡散又は分散させることができ、第２の位置は中間焦点６ａから離間されて又は離れていてよい。流れスプリッタ２２は、第１のガス流１６に使用されるガスの最高速度が第２の位置で低下する、及び／又は中間焦点６ａから離れる方向に方向付けられ得る第１のガス流１６のガスの最低速度が上昇するように放射源のチャンバ２３内に配置されてよい。

[000135] 流れスプリッタ２２は、第１のガス流１６と第２のガス流１９との相互作用を抑制する又は妨げるように構成されてよい。流れスプリッタ２２は、例えばコレクタ５の一部に向かう第１のガス流１６のジェットの形成を妨げるように構成されてよい。これによって、７ｓｌｍより大きい第１のガス流１６の流量の使用が可能になる可能性がある。

[000136] 図４Ａを参照すると、流れスプリッタ２２はチャンバ２３内に配置されてチャンバ２３の一部分に延在する。例えば流れスプリッタ２２は、コレクタ５の光軸ＯＡに少なくとも部分的に沿って延びるように配置されてよい。換言すれば、流れスプリッタ２２は、流れスプリッタ２２の中心軸すなわち縦軸Ａがコレクタ５の光軸ＯＡの少なくとも一部と一致するようにチャンバ２３内に配置されてよい。放射源ＳＯは円錐部２３ａを含んでよく、円錐部２３ａはチャンバ２３の一部であってよい。円錐部２３ａは、中間焦点６ａからコレクタ５に向かって又はその近くに延びるように配置されてよい。流れスプリッタ２２は、円錐部２３ａに配置され、例えば円錐部２３ａの中心軸すなわち縦軸に少なくとも部分的に沿って延びてよい。中心軸すなわち縦軸は、この例ではコレクタ５の光軸ＯＡの少なくとも一部に一致する。これによって、チャンバ２３、例えば円錐部２３ａに流れスプリッタ２２の対称配置がもたらされる可能性がある。本明細書に記載の例示的なチャンバが円錐部を含むものに限定されないことが理解されるであろう。例えばチャンバ又はその一部分は、例えば放射ビームを遮ることなくチャンバ又はその一部分の容積を小さくする任意の適切な形状を有してよい。

[000137] 図４Ａを参照すると、流れスプリッタ２２は中間焦点領域６に又はその近くに配置されている。例えば流れスプリッタ２２は中間焦点領域６に又はその近くに配置され、流れスプリッタ２２が第１のガス流１６に作用できるようになる。流れスプリッタ２２は、中間焦点６ａから距離を置いて配置されてよい。流れスプリッタ２２の中間焦点６ａからの距離は、５から１５ｃｍの範囲内であってよい。しかしながら、流れスプリッタ２２の放射源ＳＯ内での配置はこのような距離に限定されず、他の距離の値が選択されてよいことを理解されたい。例えば距離は、中間焦点領域で又はその近くで利用可能な空間、及び／又は、例えば中間焦点領域での放射に起因して流れスプリッタ２２に作用し得る熱負荷に応じて選択されてよい。換言すれば、距離は、例えば流れスプリッタ２２の溶融など、流れスプリッタ２２に対する熱的効果が最小限に抑えられる又は妨げられるように選択されてよい。以上で考察したように、流れスプリッタ２２は、円錐部２３ａの中心軸すなわち縦軸に少なくとも部分的に沿って延在するように配置されてよく、中心軸すなわち縦軸は、この例ではコレクタ５の光軸ＯＡの少なくとも一部に一致する。この配置によって、流れスプリッタ２２は、例えば第１及び第２のガス流１６、１９間の相互作用を抑制する又は妨げるために、第１のガス流１６を流れスプリッタ２２の周囲に対称的に方向付けできる可能性がある、及び／又は第１のガス流１６のジェットの形成を妨げることができる。

[000138] 図４Ｂに示す例示的な流れスプリッタ２２は、第１の端部２２ａから第２の端部２２ｂに向かってテーパ状になるように配置されている。流れスプリッタ２２の第１の端部２２ａは拡大部を含む又は画定することができる。流れスプリッタ２２は、チャンバ２３、例えばその円錐部２３ａ内に、流れスプリッタの第１の端部２２ａ、例えば拡大部が中間焦点領域６から遠位に位置するように配置されてよい。流れスプリッタ２２の第２の端部２２ｂは、尖頭部を画定する又は含むことができる。流れスプリッタ２２は、チャンバ２３、例えばその円錐部２３ａ内に、流れスプリッタ２２の第２の端部２２ｂ、例えば尖頭部が中間焦点領域６に又はその近位に位置するように配置されてよい。図４Ｂに示す例示的な流れスプリッタ２２は円錐形状を有する。

[000139] 図４Ｃは、流れスプリッタ２２の別の例示的な構成を示している。図４Ｃに示す流れスプリッタ２２は、図４Ｂに示したものと同様である。流れスプリッタ２２の第１の端部２２ａは、拡大部を画定する又は含む。流れスプリッタ２２の第２の端部２２ｂは、丸み部を含む又は画定する。図４Ｃに示す例示的な流れスプリッタは、略円錐台形状を有すると考えられてよい。本明細書に開示される流れスプリッタが円錐又は円錐台形状に限定されないことを理解されたい。他の例では、流れスプリッタは１つ以上の平坦部を有する円錐又は円錐台形状を有してよい。代替的に、流れスプリッタは渦巻き又はらせん形状を有してよい。

[000140] 図４Ｂ及び４Ｃを参照すると、例えば流れスプリッタ２２の縦軸すなわち中心軸Ａに沿った流れスプリッタ２２の長さすなわち寸法は、放射源ＳＯのチャンバ２３の寸法、容積及び／又は形状に応じて選択されてよい。流れスプリッタ２２の長さすなわち寸法は、例えば流れスプリッタ２２が放射源ＳＯのチャンバ２３内に配置される場合に、流れスプリッタ２２が第１のガス流１６と相互作用する、及び／又は流れスプリッタが流れスプリッタ２２の周囲に第１のガス流を方向付けるように選択されてよい。流れスプリッタ２２の縦軸すなわち中心軸Ａに沿った流れスプリッタ２２の例示的な長さすなわち寸法は、約３～３０ｃｍ、例えば１０～２０ｃｍを含んでよい。ただし、本明細書に開示されている例示的な流れスプリッタがこのような長さすなわち寸法に限定されないことを理解されたい。

[000141] 放射源ＳＯは加熱要素２４を備えてよく、加熱要素２４は流れスプリッタ２２の一部である又はこれに含むことができる。加熱要素２４は、例えば流れスプリッタ２２の周囲に方向付けられる第１のガス流１６の量を増加させるために、流れスプリッタ２２の温度を上昇させるように構成されてよい。

[000142] 加熱要素２４は、流れスプリッタ２２の温度を、増加した第１のガス流の量が流れスプリッタ２２の周囲に方向付けられる第１の温度以上に上昇させるように構成されてよい。例えば、流れスプリッタ２２の温度が第１の温度以上に上昇する結果、例えば第１のガス流１６の少なくとも一部分が流れスプリッタ２２に接触するとき、第１のガス流１６の原子の少なくとも一部の速度が上昇する可能性がある。流れスプリッタ２２の温度が第１の温度以上に上昇することによって、流れスプリッタ２２と接触する第１のガス流１６の一部分に熱が伝導する可能性がある。第１のガス流１６の一部分に熱が伝導することによって、第１のガス流の一部分のガスが膨張する、及び／又は第１のガス流の一部分のガスの粘度が上昇する可能性がある。換言すれば、流れスプリッタ２２と接触する第１のガス流の一部分のガスは上昇した粘度を有する可能性がある。上昇した粘度を有する第１のガス流１６の一部分のガスは、流れスプリッタ２２に入射する第１のガス流の別の部分に作用する、及び／又は第１のガス流１６の別の部分を流れスプリッタ２２の周囲に方向付ける可能性がある。換言すれば、第１のガス流１６の一部分のガスの粘度が上昇することによって、流れスプリッタ２２の有効寸法は、流れスプリッタ２２の実寸法に対して大きくなると見なすことができる。

[000143] 第１の温度は、プラズマ７を生成するのに使用される燃料の溶融温度以上であってよい。換言すれば、第１の温度はプラズマ７を生成するのに使用される燃料に応じて選択されてよい。例えばスズが燃料に使用されている場合、加熱要素２４は、流れスプリッタの温度を（スズの溶融温度にほぼ一致する）約２３０℃以上の温度に上昇させるように構成されてよい。２００℃未満の温度では、流れスプリッタ２２に堆積する燃料、例えばスズは固体である可能性がある。固体燃料は、中間焦点６ａに向けて方向付けられた放射ビームＢの少なくとも一部分を回折又は遮断する可能性がある。

[000144] 加熱要素２４は、流れスプリッタ２２の温度を第２の温度未満に維持するように構成されてよい。第２の温度以上では、流れスプリッタ上に存在し得るデブリの拡散が生じる又は高まる。第２の温度以上では、流れスプリッタ２２上に存在し得るデブリの拡散が高まる可能性がある。例えば水素雰囲気中のスズ蒸気の拡散係数は温度上昇ともに上昇する可能性がある。流れスプリッタ２２の温度を第２の温度未満に維持することによって、チャンバ２３内でのデブリの拡散を抑制することができる。流れスプリッタ２２上に存在し得るデブリの量は、以上で説明したように、例えば流れスプリッタ２２がチャンバ２３内に配置されて第１のガス流１６を流れスプリッタ２２の周囲に方向付けるため、及び／又は７ｓｌｍより大きい第１のガス流１６の流量を使用するため小さいと考えられる。

[000145] 加熱要素２４は、流れスプリッタ２２内に埋め込まれてよい。他の実施形態では、加熱要素は別体に設けられてよいことが理解されるであろう。そのような実施形態では、加熱要素は、流れスプリッタの温度を上昇させるように配置されてよい。加熱要素２４は、抵抗加熱要素の形で設けられてよい。他の実施形態では、流れスプリッタ２２は誘導加熱されてよいこと、及び／又は加熱要素は、例えばコイルなどの電磁要素の形で設けられてよいことが理解されるであろう。電磁要素に電流を生成するために電子振動子、例えば高周波発生器が設けられてよく、結果として電磁要素に熱が発生する可能性がある。

[000146] 図４Ａ及び図４Ｄを参照すると、一部の実施形態では、流れスプリッタ２２は冷却剤により冷却するように構成されてよい。例えば流れスプリッタ２２は、例えば中間焦点領域６での放射に起因する、流れスプリッタ２２に作用し得る熱負荷を低減するために冷却されてよい。流れスプリッタ２２は、流れスプリッタ２２の温度を、プラズマ７を生成するのに使用される燃料の溶融温度未満に維持するために冷却されてよい。これによって、流れスプリッタ２２上に存在し得る液体燃料の放射源ＳＯの内壁２１又は任意の他のコンポーネント上への分散／拡散を妨げることができる。以上で説明したように、流れスプリッタ２２上に存在し得るデブリの量は、以上で説明したように、例えば流れスプリッタ２２がチャンバ２３内に配置されて第１のガス流１６を流れスプリッタ２２の周囲に方向付けるため、及び／又は７ｓｌｍより大きい第１のガス流１６の流量を使用するため小さいと考えられる。

[000147] 冷却剤は冷却剤源２５によって供給されてよい。例えば流れスプリッタ２２は、冷却剤源２５から冷却剤を受け取るための、及び／又は流れスプリッタ２２に冷却剤を流すためのチャネル２６を備えてよい。流れスプリッタ２２は、冷却剤源２５に接続するように構成されてよい。冷却剤源２５は、流れスプリッタ２２に冷却剤を供給するように構成されてよい。例えば冷却剤源２５は、流れスプリッタ２２に冷却剤を供給して、以上で説明したように、流れスプリッタ２２の温度を、例えばプラズマ７を生成するのに使用される燃料の溶融温度及び／又は第２の温度未満に低下させるように構成されてよい。冷却剤は、冷却剤流体、例えば冷却剤液体や冷却剤／冷却ガスなどの形で提供されてよい。流れスプリッタは、加熱要素２４を備えることの代わりに、又はこれに加えて冷却剤により冷却されるように構成されてよいことが理解されるであろう。

[000148] 図５は、放射源ＳＯの別の実施形態を概略的に示している。図５に示す放射源ＳＯは、図４Ａに示したものと同様である。明瞭にするために、第１及び第２のガス供給システム１７、２０、１つ以上の開口部１８、レーザ１、レーザビーム２、及び放射ビームＢは図５では省略されている。しかしながら、図５に示す例示的な放射源ＳＯが、図１から図４に関連して以上で説明した放射源ＳＯの特徴を備えてよいことが理解されるであろう。

[000149] 図５に示す放射源ＳＯの例示的な流れスプリッタ２２は、ノズル又はスリットの形で設けられ得る複数の別の開口部２７を備える。複数の別の開口部２７（又は複数の別の開口部２７の各別の開口部）は、第３のガス流２８をコレクタ５に方向付けるように構成されてよい。第３のガス流は、約１～５０ｓｌｍの範囲内の流量を有してよい。複数の別の開口部２７は、複数の別の開口部２７からの第３のガス流２８が、第１のガス流１６と相互作用するように流れスプリッタ２２に配置されてよい。第１のガス流１６と第３のガス流２８との相互作用は、第１のガス流１６を、チャンバ２３、例えば円錐部２３ａの内壁２１の近くに方向付ける又は押し込むことができる。第３のガス流２８をコレクタ５に方向付けるために複数の別の開口部２７を設けることによって、第１のガス流１６の分散を高めることができる。第１のガス流１６の分散が高まる結果、第１及び第２のガス流１６、１９間の相互作用が低下する又は抑制される可能性がある。

[000150] 複数の別の開口部２７は、円周方向に、周状に及び／又は軸方向に流れスプリッタ２２に配置されてよい。換言すれば、複数の別の開口部２７は、流れスプリッタ２２の周囲に及び／又は流れスプリッタ２２の中心軸すなわち縦軸Ａの方向に延在するように配置されてよい。複数の別の開口部２７は、例えば第１のガス流１６及び／又は第３のガス流２８が流れスプリッタ２２の周囲を対称的に流れるように、流れスプリッタ２２に対称的に配置されてよい。

[000151] 図２に示した例示的な第１のガス供給システム１７は、第３のガス流２８を流れスプリッタ２２に供給するように構成されてよい。例えば流れスプリッタ２２は、例えば第３のガス流２８の流れスプリッタ２２への供給を可能にするために、第１のガス供給システム１７に接続する又は接続可能にすることができる。別の例において、デブリ軽減システムが、第３のガス流を流れスプリッタに供給するように構成され得る別のガス供給システムを備えてよいことが理解されるであろう。流れスプリッタは、例えば第３のガス流の流れスプリッタへの供給を可能にするために、別のガス供給システムに接続する又は接続可能にすることができる。図５に示す流れスプリッタ２２は複数の別の開口部２７を備えているが、他の実施形態では、流れスプリッタが第３のガス流をコレクタに方向付けるように構成され得る１つの別の開口部を備えてよいことが理解されるであろう。

[000152] 図６は、放射源ＳＯの別の実施形態を概略的に示している。図６に示す放射源ＳＯは、図４Ａに示したものと同様である。明瞭にするために、第１及び第２のガス供給システム１７、２０、１つ以上の開口部１８、レーザ１、レーザビーム２、及び放射ビームＢは図４Ａでは省略されている。しかしながら、図６に示す例示的な放射源ＳＯが、図１から図５に関連して以上で説明した放射源の特徴を備えてよいことが理解されるであろう。

[000153] 図６に示す例示的な放射源ＳＯは、バーすなわちオブスキュレーションバー２９の一部であってよい又はこれによって提供されてよいデブリ受取面２９ａを備える。バー２９は、チャンバ２３、例えば円錐部２３ａ内に配置され、デブリが中間焦点領域６に到達するのを妨げることができる。バー２９は、コレクタ５の光軸ＯＡと交差する又はこれを横切って延在するように配置されてよい。この配置では、バー２９は、弾道微粒子デブリを含み得るデブリの、及び／又はレーザビーム２の一部分、例えばレーザビーム２のプラズマ形成領域４を通過する部分の直接通視線を遮ると考えることができる。換言すれば、バー２９は、レーザビーム２の一部分を放射源ＳＯの中間焦点領域６から離れる方向に反射するように構成されてよい。

[000154] 図６に示す例示的な放射源では、流れスプリッタ２２は、バー２９と中間焦点領域６との間に配置される。この配置では、バー２９は、流れスプリッタ２２の少なくとも一部分又は全てにわたって延びる又はこれと重なるように配置される。例えばバー２９は、プラズマ７により生成されたデブリがバー２９のデブリ受取面２９ａに入射するように、流れスプリッタ２２の第１の端部２２ａの拡大部にわたって延びる又はこれと重なるように配置されてよい。換言すれば、流れスプリッタ２２はバー２９の陰に配置されてよい。

[000155] 図６に示す例示的な放射源ＳＯでは、デブリ受取面２９ａはバー２９の一部であるものとして説明されたが、例えば図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、及び図５に関連して説明した放射源の他の実施形態では、デブリ受取面２９ａが流れスプリッタ２２によって提供されてよい又は流れスプリッタ２２の一部であってよいことが理解されるであろう。このような実施形態では、流れスプリッタ２２は、本明細書で説明されるバー２９の特徴のいずれかを含んでよい。さらに、流れスプリッタ２２は、プラズマ７により生成された熱若しくは熱負荷又は中間焦点領域６における放射の熱若しくは熱負荷に流れスプリッタ２２が耐えられるように構成されてよい。流れスプリッタ２２は、プラズマ形成領域４を通過するレーザビーム２の一部分を、中間焦点領域６から離れる方向に反射するように構成されてよい。例えばデブリ受取面２９ａが流れスプリッタ２２により提供される場合、例えば流れスプリッタ２２の中心軸すなわち縦軸Ａと垂直な及び／又は平行な方向の流れスプリッタ２２の長さすなわち寸法は、例えばバー２９と組み合わせて使用される流れスプリッタ２２の中心軸すなわち縦軸Ａと垂直な及び／又は平行な方向の長さすなわち寸法に対して大きくなる可能性がある。

[000156] 図７Ａは、流れスプリッタがない場合の放射源ＳＯにおける第１のガス流１６のシミュレーションを示している。図７Ａに示す放射源ＳＯは、図６に関して以上で説明した、チャンバ２３、例えば円錐部２３ａに配置されたバーすなわちオブスキュレーションバー２９を備える。第１のガス流１６は、放射源ＳＯにおいて実質的に層流であると見なされてよい。ただし、第１のガス流１６の一部が再循環することが図７Ａから分かる。第１のガス流１６の一部の再循環は、隣接したガスと相互作用して、例えば隣接したガスを同じ速度又は速さで引っ張り得るジェットが、第１のガス流１６のガスの一部から形成されることに起因する可能性がある。第１のガス流１６のフレッシュガスは、内壁２１に沿って低い速度又は速さで流れ、ガスの空乏化や負圧の形成を防ぐことができる。第１のガス流１６の一部が再循環する結果、放射源ＳＯ、例えばチャンバ２３の内壁２１にデブリが堆積する可能性がある。

[000157] 図７Ｂは、流れスプリッタがない場合の放射源におけるデブリ、例えば原子スズデブリの表面堆積のシミュレーションを示している。デブリがチャンバ２３、例えば円錐部２３ａに分布し、中間焦点領域６に向かう方向に延在することが分かる。

[000158] 図８Ａは、以上で説明した流れスプリッタ２２を備えた放射源ＳＯにおける第１のガス流１６のシミュレーションを示している。図８Ｂから、チャンバ２３、例えば円錐部２３ａ内に流れスプリッタ２２を配置することによって、第１のガス流１６の再循環が抑制されることが分かる。この結果、流れスプリッタ２２を備えた放射源におけるデブリ、例えば原子スズデブリの表面堆積のシミュレーションを示す図８Ｂに示すように、チャンバ２３、例えば円錐部２３ａ内のデブリ堆積が抑制される。換言すれば、チャンバ２３、例えば円錐部２３ａ内に流れスプリッタ２２を配置することによって、中間焦点領域６方向のデブリの広がりが抑制される。

[000159] 第１、第２及び／又は第３のガス流は水素ガスを含んでよい。他の実施形態では、別のガス又はガスの混合物が使用されてよいことが理解されるであろう。例えば、他の実施形態では、第１、第２及び／又は第３のガス流はアルゴンガス又はヘリウムガスを含んでよい。

[000160] 流れスプリッタ２２の材料は、腐食に耐性を示す、例えば、放射源ＳＯ内の環境、例えば放射源ＳＯ内の水素環境における燃料による腐食に対する耐性を示すように選択されてよい。流れスプリッタ２２の材料は、以上で説明したように、例えば放射源ＳＯにおける放射、プラズマ７、及び／又は第１の温度以上への流れスプリッタ２２の温度の上昇に起因して流れスプリッタに作用する熱負荷に耐性を示すように選択されてよい。例示的な流れスプリッタ２２は、金属若しくは金属合金を含んでよい又は金属若しくは金属合金で作られてよい。例えば流れスプリッタの材料は、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ステンレス鋼、銅又はこれらの合金であってよい、又はこれらを含んでよい。流れスプリッタ２２は金属表面又は金属合金表面を備えてよい。流れスプリッタの金属表面又は金属合金表面によって、放射源ＳＯ内に存在し得る水素ラジカルの再結合の改善がもたらされる可能性がある。例えば水素（Ｈ２）分子は、熱吸収及び／又は放射吸収、又はイオン衝突によって水素ラジカルに分裂する可能性がある。水素ラジカルは、放射源の内壁２１から、デブリ、例えばスズを除去するのに有用な可能性がある。水素ラジカルが存在することによって、例えば水素ラジカルがチャンバ２３内の液体の燃料層に拡散する場合の燃料のスピッティング（ｓｐｉｔｔｉｎｇ）など、チャンバ２３内に汚染が生じる可能性がある。金属表面又は金属合金表面を有する流れスプリッタを設けることによって、水素ラジカルの再結合を改善することができる、及び／又は、例えば燃料のスピッティングなどのチャンバ２３内の汚染を抑制することができる。他の実施形態では、流れスプリッタが別の材料、例えばセラミック材料などを含んでよいことが理解されるであろう。セラミック材料は、二酸化ケイ素材料、窒化ジルコニウム材料、又は酸化ジルコニウム材料を含んでよい。

[000161] 以上で説明したように、デブリ軽減システムは、第１のガス流を中間焦点領域からプラズマ形成領域に方向付けるように構成される。例えばデブリ軽減システムは，第１のガス供給システムを備えてよい。第１のガス供給システムは、第１のガス流をプラズマ形成領域に向けて供給するように構成されてよい。第１のガス供給システムは、中間焦点領域、例えば中間焦点に又はその近くに設けられた１つ以上の開口部、例えば１つ以上のノズル又はスリットを備えてよい。１つ以上の開口部は、第１のガスがコレクタに向かって流れるように配置されてよい。例えば１つ以上の開口部は、第１のガス流をＥＵＶ放射ビームの伝搬方向と反対（例えば実質的に反対）の方向に方向付けるように配置されてよい。第１のガス流は、デブリが中間焦点１２７ａに向かって移動することを抑制する又は妨げるのに十分な流量を有してよい。第１のガス供給システムは、動的ガスロック（ＤＧＬ）システムである又はこれに含まれると見なすことができる。

[000162] 図２２Ａに示すように、ＥＵＶリソグラフィ装置の少なくとも一部をＥＵＶ源による燃料汚染から保護するために、第１のガス流を中間焦点（ＩＦ）領域１２７で導入し、プラズマ形成で生成されたデブリ粒子を源容器に押し戻す（図２２Ａに示す第１のガス流は図７Ａの第１のガス流１６と同様である）。第１のガス流は、本明細書において動的ガス流又は動的ガスロック（ＤＧＬ）流と呼ばれ、１つ以上の収束ガスインレットによって生成することができる。（例えば図９及び図１０に示すような）例えばＥＵＶコレクタの光軸に向かって収束するいくつかのガスインレットの２つのアレイから高速ガスジェットが提供されてよく、ＥＵＶ容器１００内に１つの高速の第１のガス流が形成される。高速の第１のガス流は、デブリ粒子をＩＦ領域１２７から引き離す抗力を生み出し、これと同時に、燃料蒸気及び／又は燃料の派生物（例えば水素化スズ）からのリソグラフィ装置の少なくとも一部に対するペクレ（Ｐｅｃｌｅｔ）型の保護を行う。しかしながら、実験結果は、１０ｓｌｍ未満のガス流量を有する動的ガス流（例えば第１のガス流）を使用すると、ＩＦ点１２７ａを通過するデブリ粒子の量がＥＵＶ源に要求される清浄度仕様より１桁大きい可能性があることを示す。

[000163] この問題を解決するため、より高速の第１のガス流を使用して、リソグラフィ装置の少なくとも一部を燃料汚染から保護することが考えられる。しかしながら、第１のガス流が高速になると、コレクタ汚染及び（燃料発生器により放出されたときの）燃料液滴の安定性が悪化する可能性がある。高速で細い動的ガス流は、反対方向から提供されるコレクタのコーン流れと相互作用することによって依然としてコレクタに到達し、燃料液滴の不安定性及び／又はさらなるコレクタ汚染をもたらすことが想定される。高速の第１のガス流は再循環を引き起こし、さらにデブリ粒子をＩＦ領域１２７に近づける結果、デブリ粒子が中間焦点１２７ａを通ってリソグラフィ装置に入り、これによって動的（第１の）ガス流のデブリ軽減機能を少なくとも部分的に打ち消す可能性がある。ガスの再循環は特に容器上部で生じる可能性があり、これによりＩＦ領域１２７に向かうデブリの「搬送ベルト」の役割を果たす。

[000164] ある実施形態では、第１のガス流の再循環をＥＵＶ容器１００の上部の中間焦点領域１２７に閉じ込める第２のガス流を提供するように配置された第２のガス供給システムを使用することが提案される。第２のガス供給システムは、好ましくは第１のガス流の伝搬方向に実質的に垂直な（すなわちＥＵＶコレクタの光軸に実質的に垂直な）方向に第２のガス流を方向付けるように配置された１つ以上の開口部を備える。図２２Ｂに示す実施形態では、２つの対向するガス流ジェット（すなわち第２のガス流）を提供するための１対のインレット６２４ａ、６２４ｂを、第１のガス流の下流の中間焦点領域１２７の近くに配置する。好ましくは１インレット当たり少なくとも２ｓｌｍ（すなわち１対当たり少なくとも４ｓｌｍ）、さらに好ましくは１ジェット当たり少なくとも５ｓｌｍのガス流量で第２のガス流が供給される。第２のガス流は、第１のガス流と実質的に同じかさらに高い速度を有してよい。

[000165] 絞りジェットは、真っすぐなＤＧＬ流（すなわちＥＵＶ容器の光軸と一直線）と最もよく協働する。ガスジェットインレット６２４ａ、６２４ｂは、（図２２Ｂに示すように）中心流を提供するように位置合わせされてよい。ガスジェットインレットはまた、少しオフセットされてよい。絞りジェット間のオフセットは、ＤＧＬ流が依然として実質的に真っすぐである限り、（ガス流の遮断時により大きな相互作用領域を形成する）傾斜に対するロバスト性を向上させることができる。代替的に、ガスジェットインレット６２４ａ、６２４ｂは、第１のガス流の方向とある角度を成す傾斜した第２のガス流（図示せず）を提供するように配置される。

[000166] １対の対向するガスジェットインレット６２４ａ、６２４ｂは、機械的な設計制約がない場合、性能を向上させるために（図２２Ｃに示すように）ＩＦ点１２７ａにある第１のガスインレットに近いＩＦ領域１２７に配置されてよい。１対の対向するガスジェット６２４ａ、６２４ｂの機能は、運動量交換によって動的ガス流を絞って拡散させることである。同様の原理が、２つの高速の側方ガスジェットが液体流を微液滴に砕く液体噴霧器で使用される。サイドガスジェット６２４ａ、６２４ｂは、細い高速の動的ガス流ジェットを減速させ、拡散させる。これによって容器壁近くの大規模な再循環が取り除かれる又は抑制され、代わりに実質的に一方向のガス流場が排出部に向けて確立されることによって、ＥＵＶ容器１００の燃料汚染からの保護に役立つ。

[000167] 絞りジェットインレット６２４ａ、６２４ｂは、ガスジェット流が動的ガス流の主方向に実質的に直交するように配置されるのに対し、動的ガス流ノズルは、結果として生じる動的ガス流ジェットと実質的に整列配置される。絞りジェットの速度は、遮断点１６６近くでの動的ガス流ジェットの速度と実質的に同じになるように調整されてよい。理論に縛られることなく、絞りジェットの運動量は、好ましくはその値が遮断点１６６における動的ガス流ジェットの運動量と実質的に同等であることが期待される。インレット及びノズルのサイズ、形状（円、レーストラック、四角など）、及び絞りジェットインレット６２４ａ、６２４ｂのＩＦ点１２７ａまでの間隔を変化させてＥＵＶ容器１００のデブリ軽減を強化することができる。

[000168] サイドジェットを導入する１つ以上の利点は、リソグラフィ装置の少なくとも一部を保護するための高いＤＧＬ流量を可能にすること、排出部から下部コーンへの再循環を抑制する、さらには取り除くことができること、ＩＦコーンにおける積極的なペクレ保護を行えること、動的ガス流の機能を犠牲にすることなく、動的ガス流速度を大幅に低下させて、コレクタ及び燃料液滴の安定性に対する悪影響を取り除くことができることである。

[000169] 図２２Ｂ及び図２２Ｃは１対の絞りジェットを示しているが、単一の絞りジェット又は複数の絞りジェット（すなわち２つ以上の絞りジェット）を使用することも可能である。シミュレーションは、２つの絞りジェット又は複数対のガス流絞りジェットが有利な結果をもたらすことを示しているが、ＥＵＶ容器内の全ガス流の特定の条件に応じて、非対称の第２のガス流構成も役立つ可能性がある。非対称流設計においても、絞りジェットの運動量はその値が遮断点における動的ガス流の運動量と実質的に同等である。

[000170] 本発明のある態様によれば、上記の実施形態を他のガス流供給部と組み合わせることも可能である。例えばＥＵＶ容器は、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設されたシャワーヘッドの形の第３のガス流も（すなわち第１及び第２のガス流に加えて）備えてよい。シャワーヘッドは、ガスを容器に導入するように構成された１つ又は複数のノズルを備える。シャワーヘッドは、ガスをシャワーヘッド内に供給するように構成された少なくとも１つのインレットを有する。１つ以上の排出部が、容器に導入されたガスを除去するように構成されてよく、１つ以上の排出部は、ガスをＥＵＶコレクタから離れる方向に流すように容器内壁の少なくとも一部分に沿って配向される。少なくとも１つの排出部が、容器内壁に沿って方位角的に非対称な位置に配設され、容器からガスを排出するように構成されてよい。絞りジェット又は誘導デバイスはまた、カーテンフロー（例えば図１８Ａに示すようなカーテンフロー１２２）と共に上手く動作することができる。ＤＧＬ流に第２のガス流（絞りジェット）、カーテンフロー及びＥＵＶ容器の下部にあるシャワーヘッド流を組み合わせることも可能である。別の実施形態は、（例えば図２０に示すような）誘導デバイスにより提供される第１のガス流に実質的に垂直なカーテンフローである。これを絞りジェットと組み合わせて又は単独（ジェットなし）で使用することが可能である。

[000171] さらに、第１のガス流が周囲に方向付けられるように誘導デバイスがＥＵＶチャンバ内に加えられてよい。誘導デバイスは、第２のガス流による遮断点の前又は後の第１のガス流の流路に導入されてよい。

[000172] リソグラフィシステムに使用される放射源を、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源（又は単に「源」）の形で設けてよい。放射源は、プラズマ容器内でスズ（Ｓｎ）などの燃料からプラズマを生成することによって極端紫外線（ＥＵＶ）放射を生成する。放射源はＥＵＶ容器を含んでよい。一部の例では、液体燃料の液滴を高エネルギーレーザ放射で照明することによってスズプラズマを生成する。以下の説明はスズについて言及したものであるが、任意の適切な燃料が使用されてよい。プラズマから放出されたＥＵＶ光子は、容器内にＥＵＶコレクタの形で設けられ得る近法線入射放射コレクタ（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることもある）によって収集され、リソグラフィ装置の少なくとも一部に入る中間焦点に送られる。多くの例では、スズ物質をレーザ放射で照明した結果としてスズデブリが生成され、容器内に残ることになる。

[000173] スズデブリには、レーザ放射による照明が行われた又は照明が意図された後に容器内に残っているスズ物質又はスズ生成物が含まれてよい。スズデブリは、例えばイオン性スズ、スズ蒸気、スズ微粒子、スズ生成物（ＳｎＨ_４ガス）、又はスズ堆積物を含むことができる。多くの例では、スズデブリはＥＵＶコレクタだけではなくＥＵＶ容器の容器内壁にも堆積する。一旦堆積すると、スズデブリは容器内の他の表面上に吐出、滴下、及び落下する可能性がある。結果として、スズデブリは、ＥＵＶコレクタの反射性を低減する、あるいはＥＵＶ光路を遮断する程度に蓄積する可能性がある。最終的には、これによってコレクタの寿命が縮まり、放射源の利用可能性が低下する。

[000174] 一部の例では、いくつかの表面（例えば容器壁、羽根、及びスクラバ）が放射源の動作中冷たく保たれる。これにより、スズデブリを固体の状態に保つことによってスズ滴下及び吐出の一部を解消することができる。しかしながら、ある特定の状況では、スズが依然として重力及びＥＵＶ容器の動作中にＥＵＶコレクタにかかるガス圧力に起因して落下する程度に蓄積する可能性がある。さらに、これらの冷たい表面にＳｎが蓄積することによって、放射源動作のためのガス流の撹乱だけではなくＥＵＶ経路の遮断が引き起こされる可能性がある。

[000175] 他の例では、いくつかの表面がＳｎの溶融点より高い温度に保たれる。これによってスズデブリを液体の状態に維持する結果、Ｓｎの蓄積及びＥＵＶ経路の遮断を抑制することができる一方、液体状態のスズは先に述べたように吐出及び滴下を起こしやすい。

[000176] いくつかの放射源が、容器内の複数の場所にガス供給部を設けて容器からスズデブリを追い出すことによって、容器表面のＳｎデブリ及び堆積物に対処する。これらのうちの１つは、ガスを容器に導入するＥＵＶコレクタの中心近くの中心供給部である。また、いくつかの放射源は、ガスを容器に導入するＥＵＶコレクタの周辺に近い場所にある周辺供給部を有してよい。中心供給部及び周辺供給部は、ＥＵＶコレクタから離れるエネルギー的に有利な流れ方向だけではなく、Ｓｎデブリの拡散に対するバリアを与えることによってＥＵＶコレクタをＳｎデブリからある程度保護するのに役立つガス流路を提供する。

[000177] 中心供給部及び周辺供給部を有する実施形態は、ＥＵＶコレクタのある水準の保護を可能にするが、Ｓｎデブリは、依然としてＥＵＶ光路を遮断する程度に容器内壁に蓄積する可能性がある。また、Ｓｎデブリが容器内壁のＥＵＶコレクタより重力方向上方にある領域に蓄積する場合、ＳｎデブリはＥＵＶコレクタ上に落ちる可能性がある。結果として、中心供給部及び周辺供給部に加えて、ガスを容器に導入するためのガス源を備えて、１つ以上の容器内壁の保護を可能にすることが有利と考えられる。

[000178] 特定の実施形態では、ＥＵＶ容器が、ガスを容器に導入するための容器壁供給部を備えてよい。一部の実施形態によれば、容器壁供給部は、ガスを容器に導入するための複数のノズルを有する、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設されたシャワーヘッドを備えてよい。これらの実施形態によれば、シャワーヘッドは容器内壁と同様の形状であってよい。したがって、例えば容器内壁が円錐形状を有する場合、シャワーヘッドも同様に円錐形状であってよい。同様に、容器内壁がたまたま円筒形状、矩形、又はその他の多面形状を有する場合、ＥＵＶ容器に含まれるシャワーヘッドは、同様にそれぞれ円筒形状、矩形、又はその他の多面形状を有してよい。別の実施形態によれば、シャワーヘッドは、容器内壁と異なる形状を有してよい。一部の実施形態では、容器壁供給部、周辺供給部、又は中心供給部を介して容器内に供給されるガスは水素ガスを含んでよい。

[000179] 図９Ａは、ＥＵＶ容器１００の容器内壁１０４の少なくとも一部分に沿って配設されたシャワーヘッド１０１を有するＥＵＶ容器１００のある実施形態の簡略化された概略図である。この実施形態によれば、レーザ放射パルス１０５が、ターゲット材料１１１を材料ターゲット領域（図示せず）内で照明することが示されている。プラズマ１０７が生じ、例えばＥＵＶ放射１１５を生成し得ることが示されている。ＥＵＶ放射１１５は、ＥＵＶコレクタ１０２によって中間焦点（ＩＦ）領域１５７に向けて反射されることが示されている。

[000180] 図９Ａの実施形態によれば、シャワーヘッド１０１は、容器内壁１０４の少なくとも一部分に沿って配設された複数のノズル１２０を備えることが示されている。複数のノズル１２０のそれぞれは、配設された容器内壁１０４から離れる方向に容器へのガス流１４０の流入を可能にすることが示されている。図示されていないが、ノズル１２０は容器内壁１０４の最も右の部分にも含まれてよいことを理解されたい。つまり、シャワーヘッド１０１は、容器内壁１０４のＩＦ領域１５７に近い部分を含む、容器内壁１０４の右側に沿って延在してよい。

[000181] 図９Ａは、容器内壁１０４が矩形断面１５１によって画定できることを示している。容器内壁１０４は、例えば円形、楕円形、非矩形多角形断面であってよい他の断面形状、又は容器内壁１０４の長さに沿った異なる距離で異なる断面形状を有してよい。様々な容器内壁１０４の形状を、本明細書に記載の実施形態の範囲及び趣旨を逸脱することなく実現できることを理解されたい。したがって、例として円錐状の容器内壁１０４の様々な非限定的な例が以下で説明される。

[000182] 図９Ｂは、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂを介して容器１００にガスを導入するシャワーヘッド１０１を有するＥＵＶ容器１００（又は単に「容器」）のある実施形態の簡略化された概略図である。示されている実施形態では、ＥＵＶ容器１００は、円錐形状を有する容器内壁１０４を備えることが示されている。シャワーヘッド１０１は、容器内壁１０４の少なくとも一部分に沿って配設された結果として同様の形状を取ることが示されている。ＥＵＶ容器１００は、中心領域１０９を通って容器に入るレーザ放射パルス１０５を受光できることがさらに示されている。レーザ放射パルス１０５は、ターゲット材料領域（図示せず）内のターゲット材料１１１に入射することが示されている。プラズマ１０７が生じ、プラズマ発光１１３を放つことが示されている。ＥＵＶ放射１１５を含むプラズマ発光の一部は、ＥＵＶコレクタ１０２に反射し、容器１００内を移動し、リソグラフィ装置１１７の少なくとも一部に入ることが示されている。

[000183] 図９Ｂには、共にＥＵＶコレクタ１０２に近い場所で容器１００にガスを導入する中心供給部１０６及び周辺供給部１０８も示されている。中心供給部１０６及び周辺供給部１０８は共に、それぞれ容器１００にガスを導入するための複数のガスインレットを備えてよい。中心供給部１０６及び周辺供給部１０８は、ＳｎデブリのＥＵＶコレクタ１０２との接触事例を少なくするようにガスを導入する。例えば中心供給部１０６及び周辺供給部１０８は、Ｓｎ蒸気又は微粒子に対する拡散バリア、及び同じようにＥＵＶコレクタ１０２から離れる方向のエネルギー的に有利な流路を提供する。結果として、ＥＵＶコレクタ１０２には、Ｓｎデブリからのある程度の保護が与えられる。

[000184] 図９Ｂは、容器内壁１０４から離れる方向にガスを容器１００に導入するシャワーヘッド１０１も示す。示されている実施形態では、シャワーヘッド１０１は、第１の供給部１０３ａ及び第２の供給部１０３ｂを備える。第１の供給部１０３ａは、第１の複数の流れ１４０ａとしてガスを容器１００に導入する第１の複数のノズル１２０ａを供給することが示されている。第２の供給部１０３ｂは、第２の複数の流れ１４０ｂとしてガスを容器１００に導入する第２の複数のノズル１２０ｂを供給することが示されている。シャワーヘッド１０１の第１の供給部１０３ａ及び第２の供給部１０３ｂは、第１の複数のノズル１２０ａ及び第２の複数のノズル１２０ｂへのガスの供給をそれぞれ別々に制御できることが示されている。また、第２の複数のノズル１２０ｂは、ＥＵＶコレクタ１０２のより近位にあることが示されているのに対し、第１の複数のノズル１２０ａは、リソグラフィ装置１１７の少なくとも一部に近い容器のＩＦ領域１５７のより近位にあることが示されている。

[000185] 特定の実施形態では、第１の複数のノズル１２０ａ及び第２の複数のノズル１２０ｂは、別々に制御されるガス供給システム（図示せず）が別々に供給されてよい。これらの実施形態では、第１の複数のノズル１２０ａ及び第２の複数のノズル１２０ｂのための別々に制御されるガス供給システムを有することによって、容器１００内に生じ、シャワーヘッド１０１を介した容器１００へのガスの導入に起因する流動形状又は流路の制御を可能にしてよい。容器１００内の流動形状を制御することについての詳細は本明細書で考察される。特定の実施形態では、第１の複数のノズル１２０ａ及び第２の複数のノズル１２０ｂは、ガスを容器１００に導入するための個別のゾーンと見なされてよい。

[000186] 第１の複数の流れ１４０ａ及び第２の複数の流れ１４０ｂは、容器内壁１０４から離れる方向であることが示されている。第１及び第２の複数の流れ１４０ａ及び１４０ｂの方向性の結果、容器内壁１０４の表面へのＳｎデブリの堆積を妨げる流動形状を容器１００内に生成することができる。例えば、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂを介して導入されるガスが、容器内壁１０４上のＳｎ蒸気フラックス、ＳｎＨ_４フラックス、及び他のＳｎデブリフラックスを抑制し得る拡散バリアを提供することができる。

[000187] 特定の実施形態では、容器内壁１０４上に水素ラジカルフラックスが存在する可能性がある。一般的に言えば、水素ラジカルは、水素ガスによるＥＵＶ放射１１５の吸収だけでなく、プラズマ１０７の結果として容器１００内に存在する可能性がある。水素ラジカルは、例えばＳｎＨ_４ガスを形成することにより容器内壁１０４から固体のＳｎ堆積物を除去し得る、「冷たい」壁（容器内壁１０４のＳｎの溶融点未満に調節された部分）を含む特定の状況では有利な可能性がある。このような状況下における特定の実施形態によれば、例えば水素ラジカルをシャワーヘッド１０１、中心供給部１０６、周辺供給部１０８、又は動的ガスロック（ＤＧＬ）供給部１１０から供給することにより、水素ラジカルをさらに供給して、容器内壁１０４からの固体のＳｎ堆積物の除去を促進することができる。容器内壁１０４の液体のＳｎを含み得る温かい領域を含む他の実施形態では、温かい領域上の水素ラジカルフラックスを低減することができる。

[000188] 様々な実施形態において、容器内壁１０４は、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂがガス流をＥＵＶ容器１００内に方向付けることを可能にする独立の壁界面によって画定されてよい。これらの構成では、シャワーヘッド１０１は主に容器内壁１０４の後方にある。他の実施形態では、シャワーヘッド１０１自体が容器内壁１０４を画定することになる内面を有する。特定の他の実施形態では、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂの各ノズルは、ガスを容器１００に導入するための個別のガスラインを備えてよい。さらに別の実施形態では、シャワーヘッド１０１は容器内壁１０４に組み込まれてよく、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂのノズルのそれぞれを供給するラインが、後に第２の片と嵌合される第１の片であって、第２の片とのいずれかが容器内壁１０４を画定する第１の片から切り出される（ｈｏｇｇｅｄ ｏｕｔ）。

[000189] 第１及び第２の複数の流れ１４０ａ及び１４０ｂは、容器内壁１０４に直交する方向にガスを導入することが示されているが、容器内壁１０４に直交せずとも実施形態の趣旨及び範囲内に含まれる、ガスを容器１００に導入する多くの方法があることを理解されたい。さらに、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂのそれぞれは同じ方向性を有することが示されているが、説明される実施形態の本質及び範囲から逸脱することなく実現され得る、個々のノズルの個々の方向性に対する様々な変形が存在し得る。例えばある実施形態は、容器内壁１０４に対して同じ方向又は角度の複数のノズルを実装してよい一方、他の実施形態は、ＥＵＶ源又はＥＵＶ容器の異なる実施形態のニーズに合う、容器内壁１０４に対して互いに異なる角度を有するノズルを実装してよい。

[000190] 図９Ｂのシャワーヘッド１０１が、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂが容器内壁１０４の全周に沿ってガスを容器１００に導入するように構成され得るように、容器内壁１０４の周囲（例えば円周）に沿って延在することも理解されたい。他の実施形態では、シャワーヘッド１０１は必ずしも容器内壁１０４の全周に沿って延在しない可能性がある、すなわち容器内壁１０４に沿って横方向にある長さだけしか延在しない可能性がある。換言すれば、実施形態は、異なる実施形態のニーズに合う、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂを容器１００の容器内壁１０４に沿って分布させるための複数のパターンのうちのいずれか１つを有してよい。例えば特定の実施形態では、第１又は第２の複数のノズル１２０ａ又は１２０ｂをＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方にある領域に配置し、Ｓｎデブリがこの領域の容器壁に堆積し、その後ＥＵＶ源の動作中にＥＵＶコレクタ１０２上に落ちることを妨げることができる。

[000191] 容器内壁１０４は滑らかな表面を備えることが示されているが、容器内壁１０４が羽根付き面（例えば羽根を備えた表面又は羽根により画定された表面）を備えてよいことを理解されたい。例えば、羽根を備えた１つ以上の容器内壁１０４を有する特定の実施形態では、ガスが羽根の後部を介して導入され、羽根のプラズマ対向面の開口部から容器１００内に放出されてよい。したがって、羽根の内側の適切なチャネル（図示せず）を使用して、所望のパターンで羽根に組み込まれたノズルにガスを供給してよい。結果として、シャワーヘッド１０１は、１つ以上の容器内壁１０４の汚染を削減するガスの流動形状を得るために、容器１００の羽根付き面に組み込まれてよい。羽根を備えた１つ以上の容器内壁１０４を有する他の実施形態では、ガスは隣接した羽根の間の谷間から導入されてよい。

[000192] 図９Ｂには、容器１００からガスを排出する対称排出部１１２も示されている。対称排出部１１２は、容器内壁の周囲の周りに対称的に又は非対称的に配置されてよい。一実施形態では、対称排出部１１２は、容器内壁１０４の全周囲の周りに延在する１つの排出部を含んでよい。別の実施形態では、対称排出部１１２は、容器内壁１０４の周りに対称的に配置された複数の個別の排出ラインを備えてよい。図９Ｂにはさらに、ＩＦ領域１５７に近い場所からガスを容器に導入する動的ガスロック（ＤＧＬ）供給部１１０が示されている。

[000193] 図９Ｃは、ガス供給部１０３により供給される複数のノズル１２０を備えたシャワーヘッド１０１を有するＥＵＶ容器１００のある実施形態の簡略化された概略図である。ガス供給部１０３は、共通のガス供給システム（図示せず）によって制御されてよい。示されている実施形態では、複数のノズル１２０は、複数のガス流１４０が容器内壁１０４から離れる方向にガスを容器１００に導入できることが示されている。図９Ｃには、中心供給部１０６、周辺供給部１０８、及びＤＧＬ供給部１１０だけでなく、材料ターゲット領域１２３に入射するレーザ放射パルス１０５も示されている。

[000194] 図９Ｄに示す別の実施形態では、シャワーヘッド１０１は、複数の別々に供給された複数のノズル１２０ａ～１２０ｎを備えることが示されている。第１の複数のノズル１２０ａは第１の供給部１０３ａによって供給されることが示されており、第１の複数のガス流１４０ａとしてガスを容器１００に導入することが示されている。第１の複数のノズル１２０は、一部の実施形態によれば容器内壁１０４の周囲に沿って延在することが理解される。

[000195] 第２の複数のノズル１２０ｂ及び第３の複数のノズル１２０ｃは、ＩＦ領域１５７に対して容器内壁１０４上に同じ横方向距離に沿って存在するように構成されることが示されている。ただし、第２及び第３の複数のノズル１２０ｂ及び１２０ｃは、容器内壁１０４に沿って異なる周囲及び／又は方位角位置を有することが示されている。さらに、第２の複数のノズル１２０ｂは、第２の供給部１０３ｂによって供給されることが示されているのに対し、第３の複数のノズル１２０ｃは、第３の供給部１０３ｃによって供給されることが示されている。結果として、第２及び第３の複数のノズル１２０ｂ及び１２０ｃは、容器１００内のガスの流動形状の制御を可能にしてよい。

[000196] 一部の実施形態によれば、複数のノズル１２０ａ～１２０ｎのそれぞれは、別々に制御されるガス供給システム（図示せず）によって供給されてよい。結果として、容器１００内の流動形状の精密な制御は、複数のノズル１２０ａ～１２０ｎの個別制御を介して達成することができる。第２、第３、及び第ｎの複数のノズル１２０ｂ、１２０ｃ、及び１２０ｎは、第２、第３及び第ｎの流れ１４０ｂ、１４０ｃ、及び１４０ｎをそれぞれ可能にすることが示されている。流れ１４０ａ～１４０ｎのそれぞれは、概ね流れ１４０ａ～１４０ｎが導入される容器内壁１４０から離れる方向であることが示されている。

[000197] 例及び限定として、容器内壁１０４の保護を可能にするために、５０～５００ｓｌｍの範囲内のガス流が供給部１０３への供給に使用されてよい。２つ以上の供給部を有する実施形態、例えば図９Ｄに示す実施形態では、上記範囲の流れは供給部１０３ａ～１０３ｎに分配されてよい。一実施形態では、供給部１０３は約２００ｓｌｍのガスが供給されてよい。様々な実施形態のニーズに合わせて、ガスを容器１００に導入するための他の質量流量の範囲が使用されてよいことは勿論であり、与えられた例は限定することを意図していない。

[000198] すでに考察したように、容器内壁１０４又はシャワーヘッド１０１の他の露出面の保護は、１つ以上の容器内壁１０４上のＳｎ蒸気フラックス、ＳｎＨ_４蒸気フラックス、及び他のＳｎデブリフラックスを抑制するためのガスの流動形状を容器内に提供することを含む。一例として、一部の実施形態によれば、中心供給部１０６、周辺供給部１０８、及びシャワーヘッド１０１のそれぞれにより生成された流動形状の結果として、容器内壁１０４上のＳｎ蒸気及びＳｎＨ_４デブリが数百倍も低減する可能性がある。他の実施形態では、例えばＥＵＶコレクタ１０２より上のエリアでポンピングを行わない非対称の羽根／ライナー構造を使用することによって、Ｓｎデブリフラックスのさらなる低減を達成することができる。

[000199] 一部の実施形態によれば、直径約１～１０ｍｍの１０～１０００個の範囲のノズルが使用されてよい。特定の実施形態によれば、ノズルの数及びサイズに応じて、ノズルのそれぞれが約１～１０ｃｍ離間されてよい。複数のノズルを通る均一かつ安定的な質量流束を提供するガス供給部（図示せず）及びシャワーヘッド本体若しくはマニホールド又は複数のガスライン（図示せず）が上記の実施形態で使用されてよい。異なる断面幅（例えば直径）及び間隔を有する、多い又は少ない数のノズルを備えた実施形態が本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく使用されてよいことは勿論である。

[000200] また、一部の実施形態によれば、複数のノズル１２０は、ノズル１２０の開口部が容器内壁１０４のプラズマ対向面と同一平面になるように容器内壁１０４と接合してよい。他の実施形態では、ノズル１２０は、容器内壁１０４から容器１００内に、例えば数ミリメートル突出する（図示せず）。容器内壁１０４又はライナー内に突出するノズル１２０は、放射源動作中又は周期的な液体流出中のＳｎデブリの結果としての目詰まりからのある程度の保護を与えることができる。

[000201] ノズルの流出エリアが確実に汚染されないようにするために、特定の実施形態は、セラミック（例えばＺｒＮ）材料を使用したノズルチップを備えてよい。これら及び他の実施形態では、洗浄のためにノズル開口部及び／又はノズルチップの近くに水素ラジカルが供給されてよい。さらに、これらの実施形態はＥＵＶ誘起自己洗浄を使用してよい。これら及び他の実施形態では、ノズル１２０はまた、容器内壁１０４のより大きい開口部に配置される異なる材料から作られた中空栓を備えてよい。

[000202] Ｓｎデブリが複数のノズル１２０に入ることを妨げる又は抑制するために、特定の実施形態は、多孔質媒体で作られたノズル１２０を備えてよい。結果として、ガスの流出は、ノズル開口部（図示せず）に堆積した粒子に対する感受性が低下する可能性がある。他の実施形態では、ノズル開口部の近くに配置される網状格子が、Ｓｎデブリがノズル１２０に入るのを防ぐために各ノズルに備えられてよい。特定の実施形態では、網状格子は、水素ラジカルの局所生成のために加熱される可能性がある。さらに別の実施形態では、ノズル１２０は、ガスを容器内壁１０４の周囲に沿って横から導入するキャップ付きのシャワーヘッド孔を備えてよい。これらの実施形態では、キャップの上部に漏洩流を導入して、Ｓｎデブリがキャップ自体に堆積するのを防ぐことができる。

[000203] 図１０は、第１のシャワーヘッド１０１ａ、第２のシャワーヘッド１０１ｂ及び非対称排出部１３２を有するＥＵＶ容器１００のある実施形態の簡略化された概略図である。容器内壁１０４は、容器内壁１０４のＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方にある部分（すなわち容器内壁１０４の各部分を画定する第１のシャワーヘッド１０１ａの部分）として画定された天井領域１０４ａを有することが示されている。天井領域１０４ａは、容器内壁１０４のＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方にある部分と、そうでない部分とを画定する境界１３４を含むことが示されている。境界１３４の形状が容器内壁１０４の形状に依存するであろうことを理解されたい。境界１３４は例示であり、限定的でないことが意図されている。例えば境界１３４は、容器内壁１０４の形状、ＥＵＶ源が動作している間のＥＵＶ容器１００の向きに依存して、ＩＦ領域１５７又はＥＵＶコレクタ１０２のより近位に位置してよい。

[000204] 非対称排出部１３２は、ＥＵＶコレクタ１０２から離れ、かつ天井領域１０４ａから離れるガスの流動形状を容器１０４内で促進させるために、概して天井領域１０４ａと反対の場所で容器内壁１０４に沿って配向されることが示されている。特定の実施形態では、非対称排出部１３２は下方傾斜方向に構成されてよい。非対称排出部の多くの異なる配向は、実施形態の趣旨及び範囲を逸脱することなく実現できることは勿論である。図１０に示す非対称排出部１３２の構成は、例示であり、限定的でないことが意図されている。

[000205] 例えば、非対称排出部１３２の方向は、天井領域１０４ａから離れ、かつＥＵＶコレクタ１０２から離れる流動形状を容器１００内で促進可能に保ちながら上方傾斜角度であってよい。さらに、特定の他の実施形態では、非対称排出部１３２は、示されている実施形態よりもＥＵＶコレクタ１２０のより近位に又は遠位にあるように構成されてよい。また、容器内壁１０４内部でのスピッティングを避けるために、ポンプに向かって下流に遠隔配置されたスクラバが特定の実施形態（図示せず）に含められてよい。

[000206] 第１のシャワーヘッド１０１ａは、シャワーヘッド１０１ｂの第２の複数のノズル１２０ｂより離れてガスが供給され得る第１の複数のノズル１２０ａを備えることが示されている。例えば、第１の複数のノズル１２０ａは第１の供給部１０３ａによって供給されることが示されているのに対し、第２の複数のノズル１０２ｂは第２の供給部１０３ｂによって供給されることが示されている。第１の複数のノズル１２０ａはまた、第２の複数のノズル１２０ｂより長い容器内壁１０４の横方向長さに沿って延在することが示されている。しかしながら、他の実施形態においてこの逆の場合もある。さらに、第１の複数のノズル１２０ａは、第２の複数のノズル１２０ｂにより提供される第２の複数の流れ１４０ｂより数が多い第１の複数の流れ１４０ａを提供することが示されている。これも他の実施形態において、この逆の場合がある。特定の他の実施形態では、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂは、共通のガス供給部によって供給されてよい。

[000207] 図示されていないが、第１の複数のノズル１２０ａ及び第２の複数のノズル１２０ｂは、容器内壁１０４に沿って円周方向又は外周方向に一定距離延在してよい。特定の実施形態では、第１の複数のノズル１２０ａが周縁に沿って第２の複数のノズル１２０ｂより遠くに延在してよいのに対し、他の実施形態では、第２の複数のノズル１２０ｂが周縁に沿って第１の複数のノズル１２０ａより遠くに延在してよい。他の実施形態では、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂは、周縁に沿って同様の距離延在してよい、又は第１又は第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂの横の位置に応じて所与の周縁に沿って他方より多く又は少なく延在してよい。

[000208] 特定の実施形態では、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂは、共通のガス供給システムによって供給されてよい。さらに他の実施形態では、第１及び第２の複数のノズル１２０ａ及び１２０ｂのノズルのそれぞれは、個別にガスが供給され、容器１００内の流動形状の精密な制御を可能にするように制御されてよい。

[000209] ここでもまた、図１０の容器内壁１０４は概ね円錐形状を有しているが、容器内壁１０４（又は容器内壁１０４の少なくとも一部分を画定するシャワーヘッド１０１）が有し得る、実施形態の範囲及び趣旨を逸脱しない様々な形状があることを理解されたい。例えば特定の実施形態は、楕円形、矩形、又は多角形の断面を有する容器内壁を有してよい。さらに、これら及び他の実施形態は、前述のタイプの断面を有する容器内壁形状に対応する異なるタイプの表面（例えば滑らかな表面、又は羽根によって画定された表面）の組み合わせを含んでよい。さらにまた容器内壁は、滑らかな表面、又は羽根によって画定された表面を有してよい、又は両方の組み合わせを有してよい。結果として、様々な容器内壁１０４の形状を、非対称排出部１３２の構成及び１つ以上のシャワーヘッド１０１を有する実施形態に従って実現することができる。

[000210] 図１１は、動作のために角度１１９で配向させたＥＵＶ容器１００のある実施形態の簡略化された概略図である。放射源からのレーザ放射パルス１０５が、ＥＵＶ放射１１５が生成される材料ターゲット領域１２３に入ることが示されている。図に示す仮想レーザ放射路１０５ａは、レーザ放射パルス１０５が重力の方向に対してとり得る光路であることが示されている。非限定的な例として、特定の実施形態は、設計された構造に依存して、仮想レーザ放射路１０５ａが約４５°から約８０°の間の角度１１９を有するように配向されたＥＵＶ容器１００を有してよい。ただし、角度１１９は各用途の詳細に依存して０°と９０°の間のいずれかに変化し得ることが理解されるであろう。

[000211] 図１１には、ＥＵＶコレクタ１０２に接続された容器内壁１０４も示されている。容器内壁１０４はＥＵＶコレクタ１０２からＩＦ領域１５７まで延在することが示されており、上部領域１５３が容器内壁１０４のＥＵＶコレクタ１０２の近位にある部分を含むとともに、中間領域１５５が容器内壁のＩＦ領域１５７と上部領域１５３との間に配置された部分を含む。容器外壁１２１が容器内壁１０４を取り囲むことが示されている。

[000212] 図１２Ａは、ガスが異なる供給部から容器１００に導入され、容器内壁１０４の周囲の周りに延在する対称排出部１１２により排出される複数の流路を示すＥＵＶ容器１００のある実施形態の断面図である。示されている実施形態では、ＥＵＶ容器１００は、中心供給部１０６と、周辺供給部１０８と、ＤＧＬ供給部１１０とを備えることが示されている。中心供給部１０６は、材料ターゲット領域（図示せず）の周りを対称排出部１１２に向かって進むことが示されている中心供給流路１１４をたどるガスを導入する。

[000213] 図１２Ａには、周辺供給流路１１６をたどるガスをＥＵＶコレクタ１０２の周縁に隣接して導入する周辺供給部１０８も示されている。周辺供給流路１１６は、対称排出部１１２に向かって進む前に概ね容器１００の軸すなわち中心に向かって内側に進むことが示されている。いくつかの周辺供給流路１１６ａが、容器１００内でより遠回りの経路をとり、例えば容器内壁１０４との接触事例を増加させることが示されている。特に、周辺供給流路１１６ａは、容器内壁１０４の天井領域１０４ａに近い経路に沿って周辺供給部１０８に向かって戻ることが示されている。これによってＳｎデブリの容器内壁１０４との接触が増加する可能性がある。

[000214] 図１２Ａに示されている第３のガス供給部は、ＩＦ領域１５７付近の領域から容器にガスを導入するＤＧＬ供給部１１０である。ＤＧＬ供給部１１０により導入されたガスはＤＧＬ供給流路１１８をたどる。図１２Ａに示すように、ＤＧＬ供給流路１１８は、容器内壁１０４に沿って横方向に少し離れたループ流路を含む遠回りの経路をたどる可能性がある。結果として、ＤＧＬ供給流路１１８は、Ｓｎデブリの容器内壁１０４への接触事例又は流れを増加させる可能性がある。例えば、図１２Ａに示すガス供給部（例えば中心供給部１０６、周辺供給部１０８、及びＤＧＬ供給部１１０）は、レーザ生成プラズマにより生成された副産物の拡散バリア及びキャリア媒体の役割を果たし得るガスを導入するため、代表する各流路は常にＳｎデブリを含む可能性がある。結果として、ＥＵＶコレクタ１０２は、中心供給部１０６及び周辺供給部１０８がＥＵＶコレクタ１０２から概ね離れる方向の流路１１４及び１１６をそれぞれ有するためにＳｎデブリからある程度保護されることが示されているが、容器内壁１０４の全ての領域で同じことが言えない可能性がある。

[000215] 図１２Ｂは、ガスが様々な供給部から容器に導入され、非対称排出部１３２により排出される複数の流路１１４、１１６、１１８、及び１３６を示すＥＵＶ容器１００のある実施形態の断面図である。流路１１４、１１６、１１８、及び１３６は、プラズマガス相互作用（ＰＧＩ）を考慮に入れた計算流体力学（ＣＦＤ）シミュレーションに基づいている。この実施形態は、複数のノズル１２０を有するシャワーヘッド１０１を備えることが示されている。図１２Ｂに示すシミュレーションではシャワーヘッド１０１の複数のノズル１２０から発する流れが存在するが、明確にするために図では省略されている。

[000216] 図１２Ｂに示すように、ＥＵＶ容器１００は、中心供給部１０６、周辺供給部１０８、カーテン供給部１２２、及びＤＧＬ供給部１１０を備える。図１２Ｂには、容器内壁１０４のＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方にある天井領域１０４ａと概ね反対の場所で容器１００に沿って配向された非対称排出部１３２も示されている。一般に、非対称排出部１３２は、様々な供給部を介して導入されたガスを、ＥＵＶコレクタ１０２と容器内壁１０４の天井領域１０４ａの両方から離れる方向に排出することが示されている。

[000217] 例えば、中心供給流路１１４及び周辺供給流路１１６のそれぞれは、近接してＥＵＶコレクタ１０２から発し、その後非対称排出部１３２に入ることが示されている。図１２Ａに示す実施形態と異なり、図１２Ｂに示す実施形態の非対称排出部１３２は、実質的に後方に循環したり、容器内壁１０４に沿ってループバックしたりしない流動形状を可能にする。結果として、周辺供給流路１１６は、ガスにより運ばれるＳｎデブリの容器内壁１０４との接触事例を減らすことができる。

[000218] 図１２Ｂには、ガスがＤＧＬ供給部１１０を介して容器１００に導入されているＤＧＬ供給流路１１８も示されている。ＤＧＬ供給流路１１８のそれぞれは、ループバックや後方循環する事例を少なくして容器１００に出入りする。ここでもループバックや後方循環する事例が少なくなる結果として、ＤＧＬ供給部１１０により導入されたガス及びこのガスが運び得る副産物の容器内壁１０４との接触事例が減少する。

[000219] 図１２Ｂに示す実施形態では、カーテン供給部１２２が容器１００のＩＦ領域１５７に近い場所で容器１００にガスを導入することも示されている。カーテン供給部１２２を介して導入されたガスは、ＩＦ領域１５７から離れる横方向にカーテンフローとして容器１００に入るカーテン供給流路１３６をたどることが示されている。カーテン供給部１２２を介して導入されたガスは、その後非対称排出部１３２を介して容器１００を出ることも示されている。図１２Ｂに示す実施形態の他の流路とほぼ同様に、カーテン供給流路１３６のそれぞれは、容器内壁１０４との接触事例を少なくするように容器に出入りする。特定の実施形態では、カーテン供給部１２２は、容器内壁１０４と実質的に平行なガス流を導入するスリットノズル又はノズルアレイから構成されてよい。図示されていないが、ガスがシャワーヘッド１０１の複数のノズル１２０により導入されていることから生じる流路はまた、容器内壁１０４に向かって実質的にループバックや後方循環することなく容器に出入りする。

[000220] いくつかの供給部の代表的な流路が示されているが、容器内壁１０４の天井領域１０４ａから離れる方向に流れるだけでなくＥＵＶコレクタ１０２から離れる方向に流れるガスの全体的な方向性及び流動形状を依然として保持しながら、いくつかの供給部が図１２Ｂに示す実施形態から除外されてよいことを理解されたい。例えばカーテン供給部１２２が図１２Ｂに示す実施形態から除外されたならば、残りの中心供給流路１１４、周辺供給流路１１６、及びＤＧＬ供給流路１１８は、非対称排出部１３２に向かい、ＥＵＶコレクタ１０２及び容器内壁１０４から離れる方向の同様の全体的形状を保持するであろう。ただし、非対称排出部１３２がシャワーヘッド１０１により提供されるような容器内壁１０４から発するガス流で実現される場合、ループバックや後方循環する流路の大幅な削減が達成可能となることが留意される。

[000221] 個別の流路１１４、１１６、１１８、及び１３６のそれぞれは代表的なものであり、中心供給部１０６、周辺供給部１０８、ＤＧＬ供給部１１０、又はカーテン供給部１２２のそれぞれに使用されるインレットの数を限定するものと解釈すべきでないことに留意されたい。例えば供給部のそれぞれは、ガスをそれらの各場所で導入するための任意の数のインレットを備えてよい。

[000222] 図１３は、１つのシミュレートされた実施形態による、容器内壁１０４に沿って横方向に分布し、ガス流１４０を容器１００に導入する（例えばシャワーヘッドの）複数のノズル１２０を有するＥＵＶ容器１００のＣＦＤシミュレーションに基づいて計算されたＳｎ濃度勾配の断面図である。シャワーヘッドノズル１２０のそれぞれは、容器内壁１０４から離れる方向にガス流１４０を導入することが示されている。結果として、容器内部空間１００ａの中にさらに延びる第２の領域１４４のＳｎ濃度より約１桁小さいＳｎ濃度を有する、容器内部空間１００ａの容器内壁１０４に直接隣接する第１の領域１４２が存在する。勾配目盛に示されていないが、第３の領域１４６などの容器内壁１０４からさらに離れた領域は、第１の領域１４２のＳｎ濃度レベルより少なくとも１桁大きいＳｎ濃度レベルを有することが分かっている。したがって、ガス流１４０を容器内壁１０４から離れる方向に導入するノズル１４０を有する特定の実施形態では、Ｓｎデブリからのあるレベルの保護を得ることができる。

[000223] 図１４は、１つのシミュレートされた実施形態による、カーテンフローとしてガスを容器１００に導入するためのカーテンフローノズルアセンブリ２００を有するＥＵＶ容器１００の断面図である。ＥＵＶ容器１００は、容器内壁１０４の内（プラズマ対向）壁に隣接配置されたカーテンフローノズルアセンブリ２００を有することが示されている。カーテンフローノズルアセンブリ２００は、それぞれがガスを容器に導入するための第１のアウトレット２０２と、第２のアウトレット２０４と、第３のアウトレット２０６とを備えることが示されている。第１のアウトレット２０２は、この図では容器内壁１０４の周囲（例えばこの例では円周）に沿った反時計回りの方向にガスを導入することが示されている一方、第２のアウトレット２０４は、この図では同じ周囲に沿った時計回り方向にガスを導入することが示されている。第３のアウトレット２０６は、概ね容器内壁１０４から離れる方向にガスを導入することが示されている。

[000224] カーテンフローノズルアセンブリ２００の第１のアウトレット２０２により導入されたガスは、第１のアウトレット２０２から延びる第１のカーテンフロー２１２をもたらすことが示されている。第２のアウトレット２０４により導入されたガスは、第２のアウトレット２０４から延びる第２のカーテンフロー２１４をもたらすことが示されている。図１４に示す実施形態などの特定の実施形態では、非対称排出部１３２が容器１００のカーテンフローノズルアセンブリ２００を配置し得る領域と反対の容器１００の領域に沿って配向されてよい。

[000225] 図１４に示す実施形態によれば、第１の領域２０８などの、容器内部空間１００ａ内の容器内壁１０４に隣接する領域は、第２の領域２１０などの、容器内部空間１００ａの容器内壁１０４からさらに離れた領域のＳｎ濃度勾配より何桁も小さいＳｎ濃度勾配を示す。特定の実施形態によれば、第１及び第２のカーテンフロー２１２及び２１４は、容器内部空間１００ａ内にＳｎデブリ汚染から容器内壁１０４を保護する流動形状を提供する。これらの実施形態では、第１及び第２のカーテンフロー２１２及び２１４は、これらが移動する各壁部に沿った拡散バリアの役割を果たす。容器内壁１０４の近くのＳｎ濃度勾配が減少する結果として、Ｓｎデブリの容器内壁１０４との接触事例が減少する。

[000226] 特定の実施形態では、容器内部空間１００ａ内にカーテンフローノズルアセンブリ２００自体から離れるガスの流動形状を提供するために、カーテンフローノズルアセンブリ２００内に第３のアウトレット２０６も備えられる。結果として、カーテンフローノズルアセンブリ２００はＳｎデブリ汚染から保護される。特定の他の実施形態では、第３のアウトレット２０６は、カーテンフローノズルアセンブリ２００から除外されてよい。

[000227] 一部の実施形態では、ＥＵＶ容器１００は、容器内壁１０４の少なくとも一部分に沿って横方向に配置された複数のカーテンフローノズルアセンブリ２００を備えてよい。例えば特定の実施形態では、複数のカーテンフローノズルアセンブリ２００は、容器内壁のＥＵＶコレクタ（図示せず）より重力方向上方に位置する天井領域内に横方向に配置されてよい。これらの実施形態では、複数のカーテンフローノズルアセンブリは、ＥＵＶコレクタの近くの領域からＩＦ領域までの線分（例えば容器が円錐形である場合は母線）に沿って配置されてよい。

[000228] カーテンフローノズルアセンブリ２００は、容器内部空間１００ａ内に位置する（例えば容器内壁１０４を超えて突出する）ことが示されているが、他の実施形態は、第１、第２、及び第３のアウトレット２０２、２０４、及び２０６の開口部が容器内壁１０４とより同一な平面になるように構成されたカーテンフローノズルアセンブリ２００を有してよい。また、示されている実施形態は非対称排出部１３２を備えているが、他の実施形態は、非対称排出部１３２を備えずに実現されるカーテンフローノズルアセンブリ２００を有してよいことを理解されたい。さらに、示されている実施形態は容器内壁１０４として滑らかな表面を備えているが、特定の他の実施形態は、羽根、又は羽根により画定された表面を備えた容器内壁１０４を備えてよい。例えば羽根は、容器内壁１０４の内側を覆い、容器内部空間１００ａにより画定された容積に突き出る別構造であってよい。これらの実施形態では、カーテンフローノズルアセンブリ２００は、羽根構造に組み込まれても、羽根構造から分離していてもよい。

[000229] 図１５Ａは、１つのシミュレートされた実施形態による、容器内部空間内のＳｎ濃度を示す、シャワーヘッド１０１及び非対称排出部１３２を有するＥＵＶ容器１００の断面図である。シャワーヘッド１０１は、容器内壁１０４の一部分をその構造の一部として共有するように容器内壁１０４に組み込まれていることが示されている。シャワーヘッド１０１は、容器１００の周囲の周りに延在する複数のノズル１２０を備えることが示されている。複数のノズル１２０のそれぞれは、容器内壁１０４から離れる方向のガス流１４０を導入することが示されている。

[000230] 容器１００はまた、中心供給部１０６と、周辺供給部１０８と、ＤＧＬ供給部１１０と、カーテン供給部１２２とを備えることが示されている。容器内部空間の容器内壁１０４に隣接する領域のＳｎ濃度は、容器内壁１０４からさらに離れ、容器内部空間１００ａの中心領域に向かう領域のＳｎ濃度より低いことが示されている。例えば容器内壁１０４に隣接する第１の領域２１８は、容器内壁１０４からさらに離れた第２の領域２１６のＳｎ濃度より数桁低いＳｎ濃度を有することが示されている。

[000231] 図１５Ｂは、一実施形態による、そしてシミュレーションに基づいた容器内壁１０４へのデブリ堆積速度を示す、シャワーヘッド１０１及び非対称排出部１３２を有するＥＵＶ容器１００の断面図である。示されている実施形態によれば、容器内壁１０４のシャワーヘッド１０１により保護される領域は、非対称排出部１３２が備える１つ以上の壁の堆積速度より数桁低い堆積速度を有することが示されている。例えば、ＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方にあり、Ｓｎデブリの堆積速度が最小であることが示されている容器内壁１０４の天井領域１０４ａの領域２２０がある。これに対して、ＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方に位置せず、約２００～１０００ｎｍ／時間以上の堆積速度を有することが示されている（カラーバーは１０００ｎｍ／時間で終了している）非対称排出部１３２の壁の領域２２２がある。

[000232] 容器内壁１０４の周囲を取り囲むように配置されたノズル１４０を有するシャワーヘッド１０１を備えた実施形態が示されているが、容器内壁の全周を覆わないノズル１２０を有するシャワーヘッド１０１を実施形態の範囲及び趣旨を逸脱することなく実現可能な他の実施形態があることに留意されたい。例えば特定の実施形態は、容器内壁１０４の全周を覆わないノズル配置と、容器内壁１０４に沿って一定の横方向距離しか全周を覆わない可能性がある他のものとを備えてよい。さらにノズル１２０の１つの配置パターンが例示を目的として示されているが、容器内壁１０４を保護する様々なノズル１２０の配置が使用されてよいことを理解されたい。例えば、示されているよりも多い又は少ないノズル１２０が使用されてよい。さらに、ノズル１２０を配置するパターンは、様々な実施形態のニーズを満たすために、間隔、均一性、ノズル直径などの点で変更可能である。

[000233] 図１６Ａは、ある実施形態による、容器内部空間内のＳｎ濃度を示すカーテンフロー供給部２０１及び非対称排出部１３２を有するＥＵＶ容器１００の断面図である。容器１００は容器内壁１０４に沿って横方向に配置された複数のカーテンフローノズルアセンブリ２００を備えることが示されている。各カーテンフローノズルアセンブリ２００は、第１のガスアウトレット２０２と、第２のガスアウトレット２０４と、第３のガスアウトレット２０６とを備えることが示されている。第１のガスアウトレット２０２は容器内壁１０４の周囲に沿って移動するカーテンフローであることが示されている。第２のガスアウトレット２０４も容器内壁１０４の周囲に沿って第１のガスアウトレット２０２と反対方向に移動するカーテンフローであることが示されている。カーテンフローノズルアセンブリ２００はまた、容器内壁１０４から離れる方向に容器１００にガスを導入する第３のガスアウトレット２０６を備えることが示されている。また、容器１００は中心供給部１０６と、周辺供給部１０８と、ＤＧＬ供給部１１０と、カーテン供給部１２２とを備えることが示されている。

[000234] カーテンフロー供給部２０１があることにより、容器内部空間１００ａの容器内壁１０４に隣接する領域におけるＳｎ濃度は、容器内壁１０４からさらに離れ、容器内部空間１００ａの中心領域に向かう領域のＳｎ濃度より低いことが示されている。例えば容器内壁１０４に隣接する第１の領域２２４は、容器内壁１０４からさらに離れた第２の領域２２６のＳｎ濃度より数桁低いＳｎ濃度を有することが示されている。

[000235] 図１６Ｂは、一実施形態による、そしてシミュレーションに基づいた容器内壁１０４へのＳｎ堆積速度を示す、カーテンフロー供給部及び非対称排出部１３２を有するＥＵＶ容器１００の断面図である。示されている実施形態によれば、容器内壁１０４のカーテンフロー供給部２０１により保護される領域は、非対称排出部１３２が備える１つ以上の壁の堆積速度より数桁低い堆積速度を有することが示されている。例えば、ＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方にあり、Ｓｎデブリの堆積速度が最小であることが示されている容器内壁１０４の天井領域１０４ａの領域２２８がある。これに対して、ＥＵＶコレクタ１０２より重力方向上方に位置せず、領域２２８のＳｎ堆積速度より数桁高いＳｎ堆積速度を有することが示されている非対称排出部１３２の壁の領域２３０がある。

[000236] 円錐形のシャワーヘッドを備えたＥＵＶ容器の特定の実施形態を説明してきたが、これらの実施形態の範囲及び趣旨に含まれるシャワーヘッドをＥＵＶ容器とともに実装する多くの方法があることを理解されたい。例えば特定の実施形態は、別体若しくはマニホールド又は複数のガスラインを有し、複数のノズルのそれぞれを供給するシャワーヘッドを有してよい。シャワーヘッドを供給する別体若しくはマニホールド又は複数のガスラインは、容器内壁の後方（例えば容器内壁の非プラズマ対向面）に配置されてよい。特定の他の実施形態では、シャワーヘッドの別体又はマニホールドは、シャワーヘッドの別体又はマニホールドそれ自体が容器内壁のプラズマ及びＳｎデブリに露出される少なくとも一部分を画定し得るようにプラズマ対向面に配置されてよい。さらに他の実施形態では、別体又はマニホールドは、容器内壁がシャワーヘッドの一部分を構成するような容器内壁を備えたものでよい。これら及び他の実施形態では、容器内壁は、シャワーヘッドを供給する別体若しくはマニホールド又は複数のガスラインを含む埋め込まれた経路又はチャネルを備えてよい。さらに、これらの実施形態では、シャワーヘッドは容器内壁に組み込まれてよい。特定の他の実施形態では、シャワーヘッドは、分布された本体又はマニホールドを有しても、本体又はマニホールドを有さなくてもよい。先に述べたように、例えばシャワーヘッドの複数のノズルは、ノズルのそれぞれと接合するガスラインによって供給されてよい。このように、シャワーヘッドは単にシャワーヘッドと同様に構成された複数のノズルと定義されてよい。

[000237] 概ね円錐形を有する一実施形態では、ＥＵＶ源が、上部円錐領域と、焦点円錐領域と、上部円錐領域及び焦点円錐領域の間に配設された中間円錐領域とを有する容器を備え、上部円錐領域と焦点円錐領域は容器の両端に配設される。この実施形態は、反射面を有し、容器の内側に配設されたＥＵＶコレクタを備え、反射面は方向的に容器の焦点円錐領域を向くように構成される。この実施形態はまた、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設された円錐形のシャワーヘッドを備える。円錐形のシャワーヘッドは、容器にガスを導入する複数のノズルを備える。この実施形態には、容器に導入されたガスをＥＵＶコレクタから離れる方向に流すように、容器に導入されたガスを除去するために焦点円錐領域の近くに配向された複数の排出部も含まれる。

[000238] 概ね円錐形を有する別の実施形態では、ＥＵＶ源が、上部円錐領域と、焦点円錐領域と、上部円錐領域及び焦点円錐領域の間に配設された中間円錐領域とを有する容器を備え、上部円錐領域と焦点円錐領域は容器の両端に配設される。この実施形態は、反射面を有し、容器の内側に配設されたＥＵＶコレクタを備え、反射面は方向的に容器の焦点円錐領域を向くように構成される。この実施形態は、容器にガスを導入するための複数のインレットを有し、ＥＵＶコレクタの反射面の近くに配設された第１のガス源を備える。この実施形態はまた、容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設され、容器にガスを導入するための複数のノズルを有する円錐形のシャワーヘッドを備える。この実施形態は、容器からガスを排出するための、上部円錐領域と焦点円錐領域の間の非対称位置に配向された排出部も備える。特定の実施形態では、非対称排出部は、例えば重力の方向に向かって下方傾斜角度で配向されてよい。これら及び他の実施形態では、非対称排出部は、容器内壁のＥＵＶコレクタより重力方向上方にある天井エリアに近い領域と対向するように配向されてよい。

[000239] 概ね円錐形を有する別の実施形態では、ＥＵＶ源が、上部円錐領域と、焦点円錐領域と、上部円錐領域及び焦点円錐領域の間に配設された中間円錐領域とを有する容器を備え、上部円錐領域と焦点円錐領域は容器の両端に配設される。この実施形態は、反射面を有し、容器の内側に配設されたＥＵＶコレクタを備え、反射面は方向的に容器の焦点円錐領域を向くように構成される。この実施形態は、容器にガスを導入するための複数のインレットを有し、ＥＵＶコレクタの反射面の近くに配設された第１のガス源を備える。この実施形態には、容器内壁の一部分に少なくとも部分的に沿って横方向に配設され、複数のノズルアセンブリを有する第２のガス源も含まれる。この実施形態によれば、ノズルアセンブリのそれぞれは、容器にガスを導入するための第１のアウトレットと第２のアウトレットとを備え、第１のアウトレットは、第２のアウトレットがガスを導入するように構成された第２の方向から離れる第１の方向にガスを導入するように構成される。

[000240] 図１７は、ＥＵＶ源ＳＯの形で提供され得る放射源の別の実施形態を示している。ＥＵＶ源ＳＯは、ＥＵＶ容器１００の形で提供され得るチャンバを備える。ＥＵＶ容器１００は、内壁１０４と材料ターゲット領域１１１とを備える。ＥＵＶ源ＳＯは、ＥＵＶ容器１００内に配置された、ＥＵＶコレクタ１０２の形で提供され得る放射コレクタを備える。ＥＵＶコレクタ１０２は、放射、例えば材料ターゲット領域１１１から放出されたＥＵＶ放射１１５を収集し、収集したＥＵＶ放射１１５を中間焦点（ＩＦ）領域１５７に方向付けるように構成される。ＥＵＶコレクタの焦点１５７ａ（中間焦点１５７ａと呼ぶ場合もある）は、本明細書で説明したように中間焦点領域１５７に又はその近くに位置する。ＥＵＶ源ＳＯ、例えばＥＵＶ容器１００は、デブリ軽減システムを備える。デブリ軽減システムは、以上で説明したように、中心供給部１０６、周辺供給部１０８、及び／又はＤＧＬ供給部１１０を備えてよい、又はこれらの形で提供されてよい。デブリ軽減システム、例えばＤＧＬ供給部は、第１のガス流を中間焦点領域１５７から材料ターゲット領域１１１に方向付けるように構成される。第１のガス流は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスであってよい、又はこれを含んでよい。「第１のガス流」及び「ＤＧＬ供給部により供給されたガス」という用語は同じ意味で使用されてよいことが理解されるであろう。

[000241] デブリ軽減システムは、第２のガス流を容器内壁１０４の一部分からＥＵＶ容器１００内に方向付けるように構成される。例えばデブリ軽減システムは、第２のガス流又はガスをＥＵＶ容器１００に導入するための複数のノズル１２０を備えたシャワーヘッド１０１を備える。第２のガス流は、シャワーヘッド１０１により供給されたガスであってよい、又はこれを含んでよい。「第２のガス流」及び「シャワーヘッドにより供給されたガス」という用語は同じ意味で使用されてよいことが理解されるであろう。

[000242] 図１７に示す例では、シャワーヘッド１０１は、以上で説明したように、第１のシャワーヘッド１０１ａ及び第２のシャワーヘッド１０１ｂの形で提供される。第１のシャワーヘッド１０１ａは第１の複数のノズル１２０ａを備え、第２のシャワーヘッド１０１ｂは第２の複数のノズル１２０ｂを備える。第１及び第２の複数のノズル１２０ａ、１２０ｂは、シャワーヘッド１０１、例えば第１及び第２のシャワーヘッド１０１ａ、１０１ｂにより供給されたガスをＥＵＶ容器１００内に方向付けるために設けられてよい。他の実施形態では、以上で説明したように、第２のガス流はカーテンフロー供給部によって供給されてよいことが理解されるであろう。

[000243] ＥＵＶ容器１００は、流れスプリッタ１５０の形で提供され得る誘導デバイスを備える。流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスが流れスプリッタ１５０の周囲に方向付けられるようにＥＵＶ容器１００内に配置される。ＥＵＶ容器１００は、デブリ軽減システムにより供給されたガスをＥＵＶ容器から除去するための排出部１３２を備える。排出部１３２は、ガスにより運ばれたデブリをＥＵＶ容器１００から除去するように構成されてよい。排出部１３２は、以上で説明したように、例えば方位角的に非対称な位置でＥＵＶ容器１００の内壁１０４の一部分から延在するように配置される。図１７に示すＥＵＶ容器１００は、図１０、図１２Ｂ、図１５Ａ及び図１５Ｂに示したものと同様であり、図１０、図１２Ｂ、図１５Ａ及び図１５Ｂとの関連で以上で説明した特徴のいずれかを含んでよい。

[000244] 図１８Ａは、ＤＧＬ供給部１１０、シャワーヘッド１０１、中心供給部１０６及び／又は周辺供給部１０８により供給されたガスのシミュレートされた流路を示す。以上で説明したように、中心供給部１０６は、中心供給流路１１４をたどるガスを導入する。周辺供給部１０８は、周辺供給流路１１６（図１８Ａでは中心供給流路１１４と共に示されている）をたどるガスを導入する。ＤＧＬ供給部１１０により導入されたガスはＤＧＬ供給流路１１８をたどる。シャワーヘッドノズル１２０のそれぞれ（例えば第１及び第２の複数のノズル１２０ａ、１２０ｂのそれぞれ）は、図１８Ａに示すように、流路１４０をたどるガスを導入する。

[000245] デブリ軽減システムは、第３のガス流又はガスをＥＵＶ容器内の流れスプリッタ１５０（又は中間焦点領域１５７）の位置又はこれに近い位置から材料ターゲット領域１１１に方向付けるように構成されてよい。デブリ軽減システムは、第３のガス流を内壁１０４上のある位置から材料ターゲット領域１１１に方向付けるように構成されてよい。デブリ軽減システムは、以上で説明したように、カーテン供給部１２２を備えてよい。カーテン供給部１２２を介して導入されたガスはカーテン供給流路１３６をたどる。「第３のガス流」及び「カーテン供給部により供給されたガス」という用語は同じ意味で使用されてよいことが理解されるであろう。

[000246] 中心供給部１０６及び／又は周辺供給部１０８により供給されたガスは、第４のガス流であってよい、又はこれに含まれてよい。「第４のガス流」及び「中心供給部１０６及び／又は周辺供給部１０８により供給されたガス」という用語は同じ意味で使用されてよいことが理解されるであろう。デブリ軽減システム、例えば中心供給部１０６、周辺供給部１０８は、第４のガス流をＥＵＶコレクタ１０２から材料ターゲット領域１１１に方向付けるように構成されてよい。流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスと、中心供給部１０６及び／又は周辺供給部１０８により供給されたガスとの相互作用を抑制する又は妨げるように構成されてよい。流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの、例えばＥＵＶコレクタ１０２に向かうジェットの形成を妨げるように構成されてよい。

[000247] ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの流量は、デブリが中間焦点領域１５７に入るのを防ぐように選択されてよい。ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの流量は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガス、ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの密度又は圧力、デブリ、例えば微粒子デブリのサイズ、又はデブリの速度及び／又は放射源ＳＯのＥＵＶ容器内におけるデブリの拡散方向に応じて選択されてよい。付加的又は代替的に、ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの流量は、ＤＧＬ供給部の構成又は形状に応じて選択されてよい。例えば、ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの流量は、ＤＧＬ供給部１１０の開口部の数、ＤＧＬ供給部１１０の各開口部の断面幅（例えば直径）、及び／又は中間焦点領域１５７の断面幅（例えば直径）、外周又は寸法に応じて選択されてよい。例えば、ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの最高速度は、約１０００～３０００ｍ／秒の範囲内であってよい。

[000248] ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスは、約５～３０ｓｌｍの範囲内の流量を有してよい。デブリには、以上で説明したように、例えばＳｎクラスタ、Ｓｎ微粒子、Ｓｎナノ粒子、及び／又はＳｎ堆積物などの微粒子デブリ、例えばＳｎ蒸気、ＳｎＨ_ｘ蒸気、Ｓｎ原子、Ｓｎイオンなどの分子及び／又は原子デブリが含まれてよい。ＥＵＶ容器１００で生成された分子及び／又は原子デブリが中間焦点領域１５７に入るのを妨げるには約７ｓｌｍの流量で足り得る。微粒子デブリが中間焦点領域１５７に到達するのを抑制するために、ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの流量を７ｓｌｍより大きくすることが必要となる可能性がある。例えば微粒子デブリが中間焦点領域１５７に到達するのを抑制するために、ＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの流量を１５ｓｌｍより大きくすることが必要となる可能性がある。例えば２０ｓｌｍなど、１５ｓｌｍより大きい流量において、シャワーヘッド１０１及び／又はカーテン供給部１２２により供給されたガスの間の相互作用が観察される可能性がある。この相互作用によって、ＥＵＶ容器１００内のデブリが、一部のガスを使用して排出部１３２によりＥＵＶ容器１００から除去される前に分散する可能性がある、及び／又はＥＵＶ容器１００の内壁１０４の汚染が生じる可能性がある。

[000249] 流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとシャワーヘッド１０１により供給されたガスの相互作用、及び／又はＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとカーテン供給部１２２により供給されたガスの相互作用を抑制するように構成される。ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとシャワーヘッド１０１により供給されたガスの相互作用、及び／又はＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとカーテン供給部１２２により供給されたガスの相互作用を抑制することによって、デブリが排出部１３２によりＥＵＶ容器から除去される前に分散することを抑制することができる。これはさらに、ＥＵＶ容器、例えばＥＵＶ容器の内壁の汚染を軽減することができる。デブリ軽減システム、例えばシャワーヘッド１０１及び／又はカーテン供給部１２２は、シャワーヘッド１０１及び／又はカーテン供給部１２２により供給されたガスがデブリを排出部１３２に方向付けるように構成又は配置されてよい。

[000250] 図１８Ｂは、ＥＵＶ容器１００内のシミュレートされたデブリ濃度を示している。流れスプリッタ１５０、シャワーヘッド１０１及び／又はカーテン供給部１２２を設けることによって、ＥＵＶ容器１００、例えばＥＵＶ容器の内壁１０４の汚染を軽減しながら、デブリを排出部１３２に方向付けできることが図１８Ｂから分かる。

[000251] 図１７を参照すると、流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスが流れスプリッタ１５０の周囲に対称的に方向付けられるように配置される。流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを拡散又は分散させる、例えば対称的に拡散又は分散させるように構成されてよい。流れスプリッタ１５０をＥＵＶ容器１００内に配置することによって、例えば、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスと、シャワーヘッド１０１、カーテン供給部１２２、中心供給部１０６及び／又は周辺供給部１０８により供給されたガスのＥＵＶ容器１００内の相互作用に起因する、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの少なくとも一部の再循環を抑制することができる。これによって放射源ＳＯの内壁１０４に堆積するデブリを低減することができる。付加的又は代替的に、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスが流れスプリッタ１５０の周囲に方向付けられるように流れスプリッタ１５０をＥＵＶ容器１００内に配置することによって、流れスプリッタ１５０の、例えばデブリによる汚染を軽減する又は防ぐことができる。

[000252] 流れスプリッタ１５０は、放射源ＳＯ内の第１の場所におけるＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの最高速度を維持するために、放射源ＳＯのＥＵＶ容器１００内に配置されてよい。第１の場所において、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの速度は、例えば放射源ＳＯのＥＵＶ容器１００内に流れスプリッタが配置されない場合のＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの最高速度に一致する（又は実質的に一致する）可能性がある。流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを拡散又は分散させ、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの少なくとも一部の、例えば中間焦点１５７ａに向かう方向への再循環を防ぐ又は抑制するために、放射源ＳＯのＥＵＶ容器１００内に配置されてよい。流れスプリッタ１５０は、中間焦点１５７ａから離間している又は離れている可能性がある第２の場所において、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを拡散又は分散させるために、放射源ＳＯ内に配置されてよい。流れスプリッタ１５０は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの最高速度が第２の場所で減少する、及び／又は中間焦点１５７ａから離れる方向に方向付けられ得る、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの最低速度が上昇するように、放射源ＳＯのＥＵＶ容器１００内に配置されてよい。

[000253] 図１７を参照すると、流れスプリッタ１５０は、ＥＵＶ容器１００の一部分に延在するようにＥＵＶ容器１００内に配置される。例えば流れスプリッタ１５０は、ＥＵＶコレクタ１０２の光軸ＯＡに少なくとも部分的に沿って延在するように配置されてよい。換言すれば、流れスプリッタ１５０は、（図１９Ａに示す）流れスプリッタ１５０の中心軸すなわち縦軸ＡがＥＵＶコレクタ１０２の光軸ＯＡの少なくとも一部と一致するようにＥＵＶ容器１００内に配置されてよい。ＥＵＶ容器１００は、中間焦点領域１５７からＥＵＶコレクタ１０２に向かって又はその近くに延びる円錐形状を有してよい。ＥＵＶ容器１００の円錐形状は、流れスプリッタ１５０のＥＵＶ容器１００内での対称配置を可能にする可能性がある。本明細書で説明される例示的なＥＵＶ容器は円錐部を含むものに限定されないことが理解されるであろう。例えばＥＵＶ容器又はその一部分は、例えばＥＵＶ放射１１５を遮ることなくＥＵＶ容器の容積を減少させる任意の適切な形状を有してよい。

[000254] 流れスプリッタ１５０は、中間焦点領域１５７に又はその近くに配置される。例えば流れスプリッタ１５０を中間焦点領域１５７に又はその近くに配置して、流れスプリッタ１５０がＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスに作用できるようにする。

[000255] 流れスプリッタ１５０は、中間焦点１５７ａから距離を置いて配置されてよい。流れスプリッタ１５０の中間焦点１５７ａからの距離は、５～１５ｃｍの範囲内にあってよい。ただし、流れスプリッタ１５０の放射源ＳＯ内の配置はこのような距離に限定されず、他の距離の値が選択されてよいことを理解されたい。例えば距離は、中間焦点領域で又はその近くで利用可能な空間、及び／又は、例えば中間焦点領域における放射に起因して流れスプリッタ１５０に作用し得る熱負荷に応じて選択されてよい。換言すれば、距離は、例えば流れスプリッタ１５０の溶融など、流れスプリッタ１５０に対する何らかの熱的効果を最小限に抑える又は阻止するように選択されてよい。

[000256] 流れスプリッタ１５０は、この例ではＥＵＶコレクタ１０２の光軸ＯＡの少なくとも一部に一致する、ＥＵＶ容器１００の中心軸すなわち縦軸に少なくとも部分的に沿って延在するように配置されてよい。この配置によって、流れスプリッタ１５０がＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを流れスプリッタ１５０の周囲に対称的に方向付けることが可能になり、例えばＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとシャワーヘッド１０１により供給されたガスの相互作用、及び／又はＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとカーテン供給部１２２により供給されたガスの相互作用を抑制する又は妨げることができる。また、この配置によって、流れスプリッタ１５０がＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを流れスプリッタ１５０の周囲に対称的に方向付けることが可能になり、例えばＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスと中心供給部１０６及び／又は周辺供給部１０８により供給されたガスの相互作用を抑制する又は妨げることができる、及び／又はＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの、例えばＥＵＶコレクタ１０２に向かうジェットの形成を妨げることができる。

[000257] 図１９Ａに示す例示的な流れスプリッタ１５０は、第１の端部１５０ａから第２の端部１５０ｂに向かってテーパ状になるように構成される。流れスプリッタ１５０の第１の端部１５０ａは拡大部を含む又は画定してよい。流れスプリッタ１５０は、流れスプリッタ１５０の第１の端部１５０ａ、例えば拡大部が中間焦点領域１５７から遠位に位置するようにＥＵＶ容器１００内に配置されてよい。流れスプリッタ１５０の第２の端部１５０ｂは尖頭部１５０ａを画定する又は含んでよい。流れスプリッタ１５０は、流れスプリッタの第２の端部１５０ｂ、例えば尖頭部が中間焦点領域１５７に又はその近位に位置するようにＥＵＶ容器１００内に配置されてよい。図１９Ａに示す例示的な流れスプリッタ１５０は円錐形状を有する。

[000258] 図１９Ｂは、流れスプリッタ１５０の別の例示的な構成を示している。図１９Ｂに示す流れスプリッタ１５０は、図１９Ａに示したものと同様である。流れスプリッタ１５０の第１の端部１５０ａは拡大部を画定する又は含む。流れスプリッタ１５０の第２の端部１５０ｂは丸み部を含む又は画定する。図１９Ｂに示す例示的な流れスプリッタは、略円錐台形状を有すると見なされてよい。本明細書に開示されている流れスプリッタは円錐又は円錐台形状に限定されないことを理解されたい。他の例では、流れスプリッタは１つ以上の平坦部を有する円錐又は円錐台形状を有してよい。代替的に、流れスプリッタは渦巻き又はらせん形状を有してよい。

[000259] 図１９Ａ及び１９Ｂを参照すると、例えば流れスプリッタ１５０の縦軸すなわち中心軸Ａに沿った流れスプリッタ１５０の長さすなわち寸法は、ＥＵＶ容器１００の寸法、容積及び／又は形状に応じて選択されてよい。流れスプリッタ１５０の長さすなわち寸法は、以上で説明したように、例えば流れスプリッタ１５０がＥＵＶ容器１００内に配置されている場合に、流れスプリッタ１５０がＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスと相互作用する、及び／又は流れスプリッタが流れスプリッタ１５０の周囲にＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを方向付けるように選択されてよい。流れスプリッタ１５０の縦軸すなわち中心軸Ａに沿った流れスプリッタ１５０の例示的な長さすなわち寸法は、約３～３０ｃｍ、例えば１０～２０ｃｍを含んでよい。ただし、本明細書に開示されている例示的な流れスプリッタはこのような長さすなわち寸法に限定さないことを理解されたい。

[000260] ＥＵＶ源ＳＯは、流れスプリッタ１５０の一部であるか又はこれに含まれてよい加熱要素１５２を備えてよい。加熱要素１５２は、流れスプリッタ１５０の温度を上昇させる、例えば流れスプリッタ１５０の周囲に方向付けられるＤＧＬ供給部１１０により供給されるガスの量を増加させるように構成されてよい。

[000261] 加熱要素１５２は、流れスプリッタ１５０の温度を、増加したＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの量を流れスプリッタ１５０の周囲に方向付ける第１の温度以上に上昇させるように構成されてよい。例えば、流れスプリッタ１５０の温度が第１の温度以上に上昇する結果、例えばＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの少なくとも一部分が流れスプリッタ１５０に接触するとき、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの原子の少なくとも一部の速度が上昇する可能性がある。流れスプリッタ１５０の温度が第１の温度以上に上昇することによって、流れスプリッタ１５０と接触するＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの一部分に熱が伝導する可能性がある。ＤＧＬ供給部により供給されたガスの一部分に熱が伝導することによって、一部分のガスが膨張する、及び／又は一部分のガスの粘度が上昇する可能性がある。換言すれば、流れスプリッタ１５０と接触するＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの一部分のガスは上昇した粘度を有する可能性がある。上昇した粘度を有するＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの一部分のガスは、流れスプリッタ１５０に入射するＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの別の部分に作用することができる、及び／又はＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの別の部分を流れスプリッタ１５０の周囲に方向付けることができる。換言すれば、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの一部分のガスの粘度が上昇することによって、流れスプリッタ１５０の有効寸法は、流れスプリッタ１５０の実寸法に対して大きくなると見なすことができる。

[000262] 第１の温度は、プラズマ１０７を生成するのに使用される燃料の溶融温度以上であってよい。換言すれば、第１の温度はプラズマ１０７を生成するのに使用される燃料に応じて選択されてよい。例えばスズが燃料に使用されている場合、加熱要素１５２は、流れスプリッタ１５０の温度を（スズの溶融温度にほぼ一致する）約２３０℃以上の温度に上昇させるように構成されてよい。２００℃未満の温度では、流れスプリッタ１５０に堆積する燃料、例えばスズは固体である可能性がある。固体燃料は、中間焦点１５７ａに方向付けられたＥＵＶ放射１１５の少なくとも一部分を回折又は遮断する可能性がある。

[000263] 加熱要素１５２は、流れスプリッタ１５０の温度を第２の温度未満に維持するように構成されてよい。第２の温度以上では、流れスプリッタ上に存在し得るデブリの拡散が生じる又は高まる。例えば第２の温度以上では、流れスプリッタ１５０上に存在し得るデブリの拡散が高まる可能性がある。例えば水素雰囲気中のスズ蒸気の拡散係数は、温度上昇ともに上昇する可能性がある。流れスプリッタ１５０の温度を第２の温度未満に維持することによって、ＥＵＶ容器１００内のデブリの拡散を抑制することができる。流れスプリッタ１５０上のデブリの量は、例えば流れスプリッタ１５０をＥＵＶ容器１００内に配置してＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを流れスプリッタ１５０の周囲に方向付けるために小さいと考えられ得る。

[000264] 加熱要素１５２は、流れスプリッタ１５０内に埋め込まれてよい。他の実施形態では、加熱要素が別体に設けられてよいことが理解されるであろう。そのような実施形態では、加熱要素は流れスプリッタの温度を上昇させるように配置されてよい。加熱要素１５２は、抵抗加熱要素の形で設けられてよい。他の実施形態では、流れスプリッタは誘導加熱されてよいこと、及び／又は加熱要素は、例えばコイルなどの電磁要素の形で設けられてよいことが理解されるであろう。電磁要素に電流を生成するために電子振動子、例えば高周波発生器が設けられてよく、結果として電磁要素に熱が発生する可能性がある。

[000265] 図１７及び図１９Ｃを参照すると、一部の実施形態では、流れスプリッタ１５０は冷却剤によって冷却するように構成されてよい。例えば流れスプリッタ１５０は、例えば中間焦点領域１５７でのＥＵＶ放射に起因する、流れスプリッタ１５０に作用し得る熱負荷を低減するために冷却されてよい。流れスプリッタ１５０は、流れスプリッタ１５０の温度を、プラズマ１０７を生成するのに使用される燃料の溶融温度未満に維持するために冷却されてよい。これによって、流れスプリッタ１５０上に存在し得る液体燃料の放射源ＳＯの内壁１０４又は任意の他のコンポーネントへの分散／拡散を妨げることができる。以上で説明したように、流れスプリッタ１５０上に存在し得るデブリの量は、例えば流れスプリッタ１５０をＥＵＶ容器１００内に配置してＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを流れスプリッタ１５０の周囲に方向付けるため小さいと考えられる。

[000266] 冷却剤は冷却剤源１５４によって供給されてよい。例えば流れスプリッタ１５０は、冷却剤源１５４から冷却剤を受け取るための、及び／又は流れスプリッタ１５０に冷却剤を流すためのチャネル１５６を備えてよい。流れスプリッタ１５０は、冷却剤源１５４に接続するように構成されてよい。冷却剤源１５４は、流れスプリッタ１５０に冷却剤を供給するように構成されてよい。例えば冷却剤源１５４は、流れスプリッタ１５０に冷却剤を供給して、以上で説明したように、流れスプリッタ１５０の温度を、例えばプラズマ１０７を生成するのに使用される燃料の溶融温度及び／又は第２の温度未満に低下させるように構成されてよい。冷却剤は、冷却剤流体、例えば冷却剤液体や冷却剤／冷却ガスなどの形で提供されてよい。流れスプリッタは加熱要素１５２を備えることの代わりに、又はこれに加えて冷却剤により冷却されるように構成されてよいことが理解されるであろう。

[000267] 図２０は、ＥＵＶ源ＳＯの別の実施形態を概略的に示している。図２０に示すＥＵＶ源ＳＯは、図１７に示したものと同様である。図２０に示す放射源ＳＯの例示的な流れスプリッタ１５０は、ノズル又はスリットの形で設けられ得る複数の別の開口部１５８を備える。複数の別の開口部１５８（又は複数の別の開口部１５８の各別の開口部）は、第５のガス流１６０をＥＵＶコレクタ１０２に方向付けるように構成されてよい。第５のガス流は、約１～５０ｓｌｍの範囲内の流量を有してよい。複数の別の開口部１５８は、複数の別の開口部１５８からの第５のガス流１６０が、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスと相互作用するように流れスプリッタ１５０に配置されてよい。ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスと第５のガス流１６０との相互作用は、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスを、ＥＵＶ容器１００の内壁１０４の近くに方向付ける又は押し込むことができる。第５のガス流１６０をＥＵＶコレクタ１０２に方向付けるために複数の別の開口部１５８を設けることによって、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの分散を高めることができる。ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスの分散が高まる結果、ＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとシャワーヘッド１０１により供給されたガスの相互作用、及び／又はＤＧＬ供給部１１０により供給されたガスとカーテン供給部１２２により供給されたガスの相互作用が低下する又は抑制される可能性がある。

[000268] 複数の別の開口部１５８は、円周方向に、周状に及び／又は軸方向に流れスプリッタ１５０に配置されてよい。換言すれば、複数の別の開口部１５８は、流れスプリッタ１５０の周囲に及び／又は流れスプリッタ１５０の中心軸すなわち縦軸Ａの方向に延在するように配置されてよい。複数の別の開口部１５８は、例えばＤＧＬ供給部１１０により供給されたガス及び／又は第５のガス流１６０が流れスプリッタ１５０の周囲を対称的に流れるように、流れスプリッタ１５０に対称的に配置されてよい。

[000269] ＤＧＬ供給部１１０は、第５のガス流１６０を流れスプリッタ１５０に供給するように構成されてよい。例えば流れスプリッタ１５０は、例えば第５のガス流１６０の流れスプリッタ１５０への供給を可能にするために、ＤＧＬ供給部１１０に接続する又は接続可能にすることができる。別の例において、デブリ軽減システムが、ガス流を流れスプリッタに供給するように構成され得る別のガス供給システムを備えてよいことが理解されるであろう。流れスプリッタは、例えばガス流の流れスプリッタへの供給を可能にするために、別のガス供給システムに接続する又は接続可能にすることができる。図２０に示す流れスプリッタ１５０は複数の別の開口部１５８を備えているが、他の実施形態では、流れスプリッタは第５のガス流をＥＵＶコレクタに方向付けるように構成され得る１つの別の開口部を備えてよいことが理解されるであろう。

[000270] 図２１は、ＥＵＶ源ＳＯの別の実施形態を概略的に示している。図２１に示すＥＵＶ源ＳＯは、図１７に示したものと同様である。図２１に示す例示的なＥＵＶ源ＳＯは、バーすなわちオブスキュレーションバー１６２の一部であり得る又はこれによって提供され得るデブリ受取面１６２ａを備える。バー１６２は、デブリが中間焦点領域１５７に到達するのを抑制する又は妨げるようにＥＵＶ容器１００内に配置されてよい。バー１６２は、ＥＵＶコレクタ１０２の光軸ＯＡと交差する又はこれを横切って延びるように配置されてよい。この配置では、バー１６２は、弾道微粒子デブリを含み得るデブリの、及び／又はレーザ放射１０５の一部分、例えばレーザ放射１０５の材料ターゲット領域１１１を通過する部分の直接通視線を遮ると考えることができる。換言すれば、バー１６２は、レーザ放射１０５の一部分をＥＵＶ源ＳＯの中間焦点領域１５７から離れる方向に反射するように構成されてよい。

[000271] 図２１に示す例示的なＥＵＶ源では、流れスプリッタ１５０は、バー１６２と中間焦点領域１５７との間に配置される。この配置では、バー１６２は、流れスプリッタ１５０の少なくとも一部分又は全てにわたって延びる又はこれと重なるように配置される。例えばバー１６２は、プラズマ１０７により生成されたデブリがバー１６２のデブリ受取面１６２ａに入射するように、流れスプリッタ１５０の第１の端部１５０ｂの拡大部にわたって延びる又はこれと重なるように配置されてよい。換言すれば、流れスプリッタ１５０はバー１６２の陰に配置されてよい。

[000272] 図２１に示す例示的なＥＵＶ源ＳＯでは、デブリ受取面１６２ａはバー１６２の一部であるものとして説明されたが、例えば図１７及び図２０に関連して説明したようなＥＵＶ源の他の実施形態では、デブリ受取面１６２ａは流れスプリッタ１５０によって提供されてよい又は流れスプリッタ１５０の一部であってよいことが理解されるであろう。このような例では、流れスプリッタ１５０は、以上で説明されたバー１６２の特徴のいずれかを含んでよい。さらに、流れスプリッタ１５０は、プラズマ１０７により生成された熱若しくは熱負荷又は中間焦点領域１５７におけるＥＵＶ放射１１５の熱若しくは熱負荷に流れスプリッタ１５０が耐えられるように構成されてよい。流れスプリッタ１５０は、材料ターゲット領域１１１を通過するレーザ放射１０５の一部分を中間焦点領域１５７から離れる方向に反射するように構成されてよい。例えばデブリ受取面１６２ａが流れスプリッタ１５０により提供される場合、例えば流れスプリッタ１５０の中心軸すなわち縦軸Ａと垂直な及び／又は平行な方向の流れスプリッタ１５０の長さすなわち寸法は、例えばバー１６２と組み合わせて使用される流れスプリッタ１５０の中心軸すなわち縦軸Ａと垂直な及び／又は平行な方向の長さすなわち寸法に対して大きくなる可能性がある。

[000273] 第１、第２、第３、第４及び／又は第５のガス流は水素ガスを含んでよい。他の実施形態では、別のガス又はガスの混合物が使用されてよいことが理解されるであろう。例えば他の実施形態では、第１、第２、第３、第４及び／又は第５のガス流はアルゴンガス又はヘリウムガスを含んでよい。

[000274] 流れスプリッタ１５０の材料は、腐食に耐性を示す、例えばＥＵＶ源ＳＯ内の環境、例えばＥＵＶ源ＳＯ内の水素環境における燃料による腐食に対する耐性を示すように選択されてよい。流れスプリッタ１５０の材料は、以上で説明したように、例えば放射源ＳＯにおけるＥＵＶ放射１１５、プラズマ１０７、及び／又は第１の温度以上への流れスプリッタ１５０の温度の上昇に起因して流れスプリッタに作用する熱負荷に耐性を示すように選択されてよい。例示的な流れスプリッタ１５０は、金属若しくは金属合金を含んでよい。例えば流れスプリッタの材料は、モリブデン、タングステン、アルミニウム、ステンレス鋼、銅又はこれらの合金であってよい又はこれらを含んでよい。流れスプリッタ１５０は、金属表面又は金属合金表面を備えてよい。流れスプリッタの金属表面又は金属合金表面によって、放射源ＳＯ内に存在し得る水素ラジカルの再結合の改善がもたらされる可能性がある。例えば水素（Ｈ２）分子は、熱吸収及び／又は放射吸収、又はイオン衝突によって水素ラジカルに分裂する可能性がある。水素ラジカルは、放射源の内壁１０４から、デブリ、例えばスズを除去するのに有用な場合がある。水素ラジカルが存在することによって、例えば水素ラジカルがＥＵＶ容器１００内の液体の燃料層に拡散する場合の燃料のスピッティングなど、ＥＵＶ容器１００内に汚染が生じる可能性がある。金属表面又は金属合金表面を有する流れスプリッタを設けることによって、水素ラジカルの再結合を改善することができる、及び／又は、例えば燃料のスピッティングなどのＥＵＶ容器内の汚染を低減することができる。

[000275] 他の実施形態では、流れスプリッタは別の材料、例えばセラミック材料などを含んでよいことが理解されるであろう。セラミック材料は、二酸化ケイ素材料、窒化ジルコニウム材料、又は酸化ジルコニウム材料を含んでよい。本明細書では、リソグラフィ装置との関連で実施形態への具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は１つ以上の他の装置で使用されてよい。実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（又は他の基板）若しくはマスク（又は他のパターニングデバイス）などの物体を測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ぶことがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用してよい。

[000276] 「リソグラフィ装置の少なくとも一部」という用語は、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ、及び／又は投影システムＰＳを包含すると見なされてよい。

[000277] 「放射源」という用語は、レーザ１６２を包含すると見なされてよい。

[000278] 「妨げる」という用語は、実質的に妨げることを包含すると見なされてよい。

[000279] 「中間焦点領域」という用語は、中間焦点の及び／又は中間焦点近くの領域を包含すると見なされてよい。

[000280] 「ＥＵＶ放射」という用語は、４～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含すると見なされてよい。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満の、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった４～１０ｎｍの範囲内の波長を有してよい。

[000281] 図１は放射源ＳＯをレーザ生成プラズマＬＰＰ源として示しているが、ＥＵＶ放射を生成する任意の適切な放射源が使用されてよい。例えば、放電を使用して燃料（例えばスズ）をプラズマ状態に変換することによってＥＵＶ放出プラズマが生成されてよい。このタイプの放射源は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と呼ぶことがある。放電は、放射源の一部を形成し得る、又は電気接続を介してＥＵＶ放射源ＳＯに接続された別個のエンティティであり得る電源によって生成されてよい。

[000282] 流れスプリッタ１５０が非対称排出部１３２を備えたＥＵＶ容器内に配置されることが記載されたが、他の実施形態では流れスプリッタは、例えば図９Ｂ～９Ｃ、図１２Ａに示すような対称排出部を備えたＥＵＶ容器で使用されてよいことが理解されるであろう。付加的又は代替的に、流れスプリッタは、例えば図１６Ａ及び図１６Ｂに示すようなカーテンフロー供給部を備えたＥＵＶ容器で使用されてよい。流れスプリッタはまた、図９Ａ及び図１１に示すＥＵＶ容器で使用されてよい。

[000283] また、前述の実施形態のそれぞれが、ＥＵＶ容器１００に含まれる他のコンポーネントと同様に容器内壁１０４を調節して特定の温度を実現する温度制御システムで実施されてよいことが理解されるであろう。例えば容器内壁１０４のある部分がＳｎの溶融点未満の温度に維持される場合がある一方、他の部分がＳｎの溶融点より高い温度に維持される場合がある。これら及び他の実施形態では、容器内壁１０４の各領域の温度はまた変化させる、すなわちＳｎの溶融点より高い温度と低い温度の間で循環させてよい。

[000284] 本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフ装置の使用について特に言及したが、本明細書に記載のリソグラフ装置は他の用途を有する可能性があることを理解されたい。考えられる他の用途には、集積光学系、磁区メモリの誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造が含まれる。

[000285] 光リソグラフィの分野での実施形態の使用について特に言及してきたが、本発明の実施形態は文脈によってはその他の用途、例えばインプリントリソグラフィでも使用されてよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると内部にパターンが残される。

[000286] 理解されるように、本明細書の１つ以上の実施形態の態様は、例えば置換形態又は変更形態として本明細書の１つ以上の他の実施形態に組み込まれてよい。

[000287] 以上、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、説明とは異なる方法でも本発明を実施できることが理解されるであろう。上記の説明は例示であり、限定を意図したものではない。従って、以下に示す請求項の範囲及び均等物から逸脱することなく、記載されたように本発明を変更できることが当業者には明白であろう。

Claims (11)

1. 容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器と、
   前記容器の内部に配設されたＥＵＶコレクタであって、前記中間焦点領域へＥＵＶ放射を反射するために構成された反射面を備え、前記反射面は前記容器の前記ＩＦ領域を方向的に向くように構成された、ＥＵＶコレクタと、
   前記容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設され、前記容器にガスを導入するように構成された複数のノズルを備えるシャワーヘッドと、
   前記容器に導入されたガスを除去するように構成され、前記ガスを前記ＥＵＶコレクタから離れる方向に流すように前記容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設された１つ以上の排出部と、
   を備え、
   前記シャワーヘッドが、それぞれが前記複数のノズルの少なくとも一部分を含み、それぞれに前記ガスが個別に供給されて前記容器に前記ガスを導入するための個別に制御可能なゾーンを実現する１つ以上のゾーンを含む、
   極端紫外線（ＥＵＶ）源。
2. 前記ガスを前記複数のノズルを介して前記容器に導入することによって、前記容器内壁を材料の堆積から保護することができる、請求項１に記載のＥＵＶ源。
3. 前記複数のノズルが、前記容器内壁の内面の少なくとも一部分に沿って、前記容器内壁の前記内面から離れる方向を向く方向に配向される、請求項１又は２に記載のＥＵＶ源。
4. 前記シャワーヘッドが、前記容器内壁の少なくとも一部分に沿って外周方向及び横方向に延在する、請求項１から３のいずれかに記載のＥＵＶ源。
5. 前記排出部が、前記容器内壁に沿って方位角的に非対称な位置に配設され、前記容器からガスを排出するように構成される、請求項１から４のいずれかに記載のＥＵＶ源。
6. 前記容器にガスを導入するように構成され、前記ＥＵＶコレクタの前記反射面の近くに配設された第１の複数のインレットを備えた第１のガス源をさらに備え、
   前記排出部がさらに、前記容器内壁の前記ＥＵＶコレクタより重力方向上方に位置する第２の領域と概ね対向する前記容器内壁の第１の領域の近くに配向され、前記排出部が、前記第１のガス源及び前記複数のノズルにより導入されたガスが前記ＥＵＶ源の動作中に前記第２の領域から離れる方向に流れることを可能にする、請求項５に記載のＥＵＶ源。
7. 前記複数のノズルが、前記容器内壁の前記ＥＵＶコレクタより重力方向上方に位置する領域に少なくとも部分的に沿って分布される、請求項５又は６に記載のＥＵＶ源。
8. 前記複数のノズルが、前記容器内壁の内面に沿って前記容器内壁の前記内面から離れる方向に配向され、前記複数のノズルの配向が、前記容器内壁の前記内面の少なくとも一部分から離れる方向に少なくとも部分的に方向付けられたガス流を可能にする、請求項５から７のいずれかに記載のＥＵＶ源。
9. 容器内壁と中間焦点（ＩＦ）領域とを有する容器と、
   前記容器の内部に配設されたＥＵＶコレクタであって、前記中間焦点領域へＥＵＶ放射を反射するために構成された反射面を備え、前記反射面は前記容器の前記ＩＦ領域を方向的に向くように構成された、ＥＵＶコレクタと、
   前記容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設され、前記容器にガスを導入するように構成された複数のノズルを備えるシャワーヘッドと、
   前記容器に導入されたガスを除去するように構成され、前記ガスを前記ＥＵＶコレクタから離れる方向に流すように前記容器内壁の少なくとも一部分に沿って配設された１つ以上の排出部と、
   を備え、
   前記複数のノズルが、前記容器内壁の前記ＥＵＶコレクタより重力方向上方に位置する天井領域に少なくとも部分的に沿って配設され、前記複数のノズルが前記天井領域から離れる方向を向く方向に配向され、前記複数のノズルにより前記ガスを導入することによって、デブリを排除するための前記天井領域に隣接した拡散バリアを提供する、
   極端紫外線（ＥＵＶ）源。
10. 前記シャワーヘッドが、それぞれが前記複数のノズルの少なくとも一部分を含み、それぞれにガスが個別に供給されて前記容器にガスを導入するための個別に制御可能なゾーンを実現する１つ以上のゾーンを含む、請求項９に記載のＥＵＶ源。
11. 前記容器内壁が、円錐形状、円筒形状、又は多面体形状を有する、請求項１から１０のいずれかに記載のＥＵＶ源。

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