JP7348123B2 - 電源制御装置 - Google Patents

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Description

本発明は、DC/DCコンバータ用の電源制御装置に関する。
従来、降圧型などの各種のDC/DCコンバータが存在している。例えば、特許文献1には、降圧型のDC/DCコンバータが開示されている。
特許文献1などのDC/DCコンバータでは、出力電圧を抵抗分圧することで帰還電圧を生成し、帰還電圧をエラーアンプに入力させてPWM(パルス幅変調)制御を行うことで出力電圧を一定値に安定化する。
特開2016-19455号公報
特許文献1などのDC/DCコンバータでは、ICの外部端子に印加された出力電圧をIC内蔵の分圧抵抗により分圧している。このような構成により、上記外部端子がオープンとなる異常が生じた場合、抵抗分圧した後の帰還電圧がグランド電位(0V)となり、エラーアンプの出力が出力可能な最大値となり、PWMのデューティが最大値となる。これにより、DC/DCコンバータの出力電圧が過電圧となり、後段回路に当該過電圧が印加されてしまう。
上記状況に鑑み、本発明は、帰還電圧の異常が生じた場合でもDC/DCコンバータの後段回路を保護できる電源制御装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、DC/DCコンバータに用いられる電源制御装置であって、
前記DC/DCコンバータの出力電圧に基づく帰還電圧に基づき、ハイレベルとローレベルの一方である第1レベルと、前記ハイレベルと前記ローレベルの他方である第2レベルとを有するパルス状のPWM信号を生成する帰還制御部と、
前記帰還電圧の低電圧を検出する低電圧検出部と、
前記低電圧検出部により前記低電圧が検出されていない場合は、高デューティの第1クロック信号を、前記低電圧検出部により前記低電圧が検出されている場合は、低デューティの第2クロック信号をそれぞれ選択して選択クロック信号とする選択部と、
を有し、
前記帰還制御部は、
前記第1レベルと前記第2レベルとを有するパルス状のリセット信号を前記帰還電圧に基づいて生成するリセット信号生成部と、
前記リセット信号の前記第1レベルとなる期間と、前記選択クロック信号の前記第1レベルとなる期間とが重複する期間を前記第1レベルとして前記PWM信号を生成するPWM信号生成部と、
を有する電源制御装置としている(第1の構成)。
また、上記第1の構成において、前記PWM信号生成部は、前記リセット信号と前記選択クロック信号とが入力されるAND回路であることとしてもよい(第2の構成)。
また、上記第1または第2の構成において、前記リセット信号生成部は、前記帰還電圧と基準電圧とが入力されるエラーアンプと、スロープ信号を生成するスロープ生成部と、前記エラーアンプから出力される誤差信号と、前記スロープ信号とが入力されるPWMコンパレータと、を有することとしてもよい(第3の構成)。
また、上記第3の構成において、起動時に前記基準電圧を立ち上げるソフトスタート部を有し、前記ソフトスタート部からソフトスタートの完了を示す信号が出力されるまで、前記選択部は、前記低電圧検出部による検出結果を無視することとしてもよい(第4の構成)。
また、上記第1から第4のいずれかの構成において、前記低電圧検出部は、電源電圧の印加端に接続される一端を有する抵抗と、前記抵抗の他端に接続されるドレインと、グランド電位の印加端に接続されるソースと、前記出力電圧に基づく電圧が印加されるゲートと、を含むNMOSトランジスタと、を有することとしてもよい(第5の構成)。
また、上記第1から第4のいずれかの構成において、前記低電圧検出部は、前記出力電圧に基づく電圧と、閾値電圧とが入力されるコンパレータを有することとしてもよい(第6の構成)。
また、上記第1から第6のいずれかの構成において、前記選択部は、前記低電圧検出部により前記低電圧が検出されると、そのときに選択している前記第1クロック信号のレベルが前記第1レベルである場合、前記第1レベルが維持される間は前記第1クロック信号の選択を維持し、前記第1クロック信号が前記第2レベルに切り替わったときに前記第2クロック信号の選択に切り替えることとしてもよい(第7の構成)。
また、上記第1から第7のいずれかの構成において、前記出力電圧が印加される外部端子と、前記外部端子の端子電圧を分圧して前記帰還電圧を生成する分圧抵抗を有することとしてもよい(第8の構成)。
また、上記第1から第7のいずれかの構成において、前記帰還電圧が印加される第1外部端子と、グランド電位が印加されて前記第1外部端子付近に配置される第2外部端子と、を有することとしてもよい(第9の構成)。
また、本願の別態様は、上記いずれかの構成の電源制御装置と、前記電源制御装置において生成されるPWM信号に基づいてスイッチングされるトランジスタと、を有する、DC/DCコンバータとしている。
本発明の電源制御装置によれば、帰還電圧の異常が生じた場合でもDC/DCコンバータの後段回路を保護できる。
本発明の第1実施形態に係るDC/DCコンバータの構成を示す図である。 ソフトスタートの一例を示すタイミングチャートである。 低電圧検出部の第1構成例を示す図である。 低電圧検出部の第2構成例を示す図である。 通常時における電源制御装置の動作例を示すタイミングチャートである。 異常時における電源制御装置の動作例を示すタイミングチャートである。 本発明の第2実施形態に係るDC/DCコンバータの構成を示す図である。 チャタリングの発生の一例を示すタイミングチャートである。 第1実施形態の変形例に係る電源制御装置の構成を示す図である。 第1実施形態の変形例に係る電源制御装置の動作例を示すタイミングチャートである。
以下に本発明の例示的な実施形態について、図面を参照して説明する。
<DC/DCコンバータの構成>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電源制御装置1を含むDC/DCコンバータ15の構成を示す図である。
図1に示すDC/DCコンバータ15は、降圧型のDC/DCコンバータであり、入力電圧Vinを降圧して出力電圧Voutを生成して、出力電圧Voutを後段回路(不図示)に供給する。DC/DCコンバータ15は、電源制御装置1と、インダクタL1と、出力コンデンサC1と、ブートコンデンサCbと、を有する。インダクタL1と、出力コンデンサC1と、ブートコンデンサCbは、電源制御装置1の外部に配置されるディスクリート素子である。
図1に示す電源制御装置1は、エラーアンプ2と、PWMコンパレータ3と、ソフトスタート部4と、スロープ生成部5と、Dフリップフロップ6と、AND回路7と、低電圧検出部8と、AND回路9と、セレクタ10と、ハイサイドドライバ11と、ローサイドドライバ12と、NMOSトランジスタM1と、NMOSトランジスタM2と、ダイオードD1と、分圧抵抗R1,R2と、を1つのチップに集積化して有する半導体ICである。
なお、エラーアンプ2と、PWMコンパレータ3と、スロープ生成部5と、Dフリップフロップ6と、からリセット信号生成部13Aが構成される。AND回路7からPWM信号生成部13Bが構成される。リセット信号生成部13Aと、PWM信号生成部13Bと、から帰還電圧制御部13が構成される。
また、低電圧検出部8と、AND回路9と、から選択部14が構成される。
また、電源制御装置1は、外部との電気的接続を確立するための外部端子Pn1~Pn5を有する。
なお、NMOSトランジスタM1,M2は、電源制御装置1の外部に配置されてもよい。
NMOSトランジスタM1と、NMOSトランジスタM2は、入力電圧Vinが印加される外部端子Pn1と、グランド電位が印加される外部端子Pn4との間に直列に接続される。具体的には、NMOSトランジスタM1のドレインは、外部端子Pn1に接続される。NMOSトランジスタM1のソースは、ノードNswにおいてNMOSトランジスタM2のドレインに接続される。NMOSトランジスタM2のソースは、外部端子Pn4に接続される。すなわち、NMOSトランジスタM1は、高電位側のハイサイドトランジスタであり、NMOSトランジスタM2は、低電位側のローサイドトランジスタである。
インダクタL1の一端は、外部端子Pn3を介してノードNswに接続される。インダクタL1の他端は、出力コンデンサC1の一端に接続される。出力コンデンサC1の他端は、グランド電位の印加端に接続される。出力コンデンサC1の一端に、出力電圧Voutが生成される。
出力電圧Voutは、外部端子Pn5に印加される。外部端子Pn5は、分圧抵抗R1の一端に接続される。分圧抵抗R1の他端は、ノードN1において分圧抵抗R2の一端に接続される。分圧抵抗R2の他端は、グランド電位の印加端に接続される。すなわち、分圧抵抗R1とR2は、外部端子Pn5とグランド電位の印加端との間に直列に接続される。出力電圧Voutを分圧抵抗R1,R2により分圧することで、ノードN1に帰還電圧FBが生成される。
帰還電圧FBは、エラーアンプ2の反転入力端(-)に印加される。エラーアンプ2の非反転入力端(+)には、基準電圧源Pにより生成される基準電圧REFが印加される。基準電圧源Pは、後述するソフトスタートのために、可変な基準電圧REFを生成する。
エラーアンプ2は、帰還電圧FBと基準電圧REFとの誤差を増幅して誤差信号ERRを生成する。誤差信号ERRは、PWMコンパレータ3の反転入力端(-)に印加される。
スロープ生成部5は、鋸歯状のスロープ信号SLPを生成する。スロープ信号SLPは、PWMコンパレータ3の非反転入力端(+)に印加される。PWMコンパレータ3は、誤差信号ERRとスロープ信号SLPを比較して、比較信号CMPを生成する。
セレクタ10は、高デューティの第1クロック信号CK1と、低デューティの第2クロック信号CK2とのうち、一方を選択して選択クロック信号CLKとして出力する。第1クロック信号CK1と第2クロック信号CK2は、同じ周期のパルス信号である。1周期におけるハイレベルの期間の割合(デューティ)は、第1クロック信号CK1のほうが第2クロック信号CK2よりも高い。例えば、第1クロック信号CK1のデューティは90%、第2クロック信号CK2のデューティは50%などである。
Dフリップフロップ6のD端子には、電源電圧Vddが印加される。Dフリップフロップ6のクロック端子には、選択クロック信号CLKが印加される。Dフリップフロップ6のリセット端子には、比較信号CMPが印加される。Dフリップフロップ6のQ端子からは、リセット信号RSTが出力される。リセット信号RSTは、ハイレベルとローレベルとを有するパルス状の信号である。
AND回路7の一方の入力端には、リセット信号RSTが印加される。AND回路7の他方の入力端には、選択クロック信号CLKが印加される。AND回路7は、リセット信号RSTと選択クロック信号CLKの論理積をとり、PWM信号PWMを出力する。PWM信号PWMは、ハイレベルとローレベルとを有するパルス状の信号である。
なお、スロープ生成部5は、選択クロック信号CLKを入力され、選択クロック信号CLKの立上りエッジを受けて初期値からのスロープ信号SLPの立上げを開始させる。また、スロープ生成部5は、比較信号CMPを入力され、比較信号CMPの立上りエッジを受けてスロープ信号SLPを初期値にリセットする。なお、スロープ生成部5は、リセット後は、選択クロック信号CLKの立上りエッジまではスロープ信号SLPを初期値で維持させる。
このようなエラーアンプ2、PWMコンパレータ3、スロープ生成部5、Dフリップフロップ6、およびAND回路7により、帰還電圧FBを基準電圧REFに一致すべくPWM信号PWMを生成する帰還制御が行われる。これにより、基準電圧REFと分圧抵抗R1,R2の抵抗値により規定される一定値に出力電圧Voutは制御される。
ハイサイドドライバ11は、PWM信号PWMに基づいてNMOSトランジスタM1をオンオフ駆動する。ローサイドドライバ12は、PWM信号PWMに基づいてNMOSトランジスタM2をオンオフ駆動する。NMOSトランジスタM1とM2は、一方がオン状態のときに他方がオフ状態に相補的にスイッチングされる。なお、相補的とは、貫通電流の防止等からの観点により双方がオフとなる期間であるデッドタイムを設けることも含まれる。
ここで、ブートコンデンサCbの一端は、外部端子Pn3に接続される。ブートコンデンサCbの他端は、外部端子Pn2に接続される。外部端子Pn2は、ノードN2においてダイオードD1のカソードに接続される。ダイオードD1のアノードには、電源電圧Vccが印加される。このようなブートコンデンサCbとダイオードD1により構成されるブートストラップにより、ノードN2にブート電圧Vbootが生成される。ブート電圧Vbootにより、入力電圧Vinよりも高い電源電圧をハイサイドドライバ11に供給できる。
ハイサイドドライバ11は、ブート電圧VootをNMOSトランジスタM1のゲートに印加することで、NMOSトランジスタM1をオン状態とする。ハイサイドドライバ11は、ノードNswのスイッチ電圧VswをNMOSトランジスタM1のゲートに印加することで、NMOSトランジスタM1をオフ状態とする。
また、ローサイドドライバ12は、電源電圧VregをNMOSトランジスタM2のゲートに印加することで、NMOSトランジスタM2をオン状態とする。ローサイドドライバ12は、グランド電位をNMOSトランジスタM2のゲートに印加することで、NMOSトランジスタM2をオフ状態とする。
なお、ハイサイドトランジスタとしてPMOSトランジスタを用いてもよい。この場合、ブートストラップは不要となる。
低電圧検出部8は、外部端子Pn5の端子電圧V5が低電圧になっているか否かを検出して検出信号DETを出力する。すなわち、低電圧検出部8は、帰還電圧FBの低電圧を検出する。これにより、通常時であれば端子電圧V5は出力電圧Voutとなるので、低電圧検出部8は、端子電圧V5は低電圧でなく正常であることを検出する。この場合、低電圧検出部8は、ローレベルの検出信号DETを出力する。一方、電源制御装置1の実装不良等により外部端子Pn5がオープンとなった場合は、端子電圧V5はグランド電位(0V)となり、低電圧検出部8は、端子電圧V5が低電圧であり異常であることを検出する。この場合、低電圧検出部8は、ハイレベルの検出信号DETを出力する。
ソフトスタート部4は、電源制御装置1の起動時におけるソフトスタートを制御する。ソフトスタートについて、図2に示すタイミングチャートを参照して説明する。
図2に示すタイミングtaにてイネーブル信号ENがローレベルからハイレベルへ立ち上がると、ソフトスタート部4は、基準電圧源Pを制御して基準電圧REFの立上げを開始させる。このとき、帰還電圧FBに基づく帰還制御により、出力電圧Voutは上昇を開始する。また、このときソフトスタート部4は、ローレベルのソフトスタート完了信号SSFを出力する。
そして、時間的に一定となる一定値に基準電圧REFが到達するタイミングtbにて、ソフトスタート部4は、ソフトスタートが完了したとして、ソフトスタート完了信号SSFをローレベルからハイレベルに切り替える。このようなソフトスタートにより、出力電圧Voutのオーバーシュートを抑制できる。
AND回路9の一方の入力端には、ソフトスタート完了信号SSFが印加される。AND回路9の他方の入力端には、検出信号DETが印加される。これにより、起動時に出力電圧Voutが低いために低電圧検出部8により端子電圧V5の低電圧が検出されても、ソフトスタート完了信号SSFはローレベルであるので、AND回路9の出力Aはローレベルとなる。セレクタ10は、出力Aがローレベルの場合、通常時の選択肢として第1クロック信号CK1を選択する。すなわち、起動時に誤って異常時の選択肢としての第2クロック信号CK2が選択されることを回避できる。
ソフトスタート完了信号SSFがハイレベルに切り替えられて以降は、AND回路9の出力Aは、検出信号DETのレベルに応じたレベルとなる。従って、通常時であれば検出信号DETはローレベルであるので、出力Aがローレベルとなり、セレクタ10により第1クロック信号CK1が選択される。一方、異常時であれば検出信号DETはハイレベルとなるので、出力Aがハイレベルとなり、セレクタ10は、第2クロック信号CK2を選択する。後述のように、第2クロック信号CK2は、異常時にPWM信号PWMのデューティを抑制するために用いられる。
このように、選択部14は、ソフトスタート部4からソフトスタートの完了を示すソフトスタート完了信号SSFが出力されるまで、低電圧検出部8による検出結果を無視する。
<低電圧検出部の構成>
図3は、低電圧検出部8の第1構成例を示す図である。図3に示す低電圧検出部8は、NMOSトランジスタM8と、プルアップ抵抗R8と、を有する。
プルアップ抵抗R8の一端は、電源電圧V8の印加端に接続される。プルアップ抵抗R8の他端は、ノードN8においてNMOSトランジスタM8のドレインに接続される。NMOSトランジスタM8のソースは、グランド電位の印加端に接続される。NMOSトランジスタM8のゲートには、端子電圧V5が印加される。検出信号DETは、ノードN8に生じる。
通常時で端子電圧V5がNMOSトランジスタM8の閾値電圧Vthを上回っていれば、NMOSトランジスタM8がオン状態となり、検出信号DETは、ローレベル(グランド電位)となる。一方、異常時で端子電圧V5が閾値電圧Vthを下回っていれば、NMOSトランジスタM8はオフ状態となり、検出信号DETはハイレベル(V8)となる。
閾値電圧Vthは、0Vより高く、且つ通常時の出力電圧Voutの電圧値よりも低い値に設定される。例えば、入力電圧Vinが12Vに対して通常時の出力電圧Voutが3.3Vである場合、閾値電圧Vthは、例えばtyp値として0.5Vに設定される。ただし、閾値電圧Vthは、バラツキや温度特性により変化する。typ値が0.5Vの閾値電圧Vthであれば、Vthの最大値は、例えば0.5V×1.3+0.2V=0.85Vとなる。なお、1.3はバラツキ分、0.2Vは温度特性によるものである。しかしながら、通常時の出力電圧Voutが3.3Vのように0Vから余裕がある場合は、上記のように閾値電圧Vthが最大値まで変化しても問題はない。
一方、通常時の出力電圧Voutが例えば0.8Vなどのように0Vから余裕がない場合は、通常時の出力電圧Voutが閾値電圧Vthの最大値を下回る可能性があり、低電圧検出部8による通常時の検出に誤検出が生じる可能性がある。
特にそのような場合は、次に図4で示す第2構成例の低電圧検出部8を用いることが望ましい。図4に示す低電圧検出部8は、コンパレータCMP8から構成される。コンパレータCMP8の反転入力端(-)には、端子電圧V5が印加される。コンパレータCMP8の非反転入力端(+)には、閾値電圧THが印加される。コンパレータCMP8は、端子電圧V5と閾値電圧THの比較結果を検出信号DETとして出力する。
これにより、通常時で端子電圧V5が閾値電圧THを上回っていれば、検出信号DETはローレベルとなり、異常時で端子電圧V5が閾値電圧THを下回っていれば、検出信号DETはハイレベルとなる。
<異常検出時の動作>
次に、電源制御装置1の異常検出時の動作について説明する。まず、電源制御装置1の正常時の動作について、図5に示すタイミングチャートを参照して説明する。
なお、図5においては、上段より順に、第1クロック信号CK1、第2クロック信号CK2、選択クロック信号CLK、誤差信号ERR、スロープ信号SLP、リセット信号RST、およびPWM信号PWMの波形例を示す。また、ここでは、ハイレベルが第1レベルに相当し、ローレベルが第2レベルに相当する。
タイミングt1で第1クロック信号CK1および第2クロック信号CK2がローレベルからハイレベルに立ち上がる。ここでは端子電圧V5が通常時の値であるので、低電圧検出部8により低電圧は検出されず、セレクタ10により第1クロック信号CK1が選択されている。これにより、第1クロック信号CK1としての選択クロック信号CLKは、ハイレベルに立ち上がる。
選択クロック信号CLKの立ち上りを受けて、スロープ信号SLPは、初期値から立ち上りを開始する。また、選択クロック信号CLKの立ち上りを受けて、Dフリップフロップ6は、リセット信号RSTをハイレベルに立ち上げる。これにより、PWM信号PWMは、ハイレベルに立ち上がる。
その後、スロープ信号SLPが立ち上がって、タイミングt2にて誤差信号ERRを上回ると、比較信号CMPがハイレベルに立ち上がる。これにより、Dフリップフロップ6がリセットされ、リセット信号RSTはローレベルに立ち下げられる。従って、PWM信号PWMはローレベルに立ち下げる。
また、比較信号CMPがハイレベルに立ち上がったのを受けて、スロープ生成部5はスロープ信号SLPを初期値に立下げる。これにより、比較信号CMPは、ローレベルに立ち下がる。以降、スロープ生成部5は、選択クロック信号CLKの立ち上がりを受けるまでは、スロープ信号SLPを初期値に維持させる。
その後、第1クロック信号CK1がローレベルに立ち下がるタイミングt3で、選択クロック信号CLKも立ち下がる。その後、第1クロック信号CK1および第2クロック信号CK2がハイレベルに立ち上がるタイミングt4で、選択クロック信号CLKも立ち上がる。
選択クロック信号CLKの立ち上りを受けて、Dフリップフロップ6によりリセット信号RSTが立ち上がる。これにより、PWM信号PWMも立ち上がる。
このように、リセット信号RSTのハイレベル(第1レベル)となる期間と、選択クロック信号CLKのハイレベル(第1レベル)となる期間とが重複する期間(t1~t2)をハイレベル(第1レベル)としてPWM信号PWMが生成される。
第1クロック信号CK1および第2クロック信号CK2の周期T1(=PWM信号PWMの周期)に対する、PWM信号PWMがハイレベルとなる期間T2の割合であるPWM信号PWMのデューティは、入力電圧Vinに対する通常時の出力電圧Voutに応じた値となる。例えば、Vin=12V、Vout=3.3Vであれば、上記のデューティは、3.3/12=28%となる。
次に、電源制御装置1の異常時の動作について、図6に示すタイミングチャートを参照して説明する。ここでは、外部端子Pn5がオープンとなる異常が発生した場合であり、端子電圧V5はグランド電位(0V)となるので、低電圧検出部8により低電圧が検出され、セレクタ10により第2クロック信号CK2が選択される。従って、選択クロック信号CLKは、第2クロック信号CK2となる。
タイミングt11では、選択クロック信号CLKの立上げを受けて、スロープ信号SLPは、初期値からの立ち上りを開始する。
端子電圧V5がグランド電位となるので、エラーアンプ2の出力である誤差信号ERRは、エラーアンプ2の出力可能な最大値まで上昇する。これに対して、スロープ信号SLPは立ち上がるが、スロープ信号SLPが誤差信号ERRを下回ったまま、第2クロック信号CK2および選択クロック信号CLKが立ち上がるタイミングt13となる。すなわち、比較信号CMPがローレベルのままのため、リセット信号RSTがハイレベルのままとなる。これにより、リセット信号RSTとしては、デューティが100%となる。
しかしながら、タイミングt13より前のタイミングt12で、第2クロック信号CK2および選択クロック信号CLKが立ち下がる。これにより、リセット信号RSTがハイレベルのままであっても、タイミングt12でPWM信号PWMは立ち下がる。
このように、リセット信号RSTのハイレベル(第1レベル)となる期間と、選択クロック信号CLKのハイレベル(第1レベル)となる期間とが重複する期間(t11~t12)をハイレベル(第1レベル)としてPWM信号PWMが生成される。
すなわち、外部端子Pn5がオープンとなって端子電圧V5が低電圧となる異常が発生した場合でも、PWM信号PWMのデューティは、第2クロック信号CK2の低いデューティにより制限されることになる。例えば、第2クロック信号CK2のデューティが50%であれば、PWM信号PWMのデューティが50%とされ、入力電圧Vinが12Vである場合、出力電圧Voutは、12V×50%=6Vに制限される。
仮に、クロック信号が第1クロック信号CK1のみであり、第2クロック信号CK2を選択できない構成の場合は、AND回路7は、第1クロック信号CK1とリセット信号RSTの論理積をとるので、PWM信号PWMのデューティが、第1クロック信号CK1の高いデューティとなってしまう。例えば、第1クロック信号CK1のデューティが90%の場合、PWM信号PWMのデューティが90%となり、入力電圧Vinが12Vである場合、出力電圧Voutは、12V×90%=11Vと過電圧となってしまう。
このように、本実施形態であれば、異常時に過電圧の出力電圧Voutが後段回路に印加されることを回避できる。
また、従来のように、異常検出から所定期間(例えば1ms~5ms)経過すると、トランジスタのスイッチングを停止させてシャットダウンさせる制御では、上記所定期間はスイッチングが動作し続けるので、出力電圧が上昇を続けてしまう。これに対し、本実施形態であれば、出力電圧が上昇しても所定の制限電圧で制限することが可能となる。
また、上記所定期間が短い場合は、一瞬でも異常を検出するとシャットダウンされてしまう。これに対し、本実施形態であれば、外部端子Pn5のオープン状態がすぐに正常状態に戻れば、低電圧検出部8により低電圧は検出されなくなり、セレクタ10により第1クロック信号CK1が選択され、NMOSトランジスタM1,M2のスイッチングは継続される。
<電源制御装置の第2実施形態>
図7は、第2実施形態に係る電源制御装置1Xを含むDC/DCコンバータ15Xの構成を示す図である。
本実施形態のDC/DCコンバータ15Xの構成上の先述した第1実施形態(図1)との相違点は、電源制御装置1の外部に分圧抵抗R1,R2を配置したことである。外部の分圧抵抗R1,R2により出力電圧Voutを分圧して生成される帰還電圧FBは、外部端子Pn5に印加される。外部端子Pn5の端子電圧V5は、エラーアンプ2の反転入力端(-)に印加される。
このような本実施形態では、外部端子Pn5が隣接する外部端子Pn4と短絡して端子電圧V5がグランド電位(0V)となる異常を低電圧検出部8により検出する。低電圧検出部8を先述した第1構成例(図3)または第2構成例(図4)により構成する場合は、閾値電圧Vthまたは閾値電圧THを、0Vより高く、且つ通常時の帰還電圧FBの値より低い値に設定すればよい。
低電圧検出部8により端子電圧V5の低電圧が検出されると、セレクタ10により第2クロック信号CK2が選択される。これにより、第1実施形態と同様に、PWM信号PWMのデューティが第2クロック信号CK2のデューティにより制限される。従って、出力電圧Voutは制限され、過電圧になることを回避できる。
<電源制御装置のチャタリング防止機能>
図8は、先述した第1実施形態または第2実施形態の電源制御装置における第1クロック信号CK1から第2クロック信号CK2への切り替え時のタイミングチャートを示す。なお、図8および後述の図10では、検出信号DETも示す。
図8では、タイミングt21でセレクタ10により第1クロック信号CK1が選択されており、第1クロック信号CK1の立ち上りに応じて、選択クロック信号CLKが立ち上がる。これにより、スロープ信号SLPは初期値から立ち上りを開始し、リセット信号RSTおよびPWM信号PWMは立ち上がる。
その後、タイミングt22で外部端子Pn5の異常が生じると、低電圧検出部8から出力される検出信号DETがハイレベルに切り替わり、セレクタ10により第2クロック信号CK2が選択される。ここで、図8に示す例では、第2クロック信号CK2の立ち上がりタイミングは、第1クロック信号CK1の立ち上がりタイミングより遅延時間Tdだけ遅れているので、タイミングt22では選択クロック信号CLKは立ち下がる。これにより、PWM信号PWMも立ち下がる。
その後、タイミングt23で第2クロック信号CK2が立ち上がると、選択クロック信号CLKも立ち上がる。これにより、スロープ信号SLPは初期値から再度立上げが開始され、リセット信号RSTはハイレベルとされ、PWM信号PWMは立ち上がる。
このように、第2クロック信号CK2の第1クロック信号CK1からの遅延により、選択されるクロック信号の切り替わり時にPWM信号PWMにチャタリングが発生してしまう。
なお、図8の例では、タイミングt22での異常発生により、誤差信号ERRの上昇が開始され、スロープ信号SLPはタイミングt25で誤差信号ERRを上回り、比較信号CMPが立ち上がり、リセット信号RSTがリセットされて立ち下がっている。また、タイミングt25より前のタイミングt24で第2クロック信号CK2および選択クロック信号CLKが立ち下がるので、PWM信号PWMは、タイミングt24で立ち下がっている。
このようなチャタリングを抑制するために、第1実施形態の変形例として図9に示すような電源制御装置1Yを採用してもよい。電源制御装置1Yでは、第1実施形態との相違点として、セレクタ10の代わりにラッチ部10Yを設けている。すなわち、AND回路9と、ラッチ部10Yと、から選択部14Yが構成される。
ラッチ部10Yは、低電圧検出部8により端子電圧V5の低電圧が検出され、AND回路9の出力Aがローレベルからハイレベルに切り替わると、そのときに選択している第1クロック信号CK1のレベルがハイレベルである場合、当該ハイレベルが維持される間は第1クロック信号CK1の選択を維持し、第1クロック信号CK1がローレベルに立ち下がったときに、第2クロック信号CK2の選択に切り替える。
ここで、ラッチ部10Yによる動作例を図10のタイミングチャートに示す。図10のタイミングt31では、ラッチ部10Yにより第1クロック信号CK1が選択されており、第1クロック信号CK1の立ち上りに応じて選択クロック信号CLKが立ち上がる。
その後、タイミングt32にて低電圧検出部8により端子電圧V5の低電圧が検出され、検出信号DETがハイレベルに切り替わる。すると、ラッチ部10Yは、そのときに選択している第1クロック信号CK1はハイレベルであるので、第1クロック信号CK1がタイミングt35でローレベルに立ち下がるまでは、第1クロック信号CK1の選択を維持する。これにより、選択クロック信号CLKはタイミングt35までハイレベルとされる。
図10の例では、タイミングt32での異常発生により、誤差信号ERRの上昇が開始され、スロープ信号SLPはタイミングt34で誤差信号ERRを上回り、比較信号CMPが立ち上がり、リセット信号RSTがリセットされて立ち下がっている。これにより、PWM信号PWMは、タイミングt34で立ち下がる。
そして、第1クロック信号CK1が立ち下がるタイミングt35で、ラッチ部10Yは、第2クロック信号CK2を選択する。ここでは、第2クロック信号CK2はすでにローレベルであるので、選択クロック信号CLKは立ち下がる。その後、タイミングt36で第2クロック信号CK2が立ち上がると、選択クロック信号CLKも立ち上がる。これにより、リセット信号RSTは立ち上がり、PWM信号PWMも立ち上がる。
このように、選択クロック信号CLKにチャタリングが発生しないので、PWM信号PWMにもチャタリングが発生することを回避できる。
なお、検出信号DETがハイレベルに切り替わったときに、第1クロック信号CK1がローベルである場合は、ラッチ部10Yは、即座に第2クロック信号CK2の選択に切り替える。
また、ラッチ部10Yは、第2実施形態の電源制御装置にも適用可能である。
<その他>
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内であれば、実施形態は種々の変形が可能である。
例えば、選択クロック信号CLK、リセット信号RST、およびPWM信号PWMのレベルは、先述の実施形態から反転させた形態でもよい。すなわち、リセット信号RSTのローレベル(第1レベル)となる期間と、選択クロック信号CLKのローレベル(第1レベル)となる期間とが重複する期間をローレベル(第1レベル)としてPWM信号PWMを生成してもよい。
また、本発明に係る電源制御装置は、降圧型のDC/DCコンバータに限らず、例えば昇圧型、昇降圧型のDC/DCコンバータに適用してもよい。
本発明は、各種のDC/DCコンバータに利用することができる。
1、1X、1Y 電源制御装置
2 エラーアンプ
3 PWMコンパレータ
4 ソフトスタート部
5 スロープ生成部
6 Dフリップフロップ
7 AND回路
8 低電圧検出部
R8 プルアップ抵抗
M8 NMOSトランジスタ
CMP8 コンパレータ
9 AND回路
10 セレクタ
10Y ラッチ部
11 ハイサイドドライバ
12 ローサイドドライバ
13 帰還制御部
13A リセット信号生成部
13B PWM信号生成部
14、14Y 選択部
15、15X、15Y DC/DCコンバータ
M1,M2 NMOSトランジスタ
L1 インダクタ
C1 出力コンデンサ
Cb ブートコンデンサ
D1 ダイオード
R1,R2 分圧抵抗
Pn1~Pn5 外部端子

Claims (10)

  1. DC/DCコンバータに用いられる電源制御装置であって、
    前記DC/DCコンバータの出力電圧に基づく帰還電圧に基づき、ハイレベルとローレベルの一方である第1レベルと、前記ハイレベルと前記ローレベルの他方である第2レベルとを有するパルス状のPWM信号を生成する帰還制御部と、
    前記帰還電圧の低電圧を検出する低電圧検出部と、
    前記低電圧検出部により前記低電圧が検出されていない場合は、高デューティの第1クロック信号を、前記低電圧検出部により前記低電圧が検出されている場合は、低デューティの第2クロック信号をそれぞれ選択して選択クロック信号とする選択部と、
    を有し、
    前記帰還制御部は、
    前記第1レベルと前記第2レベルとを有するパルス状のリセット信号を前記帰還電圧に基づいて生成するリセット信号生成部と、
    前記リセット信号の前記第1レベルとなる期間と、前記選択クロック信号の前記第1レベルとなる期間とが重複する期間を前記第1レベルとして前記PWM信号を生成するPWM信号生成部と、
    を有する、電源制御装置。
  2. 前記PWM信号生成部は、前記リセット信号と前記選択クロック信号とが入力されるAND回路である、請求項1に記載の電源制御装置。
  3. 前記リセット信号生成部は、
    前記帰還電圧と基準電圧とが入力されるエラーアンプと、
    スロープ信号を生成するスロープ生成部と、
    前記エラーアンプから出力される誤差信号と、前記スロープ信号とが入力されるPWMコンパレータと、
    を有する、請求項1または請求項2に記載の電源制御装置。
  4. 起動時に前記基準電圧を立ち上げるソフトスタート部を有し、
    前記ソフトスタート部からソフトスタートの完了を示す信号が出力されるまで、前記選択部は、前記低電圧検出部による検出結果を無視する、請求項3に記載の電源制御装置。
  5. 前記低電圧検出部は、
    電源電圧の印加端に接続される一端を有する抵抗と、
    前記抵抗の他端に接続されるドレインと、グランド電位の印加端に接続されるソースと、前記出力電圧に基づく電圧が印加されるゲートと、を含むNMOSトランジスタと、
    を有する、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電源制御装置。
  6. 前記低電圧検出部は、前記出力電圧に基づく電圧と、閾値電圧とが入力されるコンパレータを有する、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の電源制御装置。
  7. 前記選択部は、前記低電圧検出部により前記低電圧が検出されると、そのときに選択している前記第1クロック信号のレベルが前記第1レベルである場合、前記第1レベルが維持される間は前記第1クロック信号の選択を維持し、前記第1クロック信号が前記第2レベルに切り替わったときに前記第2クロック信号の選択に切り替える、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電源制御装置。
  8. 前記出力電圧が印加される外部端子と、
    前記外部端子の端子電圧を分圧して前記帰還電圧を生成する分圧抵抗を有する、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の電源制御装置。
  9. 前記帰還電圧が印加される第1外部端子と、グランド電位が印加されて前記第1外部端子付近に配置される第2外部端子と、を有する、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の電源制御装置。
  10. 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の電源制御装置と、
    前記電源制御装置において生成されるPWM信号に基づいてスイッチングされるトランジスタと、
    を有する、DC/DCコンバータ。
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