JPH11251230A - 位置検出装置、露光装置及び位置検出方法 - Google Patents
位置検出装置、露光装置及び位置検出方法Info
- Publication number
- JPH11251230A JPH11251230A JP10066057A JP6605798A JPH11251230A JP H11251230 A JPH11251230 A JP H11251230A JP 10066057 A JP10066057 A JP 10066057A JP 6605798 A JP6605798 A JP 6605798A JP H11251230 A JPH11251230 A JP H11251230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- intensity
- mark
- light source
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便な構成又は工程で、迅速にアライメント
用光源の出力強度、即ちアライメント用照明光の強度を
検出し、正確なアライメントを行なうことができる位置
検出装置等を提供すること。 【解決手段】 物体上のマークに照射される照明光を射
出する光源5、6と、前記マークから発生する光を受光
する受光部7、8とを有し、前記受光部から出力される
信号に基づいて前記マークの位置情報を検出する位置検
出装置において、前記受光部の出力信号に基づいて前記
照明光の強度を算出する光強度算出部CALと、前記算
出された光強度と所定値とを比較する比較演算部CMP
とを備えている。
用光源の出力強度、即ちアライメント用照明光の強度を
検出し、正確なアライメントを行なうことができる位置
検出装置等を提供すること。 【解決手段】 物体上のマークに照射される照明光を射
出する光源5、6と、前記マークから発生する光を受光
する受光部7、8とを有し、前記受光部から出力される
信号に基づいて前記マークの位置情報を検出する位置検
出装置において、前記受光部の出力信号に基づいて前記
照明光の強度を算出する光強度算出部CALと、前記算
出された光強度と所定値とを比較する比較演算部CMP
とを備えている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光基板等の位置
を検出する装置又は方法、特に半導体集積回路、液晶デ
ィスプレイ、薄膜磁気ヘッド、又は撮像素子(CCD)
等のマイクロデバイスを製造するフォトリソグラフィ工
程における感光基板の位置検出装置又は方法、又は該マ
イクロデバイスを製造するための露光装置に関する。
を検出する装置又は方法、特に半導体集積回路、液晶デ
ィスプレイ、薄膜磁気ヘッド、又は撮像素子(CCD)
等のマイクロデバイスを製造するフォトリソグラフィ工
程における感光基板の位置検出装置又は方法、又は該マ
イクロデバイスを製造するための露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィ技術を用いて
製造する際に、フォトマスク又はレチクルのパターンを
投影露光光学系を介して、フォトレジスト等が塗布され
たウエハ又はガラスプレート等の感光基板(以下、ウエ
ハと呼ぶ)に投影露光する投影露光装置が使用されてい
る。一般に、半導体素子等の製造では、数層〜十数層の
回路パターンを重ね合わせるため、ウエハ上に既に形成
された回路パターンと、これから露光すべき回路パター
ンの光像とを正確に重ね合わせる位置合わせ(以下、ア
ライメントと呼ぶ)の技術が必要となる。そして、正確
なアライメントを行なうためにはウエハの位置検出が必
須のものとなる。
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィ技術を用いて
製造する際に、フォトマスク又はレチクルのパターンを
投影露光光学系を介して、フォトレジスト等が塗布され
たウエハ又はガラスプレート等の感光基板(以下、ウエ
ハと呼ぶ)に投影露光する投影露光装置が使用されてい
る。一般に、半導体素子等の製造では、数層〜十数層の
回路パターンを重ね合わせるため、ウエハ上に既に形成
された回路パターンと、これから露光すべき回路パター
ンの光像とを正確に重ね合わせる位置合わせ(以下、ア
ライメントと呼ぶ)の技術が必要となる。そして、正確
なアライメントを行なうためにはウエハの位置検出が必
須のものとなる。
【0003】次に、ウエハの位置検出について説明す
る。近年、露光装置、特にレチクルのパターンをウエハ
上の複数のショット領域に順次転写するステップ・アン
ド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方式
の縮小投影型露光装置(ステッパー)が多用されるよう
になっている。この種の投影露光装置では、レチクルパ
ターンの投影像とウエハ上にマトリックス状に形成され
た回路パターン(チップ)とを正確に重ね合わせるため
のアライメント光学系(方式)の代表例として、以下の
(1)〜(3)に述べる3つの光学系が知られている。 (1)まず、LSA(Laser Step Alig
nment)系と呼ばれる光学系である。細長い帯状ス
ポット光を投影レンズを介してウエハマーク(回折格子
マーク)上に照射し、マークから発生する回折光又は散
乱光を利用してマークの位置を計測するものである。 (2)次は、FIA(Field Image Ali
gnment)系と呼ばれる光学系である。ハロゲンラ
ンプ等を光源とする波長帯域幅の広い光でウエハを照明
し、画像処理してマーク位置を計測するものである。 (3)そして、LIA(Laser Interfer
ometric Alignment)系と呼ばれる光
学系である。回折格子状のウエハマークに対して、周波
数を僅かに変えたレーザビームを2方向から同時に照射
して、発生した2つの回折光を干渉させ、その位相から
マーク位置を計測するものである。
る。近年、露光装置、特にレチクルのパターンをウエハ
上の複数のショット領域に順次転写するステップ・アン
ド・リピート方式又はステップ・アンド・スキャン方式
の縮小投影型露光装置(ステッパー)が多用されるよう
になっている。この種の投影露光装置では、レチクルパ
ターンの投影像とウエハ上にマトリックス状に形成され
た回路パターン(チップ)とを正確に重ね合わせるため
のアライメント光学系(方式)の代表例として、以下の
(1)〜(3)に述べる3つの光学系が知られている。 (1)まず、LSA(Laser Step Alig
nment)系と呼ばれる光学系である。細長い帯状ス
ポット光を投影レンズを介してウエハマーク(回折格子
マーク)上に照射し、マークから発生する回折光又は散
乱光を利用してマークの位置を計測するものである。 (2)次は、FIA(Field Image Ali
gnment)系と呼ばれる光学系である。ハロゲンラ
ンプ等を光源とする波長帯域幅の広い光でウエハを照明
し、画像処理してマーク位置を計測するものである。 (3)そして、LIA(Laser Interfer
ometric Alignment)系と呼ばれる光
学系である。回折格子状のウエハマークに対して、周波
数を僅かに変えたレーザビームを2方向から同時に照射
して、発生した2つの回折光を干渉させ、その位相から
マーク位置を計測するものである。
【0004】そして、上記3つの光学系を単独又は適宜
組み合わせて使用することで、正確なアライメントを行
なっている。
組み合わせて使用することで、正確なアライメントを行
なっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記アライメント光学
系では、いずれもHe−Neレーザ又はハロゲンランプ
等の光源を用いてウエハマーク等を照射し、その反射光
に基づいてアライメントを行なっている。該光源は累積
点灯時間が長くなるにしたがって、消耗のため経時的に
出力強度が低下してくる。このため、ウエハマークから
の反射光量が減衰するので、信号のS/N比が低下し良
好なアライメントを行なうことが困難となる。そこで、
アライメント光学系の光源が消耗によりその出力が低下
し、十分なアライメントを行なうために必要な出力強度
を下回った場合は、該光源を新しい光源と交換する必要
がある。
系では、いずれもHe−Neレーザ又はハロゲンランプ
等の光源を用いてウエハマーク等を照射し、その反射光
に基づいてアライメントを行なっている。該光源は累積
点灯時間が長くなるにしたがって、消耗のため経時的に
出力強度が低下してくる。このため、ウエハマークから
の反射光量が減衰するので、信号のS/N比が低下し良
好なアライメントを行なうことが困難となる。そこで、
アライメント光学系の光源が消耗によりその出力が低下
し、十分なアライメントを行なうために必要な出力強度
を下回った場合は、該光源を新しい光源と交換する必要
がある。
【0006】この交換時期を知るために上記従来技術の
投影露光装置では、アライメント系の光源からの光束の
光強度を検出するために、該光束をビームスプリッタに
て2光束に分割し、一方の光束をアライメント用に使用
し、他方の光束を光源出力検出用に使用している。そし
て、光源出力検出用の光束の強度をパワーモニタにより
測定する。この測定された信号強度はアライメント用光
源の出力強度に比例しているので、パワーモニタにより
アライメント用光束の光強度をモニタすることができ
る。
投影露光装置では、アライメント系の光源からの光束の
光強度を検出するために、該光束をビームスプリッタに
て2光束に分割し、一方の光束をアライメント用に使用
し、他方の光束を光源出力検出用に使用している。そし
て、光源出力検出用の光束の強度をパワーモニタにより
測定する。この測定された信号強度はアライメント用光
源の出力強度に比例しているので、パワーモニタにより
アライメント用光束の光強度をモニタすることができ
る。
【0007】次に、光源交換時期の従来の判断手順につ
いて説明する。まず、光源の消耗による出力低下によっ
てアライメント用の信号が十分に得られなくなり該光源
を新しい光源に交換した時、交換が必要となった古い光
源の光源出力検出用の光束をパワーモニタで計測し、そ
の結果を記憶しておく。即ち、光源が消耗し交換が必要
となった時の前記パワーモニタで検出される光源出力検
出用の光束の光強度を、交換時期の判断基準値として記
憶しておくことになる。そして、投影露光装置を一定期
間使用する毎に、パワーモニタで光源出力検出用の光束
の光強度を検出して、その検出された結果と前記記憶し
た値とを比較することにより、光源が消耗による交換時
期に至っている否かを判断している。
いて説明する。まず、光源の消耗による出力低下によっ
てアライメント用の信号が十分に得られなくなり該光源
を新しい光源に交換した時、交換が必要となった古い光
源の光源出力検出用の光束をパワーモニタで計測し、そ
の結果を記憶しておく。即ち、光源が消耗し交換が必要
となった時の前記パワーモニタで検出される光源出力検
出用の光束の光強度を、交換時期の判断基準値として記
憶しておくことになる。そして、投影露光装置を一定期
間使用する毎に、パワーモニタで光源出力検出用の光束
の光強度を検出して、その検出された結果と前記記憶し
た値とを比較することにより、光源が消耗による交換時
期に至っている否かを判断している。
【0008】しかし、上記従来技術においては、投影露
光装置がアライメント光学系を複数有する場合には、各
光学系の光源毎にビームスプリッタ及びパワーモニタを
設ける必要がある。このため、光学部品、電気回路等が
増加するので、その分配線数も多くなり、さらに製造コ
ストもかかるという問題がある。さらに、アライメント
用の光束の強度を検出するためのプロセスが必要とな
り、露光装置のスループットが低下するという問題もあ
る。
光装置がアライメント光学系を複数有する場合には、各
光学系の光源毎にビームスプリッタ及びパワーモニタを
設ける必要がある。このため、光学部品、電気回路等が
増加するので、その分配線数も多くなり、さらに製造コ
ストもかかるという問題がある。さらに、アライメント
用の光束の強度を検出するためのプロセスが必要とな
り、露光装置のスループットが低下するという問題もあ
る。
【0009】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、上述のようなアライメント用光源の光強度を検出
するためのビームスプリッタ及びパワーモニター等を使
用せずに、簡便な構成又は工程で、迅速にアライメント
用光源の出力強度、即ちアライメント用照明光の強度を
検出し、正確なアライメントを行なうことができる位置
検出装置、位置検出方法又は露光装置を提供することを
目的とする。
あり、上述のようなアライメント用光源の光強度を検出
するためのビームスプリッタ及びパワーモニター等を使
用せずに、簡便な構成又は工程で、迅速にアライメント
用光源の出力強度、即ちアライメント用照明光の強度を
検出し、正確なアライメントを行なうことができる位置
検出装置、位置検出方法又は露光装置を提供することを
目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明では、物体上のマーク(WM、
FM)に照射される照明光を射出する光源(5、6)
と、前記マークから発生する光を受光する受光部(7、
8)とを有し、前記受光部から出力される信号に基づい
て前記マークの位置情報を検出する位置検出装置におい
て、前記受光部の出力信号に基づいて前記照明光の強度
を算出する光強度算出部(CAL)と、前記算出された
光強度と所定値とを比較する比較演算部(CMP)とを
備えたことを特徴とする。
に、請求項1記載の発明では、物体上のマーク(WM、
FM)に照射される照明光を射出する光源(5、6)
と、前記マークから発生する光を受光する受光部(7、
8)とを有し、前記受光部から出力される信号に基づい
て前記マークの位置情報を検出する位置検出装置におい
て、前記受光部の出力信号に基づいて前記照明光の強度
を算出する光強度算出部(CAL)と、前記算出された
光強度と所定値とを比較する比較演算部(CMP)とを
備えたことを特徴とする。
【0011】また、請求項2記載の発明では、基板W上
のマーク(WM、FM)に照射される照明光を射出する
光源(5、6)と、前記マークから発生する光を受光す
る受光部(7、8)とを有し、前記受光部から出力され
る信号に基づいて前記マークの位置情報を検出するマー
ク検出系(9)を備え、前記マーク検出系の出力を利用
してマスクのパターン(3)を前記基板(W)上に転写
する露光装置において、前記受光部の出力信号に基づい
て前記照明光の強度を算出する光強度算出部(CAL)
と、前記算出された光強度と所定値とを比較する比較演
算部(CMP)とを備えたことを特徴とする。
のマーク(WM、FM)に照射される照明光を射出する
光源(5、6)と、前記マークから発生する光を受光す
る受光部(7、8)とを有し、前記受光部から出力され
る信号に基づいて前記マークの位置情報を検出するマー
ク検出系(9)を備え、前記マーク検出系の出力を利用
してマスクのパターン(3)を前記基板(W)上に転写
する露光装置において、前記受光部の出力信号に基づい
て前記照明光の強度を算出する光強度算出部(CAL)
と、前記算出された光強度と所定値とを比較する比較演
算部(CMP)とを備えたことを特徴とする。
【0012】また、請求項3記載の発明では、前記マー
ク検出系(9)は、前記受光部(7、8)の出力信号の
強度を変化させるように利得を調整する自動利得調整部
(AGC)を有し、前記光強度算出部(CAL)は前記
利得をさらに用いて前記照明光の強度を算出することを
特徴とする。
ク検出系(9)は、前記受光部(7、8)の出力信号の
強度を変化させるように利得を調整する自動利得調整部
(AGC)を有し、前記光強度算出部(CAL)は前記
利得をさらに用いて前記照明光の強度を算出することを
特徴とする。
【0013】また、請求項4記載の発明では、前記光源
の出力変化を検出するために、前記比較演算部(CM
P)での比較結果に基づいて前記照明光の強度に関する
情報を表示する表示部(12)をさらに備えたことを特
徴とする。
の出力変化を検出するために、前記比較演算部(CM
P)での比較結果に基づいて前記照明光の強度に関する
情報を表示する表示部(12)をさらに備えたことを特
徴とする。
【0014】また、請求項5記載の発明では、光源
(5、6)から射出される照明光を物体上のマーク(W
M、FM)に照射し、前記マークから発生する光を光電
検出して得られる信号に基づいて、前記マークの位置情
報を検出する位置検出方法において、前記得られた信号
に基づいて前記照明光の強度を算出し(CAL)、前記
光源の出力変化を検出するために、前記算出された強度
と所定値とを比較すること(CMP)を特徴とする。
(5、6)から射出される照明光を物体上のマーク(W
M、FM)に照射し、前記マークから発生する光を光電
検出して得られる信号に基づいて、前記マークの位置情
報を検出する位置検出方法において、前記得られた信号
に基づいて前記照明光の強度を算出し(CAL)、前記
光源の出力変化を検出するために、前記算出された強度
と所定値とを比較すること(CMP)を特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態に
かかる投影露光装置の概略構成を示す図である。照明系
1からの光束はレチクルステージRSTに載置されたレ
チクルRに形成されたパターン3を照明する。ここで、
照明系1は、不図示の光源、該光源からの光束の形状を
変換するビームエキスパンダ、均一照明を行なうための
インテグレータ光学系、光束径を制限する開口絞り、コ
ンデンサレンズ群などを含んでいる。そして、均一照明
された照明光に基づいて、パターン3は投影レンズPL
を介してX−YステージWST上に載置されたウエハW
上に投影露光される。ここで、X−YステージWSTに
は反射鏡RMが設けられ、X軸干渉計IFXは、反射鏡
RMからの反射光に基づいて、駆動装置MVにより移動
されるX−YステージWSTの位置を干渉測定する。な
お、Y方向については図示を省略しているが、X方向と
同様にステージ位置を干渉測定し、Z軸方向について
は、フォーカス機構4により焦点合わせがされる。
図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態に
かかる投影露光装置の概略構成を示す図である。照明系
1からの光束はレチクルステージRSTに載置されたレ
チクルRに形成されたパターン3を照明する。ここで、
照明系1は、不図示の光源、該光源からの光束の形状を
変換するビームエキスパンダ、均一照明を行なうための
インテグレータ光学系、光束径を制限する開口絞り、コ
ンデンサレンズ群などを含んでいる。そして、均一照明
された照明光に基づいて、パターン3は投影レンズPL
を介してX−YステージWST上に載置されたウエハW
上に投影露光される。ここで、X−YステージWSTに
は反射鏡RMが設けられ、X軸干渉計IFXは、反射鏡
RMからの反射光に基づいて、駆動装置MVにより移動
されるX−YステージWSTの位置を干渉測定する。な
お、Y方向については図示を省略しているが、X方向と
同様にステージ位置を干渉測定し、Z軸方向について
は、フォーカス機構4により焦点合わせがされる。
【0016】本実施形態の投影露光装置はアライメント
用光学系として上述のLSA系とFIA系の2つの系を
有している。まず、LSA方式によるアライメントつい
て説明する。LSA方式では、アライメント用光源であ
るHe−Neレーザ5からのレーザ光は半透明鏡HM1
を透過し、図示しないアライメント光学系により帯状の
スポット光とされ、ウエハW上のウエハマークWM上を
照射する。次に、ウエハWからの回折光又は散乱光は、
半透明鏡HM1及び半透明鏡HM2で反射され、CCD
等を含むアライメントセンサ7で検出される。そして、
センサ7からの信号に基づいて、ウエハマークWMの位
置を計測する。かかるレーザ5からアライメントセンサ
7にいたる光学系をLSA系と呼ぶ。なお、LSA系の
レンズ等の光学素子は簡略のため省略してある。また、
主制御系11は、照明系1、アライメント制御系9等を
統括的にコントロールしている。
用光学系として上述のLSA系とFIA系の2つの系を
有している。まず、LSA方式によるアライメントつい
て説明する。LSA方式では、アライメント用光源であ
るHe−Neレーザ5からのレーザ光は半透明鏡HM1
を透過し、図示しないアライメント光学系により帯状の
スポット光とされ、ウエハW上のウエハマークWM上を
照射する。次に、ウエハWからの回折光又は散乱光は、
半透明鏡HM1及び半透明鏡HM2で反射され、CCD
等を含むアライメントセンサ7で検出される。そして、
センサ7からの信号に基づいて、ウエハマークWMの位
置を計測する。かかるレーザ5からアライメントセンサ
7にいたる光学系をLSA系と呼ぶ。なお、LSA系の
レンズ等の光学素子は簡略のため省略してある。また、
主制御系11は、照明系1、アライメント制御系9等を
統括的にコントロールしている。
【0017】次に、LSA系によるアライメント手順を
さらに詳しく説明する。以下、簡便のためX軸方向につ
いて説明するが、実際はY軸方向についてもX軸方向と
同様の手順でアライメントを行なう。
さらに詳しく説明する。以下、簡便のためX軸方向につ
いて説明するが、実際はY軸方向についてもX軸方向と
同様の手順でアライメントを行なう。
【0018】まず、LSAアライメント光学系のベース
ライン計測を行なう。即ちX−YステージWST上に設
けられた基準マークFMをLSA光学系で検出すると共
に、その基準マークFMとレチクルR上のマークRMと
を、レチクルRの上方に配置されるレチクルアライメン
ト系(不図示)で検出する。そして、この2つの検出結
果と、X軸干渉計IFXの出力とに基づいて、LSA光
学系のベースライン量を決定する。このベースライン量
の測定は、機械的な振動などを要因としてベースライン
が変動しうる場合に行なえば良く、各アライメントごと
に実行する必要はない。例えば、複数枚(5〜10枚)
のウエハWへの露光が完了した時に、ベースライン計測
を実行するようなシーケンスを採用するのが好ましい。
次に、ウエハWは不図示のプリアライメント装置により
予めプリアライメントされ、X−YステージWST上に
載置される。LSA系からの帯状スポット光をウエハマ
ークWM上に照射し、該マークWMから発生する回折光
又は散乱光を利用してウエハマークWMの位置を計測す
る。ステージ駆動部MVはステージ制御系10からの指
令により、計測されたウエハマークWMの位置に基づい
て、X−YステージWSTを動かすことで、ウエハWを
任意の露光領域に移動させ、順次露光を繰り返す。そし
て最後に、レチクルを交換して他のパターンを露光する
か否かを判断する。レチクルを交換する必要が無い場合
は、上記ベースライン計測を除いたアライメントからの
手順を繰り返す。レチクルを交換し、さらに露光を行な
う場合は、レチクル交換後上記ベースライン計測から開
始する。なお、上述のように、ベースライン計測はレチ
クル交換時に限らず、所定枚数のウエハを露光するごと
に行なっても良い。
ライン計測を行なう。即ちX−YステージWST上に設
けられた基準マークFMをLSA光学系で検出すると共
に、その基準マークFMとレチクルR上のマークRMと
を、レチクルRの上方に配置されるレチクルアライメン
ト系(不図示)で検出する。そして、この2つの検出結
果と、X軸干渉計IFXの出力とに基づいて、LSA光
学系のベースライン量を決定する。このベースライン量
の測定は、機械的な振動などを要因としてベースライン
が変動しうる場合に行なえば良く、各アライメントごと
に実行する必要はない。例えば、複数枚(5〜10枚)
のウエハWへの露光が完了した時に、ベースライン計測
を実行するようなシーケンスを採用するのが好ましい。
次に、ウエハWは不図示のプリアライメント装置により
予めプリアライメントされ、X−YステージWST上に
載置される。LSA系からの帯状スポット光をウエハマ
ークWM上に照射し、該マークWMから発生する回折光
又は散乱光を利用してウエハマークWMの位置を計測す
る。ステージ駆動部MVはステージ制御系10からの指
令により、計測されたウエハマークWMの位置に基づい
て、X−YステージWSTを動かすことで、ウエハWを
任意の露光領域に移動させ、順次露光を繰り返す。そし
て最後に、レチクルを交換して他のパターンを露光する
か否かを判断する。レチクルを交換する必要が無い場合
は、上記ベースライン計測を除いたアライメントからの
手順を繰り返す。レチクルを交換し、さらに露光を行な
う場合は、レチクル交換後上記ベースライン計測から開
始する。なお、上述のように、ベースライン計測はレチ
クル交換時に限らず、所定枚数のウエハを露光するごと
に行なっても良い。
【0019】次に、照明光の強度を検出して照明用光源
を交換する手順について説明する。まず、LSA系の光
源であるHe−Neレーザ5を交換するための手順を図
2に基づいて説明する。一般にLSA系を使用して良好
なアライメントを行なうためには、He−Neレーザ5
は5mW以上の出力が必要であるので、以下の例では、
光源の出力強度が5mW以下になった時点で新しいレー
ザと交換する場合の手順を説明する。なお、この値は
「5mW」に限られず任意に設定できるものである。ま
ず、ステップ200でHe−Neレーザ5を新品に交換
した際に、パワーメーターでレーザの出力値Cを測定す
る(ステップ202)。そして、特定の位置、例えばX
−YステージWST上に設けられている基準マークFM
をLSA系を用いてアライメント計測する。図3は基準
マークFMとレーザ光13との相対的な関係を示す図で
ある。LSA系では、上述のように基準マークFMから
の回折・散乱光を検出するので、マークとして等間隔ピ
ッチで配列されたLSA用マーク14が設けられてい
る。そして、X−YステージWSTを図3中矢印の方向
へ移動することにより、レーザ光源5からの帯状スポッ
ト光13は該LSA用マークを照射する(ステップ20
4)。アライメントセンサ7は、基準マーク7上のLS
Aマークからの回折光などを受光する(ステップ20
6)。図4は、このときセンサ7で検出される波形A
(最大振幅値はD)を示している。
を交換する手順について説明する。まず、LSA系の光
源であるHe−Neレーザ5を交換するための手順を図
2に基づいて説明する。一般にLSA系を使用して良好
なアライメントを行なうためには、He−Neレーザ5
は5mW以上の出力が必要であるので、以下の例では、
光源の出力強度が5mW以下になった時点で新しいレー
ザと交換する場合の手順を説明する。なお、この値は
「5mW」に限られず任意に設定できるものである。ま
ず、ステップ200でHe−Neレーザ5を新品に交換
した際に、パワーメーターでレーザの出力値Cを測定す
る(ステップ202)。そして、特定の位置、例えばX
−YステージWST上に設けられている基準マークFM
をLSA系を用いてアライメント計測する。図3は基準
マークFMとレーザ光13との相対的な関係を示す図で
ある。LSA系では、上述のように基準マークFMから
の回折・散乱光を検出するので、マークとして等間隔ピ
ッチで配列されたLSA用マーク14が設けられてい
る。そして、X−YステージWSTを図3中矢印の方向
へ移動することにより、レーザ光源5からの帯状スポッ
ト光13は該LSA用マークを照射する(ステップ20
4)。アライメントセンサ7は、基準マーク7上のLS
Aマークからの回折光などを受光する(ステップ20
6)。図4は、このときセンサ7で検出される波形A
(最大振幅値はD)を示している。
【0020】次に、ステップ208で、光強度算出部C
ALは、前記レーザ出力値Cと波形Aの振幅値Dとに基
づいて、レーザの出力強度が5mWである時に基準マー
クFMを計測した場合に検出される波形(図3の波形B
に相当)の振幅値Eを光源交換のための判断基準値とし
て逆算して算出する。なお、図3の波形Bは、認識しや
すくするため波形Aに対して上方に位置をずらして描い
ている。該基準値Eは、次式、 E=5D/C で求めることができる。そして、ステップ210におい
て、記憶装置MEMはこの基準値Eを記憶する。
ALは、前記レーザ出力値Cと波形Aの振幅値Dとに基
づいて、レーザの出力強度が5mWである時に基準マー
クFMを計測した場合に検出される波形(図3の波形B
に相当)の振幅値Eを光源交換のための判断基準値とし
て逆算して算出する。なお、図3の波形Bは、認識しや
すくするため波形Aに対して上方に位置をずらして描い
ている。該基準値Eは、次式、 E=5D/C で求めることができる。そして、ステップ210におい
て、記憶装置MEMはこの基準値Eを記憶する。
【0021】ここで、露光装置を使用してレチクルパタ
ーン3をウエハWに投影露光する場合には、上述のよう
に一定期間使用する毎に、例えば、ウエハWを5〜10
枚露光する毎に、アライメント系のベースライン計測を
行なうことが好ましい。LSA系のベースライン計測で
は基準マークFM上のLSAマーク14を検出する工程
が含まれているので、通常の投影露光プロセスにおいて
特別の工程を設けなくとも、基準マークFMの計測を行
なうことができる。即ち、ステップ212でウエハのア
ライメントを開始して、そのLSA系のアライメントの
プロセスにおいて、ベースライン計測が必要と判断され
た時は(ステップ214)、ステップ216で基準マー
クFMを計測する。この基準マークFMの計測を行なっ
た際に、基準マークFM上のLSA用マークからの回折
・散乱光の強度E’をアライメントセンサ7で検出し、
記憶装置MEMに記憶させる。ステップ218で、比較
演算器CMPは、光源を新しいものに交換した時に測定
・記憶した基準値Eと、通常の露光プロセスで基準マー
クFMを計測した時に得られる値E’とを比較する。そ
して、E’が基準値E以下の場合には、光源の出力強度
が5mW以下になったものと判断して、レーザ光源5を
新しいものに交換する(ステップ220)。また、ベー
スライン計測が不要であったり、上記比較の結果、光源
を交換する必要が無い場合は、さらに上述した一連のア
ライメントを行ない露光を繰り返す(ステップ22
2)。
ーン3をウエハWに投影露光する場合には、上述のよう
に一定期間使用する毎に、例えば、ウエハWを5〜10
枚露光する毎に、アライメント系のベースライン計測を
行なうことが好ましい。LSA系のベースライン計測で
は基準マークFM上のLSAマーク14を検出する工程
が含まれているので、通常の投影露光プロセスにおいて
特別の工程を設けなくとも、基準マークFMの計測を行
なうことができる。即ち、ステップ212でウエハのア
ライメントを開始して、そのLSA系のアライメントの
プロセスにおいて、ベースライン計測が必要と判断され
た時は(ステップ214)、ステップ216で基準マー
クFMを計測する。この基準マークFMの計測を行なっ
た際に、基準マークFM上のLSA用マークからの回折
・散乱光の強度E’をアライメントセンサ7で検出し、
記憶装置MEMに記憶させる。ステップ218で、比較
演算器CMPは、光源を新しいものに交換した時に測定
・記憶した基準値Eと、通常の露光プロセスで基準マー
クFMを計測した時に得られる値E’とを比較する。そ
して、E’が基準値E以下の場合には、光源の出力強度
が5mW以下になったものと判断して、レーザ光源5を
新しいものに交換する(ステップ220)。また、ベー
スライン計測が不要であったり、上記比較の結果、光源
を交換する必要が無い場合は、さらに上述した一連のア
ライメントを行ない露光を繰り返す(ステップ22
2)。
【0022】また、アライメント制御系9は自動利得調
整部であるAGCユニットを有している。AGCユニッ
トはセンサ7からの出力信号の大きさがほぼ一定になる
ように利得を調整するものである。したがって、レーザ
光源5の出力が低下しても、センサ7からの出力信号強
度はAGCユニットの作用によって、見かけ上ほぼ一定
の強度レベルに保たれている。ここで、アライメント制
御系9は、センサ7からの信号の大きさと、該信号を得
た時のAGCユニットの利得とに基づいて、真の信号強
度(即ち、利得が調整されていない状態でのセンサ7の
出力信号の大きさ)を知ることができる。
整部であるAGCユニットを有している。AGCユニッ
トはセンサ7からの出力信号の大きさがほぼ一定になる
ように利得を調整するものである。したがって、レーザ
光源5の出力が低下しても、センサ7からの出力信号強
度はAGCユニットの作用によって、見かけ上ほぼ一定
の強度レベルに保たれている。ここで、アライメント制
御系9は、センサ7からの信号の大きさと、該信号を得
た時のAGCユニットの利得とに基づいて、真の信号強
度(即ち、利得が調整されていない状態でのセンサ7の
出力信号の大きさ)を知ることができる。
【0023】また、表示装置12は、上記比較結果に基
づいてレーザ光源5が交換時期に至っている場合は、そ
の旨を表示する。このため、オペレータに注意を促すこ
とができる。また、該表示内容としては、レーザ光源5
が交換時期に至っていない場合でも、例えば、照明光の
強度が初期状態(新品時)に比較して70パ−セント劣
化している旨の警告などを表示しても良い。
づいてレーザ光源5が交換時期に至っている場合は、そ
の旨を表示する。このため、オペレータに注意を促すこ
とができる。また、該表示内容としては、レーザ光源5
が交換時期に至っていない場合でも、例えば、照明光の
強度が初期状態(新品時)に比較して70パ−セント劣
化している旨の警告などを表示しても良い。
【0024】次に、FlA系を用いたアライメント系に
ついての光源の交換判断手順を説明する。基本的な手順
は上記LSA系における交換手順と同様である。FIA
系によるアライメントでは、光源であるハロゲンランプ
6からの光束は鏡Mで反射され、図示しない光学系を透
過した後、ウエハW上のウエハマークWMを照明する。
次に、ウエハマークWMからの反射光は、半透明鏡HM
3、HM1で反射された後、半透明鏡HM2を透過し、
鏡Mで反射され、FIA用アライメント観察カメラ8に
入射する。そして、アライメント制御系9は、FIA用
アライメント観察カメラ8からの信号に基づいて画像計
測することでウエハWのアライメントを行なう。
ついての光源の交換判断手順を説明する。基本的な手順
は上記LSA系における交換手順と同様である。FIA
系によるアライメントでは、光源であるハロゲンランプ
6からの光束は鏡Mで反射され、図示しない光学系を透
過した後、ウエハW上のウエハマークWMを照明する。
次に、ウエハマークWMからの反射光は、半透明鏡HM
3、HM1で反射された後、半透明鏡HM2を透過し、
鏡Mで反射され、FIA用アライメント観察カメラ8に
入射する。そして、アライメント制御系9は、FIA用
アライメント観察カメラ8からの信号に基づいて画像計
測することでウエハWのアライメントを行なう。
【0025】光源であるハロゲンランプ6の交換時期を
判断するために、まず、ハロゲンランプ6を新品に交換
した時に、FIAアライメント用観察カメラ8で検出さ
れる信号値の大きさを測定しておく。次に、上記LSA
系の場合と同様に、光源の消耗により交換時期に至った
時のアライメント用観察カメラ8の検出信号値を逆算し
て求め、その値を基準値として記憶装置MEMに記憶さ
せる。そして、露光装置を一定の期間使用する毎に、ア
ライメント用観察カメラ系8の信号値を検出し、AGC
の利得を加味して該検出信号の大きさが前記記憶装置M
EMに記憶された値よりも小さくなった時点で、ハロゲ
ンランプ6が交換時期であると判断する。そして、表示
装置12は、上記LSA系の場合と同様に、ハロゲンラ
ンプ6が交換時期に至っていることを表示し、オペレー
タに注意を促す。
判断するために、まず、ハロゲンランプ6を新品に交換
した時に、FIAアライメント用観察カメラ8で検出さ
れる信号値の大きさを測定しておく。次に、上記LSA
系の場合と同様に、光源の消耗により交換時期に至った
時のアライメント用観察カメラ8の検出信号値を逆算し
て求め、その値を基準値として記憶装置MEMに記憶さ
せる。そして、露光装置を一定の期間使用する毎に、ア
ライメント用観察カメラ系8の信号値を検出し、AGC
の利得を加味して該検出信号の大きさが前記記憶装置M
EMに記憶された値よりも小さくなった時点で、ハロゲ
ンランプ6が交換時期であると判断する。そして、表示
装置12は、上記LSA系の場合と同様に、ハロゲンラ
ンプ6が交換時期に至っていることを表示し、オペレー
タに注意を促す。
【0026】また、本発明は、露光装置のアライメント
系に限られず、自動利得調整装置を有するセンサを使用
する光学系等に適用できる。
系に限られず、自動利得調整装置を有するセンサを使用
する光学系等に適用できる。
【0027】
【発明の効果】上記説明したように、請求項1の発明で
は、前記受光部の出力信号に基づいて前記照明光の強度
を算出する光強度算出部と前記算出された光強度と所定
値とを比較する比較演算部とを備えている。このため、
照明光の強度を検出するためのパワーモニタ、光学部品
等が不要となる。したがって、安価なコスト、簡便な構
成の装置で位置検出できる。
は、前記受光部の出力信号に基づいて前記照明光の強度
を算出する光強度算出部と前記算出された光強度と所定
値とを比較する比較演算部とを備えている。このため、
照明光の強度を検出するためのパワーモニタ、光学部品
等が不要となる。したがって、安価なコスト、簡便な構
成の装置で位置検出できる。
【0028】また、請求項2記載の発明では、前記受光
部の出力信号に基づいて前記照明光の強度を算出する光
強度算出部と、前記算出された光強度と所定値とを比較
する比較演算部とを備えている。このため、照明光の強
度を検出するためのパワーモニタ、光学部品等は不要で
あり、通常のマーク検出手順で得られる信号に基づいて
アライメント用マークを照明する光の強度を検出でき
る。したがって、安価かつ簡便な構成で、迅速に基板を
アライメントすることができ、迅速な露光処理を行なう
ことができる。
部の出力信号に基づいて前記照明光の強度を算出する光
強度算出部と、前記算出された光強度と所定値とを比較
する比較演算部とを備えている。このため、照明光の強
度を検出するためのパワーモニタ、光学部品等は不要で
あり、通常のマーク検出手順で得られる信号に基づいて
アライメント用マークを照明する光の強度を検出でき
る。したがって、安価かつ簡便な構成で、迅速に基板を
アライメントすることができ、迅速な露光処理を行なう
ことができる。
【0029】また、請求項3記載の発明では、光強度算
出部は自動利得調整部の利得をさらに用いて前記照明光
の強度を算出している。このため、見かけ上は一定強度
の信号が得られていても、常に真の照明光強度を検出す
ることができる。
出部は自動利得調整部の利得をさらに用いて前記照明光
の強度を算出している。このため、見かけ上は一定強度
の信号が得られていても、常に真の照明光強度を検出す
ることができる。
【0030】また、請求項4記載の発明では、前記光源
の出力変化を検出するために、前記比較演算部での比較
結果に基づいて前記照明光の強度に関する情報を表示す
る表示部をさらに備えている。したがって、オペレータ
はアライメント用光源の状態を正確に認識することがで
きる。
の出力変化を検出するために、前記比較演算部での比較
結果に基づいて前記照明光の強度に関する情報を表示す
る表示部をさらに備えている。したがって、オペレータ
はアライメント用光源の状態を正確に認識することがで
きる。
【0031】また、請求項5記載の発明では、前記得ら
れた信号に基づいて前記照明光の強度を算出し、前記光
源の出力変化を検出するために、前記算出された強度と
所定値とを比較している。したがって、照明光の強度を
検出するための専用工程が不要であり、簡便な工程で位
置検出できる。
れた信号に基づいて前記照明光の強度を算出し、前記光
源の出力変化を検出するために、前記算出された強度と
所定値とを比較している。したがって、照明光の強度を
検出するための専用工程が不要であり、簡便な工程で位
置検出できる。
【図1】本発明の実施形態にかかる露光装置の概略的な
構成図である。
構成図である。
【図2】光源交換判断の手順を示す図である。
【図3】基準マークFM上のLSAマークの概略図であ
る。
る。
【図4】LSA系の検出信号波形を示す図である。
WM ウエハマーク FM 基準マーク 5 レーザ光源 6 ハロゲンランプ R マスク W ウエハ 7、8 アライメントセンサ MEM 記憶部 CAL 強度演算部 CMP 比較演算部 9 アライメント制御系
Claims (5)
- 【請求項1】 物体上のマークに照射される照明光を射
出する光源と、前記マークから発生する光を受光する受
光部とを有し、前記受光部から出力される信号に基づい
て前記マークの位置情報を検出する位置検出装置におい
て、 前記受光部の出力信号に基づいて前記照明光の強度を算
出する光強度算出部と、 前記算出された光強度と所定値とを比較する比較演算部
とを備えたことを特徴とする位置検出装置。 - 【請求項2】 基板上のマークに照射される照明光を射
出する光源と、前記マークから発生する光を受光する受
光部とを有し、前記受光部から出力される信号に基づい
て前記マークの位置情報を検出するマーク検出系を備
え、前記マーク検出系の出力を利用してマスクのパター
ンを前記基板上に転写する露光装置において、 前記受光部の出力信号に基づいて前記照明光の強度を算
出する光強度算出部と、 前記算出された光強度と所定値とを比較する比較演算部
とを備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項3】 前記マーク検出系は、前記受光部の出力
信号の強度を変化させるように利得を調整する自動利得
調整部を有し、前記光強度算出部は前記利得をさらに用
いて前記照明光の強度を算出することを特徴とする請求
項2記載の投影露光装置。 - 【請求項4】 前記光源の出力変化を検出するために、
前記比較演算部での比較結果に基づいて前記照明光の強
度に関する情報を表示する表示部をさらに備えたことを
特徴とする請求項2又は3記載の投影露光装置。 - 【請求項5】 光源から射出される照明光を物体上のマ
ークに照射し、前記マークから発生する光を光電検出し
て得られる信号に基づいて、前記マークの位置情報を検
出する位置検出方法において、 前記得られた信号に基づいて前記照明光の強度を算出
し、前記光源の出力変化を検出するために、前記算出さ
れた強度と所定値とを比較することを特徴とする位置検
出方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10066057A JPH11251230A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 位置検出装置、露光装置及び位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10066057A JPH11251230A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 位置検出装置、露光装置及び位置検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11251230A true JPH11251230A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13304868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10066057A Withdrawn JPH11251230A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 位置検出装置、露光装置及び位置検出方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11251230A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185503A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
JP2008028405A (ja) * | 2007-08-07 | 2008-02-07 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
CN113005419A (zh) * | 2019-12-18 | 2021-06-22 | 佳能特机株式会社 | 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法 |
-
1998
- 1998-03-03 JP JP10066057A patent/JPH11251230A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185503A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
JP2008028405A (ja) * | 2007-08-07 | 2008-02-07 | Nec Corp | 半導体薄膜改質装置 |
CN113005419A (zh) * | 2019-12-18 | 2021-06-22 | 佳能特机株式会社 | 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法 |
JP2021095632A (ja) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | キヤノントッキ株式会社 | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6992751B2 (en) | Scanning exposure apparatus | |
US6356343B1 (en) | Mark for position detection and mark detecting method and apparatus | |
US6975384B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
JPH11241908A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
US8077391B2 (en) | Wavefront aberration measuring method, mask, wavefront aberration measuring device, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
CN112180696A (zh) | 检测装置、曝光装置和物品制造方法 | |
US6639677B1 (en) | Position measuring method and position measuring system using the same | |
US20060209307A1 (en) | Exposure apparatus for manufacturing semiconductor device, method of exposing a layer of photoresist, and method of detecting vibrations and measuring relative position of substrate during an exposure process | |
JPH06204113A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
US8345221B2 (en) | Aberration measurement method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US8462316B2 (en) | Exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method | |
KR100392040B1 (ko) | 반도체 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체장치 | |
US6243158B1 (en) | Projection exposure apparatus and method | |
JPH10189443A (ja) | 位置検出用マーク、マーク検出方法及びその装置並びに露光装置 | |
JPH11251230A (ja) | 位置検出装置、露光装置及び位置検出方法 | |
US7423729B2 (en) | Method of monitoring the light integrator of a photolithography system | |
JPH0963924A (ja) | アライメント方法 | |
JP2004134473A (ja) | 位置検出用マーク、位置検出装置、位置検出方法、露光装置、および露光方法 | |
US20060215140A1 (en) | Method of measuring the performance of an illumination system | |
JPH09160261A (ja) | 位置検出方法 | |
JPH1140476A (ja) | 露光条件選択方法、及び該方法で使用される検査装置 | |
JPH1041219A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2004279166A (ja) | 位置検出装置 | |
JP2001185474A (ja) | アライメント方法、アライメント装置、基板、マスク、及び露光装置 | |
JPH10106937A (ja) | 位置検出方法及びその装置並びに投影露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |