JP7111522B2 - 静電チャック - Google Patents
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Description
A-1.静電チャック100の構成:
図1は、本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
図3は、図2のIII-IIIの位置における静電チャック100のXY断面構成を示す説明図であり、図4は、図2のIV-IVの位置における静電チャック100のXY断面構成を示す説明図である。
図5は、静電チャック100におけるチャック電極40の周辺部分の特定断面(XZ断面)を示す模式図であり、図6は、静電チャック100におけるヒータ電極50の周辺部分の特定断面(XZ断面)を示す模式図である。図5では、セラミックス部材10における上側(Z軸正方向側)のセラミックス部分11と下側(Z軸負方向側)のセラミックス部分11との間に、チャック電極40が介在しており、図6では、セラミックス部材10における上側のセラミックス部分11と下側のセラミックス部分11との間に、ヒータ電極50が介在している。
条件1:ヒータ電極50におけるアルミナの含有率(面積%)は、チャック電極40におけるアルミナの含有率に比べて小さい。
なお、ヒータ電極50におけるアルミナの含有率と、チャック電極40におけるアルミナの含有率との差は、20%より高いことが好ましく、また、45%以下であることが好ましい。
条件2:ヒータ電極50におけるアルミナの含有率は、10面積%以上、かつ、30面積%以下である。
なお、ヒータ電極50における導電性材料の含有率は、70面積%以上、かつ、90面積%以下であることが好ましい。
条件3:チャック電極40におけるアルミナの含有率は、35面積%以上、かつ、50面積%以下である。
なお、チャック電極40における導電性材料の含有率は、50面積%以上、かつ、65面積%以下であることが好ましい。
次に、本実施形態における静電チャック100の製造方法の一例を説明する。はじめに、セラミックス部材10とベース部材20とを準備する。セラミックス部材10は、例えば以下の方法により作製される。すなわち、アルミナ原料とブチラール樹脂と可塑剤と溶媒とからなるスラリーをキャスティングし、乾燥させてシート化したセラミックスグリーンシートを複数作製する。このとき、スラリーにおけるアルミナ原料の含有率を99.8%以上とすることにより、アルミナの純度が99.8%以上であるセラミックスグリーンシートを作製する。また、チャック電極40やヒータ電極50やその他の配線として、タングステンまたはモリブデンと樹脂と溶剤とからなる金属ペーストを作製する。このとき、チャック電極40用およびヒータ電極50用の金属ペーストには、アルミナ原料を含めつつ、ヒータ電極50用の金属ペーストにおけるアルミナ原料の含有率を、チャック電極40用の金属ペーストにおけるアルミナ原料の含有率に比べて小さくする。そして、セラミックスグリーンシートに対して、チャック電極40用およびヒータ電極50用の金属ペーストの塗布や、スルーホールの形成や配線用の金属ペーストの充填等の必要な加工を行う。次に、それらのセラミックスグリーンシートを積層し、脱脂後、焼成を行うことによってセラミックス部材10を作製する。なお、ベース部材20は、公知の製造方法によって製造可能であるため、ここでは製造方法の詳細な説明を省略する。
以上説明したように、本実施形態における静電チャック100では、セラミックス材料(本実施形態ではアルミナ)の純度が99.8%以上のセラミックス部材10にヒータ電極50やチャック電極40が設けられている。このような静電チャック100では、ヒータ電極50やチャック電極40に、導電性材料に加えて、セラミックス部材10を構成するセラミックス材料(アルミナ)が含まれており、これにより、セラミックス部材10におけるセラミックス部分11とヒータ電極50やチャック電極40との密着性を向上させることができる。
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
Claims (3)
- 第1の方向に略垂直な第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有するセラミックス部材と、
前記セラミックス部材に設けられ、前記第1の方向に略垂直な第1の仮想平面上に配置されたヒータ電極と、
前記セラミックス部材に設けられ、前記第1の方向に略垂直な第2の仮想平面上に配置され、かつ、前記第2の仮想平面での面積が、前記ヒータ電極の前記第1の仮想平面での面積より大きい導電体と、
第3の表面を有し、前記第3の表面が前記セラミックス部材の前記第2の表面に対向するように配置され、熱伝導率が前記セラミックス部材の熱伝導率より高い材料により形成されたベース部材と、
前記セラミックス部材の前記第2の表面と前記ベース部材の前記第3の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、
を備え、前記セラミックス部材の前記第1の表面上に対象物を保持する静電チャックにおいて、
前記セラミックス部材は、セラミックス材料の純度が99.8%以上であり、
前記ヒータ電極は、導電性材料と前記セラミックス材料とを含んでおり、
前記導電体は、導電性材料と前記セラミックス材料とを含んでおり、
前記ヒータ電極と前記導電体とを含む特定断面であって、前記第1の方向に略平行な少なくとも1つの特定断面について、前記ヒータ電極における前記セラミックス材料の含有率は、前記導電体における前記セラミックス材料の含有率に比べて小さい、
ことを特徴とする静電チャック。 - 請求項1に記載の静電チャックにおいて、
前記セラミックス材料は、Al2O3であり、
前記ヒータ電極におけるAl2O3の含有率は、10面積%以上、かつ、30面積%以下である、
ことを特徴とする静電チャック。 - 請求項1または請求項2に記載の静電チャックにおいて、
前記セラミックス材料は、Al2O3であり、
前記導電体におけるAl2O3の含有率は、35面積%以上、かつ、50面積%以下である、
ことを特徴とする静電チャック。
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