JP7178821B2 - 撮像光学系及び撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、特定の波長の光線に用いられ、特定の波長の光線に対して高透過率な撮像光学系及び撮像装置に関するものである。
近年、セキュリティ強化、安全性強化等の実現のため、センシング技術の高度化が求められている。そのため、特定の波長範囲の光線によって対象物である人や物体が存在する領域を広範囲にわたって走査を行う。投光の対象物による反射光や外乱光の拡散光を撮像光学系によって検知し、対象物の検出を行い、これを低コストで行うことが要望されている。
従来の特定波長光を使用する撮像光学系に関する上述した要望に関し、3枚のレンズから構成されたレンズ群と、近赤外域の特定波長帯域の光線を透過させる干渉フィルターとを物体側から像側に向かってこの順番で有し、前記レンズ群は、正のパワーを持つ物体側に凸の第1メニスカスレンズ、正のパワーを持つ像側に凸の凸レンズを物体側から像側に向かってこの順番に備えた赤外線用レンズユニットが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、従来の前記撮像光学系においては、レンズが3枚以下という少ない枚数で広角レンズを構成しているが、Fnoも暗く、また撮像素子への入射角も大きいため、撮像素子への入射光量が十分ではないという問題がある。特に、本技術分野においては、特定波長帯域の光線を投射し、対象物によるその反射光を撮像素子によって検出するため、僅かな反射光も逃さず受光することが望ましく、該撮像素子の入射光量不足は重要な解決すべき課題である。
特開2016-80774号
(発明の目的)
本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであって、対象物による反射光もしくは散乱光を効率よく撮像素子に入力させる撮像光学系及び撮像装置を提供することを目的とする。
第1発明は
波長N±50nmの波長範囲以内でのみに使用される撮像光学系において、
前記撮像光学系は波長N±50nmの波長範囲以内のみを透過するバンドパスフィルターを有し、
前記撮像光学系に含まれるレンズの空気界面の少なくとも1面には、波長N±200nmの波長範囲の中で入射角が0度における反射率が最も小さくなる波長がN±100nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされ、以下の条件式を満足していることを特徴とする撮像光学系。
0.10 < 1/tan(|Amin|) < 1.35 ・・・・・(1)
0.10 < Y/f < 1.75 ・・・・・・・・・・・・・・(2)
但し、
Amin : 前記撮像光学系に含まれるすべてのレンズ面におけるレンズ面の接線と光軸
のなす角度の最小値
Y : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける最大像高
f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
である。
第2発明は、
第1発明の撮像光学系と、該撮像光学系の像側に配置され、該撮像光学系によって形成された光学像を電気的信号に変換する撮像素子とを備えたことを特徴とする撮像装置
である。
本発明によれば、対象物による反射光もしくは散乱光を効率よく撮像素子に入力させる撮像光学系及び撮像装置を構成することができる。
用語「レンズ面の接線角A」の説明図である。 用語「光線入射角B」の説明図である。 用語「撮像面への光線入射角D」の説明図である。 本発明の第1実施例の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。 本発明の第1実施例の撮像光学系の縦収差図である。 本発明の第2実施例の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。 本発明の第2実施例の撮像光学系の縦収差図である。 本発明の第3実施例の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。 本発明の第3実施例の撮像光学系の縦収差図である。 本発明の第4実施例の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。 本発明の第4実施例の撮像光学系の縦収差図である。 本発明の実施例の撮像装置の構成説明図である。
以下に、本発明の撮像光学系及び撮像装置の実施形態について説明する。ただし、以下に説明するものは当該撮像光学系及び撮像装置の一態様であって、本発明は以下の態様に限定されるものではない。
第1実施形態の撮像光学系は、
波長N±50nmの波長範囲以内でのみに使用される撮像光学系において、
前記撮像光学系は波長N±50nmの波長範囲以内のみを透過するバンドパスフィルターを有し、
前記撮像光学系に含まれるレンズの空気界面の少なくとも1面には、波長N±200nmの波長範囲の中で入射角が0度における反射率が最も小さくなる波長がN±100nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされ、以下の条件式を満足していることを特徴とする撮像光学系。
0.10 < 1/tan(|Amin|) < 1.35 ・・・・・(1)
0.10 < Y/f < 1.75 ・・・・・・・・・・・・・・(2)
但し、
Amin : 前記撮像光学系に含まれるすべてのレンズ面におけるレンズ面の接線と光軸
のなす角度の最小値
Y : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける最大像高
f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
である。
第1実施形態の撮像光学系は、波長N±50nmの波長範囲以内でのみに使用される撮像光学系において、前記撮像光学系は波長N±50nmの波長範囲のみを透過するバンドパスフィルターを有することを特徴とする。該バンドパスフィルターを有することにより使用波長範囲が限定され、限定された特定の波長領域のみ収差補正すればよい。その結果、少ないレンズ枚数で撮像光学系を構成することが可能となり、低コスト化が達成できる。
ちなみに、バンドパスフィルターは基板の表面上に多層膜を形成してなる干渉フィルターであり、特定の波長帯域の光線の透過率を高くし、それ以外の波長帯域の光線の透過率を低くする作用を有する。
バンドパスフィルターを配置する光軸方向の位置はどこでも構わない。しかしながら、干渉フィルターは、後述する光線入射角が0°から大きくなるに従って透過スペクトルが短波長側にシフトする。そのため、バンドパスフィルターへの光線入射角が大きくない位置にバンドパスフィルターを配置することが好ましい。なお、バンドパスフィルターの基盤の曲率は問わない。しかし、バンドパスフィルターには色々異なった光線入射角の光線が入射すること、基盤が球面の場合入射位置によって光線入射角が変化すること等を考慮すると、基盤は平行平板であることが好ましい。
第1実施形態の撮像光学系は、前記撮像光学系に含まれるレンズの空気界面の少なくとも1面には、波長N±200nmの波長範囲の中で入射角が0度における反射率が最も小さくなる波長がN±100nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされることを特徴とする。第1実施形態の撮像光学系はバンドパスフィルターを有するため、特定の波長領域のみ透過率を高めればよく、そのために用いられる反射防止コーティングは幅広い波長帯域の反射率を抑える必要がないことから、層数の少ない安価なコートを採用でき、低コスト化が達成できる。
またより好ましくは、第1実施形態の撮像光学系に含まれるすべてのレンズの空気界面に波長N±200nmの波長範囲の中で入射角が0度における反射率が最も小さくなる波長がN±50nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされることが、透過率を向上させる点で好ましい。
さらにより好ましくは、波長N±100nmの波長範囲の中で最も反射率が小さくなる波長がN±50nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされることが、透過率を向上させる点で好ましい。
第1実施形態の撮像光学系は、以下の条件式を満足していることを特徴とする。
0.10 < 1/tan(|Amin|) < 1.35 ・・・・・(1)
但し、
Amin : 前記撮像光学系に含まれるすべてのレンズ面におけるレンズ面の接線と光軸
のなす角度の最小値
条件式(1)は、レンズ面の接線角を規定する式である。ここでレンズ面の接線角Aは、図1に示すように、レンズ面の接線A1と光軸Oのなす角度であって、絶対値で表され、すべて正の値を取るものと定義される。よってレンズ面の接線角Aが小さくなることは、光軸に直交する面に対するレンズ面の傾きが大きくなることを意味する。
条件式(1)を満足することよって、反射防止コートの層厚誤差が小さくなると共に、適切な屈折力を有することとなり、レンズ枚数の削減につながる。
条件式(1)の下限を割ると、レンズ面の傾きが光軸に直交する平面に近付いていくことになり、そのレンズの屈折力が弱く、撮像光学系のレンズ全長が大型化するとともに、収差補正のために多くのレンズが必要となり、小型化と低コスト化が困難となるため好ましくない。
また条件式(1)の上限を超えると、すなわち面の光軸に対する傾きが強くなっていくこととなり、反射防止コーティングを蒸着する際にレンズ中心部とレンズ周辺部とにおいて膜の厚さが異なってしまう。そのためレンズの中心部と周辺部で反射率特性が変化し、透過率を高めることが困難となると共に、所定の反射防止効果を得ることが困難となり好ましくない。
なお、条件式(1)の下限は0.15であるとより好ましく、0.25であると更に好ましく、0.35であると更に好ましく、0.50であると更に好ましい。
また、条件式(1)の上限は1.30であると好ましく、1.28であると更に好ましく、1.26であると更に好ましく、1.20であると更に好ましい。
本発明の撮像光学系は、以下の条件式を満足していることを特徴とする。
0.10 < Y/f < 1.75 ・・・・・・・・・・・・・・(2)
但し、
Y : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける最大像高
f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
条件式(2)は、撮像光学系最大像高と焦点距離の比を規定する式である。
条件式(2)を満足することにより撮像光学系の画角が適切な範囲となり、多くのレンズ枚数を必要としないレンズ構成が可能となる。
条件式(2)の下限を割ると、最大画角が狭くなり過ぎるため、広い範囲を撮影することが困難となり好ましくない。
また条件式(2)の上限を超えると、最大画角が広くなるため少ないレンズ枚数で構成することが困難となり、低コスト化の点で好ましくない。
なお、条件式(2)の下限は0.14であるとより好ましく、0.16であると更に好ましく、0.20であると更に好ましく、0.25であると更に好ましい。
また、条件式(2)の上限は1.43であると好ましく、1.30であると更に好ましく、1.20であると更に好ましく、1.00であると更に好ましく、0.50であると更に好ましい。
第1実施形態の撮像光学系は、このレンズ構成に限定されない。いずれのレンズ枚数、及び、レンズ配置においても、本実施形態を適用することによって、これらの効果を得ることが可能である。また、低コスト化及び小型化の観点から、より好ましくは、7枚以下のレンズで構成されることが好ましい。レンズの形状に関しては、最物体側面が凸面であることが好ましい。レンズ枚数や形状は、求められる焦点距離、大きさ、Fナンバーや像高によって適宜変更することが可能である。
第2実施形態の撮像光学系は、
以下の条件式を満足することを特徴とする。
0.50 < 1/tan(|Bmax|) < 4.00 ・・・・・(3)
但し、
Bmax : 前記撮像光学系に含まれるすべてのレンズ面におけるレンズ面の法線と入射
光線のなす角度の最大値
である。
条件式(3)は、光線入射角Bを規定する式である。ここで光線入射角Bは、図2に示すように、メリジオナル断面におけるレンズ面の法線B1と入射光線B2のなす角度である。光線入射角Bは絶対値で表され、すべて正の値を取る。なお、レンズ面が非球面の場合、法線は近軸曲率からではなく非球面形状から算出される。
条件式(3)を満足することによりレンズ面の法線に対する光線入射角が適切な範囲となり、レンズ面における反射率が低くかつ多くのレンズ枚数を必要としないレンズ構成が可能となる。
条件式(3)の下限を割ると、すなわちレンズ面の法線に対する最大光線入射角が大きくなると、レンズ面における反射率が高くなり透過率が下がり好ましくない。
また条件式(3)の上限を超えると、すなわちレンズ面の法線に対する最大光線入射角が小さくなると、収差補正効果が小さくなり過ぎて、少ないレンズ枚数で撮像光学系を構成することが困難となり、低コスト化の点で好ましくない。
なお、条件式(3)の下限は0.55であるとより好ましく、0.60であると更に好ましく、0.65であると更に好ましく、0.70であると更に好ましい。
また、条件式(3)の上限は3.00であると好ましく、2.60であると更に好ましく、2.10であると更に好ましく、1.80であると更に好ましい。
第3実施形態の撮像光学系は、以下の条件式を満足することを特徴とする。
2.50 < 1/tan(|Cmax|) < 20.00 ・・・・・(4)
但し、
Cmax : 前記バンドパスフィルターと前記バンドパスフィルターに入射する光線のな
す角度の最大値
上記条件式(4)は、前記バンドパスフィルター面の法線に対する光線入射角Cを規定する式である。ここで光線入射角Cは、図2に示す入射角Bと同様に定義され、また光線入射角Cは絶対値で表され、すべて正の値を取る。
干渉フィルターは、入射光線角度が0°から離れるに従って透過スペクトルが短波長側にシフトする。従って、条件式(4)を満足することによりバンドパスフィルター面の法線に対する光線入射角が適切な範囲となり、透過スペクトルの波長シフトを抑制することができる。
条件式(4)の下限を割ると、すなわち前記バンドパスフィルターに入射する光線の最大入射角が大きくなると、透過スペクトルが短波長側にシフトし、使用波長の透過率が下がり好ましくない。
また条件式(4)の上限を超えると、すなわち前記バンドパスフィルターに入射する光線の最大入射角が小さくなり過ぎると、主光線及び上下光線がすべてテレセントリックに近い光路配置となることを意味し、少ないレンズ枚数で撮像光学系を構成することが困難となり、低コスト化の点で好ましくない。
なお、上記条件式(4)の下限は2.55であるとより好ましく、2.60であると更に好ましく、2.65であると更に好ましく、2.70であると更に好ましく、2.77であると更に好ましい。
また、条件式(4)の上限は15.00であると好ましく、12.00であると更に好ましく、8.00であると更に好ましく、7.00であると更に好ましい。
なお、Fnoが1.4より明るい光学系の場合に、最も像面側にバンドパスフィルターを配置すると、光線入射角度Cは約20度となるため、Fnoが1.4より明るい光学系は、最も像面側にバンドパスフィルターを配置しないことが好ましい。
また最大画角が20度を超えるような広角レンズは、最も物体側にバンドパスフィルターを配置しないことが好ましい。
第4実施形態の撮像光学系は、以下の条件式を満足することを特徴とする。
-0.09 < tan(D) < 0.27 ・・・・・・・・・・・(5)
但し、
D : 前記撮像光学系の最も像側の面から射出され像面に入射する波長Nnmにおける最
軸外光線の主光線と光軸と平行な線がなすメリジオナル断面上の角度
上記条件式(5)は、前記撮像光学系における最軸外光線が像面に入射する角度を規定する式である。ここで、主光線とは波長Nnmにおける前記最軸外の光線のうち絞りの中心を通過する光線のことである。また前記主光線と光軸と平行な線がなすメリジオナル断面上における角度Dは、図3に示す方向をプラスとする。なお、図3においてIMGは像面を表す。
条件式(5)の上限を超えると、すなわち像面に入射する光線の角度が大きくなり過ぎ、撮像素子のオンチップレンズ開口率における蹴られが生じ、周辺光量落ちが顕著となり好ましくない。
また条件式(5)の下限を割ると、すなわち像面に入射する角度が小さくなり、最終レンズの径の小型化が困難となり好ましくない。
なお、条件式(5)の下限は-0.05であるとより好ましく、-0.02であると更に好ましく、-0.01であると更に好ましく、0.00であると更に好ましい。
また、条件式(5)の上限は0.25であると好ましく、0.22であると更に好ましく、0.18であると更に好ましく、0.15であると更に好ましく、0.12であると更に好ましく、0.08であると更に好ましい。
第4実施形態の撮像光学系は、負の屈折力を有する面が少なくとも1面以上有することを特徴とする。
特定の狭い波長領域のみに使用される光学系の場合、色収差補正の必要性がないため、すべて正の屈折力を有するレンズのみで構成しても高性能な光学系が達成できる。しかし、像面性をよくするためにはペッツバール和を補正する必要がある。そのためには少なくとも1面以上の負の屈折力を有する面があることが好ましい。
第5実施形態の撮像光学系は、以下の条件式を満足することを特徴とする。
-6.00 < fn/f < -0.05 ・・・・・・・・・・・(6)
但し、
fn : 前記撮像光学系のすべての面の中で最も負の屈折力の大きい面の波長Nnmにお
ける焦点距離
f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
上記条件式(6)は、前記負の屈折力を有する面の焦点距離を規定するための式である。
条件式(6)を満足することにより前記負の屈折力を有する面の焦点距離が適切な範囲となり、多くのレンズ枚数を必要としないレンズ構成で像面性の補正が可能となる。
条件式(6)の下限を割ると、負の屈折力が弱くなりすぎで像面性の補正が困難となり好ましくない。
また条件式(6)の上限を超えると、負の屈折力が強くなり過ぎて像面性がオーバーに倒れるため、性能の点で好ましくない。また像面性を補正しようとすると少ないレンズ枚数で構成することが困難となり、低コスト化の点で好ましくない。
なお、条件式(6)の下限は-5.00であるとより好ましく、-4.00であると更に好ましく、-2.00であると更に好ましく、-1.50であると更に好ましい。
また、条件式(6)の上限は-0.15であると好ましく、-0.30であると更に好ましく、-0.45であると更に好ましく、-0.60であると更に好ましく、-0.70であると更に好ましい。
第6実施形態の撮像光学系は、前記撮像光学系は両凸形状の空気レンズを少なくとも1つ有し、以下の条件式を満足することを特徴とする。
-0.80 < (Crpf+Crpr)/(Crpf-Crpr) < 0.80
・・・・・(7)
但し、
Crpf: 前記両凸形状の空気レンズの物体側面の曲率半径
Crpr: 前記両凸形状の空気レンズの像側面の曲率半径
上記条件式(7)は、前記両凸形状の空気レンズの形状を規定するための式である。ここで、空気レンズとは、空気間隔を隔て隣接して配置される物体側の面と像側の面とで構成される空気間隔のことである。
条件式(7)を満足することにより、多くのレンズ枚数を必要としないレンズ構成で球面収差と像面性が補正された大口径の撮像光学系を構成することが可能となる。
条件式(7)の範囲を超えると、前記空気レンズの形状が平凸形状に近づいていくため、球面収差と像面性の補正が両立しなくなり、高性能化の点で好ましくない。
なお、条件式(7)の下限は-0.65であるとより好ましく、-0.50であると更に好ましく、-0.35であると更に好ましく、-0.15であると更に好ましく、-0.05であると更に好ましい。
また、条件式(7)の上限は0.70であると好ましく、0.60であると更に好ましく、0.50であると更に好ましく、0.45であると更に好ましく、0.40であると更に好ましい。
第7実施形態の撮像光学系は、最も物体側に物体側凸面を有するレンズLfを有し、以下の条件式を満足することを特徴とする。
0.15 < CrLf/f ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(8)
但し、
CrLf: 前記レンズLfの物体側凸面の曲率半径
f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
上記条件式(8)は、前記物体側凸面を有するレンズLfの物体側凸面の曲率半径を規定するための式である。条件式(8)が正の値を取ることから、最も物体側の面は物体側に凸の形状であることを規定する。
条件式(8)を満足することにより前記物体側凸面の曲率半径が適切な範囲となり、多くのレンズ枚数を必要としないレンズ構成で歪曲の補正が可能となる。
条件式(8)の下限を割ると、物体側凸面の曲率半径が小さくなり過ぎ、歪曲の補正が困難となり好ましくない。また条件式(8)の上限は物体側面が凸の形状であればよく、規定されるものではない。
なお、条件式(8)の下限は0.25であるとより好ましく、0.35であると更に好ましく、0.50であると更に好ましく、0.65であると更に好ましく、0.80であると更に好ましい。
また、条件式(8)の上限は規定されていないが、最も物体側に物体側凸面を有するレンズLfの該凸面の曲率半径が大きくなると、最も物体側の面とカバーガラスや撮像面、平行平板のバンドパスフィルター等との面間反射が生じ、その結果ゴーストが発生する。そのため、条件式(8)の上限として、5000.00であると好ましく、1000.00であると更に好ましく、200.00であると更に好ましく、20.00であると更に好ましく、10.00であると更に好ましく、5.00であると更に好ましく、3.00であると更に好ましく、1.60であると更に好ましく、1.45であると更に好ましい。
第8実施形態の撮像光学系は、前記反射防止コーティングが、MgF2を材料に含む層を少なくとも1層以上有することを特徴とする。
第9実施形態の撮像光学系は、前記反射防止コーティングは、SiO2を材料に含む層を少なくとも1層以上有することを特徴とする。
空気の屈折率が1.0であり、撮像光学系に使用されるレンズ材料の屈折率は約1.5より大きな材料が多いため、反射率を下げるためには反射防止コーティングに使用される材料の屈折率をそれらの屈折率の間に存在する材料として採用することが必要となる。
そこで、d線における屈折率はおよそ1.39であるMgF2、またはd線における屈折率はおよそ1.46であるSiO2などを材料に含む層を少なくとも一層以上有することにより反射防止コーティングの効果を高め、透過率を向上させることができる。
第10実施形態の撮像光学系は、前記反射防止コーティングが、すべての面において層数が5層以下であることを特徴とする。
バンドパスフィルターを用いて特定の狭い波長範囲のみ透過率を高めればよいので、コートの層数を増やす必要はない。すべての空気界面における反射防止コーティングの層数を5層以下とすることにより、層数の少ない安価なコートとなり、低コスト化が達成できる。
なお、より低コスト化を達成するためには、層数が、3層以下であることが好ましい。
第11実施形態の撮像光学系は、波長Nが780nmより長いことを特徴とする。
人間の目が感じることのできる波長は、400nmから750nmであり、特定の波長を投光し、その散乱光を受光するためには、人間の目が感じることのできない波長を使用することが好ましい。
なお、波長Nは800nmより長いことがより好ましく、830nmより長いことが更に好ましく、850nmより長いことが更に好ましい。
第12実施形態の撮像光学系は、少なくとも1枚の樹脂レンズLpを有することを特徴とする。
樹脂レンズを用いることにより撮像光学系の軽量化と低コスト化が達成できる。
また、前記樹脂レンズLpには非球面を有することが好ましい。樹脂レンズLpに非球面を用いることにより、低コスト化を実現しながら、収差補正が効果的に達成でき、高性能化も同時に達成される。
前記樹脂レンズLpに非球面を使用する場合、近軸的な屈折力を弱める形状の非球面であることが収差補正上好ましい。
第13実施形態の撮像光学系は、前記樹脂レンズLpが、以下の条件式を満足することを特徴とする。
1.5 < |fLp|/f < 2000.0 ・・・・・・・・・・・(9)
但し、
fLp: 前記樹脂レンズLpの波長Nnmにおける焦点距離
f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
(樹脂レンズLpが複数ある場合は、最も屈折力が大きいものをfLpとする)
上記条件式(9)は、前記樹脂レンズLpの波長Nnmにおける焦点距離を規定するための式である。樹脂レンズの場合、温度変化に対する光学特性の変化が大きいため、前記樹脂レンズLpはあまり大きな屈折力を有さない方が良い。
条件式(9)を満足することにより、温度変化に対する光学特性の変化を小さくしながら、少ないレンズ枚数で光学性能の向上を図ることができる。
条件式(9)の下限を割ると、前記樹脂レンズLpの屈折力が大きくなり過ぎて、温度変化に対する光学特性の変化が大きくなるため好ましくない。
また、条件式(9)の上限を超えると、前記樹脂レンズLpの屈折力が小さ過ぎるため、収差補正の効果が薄くなり、少ないレンズ枚数で構成できなくなるためコストの点で好ましくない。
なお、条件式(9)の下限は1.7であるとより好ましく、1.9であると更に好ましく、2.1であると更に好ましく、2.4であると更に好ましく、2.8であると更に好ましい。
また、条件式(9)の上限は1000.0であると好ましく、500.0であると更に好ましく、200.0であると更に好ましく、100.0であると更に好ましく、50.0であると更に好ましく、20.0であると更に好ましく、10.0であると更に好ましく、8.0であると更に好ましい。
なお、正の屈折力と負の屈折力のおのおの1枚ずつの樹脂レンズを有すると、両樹脂レンズにより温度変化による光学特性変化の打ち消し合いが起きて撮像光学系の光学特性変化を小さくでき、好ましい。
第14実施形態の撮像装置は、前記撮像光学系の像側に前記撮像光学系によって形成された光学像を電気的信号に変換する撮像素子を備える。ここで、前記撮像素子は特にその構成が限定されるものではなく、CCDセンサやCMOSセンサなどの固体撮像素子が例示される。
また、本発明の撮像装置は、前記撮像素子で撮影した画像データを電気的に加工してその形状を変化させる画像処理過程を有することがより好ましい。レンズを含む光学系の小型化をする場合、像形状のゆがみすなわち歪曲収差が問題となる。その際前記画像処理過程において像形状のゆがみを補正すべきデータを保持しておき、前記画像処理過程においてその補正すべきデータを補正処理することは、ゆがみのない像の形成とともに撮像光学系の小型化が達成することができ、好ましい。
さらに、本発明の撮像装置の撮像光学系は、前記画像処理過程において形状を補正されるべきデータによる像面が歪曲している。該歪曲した像面を平面化する補正をすることにより、最も像側に配置されたレンズの負の屈折力を強くすることができ、最も像側のレンズの小型化が達成されるため好ましい。
さらに、本発明の撮像装置において、前記画像処理過程によって補正すべきデータが倍率色収差を有する。前記画像処理過程によって倍率色収差すなわち色の歪曲収差を補正することは、光学収差補正の補正対象が減ることであり、レンズ枚数の削減につながり、撮像光学系の小型化が達成されるため好ましい。
(第1実施例)
図4は、本件発明に係る第1実施例の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。実施例1の撮像光学系は、波長Nが905nmの光線を使用し、物体側から順に、両凸形状の第1レンズL1と、正の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状で両面に非球面を有する第2レンズL2と、負の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状の第3レンズL3と、正の屈折力を有し物体側凹のメニスカス形状の第4レンズL4と、正の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状の第5レンズL5と、負の屈折力を有し物体側凹のメニスカス形状の第6レンズL6とから構成されている。最も物体側のレンズL1の物体側にバンドパスフィルターBPFが配置されている。開口絞りSは最も物体側のバンドパスフィルターBPFの像側に配置されている。
バンドパスフィルターBPFは、波長Nが905nmの光線について、入射角0°における透過率1%以上の波長範囲が884nmから936nmであり、最大透過率の半分の透過率範囲、すなわち半値幅は890nmから927nmである。
第2レンズL2と第4レンズL4は、樹脂レンズである。
すべてのレンズのレンズ面には、反射防止コートがなされている。第5レンズL5の物体側面には、波長N±100nmの波長範囲の中で最も反射率が小さくなる波長がN±50nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされている。
さらに、第5レンズL5の物体側面の前記反射防止コートの空気界面には、MgF2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で5層である。樹脂レンズである第2レンズL2と第4レンズL4の反射防止コートの空気界面には、SiO2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で3層である。
また、実施例1の撮像光学系において、バンドパスフィルターBPFを最も物体側に配置しているが、これに換えて平行平板が基盤であるバンドパスフィルターBPFを第4レンズL4と第5レンズL5の間に配置してもよく、その場合のCmaxは、24.953度である。
図4において、IMGは結像面を示す。IMGは、具体的にはCCDセンサ、CMOSセンサ等の固体撮像素子の撮像面に一致する。また、結像面IMGの物体側には、カバーガラスCG等の実質的な屈折力を有さない平行平板を備える。これらの点は、他の実施例で示す各レンズ断面図においても同様であるため、以下では説明を省略する。
次に、第1実施例の撮像光学系の具体的数値を適用した数値実施例について説明する。 表1は、当該撮像光学系の諸元表である。当該諸元表には、当該撮像光学系の波長905nmにおける焦点距離「f」、Fナンバー「Fno.」、半画角「ω」、像高「Y」、光学全長「TL」を示す。
(表1)
f 30.658
Fno 1.095
ω 12.000
Y 6.492
TL 49.917
表2は、第1実施例の撮像光学系の面データである。表2において、「面番号」は物体側から数えたレンズ面の順番、「r」はレンズ面の曲率半径、「d」はレンズ面の光軸上の間隔、「Nd」はd線(波長λ=587.6nm)に対する屈折率、「νd」はd線に対するアッベ数、「H」は有効半径を示している。また、面番号の次の欄に表示する「ASP」は当該レンズ面が非球面であることを表し、「S」は開口絞りを表している。なお、各表中の長さの単位は全て「mm」であり、角度の単位は全て「°」である。また、曲率半径の「0」は平面を意味する。なお、表2における第1面及び第2面はバンドパスフィルターBPFであり、第15面及び第16面はカバーガラスCGの面データである。
(表2)
面番号 r d Nd νd H
1 0.0000 1.100 1.50892 64.20 14.153
2 STOP 0.0000 0.200 14.000
3 30.7024 7.000 1.97213 29.13 14.858
4 -808.7238 0.200 14.348
5 ASP 32.5340 5.908 1.63641 20.37 13.770
6 ASP 40.7623 0.880 12.975
7 114.1620 1.700 1.55932 56.04 12.234
8 14.3799 10.423 10.342
9 ASP -11.3293 4.904 1.63641 20.37 10.321
10 ASP -13.0587 0.200 11.932
11 19.0455 7.900 1.92859 32.32 11.916
12 88.7164 2.862 10.357
13 -50.7286 1.600 1.55932 56.04 9.484
14 -400.0008 4.101 8.823
15 0.0000 0.400 1.50892 64.17 6.838
16 0.0000 0.539 6.720
表3は、各非球面の非球面係数である。当該非球面係数は、各非球面形状を下記式で定義したときの値である。
X(Y)=CY2/[1+{1-(1+Κ)・C221/2]+A4・Y4+A6・Y6+A8・Y8+A10・Y10+A12・Y12
但し、表3において、「E-a」は「×10-a」を示す。また、上記式において、「X」は光軸方向の基準面からの変位量、「C」は面頂点での曲率、「Y」は光軸に垂直な方向の光軸からの高さ、「Κ」はコーニック係数、「An」はn次の非球面係数とする。
これらの表に関する事項は他の実施例で示す各表においても同様であるため、以下では説明を省略する。
(表3)
5 6 9 10
Κ 1.2351 -6.2405 -1.9119 -0.8763
A4 -3.5693E-05 -5.4180E-05 -1.1207E-04 -7.0156E-06
A6 -1.8233E-07 -2.5994E-07 4.0654E-07 1.0549E-07
A8 7.7233E-10 2.2271E-09 -6.2718E-09 -2.4940E-09
A10 -3.4714E-12 -8.1079E-12 8.5243E-11 2.5602E-11
A12 7.3369E-15 1.3452E-14 -4.4259E-13 -9.6409E-14
表4は、各レンズの波長905nmにおける焦点距離である。
(表4)
レンズ 面番号 焦点距離
L1 3-4 30.553
L2 5-6 197.965
L3 7-8 -29.595
L4 9-1 1307.890
L5 11-12 24.765
L6 13-14 -104.040
図5は、第1実施例の撮像光学系の縦収差図を示す。各図に示す縦収差図は、図面に向かって左側から順に、球面収差(mm)、非点収差(mm)、歪曲収差(%)である。
球面収差を表す図では、縦軸は開放F値との割合、横軸にデフォーカスをとり、波長λ=905nmにおける球面収差を示す。
非点収差を表す図では、縦軸は像高、横軸にデフォーカスをとり、実線が波長λ=905nmにおけるサジタル像面(ds)、点線が波長λ=905nmにおけるメリジオナル像面(dm)を示す。
歪曲収差を表す図では、縦軸は像高、横軸に%をとり、波長λ=905nmにおける歪曲収差を表す。これらの縦収差図に関する事項は、他の実施例で示す縦収差図においても同様であるため、以下では説明を省略する。
また、第1実施例の撮像光学系の波長λ=905nmにおけるバックフォーカス「fb」は以下のとおりである。但し、以下の値は、カバーガラス(Nd=1.50892)を含まない値であり、他の実施例に示すバックフォーカスも同様である。
fb= 4.9049(mm)
第1実施例の条件式(1)~条件式(9)の値を表17に示す。
(第2実施例)
図6は、第2実施例の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。第2実施例の撮像光学系は、物体側から順に、両凸形状の第1レンズL1と、正の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状で両面に非球面を有する第2レンズL2と、負の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状の第3レンズL3と、負の屈折力を有し物体側凹のメニスカス形状の第4レンズL4と、両凸形状の第5レンズL5とから構成されている。最も物体側のレンズL1の物体側にバンドパスフィルターBPFが配置されている。開口絞りSは最も物体側のバンドパスフィルターBPFの像側に配置されている。
バンドパスフィルターBPFは、波長Nが905nmの光線について、入射角0°における透過率1%以上の波長範囲が884nmから936nmであり、最大透過率の半分の透過率範囲、すなわち半値幅は890nmから927nmである。
第2レンズL2と第4レンズL4は、樹脂レンズである。
すべてのレンズのレンズ面には、反射防止コートがなされている。第5レンズL5の物体側面には、波長N±100nmの波長範囲の中で最も反射率が小さくなる波長がN±50nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされている。
また、第5レンズL5の物体側面の前記反射防止コートの空気界面にはMgF2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で5層である。樹脂レンズである第2レンズL2及び第4レンズL4の反射防止コートの空気界面にはSiO2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で3層である。
さらに、第2実施例の撮像光学系において、最も物体側にバンドパスフィルターBPFを配置しているが、これに換えて第4レンズL4と第5レンズL5の間に平行平板が基盤であるバンドパスフィルターBPFを配置してもよく、その場合のCmaxは、23.412度である。
次に、第2実施例の撮像光学系の具体的数値を適用した数値実施例について説明する。表5は、第2実施例の撮像光学系の諸元表である。
(表5)
f 30.869
Fno 1.200
ω 12.000
Y 6.561
TL 49.441
表6は、第2実施例の撮像光学系の面データである。なお、表6における第1面及び第2面はバンドパスフィルターBPFであり、第13面及び第14面はカバーガラスCGの面データである。
(表6)
面番号 r d Nd νd H
1 0.0000 1.100 1.50892 64.20 13.015
2 STOP 0.0000 0.200 12.862
3 30.4662 6.000 1.97213 29.13 13.584
4 -240.7561 0.100 13.238
5 ASP 38.3859 6.010 1.63641 20.37 12.735
6 ASP 95.0197 1.000 11.974
7 -73.0253 1.770 1.50892 64.20 11.588
8 12.3119 8.922 9.600
9 ASP -12.2585 4.550 1.63641 20.37 9.645
10 ASP -15.6370 0.200 11.678
11 33.2385 6.300 1.97213 29.13 13.585
12 -63.7223 12.207 13.384
13 0.0000 0.500 1.50892 64.17 6.962
14 0.0000 0.582 6.815
表7は、各非球面の非球面係数である。
(表7)
5 6 9 10
Κ 6.4527 55.5248 -1.2127 -0.6032
A4 -4.1920E-05 -7.1713E-05 -5.7922E-05 -1.3478E-05
A6 -2.2301E-07 -1.3274E-07 9.9430E-07 1.1139E-06
A8 7.1955E-10 1.2655E-09 1.7388E-09 -1.1537E-08
A10 -2.2983E-12 -7.2254E-12 -2.3641E-10 4.6508E-11
A12 -1.0660E-14 1.6334E-15 1.2423E-12 -8.8969E-14
表8は、各レンズの波長905nmにおける焦点距離である。
(表8)
レンズ 面番号 焦点距離
L1 3-4 28.126
L2 5-6 97.187
L3 7-8 -20.558
L4 9-10 -187.190
L5 11-12 23.214
図7は、第2実施例の撮像光学系の縦収差図を示す。
また、当該撮像光学系の波長λ=905nmにおけるバックフォーカス「fb」は以下のとおりである。
fb= 13.1201(mm)
第2実施例の各条件式(1)~条件式(9)の値を表17に示す。
(第3実施例)
図8は、第3実施例3の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。第3実施例の撮像光学系は、物体側から順に、両凸形状の第1レンズL1と、正の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状で両面に非球面を有する第2レンズL2と、負の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状の第3レンズL3と、負の屈折力を有し物体側凹のメニスカス形状の第4レンズL4と、両凸形状の第5レンズL5とから構成されている。最も物体側のレンズL1の物体側にバンドパスフィルターBPFが配置されている。開口絞りSは最も物体側のバンドパスフィルターBPFの像側に配置されている。
バンドパスフィルターBPFは、波長Nが905nmの光線について、入射角0°における透過率1%以上の波長範囲が884nmから936nmであり、最大透過率の半分の透過率範囲、すなわち半値幅は890nmから927nmである。
第2レンズL2と第4レンズL4は、樹脂レンズである。
すべてのレンズのレンズ面には、反射防止コートがなされていて、第5レンズL5の物体側面には、波長N±100nmの波長範囲の中で最も反射率が小さくなる波長がN±50nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされている。
また、第5レンズL5の物体側面の前記反射防止コートの空気界面にはMgF2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で5層である。樹脂レンズである第2レンズL2と第4レンズL4の反射防止コートの空気界面にはSiO2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で3層である。
さらに、最も物体側にバンドパスフィルターBPFが配置されているが、これに換えて第4レンズL4及び第5レンズL5の間に平行平板が基盤であるバンドパスフィルターBPFを配置してもよく、その場合のCmaxは、22.434度である。
次に、第3実施例の撮像光学系の具体的数値を適用した数値実施例について説明する。
表9は、第3実施例の撮像光学系の諸元表である。
(表9)
f 30.117
Fno 1.205
ω 12.000
Y 6.402
TL 49.634
表10に当該撮像光学系の面データを示す。なお、表10における第1面及び第2面はバンドパスフィルターBPFであり、第13面及び第14面はカバーガラスCGの面データである。
(表10)
面番号 r d Nd νd H
1 0.0000 1.100 1.50892 64.20 12.653
2 STOP 0.0000 0.200 12.500
3 32.9134 6.000 1.97213 29.13 13.123
4 -251.5358 0.010 12.794
5 ASP 42.4007 6.010 1.63641 20.37 12.484
6 ASP 72.4349 1.000 11.761
7 -83.8728 1.770 1.50892 64.20 11.408
8 18.9014 9.359 10.153
9 ASP -8.9611 4.550 1.63641 20.37 10.108
10 ASP -12.2658 0.200 11.264
11 27.2871 6.300 1.97213 29.13 12.772
12 -136.7202 12.207 12.363
13 0.0000 0.500 1.50892 64.17 6.726
14 0.0000 0.429 6.587
表11は、各非球面の非球面係数である。
(表11)
5 6 9 10
Κ 8.9071 29.6816 -0.8880 -0.1389
A4 -4.7241E-05 -9.2351E-05 -7.0871E-05 4.0736E-05
A6 -1.5948E-07 -1.6631E-07 6.0194E-07 7.0414E-07
A8 2.8786E-10 1.3382E-09 1.4888E-08 1.6059E-09
A10 -2.9428E-12 -7.7403E-12 -3.0849E-11 2.2175E-11
A12 -3.4823E-15 3.1449E-14 -3.0183E-13 -8.5723E-14
表12は、各レンズの波長905nmにおける焦点距離である。
(表12)
レンズ 面番号 焦点距離
L1 3-4 30.254
L2 5-6 149.080
L3 7-8 -30.135
L4 9-10 -112.507
L5 11-12 23.851
図9は、第3実施例の撮像光学系の縦収差図を示す。
また、当該撮像光学系の波長λ=905nmにおけるバックフォーカス「fb」は以下のとおりである。
fb= 12.9669(mm)
第3実施例の各条件式(1)~条件式(9)の値を表17に示す。
(第4実施例)
図10は、第4実施例の撮像光学系のレンズ構成を示すレンズ断面図である。第2実施例の撮像光学系は、物体側から順に、両凸形状の第1レンズL1と、正の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状で両面に非球面を有する第2レンズL2と、負の屈折力を有し物体側凸のメニスカス形状の第3レンズL3と、負の屈折力を有し物体側凹のメニスカス形状の第4レンズL4と、両凸形状の第5レンズL5とから構成されている。最も物体側のレンズL1の物体側にバンドパスフィルターBPFが配置されている。開口絞りSは最も物体側のバンドパスフィルターBPFの像側に配置されている。
バンドパスフィルターBPFは、波長Nが905nmの光線について、入射角0°における透過率1%以上の波長範囲が884nmから936nmであり、最大透過率の半分の透過率範囲、すなわち半値幅は890nmから927nmである。
第2レンズL2と第4レンズL4は、樹脂レンズである。
すべてのレンズのレンズ面には反射防止コートがなされている。第5レンズL5の物体側面には、波長N±100nmの波長範囲の中で最も反射率が小さくなる波長がN±50nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされている。
また、第5レンズL5の物体側面の前記反射防止コートの空気界面にはMgF2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で5層である。樹脂レンズである第2レンズL2及び第4レンズL4の反射防止コートの空気界面にはSiO2を材料に含む層が設けられ、層数は全部で3層である。
さらに、第4実施例の撮像光学系において、最も物体側にバンドパスフィルターBPFが配置されているが、これに換えて第4レンズL4と第5レンズL5の間に平行平板が基盤であるバンドパスフィルターBPFを配置してもよく、その場合のCmaxは、19.448度である。
次に、第4実施例の撮像光学系の具体的数値を適用した数値実施例について説明する。 表13は、第4実施例の撮像光学系の諸元表である。
(表13)
f 30.049
Fno 1.200
ω 10.000
Y 5.297
TL 49.654
表14は、第4実施例の撮像光学系の面データを示す。なお、表14における第1面及び第2面はバンドパスフィルターBPFであり、第13面及び第14面はカバーガラスCGの面データである。
(表14)
面番号 r d Nd νd H
1 0.0000 1.100 1.50892 64.20 12.627
2 STOP 0.0000 0.200 12.500
3 32.7400 6.000 1.97213 29.13 13.011
4 -234.0000 0.149 12.637
5 ASP 41.2130 6.010 1.63641 20.37 12.220
6 ASP 82.1802 1.000 11.434
7 -69.8000 1.770 1.50892 64.20 11.108
8 16.5500 9.126 9.676
9 ASP -8.8021 4.550 1.63641 20.37 9.644
10 ASP -11.4366 0.200 10.780
11 24.8000 6.300 1.97213 29.13 11.675
12 -800.0000 12.207 11.021
13 0.0000 0.500 1.50892 64.17 5.705
14 0.0000 0.542 5.568
表15は、各非球面の非球面係数である。
(表15)
5 6 9 10
Κ 8.2203 37.8603 -0.9723 -0.1843
A4 -4.8824E-05 -9.0205E-05 -6.8785E-05 3.7490E-05
A6 -1.5712E-07 -1.3562E-07 5.2603E-07 9.9278E-07
A8 3.8830E-10 1.4792E-09 1.3172E-08 -1.3622E-09
A10 -2.8759E-12 -7.3932E-12 -4.6550E-11 1.0841E-11
A12 -5.8433E-15 2.1091E-14 -3.4978E-14 1.1639E-13
表16は、各レンズの波長905nmにおける焦点距離である。
(表16)
レンズ 面番号 焦点距離
L1 3-4 29.876
L2 5-6 122.894
L3 7-8 -26.107
L4 9-10 -182.876
L5 11-12 24.838
図11は、第4実施例の撮像光学系の縦収差図を示す。
また、第4実施例の撮像光学系の波長λ=905nmにおけるバックフォーカス「fb」は以下のとおりである。
fb= 13.0803(mm)
第4実施例の各条件式(1)~条件式(9)の値を表17に示す。
第1実施例~第4実施例の各条件式(1)~条件式(9)の値を表17に示す。
(表17)
第1実施例 第2実施例 第3実施例 第4実施例
条件式(1) 1/tan(|Amin|) 1.139 1.245 0.787 0.727
条件式(2) Y/f 0.212 0.213 0.213 0.176
条件式(3) 1/tan(|Bmax|) 0.837 0.730 0.754 0.899
条件式(4) 1/tan(|Cmax|) 4.706 4.706 4.706 5.674
条件式(5) tan(D) 0.005 -0.003 -0.004 0.001
条件式(6) fn/f -0.839 -0.784 -0.765 -0.813
条件式(7) (Crpf+Crpr)/(Crpf-Crpr) 0.119 0.002 0.357 0.271
条件式(8) CrLf/f 1.001 0.987 1.093 1.090
条件式(9) |fLp|/f 6.457 3.148 3.736 5.015
|Amin| 41.272 38.765 51.810 53.986
Y 6.492 6.561 6.402 5.297
f 30.658 30.869 30.117 30.049
|Bmax| 50.067 53.886 52.970 48.049
|Cmax| 11.996 11.996 11.996 9.996
D 0.309 -0.200 -0.252 0.059
fn -25.710 -24.192 -23.042 -24.424
Crpf 14.380 12.312 18.901 16.561
Crpr -11.329 -12.258 -8.961 -9.499
CrLf 30.702 30.466 32.913 32.761
fLp 197.965 97.187 -112.507 150.704
(実施例の撮像装置)
実施例の撮像装置100は、図12に示すように、本発明の撮像光学系102と、撮影光学系102の結像面IMGに配置された固体撮像素子104とを有する。固体撮像素子104は、カバーガラスCGを有する。撮像光学系102によって形成された結像は、固体撮像素子104を介して撮像信号に変換される。該撮像信号は、液晶モニタ(図示せず)に送られて画像表示される。
BPF バンドパスフィルター
IMG 結像面
CG カバーガラス
S 開口絞り
L1 第1レンズ
L2 第2レンズ
L3 第3レンズ
L4 第4レンズ
L5 第5レンズ
L6 第6レンズ
102 撮像光学系
104 固体撮像素子

Claims (13)

  1. 波長N±50nmの波長範囲以内でのみに使用される撮像光学系において、
    前記撮像光学系は波長N±50nmの波長範囲以内のみを透過するバンドパスフィルターを有し、
    前記撮像光学系に含まれるレンズの空気界面の少なくとも1面には、波長N±200nmの波長範囲の中で入射角が0度における反射率が最も小さくなる波長がN±100nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされ、さらに
    前記撮像光学系は両凸形状の空気レンズを少なくとも1つ有し、
    以下の条件式を満足していることを特徴とする撮像光学系。
    0.10<1/tan(|Amin|)<1.35 ・ ・ ・ ・ ・・(1)
    0.10 < Y/f < 1.75 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・・(2)
    -0.09 < tan(D) < 0.27 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・(5)
    -0.80 < (Crpf+Crpr)/(Crpf-Crpr) < 0.70 ・・・・・(7)
    但し、
    Amin : 前記撮像光学系に含まれるすべてのレンズ面におけるレンズ面の接線と光軸
    のなす角度の最小値
    Y : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける最大像高
    f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
    Crpf : 前記両凸形状の空気レンズの物体側面の曲率半径
    Crpr : 前記両凸形状の空気レンズの像側面の曲率半径
    D : 前記撮像光学系の最も像側の面から射出され像面に入射する波長Nnmにお ける最軸外光線の主光線と光軸と平行な線がなすメリジオナル断面上の角度
  2. 波長N±50nmの波長範囲以内でのみに使用される撮像光学系において、
    前記撮像光学系は波長N±50nmの波長範囲以内のみを透過するバンドパスフィルターを有し、
    前記撮像光学系に含まれるレンズの空気界面の少なくとも1面には、波長N±200nmの波長範囲の中で入射角が0度における反射率が最も小さくなる波長がN±100nmの範囲に存在する反射防止コーティングがなされ、さらに
    前記撮像光学系は両凸形状の空気レンズを少なくとも1つ有し、
    以下の条件式を満足していることを特徴とする撮像光学系。
    0.10<1/tan(|Amin|)<1.139 ・ ・ ・ ・ ・・(1)
    0.10 < Y/f < 1.75 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・・(2)
    -0.80 < (Crpf+Crpr)/(Crpf-Crpr) < 0.70 ・・・・・(7)
    但し、
    Amin : 前記撮像光学系に含まれるすべてのレンズ面におけるレンズ面の接線と光軸
    のなす角度の最小値
    Y : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける最大像高
    f : 前記撮像光学系の波長Nnmにおける焦点距離
    Crpf : 前記両凸形状の空気レンズの物体側面の曲率半径
    Crpr : 前記両凸形状の空気レンズの像側面の曲率半径
  3. 以下の条件式を満足することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像光学系。
    0.50 < 1/tan(|Bmax|) < 4.00・ ・ ・ ・ (3)
    但し、
    Bmax : 前記撮像光学系に含まれるすべてのレンズ面におけるレンズ面の法線と入射
    光線のなす角度の最大値
  4. 以下の条件式を満足することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の撮像光学系。
    1.90 < 1/tan(|Cmax|) < 20.00・ ・ ・ ・(4)
    但し、
    Cmax : 前記バンドパスフィルター面の法線と前記バンドパスフィルターに入射する
    光線のなす角度の最大値
  5. 前記撮像光学系は負の屈折力を有する面を少なくとも1面有し、以下の条件式を満足することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の撮像光学系。
    -6.00 < fn / f < -0.05・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (6)
    但し、
    fn : 前記撮像光学系のすべての面の中で最も負の屈折力の大きい面の波長Nnmにお
    ける焦点距離
  6. 前記撮像光学系は最も物体側に物体側凸面を有するレンズLfを有し、以下の条件式を満足することを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の撮像光学系。
    0.15 < CrLf / f ・・ ・ ・・・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (8)
    但し、
    CrLf : 前記レンズLfの物体側凸面の曲率半径
  7. 前記反射防止コーティングは、MgFを材料に含む層を少なくとも1層以上有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の撮像光学系。
  8. 前記反射防止コーティングは、SiOを材料に含む層を少なくとも1層以上有することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の撮像光学系。
  9. 前記反射防止コーティングは、すべての面において層数が5層以下であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の撮像光学系。
  10. 波長Nは、780nmより長いことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の撮像光学系。
  11. 前記撮像光学系は、少なくとも1枚の樹脂レンズLpを有することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の撮像光学系。
  12. 前記樹脂レンズLpが、以下の条件式を満足することを特徴とする請求項11に記載の撮像光学系。
    1.5 < |fLp| / f < 2000.0 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (9)
    但し、
    fLp : 前記樹脂レンズLpの波長Nnmにおける焦点距離
    (樹脂レンズLpが複数ある場合は、最も屈折力が大きいものをfLpとする)
  13. 請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の撮像光学系と、前記撮像光学系の像側に配置され、該撮像光学系によって形成された光学像を電気的信号に変換する撮像素子とを備えたことを特徴とする撮像装置。
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