JP7095213B2 - 裏側にピットを有するリン化インジウムウエハ、ならびに、それを製造するための方法およびエッチング液 - Google Patents
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Description
{100}リン化インジウム(InP)ウエハの両側に表面ラッピングを行う段階、
エッチング液に浸漬することによって{100}リン化インジウム(InP)ウエハをエッチングしてエッチングピットを作る段階、
エッチングされた{100}リン化インジウムウエハを取り出し、脱イオン水で洗浄する段階、
エッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を保護する段階、
裏面が保護されてエッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハに対して機械研摩および化学研磨を行い、次に、脱イオン水で洗浄する段階、
{100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を脱保護する段階
ここで、エッチング液は、酸性物質、脱イオン水、および酸化剤を含み、エッチング液に存在する酸性物質、脱イオン水、および酸化剤は、モル比に基づいて、1:(5~15):(0.5~3)の比であり、エッチング温度の範囲は、15~80℃、好ましくは、18~50℃であり、より好ましくは、20~40℃であり、エッチング時間は5~40分、好ましくは、10~30分、より好ましくは、10~20分である。
(2)均一に分布した裏側の表面粗度およびピットモルフォロジーを提供し、従って、熱放射の均一な吸収のための均一な放射率を提供する。均一な前面温度の分布は、材料品質、および、ウエハにわたる均一性の両方について、エピタキシャル層の成長に有利である。
(3)本発明に係る{100}リン化インジウム(InP)ウエハを製造するための方法は、操作が単純であり、制御可能な表面モルフォロジーおよび良好な再現性を有するリン化インジウム(InP)ウエハを製造することが容易である。
A.円形ウエハの中央に中心を有し、0.25mmの半径を有する円によって画定される領域
B.ウエハの中央から半径の半分の位置に中心を有し、0.25mmの半径を有する円によって画定される領域
C.ウエハの縁部から0.25mmの距離に中心を有し、0.25mmの半径を有する円によって画定される領域
本発明において、ピットの寸法は、細長い形状のピットの長軸の寸法によっておよそ特徴付けられ、ピットの深度は、単結晶の表面がエッチング液でエッチングされる程度によって特徴付けられる。
{100}リン化インジウム(InP)ウエハの両側に表面ラッピングを行う段階、
エッチング液に浸漬することによって{100}リン化インジウム(InP)ウエハをエッチングしてエッチングピットを作る段階、
エッチングされた{100}リン化インジウムウエハを取り出して、脱イオン水で洗浄する段階、
エッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を保護する段階、
裏面が保護されてエッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハに対して機械研摩および化学研磨を行い、次に、脱イオン水で洗浄する段階、
{100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を脱保護する段階
ここで、エッチング液は、酸性物質、脱イオン水、および酸化剤を含み、エッチング液に存在する酸性物質、脱イオン水、および酸化剤は、モル比に基づいて、1:(5~15):(0.5~3)の比であり、エッチング温度の範囲は、15~80℃、好ましくは、18~50℃であり、より好ましくは、20~40℃であり、エッチング時間は5~40分、好ましくは、10~30分、より好ましくは、10~20分である。
テーブル1 米国連邦規格209Dクリーンルーム仕様
[機器]
ディスクミル: PULVERISETTE13、FRITSCH GmbHから入手可能
TXRF(全反射X線蛍光分光計):TREX610、テクノス株式会社(日本、大阪)から入手可能
表面プロファイラ:SV-600、株式会社ミツトヨ(日本)が製造
接触厚さゲージ:ID-C125EB、株式会社ミツトヨ(日本)が製造
マルチライン切断機:HCT E400SD, HCT Inc.、スイス
金属有機化学気相成長(MOCVD)装置:MC-050、AnnealSys Company(フランス)から入手可能
フォトルミネセンス分光器:ACCENT RPM2000, Bio-Rad Laboratories, Inc.(米国)
光学顕微鏡:BX53、オリンパス株式会社(日本)から入手可能
電子走査顕微鏡:Hitachi S2300、Hitachi High Technologies-America(米国)から入手可能
合格基準:ZnおよびCuの残存量が各々10×1010原子/cm2以下
2.1 ピットが分布する{100}リン化インジウム(InP)ウエハの表面(裏側)については、表面粗度Raは表面プロファイラで測定され、マイクロメートル(μm)単位で表現されるRaは、1.5μm以下である。
2.2 粗研磨および仕上げ研磨を受けたエピタキシャル成長のためのウエハの表面(「前面」)については、表面粗度Raは、AFM(原子間力顕微鏡)で測定され(垂直分解能:0.03nm、解析面積:5μm×5μm)、Raはナノメートル(nm)単位で表現される。0.5nm以下の研磨面の表面粗度は合格とみなされる。
モル比に基づいて、1:1:1:12の比の硫酸、塩酸、H2O2および脱イオン水を含むエッチング液は、まず脱イオン水をH2O2と混合し、次に、塩酸を追加し、最後に撹拌しながら硫酸を追加する段階によって作られる。
(1')ウエハが円弧状縁部(図4a)を有するように、(図4aに示されるような)面取り機を使用して、段階(1)において切断されたウエハに対して縁部面取り処理を行う。
(1"){100}リン化インジウム(InP)ウエハの両側に対して表面ラッピングを行う。表面ラッピングに使用されるラッピングコンパウンドは、市販のアルミナ粉末である。
(2){100}リン化インジウム(InP)ウエハを上記のエッチング液に20℃で10分間浸漬する。
(3)エッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハを取り出し、脱イオン水で洗浄する。
(4)エッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を保護する。
(5)エッチングされ、裏面が保護された{100}リン化インジウム(InP)ウエハに対して機械研摩および化学研磨を行い、それらを脱イオン水で洗浄する。
(6){100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を脱保護し、裏面に不規則なピットが分布する{100}リン化インジウム(InP)ウエハを得て、更に、ウエハを洗浄および乾燥させ、次に、光学顕微鏡でその表面モルフォロジーを観察した(観察位置は円形ウエハの中央である)。図2aおよび図2bは、ウエハの裏面の表面モルフォロジーを示す。図2aから分かるように、例1において取得されるウエハは、裏面に不規則形状のピットを有する。図2bはそれらのステレオモルフォロジーを示す。ウエハの裏面における細長いピットのプロファイルおよび深度は、図2cに示されるように、表面プロファイラによって測定した。分布データは図2dおよび図2eに示される。
モル比に基づいて、1:2:9:30の比の酢酸、塩酸、H2O2、脱イオン水を含むエッチング液が作られた。
(1')ウエハが円弧状縁部(図4a)を有するように、(図4aに示されるような)面取り機を使用して、段階(1)において切断されたウエハに対して縁部面取り処理を行う。
(1"){100}リン化インジウム(InP)ウエハの両側に対して表面ラッピングを行う。表面ラッピングに使用されるラッピングコンパウンドは、市販のアルミナ粉末である。
(2){100}リン化インジウム(InP)ウエハを上記のエッチング液に40℃で20分間浸漬する。
(3)エッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハを取り出し、脱イオン水で洗浄する。
(4)エッチングされた{100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を保護する。
(5)エッチングされ、裏面が保護された{100}リン化インジウム(InP)ウエハに対して機械研摩および化学研磨を行い、それらを脱イオン水で洗浄する。
(6){100}リン化インジウム(InP)ウエハの裏面を脱保護し、裏面にピットが分布する{100}リン化インジウム(InP)ウエハを得て、更に、ウエハを洗浄および乾燥させ、次に、光学顕微鏡でその表面モルフォロジーを観察した(観察位置は円形ウエハの中央である)。図3aおよび図3bは、ウエハの表面モルフォロジーを示す。図3aから分かるように、例2において取得されるウエハは円滑な細長いピットを有する。長軸の方向は[011]水晶配向に平行である。図3bは、ピットのステレオモルフォロジーを示す。ウエハの裏面におけるピットのプロファイルおよび深度は、図3cに示されるように、表面プロファイラによって測定された。細長いピットの長軸、および、ピットの深度の分布データが、図3dおよび図3eにおいてそれぞれ示される。
粗研磨、仕上げ研磨、クリーニング処理を受けた、例1において取得されるウエハの表面(前面)は、エピタキシャル成長のための基板として直接使用された。
Claims (12)
- 裏面にピットを有する{100}リン化インジウム(InP)ウエハであって、前記裏面の前記ピットは、長軸の最大寸法が65μmである細長い形状を有し、前記ピットは6.0μmの最大深度を有し、前記ウエハの表面のうち、ピットが分布する側は、0.2~1.5μmの範囲の表面粗度Raを有する、{100}リン化インジウム(InP)ウエハ。
- 前記裏面の前記ピットは、長軸の最大寸法が45μmである細長い形状を有し、前記ピットは4.5μmの最大深度を有する、請求項1に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハ。
- 前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハは、片側の面にピットを有する、または、両側の面にピットを有する、請求項1または2に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハ。
- 前記ウエハの表面のうち、ピットが分布する側は、0.4~1.5μmの範囲の表面粗度Raを有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハ。
- 前記ウエハの表面のうち、ピットが分布する側は、0.4~1.0μmの範囲の表面粗度Raを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハ。
- 前記ウエハの直径は、2~15cmであり、厚さは、250~850μmである、請求項1から5のいずれか一項に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハ。
- 前記ウエハの直径は、5~12cmであり、厚さは、280~750μmである、請求項1から6のいずれか一項に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハ。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハを製造するための方法であって、以下の方式、すなわち、
前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハの両側に表面ラッピングを行う段階と、
エッチング液に浸漬することによって前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハをエッチングしてエッチングピットを作る段階と、
エッチングされた前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハを取り出し、脱イオン水で洗浄する段階と、
エッチングされた前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハの前記裏面を保護する段階と、
前記裏面が保護されてエッチングされた前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハに対して機械研摩および化学研磨を行い、次に、脱イオン水で洗浄する段階と、
前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハの前記裏面を脱保護する段階と
を備え、
前記エッチング液は、酸性物質、脱イオン水、および酸化剤を含み、前記エッチング液に存在する前記酸性物質、前記脱イオン水、および前記酸化剤は、モル比に基づいて、1:(5~15):(0.5~3)の比であり、前記エッチング液の温度の範囲は、15~80℃であり、前記エッチング時間は5~40分である、方法。 - 前記エッチング液の温度の範囲は、18~50℃であり、前記エッチング時間は10~30分である、請求項8に記載の方法。
- 表面ラッピング処理を受ける前記{100}リン化インジウム(InP)ウエハは、直径2~15cmのリン化インジウムインゴットから切断され、垂直温度勾配凝固(VGF)によって取得される、請求項8または9に記載の方法。
- 前記保護は、保護層を使用して実行され、前記保護層は、プラスチックシート、金属シート、ガラスシート、またはセラミックシートであり、前記保護層は、蜜蝋またはアラビアゴムで前記ウエハに固定される、請求項8から10のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の{100}リン化インジウム(InP)ウエハを製造するためのエッチング液であって、
酸性物質、脱イオン水、および酸化剤を含み、前記エッチング液に存在する前記酸性物質、前記脱イオン水、前記酸化剤は、モル比に基づいて、1:(5~15):(0.5~3)の比であり、前記酸化剤は、0.5~3のモル比で存在すべきであり、
前記酸性物質は、硫酸、リン酸、臭化水素酸、塩酸、硝酸から選択される無機酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸から選択される有機酸、または、硫酸および塩酸の混合物、または、酢酸および塩酸の混合物であり、前記酸化剤は、H2O2 、KMnO4またはK2Cr2O7である、エッチング液。
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