JP2021512197A - 半導体接着用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法 - Google Patents
半導体接着用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021512197A JP2021512197A JP2020541525A JP2020541525A JP2021512197A JP 2021512197 A JP2021512197 A JP 2021512197A JP 2020541525 A JP2020541525 A JP 2020541525A JP 2020541525 A JP2020541525 A JP 2020541525A JP 2021512197 A JP2021512197 A JP 2021512197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon atoms
- semiconductor
- meth
- film
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
- C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
- C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
- C08F220/1804—C4-(meth)acrylate, e.g. butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate or tert-butyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
- C08G59/4014—Nitrogen containing compounds
- C08G59/4042—Imines; Imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3442—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
- C08K5/3445—Five-membered rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
- C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
- C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
- C08K5/5419—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond containing at least one Si—C bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
- C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/18—Homopolymers or copolymers of nitriles
- C09J133/20—Homopolymers or copolymers of acrylonitrile
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
- C09J163/04—Epoxynovolacs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F230/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
- C08F230/08—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
- C08F230/085—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon the monomer being a polymerisable silane, e.g. (meth)acryloyloxy trialkoxy silanes or vinyl trialkoxysilanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
- C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
- C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
- C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2463/00—Presence of epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
- H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
本出願は2018年11月14日付韓国特許出願第10−2018−0139900号および2019年10月24日付韓国特許出願第10−2019−0133049号に基づいた優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示された全ての内容は本明細書の一部として含まれる。
放熱接着素材の粘度が上昇する場合、半導体ウエハーとのWetting性が低下する一方で放熱FOD(Fill Over Die)の場合、重要な埋立特性が顕著に減少する問題も発生した。
また、本発明は、前記の半導体接着用樹脂組成物を用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、および半導体ウエハーのダイシング方法を提供するためのものである。
本明細書において、(メタ)アクリルは、アクリルまたはメタクリルを全て意味する。
本明細書において、ある部分がある構成要素を“含む”という時、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
本明細書において、“置換”という用語は化合物内の水素原子の代わりに他の官能基が結合することを意味し、置換される位置は水素原子が置換される位置、即ち、置換基が置換可能な位置であれば限定されず、2以上置換される場合、2以上の置換基は互いに同一であるか異なってもよい。
本明細書において、アルコキシ基はエーテル基(−O−)の一末端に前述のアルキル基が結合した官能基であって、これらはエーテル基(−O−)と結合された官能基であることを除いては、前述のアルキル基の説明を適用することができる。例えば、直鎖、分枝鎖または環鎖であってもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、炭素数1〜20であるのが好ましい。具体的に、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、i−プロピルオキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、tert−ブトキシ、sec−ブトキシ、n−ペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、n−ヘキシルオキシ、3,3−ジメチルブチルオキシ、2−エチルブチルオキシ、n−オクチルオキシ、n−ノニルオキシ、n−デシルオキシ、シクロヘプトキシ、ベンジルオキシ、p−メチルベンジルオキシなどがあるが、これに限定されない。前記アルコキシ基は非置換または置換されてもよく、置換される場合、置換基の例示は上述の通りである。
I.半導体接着用樹脂組成物
発明の一実施形態によれば、(メタ)アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むバインダー樹脂;硬化剤;前記化学式1で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー;およびイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒;を含む半導体接着用樹脂組成物を提供することができる。
前記バインダー樹脂は、(メタ)アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むことができる。
具体的に、前記(メタ)アクリレート系樹脂は、エポキシ系官能基を含む(メタ)アクリレート系繰り返し単位と、芳香族官能基を含む(メタ)アクリレート系繰り返し単位(BzMA)を含むことができる。
前記硬化剤は、フェノール樹脂を含むことができる。
前記フェノール樹脂は、80g/eq〜400g/eqの水酸基当量、または90g/eq〜250g/eqの水酸基当量、または100g/eq〜178g/eqの水酸基当量、または210〜240g/eq水酸基当量を有することができる。前記フェノール樹脂が前述の水酸基当量範囲を有することによって、低い含量でも硬化度を高めて、優れた接着力の特性を付与することができる。
前記放熱フィラーは、半導体接着用樹脂組成物に使用されて、電気素子などで発生する熱を急速にヒートシンクなどに伝達する作用または効果を発揮することができる。前記放熱フィラーは、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、シリカ、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、および滑石からなる群より選択された1種以上を含むことができる。
前記放熱フィラーは、前記化学式1で表される官能基が表面に導入できる。
前記炭素数6〜30のアリールの例としては、フェニル基などが挙げられる。
前記エポキシの例としては、3−オキシラン−2−イルなどが挙げられる。
前記(メタ)アクリロイルオキシの例としては、メタクリロイルオキシまたはアクリロイルオキシなどが挙げられる。
前記炭素数2〜40のアルケニルの例としては、ビニルなどが挙げられる。
前記炭素数8〜40のアルケニルアリールの例としては、p−スチリルなどが挙げられる。
前記炭素数1〜20のアルキルの例としては、ヘキシルなどが挙げられる。
前記化学式3中、R6、R7およびR8のうちの少なくとも一つは炭素数1〜20のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つであり、残りは互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つである。
前記硬化触媒は、前記硬化剤の作用や前記半導体接着用樹脂組成物から半導体用接着フィルムを製造する過程で硬化を促進させる役割を果たすことができる。
前記硬化触媒は、前記半導体接着用樹脂組成物全体重量を基準にして、0.5重量%〜2.0重量%、または0.5重量%〜1.5重量%、または0.8重量%〜1.2重量%で含まれてもよい。前記硬化触媒が前述の含量で前記半導体接着用樹脂組成物内に含まれることによって、前記半導体接着用樹脂組成物は常温安定性に対する再現性を確保することができる。
一方、前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記(メタ)アクリレート系樹脂の重量の比率が0.55〜0.95であってもよい。前記半導体用接着フィルムが前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記(メタ)アクリレート系樹脂を前述の範囲で含むことによって、前記半導体接着用樹脂組成物から得られる半導体用接着フィルムは、初期引張時相対的に高いモジュラスを示しながらも高い弾性、優れた機械的物性および高い接着力を実現することができる。
発明の他の実施形態によれば、(メタ)アクリレート系樹脂、硬化剤およびエポキシ樹脂を含む高分子基材;前記化学式1で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー;およびイミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒;を含み、前記高分子基材に放熱フィラーと硬化触媒が分散された半導体用接着フィルムを提供することができる。
発明のまた他の実施形態によれば、基材フィルム;前記基材フィルム上に形成される粘着層;および前記粘着層上に形成され、前記他の実施形態の半導体用接着フィルムを含む接着層;を含むダイシングダイボンディングフィルムを提供することができる。
前記ダイシングダイボンディングフィルムで、基材フィルムと前記他の実施形態の半導体用接着フィルムを含む接着層間の接着力が30gf/25mm2超過で過度に増加するようになれば、ダイシング後チップピックアップ性が低下することがある。
一方、発明のまた他の実施形態によれば、前記他の実施形態のダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハーを含む半導体ウエハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階;および前記前処理した半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断によって分離された個別チップをピックアップする段階を含む、半導体ウエハーのダイシング方法を提供することができる。
[合成例1:熱可塑性樹脂1の合成]
トルエン100gにブチルアクリレート70g、アクリロニトリル15g、グリシジルメタクリレート5gおよびベンジルメタクリレート10gを混合して80℃で約12時間反応して、グリシジル基が分枝鎖として導入されたアクリレート樹脂1(重量平均分子量約40万g/mol、ガラス転移温度10℃)を合成した。
そして、前記アクリレート樹脂1をジクロロメタンに溶解させた後、冷却させ0.1N KOHメタノール溶液で滴定して水酸基当量が約0.03eq/kgである点を確認した。
トルエン100gにブチルアクリレート65g、アクリロニトリル15g、グリシジルメタクリレート5gおよびベンジルメタクリレート15gを混合して80℃で約12時間反応して、グリシジル基が分枝鎖として導入されたアクリレート樹脂2(重量平均分子量約20万g/mol、ガラス転移温度14℃)を合成した。
そして、前記アクリレート樹脂2をジクロロメタンに溶解させた後、冷却させ0.1N KOHメタノール溶液で滴定して水酸基当量が約0.03eq/kgである点を確認した。
トルエン100gにブチルアクリレート60g、アクリロニトリル15g、グリシジルメタクリレート5gおよびベンジルメタクリレート20gを混合して80℃で約12時間反応して、グリシジル基が分枝鎖として導入されたアクリレート樹脂3(重量平均分子量約52万g/mol、ガラス転移温度15℃)を合成した。
そして、前記アクリレート樹脂3をジクロロメタンに溶解させた後、冷却させ0.1N KOHメタノール溶液で滴定して水酸基当量が約0.03eq/kgである点を確認した。
実施例1
エポキシ樹脂の硬化剤であるフェノール樹脂KA−1160(DIC社製品、クレゾールノボラック樹脂、水酸基当量190g/eq、軟化点:65℃)4g、エポキシ樹脂EOCN−103S(日本化薬製品、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量214g/eq、軟化点:80℃)2g、液状エポキシ樹脂RE−310S(日本化学製品、ビスフェノールAエポキシ樹脂、エポキシ当量180g/eq)5g、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラー85gをメチルエチルケトン溶媒下でミリング器を用いてミリングした。
前記硬化促進剤として、1−cyanoethyl−2−ethyl−4−methylimidazole(2E4MZ−CN)0.18g、Trimesic Acid(TMA)0.02gを添加したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ[(3−オキシラン−2−イル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−oxiran−2−yl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ[(3−オキシラン−2−イル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−oxiran−2−yl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例2と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、[3−(メタクリロイルオキシ)プロピル]トリメトキシシラン[3−(Methacryloyloxy)propyl]trimethoxysilane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例2と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、[3−(メタクリロイルオキシ)プロピル]トリメトキシシラン[3−(Methacryloyloxy)propyl]trimethoxysilane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、3−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン(3−acryloyloxypropyltrimethoysilane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、3−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン(3−acryloyloxypropyltrimethoysilane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例2と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ(ビニル)シラン(Trimethoxy(vinyl)silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ(ビニル)シラン(Trimethoxy(vinyl)silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例2と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、p−スチリルトリメトキシシラン(p−Styryltrimethoxysilane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、p−スチリルトリメトキシシラン(p−Styryltrimethoxysilane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例2と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、ヘキシルトリメトキシシラン(hexyltrimethoxysialane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、ヘキシルトリメトキシシラン(hexyltrimethoxysialane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例2と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
比較例1
前記フィラーとして、トリメトキシ[(3−フェニル)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenyl)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーの代わりに、トリメトキシ[(3−フェニルアミノ)プロピル]シラン(trimethoxy[(3−phenylamino)propyl]silane)カップリング剤で表面処理されたアルミナフィラーを使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
前記硬化促進剤として、dicyandiamide(DICY)0.1g、2,4−diamino−6−[2−(2−methylimidazol−1−yl−ethyl)−s−triazine iso−cynanurate(2MA−OK)0.1gを使用したことを除いては、前記比較例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
硬化促進剤として、2−ethyl−4−methylimidazole(2E4MZ)のみを0.2g使用したことを除いては、前記実施例1と同様な方法で半導体接着用樹脂組成物および半導体用接着フィルムを製造した。
実験例1.接着フィルムの平坦化処理および表面粗さ測定
前記実施例および比較例でコーティングで得られたフィルムを70℃SUS ROLL熱ラミネート機を通過させて表面を平坦化した。そして、平坦化程度はOptical profilerを用いてフィルム表面の粗さ(roughness)を測定し、その結果を下記表1および表2に記載した。
前記実験例1でそれぞれ得られた接着フィルムを、ゴムロールラミネート機を用いて600μm厚さになるまで積層した。このように得られたフィルムは硬化して最終的に硬化フィルムを得た。そして、10mm*10mm単位で試片を製造し、Lazer flash方式の熱伝導度機器 LFA467を用いて熱伝導度を測定し、その結果を下記表1および表2に記載した。
前記実験例1でそれぞれ得られた接着フィルムを、ゴムロールラミネート機を用いて600μm厚さになるまで積層した。そして、得られた積層フィルムを、8mm円形試片を製造した後にTA社のARES−G2を用いて粘度を測定し、その結果を下記表1および表2に記載した。
前記実験例1でそれぞれ得られた接着フィルムを直径22cmの円形に製造した。このように製造された円形フィルムを粘着層がコーティングされたPOフィルムにラミネートしてダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
そして、これとは別途に、80μmウエハーをダイシングフィルムにラミネートし、8mm*8mmの大きさに切断した後、マウンティング機器を用いて70℃で分断されたウエハーと接着フィルムの熱ラミネートを実施しながら接着フィルムの未接着有無を判別し、その結果を下記表1および表2に記載した。
前記実験例1でそれぞれ得られた接着フィルムを直径22cmの円形に製造した。このように製造された円形フィルムを粘着層がコーティングされたPOフィルムにラミネートしてダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
そして、マウンティング機器を用いて70℃でウエハーと熱ラミネートを実施し、その後、12mm*9mmの大きさでウエハーと接着フィルムをダイシングした。
PCB上に前記得られたダイボンディングフィルムをダイアタッチし、7気圧、150℃、60分加圧硬化を実施し、超音波イメージ装置を用いてPCB全体をスキャニングして放熱フィルムの埋立性を評価し、その結果を下記表1および表2に記載した。
(1)UV照射前接着力
前記実験例1でそれぞれ得られた接着フィルムを規格に合うサイズで製作した。このように製造された接着フィルムを粘着層がコーティングされたPOフィルムにラミネートしてダイシングダイボンディングフィルムを製造した。
その後、前記ダイシングダイボンディングフィルムを40℃温度のオーブンで48時間保管した後、POフィルムと接着フィルムの接着力(剥離力)を韓国工業規格KS−A−01107(粘着テープおよび粘着シートの試験方法)の8項によって測定し、測定された剥離強度をUV照射前接着力と規定した。
前記ダイシングダイボンディングフィルムを70mW/cm2の照度を有する高圧水銀灯で5秒間照射して露光量400mJ/cm2で照射した後、40℃温度のオーブンで48時間保管した後、POフィルムと接着フィルムの接着力(剥離力)を韓国工業規格KS−A−01107(粘着テープおよび粘着シートの試験方法)の8項によって測定し、測定された剥離強度をUV照射後接着力と規定した。
Claims (15)
- (メタ)アクリレート系樹脂およびエポキシ樹脂を含むバインダー樹脂;
硬化剤;
下記化学式1で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー;および
イミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒;を含む、半導体接着用樹脂組成物:
Zは、炭素数6〜30のアリール、エポキシ、(メタ)アクリロイルオキシ、炭素数2〜40のアルケニル、炭素数8〜40のアルケニルアリール、炭素数1〜20のアルキルのうちの一つであり、
L1は、直接結合、炭素数1〜20のアルキレン、炭素数1〜20のアルキレンオキシ、または炭素数1〜20のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、
R1およびR2は、互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。 - 前記イミダゾール系化合物:有機酸化合物の重量比率が0.5:1〜10:1である、請求項1に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記有機酸化合物は、芳香族ポリ酸化合物を含む、請求項1または2に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記イミダゾール系化合物は、電子求引官能基を含むイミダゾール誘導体化合物を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記硬化触媒は、前記半導体接着用樹脂組成物全体重量を基準にして、0.5重量%〜2.0重量%で含まれる、請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記(メタ)アクリレート系樹脂の水酸基当量が0.15eq/kg以下である、請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記バインダー樹脂および硬化剤総重量に対する前記(メタ)アクリレート系樹脂の重量の比率が0.55〜0.95である、請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記(メタ)アクリレート系樹脂は、
エポキシ系官能基を含む(メタ)アクリレート系繰り返し単位と芳香族官能基を含む(メタ)アクリレート系繰り返し単位(BzMA)を含み、
前記(メタ)アクリレート系樹脂中の芳香族官能基を含む(メタ)アクリレート系官能基の含量が2重量%〜40重量%である、請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。 - 前記(メタ)アクリレート系樹脂は、前記芳香族官能基を含む(メタ)アクリレート系官能基を3重量%〜30重量%含む、請求項9に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記放熱フィラーは、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、シリカ、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、および滑石からなる群より選択された1種以上を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記化学式1で表される官能基が表面に導入された放熱フィラーは、
放熱フィラーと下記化学式3で表示されるシラン系化合物の反応結果物を含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体接着用樹脂組成物:
Zは、炭素数6〜30のアリール、エポキシ、(メタ)アクリロイルオキシ、炭素数2〜40のアルケニル、炭素数8〜40のアルケニルアリール、炭素数1〜20のアルキルのうちの一つであり、
L1は、直接結合、炭素数1〜20のアルキレン、炭素数1〜20のアルキレンオキシ、または炭素数1〜20のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、
R6、R7およびR8のうちの少なくとも一つは、炭素数1〜20のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つであり、
残りは、互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、またはヒドロキシ基のうちの一つである。 - (メタ)アクリレート系樹脂、硬化剤およびエポキシ樹脂を含む高分子基材;
下記化学式1で表される官能基が表面に導入された放熱フィラー;および
イミダゾール系化合物および有機酸化合物を含む硬化触媒;を含み、
前記高分子基材に放熱フィラーと硬化触媒が分散された、半導体用接着フィルム:
上記化学式1中、
Zは、炭素数6〜30のアリール、エポキシ、(メタ)アクリロイルオキシ、炭素数2〜40のアルケニル、炭素数8〜40のアルケニルアリール、炭素数1〜20のアルキルのうちの一つであり、
L1は、直接結合、炭素数1〜20のアルキレン、炭素数1〜20のアルキレンオキシ、または炭素数1〜20のアルキレンオキシアルキレンのうちの一つであり、
R1およびR2は、互いに同一であるか異なり、それぞれ独立して、水素、炭素数1〜20のアルキル、炭素数1〜20のアルコキシ、ヒドロキシ基、直接結合、またはオキシのうちの一つである。 - 基材フィルム;
前記基材フィルム上に形成される粘着層;および
前記粘着層上に形成され、請求項13の半導体用接着フィルムを含む接着層;を含む、ダイシングダイボンディングフィルム。 - 請求項14のダイシングダイボンディングフィルムおよび前記ダイシングダイボンディングフィルムの少なくとも一面に積層されたウエハーを含む半導体ウエハーを完全分断または分断可能に部分処理する前処理段階;および
前記前処理した半導体ウエハーの基材フィルムに紫外線を照射し、前記半導体ウエハーの分断によって分離された個別チップなどをピックアップする段階;を含む、半導体ウエハーのダイシング方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20180139900 | 2018-11-14 | ||
KR10-2018-0139900 | 2018-11-14 | ||
KR1020190133049A KR102376144B1 (ko) | 2018-11-14 | 2019-10-24 | 반도체 접착용 수지 조성물, 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법 |
KR10-2019-0133049 | 2019-10-24 | ||
PCT/KR2019/014712 WO2020101236A1 (ko) | 2018-11-14 | 2019-11-01 | 반도체 접착용 수지 조성물, 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021512197A true JP2021512197A (ja) | 2021-05-13 |
JP7143004B2 JP7143004B2 (ja) | 2022-09-28 |
Family
ID=70914062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020541525A Active JP7143004B2 (ja) | 2018-11-14 | 2019-11-01 | 半導体接着用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11879075B2 (ja) |
EP (1) | EP3730568B1 (ja) |
JP (1) | JP7143004B2 (ja) |
KR (1) | KR102376144B1 (ja) |
CN (1) | CN111684036B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021530587A (ja) * | 2019-05-10 | 2021-11-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 半導体回路接続用接着剤組成物、これを用いた半導体用接着フィルム、半導体パッケージ製造方法および半導体パッケージ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022168729A1 (ja) * | 2021-02-03 | 2022-08-11 | デクセリアルズ株式会社 | 熱伝導性シート積層体及びこれを用いた電子機器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011026374A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法、半導体装置 |
JP6239500B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2017-11-29 | 古河電気工業株式会社 | フィルム状接着剤用組成物及びその製造方法、フィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP6247204B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-12-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置、ダイアタッチ材料および半導体装置の製造方法 |
WO2018066851A1 (ko) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 |
JP2018148124A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | リンテック株式会社 | 封止シート、および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100774798B1 (ko) * | 2004-05-13 | 2007-11-07 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 이것을 이용한 반도체 장치 |
JP4421939B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2010-02-24 | 日東電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
KR101047923B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2011-07-08 | 주식회사 엘지화학 | 버 특성 및 신뢰성이 우수한 다이싱 다이 본딩 필름 및반도체 장치 |
KR101023241B1 (ko) | 2009-12-28 | 2011-03-21 | 제일모직주식회사 | 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착 필름 |
KR101033045B1 (ko) | 2009-12-30 | 2011-05-09 | 제일모직주식회사 | 반도체 조립용 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름 |
US8674502B2 (en) * | 2010-07-16 | 2014-03-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor-encapsulating adhesive, semiconductor-encapsulating film-form adhesive, method for producing semiconductor device, and semiconductor device |
WO2014021450A1 (ja) | 2012-08-02 | 2014-02-06 | リンテック株式会社 | フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法 |
JP6366228B2 (ja) | 2013-06-04 | 2018-08-01 | 日東電工株式会社 | 接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルム |
KR101807807B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2018-01-18 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름 |
JP2016104832A (ja) | 2014-12-01 | 2016-06-09 | Dic株式会社 | 樹脂組成物、熱伝導性接着剤、熱伝導性接着シート及び積層体 |
-
2019
- 2019-10-24 KR KR1020190133049A patent/KR102376144B1/ko active IP Right Grant
- 2019-11-01 US US17/040,180 patent/US11879075B2/en active Active
- 2019-11-01 JP JP2020541525A patent/JP7143004B2/ja active Active
- 2019-11-01 CN CN201980011646.0A patent/CN111684036B/zh active Active
- 2019-11-01 EP EP19885177.6A patent/EP3730568B1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011026374A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法、半導体装置 |
JP6247204B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-12-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置、ダイアタッチ材料および半導体装置の製造方法 |
JP6239500B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2017-11-29 | 古河電気工業株式会社 | フィルム状接着剤用組成物及びその製造方法、フィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 |
WO2018066851A1 (ko) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체용 접착 필름 및 다이싱 다이본딩 필름 |
JP2018148124A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | リンテック株式会社 | 封止シート、および半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021530587A (ja) * | 2019-05-10 | 2021-11-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 半導体回路接続用接着剤組成物、これを用いた半導体用接着フィルム、半導体パッケージ製造方法および半導体パッケージ |
JP7150383B2 (ja) | 2019-05-10 | 2022-10-11 | エルジー・ケム・リミテッド | 半導体回路接続用接着剤組成物、これを用いた半導体用接着フィルム、半導体パッケージ製造方法および半導体パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11879075B2 (en) | 2024-01-23 |
CN111684036A (zh) | 2020-09-18 |
EP3730568A1 (en) | 2020-10-28 |
KR20200056292A (ko) | 2020-05-22 |
JP7143004B2 (ja) | 2022-09-28 |
US20210009867A1 (en) | 2021-01-14 |
KR102376144B1 (ko) | 2022-03-18 |
EP3730568A4 (en) | 2021-06-30 |
EP3730568B1 (en) | 2024-09-25 |
CN111684036B (zh) | 2022-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9953945B2 (en) | Adhesive resin compostition for bonding semiconductors and adhesive film for semiconductors | |
TWI441894B (zh) | 熱固型晶片接合薄膜、切割/晶片接合薄膜及半導體裝置的製造方法 | |
US10510579B2 (en) | Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, and dicing die bonding film | |
JP2007016074A (ja) | 粘接着シート、粘接着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
KR102673452B1 (ko) | 다이 본딩 필름, 다이싱 다이 본딩 시트, 및 반도체 칩의 제조 방법 | |
WO2019182001A1 (ja) | フィルム状接着剤及び半導体加工用シート | |
JP2013194102A (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
TW202039727A (zh) | 附有接著膜之切晶帶 | |
JP7143004B2 (ja) | 半導体接着用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、半導体ウエハーのダイシング方法 | |
US7851335B2 (en) | Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device | |
KR102236280B1 (ko) | 반도체용 접착 필름 | |
TWI809132B (zh) | 半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法 | |
TWI829890B (zh) | 膜狀接著劑以及半導體加工用片 | |
JP2010199626A (ja) | ダイボンド用接着フィルム、及びこれを用いた半導体装置 | |
JP7291310B1 (ja) | 熱硬化性フィルム、複合シート、及び半導体装置の製造方法 | |
KR102519212B1 (ko) | 반도체 접착용 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체용 접착 필름 | |
WO2023058303A1 (ja) | 熱硬化性フィルム、複合シート、及び半導体装置の製造方法 | |
JP7471880B2 (ja) | フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート | |
WO2022210087A1 (ja) | フィルム状接着剤、ダイシングダイボンディングシート、半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤の使用、ダイシングダイボンディングシートの使用、及び、半導体ウエハのリワーク方法 | |
JP7471879B2 (ja) | フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート | |
TW202235577A (zh) | 工件處理片、半導體裝置的製造方法及工件處理片的使用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7143004 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |