JP7092850B2 - アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法に関するものである。

有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の蒸発源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。

成膜装置においては、成膜精度を高めるために、成膜工程の前に、基板とマスクの相対的位置を測定し、相対的位置がずれている場合には、基板および／またはマスクを相対的に移動させて位置を調整（アライメント）する。

基板とマスクの相対的位置の測定は、真空容器の外側（大気側）の上面に設置されたアライメントカメラで、基板とマスクに形成されているアライメントマークを撮像することにより行われるが、真空容器内部は暗いので、アライメント用の光源で基板とマスクのアライメントマークを照らしながら、撮像が行われる。

特許文献１には、露光装置において、基板であるウェハに起因した理由でコントラスト値が低くなった場合に、アライメント用光源の光量を制御する技術が提案されている。

特開２００５－１７５１９０号公報

しかし、アライメントマークのコントラスト値は、基板に起因した理由（例えば、平坦化工程などによって、アライメントマークの段差が低くなった場合など）にのみ変化するわけではなく、例えば、アライメント用光源の経時劣化等によりアライメント用光源の光量が落ちる場合にも、変化することがある。

このようなアライメント用光源の光量の変化は、アライメントマークの認識率を低下させ、アライメントの精度を低下させる。

本発明は、アライメント用の光源の光量の変化にも関わらず、アライメントマークの認識率の低下を抑制できるアライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１態様によるアライメント装置は、基板に形成された基板のアライメントマークとマスクに形成されたマスクのアライメントマークを含む画像を取得するカメラと、前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークに光を照射する光源と、前記基板の基板面または前記マスクのマスク面に垂直である方向に前記カメラの位置を移動させるカメラ移動手段と、前記カメラ移動手段で前記カメラを前記方向に移動させて取得した複数の画像の前記基板のコントラスト値及び前記マスクのコントラスト値の少なくとも一方に基づいて、前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークの少なくとも一方に対する前記カメラの基準位置を決定する基準位置決定手段と、基準光量情報を格納するメモリと、前記基準位置決定手段によって決定された前記基準位置において前記カメラで取得した画像の前記基板のコントラスト値及び前記マスクのコントラスト値の少なくとも一方に基づいて、前記光源からの光量に関する光量情報を取得する光量情報取得手段と、前記光量情報取得手段により取得された前記光量情報が前記基準光量情報よりも小さい場合であって前記光源の出力が所定値よりも小さい場合に、前記光源の出力を調整する光源出力調整手段と、前記光源出力調整手段により出力が調整された前記光源によって光が照射された前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークを前記カメラで撮影した画像に基づいて、前記基板と前記マスクとの相対位置を調整するアライメントステージ機構と、前記光量情報取得手段により取得された前記光量情報が前記基準光量情報よりも小さい場合であって前記光源の出力が前記所定値以上の場合に、前記光源が交換時期であることを知らせる通知手段と、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、アライメント用の光源の光量の変化があっても、基板とマスクの相対位置の調整の際に、アライメントマークの認識率の低下を抑制でき、アライメント精度の低下を抑制することができる。

図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。 図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。 図３は、本発明の一実施形態によるアライメント装置の模式図である。 図４は、基板及びマスクのアライメントマークとカメラの距離によるコントラスト値（Ｃｗ（Ｚ）、Ｃｍ（Ｚ））の変化を示すグラフである。 図５は、本発明の一実施形態によるアライメント方法を示すフローチャートである。 図６は、電子デバイスを示す模式図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属、シリコンなどの任意の材料を選択することができ、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板またはシリコンウエハであってもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択してもいい。なお、以下の説明において説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を含む成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機ＥＬ素子、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。

＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。

図１の製造装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。ＶＲ ＨＭＤ用の表示パネルの場合、所定のサイズのシリコンウエハに有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、素子形成領域の間の領域（スクライブ領域）に沿って該シリコンウエハを切り出して、複数の小さなサイズのパネルを製作する。スマートフォン用の表示パネルの場合は、４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。

電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。

クラスタ装置１は、基板Ｗに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を具備する。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１およびマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。

搬送室１３内には、基板またはマスクを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｗを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｗ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。

成膜装置１１（蒸着装置とも呼ぶ）では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクを介して基板上に蒸着される。搬送ロボット１４との基板Ｗ／マスクＭの受け渡し、基板ＷとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｗの固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。

マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜装置１１に搬送する。

クラスタ装置１には、基板Ｗの流れ方向において上流側からの基板Ｗを当該クラスタ装置１に伝達するパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｗを下流側の他のクラスタ装置に伝えるためのバッファー室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｗを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｗを複数の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファー室１６に搬送する。

バッファー室１６とパス室１５との間には、基板の向きを変える旋回室１７が設置されてもいい。旋回室１７には、バッファー室１６から基板Ｗを受け取って基板Ｗを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Ｗの向きが同じくなり、基板処理が容易になる。

パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７は、クラスタ装置間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び／又は下流側に設置される中継装置は、パス室、バッファー室、旋回室のうち少なくとも１つを含む。

成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファー室１６、旋回室１７などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもいい。

本実施例では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバーを有してもよく、これらの装置やチャンバー間の配置が変わってもいい。例えば、本発明は、基板ＷとマスクＭを、成膜装置１１ではなく、別の装置またはチャンバーで合着させた後、これをキャリアに乗せて、一列に並んだ複数の成膜装置を通して搬送させながら成膜工程を行うインラインタイプの製造装置にも適用することができる。

以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。

＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、基板Ｗの成膜面に平行な面（ＸＹ平面）において交差する２つの方向をＸ方向（第１方向）とＹ方向（第２方向）とし、基板Ｗの成膜面に垂直な鉛直方向をＺ方向（第３方向）とするＸＹＺ直交座標系を用いる。また、Ｚ軸まわりの回転角（回転方向）をθで表す。

成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、蒸発源２５とを含む。

基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４によって搬送された基板Ｗを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。

マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４によって搬送されたマスクＭを受け取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。

マスクＭは、基板Ｗ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３によって支持される。マスクＭの素材は、シリコンやガラスなど透光性を有するものが好ましい。

基板支持ユニット２２の上方には、基板Ｗを吸着し固定するための基板吸着手段としての静電チャック２４が設けられる。

静電チャック２４は、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が高い誘電体が介在して、電極と被吸着体との間のクーロン力によって吸着が行われるクーロン力タイプの静電チャックであってもよく、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が低い誘電体が介在して、誘電体の吸着面と被吸着体との間に発生するジョンソン・ラーベック力によって吸着が行われるジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよく、不均一電界によって被吸着体を吸着するグラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。

被吸着体が導体または半導体（シリコンウエハ）である場合には、クーロン力タイプの静電チャックまたはジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックを用いることが好ましく、被吸着体がガラスのような絶縁体である場合には、グラジエント力タイプの静電チャックを用いることが好ましい。

静電チャック２４は、一つのプレートで形成されてもよく、吸着力を独立的に制御できる複数のサブプレートを有するように形成されてもいい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電極部を有し、一つのプレート内で電極部毎に吸着力を独立的に制御することができるようにしてもいい。

基板吸着手段として、静電引力による静電チャックの他に、粘着力による粘着式のチャックを使ってもいい。

成膜装置１１の一実施形態においては、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｗの温度上昇を抑える冷却板３０を設けることで、基板Ｗ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。

蒸発源２５は、基板に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、蒸発源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ（不図示）などを含む。蒸発源２５は、点（ｐｏｉｎｔ）蒸発源や線状（ｌｉｎｅａｒ）蒸発源、面状蒸発源など、用途に従って多様な構成を有することができる。

図２に図示しなかったが、成膜装置１１は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を含む。

真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板支持ユニットアクチュエータ２６、マスク支持ユニットアクチュエータ２７、静電チャックアクチュエータ２８、位置調整機構２９などが設けられる。これらのアクチュエータと位置調整機構は、例えば、モータとボールねじ、或いはモータとリニアガイドなどで構成される。基板支持ユニットアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスク支持ユニットアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。

位置調整機構２９は、基板ＷとマスクＭとの相対位置を調整するための手段としてのアライメントステージ機構である。例えば、図２に示した実施形態においては、位置調整機構２９は、静電チャック２４又は静電チャックアクチュエータ２８全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、ＸＹθ方向（Ｘ方向、Ｙ方向、回転方向の少なくとも一つの方向）に移動及び／又は回転させる。なお、本実施形態では、基板Ｗを吸着した状態で、静電チャック２４をＸＹθ方向に位置調整することで、基板ＷとマスクＭの相対位置を調整するアライメントを行う。ただし、本発明は、このような構成に限定されず、例えば、位置調整機構２９は、静電チャック２４又は静電チャックアクチュエータ２８ではなく、基板支持ユニット２２又は基板支持ユニットアクチュエータ２６及びマスク支持ユニット２３又はマスク支持ユニットアクチュエータ２７を静電チャック２４に対してＸＹθ方向に相対的に移動させることができる構成を有しても良い。

真空容器２１の外側上面には、上述した駆動機構及び位置調整機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓２１ａ（図３参照）を介して、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ３１が設置される。アライメント用カメラ３１は、基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークに対応する位置に設けられる。例えば、円形の基板Ｗにおいて矩形をなす４つのコーナーのうち、少なくとも対角上の二つのコーナーまたは４つのコーナーすべてにアライメント用カメラ３１を設置してもよい。

本実施の形態によれば、アライメント用カメラ３１は、基板Ｗ及びマスクＭに対して移動可能に設けられる。一例として、アライメント用カメラ３１は、少なくともＺ軸方向に昇降可能に設置される。これによれば、アライメント用カメラ３１で基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークを撮像する際、アライメント用カメラ３１のＺ軸方向の位置を調整して焦点を基板Ｗ／マスクＭに合わせることができ（オートフォーカス動作）、基板ＷとマスクＭのアライメントマークのより鮮明な画像を取得することができる。

このオートフォーカス動作は、アライメント動作時ごとに行われることが好ましい。これは、基板ＷとマスクＭの厚さが基板とマスクによって異なる場合があるだけでなく、後述するように、アライメント用光源の光量の経時変化などにより、アライメントマークの撮像画像のコントラスト値が変化し、アライメントマークの認識率が変化することがあり得るためである。

本発明の実施形態による成膜装置１１は、基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークに対するアライメント用カメラ３１の基準位置を決定することができるように、基準位置決定手段をさらに含む。基準位置決定手段は、例えば、アライメント用カメラ３１をＺ軸方向に所定の間隔で移動させながら撮影した複数の画像を用いて、該基板ＷまたはマスクＭに対する基準位置を決定することができ、これについては後述する。

成膜装置１１の一実施形態によれば、成膜装置１１に設置されるアライメント用カメラ３１は、基板ＷとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つ（レンズ倍率の高い光学系を有する）カメラである。成膜装置１１は、ファインアライメント用カメラ３１の他に相対的に視野角が広くて低解像度である（レンズ倍率の低い光学系を有する）ラフアライメント用カメラを有してもよい。アライメント用カメラ３１がファインアライメント用カメラとラフアライメント用カメラの両方を含む構成において、ラフアライメント用カメラは、２つのカメラが、矩形の対角上の２つのコーナー部に設置され、ファインアライメント用カメラは残りの２つのコーナー部に設置される。

本発明の実施形態によれば、図２には図示していないが、成膜装置１１は、アライメント用カメラ３１によってアライメントマークを撮影するために、アライメントマークに光（可視光または近赤外線）を照らす光源をさらに含む。成膜工程において密閉される真空容器２１の内部は暗いので、光源でアライメントマークに照らすことにより、鮮明な画像を取得することができる。このため、光源は、同軸照明であることが好ましいが、これに限定されない。光源は、真空容器２１の外部上側に設置されて、上方からアライメントマークを照らしてもよく、または下方からアライメントマークを照らすよう真空容器２１の内部に設置されてもよい。

本実施形態によれば、光源は、光源出力制御手段によって出力が調整される。例えば、光源は、時間の経過に応じてその性能が低下するので、光源出力制御手段は、時間の経過にかかわらず一定の明るさ（光量）またはそれ以上の明るさ（光量）でアライメントマークに光を照射することができるように、光源の出力を調整することができる。光源出力制御手段で光源の出力を制御する具体的な方法については、後述する。光源出力制御手段は、後述する成膜装置１１の制御部３３の一機能として具現されるか、または制御部３３とは別の独立的な機能ユニットとして具現されてもよい。

成膜装置１１は、制御部３３を具備する。制御部は、基板Ｗ／マスクＭの搬送及びアライメント、蒸発源２５の制御、成膜の制御などの機能を有する。特に、本実施形態による制御部３３は、アライメントの際に、光源の光量情報取得、光源の出力制御、アライメント用カメラ３１の移動制御、基準位置の決定などの機能を実施しても良いが、これについては後述する。

制御部３３は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを持つコンピュータによって構成可能である。この場合、制御部３３の機能はメモリまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを使用してもよく、組込み型のコンピュータまたはＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を使用してもよい。または、制御部３３の機能の一部または全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部３３が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。

＜アライメント装置＞
図３は、本発明の一実施形態によるアライメント装置の構成を示す模式図である。

図３を参照すると、本実施形態のアライメント装置１００は、カメラ１０１と、光源１０２と、光源出力制御手段１０３と、光量情報取得手段１０４と、アライメントステージ機構１０５とを含む。

アライメント装置１００は、成膜装置１１に搬入される基板Ｗに成膜材料を蒸着する成膜工程を実施する前に、基板ＷとマスクＭの相対的な位置調整を行う。特に、本実施形態のアライメント装置１００は、光源１０２の光量情報を取得して、光源１０２の出力調整の要否を判断し、必要な場合には、光源１０２の出力を調整した後、カメラ１０１で画像を取得して、基板ＷとマスクＭの相対位置を調整する。この構成によれば、経時劣化などによって、光源１０２の性能が変化（低下）したとしても、一定水準以上の鮮明度でアライメントマークを撮像することができ、アライメント精度が低下することを抑制することができる。

この際、光源１０２の出力調整の要否に関する判断は、基板ごとに実施してもよく、または、Ｎ枚（Ｎは２以上の自然数）の基板ごとに実施してもよい。基板ごとに光源１０２の出力調整の要否を判断する場合、アライメント精度が低下することを抑制することができる。一方、複数枚の基板ごとに光源１０２の出力調整の要否を判断する場合には、アライメント工程の所要時間の増加を抑制することができる。したがって、後者の実施形態は、光源１０２の性能が実質的に低下しないうちに、例えば、光源１０２の使用開始の初期に、適用することが好ましい。

また、光源１０２の出力調整の要否に関する判断は、該光源が設置または交換された後、最初に処理される基板Ｗから実施してもよく、或いは、所定枚数の基板に対する処理を行った後（つまり、光源１０２を所定の期間使用した後）、行ってもよい。これは、通常、光源１０２の使用開始初期には性能劣化が生じないからである。

カメラ１０１は、基板Ｗおよび／またはマスクＭのアライメントマークを撮影して、アライメントマークの画像を取得するためのものであり、図２の成膜装置１１でのアライメント用カメラ３１に対応する。カメラ１０１は、真空容器２１の壁に設けられている透明窓２１ａを介してアライメントマークを含む画像を撮影する。例えば、カメラ１０１は、真空容器２１の外壁に設けられた所定のマウント部材により、透明窓２１ａに向かうように設けられる。

本実施形態によれば、カメラ１０１は、基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークに対し、移動可能に取り付けられてもよい。カメラ１０１が移動可能に設置されると、アライメントのために、互いに近接したマスクＭおよび／または基板Ｗの位置が、基板ごとに差がある場合でも、基板ごとにカメラ１０１の位置を調整することで、アライメントマークをより鮮明に撮影することができる。したがって、アライメント精度を高めることができる。

例えば、カメラ１０１は、図３に示すように、真空容器２１の上側外壁に設置された、カメラ位置移動手段１０７を有するマウント部材によって、垂直（Ｚ）方向に移動可能に取り付けられてもよい。カメラ位置移動手段１０７は、サーボモータなどで構成され、カメラ１０１を垂直（Ｚ）方向に移動させるための手段である。カメラ１０１は、垂直（Ｚ）方向だけでなく、水平（ＸＹθ）方向にも移動可能に設置されてもよい。

光源１０２は、カメラ１０１でアライメントマークを撮影して画像を取得するとき、アライメントマークを照らす機能を有する。このとき、光源１０２は、光源出力制御手段１０３の制御に応じて設定された所定の出力で、アライメントマークに光を照射する。このために、光源１０２は、出力調整が可能な手段であることが好ましい。例えば、光源１０２は、電流量を調節して、明るさや光量を調整することができる、ハロゲンランプ、またはＬＥＤランプであってもいいが、これに限定されない。

前述したように、光源１０２は、カメラ１０１と、光軸が同じ同軸照明になるように設置されることが良いが、これに限定されない。光源１０２は、真空容器２１の外部または内部に設置されてもよい。

本実施形態によれば、光源１０２は、アライメントステージ機構１０５による基板ＷとマスクＭの相対位置の調整のために、カメラ１０１で画像を取得するときに、設定された所定の出力でアライメントマークに光を照射する。そして、光源１０２は、後述する基準位置決定手段１０８による基準位置の決定のために、カメラ１０１を移動させながら複数の画像を取得するときにも、設定された所定の出力でアライメントマークに光を照射してもよい。

光源出力制御手段１０３は、光源１０２の出力を設定する出力調整手段である。光源１０２の出力が高くて、明るすぎる場合、基板Ｗ等により反射される光量が多すぎて、アライメントマークに焦点を合わせるのが難しくなり、その結果、アライメントマークを正確に認識することが難しくなる。一方、光源１０２の出力が低くて、暗すぎる場合、画像のコントラスト値が低くなるので、アライメントマークを正確に認識することが難しくなる。従って、本実施形態では、光源１０２の性能に差があるか、光源１０２の経時劣化がある場合にも、光源１０２の明るさ（光量）が一定の水準以上になるか、または一定の範囲内に維持されるように、光源出力制御手段１０３で光源１０２の出力を制御する。このような光源出力制御手段１０３は、成膜装置１１の制御部３３の一機能ユニットとしてもよく、または制御部３３とは別の独立した機能ユニットとしてもよい。

例えば、光源出力制御手段１０３は、光源１０２の経時劣化を考慮して、光源１０２の出力を調整して設定することができる。例えば、光源出力制御手段１０３は、使用初期には光源１０２の出力を、最大値ではなく、一定の水準（例えば、最大値の約４０～８０％程度）に設定する。また、光源出力制御手段１０３は、その後の時間経過（または、使用回数の増加）に応じて、光源１０２の性能が低下するかどうかを判断し、もし光源１０２の性能が低下したと判断される場合には、光源１０２の出力をより高く設定する。

本実施形態によれば、光源出力制御手段１０３は、光量情報取得手段１０４が取得した光量情報に基づいて、光源１０２の性能に変化があるかどうか、すなわち、光源１０２の出力調整の要否を判断する。例えば、光源出力制御手段１０３は、光量情報取得手段１０４によって取得した光量情報を基準光量情報と比較して、光源１０２の出力を調整するかどうかを判断してもよい。基準光量情報は、光源出力制御手段１０３のメモリ（図示せず）に格納されているか、または成膜装置１１の制御部３３のメモリに格納されていてもよい。

一例として、光量情報取得手段１０４によって取得した光量情報による光量が基準光量情報による基準光量（例えば所定の許容光量範囲の下限値）より小さい場合、光源出力制御手段１０３は、光源１０２の出力を調整すると判断し、光源１０２の出力を既存の出力より高く設定することができる。このとき、光源出力制御手段１０３は、光源１０２からの出力が基準光量またはそれ以上になるように、光源１０２の出力を高く設定する。これによれば、出力の調整された光源１０２でアライメントマークに光を照射した状態で、カメラ１０１で撮影すると、一定の水準以上の画質を有する画像（例えば、アライメントマークのコントラスト値が一定の水準以上の画像）を取得することができる。この結果、光源１０２の性能が劣化しても、アライメント精度が低下することを抑制することができる。

光量情報取得手段１０４は、光源１０２からの光量情報を取得するための手段である。光量情報は、光源１０２の明るさと関連付けられている情報であり、光源からの光量が多ければ多いほど、光源１０２は、それに比例して明るくなる。

本実施形態によれば、光量情報取得手段１０４は、光源１０２から出力される光の物理的特性、例えば明るさを測定し、光量情報を取得してもよい。または、光量情報取得手段１０４は、光源１０２で基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークに光を照射した状態で、カメラ１０１でアライメントマークを撮像して画像を取得した後、取得した画像の情報に基づいて、光量情報を取得してもよい。

後者の一例として、光量情報取得手段１０４は、カメラ１０１でアライメントマークを撮像して取得した画像のコントラスト値に基づいて、光量情報を取得することができる。アライメントマークの画像のコントラスト値は、光源１０２の明るさ、すなわち、光源１０２からの光量に応じて変わるので、画像のコントラスト値と対応する光量を関連づけることができる。ただし、本発明はこれに限定されず、光量情報取得手段１０４は、コントラスト値の他に、光源１０２からの光量と関連性のある他の情報を用いて、光量情報を取得してもよい。

このように、光量情報取得手段１０４が、カメラ１０１で撮像した画像の情報に基づいて光量情報を取得するために、所定の出力に設定された光源１０２でアライメントマークに光を照射した状態で、カメラ１０１でアライメントマークを撮影して画像を取得する。

光量情報取得のための画像取得工程は、基準位置決定手段１０８でアライメントマークに対するカメラ１０１の基準位置を決定するために取得した画像を用いて、行われてもよい。これによれば、別途の工程を通じて画像を取得するよりも、アライメント工程の所要時間を短縮させることができるだけでなく、カメラ１０１及び光源１０２などの使用頻度を減らし、寿命を延ばすこともできる。

一実施形態によれば、光量情報取得手段１０４は、後述するように、基準位置の決定のために取得した複数の画像の中で、基準位置決定手段１０８によって決定された基準位置で取得した画像の情報、例えばコントラスト値に基づいて、光量情報を取得してもよい。

本発明の一実施形態によれば、アライメント装置１００は、基準位置決定手段１０８をさらに含む。基準位置決定手段１０８は、基板ＷとマスクＭの相対位置を調整するための画像を取得する前に、カメラ１０１の位置（基準位置）を決定するための手段である。

基準位置の決定のために、まず、カメラ位置移動手段１０７で、基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークに対する、カメラ１０１の距離を変化させながら、複数の画像を取得する。一例として、カメラ位置移動手段１０７でカメラ１０１を所定の間隔（ピッチ）で一方向（例えば、Ｚ軸方向に上昇または下降する方向）に移動させながらアライメントマークを撮像して、複数の画像を取得してもよい。

この際、光源１０２は、前述した光源出力制御手段１０３の制御に応じて設定された出力（第１の出力）でアライメントマークを照らす。ここで、第１の出力は、新たに設置された光源１０２に対して初期に設定された値であるか、または直前に成膜された基板Ｗのアライメント時に光源出力制御手段１０３によって調整されて設定された値であり得る。

そして、基準位置決定手段１０８は、取得した複数の画像の情報を比較して、カメラ１０１の基準位置を決定する。基準位置を決定するために用いる画像の情報は、基板ＷとマスクＭの相対位置の調整のために、基板ＷとマスクＭのアライメントマークを鮮明に識別することと関連付けられている情報であれば、その種類に特に制限はない。例えば、基準位置決定手段１０８は、カメラ１０１で取得した複数の画像の中で、コントラスト値が最大となる画像を取得する際のカメラ１０１の位置を、基準位置に決定してもよい。

図４は、基板ＷとマスクＭのアライメントマークそれぞれに対するカメラ１０１の距離に応じたコントラスト値（ＣｗＺ、ＣｍＺ）の変化を例示したグラフである。図４で、基板Ｗのアライメントマークは、基板Ｗの下面、つまり、マスクＭに対向する面に設置されている。基板Ｗは、カメラ１０１との距離がＺ１である場合（第１の位置）に、コントラスト値（ＣｗＺ）が最大値（Ｃｗ＿ｍａｘ）となり、マスクＭは、カメラ１０１との距離がＺ２である場合（第２の位置）に、コントラスト値（ＣｍＺ）が最大値（Ｃｍ＿ｍａｘ）となる。

本実施形態によれば、基準位置決定手段１０８は、基板Ｗのコントラスト値が最大となるカメラ１０１の位置（第１の位置）を基準位置（合焦位置）と決定してもよく、またはマスクＭのコントラスト値が最大となるカメラ１０１の位置（第２の位置）を基準位置（合焦位置）と決定してもよい。より好ましくは、基準位置決定手段１０８は、基板Ｗのコントラスト値の最大値（Ｃｗ＿ｍａｘ）と、マスクＭのコントラスト値の最大値（Ｃｍ＿ｍａｘ）とを比較して、より値が大きい場合のカメラ１０１の位置を、基準位置（合焦位置）として決定してもよい。

なお、本実施形態では、基板ＷおよびマスクＭの双方が存在した状態でカメラ１０１をＺ方向に走査して取得した画像のコントラスト値から光源１０２の出力調整を行っているが、基板Ｗが搬出されマスクＭのみが存在するタイミングでカメラ１０１をＺ方向に走査して取得した画像のコントラスト値から光源１０２の出力調整を行ってもよい。

続いて、図３を参照すると、アライメントステージ機構１０５は、基板ＷとマスクＭの相対位置を調整するための手段である。アライメントステージ機構１０５は、図２の成膜装置１１の位置調整機構２９に対応する。より具体的には、アライメントステージ機構１０５は、基板ＷとマスクＭのＸ方向、Ｙ方向及びＺ軸を中心とした回転方向（θ方向）における相対位置ずれ量に基づいて、基板ＷとマスクＭを相対的に移動させて、基板ＷとマスクＭの相対位置を調整する。

本実施形態のアライメント装置１００は、光源１０２の交換時期を外部に知らせる通知手段１０６をさらに含んでもよい。一例として、光源出力制御手段１０３によって、光源１０２の出力が最大値、すなわち、１００％に設定される場合に、通知手段１０６は、光源１０２の切り替えが必要であることを外部に知らせることができる。光源１０２の出力が最大値に設定された後は、使用時間または使用回数が増加するにつれて、光源１０２の性能がさらに劣化しても、出力をこれ以上上げることができないので、光源１０２が寿命を尽くした、つまり、交換時期であると判断する。光源１０２の出力が最大値に達した後、所定の枚数の基板Ｗが処理された時点で、寿命を尽くしたと判断し、通知を行ってもいい。

この通知手段１０６は、ブザーやアラーム音などの聴覚的な通知部を含むように構成されてもよく、または作業者用ディスプレイ上に視覚的な通知部を含むように構成されてもよく、または聴覚的な通知部と視覚的な通知部の両方を含むように構成されてもよい。作業者用ディスプレイは、アライメント装置１００や成膜装置１１に設置されたものであってもよく、作業者の携帯端末に設けられたものであってもよい。

＜アライメント方法＞
図５は、本発明の一実施形態によるアライメント方法を示すフローチャートである。以下、図５を参照して、基板ＷとマスクＭの相対位置を調整（アライメント）する方法について説明する。

まず、基板Ｗがアライメント装置内に搬入され、基板支持ユニット２２によって支持される。この際、マスクＭは、直前の基板Ｗに対する成膜工程に使用されたものがマスク支持ユニット２３によって支持されているか、または基板Ｗの搬入に先立ち、成膜装置１１内に搬入されて、マスク支持ユニット２３によって支持されている。

次いで、静電チャック２４を基板支持ユニット２２に支持されている基板Ｗに向かって接近させた後（例えば、静電チャック２４を基板Ｗに向かって下降させた後）、静電チャック２４に所定の電圧を印加して、静電引力により基板Ｗを静電チャック２４に吸着させる。そして、静電チャックアクチュエータ２８及び／又はマスク支持ユニットアクチュエータ２７を駆動し、静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に接近させ、基板ＷとマスクＭの相対位置が所定の計測位置になるようにする（Ｓ１）。

そして、光源１０２で基板ＷとマスクＭのアライメントマークを照らしながら、光量情報取得手段１０４で光源１０２の光量に関する光量情報を取得する（Ｓ３）。実施形態に応じて、光量情報を取得するステップ（Ｓ３）は、基板ＷとマスクＭを近接させるステップ（Ｓ１）の前に実施してもよいし、または基板ＷとマスクＭを近接させるステップ（Ｓ１）と同時に実施してもよい。

一実施形態によれば、光量情報取得のステップ（Ｓ３）は、成膜装置１１に搬入されるＮ（Ｎは、自然数）枚の基板ごとに行われてもよい。そして、光量情報取得のステップ（Ｓ３）は、光源１０２が設置された後、最初から実施してもよく、または、所定枚数の基板Ｗに対する処理が完了した後から、実施してもよい。

光量情報は、光源１０２から照射される光を受け取って取得したり、または光源１０２からの光が照らされる所定の媒体を撮像して取得した画像を用いて取得してもよい。

後者の一例として、光量情報取得のステップ（Ｓ３）では、光源１０２によって光が照射される、基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークを撮像して取得した画像に基づいて、光量情報を取得してもよい。取得した画像の情報、例えば、コントラスト値に基づいて、光量情報を取得してもよい。このために、光量情報取得のステップＳ３の前に、基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークを撮像して画像を取得するためのステップが追加で行われてもよい。

実施形態によっては、光量情報取得のステップ（Ｓ３）の前に、基準位置決定手段１０８で、基板ＷまたはマスクＭのアライメントマークに対するカメラ１０１の基準位置または合焦位置を決定するステップ（Ｓ２）をさらに行ってもよい。このために、まず、アライメントマークに対するカメラ１０１の位置を変化させながら、アライメントマークが含まれた画像を複数取得する。一例として、カメラ１０１をＺ軸方向に一定の間隔で下降（または上昇）させながら、各位置で画像を取得してもよい。

そして、取得した複数の画像それぞれの情報を用いて、カメラ１０１の基準位置を決定する。一例として、取得した複数の画像それぞれのコントラスト値を比較して、コントラスト値が最大となる画像を決め、該画像を取得する際のカメラ１０１の位置を基準位置と決定してもよい。この際、基板Ｗのアライメントマークのコントラスト値が最大となるカメラ１０１の位置Ｚ１を基準位置に決定してもよく、または、マスクＭのアライメントマークのコントラスト値が最大となるカメラ１０１の位置Ｚ２を基準位置と決定してもよい。または、基板Ｗのアライメントマークのコントラスト値の最大値（Ｃｗ＿ｍａｘ）とマスクＭのアライメントマークのコントラスト値の最大値（Ｃｍ＿ｍａｘ）を比較して、より大きい方のカメラ１０１の位置を基準位置として決定してもよい。

この場合、光量情報取得のステップ（Ｓ３）では、基準位置決定のステップ（Ｓ２）で取得した画像に基づいて、光量情報を取得してもよい。例えば、基準位置決定のステップ（Ｓ２）で取得した複数の画像のうち、決定された基準位置で取得した画像のコントラスト値に基づいて、光量情報を取得してもよい。

光量情報取得のステップＳ３で光量情報を取得した後、光源出力制御手段１０３は、取得された光量情報と基準光量情報とを対比する（Ｓ４）。この際、基準光量情報は、光源出力制御手段１０３のメモリに予め格納されていてもよい。

ステップＳ４での対比の結果、取得されたコントラスト値が基準コントラスト値より小さい場合、ステップＳ５に進行して、光源１０２の出力が最大値、または、予め決められた所定の基準値以上であるかを判断する。

光源１０２の出力が最大値より小さい場合、光源出力制御手段１０３は、光源１０２の出力を上げる（Ｓ６）。この際、光源１０２の出力は、アライメントマークの画像のコントラスト値が基準コントラスト値またはそれ以上になるように、調整される。

一例として、光源出力制御手段１０３は、取得された光量情報と基準光量情報との差に比例して、光源１０２の出力を上げてもよい。光源１０２の光量を変更させながら、アライメントマークのコントラスト値を測定し、基準コントラスト値に近づけるように調整してもいい。即ち、ステップＳ６で光源１０２の出力を上げた後、ステップＳ２に進行し、取得した光量が基準光量以上になるまでこれらのステップを繰り返してもいい。

光源１０２の光量が基準光量以上である場合、アライメントステージ機構１０５によって基板ＷとマスクＭの相対位置を調整する（Ｓ７）。より具体的には、カメラ１０１で基板ＷとマスクＭのアライメントマークを撮影して画像を取得する。そして、取得した画像から基板ＷとマスクＭの相対位置のずれ量を算出し、算出された相対位置のずれ量に基づいて、アライメントステージ機構１０５を駆動し、基板ＷとマスクＭの位置を調整する。このステップＳ７は、基板ＷとマスクＭの相対位置のずれ量が所定の閾値内に収まるまで、繰り返される。

ステップＳ５で、光源１０２の出力が最大値１００％、または予め決められた所定の基準値以上になっていると判断されたら、該光源の交換が必要であることを通知する（Ｓ８）。この際、通知方法としては、ブザーやアラームなどの聴覚的な手段および／またはディスプレイの表示やランプの点灯などの視覚的な手段を用いることができる。

＜成膜プロセス＞
以下、本実施形態によるアライメント方法を採用した成膜方法について説明する。

真空容器２１内のマスク支持ユニット２３にマスクＭが支持された状態で、搬送室１３の搬送ロボット１４によって成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｗが搬入される。

真空容器２１内に進入した搬送ロボット１４のハンドが基板Ｗを基板支持ユニット２２の支持部上に載置する。

次いで、静電チャック２４が基板Ｗに向かって下降し、基板Ｗに十分に近接或いは接触した後に、静電チャック２４に所定の電圧を印加し、基板Ｗを吸着させる。そして、静電チャック２４に基板Ｗが吸着された状態で、基板ＷのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＷとマスクＭを接近させる。

基板ＷとマスクＭが相対位置計測位置まで接近すると、前述の本実施形態によるアライメント方法に従って、アライメント工程を実施する。つまり、基板ＷとマスクＭが相対位置計測位置まで接近した状態で、光源１０２からの光量情報を取得する。そして、取得された光量情報が基準光量情報より小さい場合、光源１０２の出力を上げた後、基板ＷとマスクＭの位置調整を行う。

本実施形態のアライメント方法によって、基板ＷとマスクＭとの間の相対位置のずれ量が所定のずれ量閾値より小さくなると、蒸発源２５のシャッタを開け、蒸着材料をマスクＭを介して基板Ｗに蒸着させる。

所望の厚さに蒸着した後、マスクＭを分離し、静電チャック２４に基板のみが吸着した状態で、静電チャックアクチュエータ２８により、基板を上昇させる。

次いで、搬送ロボット１４のハンドが成膜装置１１の真空容器２１内に進入し、静電チャック２４の電極部或いはサブ電極部にゼロ（０）または逆極性の電圧が印加され、基板Ｗを静電チャック２４から分離する。分離された基板を搬送ロボット１４によって真空容器２１から搬出する。

なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｗの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式（デポアップ）の構成としたが、これに限定はされず、基板Ｗが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｗの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図６（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図６（ｂ）は１画素の断面構造を表している。

図６（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。

図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。

図６（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成してもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層を形成してもよい。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および陽極６４が形成された基板６３を準備する。

陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。

次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、マスクを静電チャック２４に基板を介して吸着させた後、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。

発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層６７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。

本発明によると、アライメント工程を行う前に、光源の光量に関する情報を取得して、光源の光量がアライメントマークの画像のコントラスト値が最大となる水準に維持されるように調整することで、アライメント精度の低下を抑制し、光源の寿命を適切に管理することができる。

その後、プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を多く含む雰囲気にさらしてしまうと、電極が酸化したり有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。

前記実施例は本発明の一例を現わしたことで、本発明は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。

２２：基板支持ユニット、２３：マスク支持ユニット、２４：静電チャック、２９：位置調整機構、３１：アライメント用カメラ、３３：制御部、１００：アライメント装置、１０１：カメラ、１０２：光源、１０３：光源出力制御手段、１０４：光量情報取得手段、１０５：アライメントステージ機構、１０６：通知手段、１０７：カメラ位置移動手段、１０８：基準位置決定手段

Claims (13)

1. 基板に形成された基板のアライメントマークとマスクに形成されたマスクのアライメントマークを含む画像を取得するカメラと、
   前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークに光を照射する光源と、
   前記基板の基板面または前記マスクのマスク面に垂直である方向に前記カメラの位置を移動させるカメラ移動手段と、
   前記カメラ移動手段で前記カメラを前記方向に移動させて取得した複数の画像の前記基板のコントラスト値及び前記マスクのコントラスト値の少なくとも一方に基づいて、前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークの少なくとも一方に対する前記カメラの基準位置を決定する基準位置決定手段と、
   基準光量情報を格納するメモリと、
   前記基準位置決定手段によって決定された前記基準位置において前記カメラで取得した画像の前記基板のコントラスト値及び前記マスクのコントラスト値の少なくとも一方に基づいて、前記光源からの光量に関する光量情報を取得する光量情報取得手段と、
   前記光量情報取得手段により取得された前記光量情報が前記基準光量情報よりも小さい場合であって前記光源の出力が所定値よりも小さい場合に、前記光源の出力を調整する光源出力調整手段と、
   前記光源出力調整手段により出力が調整された前記光源によって光が照射された前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークを前記カメラで撮影した画像に基づいて、前記基板と前記マスクとの相対位置を調整するアライメントステージ機構と、
   前記光量情報取得手段により取得された前記光量情報が前記基準光量情報よりも小さい場合であって前記光源の出力が前記所定値以上の場合に、前記光源が交換時期であることを知らせる通知手段と、
   を含むことを特徴とするアライメント装置。
2. 前記光源出力調整手段は、前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する動作をＮ（Ｎは自然数）回行う度に、前記光源の出力を調整することを特徴とする請求項１に記載のアライメント装置。
3. 前記Ｎは１であることを特徴とする請求項２に記載のアライメント装置。
4. 前記光源出力調整手段は、前記光量情報取得手段によって取得した前記光量情報が前記基準光量情報よりも小さい場合であって前記光源の出力が所定の基準値よりも小さい場合、前記光源の出力を大きくすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のアライメント装置。
5. 前記基準位置決定手段は、前記基板のコントラスト値が最大となる第１の位置と、前記マスクのコントラスト値が最大となる第２の位置のいずれかを、前記基準位置として決定することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のアライメント装置。
6. マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜装置であって、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のアライメント装置を含むことを特徴とする成膜装置。
7. 基板とマスクの相対位置を調整するアライメント方法であって、
   基板に形成された基板のアライメントマークとマスクに形成されたマスクのアライメントマークを含む画像を取得するカメラと、前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークに光を照射する光源と、前記基板の基板面または前記マスクのマスク面に垂直である方向に前記カメラの位置を移動させるカメラ移動手段と、を用いて、前記カメラ移動手段で前記カメラを前記方向に移動させて取得した複数の画像の前記基板のコントラスト値及び前記マスクのコントラスト値の少なくとも一方に基づいて、前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークの少なくとも一方に対する前記カメラの基準位置を決定する基準位置決定ステップと、
   前記基準位置決定ステップによって決定された前記基準位置において前記カメラで取得した画像の前記基板のコントラスト値及び前記マスクのコントラスト値の少なくとも一方に基づいて、前記光源からの光量に関する光量情報を取得する光量情報取得ステップと、
   前記光量情報取得ステップで取得した前記光量情報がメモリに格納された基準光量情報よりも小さい場合であって前記光源の出力が所定値よりも小さい場合に、前記光源の出力を調整する光源出力調整ステップと、
   前記光源出力調整ステップにより出力が調整された前記光源によって光が照射された前記基板のアライメントマークと前記マスクのアライメントマークを前記カメラで撮影した画像に基づいて、前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する相対位置調整ステップと、
   前記光量情報取得ステップで取得した前記光量情報が前記基準光量情報よりも小さい場合であって前記光源の出力が前記所定値以上の場合に、前記光源が交換時期であることを知らせる通知ステップと、
   を有することを特徴とするアライメント方法。
8. 前記光源出力調整ステップは、前記相対位置調整ステップによって前記基板と前記マスクとの相対位置を調整する動作をＮ（Ｎは自然数）回行う度に、行われることを特徴とする請求項７に記載のアライメント方法。
9. 前記Ｎは１であることを特徴とする請求項８に記載のアライメント方法。
10. 前記光源出力調整ステップでは、前記光量情報取得ステップによって取得した前記光量情報による光量値が前記基準光量情報による基準光量値より小さい場合であって前記光源の出力が所定の基準値よりも小さい場合、前記光源の出力を大きくすることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載のアライメント方法。
11. 前記基準位置決定ステップは、前記基板のコントラスト値が最大となる第１の位置と、前記マスクのコントラスト値が最大となる第２の位置のいずれかを、前記基準位置として決定することを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか一項に記載のアライメント方法。
12. マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、
    請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載のアライメント方法を含むことを特徴とする成膜方法。
13. 請求項１２に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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