JP7167588B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。
特許文献１には、導電性支持体上に中間層及び感光層をこの順に設け、中間層がポリオレフィン及びベンズイミダゾール系化合物を含有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献２には、支持体上に中間層及び感光層をこの順に有し、中間層がナフタレンアミジンイミド化合物、ペリレンアミジンイミド化合物及びイミド樹脂から選ばれる電子輸送物質を含有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献３には、支持体上に中間層及び感光層をこの順に有し、中間層がナフタレンアミジンイミド化合物及びペリレンアミジンイミド化合物から選ばれる電子輸送物質を含有する電子写真感光体が開示されている。
特許文献４には、電子写真感光体の下引層に用いる電子輸送物質としてベンズイミダゾール化合物が開示されている。
特許文献５には、支持体、下引層及び感光層を有し、下引層が、シランカップリング剤で表面処理された金属酸化物粒子と、結着樹脂と、ビスマス、亜鉛、コバルト、鉄、ニッケル及び銅から選択される金属の有機酸塩とを含有する電子写真感光体が開示されている。
本開示の課題は、下引層がペリノン化合物を含み且つポリウレタンを含まずポリアミド又はポリカーボネートを含む場合に比べ、帯電維持性に優れる電子写真感光体を提供することである。
前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。
［１］ 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された感光層と、を備え、前記下引層が、下記の一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のペリノン化合物と、ポリウレタンと、を含有する、電子写真感光体。
一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
［２］ 前記下引層が、ビスマス、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛、コバルト、鉄、ニッケル及び銅からなる群から選択される金属を含む有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種をさらに含有する、［１］に記載の電子写真感光体。
［３］ 前記下引層の全固形分量に対する前記有機酸金属塩及び前記有機金属錯体の総含有量が０．００１質量％以上３質量％以下である、［２］に記載の電子写真感光体。
［４］ 前記下引層の全固形分量に対する前記ペリノン化合物の総含有量が３０質量％以上である、［１］～［３］のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
［５］ 前記下引層が、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子及び酸化スズ粒子からなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物粒子をさらに含有する、［１］～［４］のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
［６］ ［１］～［５］のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
［７］ ［１］～［５］のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える画像形成装置。
［１］又は［４］に係る発明によれば、下引層がペリノン化合物を含み且つポリウレタンを含まずポリアミド又はポリカーボネートを含む場合に比べ、帯電維持性に優れる電子写真感光体が提供される。
［２］に係る発明によれば、下引層が前記有機酸金属塩及び前記有機金属錯体を含まない場合に比べ、画像形成を繰り返した際における残留電位の上昇抑制に優れる電子写真感光体が提供される。
［３］に係る発明によれば、下引層に含まれる前記有機酸金属塩及び前記有機金属錯体の総含有量が０．００１質量％未満である場合に比べ、繰り返し使用した際における残留電位の上昇抑制に優れる電子写真感光体が提供される。
［５］に係る発明によれば、前記金属酸化物粒子を含まない場合に比べ、感光体への異物の突き刺さりに起因するリーク発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
［６］に係る発明によれば、電子写真感光体の下引層がペリノン化合物を含み且つポリウレタンを含まずポリアミド又はポリカーボネートを含む場合に比べ、帯電維持性に優れる電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
［７］に係る発明によれば、電子写真感光体の下引層がペリノン化合物を含み且つポリウレタンを含まずポリアミド又はポリカーボネートを含む場合に比べ、帯電維持性に優れる電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
［２］に係る発明によれば、下引層が前記有機酸金属塩及び前記有機金属錯体を含まない場合に比べ、画像形成を繰り返した際における残留電位の上昇抑制に優れる電子写真感光体が提供される。
［３］に係る発明によれば、下引層に含まれる前記有機酸金属塩及び前記有機金属錯体の総含有量が０．００１質量％未満である場合に比べ、繰り返し使用した際における残留電位の上昇抑制に優れる電子写真感光体が提供される。
［５］に係る発明によれば、前記金属酸化物粒子を含まない場合に比べ、感光体への異物の突き刺さりに起因するリーク発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
［６］に係る発明によれば、電子写真感光体の下引層がペリノン化合物を含み且つポリウレタンを含まずポリアミド又はポリカーボネートを含む場合に比べ、帯電維持性に優れる電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが提供される。
［７］に係る発明によれば、電子写真感光体の下引層がペリノン化合物を含み且つポリウレタンを含まずポリアミド又はポリカーボネートを含む場合に比べ、帯電維持性に優れる電子写真感光体を備える画像形成装置が提供される。
以下に、本開示の実施形態について説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、実施形態の範囲を制限するものではない。
本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
本開示において主成分とは主要な成分を意味する。主成分は、例えば、複数種類の成分の混合物において混合物の全質量の３０質量％以上を占める成分をいう。
本開示において、電子写真感光体を単に感光体ともいう。
＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された下引層と、下引層上に配置された感光層とを備え、下引層が、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のペリノン化合物と、ポリウレタンと、を含有する。
本実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に配置された下引層と、下引層上に配置された感光層とを備え、下引層が、一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種のペリノン化合物と、ポリウレタンと、を含有する。
本開示において、一般式（１）で表される化合物をペリノン化合物（１）ともいい、一般式（２）で表される化合物をペリノン化合物（２）ともいう。
本実施形態に係る感光体は、下引層がペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の少なくとも一方と、ポリウレタンとを含有することにより帯電維持性に優れる。その理由として、下記の機構が推測される。
ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の少なくとも１種を主たる電子輸送性材料とする下引層を備えた感光体は、例えば後述するイミド化合物（Ａ）、イミド化合物（Ｂ）又はイミド化合物（Ｃ）を主たる電子輸送性材料とする下引層を備えた感光体に比べて、電気特性と耐リーク性に優れる。しかし、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の少なくとも１種を下引層の主たる電子輸送性材料とすると、帯電維持性が十分ではない。帯電維持性が十分ではない機構として、帯電時において正孔のブロッキング性が低いために、下引層に含まれるペリノン化合物（１）又はペリノン化合物（２）から、感光層に含まれる電荷発生材料（例えば、フタロシアニン顔料）へ正孔の拡散移動が起こり、最終的には感光体表面の電位が減衰することが考えられる。
これに対して、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の少なくとも１種と共に結着樹脂としてポリウレタンを使用すると、他の種類の結着樹脂を使用した場合に比べて、帯電維持性に優れる。その機構として、下引層に含まれるペリノン化合物（１）又はペリノン化合物（２）の内部電荷（ダークキャリア）が電荷発生材料中に注入するのをポリウレタンが抑制する効果（ブロッキング効果）が高いことにより、感光体表面の電位が減衰しにくいことが考えられる。
これに対して、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の少なくとも１種と共に結着樹脂としてポリウレタンを使用すると、他の種類の結着樹脂を使用した場合に比べて、帯電維持性に優れる。その機構として、下引層に含まれるペリノン化合物（１）又はペリノン化合物（２）の内部電荷（ダークキャリア）が電荷発生材料中に注入するのをポリウレタンが抑制する効果（ブロッキング効果）が高いことにより、感光体表面の電位が減衰しにくいことが考えられる。
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る感光体を説明する。
図１は、本実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示している。図１に示す感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３が、この順序で積層された構造を有する。電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。感光体７Ａは、電荷輸送層３上に、さらに保護層が設けられた層構成であってもよい。
図１は、本実施形態に係る感光体の層構成の一例を概略的に示している。図１に示す感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２及び電荷輸送層３が、この順序で積層された構造を有する。電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。感光体７Ａは、電荷輸送層３上に、さらに保護層が設けられた層構成であってもよい。
本実施形態に係る感光体は、図１に示す感光体７Ａのように電荷発生層２と電荷輸送層３とが分離した機能分離型であってもよいし、電荷発生層２と電荷輸送層３とが一体化した単層型感光層であってもよい。
以下、本実施形態に係る感光体の各層について詳細に説明する。
［下引層］
下引層は、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）からなる群から選択される少なくとも１種と、ポリウレタンとを含有する。下引層は、無機粒子、その他の添加材を含有していてもよい。
下引層は、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）からなる群から選択される少なくとも１種と、ポリウレタンとを含有する。下引層は、無機粒子、その他の添加材を含有していてもよい。
－ペリノン化合物（１）、ペリノン化合物（２）－
下引層は、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の少なくとも一方を含有する。ペリノン化合物（１）は、下記の一般式（１）で表される化合物である。ペリノン化合物（２）は、下記の一般式（２）で表される化合物である。
下引層は、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の少なくとも一方を含有する。ペリノン化合物（１）は、下記の一般式（１）で表される化合物である。ペリノン化合物（２）は、下記の一般式（２）で表される化合物である。
一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基としては、置換若しくは無置換のアルキル基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは炭素数１以上１０以下、より好ましくは炭素数１以上６以下）の直鎖状のアルキル基、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の分岐状のアルキル基、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の環状のアルキル基が挙げられる。
炭素数１以上２０以下の直鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられる。
炭素数３以上２０以下の分岐状のアルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－テトラデシル基、ｔｅｒｔ－ペンタデシル基等が挙げられる。
炭素数３以上２０以下の環状のアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、これら単環のアルキル基が連結した多環（例えば、二環、三環、スピロ環）のアルキル基等が挙げられる。
上記の中でも、無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基等の直鎖状のアルキル基が好ましい。
アルキル基における置換基としては、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中のＲ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシ基としては、置換若しくは無置換のアルコキシ基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ－ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ－オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ－オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ－ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ－ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ－デシルオキシ基、ｔｅｒｔ－デシルオキシ基等が挙げられる。
環状のアルコキシ基として具体的には、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロデシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、無置換のアルコキシ基としては、直鎖状のアルコキシ基が好ましい。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ－ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ－オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ－オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ－ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ－ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ－デシルオキシ基、ｔｅｒｔ－デシルオキシ基等が挙げられる。
環状のアルコキシ基として具体的には、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロデシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、無置換のアルコキシ基としては、直鎖状のアルコキシ基が好ましい。
アルコキシ基における置換基としては、アリール基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アルコキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアラルキル基としては、置換若しくは無置換のアラルキル基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアラルキル基としては、炭素数７以上３０以下のアラルキル基であることが好ましく、炭素数７以上１６以下のアラルキル基であることがより好ましく、炭素数７以上１２以下のアラルキル基であることが更に好ましい。
炭素数７以上３０以下の無置換のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、４－フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラチルメチル基、フェニル－シクロペンチルメチル基等が挙げられる。
アラルキル基における置換基としては、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アラルキル基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリール基としては、置換若しくは無置換のアリール基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基としては、炭素数６以上３０以下のアリール基が好ましく、６以上１４以下のアリール基がより好ましく、６以上１０以下のアリール基が更に好ましい。
炭素数６以上３０以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、９－アンスリル基、９－フェナントリル基、１－ピレニル基、５－ナフタセニル基、１－インデニル基、２－アズレニル基、９－フルオレニル基、ビフェニレニル基、インダセニル基、フルオランテニル基、アセナフチレニル基、アセアントリレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントリル基、ビアントラセニル基、ターアントラセニル基、クオーターアントラセニル基、アントラキノリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、プレイアデニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基等が挙げられる。上記の中でも、フェニル基が好ましい。
アリール基における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリール基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシ基（－Ｏ－Ａｒ、Ａｒはアリール基を表す。）としては、置換若しくは無置換のアリールオキシ基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシ基としては、炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基が好ましく、６以上１４以下のアリールオキシ基がより好ましく、６以上１０以下のアリールオキシ基が更に好ましい。
炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基（フェノキシ基）、ビフェニルオキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、９－アンスリルオキシ基、９－フェナントリルオキシ基、１－ピレニルオキシ基、５－ナフタセニルオキシ基、１－インデニルオキシ基、２－アズレニルオキシ基、９－フルオレニルオキシ基、ビフェニレニルオキシ基、インダセニルオキシ基、フルオランテニルオキシ基、アセナフチレニルオキシ基、アセアントリレニルオキシ基、フェナレニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、アントリルオキシ基、ビアントラセニルオキシ基、ターアントラセニルオキシ基、クオーターアントラセニルオキシ基、アントラキノリルオキシ基、フェナントリルオキシ基、トリフェニレニルオキシ基、ピレニルオキシ基、クリセニルオキシ基、ナフタセニルオキシ基、プレイアデニルオキシ基、ピセニルオキシ基、ペリレニルオキシ基、ペンタフェニルオキシ基、ペンタセニルオキシ基、テトラフェニレニルオキシ基、ヘキサフェニルオキシ基、ヘキサセニルオキシ基、ルビセニルオキシ基、コロネニルオキシ基等が挙げられる。上記の中でも、フェニルオキシ基（フェノキシ基）が好ましい。
アリールオキシ基における置換基としては、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシ基中の水素原子を置換するアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＲ、Ｒはアルキル基を表す。）としては、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニル基におけるアルキル鎖の炭素数としては、１以上２０以下であることが好ましく、１以上１５以下であることがより好ましく、１以上１０以下であることが更に好ましい。
アルキル鎖の炭素数が１以上２０以下のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ－ブトキシブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ペンタオキシカルボニル基、ヘキサオキシカルボニル基、ヘプタオキシカルボニル基、オクタオキシカルボニル基、ノナオキシカルボニル基、デカオキシカルボニル基、ドデカオキシカルボニル基、トリデカオキシカルボニル基、テトラデカオキシカルボニル基、ペンタデカオキシカルボニル基、ヘキサデカオキシカルボニル基、ヘプタデカオキシカルボニル基、オクタデカオキシカルボニル基、ノナデカオキシカルボニル基、イコサオキシカルボニル基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基における置換基としては、アリール基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルコキシカルボニル基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシカルボニル基中の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＡｒ、Ａｒはアリール基を表す。）としては、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニル基におけるアリール基の炭素数としては、６以上３０以下であることが好ましく、６以上１４以下であることがより好ましく、６以上１０以下であることが更に好ましい。
炭素数６以上３０以下のアリール基を有するアリールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル基、ビフェニルオキシカルボニル基、１－ナフチルオキシカルボニル基、２－ナフチルオキシカルボニル基、９－アンスリルオキシカルボニル基、９－フェナントリルオキシカルボニル基、１－ピレニルオキシカルボニル基、５－ナフタセニルオキシカルボニル基、１－インデニルオキシカルボニル基、２－アズレニルオキシカルボニル基、９－フルオレニルオキシカルボニル基、ビフェニレニルオキシカルボニル基、インダセニルオキシカルボニル基、フルオランテニルオキシカルボニル基、アセナフチレニルオキシカルボニル基、アセアントリレニルオキシカルボニル基、フェナレニルオキシカルボニル基、フルオレニルオキシカルボニル基、アントリルオキシカルボニル基、ビアントラセニルオキシカルボニル基、ターアントラセニルオキシカルボニル基、クオーターアントラセニルオキシカルボニル基、アントラキノリルオキシカルボニル基、フェナントリルオキシカルボニル基、トリフェニレニルオキシカルボニル基、ピレニルオキシカルボニル基、クリセニルオキシカルボニル基、ナフタセニルオキシカルボニル基、プレイアデニルオキシカルボニル基、ピセニルオキシカルボニル基、ペリレニルオキシカルボニル基、ペンタフェニルオキシカルボニル基、ペンタセニルオキシカルボニル基、テトラフェニレニルオキシカルボニル基、ヘキサフェニルオキシカルボニル基、ヘキサセニルオキシカルボニル基、ルビセニルオキシカルボニル基、コロネニルオキシカルボニル基等が挙げられる。上記の中でも、フェノキシカルボニル基が好ましい。
アリールオキシカルボニル基における置換基としては、アルキル基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基（－(ＣｎＨ２ｎ)－ＣＯ－ＯＲ、Ｒはアルキル基を表し、ｎは１以上の整数を表す。）としては、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＲ）としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルキレン鎖（－ＣｎＨ２ｎ－）としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは炭素数１以上１０以下、より好ましくは炭素数１以上６以下）の直鎖状のアルキレン鎖、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の分岐状のアルキレン鎖、炭素数３以上２０以下（好ましくは炭素数３以上１０以下）の環状のアルキレン鎖が挙げられる。
炭素数１以上２０以下の直鎖状のアルキレン鎖としては、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、ｎ－ペンチレン基、ｎ－ヘキシレン基、ｎ－ヘプチレン基、ｎ－オクチレン基、ｎ－ノニレン基、ｎ－デシレン基、ｎ－ウンデシレン基、ｎ－ドデシレン基、トリデシレン基、ｎ－テトラデシレン基、ｎ－ペンタデシレン基、ｎ－ヘプタデシレン基、ｎ－オクタデシレン基、ｎ－ノナデシレン基、ｎ－イコシレン基等が挙げられる。
炭素数３以上２０以下の分岐状のアルキレン鎖としては、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ－ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ－ヘキシレン基、ｔｅｒｔ－ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ－ヘプチレン基、ｔｅｒｔ－ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ－オクチレン基、ｔｅｒｔ－オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ－ノニレン基、ｔｅｒｔ－ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ－デシレン基、ｔｅｒｔ－デシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ－ドデシレン基、ｔｅｒｔ－ドデシレン基、ｔｅｒｔ－テトラデシレン基、ｔｅｒｔ－ペンタデシレン基等が挙げられる。
炭素数３以上２０以下の環状のアルキレン鎖としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロノニレン基、シクロデシレン基等が挙げられる。
アルコキシカルボニルアルキル基における置換基としては、アリール基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アルコキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
アルコキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリール基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基（－(ＣｎＨ２ｎ) －ＣＯ－ＯＡｒ、Ａｒはアリール基を表し、ｎは１以上の整数を表す。）としては、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニルアルキル基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニルアルキル基におけるアリールオキシカルボニル基（－ＣＯ－ＯＡｒ、Ａｒはアリール基を表す。）としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアリールオキシカルボニルアルキル基におけるアルキレン鎖（－ＣｎＨ２ｎ－）としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルキレン鎖と同様の基が挙げられる。
アリールオキシカルボニルアルキル基における置換基としては、アルキル基、ヒドロキシ基及びハロゲン原子（フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）が挙げられる。
アリールオキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
アリールオキシカルボニルアルキル基の水素原子を置換するアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表される無置換のアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
一般式（１）中、Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３、Ｒ１３とＲ１４、Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７又はＲ１７とＲ１８が、互いに連結して形成する環構造としては、ベンゼン環、炭素数１０以上１８以下の縮合環（ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環（ベンゾ［α］フェナントレン環）、テトラセン環、テトラフェン環（ベンゾ［α］アントラセン環）、トリフェニレン環等）などが挙げられる。上記の中でも、形成される環構造としては、ベンゼン環が好ましい。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアラルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアラルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリール基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるハロゲン原子としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアラルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアラルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリール基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリール基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシ基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシ基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアルコキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるアリールオキシカルボニルアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１～Ｒ２８で表されるハロゲン原子としては、一般式（１）中、Ｒ１１～Ｒ１８で表されるハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。
一般式（２）中、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７又はＲ２７とＲ２８が、互いに連結して形成する環構造としては、ベンゼン環、炭素数１０以上１８以下の縮合環（ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環（ベンゾ［α］フェナントレン環）、テトラセン環、テトラフェン環（ベンゾ［α］アントラセン環）、トリフェニレン環等）などが挙げられる。上記の中でも、形成される環構造としては、ベンゼン環が好ましい。
画像を繰り返し形成したときに生じる光感度の低下と残留電位の上昇とをより抑制する観点から、一般式（１）においてＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基又はアリールオキシカルボニルアルキル基であることが好ましい。
画像を繰り返し形成したときに生じる光感度の低下と残留電位の上昇とをより抑制する観点から、一般式（２）においてＲ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基又はアリールオキシカルボニルアルキル基であることが好ましい。
以下、ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の具体例を示すが、本実施形態はこれに限定されるわけではない。下記の構造式中、Ｐｈはフェニル基を示す。
ペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）とは異性体の関係（シス体とトランス体の関係）にある。そのため、合成法上、両者の混合物が得られる傾向にあり、混合比は通常１：１である。ペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）との混合物は、公知の精製方法に従い、混合物から一方を精製することができる。シス体とトランス体の関係にあるほかのペリノン化合物どうしも上記と同様である。
下引層の全固形分量に対するペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の総含有量は、下引層の体積抵抗率を望ましい範囲に制御する観点と成膜性の観点から、３０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましく、５０質量％以上７０質量％以下であることが更に好ましい。
－ポリウレタン－
ポリウレタンは、一般的に、多官能イソシアネートとポリオールとの重付加反応により合成される。
ポリウレタンは、一般的に、多官能イソシアネートとポリオールとの重付加反応により合成される。
多官能イソシアネートとしては、例えば、メチレンジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート，１，４－シクロヘキサンジイソシアネート、２，４－トルエンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，５－ナフタレンジイソシアネート，ｍ－フェニレンジイソシアネート、ｐ－フェニレンジイソシアネート、３，３'－ジメチル－４，４'－ジフェニルメタンジイソシアネート、３，３'－ジメチルビフェニレンジイソシアネート、４，４'－ビフェニレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、メチレンビス(４－シクロヘキシルイソシアネート)等のジイソシアネート；前記ジイソシアネートが三量体化したイソシアヌレート；前記ジイソシアネートのイソシアネート基をブロック剤でブロックしたブロックイソシアネート；などが挙げられる。多官能イソシアネートは、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリオールとしては、例えば、エチレングリコール、１，２－プロパンジオール、１，３－プロパンジオール、１，２－ブタンジオール、１，３－ブタンジオール、２，３－ブタンジオール、２，２－ジメチル－１，３－プロパンジオール、１，２－ペンタンジオール、１，４－ペンタンジオール、１，５－ペンタンジオール、２，４－ペンタンジオール、３，３－ジメチル－１，２－ブタンジオール、２－エチル－２－メチル－１，３－プロパンジオール、１，２－ヘキサンジオール、１，５－ヘキサンジオール、１，６－ヘキサンジオール、２，５－ヘキサンジオール、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、２，２－ジエチル－１，３－プロパンジオール、２，４－ジメチル－２，４－ペンタンジオール、１，７－ヘプタンジオール、２－メチル－２－プロピル－１，３－プロパンジオール、２，５－ジメチル－２，５－ヘキサンジオール、２－エチル－１，３－ヘキサンジオール、１，２－オクタンジオール、１，８－オクタンジオール、２，２，４－トリメチル－１，３－ペンタンジオール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、ハイドロキノン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリ（オキシテトラメチレン）グリコール、４，４'－ジヒドロキシージフェニル－２，２－プロパン、４，４'－ジヒドロキシフェニルスルホン等のジオールが挙げられる。
ポリオールとしては更に、例えば、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリビニルブチラール等が挙げられる。
ポリオールは、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
ポリオールとしては更に、例えば、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリビニルブチラール等が挙げられる。
ポリオールは、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
下引層は、結着樹脂として、ポリウレタン以外のその他の樹脂を含有していてもよい。その他の樹脂としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
下引層に含まれる結着樹脂は、結着樹脂の全量の８０質量％以上１００質量％以下がポリウレタンであることが好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がポリウレタンであることがより好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がポリウレタンであることが更に好ましい。
下引層に含まれるペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）の総含有量と、下引層に含まれるポリウレタンの含有量との質量比は、ペリノン化合物：ポリウレタン＝４０：６０乃至８０：２０が好ましく、５０：５０乃至７０：３０がより好ましい。
－有機酸金属塩及び有機金属錯体－
下引層は、有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種を含有していてもよい。下引層に含まれる有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種は、例えば、下引層を形成する際にウレタン硬化触媒（すなわち、多官能イソシアネートとポリオールとの重付加反応の触媒）として作用する有機酸金属塩又は有機金属錯体でもよい。
下引層は、有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種を含有していてもよい。下引層に含まれる有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種は、例えば、下引層を形成する際にウレタン硬化触媒（すなわち、多官能イソシアネートとポリオールとの重付加反応の触媒）として作用する有機酸金属塩又は有機金属錯体でもよい。
有機酸金属塩又は有機金属錯体を構成する金属としては、ビスマス、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛、コバルト、鉄、ニッケル、銅、スズ、白金、パラジウム等が挙げられる。有機酸金属塩の有機酸は、一価カルボン酸であることが好ましく、一価カルボン酸としては、オクチル酸、ナフテン酸又はサリチル酸が好ましく、オクチル酸がより好ましい。
下引層に含有される有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種としては、画像形成を繰り返した際に発生する残留電位の上昇を抑制する観点から、ビスマス、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛、コバルト、鉄、ニッケル及び銅からなる群から選択される金属を含む有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種が好ましく、ビスマス、アルミニウム及びジルコニウムからなる群から選択される金属を含む有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種がより好ましい。
ビスマスを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸ビスマス、ナフテン酸ビスマス、サリチル酸ビスマス；キングインダストリー社製のＫ－ＫＡＴ３４８、Ｋ－ＫＡＴ ＸＣ－Ｃ２２７、Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６２８、Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０；などが挙げられる。
アルミニウムを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸アルミニウム、ナフテン酸アルミニウム、サリチル酸アルミニウム；キングインダストリー社製のＫ－ＫＡＴ５２１８；などが挙げられる。
ジルコニウムを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、サリチル酸ジルコニウム；キングインダストリー社製のＫ－ＫＡＴ４２０５、Ｋ－ＫＡＴ６２１２、Ｋ－ＫＡＴＡ２０９；などが挙げられる。
亜鉛を含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、サリチル酸亜鉛などが挙げられる。
コバルトを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸コバルト、ナフテン酸コバルト、サリチル酸コバルトなどが挙げられる。
鉄を含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸鉄、ナフテン酸鉄、サリチル酸鉄などが挙げられる。
ニッケルを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸ニッケル、ナフテン酸ニッケル、サリチル酸ニッケルなどが挙げられる。
銅を含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸銅、ナフテン酸銅、サリチル酸銅などが挙げられる。
アルミニウムを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸アルミニウム、ナフテン酸アルミニウム、サリチル酸アルミニウム；キングインダストリー社製のＫ－ＫＡＴ５２１８；などが挙げられる。
ジルコニウムを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、サリチル酸ジルコニウム；キングインダストリー社製のＫ－ＫＡＴ４２０５、Ｋ－ＫＡＴ６２１２、Ｋ－ＫＡＴＡ２０９；などが挙げられる。
亜鉛を含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、サリチル酸亜鉛などが挙げられる。
コバルトを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸コバルト、ナフテン酸コバルト、サリチル酸コバルトなどが挙げられる。
鉄を含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸鉄、ナフテン酸鉄、サリチル酸鉄などが挙げられる。
ニッケルを含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸ニッケル、ナフテン酸ニッケル、サリチル酸ニッケルなどが挙げられる。
銅を含む有機酸金属塩又は有機金属錯体としては、例えば、オクチル酸銅、ナフテン酸銅、サリチル酸銅などが挙げられる。
有機酸金属塩及び有機金属錯体は、１種のみを使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
下引層が有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種を含有する場合、下引層の全固形分量に対する有機酸金属塩及び有機金属錯体の総含有量は、０．００１質量％以上３質量％以下が好ましく、０．００３質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下が更に好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下が更に好ましい。
－金属酸化物粒子－
下引層は、感光体への異物の突き刺さりに起因するリーク発生を抑制する観点から、金属酸化物粒子を含有することが好ましい。金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化ジルコニウム粒子などが挙げられ、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子又は酸化スズ粒子が好ましい。
下引層は、感光体への異物の突き刺さりに起因するリーク発生を抑制する観点から、金属酸化物粒子を含有することが好ましい。金属酸化物粒子としては、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化ジルコニウム粒子などが挙げられ、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子又は酸化スズ粒子が好ましい。
金属酸化物粒子の体積平均粒径は、１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下がより好ましく、６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が更に好ましい。
金属酸化物粒子のＢＥＴ法による比表面積は、１０ｍ2／ｇ以上が好ましい。
金属酸化物粒子は、表面処理が施されていてもよい。金属酸化物粒子の表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。金属酸化物粒子は、金属種の異なる金属酸化物粒子、表面処理の異なる金属酸化物粒子、又は粒子径の異なる金属酸化物粒子を２種以上混合して用いてもよい。
感光体への異物の突き刺さりに起因するリーク発生を抑制する目的で下引層が金属酸化物粒子を含有する場合、下引層の全固形分量に対する金属酸化物粒子の含有量は、１質量％以上３０質量％未満が好ましく、５質量％以上２５質量％以下がより好ましく、１０質量％以上２０質量％以下が更に好ましい。
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
下引層の膜厚は、耐リーク性の観点から、３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。下引層の膜厚は、繰り返し使用した際における残留電位の上昇を抑制する観点から、５０μｍ以下が好ましく、４０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下が更に好ましい。
下引層の体積抵抗率は、１×１０１０Ωｃｍ以上、１×１０１２Ωｃｍ以下であることが好ましい。
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
ペリノン化合物（１）及びペリノン化合物（２）は、有機溶剤に溶解しにくいため、有機溶剤に分散させることが望ましい。その分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。下引層に金属酸化物粒子を配合する場合、金属酸化物粒子も同様の分散方法で有機溶剤に分散させることが望ましい。
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１×１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１×１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
［中間層］
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
中間層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。
［機能分離型の感光層］
［電荷発生層］
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
［電荷発生層］
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５－２６３００７号公報、特開平５－２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５－９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５－１４０４７２号公報、特開平５－１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４－１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４－７８１４７号公報、特開２００５－１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ－型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２－１５５２８２号公報の段落［０２８８］～［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ－１）～（ＣＧ－２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１×１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１×１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
電荷発生層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
［電荷輸送層］
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
構造式（ａ－１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
構造式（ａ－２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ６Ｈ４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８－１７６２９３号公報、特開平８－２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
電荷輸送層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
［保護層］
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、－ＯＨ、－ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、－ＮＨ２、－ＳＨ、－ＣＯＯＨ、－ＳｉＲＱ１
３－Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１～３の整数を表す］等の公知の反応性基が挙げられる。
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、公知の材料から選択すればよい。
保護層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。
保護層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
［単層型感光層］
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他公知の添加剤と、を含む層である。これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他公知の添加剤と、を含む層である。これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
［画像形成装置、プロセスカートリッジ］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の公知の画像形成装置が適用される。
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
－帯電装置－
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
－露光装置－
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
－現像装置－
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、公知のものが適用される。
－クリーニング装置－
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
－転写装置－
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
－中間転写体－
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
以下に実施例を挙げて、本開示の電子写真感光体をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理手順等は、本開示の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本開示の電子写真感光体の範囲は、以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきではない。
＜感光体の作製＞
［実施例１］
（下引層の形成）
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住友バイエルンウレタン社製、固形分７５質量％）２０質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＬ－１、積水化学工業社製）７．５質量部とを、メチルエチルケトン１５０質量部に溶解した。この溶液に、ペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部とを添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１６０℃下で６０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。下引層の体積抵抗率を、強誘電体評価システム（ＩＶ＆ＱＶ変換器モデル６２５２Ｃ型、東洋テクニカ製）を用いて測定した。
［実施例１］
（下引層の形成）
ブロック化イソシアネート（スミジュールＢＬ３１７５、住友バイエルンウレタン社製、固形分７５質量％）２０質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＬ－１、積水化学工業社製）７．５質量部とを、メチルエチルケトン１５０質量部に溶解した。この溶液に、ペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、カルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部とを添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１６０℃下で６０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。下引層の体積抵抗率を、強誘電体評価システム（ＩＶ＆ＱＶ変換器モデル６２５２Ｃ型、東洋テクニカ製）を用いて測定した。
（電荷発生層の形成）
電荷発生材料として、Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを用意した。ヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部及びｎ－酢酸ブチル２００質量部を混合した混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ－酢酸ブチル１７５質量部及びメチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１５０℃下で１５分間乾燥して、厚さ０．２μｍの電荷発生層を形成した。
電荷発生材料として、Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを用意した。ヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部及びｎ－酢酸ブチル２００質量部を混合した混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ－酢酸ブチル１７５質量部及びメチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１５０℃下で１５分間乾燥して、厚さ０．２μｍの電荷発生層を形成した。
（電荷輸送層の形成）
電荷輸送剤（ＨＴ－１）３８質量部と、電荷輸送剤（ＨＴ－２）１０質量部と、ポリカーボネート（Ａ）（粘度平均分子量４．６万）５２質量部とをテトラヒドロフラン８００質量部に加えて溶解し、４フッ化エチレン樹脂（ルブロンＬ５、ダイキン工業製、平均粒子径３００ｎｍ）８質量部を加え、ホモジナイザー（ウルトラタラックス、ＩＫＡ社製）を用いて５５００ｒｐｍで２時間分散して電荷輸送層形成用の塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１４０℃下で４０分間乾燥して、厚さ２９μｍの電荷輸送層を形成した。以上の処理により、実施例１の感光体を得た。
電荷輸送剤（ＨＴ－１）３８質量部と、電荷輸送剤（ＨＴ－２）１０質量部と、ポリカーボネート（Ａ）（粘度平均分子量４．６万）５２質量部とをテトラヒドロフラン８００質量部に加えて溶解し、４フッ化エチレン樹脂（ルブロンＬ５、ダイキン工業製、平均粒子径３００ｎｍ）８質量部を加え、ホモジナイザー（ウルトラタラックス、ＩＫＡ社製）を用いて５５００ｒｐｍで２時間分散して電荷輸送層形成用の塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１４０℃下で４０分間乾燥して、厚さ２９μｍの電荷輸送層を形成した。以上の処理により、実施例１の感光体を得た。
［比較例１～３］
下引層の形成においてペリノン化合物を表１に記載のイミド化合物に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。比較例１～３にて使用したイミド化合物（Ａ）、イミド化合物（Ｂ）又はイミド化合物（Ｃ）の化学構造を下記に示す。
下引層の形成においてペリノン化合物を表１に記載のイミド化合物に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。比較例１～３にて使用したイミド化合物（Ａ）、イミド化合物（Ｂ）又はイミド化合物（Ｃ）の化学構造を下記に示す。
［比較例４］
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリアミドに変更し、下引層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリアミドに変更し、下引層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
（下引層の形成）
ポリアミド樹脂ＣＭ８０００（東レ製）２２．５質量部をメタノール１２０質量部とイソプロパノール６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部を添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１１０℃下で４０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。
ポリアミド樹脂ＣＭ８０００（東レ製）２２．５質量部をメタノール１２０質量部とイソプロパノール６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部を添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１１０℃下で４０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。
［比較例５］
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリカーボネートに変更し、下引層の形成手順と電荷輸送層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成において結着樹脂をポリウレタンからポリカーボネートに変更し、下引層の形成手順と電荷輸送層の形成手順を下記に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
（下引層の形成）
ポリカーボネート樹脂パンライトＴＳ－２０５０（帝人製）２２．５質量部をテトラヒドロフラン１６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部を添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１３５℃下で５０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。
ポリカーボネート樹脂パンライトＴＳ－２０５０（帝人製）２２．５質量部をテトラヒドロフラン１６０質量部に溶解した。この溶液にペリノン化合物（１－１）とペリノン化合物（２－１）の混合物（質量比１：１）３４質量部を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１０時間の分散を行い、分散液を得た。この分散液に、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）２質量部を添加し、下引層形成用の塗布液を得た。この塗布液を円筒状アルミニウム基材上に浸漬塗布し、１３５℃下で５０分間の乾燥硬化を行い、厚さ７μｍの下引層を形成した。
（電荷輸送層の形成）
浸漬塗布をスプレー塗布に変更した以外は、実施例１における電荷輸送層の形成手順と同様にして電荷輸送層を形成した。
浸漬塗布をスプレー塗布に変更した以外は、実施例１における電荷輸送層の形成手順と同様にして電荷輸送層を形成した。
［実施例２～３］
下引層の形成においてカルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）の添加量を表１に記載のとおりに変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成においてカルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）の添加量を表１に記載のとおりに変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
［実施例４～９］
下引層の形成においてペリノン化合物を表１に記載のとおりに変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層の形成においてペリノン化合物を表１に記載のとおりに変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
［実施例１０～１２］
下引層の形成においてカルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）を表１に記載の有機酸金属塩又は金属錯体に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
実施例１０において用いたアルミニウム錯体は、Ｋ－ＫＡＴ５２１８（キングインダストリー社製）である。
実施例１１において用いたジルコニウム錯体は、Ｋ－ＫＡＴ４２０５（キングインダストリー社製）である。
下引層の形成においてカルボン酸ビスマス（Ｋ－ＫＡＴ ＸＫ－６４０、キングインダストリー社製）を表１に記載の有機酸金属塩又は金属錯体に変更した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
実施例１０において用いたアルミニウム錯体は、Ｋ－ＫＡＴ５２１８（キングインダストリー社製）である。
実施例１１において用いたジルコニウム錯体は、Ｋ－ＫＡＴ４２０５（キングインダストリー社製）である。
［実施例１３～１５］
下引層形成用の塗布液に、表１に記載の金属酸化物粒子を添加した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
下引層形成用の塗布液に、表１に記載の金属酸化物粒子を添加した以外は実施例１と同様にして感光体を作製した。
実施例１３において用いた酸化亜鉛粒子は、表面未処理の酸化亜鉛粒子（体積平均粒子径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ２／ｇ、テイカ製ＭＺ－１５０）をシランカップリング剤（３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、信越化学社製ＫＢＥ－５０２）で表面処理した粒子である。
実施例１４において用いた酸化チタン粒子は、体積平均粒子径３０ｎｍ（富士チタン工業製ＴＡＦ－１５００Ｊ）である。
実施例１５において用いた酸化スズ粒子は、体積平均粒子径２０ｎｍ（三菱マテリアル製Ｓ１）である。
実施例１４において用いた酸化チタン粒子は、体積平均粒子径３０ｎｍ（富士チタン工業製ＴＡＦ－１５００Ｊ）である。
実施例１５において用いた酸化スズ粒子は、体積平均粒子径２０ｎｍ（三菱マテリアル製Ｓ１）である。
＜感光体の性能評価＞
各実施例又は比較例の感光体を、富士ゼロックス社製の画像形成装置ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅＣ５５７０に搭載し、温度３０℃、相対湿度８５％の環境下で、以下の性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
各実施例又は比較例の感光体を、富士ゼロックス社製の画像形成装置ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅＣ５５７０に搭載し、温度３０℃、相対湿度８５％の環境下で、以下の性能評価を行った。評価結果を表１に示す。
［耐リーク性］
感光体において電流がリークすると点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、耐リーク性の評価を行った。
濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力し、１０時間後に温度２８℃、相対湿度８０％の環境下で濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。全１０枚における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｃに分類した。
感光体において電流がリークすると点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、耐リーク性の評価を行った。
濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力し、１０時間後に温度２８℃、相対湿度８０％の環境下で濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。全１０枚における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｃに分類した。
Ａ：点状の画像欠陥がない。
Ｂ：点状の画像欠陥が１０個未満で、実使用許容できる。
Ｃ：点状の画像欠陥が１０個以上で、実使用上問題となる。
Ｂ：点状の画像欠陥が１０個未満で、実使用許容できる。
Ｃ：点状の画像欠陥が１０個以上で、実使用上問題となる。
［帯電維持性］
感光体の表面から１ｍｍ離れた位置に、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）の表面電位プローブを設置した。
感光体の表面を－７００Ｖに帯電させたのち、０．１秒後の電位低下量（暗減衰量）を測定し、電位低下量を下記のＡ～Ｃに分類した。
感光体の表面から１ｍｍ離れた位置に、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）の表面電位プローブを設置した。
感光体の表面を－７００Ｖに帯電させたのち、０．１秒後の電位低下量（暗減衰量）を測定し、電位低下量を下記のＡ～Ｃに分類した。
Ａ：電位低下量が２５Ｖ未満
Ｂ：電位低下量が２５Ｖ以上５０Ｖ未満
Ｃ：電位低下量が５０Ｖ以上
Ｂ：電位低下量が２５Ｖ以上５０Ｖ未満
Ｃ：電位低下量が５０Ｖ以上
［残留電位の上昇抑制］
感光体の表面から１ｍｍ離れた位置に、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）の表面電位プローブを設置した。
感光体の表面を－７００Ｖに帯電させた後、波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光量１．５μＪ／ｃｍ２）を露光（照射時間８０ミリ秒）した。露光開始から３３０ミリ秒経過した時点での表面電位（残留電位）を測定した。
濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力した前後において上記の測定を行い、出力後の残留電位から出力前の残留電位を減算して残留電位差を算出し、残留電位差を下記のＡ～Ｃに分類した。
感光体の表面から１ｍｍ離れた位置に、表面電位計（トレック社製、トレック３３４）の表面電位プローブを設置した。
感光体の表面を－７００Ｖに帯電させた後、波長７８０ｎｍの単色光（半値幅２０ｎｍ、光量１．５μＪ／ｃｍ２）を露光（照射時間８０ミリ秒）した。露光開始から３３０ミリ秒経過した時点での表面電位（残留電位）を測定した。
濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力した前後において上記の測定を行い、出力後の残留電位から出力前の残留電位を減算して残留電位差を算出し、残留電位差を下記のＡ～Ｃに分類した。
Ａ：残留電位差が１００Ｖ未満で、実使用問題なし。
Ｂ：残留電位差が１００Ｖ以上１５０Ｖ未満で、実使用許容できる。
Ｃ：残留電位差が１５０Ｖ以上で、実使用上問題となる。
Ｂ：残留電位差が１００Ｖ以上１５０Ｖ未満で、実使用許容できる。
Ｃ：残留電位差が１５０Ｖ以上で、実使用上問題となる。
［異物の突き刺さり抑制］
カーボンファイバーが感光層及び下引層を貫通してアルミニウム基材に達すると、電流が流れて点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、異物の突き刺さり抑制の評価を行った。
現像剤にカーボンファイバー（平均径７μｍ、平均長３０μｍ）を濃度０．１質量％になる量混ぜ、濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力した。次いで、濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。１０枚目の画像における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｃに分類した。
カーボンファイバーが感光層及び下引層を貫通してアルミニウム基材に達すると、電流が流れて点状の画像欠陥が発生する現象を利用して、異物の突き刺さり抑制の評価を行った。
現像剤にカーボンファイバー（平均径７μｍ、平均長３０μｍ）を濃度０．１質量％になる量混ぜ、濃度２０％の画像をＡ４紙で２万枚連続出力した。次いで、濃度２０％の画像をＡ４紙で１０枚出力した。１０枚目の画像における点状の画像欠陥の有無を目視で観察し、画像欠陥の程度を下記のＡ～Ｃに分類した。
Ａ：点状の画像欠陥がない。
Ｂ：点状の画像欠陥が１０個未満で、実使用許容できる。
Ｃ：点状の画像欠陥が１０個以上で、実使用上問題となる。
Ｂ：点状の画像欠陥が１０個未満で、実使用許容できる。
Ｃ：点状の画像欠陥が１０個以上で、実使用上問題となる。
１ 下引層、２ 電荷発生層、３ 電荷輸送層、４ 導電性基体、５ 感光層、７Ａ 電子写真感光体、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑剤、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ
Claims (7)
- 導電性基体と、前記導電性基体上に配置された下引層と、前記下引層上に配置された感光層と、を備え、
前記下引層が、下記の一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種と、下記の一般式（２）で表される化合物の少なくとも１種と、ポリウレタンと、ビスマス、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛、コバルト、鉄、ニッケル、銅、スズ、白金及びパラジウムからなる群から選択される金属を含む有機酸金属塩及び有機金属錯体の少なくとも１種とを含有する、
電子写真感光体。
一般式（１）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３及びＲ１３とＲ１４は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７及びＲ１７とＲ１８は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式（２）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリールオキシカルボニルアルキル基又はハロゲン原子を表す。Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３及びＲ２３とＲ２４は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ２５とＲ２６、Ｒ２６とＲ２７及びＲ２７とＲ２８は、各々独立に、互いに連結して環を形成してもよい。 - 前記一般式（１）中、Ｒ １１ 、Ｒ １２ 、Ｒ １３ 、Ｒ １４ 、Ｒ １５ 、Ｒ １６ 、Ｒ １７ 及びＲ １８ の少なくとも１つはアルコキシカルボニル基を表し、
前記一般式（２）中、Ｒ ２１ 、Ｒ ２２ 、Ｒ ２３ 、Ｒ ２４ 、Ｒ ２５ 、Ｒ ２６ 、Ｒ ２７ 及びＲ ２８ の少なくとも１つはアルコキシカルボニル基を表す、
請求項１に記載の電子写真感光体。 - 前記下引層の全固形分量に対する前記有機酸金属塩及び前記有機金属錯体の総含有量が０．００１質量％以上３質量％以下である、請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
- 前記下引層の全固形分量に対する前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（２）で表される化合物の総含有量が３０質量％以上である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
- 前記下引層が、酸化亜鉛粒子、酸化チタン粒子及び酸化スズ粒子からなる群から選択される少なくとも１種の金属酸化物粒子をさらに含有する、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
- 請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。 - 請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
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