JP5308243B2 - 可変ゲイン回路 - Google Patents
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Description
図1により、本発明の実施の形態1に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図1は本発明の実施の形態1に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
図2により、本発明の実施の形態2に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図2は本発明の実施の形態2に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
図3により、本発明の実施の形態3に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図3は本発明の実施の形態3に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
図4により、本発明の実施の形態4に係る可変ゲイン回路の構成および動作について説明する。図4は本発明の実施の形態4に係る可変ゲイン回路の構成を示す回路図である。
実施の形態5は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を適用したLSI間伝送システムの一例である。
実施の形態6は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を適用したSerDesの一例である。
実施の形態7は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を適用した光モジュールの一例である。
実施の形態8は、実施の形態1の可変ゲイン回路112を入力回路に持つSerDesを搭載したルータの一例である。
Claims (5)
- ソースが共通の入力に接続された第1と第2のトランジスタと、
前記第1と第2のトランジスタのそれぞれに負荷として接続された抵抗またはPMOSで構成されたアクティブ負荷と、
前記第1と第2のトランジスタのゲートのそれぞれに入力信号を増幅した信号を印加するための第1と第2のアンプと、
ゲイン設定に応じて、前記第1と第2のトランジスタのゲートのそれぞれに、前述アンプまたはグランド電位を選択して接続する第1と第2のスイッチと、
前記共通の入力に接続される電流源とを備え、
前記第1のスイッチが前記第1のアンプに接続されるときは前記第2のスイッチはグランド電位に接続され、
前記第1のスイッチが前記グランド電位に接続されるときは前記第2のスイッチは前記第2のアンプに接続されることを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項1記載の可変ゲイン回路において、
前記第1および第2のトランジスタの数を足し合わせると、前記アンプに接続されたトランジスタが常に同数となるように前記第1および第2のスイッチを制御することを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項1記載の可変ゲイン回路において、
前記電流源の電流量を可変させて入力抵抗を可変させる、前記第1と第2のアンプのゲインを可変させて入力抵抗を可変させる、または前記電流源の電流量と前記第1と第2のアンプのゲインの両方を可変させて入力抵抗を可変させることを特徴とする可変ゲイン回路。 - ソースが共通の入力に接続された第1、第2、第3のトランジスタと、
前記第1、第2、第3のトランジスタのそれぞれに負荷として接続された抵抗またはPMOSで構成されたアクティブ負荷と、
前記第1、第2、第3のトランジスタのゲートのそれぞれに対応した、入力信号を増幅した信号を印加するための第1、第2、第3のアンプと、
前記第1、第2、第3のトランジスタのゲートのそれぞれにバイアス電圧として印加されるための電圧源と、
ゲイン設定に応じて、前記第1と第2と第3のトランジスタのゲートのそれぞれに、前記電圧源、前記第1と第2と第3のアンプ、またはグランド電位を選択して接続する第1と第2と第3のスイッチと、
前記共通の入力に接続される可変電流源とを備え、
前記第1と第2と第3のスイッチは、2つが同時に同一の状態をとり、残り1つが別の状態を取るようにスイッチすることを特徴とする可変ゲイン回路。 - 請求項4記載の可変ゲイン回路において、
前記グランド電位に接続されていない前記第1と第2と第3のトランジスタを足し合わせた数、前記第1と第2と第3のトランジスタのゲートに接続された前記アンプのゲイン、および前記可変電流源の電流量を制御し、入力抵抗を一定に制御することを特徴とする可変ゲイン回路。
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