JP2020096316A - スイッチ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、半導体集積回路装置の全体構成を示すブロック図である。本実施形態の半導体集積回路装置1は、ECU[electronic control unit]2からの指示に応じて電源電圧VBBの印加端と負荷3との間を導通/遮断する車載用ハイサイドスイッチIC(=車載IPDの一種)である。
図2は、信号出力部90の一構成例を示すブロック図である。本構成例の信号出力部90はセレクタ91を含む。セレクタ91は、出力選択信号S2が異常未検出時の論理レベル(例えばローレベル)であるときに、センス電流Is’を外部端子T4に選択出力し、出力選択信号S2が異常検出時の論理レベル(例えばハイレベル)であるときに、固定電圧V90を外部端子T4に選択出力する。なお、固定電圧V90は、先述した出力検出電圧V80の上限値よりも高い電圧値に設定されている。
図3は、ゲート制御部30の一構成例を示すブロック図である。本構成例のゲート制御部30は、ゲートドライバ31と、オシレータ32と、チャージポンプ33と、クランパ34と、NMOSFET35と、抵抗36(抵抗値:R36)と、キャパシタ37(容量値:C37)と、ツェナダイオード38と、を含む。
図4は、出力電流検出部80の一構成例を示す図である。本構成例の出力電流検出部80は、オペアンプ81と、PMOSFET82とを含む。オペアンプ81の非反転入力端(+)は、NMOSFET10のソースと外部端子T2(=出力電圧Voの印加端)に接続されている。オペアンプ81の反転入力端(−)とPMOSFET82のソースは、NMOSFET21’のソースに接続されている。オペアンプ81の出力端は、PMOSFET82のゲートに接続されている。PMOSFET82のドレインは、外部端子T4に接続されている。なお、PMOSFET82のドレインと外部端子T4との間には、先出の信号出力部90(図1)を挿入してもよい。
図5は、Vds制限部の第1実施形態を示す図である。本実施形態のVds制限部100は、本実施形態のVds制限部100は、コンパレータ101及び102と、抵抗103及び104と、電流源105と、を含む。
図7は、Vds制限部の第2実施形態を示す図である。本実施形態のVds制限部100では、先出のコンパレータ102(図5)が割愛されており、比較信号SA(=出力電圧Voと所定の閾値電圧VBB−VdsAとの比較結果)に応じて、ゲートドライバ31の駆動電圧(延いてはゲート駆動信号G1のハイレベル電圧)が切り替えられる。
図8は、Vds制限部の第3実施形態を示す図である。本実施形態のVds制限部100では、第2実施形態(図7)と同様、先出のコンパレータ102(図5)が割愛されており、比較信号SA(=出力電圧Voと所定の閾値電圧VBB−VdsAとの比較結果)に応じて、NMOSFET10として用いられるトランジスタ(本図ではNMOSFET10a及び10b)が選択される。
図9は、車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Xは、バッテリ(本図では不図示)と、バッテリから電力供給を受けて動作する種々の電子機器X11〜X18とを搭載している。なお、本図における電子機器X11〜X18の搭載位置については、図示の便宜上、実際とは異なる場合がある。
また、上記の実施形態では、車載用ハイサイドスイッチICを例に挙げて説明を行ったが、本明細書中に開示されている発明の適用対象は、これに限定されるものではなく、例えば、その他の車載用IPD(車載用ローサイドスイッチICや車載用電源ICなど)はもちろん、車載用途以外の半導体集積回路装置にも広く適用することが可能である。
2 ECU
3 負荷
4 外部センス抵抗
10、10a、10b NMOSFET(スイッチ素子)
20 出力電流監視部
21、21’ NMOSFET
22 センス抵抗
30 ゲート制御部
31 ゲートドライバ
311、311a、311b ソース電流源
312、312a、312b シンク電流源
313 コントローラ
32 オシレータ
33 チャージポンプ(昇圧部)
34 クランパ(アクティブクランプ回路)
35 NMOSFET
36 抵抗
37 キャパシタ
38 ツェナダイオード(クランプ素子)
40 制御ロジック部
50 信号入力部
60 内部電源部
70 異常保護部
71 過電流保護回路(過電流保護部)
72 オープン保護回路
73 温度保護回路
74 減電圧保護回路
80 出力電流検出部
81 オペアンプ
82 PMOSFET
90 信号出力部
91 セレクタ
100 Vds制限部
101、102 コンパレータ
103、104 抵抗
105 電流源
T1〜T4 外部端子
X 車両
X11〜X18 電子機器
Claims (10)
- 第1ノードと第2ノードとの間に接続された第1スイッチと、
第1端が前記第1ノードに接続されており前記第1スイッチと共通の駆動信号でオン/オフされる第2スイッチと、
前記第2スイッチの第2端と前記第2ノードとをイマジナリショートすることで前記第1スイッチに流れる出力電流に応じたセンス電流を生成する出力電流検出部と、
前記第1スイッチの両端間電圧を所定の下限値以上に制限する両端間電圧制限部と、
を有することを特徴とするスイッチ装置。 - 前記駆動信号を生成するドライバをさらに有することを特徴とする請求項1に記載のスイッチ装置。
- 前記両端間電圧制限部は、前記第2ノードの出力電圧と所定の閾値電圧との比較結果に応じて、前記ドライバを制御することを特徴とする請求項2に記載のスイッチ装置。
- 前記ドライバの出力段は、前記駆動信号の印加端にソース電流を流し込むソース電流源と、前記駆動信号の印加端からシンク電流を引き込むシンク電流源と、を含み、前記両端間電圧制限部は、前記ソース電流及び前記シンク電流のオン/オフ制御並びに電流値制御を行うことを特徴とする請求項3に記載のスイッチ装置。
- 前記ソース電流源は、第1ソース電流を生成する第1ソース電流源と、前記第1ソース電流よりも小さい第2ソース電流を生成する第2ソース電流源を含み、前記シンク電流源は、第1シンク電流を生成する第1シンク電流源と、前記第1シンク電流よりも小さく前記第2ソース電流よりも大きい第2シンク電流を生成する第2シンク電流源を含み、
前記第1スイッチのオン期間には、前記出力電圧が第1閾値電圧よりも低いときに前記第1ソース電流源及び前記第2ソース電流源がオンして前記第1シンク電流源及び前記第2シンク電流源がオフし、前記出力電圧が前記第1閾値電圧よりも高く第2閾値電圧よりも低いときに前記第2ソース電流源がオンして前記第1ソース電流源並びに前記第2シンク電流源及び前記第2シンク電流源がオフし、前記出力電圧が前記第2閾値電圧よりも高いときに前記第2ソース電流源及び前記第2シンク電流源がオンして前記第1ソース電流源及び前記第1シンク電流源がオフする一方、前記第1スイッチのオフ期間には、前記第1シンク電流源がオンして前記第1ソース電流源及び前記第2ソース電流源並びに前記第2シンク電流源がオフすることを特徴とする請求項4に記載のスイッチ装置。 - 前記両端間電圧制限部は、前記第2ノードの出力電圧と所定の閾値電圧との比較結果に応じて、前記ドライバの駆動電圧を切り替えることを特徴とする請求項2〜請求項5のいずれか一項に記載のスイッチ装置。
- 前記両端間電圧制限部は、前記第2ノードの出力電圧と所定の閾値電圧との比較結果に応じて、前記第1スイッチとして用いられるトランジスタを選択することを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載のスイッチ装置。
- 請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載のスイッチ装置と、前記スイッチ装置に接続される負荷を有することを特徴とする電子機器。
- 前記負荷は、バルブランプ、リレーコイル、ソレノイド、発光ダイオード、または、モータであることを特徴とする請求項8に記載の電子機器。
- 請求項8または請求項9に記載の電子機器を有することを特徴とする車両。
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