JP7174956B2 - キャパシタ用電極材料 - Google Patents
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Description
本発明の他の目的は、前記BDNDを含む電極を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記電極を備えたセンサーを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記電極を備えた蓄電デバイスを提供することにある。
また、本発明のBDNDを含む電極は高感度であり、且つ質量当たりの電気二重層容量が大きい。すなわち、静電容量が大きい。また、広い電位窓を有する。そのため、前記電極は、電気化学センサーや蓄電デバイス用電極として有用である。
本発明のBDNDは、比表面積が110m2/g以上であり、且つ20℃における電気伝導度が5.0×10-3S/cm以上であることを特徴とする。
成形された爆薬に電気雷管が装着されたものを爆轟用の耐圧性容器の内部に設置し、容器内において大気組成の常圧の気体と使用爆薬とが共存する状態で、容器を密閉する。容器は例えば鉄製で、容器の容積は例えば0.5~40m3である。爆薬としては、トリニトロトルエン(TNT)とシクロトリメチレントリニトロアミンすなわちヘキソーゲン(RDX)との混合物を使用することができる。TNTとRDXの質量比(TNT/RDX)は、例えば40/60~60/40の範囲である。
酸化処理工程は、酸化剤を用いてND粗生成物からグラファイトを除去する工程である。爆轟法で得られるND粗生成物にはグラファイト(黒鉛)が含まれるが、このグラファイトは、使用爆薬が部分的に不完全燃焼を起こして遊離した炭素のうちND結晶を形成しなかった炭素に由来する。ND粗生成物に、水溶媒中で所定の酸化剤を作用させることにより、ND粗生成物からグラファイトを除去することができる。また、酸化剤を作用させることにより、ND表面にカルボキシル基や水酸基などの酸素含有基を導入することができる。
本方法では、次に、乾燥工程を設けることが好ましく、例えば、上記工程を経て得られたND含有溶液から噴霧乾燥装置やエバポレーター等を使用して液分を蒸発させた後、これによって生じる残留固形分を乾燥用オーブン内での加熱乾燥によって乾燥させる。加熱乾燥温度は、例えば40~150℃である。このような乾燥工程を経ることにより、ND粒子が得られる。
本発明の電極は、例えば導電性粒子として、上記BDNDを含む。上記BDNDは広い電位窓を有し、ダイヤモンド由来の高い物理的安定性及び化学的安定性、並びに優れた導電性を有する。また、比表面積が大きい。そのため、当該BDNDを含む電極は高い静電容量を有する。
本発明の蓄電デバイスは、上記BDND電極を備えることを特徴とする。蓄電デバイスには、電気二重層キャパシタやハイブリッドキャパシタ(特に、リチウムイオンキャパシタ)等が含まれる。
本発明のセンサーは、上記BDNDを含む電極(以後、「BDND電極」と称する場合がある)を備えることを特徴とする。本発明の、BDND電極を備えたセンサーは更に、例えば、BDND電極の電位を制御する電圧制御手段と、前記電極に流れる電流値の変化を計測する電流計測手段とを備えることが好ましい。
(生成工程)
まず、成形された爆薬に電気雷管が装着されたものを爆轟用の耐圧性容器(鉄製容器、容積:15m3)の内部に設置して容器を密閉した。爆薬としては、TNTとRDXとの混合物(TNT/RDX(質量比)=50/50)0.50kgを使用した。次に、電気雷管を起爆させ、容器内で爆薬を爆轟させた。次に、室温で24時間静置して、容器およびその内部を降温させた。この放冷の後、容器の内壁に付着しているND粗生成物(ND粒子の凝着体と煤を含む)をヘラで掻き取る作業を行い、ND粗生成物を回収した。ND粗生成物の回収量は0.025kgであった。
次に、50℃の冷媒を循環させた凝縮器と前記凝縮器に接続されたアルカリトラップとを備えた反応器中において、1atm下、反応器を加熱しつつ、生成工程で得られたND粗生成物(3g)と濃硫酸(80.6g)と炭酸銅(触媒量)とを反応器に仕込んだ。
そこへ、発煙硝酸(20.4g、前記濃硫酸と硝酸の割合が80/20(前者/後者;質量比)となる量)を滴下した。反応の進行に伴って蒸発した硝酸、及び生成したH2Oは凝縮器で凝縮して反応器内に戻した。一方、NO、NO2、CO、及びCO2は凝縮器に接続されたアルカリトラップで捕集した。このとき、反応温度は150℃であった。
反応開始から48時間経過後、反応器の加熱を停止し、反応器内を室温まで冷却した。冷却後、デカンテーションにより、固形分(ND凝着体を含む)の水洗を行った。水洗当初の上澄み液は着色しているところ、上澄み液が目視で透明になるまで、デカンテーションによる当該固形分の水洗を反復して行った。
次に、ビーズミル(商品名「ウルトラアペックスミルUAM-015」、寿工業(株)製)を使用して、前工程を経て得られたスラリー300mLを解砕処理に付した。本処理では、解砕メディアとしてジルコニアビーズ(直径0.03mm)を使用し、ミル容器内に充填されるビーズの量はミル容器の容積に対して60%とし.ミル容器内で回転するローターピンの周速は10m/sとした。また、装置を循環させるスラリーの流速を10L/hとして90分間の解砕処理を行った。
次に、上述の解砕工程を経たNDを含有する溶液から、遠心力の作用を利用した分級操作によって粗大粒子を除去した(遠心分離処理)。本工程の遠心分離処理において、遠心力は20000×gとし、遠心時間は10分とした。これにより、黒色透明のND水分散液(1)を得た。
次に、遠心分離工程で得られたND水分散液(1)からエバポレーターを使用して液分を蒸発させた後、残留固形分を乾燥用オーブンを使用して120℃で加熱して乾燥させた。
得られたND(1)を基材として、MPCVD法により、下記条件下でホウ素をドープした。原料溶液として、炭素源としてのアセトン/メタノール混合溶液(9:1,v/v)に、トリメトキシボランを、炭素原子に対するホウ素原子濃度が20000ppmとなる割合で添加したものを使用したこれにより、BDND(1)を得た。
<MPCVD条件>
マイクロ波出力:1300W
圧力:50Torr
水素ガス流量:400sccm
成長時間:8h
BDND(1)を、空気雰囲気下、425℃で8時間の加熱処理に付して、BDND(2)を得た。
基材をND(1)から、ダイヤモンド粒子(DP(1)~(3))に変更した以外は実施例1のBDND(1)と同様にしてホウ素ドープダイヤモンド粒子(BDDP(1)~(3))を得た。
得られたBDND(1)、(2)、及びBDDP(1)~(3)について、粒子径(メディアン径:D50)を動的光散乱法によって測定した。図1にBDND(1)、(2)の粒子径測定結果を示す。
また、BET比表面積を窒素吸着法により測定した。
また、20℃において、内径1mmのガラスキャピラリーにBDND(1)を充填し、両端の直流抵抗から電気伝導度を算出した。
また、ND(1)、BDND(1)、(2)のUVラマンスペクトル(光源波長:325nm)測定結果より、BDND(1)、(2)では、sp2炭素由来のDバンドおよびGバンドが顕著に観察された(図2、3)。
更に、BDND(2)は、X線回折ではダイヤモンド結晶の回折パターンが観測され、ダイヤモンドが含まれていることが確かめられた。
更にまた、BDND(2)のTEM観察の結果、ダイヤモンド格子面のほかにグラファイト状積層構造が観察された(図4)。
また、BDND(2)の元素分析をICP-AES法により行った結果、620mg/kgのホウ素が含まれていることがわかった。
以上の結果より、本発明のBDNDはナノダイヤモンド粒子の表面にホウ素を含むsp2炭素層が堆積された構造を有する複合体であることが示唆された。
得られたBDND(1)10mgを0.5mLの30質量%エタノールに分散させて、BDNDインクを調製した。
集電体であるガラス状炭素電極上にBDNDインク20μLをキャストし、乾燥させた後、5質量%ナフィオン(疎水性テフロン(登録商標)骨格に、スルホン酸基を持つパーフルオロ側鎖が結合した構成を有するパーフルオロカーボン)10μLを最表面にキャストし、被覆することでBDND電極(1)を得た。
BDND(1)に代えてBDND(2)を使用した以外は実施例2と同様にしてBDND電極(2)を得た。
BDND(1)に代えてBDDP(1)を使用した以外は実施例2と同様にしてBDDP電極(1)を得た。
BDND(1)に代えてBDDP(2)を使用した以外は実施例2と同様にしてBDDP電極(2)を得た。
BDND(1)に代えてBDDP(3)を使用した以外は実施例2と同様の方法でBDDP電極(3)を得た。
BDND(1)に代えて活性炭(AC;比表面積1318m2/g)を使用した以外は実施例2と同様の方法でAC電極を得た。この場合、ACは導電性が低いため、導電助剤としてアセチレンブラック(AB)をAC:AB(質量比)が8:1となるように添加した。
実施例及び比較例で得られた電極の性能を評価した。
[1]電位窓、セル電圧測定
(1-1)BDND電極(2)およびAC電極の、1MのH2SO4中のCV(走査速度:10mV/s)を測定した。対極に白金線、参照極にAg/AgCl電極を用いた3電極系にて実施した。
電位窓はAC電極では1.5V程度であったのに対し、BDND電極(2)では1.9Vであり、広いことがわかった(図5)。
(1-2)超純水100mL中に過剰量の過塩素酸ナトリウム(NaClO4)を加えた後、吸引ろ過を行い、過剰分の過塩素酸ナトリウムを除去することで、飽和NaClO4水溶液を得た。BDND電極(2)の、飽和NaClO4水溶液中でのCV(走査速度:10mV/s)を測定した。対極に白金線、参照極にAg/AgCl電極を用いた3電極系にて実施した。
電位窓は3.1Vであり、として過塩素酸塩水溶液を使用することにより電位窓が広くなることがわかった(図6)。
(1-4)BDND電極(2)を使用した対称2電極セルで、飽和NaClO4水溶液中のCV測定(走査速度:10mV/s)を行ったところ、BDND電極(2)は2.8Vまで電圧印加可能であることがわかった(図8)。また、2.8V以上に印加すると溶媒(水)の電解が起き始めた。
また、水溶液中で大きなセル電圧を印加できる飽和NaClO4水溶液は、高エネルギー密度の水系EDLCを実現するのに適した電解質であることが示唆された。
(2-1)走査速度を変更して、BDND電極(1)、BDND電極(2)、又はAC電極のCV(1MのH2SO4中、対称2電極セル)を測定した結果、BDND電極(1)、BDND電極(2)は、1000mV/sの比較的速い走査速度においても、CV形状のひずみが小さく、良好な応答を示すことがわかった。
これは、ACは粒子内部に発達したミクロ孔を有しており、その大きな比表面積を利用して大きな電気二重層容量を得る電極材料であるが、ミクロ孔内の電解質イオンは移動しにくいため、表面への吸脱着が高速走査時における電位変化に追随できず、容量が低下するが、BDND(1)、(2)はミクロ孔が存在しないため、このような大きな容量低下が起きなかったものと考えられる。
従って、BDND(1)、(2)は省スペースなEDLCデバイスの作製に有用であると考えられる。
[1] 比表面積が110m2/g以上であり、且つ20℃における電気伝導度が5.0×10-3S/cm以上であることを特徴とする、ホウ素ドープナノダイヤモンド。
[2] メディアン径が200nm以下である、[1]に記載のホウ素ドープナノダイヤモンド。
[3] ホウ素含有量が0.1~100mg/gである、[1]又は[2]に記載のホウ素ドープナノダイヤモンド。
[4] 光源波長325nmのラマンスペクトルにおいて、1370~1420cm-1、及び1580~1620cm-1にバンドを有する、[1]~[3]の何れか1つに記載のホウ素ドープナノダイヤモンド。
[5] ナノダイヤモンド粒子の表面に、化学気相成長法(好ましくは、マイクロ波プラズマCVD法)によりホウ素を含有するダイヤモンド層及び/又は炭素層を積層することによって[1]~[4]の何れか1つに記載のホウ素ドープナノダイヤモンドを得る、ホウ素ドープナノダイヤモンドの製造方法。
[6] [1]~[4]の何れか1つに記載のホウ素ドープナノダイヤモンドを含む電極。
[7] 質量当たりの電気二重層容量が3F/g以上である、[6]に記載の電極。
[8] [6]又は[7]に記載の電極を備えたセンサー。
[9] [6]又は[7]に記載の電極を備えた蓄電デバイス。
[10] 電気二重層キャパシタである、[9]に記載の蓄電デバイス。
[11] 電解液として過塩素酸塩の飽和水溶液を使用する水系電気二重層キャパシタであ、[9]に記載の蓄電デバイス。
[12] リチウムイオンキャパシタである、[9]に記載の蓄電デバイス。
[13] [9]~[12]の何れか1つに記載の蓄電デバイスを備える電源。
また、本発明のBDNDを含む電極は高感度であり、且つ質量当たりの電気二重層容量が大きく、且つ、広い電位窓を有する。そのため、電気化学センサーや蓄電デバイス用電極として有用である。
Claims (6)
- 分散媒と、
前記分散媒中においてメディアン径が50~150nm、比表面積が110m2/g以上であり、且つ20℃における電気伝導度が5.0×10-3S/cm以上であり、光源波長325nmのラマンスペクトルにおいて1370~1420cm -1 、及び1580~1620cm -1 にバンドを有するホウ素ドープナノダイヤモンドを含み、前記ホウ素ドープナノダイヤモンド濃度が20質量%以上である、電極形成用インク。 - 前記分散媒が、乾燥処理により蒸発する分散媒である、請求項1に記載の電極形成用インク。
- 請求項1又は2に記載のインクを使用して電極を製造する、電極の製造方法。
- 質量当たりの電気二重層容量が3F/g以上である電極を製造する、請求項3に記載の電極の製造方法。
- 請求項3又は4に記載の製造方法により電極を製造する工程を経て、前記電極を備えたセンサーを製造する、センサーの製造方法。
- 請求項3又は4に記載の製造方法により電極を製造する工程を経て、前記電極を備えた蓄電デバイスを製造する、蓄電デバイスの製造方法。
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