JP7116941B2 - ブロック共重合体及び相分離構造を含む構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
ブロックコポリマーの相分離構造を利用するためには、ミクロ相分離により形成される自己組織化ナノ構造を、特定の領域のみに形成し、かつ、所望の方向へ配列させることが必須となる。これらの位置制御及び配向制御を実現するために、ガイドパターンによって、相分離パターンを制御するグラフォエピタキシーや、基板の化学状態の違いによって相分離パターンを制御するケミカルエピタキシー等のプロセスが提案されている(例えば、非特許文献1参照)。
シリンダー形状が垂直に配向した垂直シリンダー形状や、水平に配向した水平シリンダー形状や、ラメラ形状が垂直に配向した垂直ラメラ形状を微細パターンとして形成する試みがされている。例えば、非特許文献2では、ポリスチレンと、ポリジメチルシロキサンとからなるブロックコポリマーを用いて水平シリンダー形状を形成する試みがされている。また、非特許文献3では、ポリスチレンと、ポリジメチルシロキサンとからなるブロックコポリマーを用い、溶媒アニーリングにより垂直シリンダー形状を形成する試みがされている。また、特許文献2では、ポリスチレンと、シロキサン誘導体とかなるブロックコポリマーの側鎖末端に極性基を導入することにより、パターンの垂直配向性を向上する試みがなされている。
また、非特許文献3に記載のように、溶媒アニーリングを要する工程は、大規模な装置を必要とするため、工業的な展開が困難であるという問題があった。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH2=CH-COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
「ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子を有機基で置換したもの、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のベンゼン環に、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基が結合したもの、等が挙げられる。なお、α位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
「スチレン誘導体」とは、スチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたものを意味する。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基)等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、1~5が好ましく、1が最も好ましい。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
本実施形態にかかるブロック共重合体は、第1ブロックと第2ブロックとを有し、前記第1ブロックは、ケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を側鎖に含有する構成単位(u1)(以下、「構成単位(u)」という。)の繰り返し構造を有する重合体(P1)からなる、ブロック共重合体である。
本実施形態において、「ブロック共重合体」とは、複数種類のブロック(同種の構成単位が繰り返し結合した部分構成成分)が結合した高分子である。ブロック共重合体を構成するブロックは、2種類であってもよく、3種類以上であってもよい。
また、本実施形態において、「ハイパーブランチ構造」とは、例えばMacromolecules 39 8892 (2006)に示されるように、2種類以上の官能基をもつ多官能性モノマーの重合により、分子鎖が三次元的に広がっている分岐構造をいう。
第1ブロックは、ケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を側鎖に含有する構成単位(u1)の繰り返し構造を有する重合体(P1)からなる。
本実施形態において、ケイ素原子を含むハイパーブランチ構造は、その末端に極性基を有することが好ましい。極性基としては、-OH、-C(=O)OH、-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-、-SH、-SO3H、-S-、-C(=S)-、-S(=O)-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-、-NH2、-N=、-NH-、-C(=O)NH-、等が挙げられる。
なかでも、極性基としては、-OH、が好ましい。
RP11における有機基としては特に限定されないが、例えば置換基を有していてもよい1価の炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
該直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数1~20(好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~6)のアルキル基が挙げられる。前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基などの炭素数2~20(好ましくは炭素数2~10、より好ましくは炭素数2~6)のアルケニル基が挙げられる。前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基などの炭素数2~20(好ましくは炭素数2~10、より好ましくは炭素数2~6)のアルキニル基が挙げられる。
前記の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、例えば、脂環式炭化水素基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの3~8員環のシクロアルキル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基などの3~8員環のシクロアルケニル基;アダマンチル基、ノルボルニル基などの炭素数4~20(好ましくは炭素数7~12)の橋架け環式炭化水素基などが挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-が好ましい。
該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(たとえばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を1つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキル基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基)等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。
RP12のケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を有する有機基としては、前記RP11のケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を有する有機基と同様のものが挙げられる。
RP12のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数1~5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基)等が挙げられる。
RP12のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げらる。
なかでも、RP12としては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、メチル基又は水素原子が最も好ましい。
Rの炭素数1~5のアルキル基及び炭素数1~5のハロゲン化アルキル基としては、前記RP12のアルキル基及びハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。なかでも、Rとしては、メチル基又は水素原子が好ましい。
RP13が置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
該直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~6がより好ましく、1~4がさらに好ましく、1~3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-(CH2)2-]、トリメチレン基[-(CH2)3-]、テトラメチレン基[-(CH2)4-]、ペンタメチレン基[-(CH2)5-]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH3)-、-CH(CH2CH3)-、-C(CH3)2-、-C(CH3)(CH2CH3)-、-C(CH3)(CH2CH2CH3)-、-C(CH2CH3)2-等のアルキルメチレン基;-CH(CH3)CH2-、-CH(CH3)CH(CH3)-、-C(CH3)2CH2-、-CH(CH2CH3)CH2-、-C(CH2CH3)2-CH2-等のアルキルエチレン基;-CH(CH3)CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH3)CH2CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
該構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-が好ましい。
該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基またはヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(たとえばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。
RP13がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、-S-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-、一般式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21-、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-、-Y21-O-C(=O)-Y22-または-Y21-S(=O)2-O-Y22-で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m”は0~3の整数である。]等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む2価の連結基が-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-の場合、そのHはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8であることがさらに好ましく、1~5であることが特に好ましい。
一般式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21-、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-、-Y21-O-C(=O)-Y22-または-Y21-S(=O)2-O-Y22-中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記2価の連結基としての説明で挙げた(置換基を有していてもよい2価の炭化水素基)と同様のものが挙げられる。
Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基において、m”は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基としては、式-Y21-C(=O)-O-Y22-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-(CH2)a’-C(=O)-O-(CH2)b’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
ケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を有する有機基としては、前記RP11のケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を有する有機基と同様のものが挙げられる。なかでも、RP14のケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を有する有機基としては、後述する一般式(P101)で表される部分構造を含むハイパーブランチ構造を有する有機基、後述する一般式(P101)で表される部分構造及び後述する一般式(P102)で表される部分構造を有するハイパーブランチ構造を有する有機基が好ましい。
極性基を含む基としては、例えば下記一般式(RP15-1)で表される基、下記一般式(RP15-2)で表される基又は下記一般式(RP15-3)で表される基が挙げられる。
ROの「構造中に-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-若しくは-OHを含む炭化水素基」における炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基が挙げられる。
ROの「構造中に-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-若しくは-OHを含む炭化水素基」における芳香族炭化水素基は、前記式(u1-1-1)中のRP13における2価の芳香族炭化水素基で挙げた芳香族炭化水素環、または2以上の芳香環を含む芳香族化合物から水素原子を1つ除いたアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
ROの「構造中に-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-若しくは-OHを含む炭化水素基」における環状の脂肪族炭化水素基は、前記式(u1-1-1)中のRP13における2価の脂肪族炭化水素基で挙げたモノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を1つ除いた基が挙げられ、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。
置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。
RSの「構造中に-S-、-C(=S)-、-S(=O)-、-S(=O)2-若しくは-S(=O)2-O-を含む炭化水素基」における炭化水素基としては、前記一般式(RP15-1)中のROの「構造中に-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-若しくは-OHを含む炭化水素基」における炭化水素基と同様のものが挙げられる。
RNの「構造中に-N=、-NH-若しくは-C(=O)NH-を含む炭化水素基」における炭化水素基としては、前記一般式(RP15-1)中のROの「構造中に-O-、-C(=O)-、-C(=O)-O-若しくは-OHを含む炭化水素基」における炭化水素基と同様のものが挙げられる。
式(RP15-3-2)中、Rp151は、任意の有機基を表す。Rp151の有機基としては特に限定されないが、例えば前記一般式(u1-1-1)中のRP13における置換基を有していてもよい2価の炭化水素基に対応する1価の炭化水素基が挙げられる。
RP101~RP105の炭素数1~6のアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
RP101~RP105の炭素数1~6のアルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、RP101~RP105におけるアルキル基と酸素原子(-O-)とが連結した基が挙げられる。
RP101~RP105のヒドロキシアルキル基としては、前記RP101~RP105におけるアルキル基の水素原子の一部または全部が水酸基で置換された基が挙げられる。
なかでも、RP101~RP105としては、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
本実施形態において、第2ブロックとしては、例えば、芳香族基を有する構成単位の繰り返し構造を有する重合体;α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸(以下、「(α置換)アクリル酸」という場合がある)から誘導される構成単位の繰り返し構造を有する重合体;α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステル(以下、「(α置換)アクリル酸エステル」という場合がある)から誘導される構成単位の繰り返し構造を有する重合体;シロキサンから誘導される構成単位の繰り返し構造を有する重合体;アルキレンオキシドから誘導される構成単位の繰り返し構造を有する重合体等が挙げられる。
スチレンの誘導体としては、たとえば、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、4-t-ブチルスチレン、4-n-オクチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、4-メトキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、4-ニトロスチレン、3-ニトロスチレン、4-クロロスチレン、4-フルオロスチレン、4-アセトキシビニルスチレン、4-ビニルベンジルクロリド、1-ビニルナフタレン、4-ビニルビフェニル、1-ビニル-2-ピロリドン、9-ビニルアントラセン、ビニルピリジン等が挙げられる。
(α置換)アクリル酸としては、たとえば、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。
(α置換)アクリル酸エステルとしては、たとえば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸n-ブチル、アクリル酸t-ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸ノニル、アクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸アントラセン、アクリル酸グリシジル、アクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメタン、アクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のアクリル酸エステル;メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸n-ブチル、メタクリル酸t-ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸ノニル、メタクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸アントラセン、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸3,4-エポキシシクロヘキシルメタン、メタクリル酸プロピルトリメトキシシラン等のメタクリル酸エステルなどが挙げられる。
これらのなかでも、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸t-ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸t-ブチルが好ましい。
アルキレンオキシドとしては、たとえば、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、イソプロピレンオキシド、ブチレンオキシド等が挙げられる。
またブロックコポリマーの分散度(Mw/Mn)は1.0~3.0が好ましく、1.0~1.5がより好ましく、1.0~1.3がさらに好ましい。なお、Mwは質量平均分子量を示す。
有機溶剤としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、樹脂を主成分とする膜組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、塩化メチル、ジクロロメタン、クロロホルム、塩化エチル、ジクロロエタン、n-プロピルクロライド、n-ブチルクロライド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素;γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノン(メチルアミルケトン)などのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、クロロホルム、2-ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、シクロヘキサノン、ELが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:(PGME+シクロヘキサノン)の質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。
相分離構造形成用樹脂組成物中の有機溶剤の使用量は特に限定されるものではなく、塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはブロックコポリマーの固形分濃度が0.2~70質量%、好ましくは0.2~50質量%の範囲内となる様に用いられる。
本実施形態のブロック共重合体は、ケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を側鎖に含有する構成単位(u1)の繰り返し構造を有する重合体(P1)からなる第1ブロックを有する。そのため、本実施形態のブロック共重合体はケイ素原子密度が高く、相分離によりパターンを形成する際の解像性及びエッチング選択比が向上すると推測される。
また、ハイパーブランチ構造には、ビニル基等の反応性基を多く導入することができる。ハイパーブランチ構造にビニル基等の反応性基が多く導入されている場合、極性基を多く導入することができる。ハイパーブランチ構造の末端に多くの極性基を導入することにより、ブロック共重合体を構成する各ブロックの親水性・疎水性のバランスを調整することができる。その結果、相分離により形成されるパターンの垂直性が向上すると推測される。
また、本実施形態のブロック共重合体は、かご型シルセスキオキサン(POSS)を含有するブロック共重合体に比べて、より低いアニーリング温度で相分離構造を形成できる。
本実施形態のブロック共重合体は、例えば、ブロック共重合体前駆体を重合する工程Aと、前記ブロック共重合体前駆体にケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を導入する工程Bとを有する方法により製造できる。
工程Aにおいては、ブロック共重合体前駆体を重合する。
工程Aにおいては、まず、例えばリビングアニオン重合等により、前記第2ブロックに相当するブロックを重合する。その後、下記の反応式に示す様に、例えば、シクロトリシロキサン化合物を反応させた後、トリメチルシリルクロライドを用いて一旦反応を停止し、下記一般式(Pre-BCP)で表されるブロック共重合体前駆体を得る。
「反応性基を含む有機基」は、反応性基自体も包含する。
反応性基とは、化学反応によって他の部位と反応することができる基を意味する。
反応性基としては、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、スチリル基、オキシラニル基、オキセタニル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、チアシクロプロピル基、スルファニル基、イソシアナト基、アミノ基及びウレイド基が挙げられる。なかでも、反応性基としては、ビニル基、アリル基が好ましく、ビニル基が特に好ましい。
RP11’における有機基としては特に限定されないが、例えば前記式(u1-1-1)中のRP13における置換基を有していてもよい2価の炭化水素基に対応する1価の炭化水素基が挙げられる。
なかでも、RP11’としては、ビニル基、ビニル基を有する有機基、アリル基が好ましく、ビニル基が特に好ましい。
RP12’の反応性基を含む有機基は、前記RP11’の反応性基を含む有機基と同様のものが挙げられる。
RP12’のアルキル基又はハロゲン化アルキル基としては、前記一般式(u1-1)中のRP12のアルキル基又はハロゲン化アルキル基と同様である。
なかでも、RP12’としては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基又は水素原子好ましく、メチル基又は水素原子が最も好ましい。
工程Bにおいては、前記ブロック共重合体前駆体にケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を導入する。具体的には、下記の反応式に示す様に、触媒の存在下、前記ブロック共重合体前駆体とケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を誘導するモノマー(以下、「Monomer(HB)」という)とを反応させて、前記反応性基にケイ素原子を含むハイパーブランチ構造が導入されたブロック共重合体(下記一般式(BCP))を得る。
チオール基を有する化合物を用いることにより、エン・チオール反応により、ハイパーブランチ構造の末端に極性基が導入されたブロック共重合体(BCP-Pol)を得ることができる。
前記式(BCP-pol)において、RP120のアルキル基又はハロゲン化アルキル基は、前記一般式(u1-1)中のRp12のアルキル基又はハロゲン化アルキル基と同様である。
前記式(BCP-pol)において、RP110及びRP120のケイ素原子を含むハイパーブランチ構造を有する有機基の末端に導入された極性基としては、前記構成単位(u1)において説明した極性基と同様である。
本実施形態のブロック共重合体を用いた相分離構造を含む構造体の形成方法について説明する。
相分離構造を含む構造体の製造方法は、基板上に、本実施形態のブロック共重合体を含む層を形成する工程(i)と、当該ブロック共重合体を含む層を相分離させる工程(ii)と、を有する。
本実施形態の相分離構造を含む構造体の製造方法においては、前記工程(i)の前に、下地剤を塗布し、下地剤層を形成する工程(以下、「下地剤層形成工程」)を有することが好ましい。
以下、かかる相分離構造を含む構造体の製造方法について、図1を参照しながら具体的に説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、基板1上に下地剤を塗布して、下地剤層2を形成する(図1(I))。
次に、下地剤層2上に、上述した第1の態様に係る相分離構造形成用樹脂組成物(樹脂組成物)を塗布して、ブロックコポリマーを含む層(BCP層)3を形成する(図1(II);以上、工程(i))。
次に、加熱してアニール処理を行い、BCP層3を、相3aと相3bとに相分離させる(図1(III);工程(ii))。
かかる本実施形態の製造方法、すなわち、工程(i)及び工程(ii)を有する製造方法によれば、下地剤層2が形成された基板1上に、相分離構造を含む構造体3’が製造される。
工程(i)では、基板1上に、相分離構造形成用樹脂組成物を用いて、BCP層3を形成する。
基板としては、例えば、シリコン、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属からなる基板、ガラス、酸化チタン、シリカ、マイカ等の無機物からなる基板、アクリル板、ポリスチレン、セルロース、セルロースアセテート、フェノール樹脂等の有機化合物からなる基板などが挙げられる。
基板の大きさや形状は、特に限定されるものではない。基板は必ずしも平滑な表面を有する必要はなく、様々な材質や形状の基板を適宜選択することができる。例えば、曲面を有する基板、表面が凹凸形状の平板、薄片状などの様々な形状のものを多様に用いることができる。
基板の表面には、無機系および/または有機系の膜が設けられていてもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)が挙げられる。
洗浄処理としては、従来公知の方法を利用でき、例えば酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理、オゾン酸化処理、酸アルカリ処理、化学修飾処理等が挙げられる。例えば、基板を硫酸/過酸化水素水溶液等の酸溶液に浸漬させた後、水洗し、乾燥させる。その後、当該基板の表面に、BCP層3又は下地剤層2を形成する。
中性化処理とは、基板表面を、ブロックコポリマーを構成するいずれのポリマーとも親和性を有するように改変する処理をいう。中性化処理を行うことにより、相分離によって特定のポリマーからなる相のみが基板表面に接することを抑制することができる。例えば、BCP層3を形成する前に、基板1表面に、用いるブロックコポリマーの種類に応じた下地剤層2を形成しておくことが好ましい。これに伴い、BCP層3の相分離によって、基板1表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状又はラメラ状の相分離構造が形成しやすくなる。
下地剤には、ブロックコポリマーを構成するポリマーの種類に応じて、薄膜形成に用いられる従来公知の樹脂組成物を適宜選択して用いることができる。
かかる下地剤としては、例えば、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーの構成単位をいずれも有する樹脂を含有する組成物や、ブロックコポリマーを構成する各ポリマーと親和性の高い構成単位をいずれも有する樹脂を含有する組成物等が挙げられる。
例えば、PS-PMMAブロックコポリマーを用いる場合、下地剤としては、PSとPMMAとの両方を含む樹脂組成物や、芳香環等と親和性が高い部位と、極性の高い官能基等と親和性の高い部位と、の両方を含む化合物又は組成物を用いることが好ましい。
PSとPMMAとの両方を含む樹脂組成物としては、例えば、PSとPMMAとのランダムコポリマー、PSとPMMAとの交互ポリマー(各モノマーが交互に共重合しているもの)、PSとPMMAとのブロックコポリマー等が挙げられる。
また、下地剤としては、例えば、熱重合性樹脂組成物、ポジ型レジスト組成物やネガ型レジスト組成物等の感光性樹脂組成物も挙げられる。
下地剤を基板1上に塗布して下地剤層2を形成する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法により形成できる。
たとえば、下地剤を、スピンコート又はスピンナーを用いる等の従来公知の方法により基板1上に塗布して塗膜を形成し、乾燥させることにより、下地剤層2を形成できる。
塗膜の乾燥方法としては、下地剤に含まれる溶媒を揮発させることができればよく、さらに基板上に固定化できればよく、その固定化の方法としては吸着固定であることが好ましく、たとえばベークする方法等が挙げられる。この際、ベーク温度は、80~300℃が好ましく、90~270℃がより好ましく、100~250℃がさらに好ましい。ベーク時間は、30~500秒間が好ましく、30~250秒間がより好ましい。
塗膜の乾燥後における下地剤層2の厚さは、3~100nm程度が好ましく、5~50nm程度がより好ましい。
下地剤層2の上にBCP層3を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えばスピンコート又はスピンナーを用いる等の従来公知の方法により、下地剤層2上に樹脂組成物を塗布して塗膜を形成し、乾燥させる方法が挙げられる。
工程(ii)では、基板1上に形成された、ブロックコポリマーを含む層3を相分離させる。
工程(i)後の基板1を加熱してアニール処理を行うことにより、ブロックコポリマーの選択除去によって、基板1表面の少なくとも一部が露出するような相分離構造が形成する。すなわち、基板1上に、相3aと相3bとに相分離した相分離構造を含む構造体3’が製造される。
アニール処理の温度条件は、用いるブロックコポリマーのガラス転移温度以上であり、かつ、熱分解温度未満で行うことが好ましい。例えば、本実施形態のブロックコポリマーを用いる場合は40~350℃が好ましく、50~300℃がより好ましく、70~120℃が特に好ましい。加熱時間は、30~3600秒間が好ましく、120~600秒間がより好ましい。
また、アニール処理は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。
加えて、基板表面に、位置及び配向性がより自在にデザインされたナノ構造体を備える基板を製造し得る。例えば、形成される構造体は、基板との親和性を適切に制御することで、基板表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状又はラメラ状の相分離構造をとりやすい。
本発明の第2の態様に係る、相分離構造を含む構造体の製造方法は、上述した実施形態に限定されず、工程(i)~(ii)以外の工程(任意工程)を有してもよい。
かかる任意工程としては、BCP層3のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相を選択的に除去する工程(以下「工程(iii)」という。)、ガイドパターン形成工程等が挙げられる。
工程(iii)では、下地剤層2の上に形成されたBCP層3のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のブロックのうちの少なくとも一種類のブロックからなる相(相3a、相3b)を選択的に除去する。これにより、微細なパターン(高分子ナノ構造体)が形成される。
尚、以下において、ブロックコポリマーを構成するブロックのうち、選択的に除去されないブロックをPAブロック、選択的に除去されるブロックをPBブロックという。例えば、本実施形態のブロックコポリマーを含む層を相分離した後、該層に対して酸素プラズマ処理や水素プラズマ処理等を行うことにより、第2ブロックからなる相が選択的に除去される。この場合、第1ブロック部分がPAブロックであり、第2ブロック部分がPBブロックである。
図2に示す実施形態においては、工程(ii)で基板1上に製造された構造体3’に、酸素プラズマ処理を行うことによって、相3aが選択的に除去され、離間した相3bからなるパターン(高分子ナノ構造体)が形成されている。この場合、相3bがPAブロックからなる相であり、相3aがPBブロックからなる相である。
加熱の温度条件は、用いるブロックコポリマーのガラス転移温度以上であり、かつ、熱分解温度未満が好ましい。また、加熱は、窒素等の反応性の低いガス中で行われることが好ましい。
本発明の第2の態様に係る、相分離構造を含む構造体の製造方法においては、下地剤層上にガイドパターンを設ける工程(ガイドパターン形成工程)を有してもよい。これにより、相分離構造の配列構造制御が可能となる。
例えば、ガイドパターンを設けない場合に、ランダムな指紋状の相分離構造が形成されるブロックコポリマーであっても、下地剤層表面にレジスト膜の溝構造を設けることにより、その溝に沿って配向した相分離構造が得られる。このような原理で、下地剤層2上にガイドパターンを設けてもよい。また、ガイドパターンの表面が、ブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマーとも親和性を有することにより、基板表面に対して垂直方向に配向したシリンダー状又はラメラ状の相分離構造が形成しやすくなる。
ガイドパターンを形成するレジスト組成物は、一般的にレジストパターンの形成に用いられるレジスト組成物やその改変物の中から、ブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマーと親和性を有するものを適宜選択して用いることができる。該レジスト組成物としては、レジスト膜露光部が溶解除去されるポジ型パターンを形成するポジ型レジスト組成物、レジスト膜未露光部が溶解除去されるネガ型パターンを形成するネガ型レジスト組成物のいずれであってもよいが、ネガ型レジスト組成物であることが好ましい。ネガ型レジスト組成物としては、例えば、酸発生剤成分と、酸の作用により有機溶剤を含有する現像液への溶解性が酸の作用により減少する基材成分とを含有し、該基材成分が、酸の作用により分解して極性が増大する構成単位を有する樹脂成分、を含有するレジスト組成物が好ましい。
ガイドパターンが形成された下地剤層上に樹脂組成物が流し込まれた後、相分離を起こすためにアニール処理が行われる。このため、ガイドパターンを形成するレジスト組成物としては、耐溶剤性及び耐熱性に優れたレジスト膜を形成し得るものであることが好ましい。
窒素フロー下でH2O(水)3.33ml、NEt3(トリエチルアミン)27.2ml、Et2O(ジエチルエーテル)800 mlを反応容器に仕込み、撹拌しながら0℃に冷却した。ビニルジメチルクロロシラン25mlをEt2O25mlに溶解させた溶液を滴下し、0℃に冷却したまま15分撹拌を行った。さらにNEt322.8mlを添加し、ジクロロメチルシラン7.6mlをEt2O30mlに溶解させた溶液を滴下後、0℃に冷却したまま1時間撹拌を行った。反応溶液を塩酸にて洗浄後、減圧蒸留にて精製を行うことで1,1,3,5,5-ペンタメチル-1,5-ジビニルトリシロキサン(以下、「モノマー(1)」)12.2gが得られた。
Ar雰囲気下でTHF160mlを反応容器に仕込み、-78℃に冷却する。所定量のSecBuLi(ヘキサン・シクロヘキサン混合溶液)とスチレン2.21mlを添加後、-78℃のまま30分撹拌を行った。その後、トリメチルトリビニルシクロトリシロキサン2.07mlを添加し、-20℃に液温を変更し、さらに24時間撹拌を行った後、トリメチルシリルクロリドを1.33ml添加し、反応溶液をメタノール700mlに注ぎ、析出した固体を濾過にて回収した。回収した固体を乾燥し、PS-b-PMVS(以下、「ブロック共重合体(1)」)2.7gを得た。得られたブロック共重合体(1)のMnは18600、PDIは1.10(GPC換算)、スチレン:メチルビニルシロキサン(a:b)=58:42(mol比)(1H-NMR)であった。
Ar雰囲気下でブロック共重合体(1)1.0gとトルエン5.00mlを反応容器に仕込み、0℃に冷却した。所定量の白金触媒(2%キシレン溶液)を添加後、モノマー(1)3.24gを滴下し、5分撹拌を行った。室温に液温を変更し、3時間撹拌を行った後、反応溶液をメタノール400mlに注ぎ、析出した固体を濾過にて回収した。回収した固体をTHF5mlに溶解させ、メタノール400mlに注ぎ、再び析出した固体を濾過にて回収した。同様の操作をもう一度繰り返し、合計3回再沈殿を行った。回収した固体を乾燥し、PS-b-HBPMVS(下記構造式で表される、スチレンのブロックとシロキサン誘導体Aのブロックからなるブロック共重合体。以下、「ブロック共重合体(2)」)0.93gを得た。得られたブロック共重合体(2)のMnは20700、PDIは1.19(GPC換算)、スチレン:シロキサン誘導体A(a:b)=58:42(mol比)(1H-NMR)であった。
ブロック共重合体(2)0.3gとアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)0.025gと3-メルカプト-1-プロパノール1.3mlとTHF1.5mlを反応容器に仕込み、Ar置換を行った後、凍結脱気を3回行った。60℃で1時間撹拌を行った後、アイスバス及び液体窒素で速やかに冷却し、反応溶液を純水300mlに注ぎ、析出した固体を濾過にて回収した。回収した固体を乾燥し、PS-b-HBPMPrOHS(下記構造式で表される、スチレンのブロックとシロキサン誘導体Bのブロックからなるブロック共重合体。以下、「ブロック共重合体(3)」)0.35gを得た。得られたブロック共重合体(3)のMnは21200、PDIは1.20(GPC換算)、スチレン:シロキサン誘導体B(a:b)=58:42(mol比)(1H-NMR)であった。
8インチのシリコンウェーハ上に、下地剤として、PGMEAを用いて1.0質量%の濃度に調整した樹脂組成物(メタクリル酸メチル/メタクリル酸=95/5からなるMw43400、Mw/Mn1.77の共重合体)を、スピンナーを用いて塗布し、200℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚20nmの下地剤層を基板上に形成した。
次いで、下地剤層の基板密着部以外の部分を溶剤(PGMEA)で除去し、下地剤層上にブロック共重合体(4)(前記ブロック共重合体(3)と同じ構造式で表されるブロック共重合体。Mnは16200、PDIは2.15(GPC換算)、スチレン:シロキサン誘導体B(a:b)=54:46(mol比)(1H-NMR))の溶液(溶媒;クロロホルム/メチルアミルケトン=3/1の混合溶媒。0.75質量%)をスピンコート(回転数4500rpm、60秒)した。
ブロック共重合体(4)を含む層(以下、「相分離構造形成用樹脂組成物層」と記載する)の塗布膜厚は、20nmとした。
相分離構造形成用樹脂組成物が塗布された基板を、減圧雰囲気下、130℃で12時間加熱させてアニールすることにより、相分離構造を形成させた。
その後、ブロックの選択的除去処理を行い、ラインアンドスペースパターンを形成した。形成されたパターンについてSEM像の解析により解像度(nm)を評価した。その結果を表1に示す。
ブロック共重合体(4)の代わりに、ブロック共重合体(5)(前記ブロック共重合体(3)と同じ構造式で表されるブロック共重合体。Mnは19000、PDIは1.26(GPC換算)、スチレン:シロキサン誘導体B(a:b)=62:38(mol比)(1H-NMR))又はブロック共重合体(6)(PS-b-PMMA。Mnは25700、PDIは1.11(GPC換算)、PS:PMMA=50:50(mol比)(1H-NMR))を用いたこと以外は、実施例3と類似の方法にて相分離構造を形成した。
その後、ブロックの選択的除去処理を行い、ラインアンドスペースパターンを形成した。形成されたパターンについて、実施例3と同様に解像度を評価した。その結果を表1に示す。
Claims (6)
- 第1ブロックと第2ブロックとを有するブロック共重合体であって、
前記第1ブロックは、下記一般式(u1-1-1)で表される構成単位(u1)の繰り返し構造を有する重合体(P1)からなり、
前記第2ブロックは、スチレンから誘導される構成単位の繰り返し構造を有する重合体からなる、ブロック共重合体。
- 数平均分子量が5000~2000000である、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 前記第1のブロックと前記第2のブロックとの質量比が、10:90~90:10である、請求項1又は2に記載のブロック共重合体。
- 基板上に、請求項1~3のいずれか一項に記載のブロック共重合体を含む層を形成する工程(i)と、
前記のブロック共重合体を含む層を相分離させる工程(ii)と、
を有する、相分離構造を含む構造体の製造方法。 - 前記工程(i)は、基板上に下地剤を塗布して、下地剤層を形成し、当該下地剤層上に、請求項1~3のいずれか一項に記載のブロック共重合体を含む層を形成する操作を含む、請求項4に記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。
- 前記工程(i)の前に、基板上にガイドパターンを形成する工程を有する、請求項4又は5に記載の相分離構造を含む構造体の製造方法。
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