JP7136672B2 - 配線基板及び電子装置 - Google Patents

Description

本開示は、配線基板及び電子装置に関する。

特許文献１には、表面実装型の電子部品において電極間に生じる金属成分のマイグレーションを抑制する技術が開示されている。マイグレーションとは、半田等の接合材に含まれる金属成分が電極間等に移動する現象を言う。例えば電極間に水分あるいは半田のフラックスが付着した状態で、電極間に電圧が加わると、電気分解反応によりマイグレーションが生じる場合があり、電極間の耐電圧が低下するなどの課題が生じる。特許文献１では、電極間を誘電体の凸部で遮ることで、電極間へのマイグレーションの防止を図っている。

特開平５－３２６２６７号公報

しかしながら、特許文献１の構造では、電極に半田等の接合材が盛られたときに、接合材が誘電体の凸部上に流出しやすく、この場合、電極間のマイグレーションの発生を抑制しにくいという課題がある。

本開示は、導体層上の接合材から絶縁基板上への金属成分のマイグレーションの発生を抑制できる配線基板及び電子装置を提供することを目的とする。

本開示に係る配線基板は、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に順次積層された金属層及び導体層とを含む配線基板であって、
前記金属層は、前記金属層の縁部において前記金属層の厚み方向に突出した金属層突出部を有し、
前記金属層突出部が、前記導体層の縁の側面よりも側方に延在し、
前記バリア層および前記密着層の厚みが、突出端に近いほど小さい構成が採用される。
本開示に係るもう一つの態様の配線基板は、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に順次積層された金属層及び導体層とを含む配線基板であって、
前記金属層は、前記金属層の縁部において前記金属層の厚み方向に突出した金属層突出部を有し、
前記金属層突出部が、前記導体層の縁の側面よりも側方に延在し、
前記絶縁基板は、前記金属層の厚み方向に突出した絶縁突出部を有し、
前記絶縁突出部が、前記金属層突出部の側方に延在し、
前記絶縁突出部は、前記導体層よりも前記厚み方向に突出している構成が採用される。
本開示に係るもう一つの態様の配線基板は、
絶縁基板と、前記絶縁基板上に順次積層された金属層及び導体層とを含む配線基板であって、
前記金属層は、前記金属層の縁部において前記金属層の厚み方向に突出した金属層突出部を有し、
前記金属層突出部が、前記導体層の縁の側面よりも側方に延在し、
前記絶縁基板は、前記金属層の厚み方向に突出した絶縁突出部を有し、
前記絶縁突出部が、前記金属層突出部の側方に延在し、
互いに隣接する、第１組の前記金属層、前記導体層及び前記絶縁突出部、並びに、第２組の前記金属層、前記導体層及び前記絶縁突出部と、
前記第１組の導体層と前記第２組の導体層との間に、前記第１組の絶縁突出部、前記絶縁基板の板面及び第２組の絶縁突出部で囲われる溝と、
を備える構成が採用される。

本開示に係る電子装置は、
前記導体層がＡｕを含む上述の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を備える構成とする。

本開示に係る電子装置は、
上述の配線基板と、
前記配線基板に搭載された電子部品と、
を備え、
前記電子部品が、前記導体層にＡｕを含むワイヤ又はＡｕを含むバンプを介して電気的に接続されるように構成される。

本開示によれば、導体層上の接合材から絶縁基板上への金属成分のマイグレーションの発生を抑制できる配線基板及び電子装置を提供できる。

本開示の実施形態１に係る配線基板を示す断面図である。 本開示の実施形態２に係る配線基板を示す断面図である。 本開示の実施形態３に係る配線基板を示す断面図である。 本開示の実施形態４に係る電子装置を示す断面図である。 本開示の実施形態５に係る電子装置を示す断面図である。 本開示の実施形態６に係る電子装置を示す断面図である。

以下、本開示の各実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

（実施形態１）
図１は、本開示の実施形態１に係る配線基板を示す断面図である。

実施形態１に係る配線基板１は、絶縁基板１０と、絶縁基板１０の一部の領域上に積層された金属層１１及び導体層１４とを備える。絶縁基板１０に近い方から、金属層１１、導体層１４の順に積層されている。金属層１１及び導体層１４は、絶縁基板１０の板面に沿った広がり有し、配線基板１において信号を伝送する配線、並びに、電子部品の端子と電気的に接続する接続パッド等として機能する。

絶縁基板１０は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ガラスセラミックス等の絶縁性を有する基板である。

導体層１４は、導体であり耐食性を有する材料から構成される。導体層１４の材料としては、例えばＡｕ（金）が適用できる。

金属層１１は、導体層１４と異なる金属材料から構成される。金属層１１の材料は、導体層１４よりも電気伝導率が低い金属であってもよい。金属層１１は、絶縁基板１０と導体層１４との間に介在して、絶縁基板１０から導体層１４を剥がれ難くする性質（密着性を向上する性質）を有してもよい。あるいは、金属層１１は、絶縁基板１０と導体層１４との間に介在して、導体層１４の異種金属による接触腐食を抑制する性質を有してもよい。あるいは、金属層は、上述の密着性の向上の性質と、接触腐食を抑制する性質との両方を有してもよい。金属層１１は、１層又は材質の異なる複数の層から構成されてもよい。

図１の例では、金属層１１は、導体層１４の密着性を向上する密着層１２と、密着層１２による導体層１４への接触腐食を抑制するバリア層１３とを含む。金属層１１は、絶縁基板１０に近い方から密着層１２とバリア層１３とが積層されて構成される。密着層１２の材料としては、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）又はこれらの合金などを適用できる。バリア層１３の材料としては、Ｐｔ（白金）又はＰｄ（パラジウム）などの白金族元素等を適用できる。

金属層１１は、図１に示すように、縁部に、金属層１１の厚み方向に突出した金属層突出部１１ｔを有する。金属層突出部１１ｔは、突出端Ｐ１に近いほど厚みＬ１が小さい先細り形状を有する。図１の金属層突出部１１ｔは、導体層１４よりも導体層１４の厚み方向に突出しているが、金属層突出部１１ｔは、導体層１４よりも突出していなくてもよい。金属層突出部１１ｔは、密着層１２の突出部１２ｔとバリア層１３の突出部１３ｔとを含むが、いずれかの突出部のみ（例えばバリア層１３の突出部のみ）が含まれる構成としてもよい。

金属層突出部１１ｔは、導体層１４の縁の側面１４Ｓよりも側方に延在する。具体的には、金属層突出部１１ｔは、導体層１４の側面１４Ｓと接触し、側面１４Ｓを覆う。

＜製造方法＞
実施形態１の配線基板１の製造方法は、絶縁基板１０に金属層１１及び導体層１４を成膜する工程と、所定の配線パターンで金属層１１及び導体層１４が残るように、導体層１４と金属層１１とをエッチングする工程とを含む。

エッチング工程においては、導体層１４上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストを所定パターンで残した後、Ａｒイオンを照射するドライエッチングにより、露出された導体層１４とその下方の金属層１１とをエッチングする。

金属層１１のエッチングの際には、さらに、Ａｒイオンの照射により飛散された金属層１１の粒子を、金属層１１の縁部、導体層１４の側面及びレジストの側面に再付着させる。そして、再付着された金属層１１の粒子がエッチングされないうちに、Ａｒイオンの照射を終了する。これにより、金属層突出部１１ｔを有する配線基板１が製造される。

以上のように、実施形態１の配線基板１によれば、導体層１４の縁の側面１４Ｓの側方に金属層突出部１１ｔが延在している。導体層１４の上面に半田等の接合材が盛られ、その後、接合材がリフロー処理される際、導体層１４は接合材に溶解される場合がある。しかし、導体層１４が溶解されても、金属層突出部１１ｔが導体層１４の側方に延在していることで、導体層１４を溶解した接合材と、絶縁基板１０の露出面１０Ｂとの間を、金属層突出部１１ｔが遮る。これにより、配線基板１の使用時に、絶縁基板１０の露出面１０Ｂに水分等が付着しても、導体層１４を溶解した接合材の金属成分が絶縁基板１０の露出面１０Ｂへ移動するマイグレーションを抑制できる。このような作用は、金属層突出部１１ｔが、導体層１４よりも厚み方向に突出していなくても奏される。

さらに、実施形態１の配線基板１によれば、金属層突出部１１ｔが、導体層１４よりも導体層１４の厚み方向に突出している。したがって、導体層１４の上面に半田等の接合材が盛られた場合に、接合材と絶縁基板１０の露出面１０Ｂとの間を金属層突出部１１ｔが遮る。これにより、接合材が導体層１４の側方へ拡がることが抑制され、配線基板１の使用時に、絶縁基板１０の露出面１０Ｂに水分等が付着しても、接合材の金属成分のマイグレーションを抑制することができる。

さらに、実施形態１の配線基板１によれば、金属層突出部１１ｔは、突出端Ｐ１に近いほど厚みＬ１が小さい先細り形状を有する。配線基板１になんらかの構造を形成する場合、構造体の成長時に内部応力が蓄積し、蓄積された内部応力により構造体に変形する力が働くことがある。例えば金属層突出部１１ｔには、蓄積された内部応力により、導体層１４の側面から剥離する方向の力が生じる場合がある。しかし、金属層突出部１１ｔは先細りの形状を有していることで、突出端Ｐ１に近いほど内部応力の蓄積がなく、突出端Ｐ１に生じる力が小さいため、金属層突出部１１ｔが導体層１４から剥離してしまうことを抑制できる。

さらに、実施形態１の配線基板１によれば、金属層１１に密着層１２が含まれるので、導体層１４の密着性を向上できる。さらに、実施形態１の配線基板１によれば、金属層１１にバリア層１３が含まれるので、密着層１２と導体層１４との接触腐食を抑制できる。

（実施形態２）
図２は、本開示の実施形態２に係る配線基板を示す断面図である。

実施形態２に係る配線基板１０１は、絶縁基板１１０の構造が異なる他は、実施形態１と同様である。実施形態１と同様の構成要素については、実施形態１と同様の符号を付して詳細な説明を省略する。

絶縁基板１１０は、導体層１４及び金属層１１の厚み方向に突出した絶縁突出部１１０ｔを有する。絶縁突出部１１０ｔは、金属層突出部１１ｔの側方、すなわち、導体層１４及び金属層１１の縁の側面よりも側方に延在する。具体的には、絶縁突出部１１０ｔは、金属層突出部１１ｔの側面に接触し、金属層突出部１１ｔの側面の一部又は全部を覆う。図２の絶縁突出部１１０ｔは、導体層１４よりも導体層１４の厚み方向に突出しているが、導体層１４よりも突出していなくてもよい。絶縁突出部１１０ｔは、突出端Ｐ２に近いほど厚みＬ１１０が小さい先細り形状を有する。

絶縁基板１１０の露出面１１０Ｂは、絶縁基板１１０における導体層１４及び金属層１１に覆われた部位の上面１１０Ｃよりも、厚み方向の高さが低い。絶縁基板１１０の露出面１１０Ｂの部位は、絶縁基板１１０における導体層１４及び金属層１１に覆われた部位よりも厚みが小さい。

図２に示すように、２組の導体層１４、１４Ｌ及び金属層１１、１１Ｌが隣接している場合、２つの導体層１４、１４Ｌの間には、両側の絶縁突出部１１０ｔ、１１０ｔＬと、絶縁基板１１０の露出面１１０Ｂとに囲まれた溝Ｖ１が形成される。これにより、２つの導体層１４、１４Ｌの間に、長い沿面距離（露出面１１０Ｂの幅長Ｘ１＋絶縁突出部１１０ｔの根元から突出端Ｐ２までの長さＸ２×２）を確保することができる。

＜製造方法＞
実施形態２の配線基板１０１の製造方法は、絶縁基板１１０に金属層１１及び導体層１４を製膜する工程と、所定の配線パターンで金属層１１及び導体層１４が残るように、導体層１４と金属層１１と絶縁基板１１０の表層とをエッチングする工程とを含む。

エッチング工程においては、先ず、導体層１４上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストを所定パターンで残す。その後、例えばＡｒイオンの照射によるドライエッチングにより、露出された導体層１４とその下方の金属層１１及び絶縁基板１１０の表層とをエッチングする。

金属層１１のエッチングの際には、さらに、Ａｒイオンの照射により飛散された金属層１１の粒子を、金属層１１の縁部、導体層１４の側面及びレジストの側面に再付着させる。再付着した粒子が、金属層突出部１１ｔとなる。さらに、絶縁基板１１０の表層のエッチングの際、Ａｒイオンの照射により飛散された絶縁基板１１０の粒子を、金属層突出部１１ｔの側面に再付着させる。再付着した粒子が、絶縁突出部１１０ｔとなる。そして、再付着された粒子により形成された金属層突出部１１ｔと絶縁突出部１１０ｔとが除去されないうちに、Ａｒイオンの照射を終了する。これにより、金属層突出部１１ｔと絶縁突出部１１０ｔとを有する配線基板１０１が製造される。

以上のように、実施形態２の配線基板１０１によれば、絶縁突出部１１０ｔが金属層突出部１１ｔを、片側から支持する。これにより、金属層突出部１１ｔが導体層１４から剥離しないように金属層突出部１１ｔを補強できる。さらに、絶縁突出部１１０ｔにより、導体層１４上に盛られた半田等の接合材が、導体層１４又は金属層１１の側方へ拡がることを抑制でき、これにより接合材に含まれる金属成分のマイグレーションをより抑制できる。

さらに、実施形態２の配線基板１０１によれば、絶縁突出部１１０ｔが導体層１４よりも厚み方向に突出している。これにより、金属層突出部１１ｔの補強強度がより向上し、かつ、接合材が導体層１４の側方へ拡がることをより抑制できる。

また、実施形態２の配線基板１０１によれば、絶縁突出部１１０ｔ、１１０ｔＬにより、導体層１４、１４Ｌの間に、絶縁体に囲まれた溝Ｖ１を形成できる。したがって、導体層１４、１４Ｌの間に長い沿面距離が確保されて、導体層１４、１４Ｌ間の絶縁性をより高めることができる。

（実施形態３）
図３は、本開示の実施形態３に係る配線基板を示す断面図である。

実施形態３に係る配線基板２０１は、導体層１４上に部品を実装するための接合材層２２等が追加されている構成が異なり、その他は実施形態１と同様である。実施形態１と同様の構成要素については、実施形態１と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

実施形態３に係る配線基板２０１は、導体層１４の一部の領域上に積層された接合材バリア層２１及び接合材層２２を、更に備える。接合材バリア層２１及び接合材層２２は、部品が実装される部分に設けられ、導体層１４の全範囲に設けられていなくてもよい。

接合材層２２は、例えば高温で溶けて部品等の端子と接合される。接合材層２２の材料としては、Ａｕ（金）とＳｎ（スズ）の合金などが適用できる。

接合材バリア層２１は、接合材層２２が溶けたときに導体層１４に接合材層２２の成分が拡散することを抑制する。導体層１４に他の成分が拡散すると、拡散した部位の電気伝導率が低下するが、接合材バリア層２１は、この電気伝導率の低下を抑制する。接合材バリア層２１としては、例えばＰｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）などの白金族元素が適用できる。

金属層１１、特にバリア層１３は、導体層１４よりも接合材層２２の成分が拡散しにくい材料から構成され、金属層突出部１１ｔが接合材層２２の側方に延在していることで、リフロー処理の際、接合材層２２が金属層突出部１１ｔの側方に拡がることが抑制される。加えて、金属層突出部１１ｔが導体層１４よりも突出していることで、接合材層２２が導体層１４の側面に拡がり導体層１４に拡散することが抑制される。

なお、実施形態３の配線基板２０１に、実施形態２の絶縁突出部１１０ｔが追加されてもよい。

（実施形態４）
図４は、本開示の実施形態４に係る電子装置を示す断面図である。

実施形態４の電子装置３０１は、実施形態１で説明した配線基板１に、電子部品３１を実装して構成される。電子部品３１としては、水晶振動子等の圧電振動子、弾性表面波素子、半導体集積回路素子（ＩＣ）等の半導体素子、電気容量素子、インダクタ素子又は抵抗器等の種々の電子部品を適用できる。電子部品３１は接合導体層３２を介して配線基板１（図１）の電極に電気的に接続されている。接合導体層３２は、接合材のリフローにより接合材と導体層１４（図１）とが混合された構成である。接合導体層３２はＡｕ（金）を含む。

実施形態４の電子装置３０１は、接合材をリフローして電子部品３１を実装する際、金属層突出部１１ｔにより、接合材が導体層１４（図１）又は金属層１１の側方に拡がることが抑制される。したがって、リフロー後に生成された接合導体層３２は、絶縁基板１０の露出面１０Ｂから金属層突出部１１ｔを挟んで離間している。これにより、電子装置３０１の使用時に絶縁基板１０の露出面１０Ｂに水分が付着した場合でも、接合導体層３２の金属成分が絶縁基板１０の露出面１０Ｂへマイグレーションを起こすことが抑制される。

さらに、実施形態４の電子装置３０１によれば、接合導体層３２にＡｕ（金）が含まれるので、接合導体層３２を介して信号を低損失に伝送できる。一方、Ａｕを含んでいることで、接合導体層３２の熱膨張率は高く（例えばＡｕＳｎの成分の場合、熱膨張率は１３．６～１７．５μｍ／ｍＫ）、接合導体層３２と電子部品３１との熱膨張率に差が生じる。しかしながら、実施形態４の電子装置３０１によれば、接合導体層３２の側面に金属層突出部１１ｔが密着している。金属層突出部１１ｔは、その成分から、熱膨張率は低い（例えばＰｔの場合には熱膨張率は８．８μｍ／ｍＫ、Ｔｉの場合には熱膨張率は８．６μｍ／ｍＫ）。このため、接合導体層３２の実際の熱膨張は、金属層突出部１１ｔの密着により抑制される。したがって、接合導体層３２と電子部品３１との実際の熱膨張の差が低減され、電子部品３１の実装の信頼性を向上できる。

（実施形態５）
図５は、本開示の実施形態５に係る電子装置を示す断面図である。

実施形態５の電子装置４０１は、実施形態３の配線基板２０１に電子部品３１を実装して構成される。電子部品３１は接合導体層３３を介して配線基板の電極に電気的に接続されている。接合導体層３３は、接合材のリフローにより接合材の成分と、電子部品３１の端子（Ａｕ等）とが混合された構成である。接合導体層３３は、Ａｕ（金）を含む。

実施形態５の電子装置４０１は、接合材をリフローして電子部品３１を実装する際、金属層突出部１１ｔにより、接合材が導体層１４及び金属層１１の側方に拡がることが抑制される。したがって、リフロー後に生成された接合導体層３３は、絶縁基板１０の露出面１０Ｂから金属層突出部１１ｔを挟んで離間している。これにより、電子装置４０１の使用時に絶縁基板１０の露出面１０Ｂに水分が付着した場合でも、接合導体層３３の金属成分が絶縁基板１０の露出面１０Ｂへマイグレーションを起こすことが抑制される。

さらに、実施形態５の電子装置４０１によれば、接合材バリア層２１があるので、接合材をリフローして電子部品３１を実装する際、接合材に導体層１４が溶解されることが抑制される。これにより、接合導体層３３の下方で導体層１４の電気伝導率が低下されず、電子部品３１が配置される箇所とそれ以外の箇所とで、導体層１４の電気伝導率を均一化できる。

さらに、実施形態５の電子装置４０１によれば、接合導体層３３及び導体層１４にＡｕ（金）が含まれるので、接合導体層３３及び導体層１４を介して信号を低損失に伝送できる。一方、接合導体層３３と導体層１４とはＡｕを含んでいることで熱膨張率が高く、例えば導体層１４がＡｕの場合、熱膨張率は１４．２μｍ／ｍＫであり、接合導体層３３がＡｕＳｎの場合、熱膨張率は１３．６～１７．５μｍ／ｍＫである。このため、接合導体層３３及び導体層１４の熱膨張率と電子部品３１の熱膨張率とに差が生じる。しかしながら、接合導体層３３と導体層１４との側面に、金属層突出部１１ｔが密着され、金属層突出部１１ｔは、前述のように熱膨張率が低い。このため、接合導体層３３と導体層１４との実際の熱膨張が、金属層突出部１１ｔにより抑制される。したがって、接合導体層３３及び導体層１４の実際の熱膨張と、電子部品３１の熱膨張の差が低減され、電子部品３１の実装の信頼性を向上できる。

（実施形態６）
図６は、本開示の実施形態６に係る電子装置を示す断面図である。

実施形態６の電子装置５０１は、実施形態１の配線基板１に電子部品が実装され、電子部品の端子が導体層１４に電気的に接続されて構成される。電子部品の端子は、Ａｕ（金）のバンプ又はＡｕ（金）のボンディングワイヤ４２を介して導体層１４に電気的に接続されている。

実施形態６の電子装置５０１によれば、導体層１４がＡｕから構成されるので、導体層１４を介して信号を低損失に伝送できる一方、導体層１４の熱膨張率が高い。一方、導体層１４の側面に、熱膨張率の低い金属層突出部１１ｔが密着していることで、実際の導体層１４の熱膨張を抑制できる。したがって、Ａｕのバンプを介して電子部品が導体層１４上に実装される場合でも、電子部品と導体層１４との実際の熱膨張の差を低減し、電子部品の実装の信頼性を向上できる。また、ボンディングワイヤ４２を介して導体層１４に電子部品が電気的に接続される場合でも、導体層１４の実際の熱膨張が抑制されるので、導体層１４と接合されるボール部４１との接続信頼性を向上できる。

以上、本発明の各実施形態について説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限られるものでない。例えば、実施形態１～６において、金属層１１として密着層とバリア層とが積層された構成が採用された例を示した。しかし、本発明に係る金属層は、導体層と成分が異なる金属の層であれば、密着層又はバリア層でなくてもよく、また、単一成分の層であってもよいし、複数の層であってもよい。同様に、本発明に係る金属層突出部の材料は、導体層と成分の異なる金属であればよく、金属層が複数の層から構成される場合、金属層突出部は、金属層の一部の層又は全部の層が突出するように構成されればよい。

また、上記実施形態３～６では、絶縁突出部を有さない構成を例に採って説明したが、実施形態３～６の配線基板２０１及び電子装置３０１、４０１、５０１に実施形態２と同様の絶縁突出部１１０ｔが追加されてもよい。その他、配線基板に搭載される電子部品の種類、絶縁基板、金属層、密着層、バリア層、導体層、接合材層及び接合材バリア層の成分など、実施形態で具体的に示した細部は、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

１、１０１、２０１ 配線基板
１０、１１０ 絶縁基板
１１０ｔ 絶縁突出部
１０Ｂ、１１０Ｂ 露出面
Ｖ１ 溝
１１ 金属層
１１ｔ 金属層突出部
１２ 密着層
１３ バリア層
１４ 導体層
１４Ｓ 側面
２１ 接合材バリア層
２２ 接合材層
３０１、４０１、５０１ 電子装置
３１ 電子部品
３２、３３ 接合導体層
４２ ボンディングワイヤ
Ｐ１、Ｐ２ 突出端
Ｌ１、Ｌ１１０ 厚み

Claims (14)

1. 絶縁基板と、前記絶縁基板上に順次積層された金属層及び導体層とを含む配線基板であって、
   前記金属層は、前記金属層の縁部において前記金属層の厚み方向に突出した金属層突出部を有し、
   前記金属層突出部が、バリア層および密着層を含んでおり、前記導体層の縁の側面よりも側方に延在し、
   前記バリア層および前記密着層の厚みが、突出端に近いほど小さい、
   配線基板。
2. 絶縁基板と、前記絶縁基板上に順次積層された金属層及び導体層とを含む配線基板であって、
   前記金属層は、前記金属層の縁部において前記金属層の厚み方向に突出した金属層突出部を有し、
   前記金属層突出部が、前記導体層の縁の側面よりも側方に延在し、
   前記絶縁基板は、前記金属層の厚み方向に突出した絶縁突出部を有し、
   前記絶縁突出部が、前記金属層突出部の側方に延在し、
   前記絶縁突出部は、前記導体層よりも前記厚み方向に突出している、
   配線基板。
3. 絶縁基板と、前記絶縁基板上に順次積層された金属層及び導体層とを含む配線基板であって、
   前記金属層は、前記金属層の縁部において前記金属層の厚み方向に突出した金属層突出部を有し、
   前記金属層突出部が、前記導体層の縁の側面よりも側方に延在し、
   前記絶縁基板は、前記金属層の厚み方向に突出した絶縁突出部を有し、
   前記絶縁突出部が、前記金属層突出部の側方に延在し、
   更に、
   互いに隣接する、第１組の前記金属層、前記導体層及び前記絶縁突出部、並びに、第２組の前記金属層、前記導体層及び前記絶縁突出部と、
   前記第１組の導体層と前記第２組の導体層との間に、前記第１組の絶縁突出部、前記絶縁基板の板面及び第２組の絶縁突出部で囲われる溝と、
   を備える、
   配線基板。
4. 前記金属層突出部の厚みは突出端に近いほど小さい、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線基板。
5. 前記金属層突出部は、前記導体層よりも前記厚み方向に突出している、
   請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の配線基板。
6. 前記金属層は、バリア層を含む、
   請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の配線基板。
7. 前記金属層は、密着層を含む、
   請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の配線基板。
8. 前記絶縁基板は、前記金属層の厚み方向に突出した絶縁突出部を有し、
   前記絶縁突出部が、前記金属層突出部の側方に延在する、
   請求項１記載の配線基板。
9. 前記絶縁突出部は、前記導体層よりも前記厚み方向に突出している、
   請求項３又は請求項８に記載の配線基板。
10. 互いに隣接する、第１組の前記金属層、前記導体層及び前記絶縁突出部、並びに、第２組の前記金属層、前記導体層及び前記絶縁突出部と、
    前記第１組の導体層と前記第２組の導体層との間に、前記第１組の絶縁突出部、前記絶縁基板の板面及び第２組の絶縁突出部で囲われる溝と、
    を備える、
    請求項２又は請求項８に記載の配線基板。
11. 前記導体層上に順次積層された接合材バリア層及び接合材層を更に備える、
    請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の配線基板。
12. 前記導体層がＡｕを含む請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の配線基板と、
    前記配線基板に搭載された電子部品と、
    を備えた電子装置。
13. 前記接合材層がＡｕを含む請求項１１記載の配線基板と、
    前記配線基板に搭載された電子部品と、
    を備えた電子装置。
14. 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の配線基板と、
    前記配線基板に搭載された電子部品と、
    を備え、
    前記電子部品が、前記導体層にＡｕを含むワイヤ又はＡｕを含むバンプを介して電気的に接続されている、
    電子装置。

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