JP7149228B2 - 等化器および等化装置 - Google Patents

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Description

本発明は、信号波形を等化する技術に係り、特に等化器、等化装置、および信号伝送装置等に関する。
近年の通信の高速化により、信号を伝送するボード上配線やケーブル等の通信媒体の伝送損失は増加している。特にPCI Expressのインターフェイス規格では2019年には第5世代の規格PCIe 5.0が策定完了し,通信データ量は前世代の2倍となる片側32Gbps/laneに達する。通常、通信媒体を伝送してきた信号は、波形等化機能を有する線形等化器に入力される。通信データ量の増加に伴い、線形等化器で補償する上限周波数はますまず増加し(PCIe 5.0ではナイキスト周波数16GHz)、補償する周波数範囲としても低周波から高周波までと広帯域となる。
特許文献1には、3つの零点周波数を有することで、広帯域の周波数範囲で等化が可能となる等化器が記載されている。
特開2018-0110363号公報
ところで、等化器はボード上配線やケーブル等の通信媒体のさまざまな配線長に対応するため、広い周波数特性のみならず広い可変利得範囲を持つ必要がある。特許文献1の実施例1では3つの零点周波数を有する等化器を同一配線上で接続していたため、接続配線に寄生する容量が増加し、この寄生容量のため等化器の下限利得設定時に利得を下げきれず可変利得範囲を広げる効果は有していなかった。つまり、配線長の短いボード上配線やケーブル等の通信媒体の等化の際に、過等化となる可能性があった。
本発明の目的は、広い可変利得範囲を有し、様々な配線長のボード上やケーブル等の通信媒体の等化を実現可能な等化器、等化装置を提供することである。
本発明の一側面は、通信媒体を伝送してきた信号が入力される等化器である。この等化器は、第1のトランジスタと第2のトランジスタから構成される第1の差動対と、第3のトランジスタと第4のトランジスタから構成される第2の差動対を有する。第1のトランジスタの第1端子と第3のトランジスタの第1端子が接続され、第2のトランジスタの第1端子と第4のトランジスタの第1端子が接続されることで、前記第1の差動対と前記第2の差動対は共通の入力端子を有している。そして、前記第1、2、3、4のトランジスタの第2端子にはそれぞれ抵抗が接続され、前記第1のトランジスタの第2端子と前記第2のトランジスタの第2端子間には第1の零点生成回路が接続され、前記第3のトランジスタの第2端子と前記第4のトランジスタの第2端子間には第2の零点生成回路が接続されている。そして、前記第1の零点生成回路と前記第2の零点生成回路は、設計上同一のピーク特性を持つ。
本発明の他の一側面は、上記等化器を少なくとも1つ以上有する、等化装置である。トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いる場合には、第1端子はベース端子、第2端子はエミッタ端子、第3端子はコレクタ端子である。トランジスタとしてMOSトランジスタを用いる場合には、第1端子はゲート端子、第2端子はソース端子、第3端子はドレイン端子である。
本発明によれば、広い可変利得範囲を有し、様々な配線長のボード上やケーブル等の通信媒体の等化を実現可能な等化器を提供することができる。
実施の形態1に係る等化器を示す回路図である。 比較例の等化器を示す回路図である。 比較例の等化器の零点生成回路の一例を示す回路図である。 比較例の等化器のエミッタ端子配線と零点生成回路のレイアウトイメージ図である。 比較例の等化器の零点周波数による信号電流を模式的に示したグラフ図である。 比較例の等化器の零点周波数による出力端子の利得を模式的に示したグラフ図である。 エミッタ端子配線の寄生容量と、下限等化利得設定における利得の依存性を示すグラフ図である。 実施の形態1に係る等化器の零点生成回路の一例を示す回路図である。 実施の形態1に係る等化器のエミッタ端子配線と零点生成回路のレイアウトイメージ図である。 実施の形態1に係る等化器の零点周波数による信号電流を模式的に示したグラフ図である。 実施の形態1に係る等化器の零点周波数による出力端子の利得を模式的に示したグラフ図である。 比較例の等化器の利得可変範囲のシミュレーション結果を示すグラフ図である。 実施の形態1に係る等化器の利得可変範囲のシミュレーション結果を示すグラフ図である。 実施の形態1に係る等化器の零点生成回路の他の一例を示す回路図である。 実施の形態1に係るレイアウト配置の1パターンを示すレイアウトイメージ図である。 実施の形態1に係る等化器の変形例を示す回路図である。 実施の形態2に係る等化器を示す回路図である。 実施の形態3に係る等化器を示す回路図である。 実施の形態4に係る等化装置を示す回路図である。 通信媒体を介して通信を行う電気信号伝送装置を示すブロック図である。 通信媒体における損失の周波数特性を示すグラフ図である。 実施の形態4、5に係る等化装置を有する通信媒体を介して通信を行う電気信号伝送装置を示すブロック図である。 実施の形態4における等化装置を用いて通信媒体における損失を等化しシミュレーション結果を示すグラフ図である。 実施の形態5における等化装置および、送信LSIの送信部および。受信LSIの受信部を示すブロック図である。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。本発明の思想ないし趣旨から逸脱しない範囲で、その具体的構成を変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。
以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、重複する説明は省略することがある。
同一あるいは同様な機能を有する要素が複数ある場合には、同一の符号に異なる添字を付して説明する場合がある。ただし、複数の要素を区別する必要がない場合には、添字を省略して説明する場合がある。
本明細書等における「第1」、「第2」、「第3」などの表記は、構成要素を識別するために付するものであり、必ずしも、数、順序、もしくはその内容を限定するものではない。また、構成要素の識別のための番号は文脈毎に用いられ、一つの文脈で用いた番号が、他の文脈で必ずしも同一の構成を示すとは限らない。また、ある番号で識別された構成要素が、他の番号で識別された構成要素の機能を兼ねることを妨げるものではない。
図面等において示す各構成の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。
本明細書で引用した刊行物、特許および特許出願は、そのまま本明細書の説明の一部を構成する。
本明細書において単数形で表される構成要素は、特段文脈で明らかに示されない限り、複数形を含むものとする。
実施例の一態様は、信号を伝送する通信媒体を伝送してきた信号が入力される等化器であって、共通のベース入力端子を有する第1~4の4つのバイポーラトランジスタから構成される2つの差動対を持ち、前記2つの差動対のそれぞれのエミッタ端子間に、抵抗素子および零点生成回路が接続されており、前記差動対のそれぞれ極性の同じコレクタ端子同士が接続され、前記コレクタ端子は、第5、6のバイポーラトランジスタのエミッタ端子に接続され、第5,6のバイポーラトランジスタのベース端子はあるバイアス電圧に接続され、前記5,6のバイポーラトランジスタのコレクタ端子は負荷素子に接続され、前記5、6のコレクタ端子を等化器の出力端子とし、前記2つの零点生成回路は同一のピーク特性を持つことを特徴とする。
実施例の一態様に係る等化装置は、前記等化器を有する等化装置を有することを特徴とする。
図1は、本発明の実施形態の一つである実施の形態1を示す回路図である。図1に示すように、等化器400は、信号を伝送する通信媒体を伝送してきた信号(INP,INN)が入力される等化器である。この等化器は、共通のベース入力端子413、414を有する第1~4の4つのバイポーラトランジスタ404、405、422,423から構成される2つの差動対を持つ。前記2つの差動対のそれぞれのエミッタノード配線415-416間および427-428間に、抵抗406、407、424、425および、2つある零点生成回路(Peak Block)901a,901bが接続されている。
前記差動対の極性の同じコレクタ端子同士が配線429、430で接続される。前記コレクタ端子は、カスコード増幅器を構成する第5、6のバイポーラトランジスタ409、410のエミッタ端子に接続される。第5,6のバイポーラトランジスタ409、410のベース端子はあるバイアス電圧(BIAS)417に接続される。前記5,6のバイポーラトランジスタ409、410のコレクタ端子は負荷抵抗411、412に接続される。前記5、6のバイポーラトランジスタ409、410のコレクタ端子を等化器400の出力端子(OUTP,OUTN)420、421とする。また、第1の差動対を構成するバイアス電流源408と、第2の差動対を構成するバイアス電流源426を備えている。
前記2つの零点生成回路901aおよび901bは実質的に同一のピーク特性を持つ。前記零点生成回路901は制御信号(Cntrl)418、419によってピーク特性が調整可能である。これにより広い可変利得範囲を有し、様々な配線長のボード上やケーブル等の通信媒体の等化を実現可能な等化器を提供することが可能となる。以下、比較例およびレイアウト図面を通し本発明の実施の形態について詳細に効果を説明する。
図2は、例えば特許文献1などに記載の等化器の構成を参考に、発明者が比較例として作成した等化器400Kの回路図である。図1に示した実施例と比較して、差動対と、零点生成回路901Kが1つしか存在しない。図1に対応する構成は同じ符号を付しているが、実施例と比較例との区別を明確にしたい場合には、添え字Kを使用する場合がある。
図3は図2の比較例の等化器400Kを構成する零点生成回路901Kの一例である。零点生成回路901Kは1つ以上の零点生成単位回路909Ka,b,cから構成されており、さらにそれぞれの零点生成単位回路909Kは、1つ以上の容量(C)904K,905KとON/OFF切替スイッチ(SW)906Kから構成されている。制御信号418Kで切替スイッチ906Kを制御して、エミッタノード配線415K、416Kに付く容量(C)を切り替えることで、抵抗(R)406K、407Kで生じる零点の周波数を切り替えることができる。
図4は図3の零点生成回路901Kのチップレイアウトを模式的に示したものである。ここで、Wはエミッタノード配線415K、416Kの配線幅であり、Lはエミッタノード配線415K、416Kの配線長をそれぞれ示している。配線幅Wは、エレクトロマイグレーションルールで規定される電流密度から決定し、回路の動作周波数が増加するほど高周波特性確保のために電流値が増加するため、太くなる。一方、配線長Lは、零点生成回路を構成するブロック数が増加するほど、零点生成単位回路を構成する容量素子などの物理サイズが大きいほど、長くなる。
エミッタノード配線415K、416Kには、前記配線幅Wと配線長Lからなる面積W×Lに比例する寄生容量(C)441Kが付加される。つまり、エミッタノード配線415K、146Kには零点生成回路901Kから構成される容量のみでなく、この寄生容量Cが余計に接続されることになる。この寄生容量Cの影響について図5を用いて説明する。図2の比較例の回路において、ピーク利得を最大に設定する上限利得設定時(切替スイッチ906Kを全てON)の零点周波数は、1/(2π×RE×(Cp+CHF_15))となる。一方、ピーク利得を最小に設定する下限利得設定時(切替スイッチ906を全てOFF)の零点周波数は、1/(2π×RE×(Cp+CHF_0))となる。なお、この例では零点生成回路901Kの段数を15とし、CHF_nはn段接続したときの零点生成回路901Kから構成される容量値とする。
図5Aは、図2の等化器400Kの零点周波数による信号電流を模式的に示したグラフ図である。上限利得設定時の信号電流の周波数特性1001Kと下限利得設定時の信号電流の周波数特性1002Kが示されている。また、上限利得設定時の零点周波数FZHP_15と、下限利得設定時の零点周波数FZHP_0が示されている。図に示すように、零点周波数は、信号の立ち上がりが開始される周波数となる。
ここで、
FZHP_15=1/(2π×RE×(Cp+CHF_15))
FZHP_0=1/(2π×RE×(Cp+CHF_0))
CHF_15>CHF_0
である。REは抵抗406K,407Kの抵抗値である。
図5Bは、図2の等化器の零点周波数による出力端子の利得を模式的に示したグラフ図である。等化器の上限利得設定時の利得の周波数特性1003Kと、等化器の下限利得設定時の信号電流の周波数特性1004Kが示されている。また、上限利得設定時の零点周波数FZHP_15と、下限利得設定時の零点周波数FZHP_0が示されている。
図5Aに示すように、負荷抵抗(RL)411K,412Kに流れる信号電流は、零点周波数から増加し始める。ここで上限利得設定時の利得を確保しようと、零点生成回路の容量素子サイズを増加させたり、もしくは零点生成単位回路のブロック数を多くしたりすると、接続配線長が増加し寄生容量Cが増加し、下限利得設定時に寄生容量Cが支配的となる。したがって、下限利得設定時に零点周波数FZHP_0を高周波側にシフトさせることができなくなる。これにより、図5Bの出力端子における利得特性は、所望の周波数(例えばPCIe 5.0のナイキスト周波数16GHz)において、上限利得設定時には所望利得を確保できるが、下限利得設定時に所望利得まで下げられない課題がある。
図6はエミッタノード配線415、416の寄生容量Cに対する16GHzにおける下限利得設定時の等化利得を示している。この結果に示す通り、寄生容量Cの影響が非常に大きいことが確認できる。
一方、図1に示した本発明の実施の形態1に記載の等化器400は、差動対、零点生成回路を、抵抗406、407、424、425に2分割して配置接続することで、まずエミッタノード配線415、416、427、428に流れる電流を図2の回路の1/2にできるので、配線幅Wも1/2にすることができる。また、図2の回路と同じ直流動作点を確保するため抵抗406、407、424、425の抵抗値は406K、407Kの2倍の2REとなる。抵抗値は2倍となるが、電流が半分となっているため抵抗幅も1/2となり抵抗の面積も1/2となる。
図7に図1の等化器400の零点生成回路901の一例を示す。図1の等化器400が備える2つの零点生成回路901のうち一つのみを示している。
いま、図1の実施例の等化器と図2の比較例の等化器で、同一の零点周波数を確保したいとする。この場合、図7に示す実施例の零点生成単位回路909の容量値は、図3に示す比較例の零点生成単位回路909Kの容量値の半分になる。すなわち、同一の零点周波数を確保するときには、図7に示すように、容量904、905の容量値は半分のC/2となる。
これにより、零点生成単位回路909の物理サイズを半分にすることができ、それぞれのエミッタ配線長Wも図2の等化器400Kの半分となり、W/2となる。
図8は図7の零点生成回路901のチップレイアウトを模式的に示したものである。ここで、Wはエミッタノード配線415、416の配線幅であり、Lはエミッタノード配線415、416の配線長を、図4と対比してそれぞれ示している。
図8に示す本発明の実施の形態1のエミッタノードを示すレイアウトの通り、図2の比較例の等化器400Kと比較して、エミッタ配線幅Wは1/2、エミッタ配線幅Lは1/2となり、エミッタ配線面積はWL/4となり、結果としてエミッタノード配線寄生容量441はC/4とすることができる。
なお、図1に示すとおり、実施例の構成では零点生成回路901は2つあるので、実際のレイアウトでは、図8に示すレイアウトが並置されることになる。例えば、第1~第4のバイポーラトランジスタ404,405,422,423のエミッタノード配線415,416,427,428がレイアウト配置上で、任意の方向から第1のバイポーラトランジスタのエミッタノード配線415、第2のバイポーラトランジスタのエミッタノード配線416、第3のバイポーラトランジスタトランジスタのエミッタノード配線427、第4のバイポーラトランジスタのエミッタノード配線428の順で配置する。
図9Aおよび図9Bは、実施の形態1に係る等化器の零点周波数による信号電流及び出力端子の利得を模式的に示したグラフ図である。
図9Aは、図1の等化器の零点周波数による信号電流を模式的に示したグラフ図である。上限利得設定時の信号電流の周波数特性1001と下限利得設定時の信号電流の周波数特性1002が示されている。また、比較のために図5Aの比較例の下限利得設定時の信号電流の周波数特性1002Kが点線で示されている。また、上限利得設定時の零点周波数FZHP_15と、下限利得設定時の零点周波数FZHP_0が示されている。
ここで、図2の比較例の等化器400Kと比べると、寄生容量がC/4であるから、
FZHP_15=1/(2π×RE×(Cp/4+CHF_15))
FZHP_0=1/(2π×RE×(Cp/4+CHF_0))
CHF_15>CHF_0
である。REは抵抗406,407の抵抗値である。
図9Bは、図1の等化器の零点周波数による出力端子の利得を模式的に示したグラフ図である。等化器の上限利得設定時の利得の周波数特性1003と、等化器の下限利得設定時の利得の周波数特性1004が示されている。また、比較のために図5Bの比較例の下限利得設定時の利得の周波数特性1004Kが点線で示されている。また、上限利得設定時の零点周波数FZHP_15と、下限利得設定時の零点周波数FZHP_0が示されている。
図9Aおよび図9Bに示す通り、配線寄生容量をC/4としたことで、下限利得設定時の零点周波数は1/(2π×RE×(Cp/4+CHF_0))とすることができ、図9Aに示すように零点周波数を従来回路よりも高周波側にシフトさせることができる。このため、図9Bに示すように、出力端子における所望周波数(例えば16GHz)の下限利得設定時の利得を従来回路よりも下げることが可能となる。また、上限利得設定時の零点周波数についても1/(2π×RE×(Cp/4+CHF_15))となり、寄生容量低減が反映されるが、CP/4<<CHF_15が成立するため、最大等化利得への影響は軽微である。
図10、図11はそれぞれ比較例の等化器と本発明の実施の形態1による等化器の利得設定を下限利得設定から上限利得設定に調整した場合のシミュレーション結果を示している。
図10に示す比較例の等化器400Kでは、16GHzにおける下限利得設定時の等化利得は11.2dB、上限利得設定時は23dBとなり、可変利得範囲は11.8dBとなっている。
図11に示す、本発明の実施の形態1による等化器400は、16GHzにおける下限利得設定時の等化利得は8.4dB、上限利得設定時は24.4dBとなり、可変利得範囲は16dBとなっている。この結果より、本発明の実施の形態1の等化器400は、比較例の等化器400Kと比較して、下限利得設定所の利得を2.8dB低く設定することができ、その結果可変利得範囲についても4.8dB広げられることが確認できた。
また、本発明の実施の形態1は、2つの差動対の極性の同じコレクタ端子同士が接続され、コレクタ端子は、第5、6のバイポーラトランジスタ409、410のエミッタ端子に接続されており、コレクタノードの配線面積が増加し、それによるコレクタノードの寄生容量が増加するが、第5、6のバイポーラトランジスタはカスコード増幅器の構成となっているため、寄生容量の影響は少なく高周波特性に対する悪影響は小さい。
図12は、実施の形態1に係る等化器の零点生成回路の他の一例を示す回路図である。等化器400を構成する零点生成単位回路の構成素子は容量904,905のみでなく、図12に示すような容量と抵抗907,908の組み合わせを用いても良い。
後の実施例で説明するように、周波数特性の異なる零点生成回路が混在する構成では、ある零点生成回路の零点生成単位回路を図7の構成とし、他の零点生成回路の零点生成単位回路を図12のように構成することも可能である。
図13のレイアウトイメージ図に示す通り、2つの差動対のエミッタ配線同士を図のように極性が同じになるように配置すること、寄生容量の影響をさらに軽減させることができる。
このレイアウトでは、第1~第4のバイポーラトランジスタ404,405,422,423のエミッタノード配線415,416,427,428がレイアウト配置上で、任意の方向から第1のバイポーラトランジスタのエミッタノード配線415、第2のバイポーラトランジスタのエミッタノード配線416、第4のバイポーラトランジスタトランジスタのエミッタノード配線428、第3のバイポーラトランジスタのエミッタノード配線427の順で配置される。
図14に示すように負荷抵抗411、412にそれぞれインダクタ442、443を接続することで、出力端子420、421の寄生容量や負荷となる容量成分をキャンセルすることができ、より高周波側のピーク利得を確保することが可能となる。また、零点生成回路901の切替スイッチを制御する制御信号418、419は別々の制御信号となっているが、同一の信号としても良い。同一の制御信号とすることで、2つの差動対の回路特性がより一致するため、特に大信号時の飽和特性が向上する。
また、本発明の実施の形態1では、バイポーラトランジスタでの説明としたが、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を用いても同様な効果を得られる。また、本発明の実施の形態1では、差動対、零点生成回路910を2分割する構成としたが、3分割、4分割としても同様の効果を得られるのは言うまでもない。
以上の説明により、本発明の実施の形態1によれば、下限利得設定時の最小等化利得を下げることが可能となり、結果として広い可変利得範囲を有し、様々な配線長のボード上やケーブル等の通信媒体の等化を実現可能な等化器を提供することができる。
図15に実施の形態2による等化器400-2の回路図を示す。図1の等化器400と同様の構成は同じ符号をつけ、主に相違点を説明する。図15の等化器400-2では、2つの差動対のそれぞれのエミッタノード配線415-416間および427-428間に、第1の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路901a、901bと、第2の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路902a、902bが接続されている。
第1の周波数帯の零点生成回路901aと901bは同一のピーク特性を持ち、零点生成回路901aと901bは制御信号418、419によってピーク特性が調整可能である。第2の周波数帯の零点生成回路902aと902bは同一のピーク特性を持ち、零点生成回路902aと902bは制御信号432、433によってピーク特性が調整可能である。
本実施の形態2では、第1の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路901、第2の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路902が接続されており、それぞれの周波数帯で独立に等化利得の設定が可能となることで、実施の形態1の広い可変利得範囲とともに、広い周波数帯を補償可能となり、様々な配線長のボード上やケーブル等の通信媒体の等化を実現可能な等化器を提供することが可能となる。
図16に実施の形態3における等化器400-3の回路図を示す。図1の等化器400と同様の構成は同じ符号をつけ、主に相違点を説明する。図16の等化器400-3では、共通のベース入力端子を有する第1~4および第7、8の6つのバイポーラトランジスタ404、405、422、423、434、435から構成される3つの差動対を持つ。第3の差動対のためにバイアス電流源438がある。
3つの差動対の中で、2つの差動対ではそれぞれのエミッタノード配線415-416間および427-428間、に、抵抗406、407、424、425および第1の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路901a、901bが接続される。
3つの差動対の中で残りの1つの差動対は、エミッタ端子439-440間に抵抗素子436、437、および第2の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路903が接続されている。
3つの差動対のそれぞれ極性の同じコレクタ端子同士が配線429、430で接続される。これらのコレクタ端子は、図1の例と同様に、第5、6のバイポーラトランジスタ409、410のエミッタ端子に接続される。第1の周波数帯の零点生成回路901a、901bは同一のピーク特性を持ち、零点生成回路901は制御信号418、419によってピーク特性が調整可能である。第2の周波数帯の零点生成回路903は制御信号490によってピーク特性が調整可能である。
本実施の形態3では、第1の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路901、第2の周波数帯の零点周波数を有する零点生成回路903が別々の差動対にて実現されているため、第1の周波数帯が高周波等化用とすると、第2の実施の形態より接続される素子数が削減可能なため、実施の形態2の等化器より高周波帯にてより広い可変範囲を確保可能となる。
実施例1~3に記載した等化器を採用した等化装置について説明する。
図17に示すように、実施の形態4における等化装置1100は、実施の形態1、2、3に記載の等化器400を少なくとも1つ以上有し、最終段には等化装置1100の後段にボード上配線やケーブル等の通信媒体を介して接続される受信LSIの入力インピーダンスを駆動するためのドライバ回路1201を有している。本実施の形態4における等化装置1100の役割を以下に説明する。
図18は、データ信号を送信する送信LSI100と通信データを伝送するボード上配線やケーブル等の通信媒体300、データ信号を受信する受信LSI200からなる通信装置を示している。
図19は、通信媒体300における損失の周波数特性を示すグラフ図である。ここで受信LSI200の受信端におけるデータ信号は、上記通信媒体300の損失により、図19に示す通り周波数依存性を持った損失が発生している。
図20のように通信媒体300の後段に等化装置1100を挿入することで、図21に示す通り、通信媒体300の損失を等化補償することができる。これにより、等化装置1100の後段にさらに通信媒体301を介してして受信LSIに接続でき、結果として送信LSIと受信LSIとの通信距離を延長することが可能となる。つまり実施の形態4の等化装置1100の追加により通信距離を延長させる通信システムを可能となる。
たとえば、図1に示した等化器400を等化装置1100に採用した場合、等化装置1100は、通信媒体300を経由して送信される差動信号P,Nを入力する差動信号入力端子(図示せず)を備える。差動信号入力端子から入力される差動信号P,Nは、等化器400のベース入力端子413、414に入力される。そして、等化器400で処理された信号は、出力端子(OUTP,OUTN)420、421(バイポーラトランジスタ409、410のコレクタ端子)を経て、等化装置1100の差動信号出力端子(図示せず)から出力される構成となる。
図22に示すように、実施の形態5における等化装置1200は、実施の形態1、2、3に記載の等化器400、DFE(Decision Feedback Equalizer)500、CDR(Clock Data Recovery)600、信号処理部700、FFE(Feed Forward Equalizer )800から構成される。このような構成の下、入力データ信号を等化し、等化した受信信号を信号処理部700で処理した後、信号処理データをFFE800を介して出力する。
等化器400は、受信データ信号を等化し、DFE500は等化器400の出力信号をCDR600からの受信クロックのタイミングで等化し、受信データを出力する。DFE500はADC(Analog to Digital Converter)が含まれる場合もある。CDR600はDFE500で処理された受信データを受け取り、クロックのタイミングを調整した受信クロックと送信クロックを生成する。信号処理部700で処理されたデータ信号は、送信クロックのタイミングでFFE800にて等化されて送信データとして出力される。本実施の形態5の等化装置1200は、図18に記載の通信システムにおける等化装置1100や、送信LSI100の送信部、受信LSI200の受信部として使用することができ、結果として、広い可変利得範囲を有し、様々な配線長のボード上やケーブル等の通信媒体の等化を実現可能な等化装置を提供することができる。
400 等化器
404 第1のバイポーラトランジスタ
405 第2のバイポーラトランジスタ
409 カスコード増幅器を構成する第5のバイポーラトランジスタ
410 カスコード増幅器を構成する第6のバイポーラトランジスタ
411 第1の負荷抵抗
412 第2の負荷抵抗
418 第1の零点生成回路の制御信号
420 等化器の正側出力端子
421 等化器の負側出力端子
422 第3のバイポーラトランジスタ
423 第4のバイポーラトランジスタ
434 第7のバイポーラトランジスタ
435 第8のバイポーラトランジスタ
441 エミッタノード配線寄生容量
901、902、903:零点生成回路
909:零点生成単位回路
1100、1200:等化装置

Claims (14)

  1. 通信媒体を伝送してきた信号が入力される等化器であって、
    第1のトランジスタと第2のトランジスタから構成される第1の差動対と、第3のトランジスタと第4のトランジスタから構成される第2の差動対を有し、
    第1のトランジスタの第1端子と第3のトランジスタの第1端子が接続され、第2のトランジスタの第1端子と第4のトランジスタの第1端子が接続されることで、前記第1の差動対と前記第2の差動対は共通の入力端子を有し、
    前記第1、2、3、4のトランジスタの第2端子にはそれぞれ抵抗が接続され、
    前記第1のトランジスタの第2端子と前記第2のトランジスタの第2端子間には第1の零点生成回路が接続され、前記第3のトランジスタの第2端子と前記第4のトランジスタの第2端子間には第2の零点生成回路が接続され、
    前記第1の零点生成回路と前記第2の零点生成回路は同一のピーク特性を持つことを特徴とする等化器。
  2. 請求項1に記載の等化器であって、
    第5のトランジスタと第6のトランジスタを備え、
    前記第1のトランジスタの第3端子と前記第3のトランジスタの第3端子同士が接続され、かつ前記第5のトランジスタの第2端子と接続され、
    前記第2のトランジスタの第3端子と前記第4のトランジスタの第3端子同士が接続され、かつ前記第6のトランジスタの第2端子に接続され、
    前記第5、第6のトランジスタは所定のバイアス電圧が印加され、前記第5のトランジスタの第3端子は第1の抵抗で構成される負荷に接続され、前記第6のトランジスタの第3端子は第2の抵抗で構成される負荷に接続され、前記第5のトランジスタの第3端子と前記第6のトランジスタの第3端子とが出力端子となることを特徴とする等化器。
  3. 請求項2に記載の等化器であって、
    前記第1の零点生成回路と前記第2の零点生成回路のそれぞれは、1つ以上の零点生成単位回路から構成され、
    前記零点生成単位回路のそれぞれは、容量素子とスイッチ素子から構成され、
    前記零点生成単位回路のスイッチ素子を制御信号で断続することで、前記第1の零点生成回路と前記第2の零点生成回路の零点周波数の切り替えを可能とすることを特徴とする等化器。
  4. 請求項2に記載の等化器であって、
    前記第1の零点生成回路と前記第2の零点生成回路のそれぞれは、1つ以上の零点生成単位回路から構成され、
    前記零点生成単位回路のそれぞれは、容量素子と抵抗素子とスイッチ素子から構成され、
    前記零点生成単位回路のスイッチ素子を制御信号で断続することで、前記第1の零点生成回路と前記第2の零点生成回路の零点周波数の切り替えを可能とすることを特徴とする等化器。
  5. 請求項2に記載の等化器であって、
    前記第1の差動対の第2端子間には第1の周波数帯を等化する前記第1の零点生成回路と、前記第1の周波数帯とは異なる周波数帯を等化するための少なくとも1つ以上の第3の零点生成回路が接続され、
    前記第2の差動対の第2端子間には第1の周波数帯を等化する前記第2の零点生成回路と、前記第1の周波数帯とは異なる周波数帯を等化するための少なくとも1つ以上の第4の零点生成回路が接続され、
    前記第3の零点生成回路と前記第4の零点生成回路は同一のピーク特性を持つことを特徴とする等化器。
  6. 請求項5に記載の等化器であって、
    前記第1の零点生成回路、前記第2の零点生成回路、前記第3の零点生成回路、前記第4の零点生成回路のそれぞれは、1つ以上の零点生成単位回路から構成され、
    前記零点生成単位回路のそれぞれは、容量素子とスイッチ素子から構成され、
    前記零点生成単位回路のスイッチ素子を制御信号で断続することで、前記第1の零点生成回路、前記第2の零点生成回路、前記第3の零点生成回路、前記第4の零点生成回路のそれぞれの零点周波数の切り替えを可能とすることを特徴とする等化器。
  7. 請求項1に記載の等化器であって、
    第7のトランジスタと第8のトランジスタから構成される第3の差動対を有し、
    前記第1のトランジスタの第1端子と前記第3のトランジスタの第1端子と前記第7のトランジスタの第1端子が接続され、前記第2のトランジスタの第1端子と前記第4のトランジスタの第1端子と前記第8のトランジスタの第1端子が接続されることで、前記3つの差動対は共通の入力端子を有し、
    前記第1、2、3、4、7、8のトランジスタの第2端子にはそれぞれ抵抗が接続され、
    第1の差動対の第2端子間には第1の周波数帯を等化する前記第1の零点生成回路が接続され、
    第2の差動対の第2端子間には第1の周波数帯を等化する前記第2の零点生成回路が接続され、
    第3の差動対の第2端子間には前記第1の周波数帯とは異なる周波数帯を等化するための少なくとも1つ以上の第5の零点生成回路が接続され、
    前記第1の零点生成回路と前記第2の零点生成回路は同一のピーク特性を持つことを特徴とする等化器。
  8. 請求項7に記載の等化器であって、
    第5のトランジスタと第6のトランジスタを備え、
    前記第1のトランジスタの第3端子と前記第3のトランジスタの第3端子と前記第7のトランジスタの第3端子同士が接続され、かつ前記第5のトランジスタの第2端子と接続され、
    前記第2のトランジスタの第3端子と前記第4のトランジスタの第3端子と前記第8のトランジスタの第3端子同士が接続され、かつ前記第6のトランジスタの第2端子と接続され、
    前記第5、第6のトランジスタは所定のバイアス電圧が印加され、
    前記第5のトランジスタの第3端子は第1の抵抗で構成される負荷に接続され、前記第6のトランジスタの第3端子は第2の抵抗で構成される負荷に接続され、前記第5のトランジスタの第3端子と前記第6のトランジスタの第3端子とが出力端子となることを特徴とする等化器。
  9. 請求項8に記載の等化器であって、
    前記第1の零点生成回路、前記第2の零点生成回路、前記第5の零点生成回路のそれぞれは、1つ以上の零点生成単位回路から構成され、
    前記零点生成単位回路のそれぞれは、容量素子とスイッチ素子から構成され、
    前記零点生成単位回路のスイッチ素子を制御信号で断続することで、前記第1の零点生成回路、前記第2の零点生成回路、前記第5の零点生成回路のそれぞれの零点周波数の切り替えを可能とすることを特徴とする等化器。
  10. 請求項2に記載の等化器であって、
    前記第5のトランジスタの第3端子に接続される抵抗には直列インダクタが付加されており、
    前記第6のトランジスタの第3端子に接続される抵抗には直列インダクタが付加されていることを特徴とする等化器。
  11. 請求項8に記載の等化器であって、
    前記第5のトランジスタの第3端子に接続される抵抗には直列インダクタが付加されており、
    前記第6のトランジスタの第3端子に接続される抵抗には直列インダクタが付加されていることを特徴とする等化器。
  12. 請求項1に記載の等化器であって、
    第1~第4のトランジスタの第2端子の配線がレイアウト配置上で、任意の方向から第1のトランジスタの第2端子配線、第2のトランジスタの第2端子配線、第4のトランジスタの第2端子配線、第3のトランジスタの第2端子配線の順で配置されていることを特徴とする等化器。
  13. 請求項1に記載の等化器であって、
    トランジスタがバイポーラトランジスタまたはMOSトランジスタで構成されており、
    トランジスタがバイポーラトランジスタである場合には、前記第1端子はベース端子、前記第2端子はエミッタ端子、第3端子はコレクタ端子であり、
    トランジスタがMOSトランジスタである場合には、前記第1端子はゲート端子、前記第2端子はソース端子、第3端子はドレイン端子であることを特徴とする等化器。
  14. 請求項1~13のうちいずれかに記載した等化器を少なくとも1つ以上備える、等化装置。
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