JP7100499B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、スイッチング電源の全体構成を示す図である。本構成例のスイッチング電源1は、入力電圧Vinを所望の出力電圧Voutに変換する電力変換装置であり、その制御主体として、半導体装置100(いわゆる電源制御IC)を有する。
引き続き、図1を参照しながら、半導体装置100の構成及び動作について説明する。半導体装置100は、スイッチ出力段110と、帰還電圧生成部120と、誤差電圧生成部130と、制御部140と、駆動部150と、コンパレータ160及び170と、スイッチ電圧監視部180と、放電部190と、を集積化して成る。また、半導体装置100は、装置外部との電気的な接続を確立するための手段として、複数の外部端子(本図では出力端子SWと出力帰還端子FBの2本のみを明示)を備えている。
図2は、スイッチ電圧監視部180の一構成例を示す図である。本構成例のスイッチ電圧監視部180は、平均化部181とコンパレータ182を含む。
図3は、平均化部181の一構成例を示す図である。本構成例の平均化部181は、抵抗181a(抵抗値:R)とキャパシタ181b(容量値:C)を含む。
図4は、放電部190の一構成例を示す図である。本構成例の放電部190は、NMOSFET191と抵抗192を含む。
図5は、FBオープン時における保護動作の一例を示すフローチャートである。フローがスタートすると、ステップ#1では、半導体装置100が通常動作状態(=誤差電圧Verrに応じたPWM制御により出力電圧Voutの生成動作が行われる状態)となる。
図7は、車両Xの一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Xは、不図示のバッテリから電源電圧の供給を受けて動作する種々の電子機器X11~X18と、を搭載している。なお、図7における電子機器X11~X18の搭載位置については、図示の便宜上、実際とは異なる場合がある。
また、上記実施形態では、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。例えば、バイポーラトランジスタとMOS電界効果トランジスタとの相互置換や、各種信号の論理レベル反転は任意である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
100 半導体装置(電源制御IC)
110 スイッチ出力段
111 出力トランジスタ(PMOSFET)
112 同期整流トランジスタ(NMOSFET)
113 インダクタ
114 キャパシタ
120 帰還電圧生成部
121、122 抵抗
130 誤差電圧生成部
131 エラーアンプ
132 抵抗
133 キャパシタ
140 制御部
150 駆動部
151、152 ドライバ
160 コンパレータ
170 コンパレータ
180 スイッチ電圧監視部
181 平均化部
181a 抵抗
181b キャパシタ
182 コンパレータ
190 放電部
191 NMOSFET
192 抵抗
X 車両
X11~X18 電子機器
Claims (9)
- 出力帰還端子の端子電圧またはこれに応じた帰還電圧が所定の参照電圧と一致するようにスイッチ出力段を駆動して入力電圧から所望の出力電圧を生成する出力帰還部と、
前記スイッチ出力段で生成されるスイッチ電圧の平均値が過電圧状態であるときに前記出力帰還部を介して前記スイッチ出力段を強制停止させるスイッチ電圧監視部と、
を有し、
前記出力帰還部は、前記端子電圧または前記帰還電圧が所定値よりも低く、かつ、前記スイッチ電圧の平均値が過電圧状態であるときに、前記スイッチ出力段を強制停止させる、半導体装置。 - 前記端子電圧または前記帰還電圧が前記所定値よりも低い状態が所定期間に亘って継続したときに装置全体をシャットダウンする機能を備えている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記スイッチ電圧監視部は、
前記スイッチ電圧を平均化して平均スイッチ電圧を生成する平均化部と、
前記平均スイッチ電圧と過電圧検出閾値との比較信号を生成して前記出力帰還部に出力するコンパレータと、
を含む、請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記平均化部は、抵抗とキャパシタを含むローパスフィルタである、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ローパスフィルタの時定数は、前記平均スイッチ電圧の挙動が前記出力電圧の挙動と一致するように設定されている、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記スイッチ出力段を強制停止させるときに前記スイッチ電圧を放電する放電部をさらに有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記放電部は、前記スイッチ電圧の出力端と基準電位端との間に直列接続された抵抗と放電スイッチを含む、請求項6に記載の半導体装置。
- 前記出力帰還部は、
前記端子電圧または前記帰還電圧と前記参照電圧との差分に応じた誤差電圧を生成する誤差電圧生成部と、
前記誤差電圧に応じて制御信号を生成する制御部と、
前記制御信号に応じて前記スイッチ出力段を駆動する駆動部と、
を含む、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記入力電圧から前記出力電圧を生成する前記スイッチ出力段の一部または全部と、
を有する、スイッチング電源。
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