JP7176417B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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12:活性領域
14:周辺領域
20:炭化珪素半導体層
38:ゲート配線
42:層間絶縁膜
52:第1コンタクトホール
54:第2コンタクトホール
Claims (1)
- 炭化珪素半導体層の一方の主面上に設けられているポリシリコンのゲート配線を含んで前記炭化珪素半導体層の前記一方の主面上を覆う層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜に第1コンタクトホールと複数の第2コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程であって、前記第1コンタクトホールが前記炭化珪素半導体層の前記一方の主面に形成されている半導体領域に連通しており、複数の前記第2コンタクトホールが前記ゲート配線に連通している、コンタクトホール形成工程と、
前記第1コンタクトホールに露出する前記炭化珪素半導体層の表面上、及び、複数の前記第2コンタクトホールに露出する前記ゲート配線の表面上にニッケル膜を成膜する成膜工程と、
熱処理技術を利用して、前記ニッケル膜をシリサイド化するシリサイド化工程と、を備えており、
複数の前記第2コンタクトホールの各々のアスペクト比が、前記第1コンタクトホールのアスペクト比よりも高く、
隣り合う前記第2コンタクトホール間の最大距離が、前記第2コンタクトホールの開口幅の3倍以下である、炭化珪素半導体装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001297998A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004288890A (ja) | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体素子 |
WO2010125661A1 (ja) | 2009-04-30 | 2010-11-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012069849A (ja) | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013058603A (ja) | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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JP2001297998A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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JP2012069849A (ja) | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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