CN111684036A - 用于粘结半导体的树脂组合物、使用其的半导体用粘合膜、切割管芯粘结膜以及用于切割半导体晶片的方法 - Google Patents

用于粘结半导体的树脂组合物、使用其的半导体用粘合膜、切割管芯粘结膜以及用于切割半导体晶片的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及用于粘结半导体的树脂组合物，由其生产的半导体用粘合膜，切割管芯粘结膜和用于切割半导体晶片的方法，所述用于粘结半导体的树脂组合物包含固化催化剂混合物以及其中在表面上引入有特定官能团的散热填料这两类。

Description

用于粘结半导体的树脂组合物、使用其的半导体用粘合膜、切 割管芯粘结膜以及用于切割半导体晶片的方法
技术领域
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年11月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0139900号和2019年10月24日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0133049号的优先权或权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本发明涉及具有优异的室温储存稳定性、和优异的半导体包埋特性和粘合强度并且能够实现改善的热传导特性的用于粘结半导体的树脂组合物，由其获得的半导体用粘合膜，使用其的切割管芯粘结膜以及用于切割半导体晶片的方法。
背景技术
最近，随着电子设备朝小型化、高功能化和大容量的趋势日益扩大，对半导体封装的致密化和高集成度的需求迅速增加，半导体芯片的尺寸变得越来越大。在提高集成度方面，用于以多级式堆叠芯片的堆叠封装方法逐渐增加。
依赖于多级半导体堆叠封装的使用，芯片的厚度变得更薄并且电路的集成度变得更高。然而，芯片自身的模量降低，导致制造过程和最终产品的可靠性出现问题。为了解决这些问题，尝试加强半导体封装过程中使用的粘合剂的物理特性。
此外，随着近来半导体芯片变得更薄，存在芯片在现有的刀片切割过程中受到损坏而由此降低产率的问题，并且为了克服这一问题，提出了首先用刀片切割半导体芯片然后对其进行抛光的制备方法。在这样的制备过程中粘合剂并没有被切割。因此，使用激光切割粘合剂然后在低温下通过基底膜的扩展过程进行切割。此外，近来，为了保护芯片上的电路，使用了一种在不使用激光的情况下通过低温扩展过程和热收缩过程来切割粘合剂的方法。
同时，随着近来电子设备和电子组件变得轻、薄、短和小的趋势，电子器件的集成度变高，并且利用电能运行的电子器件的发热值大大增加。因此，对于改善散热特性以有效地将电子设备中产生的热分散并使其消散的需求日益增加。
然而，在过去开发的散热粘合材料的情况下，由于因强的反应性在室温储存时自发地发生与散热粘合材料自身或切割胶带的反应，因此存在散热粘合材料的粘度增加并且与切割胶带的粘合强度增加的限制。
当散热粘合材料与切割胶带之间的粘合强度增加时，在半导体晶片安装和UV照射之后的拾取芯片的过程中无法进行拾取，因此无法进行半导体的后续过程。
当散热粘合材料的粘度增加时，还存在以下问题：在散热FOD(Fill Over Die，管芯包裹填充)的情况下，重要的包埋特性显著降低，同时半导体晶片的润湿性降低。
因此，需要开发这样的用于粘结半导体的树脂组合物，其通过确保最佳水平的粘度和粘合强度而能够实现室温储存稳定性，并且可以实现优异的热传导特性。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供这样的用于粘结半导体的树脂组合物，其具有优异的室温储存稳定性和优异的半导体包埋特性和粘合强度，并且能够实现改善的热传导特性。
本发明的另一个目的是提供半导体用粘合膜，使用其的切割管芯粘结膜，以及切割使用前述用于粘结半导体的树脂组合物的半导体晶片的方法。
技术方案
为了实现以上目的，本发明的一个方面提供了用于粘结半导体的树脂组合物，所述树脂组合物包含：粘结剂树脂，所述粘结剂树脂包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂和环氧树脂；固化剂；散热填料，其中在所述散热填料的表面上引入有由以下化学式1表示的官能团；和固化催化剂，所述固化催化剂包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物。
[化学式1]
Figure BDA0002616913330000031
其中，在化学式1中，Z为以下中的一者：具有6至30个碳原子的芳基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、具有2至40个碳原子的烯基、具有8至40个碳原子的烯基芳基或具有1至20个碳原子的烷基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，以及R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。
本发明的另一个方面提供了半导体用粘合膜，所述半导体用粘合膜包含：聚合物基底，所述聚合物基底包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂；散热填料，其中在所述散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团；和固化催化剂，所述固化催化剂包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物，其中散热填料和固化催化剂分散在聚合物基底中。
本发明的又一个方面提供了切割管芯粘结膜，所述切割管芯粘结膜包括：基底膜；形成在所述基底膜上的粘性层；和形成在所述粘性层上且包含半导体用粘合膜的粘合层。
本发明的再一个方面提供了用于切割半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：对半导体晶片进行部分预处理以完全切割或可切割，所述半导体晶片包括切割管芯粘结膜和层合在所述切割管芯粘结膜的至少一侧上的晶片；以及向经预处理的半导体晶片的基底膜照射紫外光，并拾取通过切割所述半导体而分离的单独芯片。
在下文中，将更详细地描述根据本发明的具体实施方案的用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜、切割管芯粘结膜以及用于切割使用其的半导体晶片的方法。
除非另有明确说明，否则本文中使用的术语可以如下限定。
如本文中所使用的，术语“(甲基)丙烯酸类”意指丙烯酸类或甲基丙烯酸类。
在整个说明书中，当一部分“包括”一个构成要素时，除非另外具体描述，否则这并不意指排除另外的构成要素，而是意指还可以包括另外的构成要素。
在本说明书中，以下描述了取代基的实例，但其不限于此。
如本文中所使用的，术语“经取代的”意指化合物中键合有代替氢原子的其他官能团，并且待取代的位置没有限制，只要该位置是氢原子被取代的位置(即，取代基可以取代的位置)即可，并且当两个或更多个进行取代时，两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。
如本文中所使用的，术语“经取代或未经取代的”意指未经取代或经选自以下的一个或更多个取代基取代：氘；卤素基团；氰基；硝基；羟基；羰基；酯基；酰亚胺基；酰胺基；伯氨基；羧基；磺酸基；磺酰胺基；氧化膦基；烷氧基；芳氧基；烷基硫基；芳基硫基；烷基磺酰基；芳基磺酰基；甲硅烷基；硼基；烷基；环烷基；烯基；芳基；芳烷基；芳烯基；烷基芳基；烷氧基甲硅烷基烷基；芳基膦基；或包含N、O和S原子中的至少一者的杂环基，或者未经取代或经以上所例示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代。例如，“两个或更多个取代基相连接的取代基”可以为联苯基。即，联苯基还可以为芳基，并且可以解释为两个苯基相连接的取代基。
如本文中所使用的，符号
Figure BDA0002616913330000041
或
Figure BDA0002616913330000042
意指与另外的取代基连接的键，直接键意指在表示为L的部分中不存在其他原子的情况。
在本说明书中，烷基为衍生自烷烃的一价官能团，并且可以为直链或支链。直链烷基的碳原子数没有特别限制，但是优选为1至20。此外，支链烷基的碳原子数为3至20。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基、2,6-二甲基庚烷-4-基等，但不限于此。烷基可以是经取代或未经取代的，并且当经取代时，取代基的实例与上述的那些相同。
在本说明书中，烷氧基是其中前述烷基与醚基(-O-)的一端键合的官能团，并且可以应用如上定义的烷基的描述，不同之处在于烷氧基是与醚基(-O-)键合的官能团。烷氧基可以是例如直链、支链或环状链。烷氧基的碳原子数没有特别限制，但优选为1至20。其具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、环庚氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等，但是不限于此。烷氧基可以为经取代或未经取代的，并且当经取代时，取代基的实例与上述的那些相同。
在本说明书中，芳基是衍生自芳烃的一价官能团，并且没有特别限制，但是优选具有6至20个碳原子，并且可以为单环芳基或多环芳基。单环芳基可以包括但不限于苯基、联苯基、三联苯基等。多环芳基可以包括但不限于萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、
Figure BDA0002616913330000051
基、芴基等。芳基可以为经取代或未经取代的，并且当经取代时，取代基的实例与上述的那些相同。
在本说明书中，烯基是衍生自烯烃的一价官能团，并且可以是直链或支链，并且其碳原子数没有特别限制，但优选为2至40。根据一个实施方案，烯基的碳原子数为2至20。根据另一个实施方案，烯基的碳原子数为2至10。根据又一个实施方案，烯基的碳原子数为2至6。其具体实例包括但不限于乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯基-2-(萘基-1-基)乙烯基-1-基、2,2-双(二苯基-1-基)乙烯基-1-基、茋基、苯乙烯基等。烯基可以为经取代或未经取代的，并且当经取代时，取代基的实例与上述的那些相同。
在本说明书中，亚烷基是衍生自烷烃的二价官能团，并且可以应用如上定义的烷基的描述，不同之处在于亚烷基是二价官能团。亚烷基可以是直链或支链，其实例包括亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚异丁基、亚仲丁基、亚叔丁基、亚戊基、亚己基等。亚烷基可以为经取代或未经取代的，并且当经取代时，取代基的实例与上述的那些相同。
在本说明书中，亚烷基氧基是其中醚基(-O-)与前述亚烷基的一端键合的官能团，并且可以应用亚烷基的描述。
在本说明书中，亚烷基氧基亚烷基是其中亚烷基与前述亚烷基氧基的末端氧原子键合的官能团，并且可以应用亚烷基和亚烷基氧基的描述。
在本说明书中，烯基芳基是其中烯基与前述芳基的一端键合的官能团，并且可以应用芳基和烯基的描述。
在本说明书中，直接键或单键意指连接至键合线，其中在相应位置处不存在原子或原子团。具体地，其意指在化学式中表示为L1或L2的部分处没有单独的原子。
如本文中所使用的，重均分子量是指通过GPC法测量的由聚苯乙烯换算的重均分子量。在测量由GPC法测量的由聚苯乙烯换算的重均分子量的过程中，可以使用检测器和分析柱，例如公知的分析装置和差示折射率检测器，并且可以使用常用的温度条件、溶剂和流量。测量条件的具体实例如下：使用配备有Polymer Laboratories PLgel MIX-B，300mm柱的Waters PL-GPC220仪器，评估温度为160℃，使用1,2,4-三氯苯作为溶剂，流量为1mL/分钟，以10mg/10mL的浓度制备样品，然后以200μL的量进样，并且Mw的值可以使用由聚苯乙烯标准物形成的校准曲线来确定。聚苯乙烯标准物的分子量为2,000/10,000/30,000/70,000/200,000/700,000/2,000,000/4,000,000/10,000,000这9种。
在下文中，将更详细地描述本发明的实施方案。
I.用于粘结半导体的树脂组合物
根据本发明的一个实施方案，可以提供用于粘结半导体的树脂组合物，所述树脂组合物包含：粘结剂树脂，所述粘结剂树脂包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂和环氧树脂；固化剂；散热填料，其中在所述散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团；和固化催化剂，所述固化催化剂包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物。
本发明人通过实验发现，通过如上述实施方案的用于粘结半导体的树脂组合物中那样将包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物的固化催化剂与其中在散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团的散热填料一起添加，不仅可以增加热导率并因此改善散热特性，而且还可以抑制在室温下储存期间不必要的粘合或副反应，因而实现优异的储存稳定性，从而完成本发明。
具体地，这是因为与现有的热辐射填料中使用的氨基相比，引入至散热填料的化学式1的结构中的Z官能团具有低水平的反应性以至于不会在室温下引起不必要的粘合或副反应，所述Z官能团为以下中的一者：具有6至30个碳原子的芳基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、具有2至40个碳原子的烯基、具有8至40个碳原子的烯基芳基或具有1至20个碳原子的烷基。
另外，通过将基于咪唑的化合物和有机酸化合物作为固化催化剂与散热填料一起使用，可以使作为固化催化剂的基于咪唑的化合物与有机酸化合物反应而将基于咪唑的化合物转化成盐形式。因此，可以提高熔点，并且通过反应后剩余的羧酸可以改善与环氧树脂等的反应性。
此外，通过实验发现，由于将具有特定组成的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂用作粘结剂树脂，因此可以提高半导体芯片的可靠性以及改善固化产物的物理特性，并且另外，不仅可以实现改善的机械特性以及高耐热性和粘合强度，而且还可以实现优异的热传导特性。
(1)粘结剂树脂
粘结剂树脂可以包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂和环氧树脂。
具体地，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂可以包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元和含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元(BzMA)。
由于基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元(BzMA)，因此用于粘结半导体的树脂组合物可以确保所包含的组分之间的更高的相容性和粘合强度，具有高弹性，并且具有相对改善的初始拉伸模量。此外，由于基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元(BzMA)，因此，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂对散热填料的分散性具有有利的影响，从而除了均匀的填料分布以外还增加了填料的填充度。
另外，由于基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元，因此由半导体用粘合剂树脂组合物生产的粘合膜具有更均匀且刚性的内部结构，并因此在超薄晶片的多级堆叠期间可以确保高耐冲击性，并且此外，可以改善半导体制造之后的电特性。
基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团的含量可以为2重量％至40重量％、或3重量％至30重量％、或5重量％至25重量％。如果基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团的含量过低，则增加与环氧树脂或酚树脂的相容性和填料的分散性的效果可能不显著，并且降低最终生产的粘合膜的吸湿性的效果不显著。如果基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团的含量过高，则最终生产的半导体用粘合膜的粘合强度可能降低。
芳族官能团可以是具有6至20个碳原子的芳基，或者包含具有6至20个碳原子的芳基和具有1至10个碳原子的亚烷基的亚芳烷基。
含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元可以包括具有3至20个环氧碳原子的环烷基甲基(甲基)丙烯酸酯重复单元。“具有3至20个环氧碳原子的环烷基甲基”是指这样的结构：其中键合有环氧基的具有3至30个碳原子的环烷基被甲基取代。具有3至20个环氧碳原子的环烷基甲基(甲基)丙烯酸酯的实例包括(甲基)丙烯酸缩水甘油酯或(甲基)丙烯酸3,4-环氧基环己基甲酯。
同时，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂还可以包含选自以下的至少一种重复单元：含有反应性官能团的基于乙烯基的重复单元和含有具有1至10个碳原子的烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团。
反应性官能团可以包括选自以下的至少一种官能团：醇、胺、羧酸、环氧化物、酰亚胺、(甲基)丙烯酸酯、腈、降冰片烯、烯烃、聚乙二醇、硫醇和乙烯基。
当基于(甲基)丙烯酸酯的树脂还包含选自含有反应性官能团的基于乙烯基的重复单元和含有具有1至10个碳原子的烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团中的至少一种重复单元时，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂可以包含0.1重量％至30重量％、或5重量％至30重量％、或10重量％至30重量％的含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。
基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的玻璃化转变温度可以为-10℃至20℃、或-5℃至15℃、或5℃至15℃。此外，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的重均分子量可以为30000g/mol至1500000g/mol、或50000g/mol至800000g/mol、或50000g/mol至200000g/mol。通过使用具有上述玻璃化转变温度和重均分子量的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂，最终生产的粘合膜可以确保高粘合强度，并且容易制备呈薄膜等形式的粘合膜。
当基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的分子量过低时，不易形成半导体用粘合膜，并且切割特性可能劣化，从而降低封装制造过程中的拾取特性。当基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的分子量过高时，半导体用粘合膜的粘度增加，高温流动性降低，晶片润湿性和填充包埋特性降低，并且在封装件的装配之后残留空隙，从而降低可靠性。
基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的羟基当量重量为0.15eq/kg或更小、或0.01eq/kg至0.15eq/kg、或0.01eq/kg至0.10eq/kg、或0.01eq/kg至0.05eq/kg。
同时，环氧树脂可以用于调节用于粘结半导体的树脂组合物的固化度或提高其粘合性能等。
环氧树脂的具体实例包括选自以下的一种或更多种聚合物树脂：基于双酚的环氧树脂、双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、甲酚酚醛清漆环氧树脂、苯酚酚醛清漆环氧树脂、四官能环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、烷基-三酚甲烷型环氧树脂、萘型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂和二环戊二烯改性的酚型环氧树脂。
环氧树脂的软化点可以为-50℃至100℃。如果环氧树脂的软化点过低，则用于粘结半导体的树脂组合物的粘合强度可能增加，并因此切割之后芯片的拾取特性可能降低。如果环氧树脂的软化点过高，则用于粘结半导体的树脂组合物在高温下的流动性可能降低，并且其粘合强度可能降低。
另外，优选地通过将两种或更多种类型的具有不同软化点的环氧树脂组合来使用环氧树脂，以在封装装配过程中赋予足够的流动性。
环氧树脂的环氧当量重量可以为100g/eq至300g/eq。
(2)固化剂
固化剂可以包含酚树脂。
酚树脂的羟基当量重量可以为80g/eq至400g/eq，或者羟基当量重量可以为90g/eq至250g/eq，或者羟基当量重量可以为100g/eq至178g/eq，或者羟基当量重量可以为210g/eq至240g/eq。由于酚树脂具有上述羟基当量重量范围，因此即使在低含量下也使固化度增加，因此可以赋予优异的粘合特性。
固化剂可以包含选自基于胺的固化剂和基于酸酐的固化剂中的一种或更多种化合物。所使用的固化剂的量可以考虑最终生产的粘合膜的物理特性适当地选择。例如，基于100重量份的环氧树脂，固化剂可以以10重量份至700重量份、或30重量份至300重量份的量使用。
(3)散热填料
可以在用于粘结半导体的树脂组合物中使用散热填料，并且其可以发挥将由电子元件等产生的热迅速传递至散热器等的功能或作用。散热填料可以包含选自以下的至少一者：氧化铝、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氧化镁、氧化锌、二氧化硅、氢氧化铝、碳酸钙、氢氧化镁、铝氧化物和滑石。
散热填料可以具有其中在散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团的结构。
在化学式1中，Z可以为以下中的一者：具有6至30个碳原子的芳基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、具有2至40个碳原子的烯基、具有8至40个碳原子的烯基芳基或具有1至20个碳原子的烷基，
具有6至30个碳原子的芳基的一个实例可以为苯基等。
环氧基的一个实例可以为3-环氧乙烷-2-基等。
(甲基)丙烯酰氧基的一个实例可以为甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基等。
具有2至40个碳原子的烯基的一个实例可以为乙烯基等。
具有8至40个碳原子的烯基芳基的一个实例可以为对苯乙烯基等。
具有1至20个碳原子的烷基的一个实例可以为己基等。
即，取决于Z的类型，由化学式1表示的官能团可以包括由化学式1-1表示的官能团至由化学式1-6表示的官能团中的所有。
[化学式1-1]
Figure BDA0002616913330000101
其中，在化学式1-1中，Z1为具有6至30个碳原子的芳基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。在化学式1-1中，Z1的限定与化学式1中的Z的限定相同，L1、R1和R2的限定与上述化学式1中的相同。更具体地，在化学式1-1中，L1可以为具有1至20个碳原子的亚烷基。
[化学式1-2]
Figure BDA0002616913330000111
其中，在化学式1-2中，Z2为环氧基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。在化学式1-2中，Z2的限定与化学式1中的Z的限定相同，L1、R1和R2的限定与上述化学式1中的相同。更具体地，在化学式1-2中，L1可以为具有1至20个碳原子的亚烷基。
[化学式1-3]
Figure BDA0002616913330000112
其中，在化学式1-3中，Z3为(甲基)丙烯酰氧基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。在化学式1-3中，Z3的限定与化学式1中的Z的限定相同，L1、R1和R2的限定与上述化学式1中的相同。更具体地，在化学式1-3中，L1可以为具有1至20个碳原子的亚烷基。
[化学式1-4]
Figure BDA0002616913330000121
其中，在化学式1-4中，Z4为具有2至40个碳原子的烯基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。在化学式1-4中，Z4的限定与化学式1中的Z的限定相同，L1、R1和R2的限定与上述化学式1中的相同。更具体地，在化学式1-4中，L1可以为直接键。
[化学式1-5]
Figure BDA0002616913330000122
其中，在化学式1-5中，Z5为具有8至40个碳原子的烯基芳基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。在化学式1-5中，Z5的限定与化学式1中的Z的限定相同，L1、R1和R2的限定与上述化学式1中的相同。更具体地，在化学式1-5中，L1可以为直接键。
[化学式1-6]
Figure BDA0002616913330000123
其中，在化学式1-6中，Z6为具有1至20个碳原子的烷基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。在化学式1-6中，Z6的限定与化学式1中的Z的限定相同，L1、R1和R2的限定与上述化学式1中的相同。更具体地，在化学式1-6中，L1可以为直接键。
即，引至散热填料的表面上的由化学式1表示的官能团可以包括由化学式1-1至1-6表示的六种官能团中的至少一种或更多种。
同时，在化学式1中，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基。具有1至20个碳原子的亚烷基的一个实例可以为亚丙基等。
此外，在化学式1中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。
在化学式1中，当R1或R2为直接键或氧基(-O-)时，R1或R2可以与散热填料形成键，或者可以与相邻的由化学式1表示的官能团形成键。
其中在表面上引入有由化学式1表示的官能团的散热填料可以包含散热填料与由以下化学式3表示的基于硅烷的化合物之间的反应产物。
[化学式3]
Figure BDA0002616913330000131
其中，在化学式3中，Z为以下中的一者：具有6至30个碳原子的芳基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、具有2至40个碳原子的烯基、具有8至40个碳原子的烯基芳基、具有1至20个碳原子的烷基，L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，R6、R7和R8中的至少一者为具有1至20个碳原子的烷氧基或羟基中的一者，以及余者彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基或羟基。
在化学式3中，Z和L1的限定与上述化学式1的相同。
在化学式3中，R6、R7和R8中的至少一者为具有1至20个碳原子的烷氧基或羟基中的一者，以及余者彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基或羟基。
由化学式3表示的基于硅烷的化合物的实例没有特别限制。但是例如，可以提及三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷、三甲氧基[(3-环氧乙烷-2-基)丙基]硅烷、3-(甲基丙烯酰氧基)丙基]三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、三甲氧基(乙烯基)硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷等。
常规地，已经将取代有芳基氨基的甲硅烷基氧基引至散热填料的表面上以改善粘合强度，但是由于氨基的强反应性，在室温下储存期间在用于粘结半导体的树脂组合物中发生自发的粘合反应，因此粘合强度过度增加，并且存在难以顺利地进行半导体的随后的拾取过程的限制。
此外，在室温下储存期间，用于粘结半导体的树脂组合物的粘度增加，晶片的润湿性降低，并且在散热FOD(Fill Over Die，管芯包裹填充)的情况下，出现重要的包埋特性大大降低的问题。
另一方面，由于上述实施方案的用于粘结半导体的树脂组合物中包含的散热填料具有其中在表面上引入有由化学式1表示的官能团的结构，因此其不仅确保了常规水平的热导率并且具有优异的散热特性，而且还通过降低反应性，可以使在室温下储存期间用于粘结半导体的树脂组合物中的副反应最小化，从而实现最佳水平的粘度和粘合强度。由此，可以制造半导体用粘合膜和切割管芯粘结膜，并且实现在切割半导体晶片的整个过程中同时改善可靠性和效率的显著效果。
(4)固化催化剂
固化催化剂可以由于固化剂或用于粘结半导体的树脂组合物的作用而在制造半导体用粘合膜的过程中起到促进固化的作用。
基于用于粘结半导体的树脂组合物的总重量，固化催化剂可以以0.5重量％至2.0重量％、或0.5重量％至1.5重量％、或0.8重量％至1.2重量％的量包含在内。由于固化催化剂以上述含量包含在半导体粘结用树脂组合物中，因此用于粘结半导体的树脂组合物可以确保室温稳定性和可再现性。
固化催化剂可以包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物。基于咪唑的化合物包括咪唑化合物或咪唑化合物衍生物两者，并且咪唑化合物衍生物是指通过对作为前体的咪唑化合物进行取代、消除、加成、交联和聚合反应而获得的反应产物。
具体地，基于咪唑的化合物可以包括含有吸电子官能团的咪唑衍生物化合物。吸电子官能团可以降低基于咪唑的化合物中包含的氮原子的电子密度，从而降低基于咪唑的化合物的催化反应性，并且实现室温下的反应稳定性。
吸电子官能团的实例包括-F、-Cl、-Br、-I、-CF3、-CCl3、-CBr3、-CI3、-NO2、-CN、-COCH3、-CO2C2H5等。优选地，可以引入氰基(-CN)。当引入氰基(-CN)作为吸电子官能团时，可以改善基于咪唑的化合物的溶解性。
更具体地，含有吸电子官能团的咪唑衍生物化合物可以由以下化学式2表示。
[化学式2]
Figure BDA0002616913330000151
其中，在化学式2中，X为吸电子官能团，L2为具有1至20个碳原子的亚烷基，以及R3至R5各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基或具有6至20个碳原子的芳基。
更优选地，在化学式2中，X为氰基(-CN)，L2为其中具有2个碳原子的甲基被取代的亚甲基，R3为氢，R4为甲基，以及R5为乙基。
另一方面，有机酸化合物是含有至少一个酸性官能团的有机化合物，并且酸性官能团的实例可以为羧基(-COOH)等。由于有机酸化合物与用作固化催化剂的基于咪唑的化合物反应而将基于咪唑的化合物转化成盐形式，因此可以提高熔点，并且通过反应后剩余的羧酸可以改善与环氧树脂等的反应性。
有机酸化合物可以包括芳族多元酸化合物。芳族多元酸化合物意指含有至少两个或更多个酸性官能团的芳族有机化合物，并且作为芳族多元酸化合物的具体实例，可以使用均苯三酸(TMA)。
基于咪唑的化合物:有机酸化合物的重量比可以为0.5:1至10:1、或1:1至9:1、或5:1至10:1。当过量添加基于咪唑的化合物时，可能出现其中过度发生催化反应并且室温储存稳定性可能降低的技术问题。另一方面，当过量添加有机酸化合物时，可能出现溶解性降低的技术问题。
(5)用于粘结半导体的树脂组合物
同时，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂相对于粘结剂树脂和固化剂的总重量的重量比可以为0.55至0.95。由于半导体用粘合膜包含相对于粘结剂树脂和固化剂的总重量在上述范围内的基于(甲基)丙烯酸酯的树脂，因此，由用于粘结半导体的树脂组合物获得的半导体用粘合膜可以表现出高弹性、优异的机械特性和高粘合强度，同时在初始拉伸期间表现出相对高的模量。
如果基于(甲基)丙烯酸酯的树脂相对于粘结剂树脂和固化剂的总重量的重量比小于上述范围，则由用于粘结半导体的树脂组合物生产的半导体用粘合膜的粘合特性降低，并因此晶片的润湿性降低，这使得无法期望均匀的切割特性，并且从可靠性的角度出发，晶片与粘合膜界面之间的粘合性降低，这导致内聚强度降低，并且使得可靠性容易受到冲击。
如果基于(甲基)丙烯酸酯的树脂相对于粘结剂树脂和固化剂的总重量的重量比大于上述范围，则当在室温下使由用于粘结半导体的树脂组合物生产的半导体用粘合膜伸长5％至15％时所产生的模量可能不足，并且可能变得相当高，并且上述粘合膜在室温下的伸长率可能大大增加。
可以考虑最终生产的产品的特性来调节用于粘结半导体的树脂组合物中的环氧树脂和酚树脂的重量比，并且例如，重量比可以为10:1至1:10。
用于粘结半导体的树脂组合物还可以包含离子清除剂，所述离子清除剂包括：含有选自锆、锑、铋、镁和铝中的一种或更多种金属的金属氧化物；多孔硅酸盐；多孔铝硅酸盐；或者沸石。
含有选自锆、锑、铋、镁和铝中的一种或更多种金属的金属氧化物的实例可以包括氧化锆、氧化锑、氧化铋、氧化镁、铝氧化物、基于锑铋的氧化物、基于锆铋的氧化物、基于锆镁的氧化物、基于镁铝的氧化物、基于锑镁的氧化物、基于锑铝的氧化物、基于锑锆的氧化物、基于锆铝的氧化物、基于铋镁的氧化物、基于铋铝的氧化物、或者其中两种或更多种的混合物。
离子清除剂可以用于吸附存在于用于粘结半导体的树脂组合物中的金属离子或卤素离子等，并因此可以提高与粘合膜接触的配线的电可靠性。
用于粘结半导体的树脂组合物中的离子清除剂的含量没有特别限制，但是考虑到与过渡金属离子的反应性、可加工性和粘合膜的物理特性，基于用于粘结半导体的组合物的总重量，其可以以0.01重量％至20重量％，或0.01重量％至10重量％的量包含在内。
同时，用于粘结半导体的树脂组合物还可以包含选自偶联剂和无机填料的一种或更多种添加剂。偶联剂和无机填料的具体实例没有特别限制，并且可以使用已知可用于半导体封装用粘合剂的组分而没有特别限制。
用于粘结半导体的树脂组合物还可以包含有机溶剂。有机溶剂的具体实例包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、2-吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、二甲基亚砜、四甲基脲、吡啶、二甲基砜、六甲基亚砜、γ-丁内酯、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺、1,3-二甲基-咪唑啉酮、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲基乙基酮、甲基异戊基酮、甲基异丙基酮、环己酮、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、二甘醇二甲醚、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚、乙二醇单乙醚乙酸酯、乙二醇单丙醚、乙二醇单丙醚乙酸酯、乙二醇单异丙醚、乙二醇单异丙醚乙酸酯、乙二醇单丁醚、乙二醇单丁醚乙酸酯等。它们可以单独使用或组合使用。
当用于粘结半导体的树脂组合物包含有机溶剂时，基于用于粘结半导体的树脂组合物的总重量，用于粘结半导体的树脂组合物中的固体内容物的量可以为50重量％至99重量％。固体内容物可以包括包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂和环氧树脂的粘结剂树脂、固化剂、其中在散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团的散热填料和包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物的固化催化剂。
II.半导体用粘合膜
根据本发明的另一个实施方案，可以提供半导体用粘合膜，所述半导体用粘合膜包含：聚合物基底，所述聚合物基底包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂；散热填料，其中在所述散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团；和固化催化剂，所述固化催化剂包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物，其中散热填料和固化催化剂分散在聚合物基底中。
另一方面，半导体用粘合膜的厚度可以分别为1μm至300μm。此外，半导体用粘合膜的厚度可以分别为1μm或更大、3μm或更大、5μm或更大、以及10μm或更大。半导体用粘合膜各自的厚度可以分别为300μm或更小、或者100μm或更小、或者90μm或更小、或者70μm或更小。当半导体用粘合膜的厚度增加或减小特定值时，由半导体用粘合膜测量的物理特性也可能改变一定值。
此外，半导体用粘合膜可以应用于具有多层结构的半导体芯片的封装以实现更稳定的结构、机械特性例如优异的耐热性和耐冲击性，并且还可以防止回流裂纹等。特别地，即使在长时间暴露于半导体制造过程中施加的高温条件时，也可以基本上不形成空隙。
半导体用粘合膜具有高的断裂强度和低的断裂伸长率，并因此可以应用于非接触型粘合切割例如DBG(Dicing Before Grinding，研磨前切割)以及使用刀片的晶片切割，并且即使在低温下也具有优异的切割特性，因此，即使在切割之后将其在室温下静置，再粘合的可能性也变低，从而提高半导体制造过程中的可靠性和效率。
粘合膜可以用作管芯粘附膜(DAF)以用于粘附引线框或基底与管芯，或者粘附管芯与管芯。由此，粘合膜可以加工成管芯粘结膜、切割管芯粘结膜等形式。
在半导体用粘合膜中，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂、环氧树脂、其中在散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团的散热填料以及包含有机酸化合物的固化催化剂的更多详情包括上述实施方案中的那些。
聚合物基底可以包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂。并且，其中在散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团的散热填料和固化催化剂可以分散在聚合物基底中。其中在散热填料的表面上引入有由化学式1表示的官能团的散热填料和固化催化剂可以分散在聚合物基底的内表面和外表面中。
半导体用粘合膜可以通过将上述实施方案的用于粘结半导体的树脂组合物涂覆并干燥的方法获得。涂覆方法和干燥方法的实例没有特别限制，并且可以应用在一般的膜制造过程中公知的各种方法而没有限制。
III.切割管芯粘结膜
根据本发明的另一个实施方案，可以提供切割管芯粘结膜，所述切割管芯粘结膜包括：基底膜；形成在所述基底膜上的粘性层；和形成在所述粘性层上且包含半导体用粘合膜的粘合层。
用于粘结半导体的树脂组合物的详情与上述另外的实施方案中的那些相同。
同时，切割管芯粘结膜中包括的基底膜的类型没有特别限制，例如，可以使用本领域中已知的塑料膜或金属箔等。例如，基底膜可以包含低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯的无规共聚物、聚丙烯的嵌段共聚物、均聚聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-离聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯共聚物，或者其两种或更多种的混合物。包含两种或更多种聚合物的混合物的基底膜是指包括多层膜和单层膜二者，在所述多层膜中，各自包含上述聚合物的膜以两层或更多层堆叠，所述单层膜包含两种或更多种上述聚合物。
基底膜的厚度没有特别限制，并且其通常形成为10μm至200μm，优选50μm至180μm的厚度。如果厚度小于10μm，则存在切割过程中对切割深度的控制可能不稳定的问题，而如果厚度大于200μm，则在切割过程中可能产生大量毛刺，或者伸长率可能降低，并因此可能无法精准地完成扩展过程。
根据需要，可以对基底膜进行常规的物理或化学处理，例如哑光处理、电晕放电处理、底漆处理、交联处理等。
同时，粘性层可以包含可UV固化粘合剂或可热固化粘合剂。在使用可UV固化粘合剂的情况下，从基底膜侧照射UV以增加粘合剂的内聚力和玻璃化转变温度，从而降低粘合强度；而在使用可热固化粘合剂的情况下，增加温度以降低粘合强度。
此外，可UV固化粘合剂可以包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、可UV固化化合物、光引发剂和交联剂。
基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的重均分子量可以为100,000g/mol至1,500,000g/mol，优选200,000g/mol至1,000,000g/mol。如果重均分子量小于100,000g/mol，则涂覆特性或内聚力可能降低，并因此在剥离时残余物可能残留在被粘物上，或者可能出现粘合剂破裂现象。此外，如果重均分子量大于1,500,000g/mol，则基底树脂可能干扰可UV固化化合物的反应，并因此存在可能无法有效实现剥离强度降低的问题。
基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的实例可以包括基于(甲基)丙烯酸酯的单体和含可交联官能团的单体的共聚物。此时，基于(甲基)丙烯酸酯的单体的实例可以包括(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体地，具有含1至12个碳原子的烷基的单体，例如(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸癸酯，或者其两种或更多种的混合物。在使用包含具有大的碳原子数的烷基的单体时，最终共聚物的玻璃化转变温度变低，因此可以根据期望的玻璃化转变温度选择合适的单体。
此外，含可交联官能团的单体的实例可以包括含羟基单体、含羧基单体、含氮单体，或者其两种或更多种的混合物。此时，含羟基化合物的实例可以包括(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等，含羧基化合物的实例可以包括(甲基)丙烯酸等，含氮单体的实例可以包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基己内酰胺等，但不限于此。
就改善其他功能性例如相容性而言，在基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中，可以另外地包含含碳-碳双键的低分子量化合物，例如乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
此外，可UV固化化合物的类型没有特别限制，并且例如，可以使用重均分子量为100g/mol至300,000g/mol或500g/mol至100,000g/mol的多官能化合物(例如，多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯、多官能丙烯酸酯单体或低聚物等)。本领域普通技术人员可以根据期望的用途容易地选择合适的化合物。
基于100重量份的上述基底树脂，可UV固化化合物的含量可以为5重量份至400重量份，优选10重量份至200重量份。如果可UV固化化合物的含量小于5重量份，则固化之后的粘合强度降低可能不足，并因此存在降低拾取特性的问题，而如果其大于400重量份，则在UV照射之前粘合剂的内聚力可能不足，或者可能不易进行离型膜的剥离等。
光引发剂的类型也没有特别限制，并且可以使用本领域公知的那些。基于100重量份的可UV固化化合物，光引发剂的含量可以为0.05重量份至20重量份。如果光引发剂的含量小于0.05重量份，则通过UV照射的固化反应可能变得不足，从而可能降低拾取特性，而如果其大于20重量份，则在固化过程中可能与短单元发生交联反应，可能产生未反应的可UV固化化合物，从而可能在被粘物的表面上产生残余物，或者固化后的剥离强度可能过度降低，从而可能降低拾取特性。
此外，包含在粘性部分中以提供粘合强度和内聚力的交联剂的类型也没有特别限制，并且可以使用常规的化合物，例如基于异氰酸酯的化合物、基于氮丙啶的化合物、基于环氧的化合物、基于金属螯合物的化合物等。基于100重量份的基础树脂，交联剂可以以2重量份至40重量份，优选2重量份至20重量份的量包含在内。如果交联剂的含量小于2重量份，则粘合剂的内聚力可能不足，而如果含量大于20重量份，则UV照射之前的粘合强度可能不足，并因此存在芯片散开等问题。
此外，在粘性层中还可以包含增粘剂，例如松香树脂、萜烯树脂、酚树脂、苯乙烯树脂、脂族石油树脂、芳族石油树脂或脂族芳族共聚物石油树脂。
用于在基底膜上形成包含上述组分的粘性层的方法没有特别限制，并且例如，可以使用将本发明的粘合剂组合物直接涂覆在基底膜上以形成粘性层的方法；或者先将粘合剂组合物涂覆在可剥离基底上以制备粘性层，然后使用可剥离基底将粘性层转移至基底膜的方法；等等。
在这种情况下，涂覆和干燥粘合剂组合物的方法没有特别限制，并且例如，可以使用以下方法：按原样涂覆包含以上组分的组合物，或者将其稀释在合适的有机溶剂中并通过已知工具(例如逗号涂覆机、凹版涂覆机、模涂机、反向涂覆机等)涂覆，然后在60℃至200℃的温度下干燥溶剂10秒至30分钟。此外，在以上过程中，可以另外地进行老化过程以进行粘合剂的充分交联反应。
粘性层的厚度没有特别限制，但是例如其可以在10μm至500μm的范围内。
同时，如上所述，粘合层形成在粘性层上，并且可以包含上述实施方案的半导体用粘合膜。半导体用粘合膜的详情包括上述的那些。
粘合层的厚度没有特别限制，但是例如其可以在1μm至100μm，或3μm至50μm的范围内。
切割管芯粘结膜还可以包括形成在粘合层上的离型膜。可以使用的离型膜的实例可以包括一种或更多种塑料膜，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚酰亚胺膜等。
如上所述的离型膜的表面可以用基于醇酸树脂的离型剂、基于硅的离型剂、基于氟的离型剂、基于不饱和酯的离型剂、基于聚烯烃的离型剂或基于蜡的离型剂中的一种或更多种进行离型处理，其中特别优选耐热的基于醇酸树脂的离型剂、基于硅的离型剂或基于氟的离型剂。
离型膜通常可以形成为具有10μm至500μm，优选20μm至200μm的厚度，但不限于此。
用于制造上述切割管芯粘结膜的方法没有特别限制，并且例如，可以使用在基底膜上顺序形成粘性部分、粘合部分和离型膜的方法；或者单独制备切割膜(基底膜+粘性部分)和其上形成有管芯粘结膜或粘合部分的离型膜，然后将其层合的方法，等等。
层合方法没有特别限制，并且可以使用热轧层合或层合压制，其中就连续过程的可能性和过程效率而言，优选热轧层合。热轧层合可以在10℃至100℃的温度和0.1kgf/cm2至10kgf/cm2的压力下进行，但不限于此。
在切割管芯粘结膜中，基底膜与包含另一个实施方案的半导体用粘合膜的粘合层之间的粘合强度可以为180gf/25mm2或更小、或者100gf/25mm2至180gf/25mm2、或者100gf/25mm2至150gf/25mm2、或者120gf/25mm2至140gf/25mm2、或者125gf/25mm2至135gf/25mm2、或者128.5gf/25mm2或更大且132.1gf/25mm2或更小。
此时，粘合强度可以根据KS-A-01107(8)(即，用于粘合带和片材的韩国工业标准测试规程)测量，其中将切割管芯粘结膜在烘箱中在40℃的温度下储存48小时，然后测量基底膜与粘合膜之间的剥离强度。
在切割管芯粘结膜中，如果基底膜与包含另一个实施方案的半导体用粘合膜的粘合层之间的粘合强度过度地增加至大于180gf/25mm2，则储存稳定性由于室温下膜之间的粘合反应而降低，并且即使在UV照射之后也保持相对高的粘合强度，从而可能降低切割之后芯片的拾取特性。
同时，在对切割管芯粘结膜进行UV照射之后，基底膜与包含另一个实施方案的半导体用粘合膜的粘合层之间的粘合强度可以为30gf/25mm2或更小、或者1gf/25mm2至30gf/25mm2、或者1gf/25mm2至20gf/25mm2、或者5gf/25mm2至15gf/25mm2、或者10gf/25mm2至15gf/25mm2、或者10gf/25mm2至13gf/25mm2、或者10.10gf/25mm2或更大且12.39gf/25mm2或更小。UV照射之后的粘合强度可以根据KS-A-01107(8)(即，用于粘合带和片材的韩国工业标准测试规程)测量，其中将切割管芯粘结膜用照度为70mW/cm2的高压汞灯照射5秒，然后以400mJ/cm2的暴露剂量照射，然后测量基底膜与粘合膜之间的剥离强度。
在切割管芯粘结膜中，如果基底膜与包含另一个实施方案的半导体用粘合膜的粘合层之间的粘合强度过度增加至大于30gf/25mm2，则切割之后芯片的拾取特性可能降低。
IV.用于切割半导体晶片的方法
另一方面，根据本发明的又一个实施方案，提供了用于切割半导体晶片的方法，其包括以下步骤：对半导体晶片进行部分预处理以完全切割或可切割，所述半导体晶片包括切割管芯粘结膜和层合在切割管芯粘结膜的至少一侧上的晶片；以及向经预处理的半导体晶片的基底膜照射紫外光，并且拾取通过切割半导体而分离的单独芯片。
切割管芯粘结膜的详情包括上述的那些。
除了关于切割方法的步骤的细节以外，可以使用用于半导体晶片等的切割方法的公知设备和方法而没有特别限制。
用于切割半导体晶片的方法还可以包括在预处理之后使半导体晶片扩展的步骤。在这种情况下，接着进行如下过程，向经扩展的半导体晶体的基础膜照射紫外光并拾取通过切割半导体晶片而分离的单独芯片。
通过使用包括切割膜的切割管芯粘结膜，可以使在半导体晶片的切割过程中可能产生的毛刺最小化，从而防止半导体芯片的污染并且改善半导体芯片的可靠性和寿命。
有益效果
根据本发明，可以提供具有优异的室温储存稳定性、和优异的半导体包埋特性和粘合强度并且能够实现改善的热传导特性的用于粘结半导体的树脂组合物，由其获得的半导体用粘合膜，使用其的切割管芯粘结膜以及用于切割半导体晶片的方法。
具体实施方式
将通过以下实施例更详细地描述本发明的具体实施方案。然而，这些实施例仅用于举例说明本发明的具体实施方案，并且本发明的范围不限于此。
<合成例：热塑性树脂>
[合成例1：热塑性树脂1的合成]
将70g丙烯酸丁酯、15g丙烯腈、5g甲基丙烯酸缩水甘油酯和10g甲基丙烯酸苄酯与100g甲苯混合，并使该混合物在80℃下反应约12小时以获得具有引入至支链中的缩水甘油基的丙烯酸酯树脂1(重均分子量：约400,000g/mol，玻璃化转变温度：10℃)。
然后，将丙烯酸酯树脂1溶解在二氯甲烷中，冷却，然后用0.1N KOH甲醇溶液滴定，并且确定羟基当量重量为约0.03eq/kg。
[合成例2：热塑性树脂2的合成]
将65g丙烯酸丁酯、15g丙烯腈、5g甲基丙烯酸缩水甘油酯和15g甲基丙烯酸苄酯与100g甲苯混合，并使该混合物在80℃下反应约12小时以获得具有引入至支链中的缩水甘油基的丙烯酸酯树脂2(重均分子量：约200,000g/mol，玻璃化转变温度：14℃)。
然后，将丙烯酸酯树脂2溶解在二氯甲烷中，冷却，然后用0.1N KOH甲醇溶液滴定，并且确定羟基当量重量为约0.03eq/kg。
[合成例3：热塑性树脂3的合成]
将60g丙烯酸丁酯、15g丙烯腈、5g甲基丙烯酸缩水甘油酯和20g甲基丙烯酸苄酯与100g甲苯混合，并使该混合物在80℃下反应约12小时以获得具有引入至支链中的缩水甘油基的丙烯酸酯树脂3(重均分子量：约520,000g/mol，玻璃化转变温度：15℃)。
然后，将丙烯酸酯树脂3溶解在二氯甲烷中，冷却，然后用0.1N KOH甲醇溶液滴定，并且确定羟基当量重量为约0.03eq/kg。
<实施例：用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜的制备>
实施例1
在甲基乙基酮溶剂下使用研磨机研磨如下组分：4g作为环氧树脂用固化剂的酚树脂KH-1160(由DIC Corp.生产，甲酚酚醛清漆树脂，羟基当量重量：190g/eq，软化点：65℃)、2g环氧树脂EOCN-103S(由Nippon Kayaku Co.,Ltd.生产，甲酚酚醛清漆型环氧树脂，环氧当量重量：214g/eq，软化点：80℃)、5g液体环氧树脂RE-310S(由Nippon Kayaku Co.,Ltd.生产，双酚A环氧树脂，环氧当量重量：810g/eq)、85g经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料。
然后，向该混合物中添加4g合成例1的热塑性丙烯酸酯树脂1(Mw：520,000，玻璃化转变温度：10℃)、0.1g硅烷偶联剂A-187(GE Toshiba Silicone，γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷)、0.1g作为固化促进剂的1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ-CN)、和0.1g均苯三酸(TMA)，并进一步研磨2小时以获得用于粘结半导体的树脂组合物溶液(固体含量：80重量％浓度)。使用自动涂覆机涂覆该研磨溶液以获得膜厚度为115μm的膜。
实施例2
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于添加0.18g 1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ-CN)和0.02g均苯三酸(TMA)作为固化促进剂。
实施例3
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经三甲氧基[(3-环氧乙烷-2-基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例4
以与实施例2中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经三甲氧基[(3-环氧乙烷-2-基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例5
以与实施例2中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经[3-(甲基丙烯酰氧基)丙基]三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例6
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经[3-(甲基丙烯酰氧基)丙基]三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例7
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例8
以与实施例2中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例9
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经三甲氧基(乙烯基)硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例10
以与实施例2中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经三甲氧基(乙烯基)硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例11
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经对苯乙烯基三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例12
以与实施例2中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经对苯乙烯基三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例13
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经己基三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
实施例14
以与实施例2中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经己基三甲氧基硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
<比较例：用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜的制备>
比较例1
以与实施例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用经三甲氧基[(3-苯基氨基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料代替经三甲氧基[(3-苯基)丙基]硅烷偶联剂表面处理的氧化铝填料作为填料。
比较例2
以与比较例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于使用0.1g双氰胺(DICY)和0.1g 2,4-二氨基-6-[2-(2-甲基咪唑基-1-基-乙基)-s-三嗪异氰脲酸酯(2MA-OK)作为固化促进剂。
比较例3
以与比较例1中相同的方式制造用于粘结半导体的树脂组合物和半导体用粘合膜，不同之处在于单独使用0.2g 2-乙基-4-甲基咪唑(2E4MZ)作为固化促进剂。
<实验例>
实验例1.粘合膜的平坦化处理和表面粗糙度的测量
使实施例和比较例中通过涂覆获得的各膜经过70℃SUS ROLL热层合机以使表面平坦化。然后，通过使用光学轮廓仪测量膜表面的粗糙度来确定平坦化程度，并且结果示于下表1和2中。
实验例2.粘合膜的热导率的测量
使用橡胶辊层合机将实验例1中获得的各粘合膜层合至600μm的厚度。使由此获得的膜固化以最终获得固化膜。然后，以10mm×10mm的单位制备样本，并使用热导仪LFA467通过激光闪光法测量热导率，并且结果示于下表1和2中。
实验例3.膜的粘度的测量
使用橡胶辊层合机将实验例1中获得的各粘合膜层合至600μm的厚度。将由此获得的层合膜切成8mm大小的圆形形状以制备用于测量的样本，并且使用TA Instruments的流变仪(型号名称：ARES-G2)测量样本的粘度。结果示于在下表1和2中。
实验例4.晶片的润湿性的测量
将实验例1中获得的各粘合膜制备成直径为22cm的圆形形状。将由此制备的圆形膜层合至涂覆有粘合层的PO膜上以制备切割管芯粘结膜。
然后，分别地，将80μm晶片层合在切割膜上，切成8mm×8mm，然后使用安装设备(mounting device)在70℃下对经切割的晶片和粘合膜进行热层合，并且确定是否出现粘合膜的未粘合部分。结果示于下表1和2中。
实验例5.除去固化期间的残留空隙的模拟
将实验例1中获得的各粘合膜制备成直径为22cm的圆形形状。将由此制备的圆形膜层合至涂覆有粘合层的PO膜上以制备切割管芯粘结膜。
然后，使用安装设备在70℃下对晶片进行热层合，然后将晶片和粘合膜切成12mm×9mm的尺寸。
将获得的管芯粘结膜管芯粘附在PCB上，在7atm和150℃下压制并固化60分钟。使用超声成像装置扫描整个PCB以评估散热膜的包埋特性。结果示于下表1和2中。
实验例6.测量室温下的膜粘合强度
(1)UV照射之前的粘合强度
将实验例1中获得的各粘合膜制备成符合标准的尺寸。将由此制备的粘合膜层合至涂覆有粘合层的PO膜上以制备切割管芯粘结膜。
之后，将切割管芯粘结膜在烘箱中在40℃的温度下储存48小时，然后根据KS-A-01107(8)(即，用于粘合带和片材的韩国工业标准测试规程)测量PO膜和粘合膜的粘合强度(剥离强度)。测量的剥离强度定义为UV照射之前的粘合强度。
具体地，使用具有2kg负荷的压辊通过以300mm/分钟的速度往复运动一次来压制膜样品。压制之后30分钟，将实验例1中分别获得的粘合膜的折叠部分翻转180°并剥离约25mm。然后，将实验例1中获得的各样品固定至拉伸强度测试仪(10N负荷传感器(10N loadcell))的上夹具，并将PO膜固定至下夹具。对10个样本测量以300mm/分钟的拉伸速度剥离时的负荷，然后测量并计算平均值。结果示于下表1和2中。作为拉伸测试仪，使用“InstronSeries 1X/s Automated material Tester-3343”。
(2)UV照射之后的粘合强度
将切割管芯粘结膜用照度为70mW/cm2的高压汞灯照射5秒，并以400mJ/cm2的暴露剂量照射。之后，将膜在烘箱中在40℃的温度下储存48小时，然后根据KS-A-01107(8)(即，用于粘合带和片材的韩国工业标准测试规程)测量PO膜和粘合膜的粘合强度(剥离强度)。测量的剥离强度定义为UV照射之后的粘合强度。
具体地，使用具有2kg负荷的压辊通过以300mm/分钟的速度往复运动一次来压制膜样品。压制之后30分钟，将实验例1中分别获得的粘合膜的折叠部分翻转180°并剥离约25mm。然后，将实验例1中获得的各样品固定至拉伸强度测试仪(10N负荷传感器)的上夹具，并将PO膜固定至下夹具。对10个样本测量以300mm/分钟的拉伸速度剥离时的负荷，然后测量并计算平均值。结果示于下表1和2中。作为拉伸测试仪，使用“Instron Series 1X/sAutomated material Tester-3343”。
[表1]
实施例的实验结果
Figure BDA0002616913330000301
[表2]
比较例的实验结果
Figure BDA0002616913330000311
从以上表1和表2看出，确定：由使用包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的聚合物基底；包含经苯基烷基硅烷表面处理的氧化铝填料、经环氧烷基硅烷表面处理的氧化铝填料、经甲基丙烯酰氧基烷基硅烷表面处理的氧化铝填料、经丙烯酰氧基烷基硅烷表面处理的氧化铝填料、经乙烯基硅烷表面处理的氧化铝填料、经苯乙烯基硅烷表面处理的氧化铝填料或经烷基硅烷表面处理的氧化铝填料的散热填料；以及混合有2E4MZ-CN和TMA的固化催化剂的合成例的树脂组合物生产的实施例1至14的粘合膜不仅具有2.0w/Mk的高热导率和100％的高包埋特性，而且还具有40283Pas或更大且46550Pas或更小的70℃下的粘度，4005Pas或更大且4372Pas或更小的120℃下的粘度，在UV线照射之前在室温储存期间的128.5gf/25mm2或更大且132.1gf/25mm2或更小的低粘合强度，以及在UV照射之后在室温储存期间的10.10gf/25mm2或更大且12.39gf/25mm2或更小的低粘合强度。相反，确定：由比较例1至3的树脂组合物生产的粘合膜不仅具有比实施例的热导率低的1.7w/Mk或更大且1.8w/Mk或更小的热导率，比实施例的包埋特性低的89％或更大且95％或更小的包埋特性，而且还具有与实施例的那些相比过度增加的55035Pas或更大且62100Pas或更小的70℃下的粘度，和8059Pas或更大且11002Pas或更小的120℃下的粘度，以及比实施例的那些高的在UV照射之前在室温储存期间190.05gf/25mm2或更大且220.25gf/25mm2或更小的粘合强度，和在UV照射之后在室温储存期间29.31gf/25mm2或更大且在32.25gf/25mm2或更小的粘合强度。
因此，确定实施例1至14的粘合膜通过最佳粘度范围不仅具有比比较例1至3的粘合膜更高的热导率，并且具有优异的晶片包埋特性，而且还降低了UV照射之前和之后在室温下储存期间的粘合强度，因此具有优异的储存稳定性。

Claims (15)

1.一种用于粘结半导体的树脂组合物，包含：
粘结剂树脂，所述粘结剂树脂包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂和环氧树脂；
固化剂；
散热填料，其中在其表面上引入有由以下化学式1表示的官能团；和
固化催化剂，所述固化催化剂包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物，
[化学式1]
Figure FDA0002616913320000011
其中，在化学式1中，
Z为以下中的一者：具有6至30个碳原子的芳基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、具有2至40个碳原子的烯基、具有8至40个碳原子的烯基芳基或具有1至20个碳原子的烷基，
L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，以及
R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。
2.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述基于咪唑的化合物:所述有机酸化合物的重量比为0.5:1至10:1。
3.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述有机酸化合物包括芳族多元酸化合物。
4.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述基于咪唑的化合物包括含有吸电子官能团的咪唑衍生物化合物。
5.根据权利要求4所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述含有吸电子官能团的咪唑衍生物化合物由以下化学式2表示，
[化学式2]
Figure FDA0002616913320000021
其中，在化学式2中，
X为吸电子官能团，
L2为具有1至20个碳原子的亚烷基，以及
R3至R5各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基或具有6至20个碳原子的芳基。
6.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中基于所述用于粘结半导体的树脂组合物的总重量，所述固化催化剂以0.5重量％至2.0重量％的量包含在内。
7.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的羟基当量重量为0.15eq/kg或更小。
8.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂相对于所述粘结剂树脂和所述固化剂的总重量的重量比为0.55至0.95。
9.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元和含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元(BzMA)，以及
所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中所述含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团的含量为2重量％至40重量％。
10.根据权利要求9所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含3重量％至30重量％的所述含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团。
11.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中所述散热填料包含选自以下的至少一者：氧化铝、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氧化镁、氧化锌、二氧化硅、氢氧化铝、碳酸钙、氢氧化镁、氧化铝和滑石。
12.根据权利要求1所述的用于粘结半导体的树脂组合物，
其中，其中在所述表面上引入有由化学式1表示的官能团的所述散热填料包含所述散热填料与由以下化学式3表示的基于硅烷的化合物之间的反应产物，
[化学式3]
Figure FDA0002616913320000031
其中，在化学式3中，
Z为以下中的一者：具有6至30个碳原子的芳基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、具有2至40个碳原子的烯基、具有8至40个碳原子的烯基芳基、具有1至20个碳原子的烷基，
L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，
R6、R7和R8中的至少一者为具有1至20个碳原子的烷氧基或羟基中的一者，以及
余者彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基或羟基。
13.一种半导体用粘合膜，包含：
聚合物基底，所述聚合物基底包含基于(甲基)丙烯酸酯的树脂、固化剂和环氧树脂；
散热填料，其中在其表面上引入有由以下化学式1表示的官能团；和
固化催化剂，所述固化催化剂包含基于咪唑的化合物和有机酸化合物，
其中所述散热填料和所述固化催化剂分散在所述聚合物基底中，
[化学式1]
Figure FDA0002616913320000041
其中，在化学式1中，
Z为以下中的一者：具有6至30个碳原子的芳基、环氧基、(甲基)丙烯酰氧基、具有2至40个碳原子的烯基、具有8至40个碳原子的烯基芳基或具有1至20个碳原子的烷基，
L1为以下中的一者：直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的亚烷基氧基或具有1至20个碳原子的亚烷基氧基亚烷基，以及
R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为以下中的一者：氢、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、羟基、直接键或氧基。
14.一种切割管芯粘结膜，包括：
基底膜；
形成在所述基底膜上的粘性层；和
形成在所述粘性层上且包含根据权利要求13所述的半导体用粘合膜的粘合层。
15.一种用于切割半导体晶片的方法，包括以下步骤：
对半导体晶片进行部分预处理以完全切割或可切割，所述半导体晶片包括根据权利要求14所述的切割管芯粘结膜和层合在所述切割管芯粘结膜的至少一侧上的晶片；以及
向经预处理的半导体晶片的基底膜照射紫外光，并拾取通过所述半导体的切割而分离的单独芯片。
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