JP7143004B2 - 半導体接着用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法 - Google Patents

Description

関連出願との相互引用
本出願は２０１８年１１月１４日付韓国特許出願第１０－２０１８－０１３９９００号および２０１９年１０月２４日付韓国特許出願第１０－２０１９－０１３３０４９号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。

本発明は、常温で保管安定性と、半導体に対する埋立特性および接着力に優れ、向上した熱伝導特性を実現することができる半導体接着用樹脂組成物、これから得られる半導体用接着フィルム、およびこれを用いたダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法に関するものである。

最近、電子機器の小型化、高機能化、大容量化の傾向が強まり、これによる半導体パッケージの高密度化、高集積化に対する必要性が急激に高まることによって半導体チップの大きさがますます大きくなっており、集積度面でも改善するためにチップを多段に積層するスタックパッケージ方法が次第に増加している。

このように多段の半導体スタックパッケージの使用によってチップの厚さは薄くなり回路の集積度は高まっているが、チップ自体のモジュラスは低下して製造工程や最終製品の信頼性に問題点を引き起こしている。このような問題点を解決するために、半導体パッケージング過程に使用される接着剤の物性を強化する方法が試みられてきた。

また、最近、半導体チップの厚さが薄くなることによって既存のブレード切削過程でチップが損傷して収率が低下する問題があり、これを解決するためにブレードで先ず半導体チップを切削した後に研磨する製造過程が提示されている。このような製造過程で接着剤は分断されていないのでレーザを用いて接着剤を切断した後、低温で基材フィルムのエキスパンディング過程を通じて分断している。また、最近は、チップ上の回路を保護するためにレーザを用いず、ただ低温エキスパンディング過程と熱収縮過程を通じて接着剤を分断する工程を適用している。

一方、最近、電子機器および電子部品が軽薄短小化される傾向により電気素子の集積度が高まっており、電気エネルギーで作動する電気素子の発熱量も大きく増加している。これにより、電子機器内部で発生した熱を効果的に分散して発散させる放熱特性の向上に対する要求が高まっている。

しかし、これまでに開発された放熱接着素材の場合、強い反応性によって常温保管時に放熱接着素材自体またはダイシングテープとの反応が自発的に起こることによって、放熱接着素材の粘度が上昇し、ダイシングテープとの接着力が増加するという限界があった。

放熱接着素材とダイシングテープとの接着力が増加する場合、半導体ウエハーマウンティング（Ｗａｆｅｒ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ）およびＵＶ照射後にＣｈｉｐをＰｉｃｋ－ｕｐする工程でＰｉｃｋ－ｕｐが行われないため、半導体後続工程を行うことができない。
放熱接着素材の粘度が上昇する場合、半導体ウエハーとのＷｅｔｔｉｎｇ性が低下する一方で放熱ＦＯＤ（Ｆｉｌｌ Ｏｖｅｒ Ｄｉｅ）の場合、重要な埋立特性が顕著に減少する問題も発生した。

よって、最適水準の粘度と接着力の確保によって常温での保管安定性実現が可能であり、優れた熱伝導特性を実現することができる半導体接着用樹脂組成物の開発が要求されている。

本発明は、常温で保管安定性と、半導体に対する埋立特性および接着力に優れ、向上した熱伝導特性を実現することができる半導体接着用樹脂組成物に関するものである。
また、本発明は、前記の半導体接着用樹脂組成物を用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、および半導体ウエハーのダイシング方法を提供するためのものである。

前記課題を解決するために、本明細書では、（メタ）アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むバインダー樹脂；硬化剤；下記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー；およびイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒；を含む、半導体接着用樹脂組成物を提供する。

上記化学式１中、Ｚは炭素数６～３０のアリール、エポキシ、（メタ）アクリロイルオキシ、炭素数２～４０のアルケニル、炭素数８～４０のアルケニルアリール、炭素数１～２０のアルキルのうちの一つであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。

本明細書ではまた、（メタ）アクリレート系樹脂、硬化剤およびエポキシ樹脂を含む高分子基材；前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー；およびイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒；を含み、前記高分子基材に放熱フィラーと硬化触媒が分散された半導体用接着フィルムが提供される。

本明細書ではまた、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成され、前記半導体用接着フィルムを含む接着層；を含む、ダイシングダイボンディングフィルムが提供される。

本明細書ではまた、前記ダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハーを含む半導体ウエハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階；および前記前処理した半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断によって分離された個別チップなどをピックアップする段階；を含む、半導体ウエハーのダイシング方法が提供される。

以下、発明の具体的な実施形態による半導体接着用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法についてより詳細に説明する。

本明細書において、特別な制限がない限り、次の用語は下記のように定義することができる。
本明細書において、（メタ）アクリルは、アクリルまたはメタクリルを全て意味する。
本明細書において、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

本明細書において、置換基の例示は以下で説明するが、これに限定されるのではない。
本明細書において、“置換”という用語は化合物内の水素原子の代わりに他の官能基が結合することを意味し、置換される位置は水素原子が置換される位置、即ち、置換基が置換可能な位置であれば限定されず、２以上置換される場合、２以上の置換基は互いに同一であるか異なってもよい。

本明細書において、“非置換または置換された”という用語は、重水素；ハロゲン基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシ基；カルボニル基；エステル基；イミド基；アミド基；１次アミノ基；カルボキシ基；スルホン酸基；スルホンアミド基；ホスフィンオキシド基；アルコキシ基；アリールオキシ基；アルキルチオキシ基；アリールチオキシ基；アルキルスルホキシ基；アリールスルホキシ基；シリル基；ホウ素基；アルキル基；シクロアルキル基；アルケニル基；アリール基；アラルキル基；アラルケニル基；アルキルアリール基；アルコキシシリルアルキル基；アリールホスフィン基；またはＮ、ＯおよびＳ原子のうちの１つ以上を含むヘテロ環基からなる群より選択された１つ以上の置換基で非置換または置換されるか、前記例示された置換基のうちの２以上の置換基が連結され、非置換または置換されたことを意味する。例えば、“２以上の置換基が連結された置換基”はビフェニル基であってもよい。即ち、ビフェニル基はアリール基であってもよく、２個のフェニル基が連結された置換基と解釈することもできる。

本明細書において、

または

は他の置換基に連結される結合を意味し、直接結合はＬで表示される部分に別途の原子が存在しない場合を意味する。

本明細書において、アルキル基はアルカン（ａｌｋａｎｅ）に由来した１価の官能基であって、直鎖または分枝鎖であってもよく、前記直鎖アルキル基の炭素数は特に限定されないが、１～２０であるのが好ましい。また、前記分枝鎖アルキル基の炭素数は３～２０である。アルキル基の具体的な例としては、メチル、エチル、プロピル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、１－メチル－ブチル、１－エチル－ブチル、ペンチル、ｎ－ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ－ペンチル、ヘキシル、ｎ－ヘキシル、１－メチルペンチル、２－メチルペンチル、４－メチル－２－ペンチル、３，３－ジメチルブチル、２－エチルブチル、ヘプチル、ｎ－ヘプチル、１－メチルヘキシル、オクチル、ｎ－オクチル、ｔｅｒｔ－オクチル、１－メチルヘプチル、２－エチルヘキシル、２－プロピルペンチル、ｎ－ノニル、２，２－ジメチルヘプチル、１－エチル－プロピル、１，１－ジメチル－プロピル、イソヘキシル、２－メチルペンチル、４－メチルヘキシル、５－メチルヘキシル、２，６－ジメチルヘプタン－４－イルなどがあるが、これらに限定されない。前記アルキル基は非置換または置換されてもよく、置換される場合、置換基の例示は上述の通りである。
本明細書において、アルコキシ基はエーテル基（－Ｏ－）の一末端に前述のアルキル基が結合した官能基であって、これらはエーテル基（－Ｏ－）と結合された官能基であることを除いては、前述のアルキル基の説明を適用することができる。例えば、直鎖、分枝鎖または環鎖であってもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数１～２０であるのが好ましい。具体的に、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、イソプロポキシ、ｉ－プロピルオキシ、ｎ－ブトキシ、イソブトキシ、ｔｅｒｔ－ブトキシ、ｓｅｃ－ブトキシ、ｎ－ペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ｎ－ヘキシルオキシ、３，３－ジメチルブチルオキシ、２－エチルブチルオキシ、ｎ－オクチルオキシ、ｎ－ノニルオキシ、ｎ－デシルオキシ、シクロヘプトキシ、ベンジルオキシ、ｐ－メチルベンジルオキシなどがあるが、これに限定されない。前記アルコキシ基は非置換または置換されてもよく、置換される場合、置換基の例示は上述の通りである。

本明細書において、アリール基は、アレーン（ａｒｅｎｅ）に由来した１価の官能基であって、特に限定されないが、炭素数６～２０であるのが好ましく、単環式アリール基または多環式アリール基であってもよい。前記アリール基が単環式アリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基などであってもよいが、これに限定されるのではない。前記多環式アリール基としてはナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ピレニル基、ペリレニル基、クリセニル基、フルオレニル基などであってもよいが、これに限定されるのではない。前記アリール基は非置換または置換されてもよく、置換される場合、置換基の例示は上述の通りである。

本明細書において、前記アルケニル基はアルケン（ａｌｋｅｎｅ）に由来した１価の官能基であって、直鎖または分枝鎖であってもよく、炭素数は特に限定されないが、２～４０であるのが好ましい。一実施状態によれば、前記アルケニル基の炭素数は２～２０である。また一つの実施状態によれば、前記アルケニル基の炭素数は２～１０である。また一つの実施状態によれば、前記アルケニル基の炭素数は２～６である。具体的な例としては、ビニル、１－プロぺニル、イソプロぺニル、１－ブテニル、２－ブテニル、３－ブテニル、１－ペンテニル、２－ペンテニル、３－ペンテニル、３－メチル－１－ブテニル、１，３－ブタジエニル、アリル、１－フェニルビニル－１－イル、２－フェニルビニル－１－イル、２，２－ジフェニルビニル－１－イル、２－フェニル－２－（ナフチル－１－イル）ビニル－１－イル、２，２－ビス（ジフェニル－１－イル）ビニル－１－イル、スチルベニル基、スチレニル基などがあるが、これらに限定されない。前記アルケニル基は非置換または置換されてもよく、置換される場合、置換基の例示は上述の通りである。

本明細書において、アルキレン基はアルカン（ａｌｋａｎｅ）に由来した２価の官能基であって、これらは２価の官能基であることを除いては、前述のアルキル基の説明を適用することができる。例えば、直鎖型、または分枝型であって、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基などであってもよい。前記アルキレン基は非置換または置換されてもよく、置換される場合、置換基の例示は上述の通りである。

本明細書において、アルキレンオキシ基は前述のアルキレン基の一末端にエーテル（－Ｏ－）基が結合した官能基であって、前記アルキレン基に関する説明を適用することができる。

本明細書において、アルキレンオキシアルキレン基は前述のアルキレンオキシ基の末端酸素原子にアルキレン基が結合した官能基であって、前記アルキレン基、アルキレンオキシ基に関する説明を適用することができる。

本明細書において、アルケニルアリール基は前述のアリール基の一末端にアルケニル基が結合した官能基であって、前記アリール基、アルケニル基に関する説明を適用することができる。

本明細書において、直接結合または単一結合は、該当位置にいかなる原子または原子団も存在せず、結合線で連結されることを意味する。具体的に、化学式中のＬ_１、Ｌ_２で表される部分に別途の原子が存在しない場合を意味する。

本明細書において、重量平均分子量はＧＰＣ法によって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。前記ＧＰＣ法によって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量を測定する過程では、通常知られた分析装置と示差屈折検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）などの検出器および分析用カラムを使用することができ、通常適用される温度条件、溶媒、ｆｌｏｗ ｒａｔｅを適用することができる。前記測定条件の具体的な例を挙げれば、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ ＰＬｇｅｌ ＭＩＸ－Ｂ ３００ｍｍの長さカラムを用いてＷａｔｅｒｓ ＰＬ－ＧＰＣ２２０機器を用いて、評価温度は１６０℃であり、１，２，４－トリクロロベンゼンを溶媒として使用し、流速は１ｍＬ／ｍｉｎの速度で、サンプルは１０ｍｇ／１０ｍＬの濃度で調製した後、２００μＬの量で供給し、ポリスチレン標準を用いて形成された検定曲線を用いてＭｗの値を求めることができる。ポリスチレン標準品の分子量は、２，０００／１０，０００／３０，０００／７０，０００／２００，０００／７００，０００／２，０００，０００／４，０００，０００／１０，０００，０００の９種を使用した。

以下、本発明をより詳しく説明する。
Ｉ．半導体接着用樹脂組成物
発明の一実施形態によれば、（メタ）アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むバインダー樹脂；硬化剤；前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー；およびイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒；を含む半導体接着用樹脂組成物を提供することができる。

本発明者らは、前記一実施形態の半導体接着用樹脂組成物のように、前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラーと共にイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒を添加することによって、熱伝導度が増加して放熱特性が向上するだけでなく、常温保管時不必要な接着乃至副反応を抑制して優れた保管安定性の達成ができることを実験を通じて確認して発明を完成した。

具体的に、前記放熱フィラーの化学式１構造に導入されたＺ官能基である炭素数６～３０のアリール、エポキシ、（メタ）アクリロイルオキシ、炭素数２～４０のアルケニル、炭素数８～４０のアルケニルアリール、炭素数１～２０のアルキルのうちの一つは、既存放熱フィラーに使用されてきたアミノ基に比べて常温で不必要な接着乃至副反応を起こさない程度に低い水準の反応性を有しているためである。

また、前記放熱フィラーと共に前記硬化触媒としてイミダゾール系化合物および有機酸化合物を共に使用することによって、硬化触媒として作用する前記イミダゾール系化合物と有機酸化合物が反応して前記イミダゾール系化合物を塩（ｓａｌｔ）形態に転換させることによって融点を向上させることができ、反応以後残留するカルボキシ基によってエポキシ樹脂などとの反応性を向上させることができる。

また、特定組成を有する（メタ）アクリレート系樹脂をバインダー樹脂として適用して、向上した硬化物性で半導体チップの信頼性を高めることができ、高い耐熱性および接着力と共に向上した機械的物性を実現するだけでなく、優れた熱伝導特性を実現することができるという点を、実験を通じて確認して発明を完成した。

（１）バインダー樹脂
前記バインダー樹脂は、（メタ）アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むことができる。
具体的に、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と、芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含むことができる。

前記（メタ）アクリレート系樹脂が芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物は含まれる成分間のより高い相溶性および結合力を確保し高い弾性を有することができ、相対的に向上した初期引張モジュラスを有することができる。また、前記（メタ）アクリレート系樹脂が芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含むことによって放熱フィラーの分散性に有利に作用して均一なフィラー分布とともにフィラー充填度を高めることができる。

また、前記（メタ）アクリレート系樹脂がエポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物から合成された半導体用接着フィルムは、より均一で堅固な内部構造を有するようになって、極薄ウエハーの多段積層時、高い耐衝撃性を確保することができ、半導体製造以後、電気的特性を向上させることができる。

前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系官能基の含量が、２重量％～４０重量％、または３重量％～３０重量％、または５重量％～２５重量％であってもよい。前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系官能基の含量が過度に低ければ、前記エポキシ樹脂または硬化剤との相溶性およびフィラーの分散性が増大する効果が微小なこともあり、また、最終的に製造される接着フィルムの吸湿性を低下させる効果が微小である。前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系官能基の含量が過度に高ければ、最終製造される前記半導体用接着フィルムの接着力が低下することがある。

前記芳香族官能基は、炭素数６～２０のアリール基（ａｒｙｌ）；または炭素数６～２０のアリール基および炭素数１～１０のアルキレン基を含むアリールアルキレン基であってもよい。

前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位は、エポキシ炭素数３～２０のシクロアルキルメチル（メタ）アクリレート繰り返し単位を含むことができる。前記“エポキシ炭素数３～２０のシクロアルキルメチル”は、エポキシ基が結合された炭素数３～３０のシクロアルキルがメチル基で置換された構造を意味する。前記エポキシ炭素数３～２０のシクロアルキルメチル（メタ）アクリレートの一例として、グリシジル（メタ）アクリレートまたは３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。

一方、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、反応性官能基を含むビニル系繰り返し単位および炭素数１～１０のアルキル基を含む（メタ）アクリレート系官能基からなる群より選択された１以上の繰り返し単位をさらに含むことができる。

前記反応性官能基は、アルコール、アミン、カルボン酸、エポキシド、イミド、（メタ）アクリレート、ニトリル、ノルボルネン、オレフィン、ポリエチレングリコール、チオールおよびビニル基からなる群より選択された１種以上の官能基を含むことができる。

前記（メタ）アクリレート系樹脂が反応性官能基を含むビニル系繰り返し単位および炭素数１～１０のアルキル基を含む（メタ）アクリレート系官能基からなる群より選択された１以上の繰り返し単位をさらに含む場合、前記（メタ）アクリレート系樹脂は前記エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を０．１重量％～３０重量％、または５重量％～３０重量％、または１０重量％～３０重量％含むことができる。

前記（メタ）アクリレート系樹脂は、－１０℃～２０℃、または－５℃～１５℃、または５℃～１５℃のガラス転移温度を有することができる。また、前記（メタ）アクリレート系樹脂は、３００００ｇ／ｍｏｌ～１５０００００ｇ／ｍｏｌ、または５００００ｇ／ｍｏｌ～８０００００ｇ／ｍｏｌ、または５００００ｇ／ｍｏｌ～２０００００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有することができる。前述のガラス転移温度および重量平均分子量を有する（メタ）アクリレート系樹脂を使用することによって最終製造される半導体用接着フィルムが高い接着力を確保することができ、薄膜フィルムなどの形態に製造するのが容易である。

前記（メタ）アクリレート系樹脂の分子量が過度に低い場合、前記半導体用接着フィルムの形成が容易でなく、裁断性が悪化することがあり、これにより、パッケージ製造過程でピックアップ性が低下することがある。また、前記（メタ）アクリレート系樹脂の分子量が過度に高い場合、前記半導体用接着フィルムの粘度が上昇し、高温の流動性が低下して、ｗａｆｅｒ ｗｅｔｔｉｎｇ性と埋立性が低下し、パッケージ組み立て後にボイドが残存し信頼性を低下させることがある。

前記（メタ）アクリレート系樹脂の水酸基当量が、０．１５ｅｑ／ｋｇ以下、または０．０１ｅｑ／ｋｇ～０．１５ｅｑ／ｋｇ、または０．０１ｅｑ／ｋｇ～０．１０ｅｑ／ｋｇ、または０．０１ｅｑ／ｋｇ～０．０５ｅｑ／ｋｇであってもよい。

一方、前記エポキシ樹脂は、前記半導体接着用樹脂組成物の硬化度調節や接着性能などを高める役割を果たすことができる。

前記エポキシ樹脂の具体的な例としては、ビフェニル系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、４官能性エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択された１種以上の高分子樹脂が挙げられる。

前記エポキシ樹脂の軟化点は、－５０℃～１００℃であってもよい。前記エポキシ樹脂の軟化点が過度に低ければ、前記半導体接着用樹脂組成物の粘着力が高まってダイシング後チップピックアップ性が低下することがあり、前記エポキシ樹脂の軟化点が過度に高ければ、前記半導体接着用樹脂組成物の高温での流動性が低下することがあり、接着力が低下することがある。

また、前記エポキシ樹脂は、ｐａｃｋａｇｅ組み立て過程で十分な流動性を付与するために、軟化点の異なるエポキシ２種以上を組み合わせて使用することが好ましい。

前記エポキシ樹脂のエポキシ当量は、１００ｇ／ｅｑ～３００ｇ／ｅｑであってもよい。

（２）硬化剤
前記硬化剤は、フェノール樹脂を含むことができる。
前記フェノール樹脂は、８０ｇ／ｅｑ～４００ｇ／ｅｑの水酸基当量、または９０ｇ／ｅｑ～２５０ｇ／ｅｑの水酸基当量、または１００ｇ／ｅｑ～１７８ｇ／ｅｑの水酸基当量、または２１０～２４０ｇ／ｅｑ水酸基当量を有することができる。前記フェノール樹脂が前述の水酸基当量範囲を有することによって、低い含量でも硬化度を高めて、優れた接着力の特性を付与することができる。

前記硬化剤は、アミン系硬化剤、および酸無水物系硬化剤からなる群より選択された１種以上の化合物をさらに含むことができる。前記硬化剤の使用量は、最終製造される接着フィルムの物性などを考慮して適切に選択することができ、例えば、前記エポキシ樹脂１００重量部を基準にして、１０重量部～７００重量部、または３０重量部～３００重量部で使用することができる。

（３）放熱フィラー
前記放熱フィラーは、半導体接着用樹脂組成物に使用されて、電気素子などで発生する熱を急速にヒートシンクなどに伝達する作用または効果を発揮することができる。前記放熱フィラーは、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、シリカ、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、および滑石からなる群より選択された１種以上を含むことができる。
前記放熱フィラーは、前記化学式１で表される官能基が表面に導入できる。

前記化学式１で、Ｚは、炭素数６～３０のアリール、エポキシ、（メタ）アクリロイルオキシ、炭素数２～４０のアルケニル、炭素数８～４０のアルケニルアリール、炭素数１～２０のアルキルのうちの一つであってもよい。
前記炭素数６～３０のアリールの例としては、フェニル基などが挙げられる。
前記エポキシの例としては、３－オキシラン－２－イルなどが挙げられる。
前記（メタ）アクリロイルオキシの例としては、メタクリロイルオキシまたはアクリロイルオキシなどが挙げられる。
前記炭素数２～４０のアルケニルの例としては、ビニルなどが挙げられる。
前記炭素数８～４０のアルケニルアリールの例としては、ｐ－スチリルなどが挙げられる。
前記炭素数１～２０のアルキルの例としては、ヘキシルなどが挙げられる。

即ち、前記化学式１で表される官能基は、前記Ｚの種類によって、下記化学式１－１で表される官能基から下記の化学式１－６で表示される官能基を全て含むことができる。

上記化学式１－１中、Ｚ_１は炭素数６～３０のアリールであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。前記化学式１－１中、Ｚ_１に関する内容は前記化学式１のＺと同一であり、Ｌ_１、Ｒ_１およびＲ_２に関する内容は前記化学式１で前述した通りである。より具体的に、前記化学式１－１中、Ｌ_１は炭素数１～２０のアルキレンであってもよい。

上記化学式１－２中、Ｚ_２はエポキシであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。前記化学式１－２中、Ｚ_２に関する内容は前記化学式１のＺと同一であり、Ｌ_１、Ｒ_１およびＲ_２に関する内容は前記化学式１で前述した通りである。より具体的に、前記化学式１－２中、Ｌ_１は炭素数１～２０のアルキレンであってもよい。

上記化学式１－３中、Ｚ_３は（メタ）アクリロイルオキシであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。前記化学式１－３中、Ｚ_３に関する内容は前記化学式１のＺと同一であり、Ｌ_１、Ｒ_１およびＲ_２に関する内容は前記化学式１で前述した通りである。より具体的に、前記化学式１－３中、Ｌ_１は炭素数１～２０のアルキレンであってもよい。

上記化学式１－４中、Ｚ_４は炭素数２～４０のアルケニルであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。前記化学式１－４中、Ｚ_４に関する内容は前記化学式１のＺと同一であり、Ｌ_１、Ｒ_１およびＲ_２に関する内容は前記化学式１で前述した通りである。より具体的に、前記化学式１－４中、Ｌ_１は直接結合であってもよい。

上記化学式１－５中、Ｚ_５は炭素数８～４０のアルケニルアリールであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。前記化学式１－５中、Ｚ_５に関する内容は前記化学式１のＺと同一であり、Ｌ_１、Ｒ_１およびＲ_２に関する内容は前記化学式１で前述した通りである。より具体的に、前記化学式１－５中、Ｌ_１は直接結合であってもよい。

上記化学式１－６中、Ｚ_６は炭素数１～２０のアルキルであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。前記化学式１－６中、Ｚ_６に関する内容は前記化学式１のＺと同一であり、Ｌ_１、Ｒ_１およびＲ_２に関する内容は前記化学式１で前述した通りである。より具体的に、前記化学式１－６中、Ｌ_１は直接結合であってもよい。

即ち、前記放熱フィラー表面に導入された化学式１で表される官能基は、前記化学式１－１～化学式１－６で表される６種の官能基のうちの少なくとも１種以上を含むことができる。

一方、前記化学式１中、Ｌ_１は、直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであってもよい。前記炭素数１～２０のアルキレンの例としては、プロピレンなどが挙げられる。

また、前記化学式１中、Ｒ_１およびＲ_２は互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つであってもよい。

前記化学式１中、Ｒ_１またはＲ_２が直接結合またはオキシ（－Ｏ－）である場合、前記Ｒ_１またはＲ_２は放熱フィラーと結合を形成するか、あるいは隣接の化学式１で表される官能基と結合を形成することができる。

前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラーは、放熱フィラーと下記化学式３で表されるシラン系化合物の反応結果物を含むことができる。

上記化学式３中、Ｚは炭素数６～３０のアリール、エポキシ、（メタ）アクリロイルオキシ、炭素数２～４０のアルケニル、炭素数８～４０のアルケニルアリール、炭素数１～２０のアルキルのうちの一つであり、Ｌ_１は直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、Ｒ_６、Ｒ_７およびＲ_８のうちの少なくとも一つは炭素数１～２０のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つであり、残りは互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つである。

前記化学式３中、Ｚ、Ｌ_１に関する内容は前記化学式１で前述した通りである。
前記化学式３中、Ｒ_６、Ｒ_７およびＲ_８のうちの少なくとも一つは炭素数１～２０のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つであり、残りは互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つである。

前記化学式３で表示されるシラン系化合物の例が大きく限定されるのではないが、例えば、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）、トリメトキシ［（３－オキシラン－２－イル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｏｘｉｒａｎ－２－ｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）、［３－（メタクリロイルオキシ）プロピル］トリメトキシシラン［３－（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙ）ｐｒｏｐｙｌ］ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、３－アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン（３－ａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｙｓｉｌａｎｅ）、トリメトキシ（ビニル）シラン（Ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ（ｖｉｎｙｌ）ｓｉｌａｎｅ）、ｐ－スチリルトリメトキシシラン（ｐ－Ｓｔｙｒｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）、ヘキシルトリメトキシシラン（ｈｅｘｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉａｌａｎｅ）などが挙げられる。

従来は放熱フィラーの表面に接着力向上のためにアリールアミノ基が置換されたシリルオキシ基が導入されてきたが、アミノ基の強い反応性によって常温保管時に半導体接着用樹脂組成物内で自発的な接着反応が起こって、接着力が過度に増加して半導体後続工程（Ｐｉｃｋ ｕｐ）が円滑に行われにくいという限界があった。

また、常温保管時、半導体接着用樹脂組成物の粘度が上昇して、ウエハー（Ｗａｆｅｒ）とのＷｅｔｔｉｎｇ性が低下し、放熱ＦＯＤ（Ｆｉｌｌ Ｏｖｅｒ Ｄｉｅ）の場合、重要な埋立特性が顕著に減少する問題点が発生した。

反面、前記一実施形態の半導体接着用樹脂組成物に含まれている放熱フィラーは、表面に前記化学式１で表される官能基が表面に導入されることによって、従来水準の熱伝導度を確保して放熱特性が優れるだけでなく、反応性を減少させて常温保管時に半導体接着用樹脂組成物内での副反応が最小化され最適水準の粘度と接着力を実現することができる。これにより、半導体用接着フィルムとダイシングダイボンディングフィルムを製造し、半導体ウエハーをダイシングする全体工程上で信頼性と効率性が同時に向上する顕著な効果を達成することができる。

（４）硬化触媒
前記硬化触媒は、前記硬化剤の作用や前記半導体接着用樹脂組成物から半導体用接着フィルムを製造する過程で硬化を促進させる役割を果たすことができる。
前記硬化触媒は、前記半導体接着用樹脂組成物全体重量を基準にして、０．５重量％～２．０重量％、または０．５重量％～１．５重量％、または０．８重量％～１．２重量％で含まれてもよい。前記硬化触媒が前述の含量で前記半導体接着用樹脂組成物内に含まれることによって、前記半導体接着用樹脂組成物は常温安定性に対する再現性を確保することができる。

前記硬化触媒としては、イミダゾール系化合物および有機酸化合物を含むことができる。前記イミダゾール系化合物はイミダゾール化合物またはイミダゾール化合物誘導体を全て含み、前記イミダゾール化合物誘導体は前記イミダゾール化合物を前駆体で置換、除去、付加、架橋、重合反応を行って得られる反応生成物を意味する。

具体的に、前記イミダゾール系化合物は、電子求引官能基を含むイミダゾール誘導体化合物を含むことができる。前記電子求引官能基（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｗｉｔｈｄｒａｗｉｎｇ Ｇｒｏｕｐ）は、イミダゾール系化合物に含まれている窒素原子の電子密度（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｎｓｉｔｙ）を減少させることによって、イミダゾール系化合物の触媒反応性を低めて常温での反応安定性を実現することができる。

前記電子求引官能基の例としては、－Ｆ、－Ｃｌ、－Ｂｒ、－Ｉ、－ＣＦ_３、－ＣＣｌ_３、－ＣＢｒ_３、－ＣＩ_３、－ＮＯ_２、－ＣＮ、－ＣＯＣＨ_３、または－ＣＯ_２Ｃ_２Ｈ_５などが挙げられ、好ましくは、シアノ基（－ＣＮ）を導入することができる。前記電子求引官能基としてシアノ基（－ＣＮ）を導入する場合、前記イミダゾール系化合物の溶解性が向上できる。

より具体的に、前記電子求引官能基を含むイミダゾール誘導体化合物は、下記化学式２で表される。

上記化学式２中、Ｘは電子求引官能基であり、Ｌ_２は炭素数１～２０のアルキレンであり、Ｒ_３～Ｒ_５はそれぞれ独立して水素、炭素数１～２０のアルキル、または炭素数６～２０のアリールのうちの一つである。

より好ましくは、前記化学式２中、Ｘはシアノ基（－ＣＮ）であり、Ｌ_２は炭素数２のメチル基が置換されたメチレン基であり、Ｒ_３は水素、Ｒ_４はメチル基、Ｒ_５はエチル基である。

一方、前記有機酸化合物は、少なくとも１以上の酸性官能基を含む有機化合物であって、前記酸性官能基の例としてはカルボキシ基（－ＣＯＯＨ）などを使用することができる。前記有機酸化合物は、硬化触媒として作用する前記イミダゾール系化合物と反応して前記イミダゾール系化合物を塩（ｓａｌｔ）形態に転換させることによって融点を向上させることができ、反応以後残留するカルボキシ基によってエポキシ樹脂などとの反応性を向上させることができる。

前記有機酸化合物は、芳香族ポリ酸化合物を含むことができる。前記芳香族ポリ酸化合物は少なくとも２以上の酸性官能基を含む芳香族有機化合物を意味し、前記芳香族ポリ酸化合物の具体的な例としてはＴｒｉｍｅｓｉｃ Ａｃｉｄ（ＴＭＡ）を使用することができる。

前記イミダゾール系化合物：有機酸化合物の重量比率が０．５：１～１０：１、または１：１～９：１、または５：１～１０：１であってもよい。前記イミダゾール系化合物が過度に過量で添加される場合、触媒反応が過度に発生して常温保管安定性が低下することがある技術的問題点が発生することがある。反面、前記有機酸化合物が過度に過量で添加される場合、溶解性が低下する技術的問題点が発生することがある。

（５）半導体接着用樹脂組成物
一方、前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量の比率が０．５５～０．９５であってもよい。前記半導体用接着フィルムが前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記（メタ）アクリレート系樹脂を前述の範囲で含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物から得られる半導体用接着フィルムは、初期引張時相対的に高いモジュラスを示しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することができる。

前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量比が前述の範囲より低い場合、前記半導体接着用樹脂組成物から得られる半導体用接着フィルムの接着性が減少してウエハーではぬれ性が減少し、これは均一な分断性を期待できなくし、信頼性面ではウエハーと接着フィルム界面間の密着力低下によって接着力低下を招いて信頼性がぜい弱になることがある。

そして、前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量比が前述の範囲より高い場合、前記半導体接着用樹脂組成物から得られる半導体用接着フィルムを常温で５％～１５％伸張時発生するモジュラスが十分でないこともあり、非常に高まって、前記接着フィルムが有する常温での引張率は非常に大きく高まることがある。

前記半導体接着用樹脂組成物において、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の重量比率は最終製造される製品の特性を考慮して調節可能であり、例えば、１０：１～１：１０の重量比であってもよい。

前記半導体接着用樹脂組成物は、ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物；多孔性シリケート；多孔性アルミノシリケート；またはゼオライトを含むイオン捕捉剤をさらに含むことができる。

前記ジルコニウム、アンチモン、ビスマス、マグネシウムおよびアルミニウムからなる群より選択された１種以上の金属を含む金属酸化物の例としては、酸化ジルコニウム、アンチモンの酸化物、ビスマスの酸化物、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、アンチモンビスマス系酸化物、ジルコニウムビスマス系酸化物、ジルコニウムマグネシウム系酸化物、マグネシウムアルミニウム系酸化物、アンチモンマグネシウム系酸化物、アンチモンアルミニウム系酸化物、アンチモンジルコニウム系酸化物、ジルコニウムアルミニウム系酸化物、ビスマスマグネシウム系酸化物、ビスマスアルミニウム系酸化物またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。

前記イオン捕捉剤は、前記半導体接着用樹脂組成物内部に存在する金属イオンまたはハロゲンイオンなどを吸着する役割を果たすことができ、これにより、前記接着フィルムと接触する配線の電気的信頼性を増進させることができる。

前記半導体接着用樹脂組成物中のイオン捕捉剤の含量が大きく制限されるわけではないが、遷移金属イオンとの反応性、作業性および前記半導体接着用樹脂組成物重量を基準にして０．０１重量％～２０重量％、または０．０１重量％～１０重量％で含まれてもよい。

一方、前記半導体接着用樹脂組成物は、カップリング剤および無機充填剤からなる群より選択された１種以上の添加剤をさらに含むことができる。前記カップリング剤および無機充填剤の具体的例が限定されるのではなく、半導体パッケージング用接着剤に使用できると知られた成分を大きな制限なく使用することができる。

そして、前記半導体接着用樹脂組成物は、有機溶媒をさらに含むことができる。前記有機溶媒の具体的な例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルカプロラクタム、２－ピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、Ｎ－ビニルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチルウレア、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトン、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド、３－エトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド、３－ブトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパンアミド、１，３－ジメチル－イミダゾリジノン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、シクロヘキサノン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジグリム、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。これらは単独で使用されてもよく、混合して使用されてもよい。

前記半導体接着用樹脂組成物が有機溶媒を含む場合、前記半導体接着用樹脂組成物内固形分含量は、全体半導体接着用樹脂組成物重量を基準にして、５０重量％～９９重量％であってもよい。前記固形分は、（メタ）アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むバインダー樹脂、硬化剤、前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー、およびイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒を含むことができる。

ＩＩ．半導体用接着フィルム
発明の他の実施形態によれば、（メタ）アクリレート系樹脂、硬化剤およびエポキシ樹脂を含む高分子基材；前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー；およびイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒；を含み、前記高分子基材に放熱フィラーと硬化触媒が分散された半導体用接着フィルムを提供することができる。

一方、前記半導体用接着フィルムは、それぞれ１μｍ～３００μｍの厚さを有することができる。また、前記半導体用接着フィルムは、それぞれ１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上の厚さを有することができる。また、前記半導体用接着フィルムは、それぞれ３００μｍ以下、または１００μｍ以下、または９０μｍ以下、または７０μｍ以下の厚さを有することができる。前記半導体用接着フィルムの厚さが特定数値だけ増加するか減少する場合、半導体用接着フィルムから測定される物性も、一定の数値だけ変化できる。

前記半導体用接着フィルムは、半導体チップの多段積層構造のパッケージに適用されて、より安定した構造および優れた耐熱性および耐衝撃性などの機械的物性を実現し、またリフロー亀裂などを防止することができ、特に半導体製造過程で適用される高温条件に長時間露出されてもボイド（ｖｏｉｄ）が実質的に発生しないことが可能である。

また、前記半導体用接着フィルムは、高い破断強度および低い破断伸び率を有するため刃を用いたウエハー切断方法だけでなく、その他非接触式接着剤切断方法、例えばＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ Ｂｅｆｏｒｅ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）にも適用可能であり、また低温でも分断性に優れ、切断後室温に放置しても再粘着の可能性が低くて半導体製造工程の信頼性および効率を高めることができる。

前記接着フィルムは、リードフレームまたは基板とダイを接着するか、ダイとダイを接着するダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）として使用できる。これにより、前記接着フィルムは、ダイボンディングフィルムまたはダイシングダイボンディングフィルムなどの形態に加工できる。

前記半導体用接着フィルムで、（メタ）アクリレート系樹脂、硬化剤、エポキシ樹脂、前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー、イミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒に関する内容は、前記一実施形態で説明した全ての内容を含む。

前記高分子基材は、（メタ）アクリレート系樹脂、硬化剤およびエポキシ樹脂を含むことができる。そして、前記高分子基材には前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラーと硬化触媒が分散されてもよい。前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラーと硬化触媒は、高分子基材の内部と外部表面に分散できる。

前記半導体用接着フィルムは、前記一実施形態の半導体接着用樹脂組成物を塗布および乾燥する方法によって得ることができる。前記塗布方法と乾燥方法の例は大きく限定されず、一般的なフィルム製造工程において広く知られた多様な方法を制限なく適用することができる。

ＩＩＩ．ダイシングダイボンディングフィルム
発明のまた他の実施形態によれば、基材フィルム；前記基材フィルム上に形成される粘着層；および前記粘着層上に形成され、前記他の実施形態の半導体用接着フィルムを含む接着層；を含むダイシングダイボンディングフィルムを提供することができる。

前記半導体用接着フィルムに関する具体的な内容は、前記他の実施形態で前述した通りである。

一方、前記ダイシングダイボンディングフィルムに含まれる基材フィルムの種類は特に制限されず、例えば、この分野で公知されたプラスチックフィルムまたは金属箔などを使用することができる。例えば、前記基材フィルムは、低密度ポリエチレン、線状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレンのランダム共重合体、ポリプロピレンのブロック共重合体、ホモポリプロピレン、ポリメチルペンテン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｅｎｔｅｎｅ）、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－メタクリル酸共重合体、エチレン－メチルメタクリレート共重合体、エチレン－アイオノマー共重合体、エチレン－ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、スチレンの共重合体またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。前記で２種以上の高分子の混合物が含まれる基材フィルムの意味は、前述の高分子をそれぞれ含むフィルムが２層以上積層された構造のフィルムまたは前述の高分子が２以上含まれている単一層のフィルムを全て含む。

前記基材フィルムの厚さは特に限定されず、通常１０μｍ～２００μｍ、好ましくは５０μｍ～１８０μｍの厚さで形成される。前記厚さが１０μｍ未満であれば、ダイシング工程で切断深さ（ｃｕｔ ｄｅｐｔｈ）の調節が不安になる恐れがあり、２００μｍを超過すれば、ダイシング工程でバリ（ｂｕｒｒ）が多量発生するようになるか、伸び率が低下してエキスパンディング工程が正確に行われない恐れがある。

前記基材フィルムには、必要によって、マット処理、コロナ放電処理、プライマー処理または架橋処理などの慣用的な物理的または化学的処理を加えることができる。

一方、前記粘着層は、紫外線硬化型粘着剤または熱硬化型粘着剤を含むことができる。紫外線硬化型粘着剤を使用する場合には基材フィルム側から紫外線を照射して、粘着剤の凝集力およびガラス転移温度を上げて粘着力を低下させ、熱硬化型粘着剤の場合は温度を加えて粘着力を低下させる。

さらに、前記紫外線硬化型粘着剤は、（メタ）アクリレート系樹脂、紫外線硬化型化合物、光開始剤、および架橋剤を含むことができる。

前記で（メタ）アクリレート系樹脂は重量平均分子量が１０万ｇ／ｍｏｌ～１５０万ｇ／ｍｏｌ、好ましくは２０万ｇ／ｍｏｌ～１００万ｇ／ｍｏｌであってもよい。重量平均分子量が１０万ｇ／ｍｏｌ未満であれば、コーティング性または凝集力が低下して、剥離時に被着体に残余物が残るか、または粘着剤破壊現象が起こる恐れがある。また、重量平均分子量が１５０万ｇ／ｍｏｌを超過すれば、ベース樹脂が紫外線硬化型化合物の反応を妨害して、剥離力減少が効率的に行われない恐れがある。

このような（メタ）アクリレート系樹脂は例えば、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および架橋性官能基含有単量体の共重合体であってもよい。この時、（メタ）アクリル酸エステル系単量体の例としては、アルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、より具体的には、炭素数１～１２のアルキル基を有する単量体であって、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレートまたはデシル（メタ）アクリレートの一種または二種以上の混合が挙げられる。アルキルの炭素数が大きい単量体を使用するほど、最終共重合体のガラス転移温度が低くなるので、目的とするガラス転移温度によって適切な単量体を選択すれば良い。

また、架橋性官能基含有単量体の例としては、ヒドロキシ基含有単量体、カルボキシル基含有単量体または窒素含有単量体の一種または二種以上の混合が挙げられる。この時、ヒドロキシル基含有化合物の例としては２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、カルボキシル基含有化合物の例としては（メタ）アクリル酸などが挙げられ、窒素含有単量体の例としては（メタ）アクリロニトリル、Ｎ－ビニルピロリドンまたはＮ－ビニルカプロラクタムなどが挙げられるが、これに制限されるわけではない。

前記（メタ）アクリレート系樹脂にはまた、相溶性などのその他の機能性向上の観点から、酢酸ビニル、スチレンまたはアクリロニトリル炭素－炭素二重結合含有低分子量化合物などが追加的に含まれてもよい。

また、前記紫外線硬化型化合物の種類は特に制限されず、例えば、重量平均分子量が１００ｇ／ｍｏｌ～３０００００ｇ／ｍｏｌ、または５００ｇ／ｍｏｌ～１０００００ｇ／ｍｏｌの多官能性化合物（ｅｘ．多官能性ウレタンアクリレート、多官能性アクリレート単量体またはオリゴマーなど）を使用することができる。この分野の平均的技術者は目的とする用途による適切な化合物を容易に選択することができる。

前記紫外線硬化型化合物の含量は前述のベース樹脂１００重量部に対して、５重量部～４００重量部、好ましくは１０重量部～２００重量部であってもよい。紫外線硬化型化合物の含量が５重量部未満であれば、硬化後粘着力低下が十分でなく、ピックアップ性が低下する恐れがあり、４００重量部を超過すれば、紫外線照射前粘着剤の凝集力が不足するか、離型フィルムなどとの剥離が容易に行われない恐れがある。

前記光開始剤の種類も特に限定されず、この分野で知られた一般的な開始剤の使用が可能であり、その含量は前記紫外線硬化型化合物１００重量部に対して０．０５重量部～２０重量部であってもよい。光開始剤の含量が０．０５重量部未満であれば、紫外線照射による硬化反応が不足してピックアップ性が低下する恐れがあり、２０重量部を超過すれば、硬化過程には架橋反応が短い単位で起こるか、未反応紫外線硬化型化合物が発生して被着体表面の残渣の原因になるか、硬化後剥離力が過度に低くなってピックアップ性が低下する恐れがある。

また、粘着部に含まれて接着力および凝集力を付与するための架橋剤の種類も特に限定されず、イソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物または金属キレート系化合物などの通常の化合物を使用することができる。前記架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して、２重量部～４０重量部、好ましくは２重量部～２０重量部の量で含まれてもよい。前記含量が２重量部未満であれば、粘着剤の凝集力が不足する恐れがあり、２０重量部を超過すれば、紫外線照射前粘着力が不足して、チップ飛散などが起こる恐れがある。

前記粘着層にはまた、ロジン樹脂、テルペン（ｔｅｒｐｅｎｅ）樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂または脂肪族芳香族共重合石油樹脂などの粘着付与剤がさらに含まれてもよい。

前記のような成分を含む粘着層を基材フィルム上に形成する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に直接本発明の粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成する方法または剥離性基材上に一応粘着剤組成物を塗布して粘着層を製造し、前記剥離性基材を使用して粘着剤層を基材フィルム上に転写する方法などを使用することができる。

この時、粘着剤組成物を塗布および乾燥する方法は特に限定されず、例えば、前記それぞれの成分を含む組成物をそのまま、または適当な有機溶剤に希釈してコンマコーター、グラビアコーター、ダイコーターまたはリバースコーターなどの公知の手段で塗布した後、６０℃～２００℃の温度で１０秒～３０分間溶剤を乾燥させる方法を使用することができる。また、前記過程では、粘着剤の十分な架橋反応を進行させるためのエージング（ａｇｉｎｇ）工程を追加的に行ってもよい。

前記粘着層の厚さが大きく限定されるのではないが、例えば、１０μｍ～５００μｍの範囲であってもよい。

一方、前述のように、前記接着層は、前記粘着層上に形成され、前述の実施形態の半導体用接着フィルムを含むことができる。前記半導体用接着フィルムに関する内容は、前記他の実施形態で前述した事項を全て含む。

前記接着層の厚さが大きく限定されるのではないか、例えば、１μｍ～１００μｍ、または３μｍ～５０μｍの範囲であってもよい。

前記ダイシングダイボンディングフィルムはまた、前記接着層上に形成された離型フィルムを追加的に含むことができる。使用できる離型フィルムの例としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、塩化ビニル共重合体フィルムまたはポリイミドフィルムなどの一種または二種以上のプラスチックフィルムが挙げられる。

前記のような離型フィルムの表面はアルキド系、シリコン系、フッ素系、不飽和エステル系、ポリオレフィン系またはワックス系などの一種または二種以上に離型処理されていてもよく、このうち、特に耐熱性を有するアルキド系、シリコン系またはフッ素系などの離型剤が好ましい。

離型フィルムは通常、１０μｍ～５００μｍ、好ましくは２０μｍ～２００μｍ程度の厚さで形成できるが、これに制限されるわけではない。

前述のダイシングダイボンディングフィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、基材フィルム上に粘着部、接着部および離型フィルムを順次に形成する方法、またはダイシングフィルム（基材フィルム＋粘着部）およびダイボンディングフィルムまたは接着部が形成された離型フィルムを別途に製造した後、これをラミネーションさせる方法などを使用することができる。

前記でラミネーション方法は特に限定されず、ホットロールラミネートまたは積層プレス法を使用することができ、二重連続工程の可能性および効率性面でホットロールラミネート法が好ましい。ホットロールラミネート法は、１０℃～１００℃の温度で０．１Ｋｇｆ／ｃｍ^２～１０Ｋｇｆ／ｃｍ^２の圧力で行うことができるが、これに制限されるわけではない。

前記ダイシングダイボンディングフィルムで、基材フィルムと前記他の実施形態の半導体用接着フィルムを含む接着層間の接着力が１８０ｇｆ／２５ｍｍ^２以下、または１００ｇｆ／２５ｍｍ^２～１８０ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１００ｇｆ／２５ｍｍ^２～１５０ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１２０ｇｆ／２５ｍｍ^２～１４０ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１２５ｇｆ／２５ｍｍ^２～１３５ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１２８．５ｇｆ／２５ｍｍ^２以上１３２．１ｇｆ／２５ｍｍ^２であってもよい。この時の接着力は、前記ダイシングダイボンディングフィルムを４０℃温度のオーブンで４８時間保管した後、基材フィルムと接着フィルム間の剥離力を韓国工業規格ＫＳ－Ａ－０１１０７（粘着テープおよび粘着シートの試験方法）の８項によって測定することができる。

前記ダイシングダイボンディングフィルムで、基材フィルムと前記他の実施形態の半導体用接着フィルムを含む接着層間の接着力が１８０ｇｆ／２５ｍｍ^２超過で過度に増加するようになれば、常温でのフィルム間接着反応によって保管安定性が減少し、紫外線照射以後にも相対的に高い接着力が維持されダイシング後チップピックアップ性が低下することがある。

一方、前記ダイシングダイボンディングフィルムにＵＶを照射した後、基材フィルムと前記他の実施形態の半導体用接着フィルムを含む接着層間の接着力が３０ｇｆ／２５ｍｍ^２以下、または１ｇｆ／２５ｍｍ^２～３０ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１ｇｆ／２５ｍｍ^２～２０ｇｆ／２５ｍｍ^２、または５ｇｆ／２５ｍｍ^２～１５ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１０ｇｆ／２５ｍｍ^２～１５ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１０ｇｆ／２５ｍｍ^２～１３ｇｆ／２５ｍｍ^２、または１０．１０ｇｆ／２５ｍｍ^２以上１２．３９ｇｆ／２５ｍｍ^２以下であってもよい。ＵＶを照射した以後の接着力は、前記ダイシングダイボンディングフィルムを７０ｍＷ／ｃｍ^２の照度を有する高圧水銀灯で５秒間照射して露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で照射した後、基材フィルムと接着フィルム間の剥離力を韓国工業規格ＫＳ－Ａ－０１１０７（粘着テープおよび粘着シートの試験方法）の８項によって測定することができる。
前記ダイシングダイボンディングフィルムで、基材フィルムと前記他の実施形態の半導体用接着フィルムを含む接着層間の接着力が３０ｇｆ／２５ｍｍ^２超過で過度に増加するようになれば、ダイシング後チップピックアップ性が低下することがある。

ＩＶ．半導体ウエハーのダイシング方法
一方、発明のまた他の実施形態によれば、前記他の実施形態のダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハーを含む半導体ウエハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階；および前記前処理した半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階を含む、半導体ウエハーのダイシング方法を提供することができる。

前記ダイシングダイボンディングフィルムに関する内容は、前記他の実施形態で前述した内容を全て含む。

前記ダイシング方法の細部段階に関する内容を除いて、通常知られた半導体ウエハーのダイシング方法に使用される装置、方法などを格別な制限なく使用することができる。

前記半導体ウエハーのダイシング方法は、前記前処理段階以後に半導体ウエハーをエキスパンディングする段階をさらに含んでもよい。このような場合、前記エキスパンディングした半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断によって分離された個別チップをピックアップする過程が後行される。

前記ダイシングフィルムを含むダイシングダイボンディングフィルムを使用することによって、半導体ウエハーのダイシング工程中に発生することがあるバリ（ｂｕｒｒ）現象を最少化して半導体チップの汚染を防止し、半導体チップの信頼度および寿命を向上させることができる。

本発明によれば、常温での保管安定性と、半導体に対する埋立特性および接着力に優れ、向上した熱伝導特性を実現することができる半導体接着用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法を提供することができる。

発明を下記の実施例でより詳細に説明する。但し、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の内容が下記の実施例によって限定されるのではない。

＜合成例：熱可塑性樹脂＞
［合成例１：熱可塑性樹脂１の合成］
トルエン１００ｇにブチルアクリレート７０ｇ、アクリロニトリル１５ｇ、グリシジルメタクリレート５ｇおよびベンジルメタクリレート１０ｇを混合して８０℃で約１２時間反応して、グリシジル基が分枝鎖として導入されたアクリレート樹脂１（重量平均分子量約４０万ｇ／ｍｏｌ、ガラス転移温度１０℃）を合成した。
そして、前記アクリレート樹脂１をジクロロメタンに溶解させた後、冷却させ０．１Ｎ ＫＯＨメタノール溶液で滴定して水酸基当量が約０．０３ｅｑ／ｋｇである点を確認した。

［合成例２：熱可塑性樹脂２の合成］
トルエン１００ｇにブチルアクリレート６５ｇ、アクリロニトリル１５ｇ、グリシジルメタクリレート５ｇおよびベンジルメタクリレート１５ｇを混合して８０℃で約１２時間反応して、グリシジル基が分枝鎖として導入されたアクリレート樹脂２（重量平均分子量約２０万ｇ／ｍｏｌ、ガラス転移温度１４℃）を合成した。
そして、前記アクリレート樹脂２をジクロロメタンに溶解させた後、冷却させ０．１Ｎ ＫＯＨメタノール溶液で滴定して水酸基当量が約０．０３ｅｑ／ｋｇである点を確認した。

［合成例３：熱可塑性樹脂３の合成］
トルエン１００ｇにブチルアクリレート６０ｇ、アクリロニトリル１５ｇ、グリシジルメタクリレート５ｇおよびベンジルメタクリレート２０ｇを混合して８０℃で約１２時間反応して、グリシジル基が分枝鎖として導入されたアクリレート樹脂３（重量平均分子量約５２万ｇ／ｍｏｌ、ガラス転移温度１５℃）を合成した。
そして、前記アクリレート樹脂３をジクロロメタンに溶解させた後、冷却させ０．１Ｎ ＫＯＨメタノール溶液で滴定して水酸基当量が約０．０３ｅｑ／ｋｇである点を確認した。

＜実施例：半導体接着用樹脂組成物、および半導体用接着フィルム＞
実施例１
エポキシ樹脂の硬化剤であるフェノール樹脂ＫＡ－１１６０（ＤＩＣ社製品、クレゾールノボラック樹脂、水酸基当量１９０ｇ／ｅｑ、軟化点：６５℃）４ｇ、エポキシ樹脂ＥＯＣＮ－１０３Ｓ（日本化薬製品、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１４ｇ／ｅｑ、軟化点：８０℃）２ｇ、液状エポキシ樹脂ＲＥ－３１０Ｓ（日本化学製品、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ）５ｇ、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラー８５ｇをメチルエチルケトン溶媒下でミリング器を用いてミリングした。

その後、この混合物に合成例１の熱可塑性アクリレート樹脂１（Ｍｗ：５２万、ガラス転移温度：１０℃）４ｇ、シランカップリング剤Ａ－１８７（ＧＥ東芝シリコン、ガンマ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）０．１ｇ、硬化促進剤として１－ｃｙａｎｏｅｔｈｙｌ－２－ｅｔｈｙｌ－４－ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ（２Ｅ４ＭＺ－ＣＮ）０．１ｇ、Ｔｒｉｍｅｓｉｃ Ａｃｉｄ（ＴＭＡ）０．１ｇを入れて２時間追加的にミリングして半導体接着用樹脂組成物溶液（固形分８０重量％濃度）を得た。このミリング液を、自動塗工機を用いて、フィルム厚さが１１５μｍのフィルムを得た。

実施例２
前記硬化促進剤として、１－ｃｙａｎｏｅｔｈｙｌ－２－ｅｔｈｙｌ－４－ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ（２Ｅ４ＭＺ－ＣＮ）０．１８ｇ、Ｔｒｉｍｅｓｉｃ Ａｃｉｄ（ＴＭＡ）０．０２ｇを添加したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例３
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ［（３－オキシラン－２－イル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｏｘｉｒａｎ－２－ｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例４
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ［（３－オキシラン－２－イル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｏｘｉｒａｎ－２－ｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例２と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例５
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、［３－（メタクリロイルオキシ）プロピル］トリメトキシシラン［３－（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙ）ｐｒｏｐｙｌ］ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例２と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例６
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、［３－（メタクリロイルオキシ）プロピル］トリメトキシシラン［３－（Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙ）ｐｒｏｐｙｌ］ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例７
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、３－アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン（３－ａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｙｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例８
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、３－アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン（３－ａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｙｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例２と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例９
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ（ビニル）シラン（Ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ（ｖｉｎｙｌ）ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例１０
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ（ビニル）シラン（Ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ（ｖｉｎｙｌ）ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例２と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例１１
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、ｐ－スチリルトリメトキシシラン（ｐ－Ｓｔｙｒｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例１２
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、ｐ－スチリルトリメトキシシラン（ｐ－Ｓｔｙｒｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例２と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例１３
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、ヘキシルトリメトキシシラン（ｈｅｘｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉａｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

実施例１４
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、ヘキシルトリメトキシシラン（ｈｅｘｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉａｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例２と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

＜比較例：半導体接着用樹脂組成物、および半導体用接着フィルム＞
比較例１
前記フィラーとして、トリメトキシ［（３－フェニル）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ［（３－フェニルアミノ）プロピル］シラン（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙ［（３－ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｒｏｐｙｌ］ｓｉｌａｎｅ）カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

比較例２
前記硬化促進剤として、ｄｉｃｙａｎｄｉａｍｉｄｅ（ＤＩＣＹ）０．１ｇ、２，４－ｄｉａｍｉｎｏ－６－［２－（２－ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌ－１－ｙｌ－ｅｔｈｙｌ）－ｓ－ｔｒｉａｚｉｎｅ ｉｓｏ－ｃｙｎａｎｕｒａｔｅ（２ＭＡ－ＯＫ）０．１ｇを使用したことを除いては、前記比較例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

比較例３
硬化促進剤として、２－ｅｔｈｙｌ－４－ｍｅｔｈｙｌｉｍｉｄａｚｏｌｅ（２Ｅ４ＭＺ）のみを０．２ｇ使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。

＜実験例＞
実験例１．接着フィルムの平坦化処理および表面粗さ測定
前記実施例および比較例でコーティングで得られたフィルムを７０℃ＳＵＳ ＲＯＬＬ熱ラミネート機を通過させて表面を平坦化した。そして、平坦化程度はＯｐｔｉｃａｌ ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いてフィルム表面の粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を測定し、その結果を下記表１および表２に記載した。

実験例２．接着フィルムの熱伝導度測定
前記実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムを、ゴムロールラミネート機を用いて６００μｍ厚さになるまで積層した。このように得られたフィルムは硬化して最終的に硬化フィルムを得た。そして、１０ｍｍ＊１０ｍｍ単位で試片を製造し、Ｌａｚｅｒ ｆｌａｓｈ方式の熱伝導度機器 ＬＦＡ４６７を用いて熱伝導度を測定し、その結果を下記表１および表２に記載した。

実験例３．フィルムの粘度測定
前記実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムを、ゴムロールラミネート機を用いて６００μｍ厚さになるまで積層した。そして、得られた積層フィルムを、８ｍｍ円形試片を製造した後にＴＡ社のＡＲＥＳ－Ｇ２を用いて粘度を測定し、その結果を下記表１および表２に記載した。

実験例４．ウエハーぬれ性測定
前記実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムを直径２２ｃｍの円形に製造した。このように製造された円形フィルムを粘着層がコーティングされたＰＯフィルムにラミネートしてダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
そして、これとは別途に、８０μｍウエハーをダイシングフィルムにラミネートし、８ｍｍ＊８ｍｍの大きさに切断した後、マウンティング機器を用いて７０℃で分断されたウエハーと接着フィルムの熱ラミネートを実施しながら接着フィルムの未接着有無を判別し、その結果を下記表１および表２に記載した。

実験例５．硬化中残存ボイド除去模写実験
前記実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムを直径２２ｃｍの円形に製造した。このように製造された円形フィルムを粘着層がコーティングされたＰＯフィルムにラミネートしてダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
そして、マウンティング機器を用いて７０℃でウエハーと熱ラミネートを実施し、その後、１２ｍｍ＊９ｍｍの大きさでウエハーと接着フィルムをダイシングした。
ＰＣＢ上に前記得られたダイボンディングフィルムをダイアタッチし、７気圧、１５０℃、６０分加圧硬化を実施し、超音波イメージ装置を用いてＰＣＢ全体をスキャニングして放熱フィルムの埋立性を評価し、その結果を下記表１および表２に記載した。

実験例６．常温でのフィルム接着力測定
（１）ＵＶ照射前接着力
前記実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムを規格に合うサイズで製作した。このように製造された接着フィルムを粘着層がコーティングされたＰＯフィルムにラミネートしてダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
その後、前記ダイシングダイボンディングフィルムを４０℃温度のオーブンで４８時間保管した後、ＰＯフィルムと接着フィルムの接着力（剥離力）を韓国工業規格ＫＳ－Ａ－０１１０７（粘着テープおよび粘着シートの試験方法）の８項によって測定し、測定された剥離強度をＵＶ照射前接着力と規定した。

具体的に、２ｋｇ荷重の圧着ローラを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で１回往復させて圧着した。圧着後、３０分経過後に、実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムのたたんだ部分を１８０°にひっくり返して約２５ｍｍをはがした後、１０Ｎロードセル（Ｌｏａｄ Ｃｅｌｌ）で引張強度機の上側クリップに前記実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムを、下側クリップに前記ＰＯフィルムを固定させ、３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で引いてはがす時の荷重を試験片１０個に対して測定した後、平均値を計算して測定し、その結果を下記表１および表２に記載した。前記引張試験機は“Ｉｎｓｔｒｏｎ Ｓｅｒｉｅｓ １Ｘ／ｓ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｅｓｔｅｒ－３３４３”を使用した。

（２）ＵＶ照射後接着力
前記ダイシングダイボンディングフィルムを７０ｍＷ／ｃｍ^２の照度を有する高圧水銀灯で５秒間照射して露光量４００ｍＪ／ｃｍ^２で照射した後、４０℃温度のオーブンで４８時間保管した後、ＰＯフィルムと接着フィルムの接着力（剥離力）を韓国工業規格ＫＳ－Ａ－０１１０７（粘着テープおよび粘着シートの試験方法）の８項によって測定し、測定された剥離強度をＵＶ照射後接着力と規定した。

具体的に２ｋｇ荷重の圧着ローラを用いて３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で１回往復させて圧着した。圧着後、３０分経過後に、実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムのたたんだ部分を１８０°にひっくり返して約２５ｍｍをはがした後、１０Ｎロードセル（Ｌｏａｄ Ｃｅｌｌ）で引張強度機の上側クリップに前記実験例１でそれぞれ得られた接着フィルムを、下側クリップに前記ＰＯフィルムを固定させ、３００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で引いてはがす時の荷重を試験片１０個に対して測定した後、平均値を計算して測定し、その結果を下記表１および表２に記載した。前記引張試験機は“Ｉｎｓｔｒｏｎ Ｓｅｒｉｅｓ １Ｘ／ｓ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｅｓｔｅｒ－３３４３”を使用した。

上記表１および表２で確認されるように、製造例の（メタ）アクリレート系樹脂を含む高分子基材、Ｐｈｅｎｙｌ ａｌｋｙｌ Ｓｉｌａｎｅ表面処理されたアルミナフィラー、Ｅｐｏｓｙ ａｌｋｙｌ Ｓｉｌａｎｅ表面処理されたアルミナフィラー、Ｍｅｔｈａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙ ａｌｋｙｌ Ｓｉｌａｎｅ表面処理されたアルミナフィラー、ａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙ ａｌｋｙｌ Ｓｉｌａｎｅ表面処理されたアルミナフィラー、Ｖｉｎｙｌ Ｓｉｌａｎｅ表面処理されたアルミナフィラー、Ｓｔｙｒｙｌ Ｓｉｌａｎｅ表面処理されたアルミナフィラー、Ａｌｋｙｌ Ｓｉｌａｎｅ表面処理されたアルミナフィラーを含む放熱フィラー、そして２Ｅ４ＭＺ－ＣＮとＴＭＡを混合した硬化触媒を使用した樹脂組成物から製造される実施例１～１４の接着フィルムが２．０ｗ／Ｍｋの高い熱伝導度、１００％の高い埋立性を有するだけでなく、７０℃での粘度が４０２８３Ｐａｓ以上４６５５０Ｐａｓ以下であり、１２０℃での粘度が４００５Ｐａｓ以上４３７２Ｐａｓ以下であり、ＵＶ照射前常温保管時１２８．５ｇｆ／２５ｍｍ^２以上１３２．１ｇｆ／２５ｍｍ^２以下の低い接着力、ＵＶ照射後常温保管時１０．１０ｇｆ／２５ｍｍ^２以上１２．３９ｇｆ／２５ｍｍ^２以下の低い接着力を有するという点が確認された。これに反し、比較例１～３の樹脂組成物から製造される接着フィルムは、１．７ｗ／Ｍｋ以上１．８ｗ／Ｍｋ以下であって実施例に比べて低い熱伝導度、８９％以上９５％以下であって実施例に比べて低い埋立性を有するだけでなく、７０℃での粘度が５５０３５Ｐａｓ以上６２１００Ｐａｓ以下であり、１２０℃での粘度が８０５９Ｐａｓ以上１１００２Ｐａｓ以下であって実施例に比べて過度に増加した粘度を示し、ＵＶ照射前常温保管時１９０．０５ｇｆ／２５ｍｍ^２以上２２０．２５ｇｆ／２５ｍｍ^２以下、ＵＶ照射後常温保管時２９．３１ｇｆ／２５ｍｍ^２以上３５．２５ｇｆ／２５ｍｍ^２以下の実施例に比べて高い接着力を有するという点が確認された。

したがって、実施例１～１４の接着フィルムの場合、比較例１～３の接着フィルムより高い熱伝導度を有し、最適の粘度範囲を通じてウエハーに対する優れた埋立性を有するだけでなく、ＵＶ照射前後常温保管時の接着力を減少させて優れた保管安定性を有することができるという点が確認された。

Claims (14)

1. （メタ）アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むバインダー樹脂；
   硬化剤；
   下記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー；および
   イミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒；を含み、
   前記有機酸化合物は、トリメシン酸を含み、
   前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と、芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含む、半導体接着用樹脂組成物：
   

   

   上記化学式１中、
   Ｚは、炭素数６～３０のアリール、エポキシ、（メタ）アクリロイルオキシ、炭素数２～４０のアルケニル、炭素数８～４０のアルケニルアリール、炭素数１～２０のアルキルのうちの一つであり、
   Ｌ_１は、直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、
   Ｒ_１およびＲ_２は、互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。
2. 前記イミダゾール系化合物：有機酸化合物の重量比率が０．５：１～１０：１である、請求項１に記載の半導体接着用樹脂組成物。
3. 前記イミダゾール系化合物は、電子求引官能基を含むイミダゾール誘導体化合物を含む、請求項１または２に記載の半導体接着用樹脂組成物。
4. 前記電子求引官能基を含むイミダゾール誘導体化合物は、下記化学式２で表される、請求項３に記載の半導体接着用樹脂組成物：
   

   

   上記化学式２中、
   Ｘは、電子求引官能基であり、
   Ｌ_２は、炭素数１～２０のアルキレンであり、
   Ｒ_３～Ｒ_５は、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、または炭素数６～２０のアリールのうちの一つである。
5. 前記硬化触媒は、前記半導体接着用樹脂組成物全体重量を基準にして、０．５重量％～２．０重量％で含まれる、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
6. 前記（メタ）アクリレート系樹脂の水酸基当量が０．１５ｅｑ／ｋｇ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
7. 前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記（メタ）アクリレート系樹脂の重量の比率が０．５５～０．９５である、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
8. 前記（メタ）アクリレート系樹脂は、
   エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位（ＢｚＭＡ）を含み、
   前記（メタ）アクリレート系樹脂中の芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系官能基の含量が２重量％～４０重量％である、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
9. 前記（メタ）アクリレート系樹脂は、前記芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系官能基を３重量％～３０重量％含む、請求項８に記載の半導体接着用樹脂組成物。
10. 前記放熱フィラーは、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、シリカ、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、および滑石からなる群より選択された１種以上を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
11. 前記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラーは、
    放熱フィラーと下記化学式３で表示されるシラン系化合物の反応結果物を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物：
    

    

    上記化学式３中、
    Ｚは、炭素数６～３０のアリール、エポキシ、（メタ）アクリロイルオキシ、炭素数２～４０のアルケニル、炭素数８～４０のアルケニルアリール、炭素数１～２０のアルキルのうちの一つであり、
    Ｌ_１は、直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、
    Ｒ_６、Ｒ_７およびＲ_８のうちの少なくとも一つは、炭素数１～２０のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つであり、
    残りは、互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つである。
12. （メタ）アクリレート系樹脂、硬化剤およびエポキシ樹脂を含む高分子基材；
    下記化学式１で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー；および
    イミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒；を含み、
    前記有機酸化合物は、トリメシン酸を含み、
    前記（メタ）アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位と、芳香族官能基を含む（メタ）アクリレート系繰り返し単位を含み、
    前記高分子基材に放熱フィラーと硬化触媒が分散された、半導体用接着フィルム：
    

    

    上記化学式１中、
    Ｚは、炭素数６～３０のアリール、エポキシ、（メタ）アクリロイルオキシ、炭素数２～４０のアルケニル、炭素数８～４０のアルケニルアリール、炭素数１～２０のアルキルのうちの一つであり、
    Ｌ_１は、直接結合、炭素数１～２０のアルキレン、炭素数１～２０のアルキレンオキシ、または炭素数１～２０のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、
    Ｒ_１およびＲ_２は、互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数１～２０のアルキル、炭素数１～２０のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。
13. 基材フィルム；
    前記基材フィルム上に形成される粘着層；および
    前記粘着層上に形成され、請求項１２の半導体用接着フィルムを含む接着層；を含む、ダイシングダイボンディングフィルム。
14. 請求項１３のダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハーを含む半導体ウエハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階；および
    前記前処理した半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断によって分離された個別チップなどをピックアップする段階；を含む、半導体ウエハーのダイシング方法。