JP7085625B2 - 感光アセンブリ、撮像モジュール、感光アセンブリジョイントパネルおよびその対応する製造方法 - Google Patents
感光アセンブリ、撮像モジュール、感光アセンブリジョイントパネルおよびその対応する製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7085625B2 JP7085625B2 JP2020533278A JP2020533278A JP7085625B2 JP 7085625 B2 JP7085625 B2 JP 7085625B2 JP 2020533278 A JP2020533278 A JP 2020533278A JP 2020533278 A JP2020533278 A JP 2020533278A JP 7085625 B2 JP7085625 B2 JP 7085625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- photosensitive
- edge
- joint panel
- metal wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 128
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/51—Housings
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Camera Bodies And Camera Details Or Accessories (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
本出願は、2017年12月19日に中国国家知識産権局へ提出された第201711378319.8号と201721782486.4号中国特許出願の優先権と権利を享有することを主張する。当該出願の開示内容は、その全体が引用により本出願に取り込まれる。
回路基板と、
前記回路基板上に取り付けられ、第1のエッジを有する感光素子と、
前記感光素子と前記回路基板を電気的に接続し、前記第1のエッジにまたがる第1の金属ワイヤと、
前記回路基板上に取り付けられ、前記第1のエッジの延長線に対応する取付領域を有する第1の電子素子と、
前記回路基板上に形成され、前記感光素子を囲み、前記感光素子へ延伸して前記第1の電子素子と前記第1の金属ワイヤを被覆しており、前記感光素子の表面と接触しているモールド部と
を含む感光アセンブリが提供される。
前記感光アセンブリは、
前記感光素子と前記回路基板とを電気的に接続し、前記第2のエッジにまたがる第2の金属ワイヤと、
前記回路基板上に取り付けられ、前記第2のエッジの延長線に対応する取付領域を有する第2の電子素子とをさらに含み、
前記モールド部はさらに前記第2の電子素子と前記第2の金属ワイヤを被覆している。
複数の回路基板ユニットを含む回路基板ジョイントパネル
と、
第1の方向に沿って前記回路基板ジョイントパネル上に列になって取り付けられている複数の感光素子であって、各感光素子が回路基板ユニットのそれぞれに一つずつ配置されており、しかもいずれも前記第1の方向に平行する第1のエッジを有する、複数の感光素子と、
前記各感光素子と、その感光素子に対応する回路基板ユニットのそれぞれを電気的に接続し、前記感光素子の前記第1のエッジにまたがる複数の第1の金属ワイヤと、
前記回路基板ユニットのそれぞれに取り付けられており、対応する感光素子の前記第1のエッジの延長線に対応する取付領域を有する複数の第1の電子素子と、
前記回路基板ジョイントパネル上に形成され、前記各感光素子を囲み、前記各感光素子へ延伸して、対応する前記第1の電子素子と前記第1の金属ワイヤを覆い、前記感光素子の表面と接触し、隣接する感光素子間の回路基板ジョイントパネルの領域のいずれも被覆しており一つの全体に形成されているモールド部と
を含む、感光アセンブリジョイントパネルが提供される。
前記感光アセンブリジョイントパネルは、
前記各感光素子とそれに対応する前記回路基板ユニットとを電気的に接続し、前記第2のエッジにまたがる複数の第2の金属ワイヤと、
前記各回路基板ユニット上に取り付けられ、対応する感光素子の前記第2のエッジの延長線上に位置する取付領域を有する複数の第2の電子素子とをさらに含み、
前記モールド部はさらに前記第二の電子素子と前記第2の金属ワイヤを被覆している。
ステップ1:複数の回路基板ユニットを含む回路基板ジョイントパネルと、
前記回路基板ジョイントパネル上に列になって取り付けられている複数の感光素子であって、各感光素子が回路基板ユニットのそれぞれに一つずつ配置されており、しかもいずれも同列の前記感光素子の配列方向に平行する第1のエッジを有する、複数の感光素子と、
前記感光素子と、その感光素子に対応する回路基板ユニットのそれぞれを電気的に接続し、前記感光素子の前記第1のエッジにまたがる複数の第1の金属ワイヤと、
前記回路基板ユニットのそれぞれに取り付けられて、モールド成型プロセス中に前記第1の金属ワイヤへのモールドフローの衝撃をブロッキングまたは低減する複数の第1の電子素子と
を含む、モールドされるジョイントパネルを用意すること;
ステップ2:前記モールドされるジョイントパネルを金型でプレスして、金型と前記モールドされるジョイントパネルとの間に成形キャビティを形成すること;及び
ステップ3:前記成形キャビティを充填するように液状モールド材料を前記成形キャビティに射出して、前記回路基板ジョイントパネル上にモールド部を形成すること
を含む感光アセンブリジョイントパネルの製造方法であって、
前記液状モールド材料の射出方向は、前記第1のエッジに平行である、感光アセンブリジョイントパネルの製造方法が提供される。
前記ステップ3において、前記液状モールド材料は前記非配線領域の位置から射出される。
前記ステップ3において、前記液状モールド材料の射出位置は、第1列の回路基板ユニットと第2列の回路基板ユニットとの間の領域、第1列の感光素子とリジッド基板領域の第1のエッジとの間の領域、及び第2列の感光素子とリジッド基板領域の第2のエッジとの間の領域を含み、リジッド基板領域の第1のエッジは、第1列の感光素子に近い、且つ前記第1のエッジに平行なリジッド基板領域のエッジであり、リジッド基板領域の第2のエッジは、第2列の感光素子に近い、且つ前記第1のエッジに平行なリジッド基板領域のエッジである。
前記ステップ3において、前記液状モールド材料の射出位置は、感光素子とリジッド基板領域の第1のエッジとの間の領域、及び感光素子とリジッド基板領域の第2のエッジとの間の領域を含み、リジッド基板領域の第1のエッジとリジッド基板領域の第2のエッジは、前記第1のエッジに平行な二つのリジッド基板領域のエッジであり、前記感光素子は、これら二つのリジッド基板領域のエッジ間に配置される。
前記モールドされるジョイントパネルは、
前記各感光素子と、その感光素子に対応する前記回路基板ユニットのそれぞれを電気的に接続し、前記第2のエッジにまたがる複数の第2の金属ワイヤと、
前記回路基板ユニットのそれぞれに取り付けられ、対応する感光素子の前記第2のエッジの延長線に位置する取付領域を有する複数の第2の電子素子とをさらに含み、
前記モールド部は前記第2の電子素子と前記第2の金属ワイヤをも被覆する。
1、本発明は、別途部品を追加したり金型を変更したりすることなく、モールドプロセスでの金属線の損傷リスクをある程度減らすことができる。
2、本発明は、製造歩留まりを高め、製造コストを削減した。
Claims (17)
- 回路基板と、
前記回路基板上に取り付けられ、第1のエッジを有する感光素子と、
前記感光素子と前記回路基板を電気的に接続し、前記第1のエッジにまたがる第1の金属ワイヤと、
前記回路基板上に取り付けられ、前記第1のエッジの延長線に対応する取付領域を有する第1の電子素子と、
前記回路基板上に形成され、前記感光素子を囲み、前記感光素子へ延伸して前記第1の電子素子と前記第1の金属ワイヤを被覆しており、前記感光素子の表面と接触するモールド部とを含み、
前記感光素子は、前記第1のエッジに沿って設けられた複数の第1の端子を有し、前記回路基板は、前記第1のエッジに沿って前記回路基板上に設けられて前記第1の端子と1対1で対応する複数の第2の端子を有し、前記第1の金属ワイヤは、前記第1の端子と、それに対応する前記第2の端子とを接続し、
前記第1のエッジに沿って配置された前記複数の第1の端子と前記複数の第2の端子は、ストリップ状の金属ワイヤ配置領域を画定し、前記金属ワイヤ配置領域は、前記第1のエッジをカバーし、前記第1の電子素子は、前記第1のエッジに垂直な方向で前記金属ワイヤ配置領域の延長部を完全に覆う、
ことを特徴とする、感光アセンブリ。 - 前記感光素子は、前記第1のエッジと対向する第2のエッジをさらに有し、
前記感光アセンブリは、
前記感光素子と前記回路基板とを電気的に接続し、前記第2のエッジにまたがる第2の金属ワイヤと、
前記回路基板上に取り付けられ、前記第2のエッジの延長線に対応する取付領域を有する第2の電子素子とをさらに含み、
前記モールド部はさらに前記第2の電子素子と前記第2の金属ワイヤを被覆していることを特徴とする、請求項1に記載の感光アセンブリ。 - 前記感光素子は、前記第1のエッジと交差する第3のエッジをさらに有し、前記感光アセンブリは、前記感光素子と前記回路基板とを電気的に接続し、前記第3のエッジにまたがる第3の金属ワイヤをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の感光アセンブリ。
- 前記第1の端子と、それに対応する前記第2の端子との間の接続線は、前記第1のエッジに垂直ではないことを特徴とする、請求項1に記載の感光アセンブリ。
- 複数の回路基板ユニットを含む回路基板ジョイントパネルと、
第1の方向に沿って前記回路基板ジョイントパネル上に列になって取り付けられている複数の感光素子であって、各感光素子が回路基板ユニットのそれぞれに一つずつ配置されており、しかもいずれも前記第1の方向に平行する第1のエッジを有する、複数の感光素子と、
前記各感光素子と、その感光素子に対応する回路基板ユニットのそれぞれを電気的に接続し、前記感光素子の前記第1のエッジにまたがる複数の第1の金属ワイヤと、
前記回路基板ユニットのそれぞれに取り付けられており、対応する感光素子の前記第1のエッジの延長線に対応する取付領域を有する複数の第1の電子素子と、
前記回路基板ジョイントパネル上に形成され、前記各感光素子を囲み、前記各感光素子へ延伸して、対応する前記第1の電子素子と前記第1の金属ワイヤを被覆しており、前記感光素子の表面と接触し、隣接する感光素子間の回路基板ジョイントパネルの領域のいずれも被覆して一つの全体に形成されているモールド部と
を含む感光アセンブリジョイントパネルであって、
請求項1に記載の感光アセンブリが上記感光アセンブリジョイントパネルを切断することによって得られることを特徴とする、
感光アセンブリジョイントパネル。 - 前記回路基板ジョイントパネルは、リジッドフレキシブル基板であることを特徴とする、請求項5に記載の感光アセンブリジョイントパネル。
- 前記回路基板ジョイントパネルは、少なくとも一つのリジッド基板領域を含み、前記複数の感光素子は前記リジッド基板領域に取り付けられていることを特徴とする、請求項6に記載の感光アセンブリジョイントパネル。
- 前記各リジッド基板領域は、2列の回路基板ユニットを含み、各回路基板ユニットには、一つの前記感光素子が取り付けられていることを特徴とする、請求項7に記載の感光アセンブリジョイントパネル。
- 前記リジッド基板領域は、2列の回路基板ユニット間の非配線領域をさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載の感光アセンブリジョイントパネル。
- 各列の回路基板ユニットにおいて、任意の隣接する2つの回路基板ユニットには共通の境界があることを特徴とする、請求項8に記載の感光アセンブリジョイントパネル。
- 請求項9に記載の感光アセンブリジョイントパネルを切断することによって得られた感光アセンブリであって、前記非配線領域が切り取られたことを特徴とする、感光アセンブリ。
- 請求項1~4及び請求項11のいずれか一項に記載の感光アセンブリを含むことを特徴とする、撮像モジュール。
- ステップ1:複数の回路基板ユニットを含む回路基板ジョイントパネルと、
前記回路基板ジョイントパネル上に列になって取り付けられており、回路基板ユニットのそれぞれに配置されており、しかもいずれも同列の感光素子の配列方向に平行する第1のエッジを有する、複数の感光素子と、
各前記感光素子と、その感光素子に対応する回路基板ユニットのそれぞれを電気的に接続し、前記感光素子の前記第1のエッジにまたがる複数の第1の金属ワイヤと、
前記回路基板ユニットのそれぞれに取り付けられて、モールド成型プロセス中に前記第1の金属ワイヤへのモールドフローの衝撃をブロッキングまたは低減する複数の第1の電子素子と
を含む、モールドされるジョイントパネルを用意すること;
ステップ2:前記モールドされるジョイントパネルを金型でプレスして、金型と前記モールドされるジョイントパネルとの間に成形キャビティを形成すること;及び
ステップ3:前記成形キャビティを充填するように液状モールド材料を前記成形キャビティに射出して、前記回路基板ジョイントパネル上にモールド部を形成することを含み、
前記液状モールド材料の射出方向は、前記第1のエッジに平行であることを特徴とする、感光アセンブリジョイントパネルの製造方法。 - 前記ステップ1において、前記第1の電子素子の取付領域は、モールド成型プロセス中に前記第1の金属ワイヤへのモールドフローの衝撃をブロッキングまたは低減するように、対応する感光素子の前記第1のエッジの延長線上に配置されることを特徴とする、請求項13に記載の感光アセンブリジョイントパネルの製造方法。
- 前記ステップ3において、前記モールド部は各前記感光素子を囲み、前記モールド部は各前記感光素子へ延伸し、対応する前記第1の電子素子と前記第1の金属ワイヤを被覆して前記感光素子の表面に接触し、隣接する感光素子間の回路基板ジョイントパネルの領域はいずれも前記モールド部によって被覆されて前記モールド部が一つの全体に形成されることを特徴とする、請求項13に記載の感光アセンブリジョイントパネルの製造方法。
- 前記ステップ1において、前記回路基板ジョイントパネルは、少なくとも一つのリジッド基板領域を含むリジッドフレキシブル基板であり、前記複数の感光素子は前記リジッド基板領域に取り付けられることを特徴とする、請求項13に記載の感光アセンブリジョイントパネルの製造方法。
- 前記感光素子は、前記第1のエッジに沿って設けられた複数の第1の端子を有し、前記回路基板ユニットは、前記第1のエッジに沿って前記回路基板ユニット上に設けられて前記第1の端子と1対1で対応する複数の第2の端子を有し、前記第1の金属ワイヤは、前記第1の端子と、それに対応する前記第2の端子とを接続し、
前記ステップ1において、前記第1の端子と、それに対応する前記第2の端子との間の接続線は、前記第1のエッジに垂直ではないことを特徴とする、請求項13に記載の感光アセンブリジョイントパネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711378319.8 | 2017-12-19 | ||
CN201711378319.8A CN107910345B (zh) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 感光组件、摄像模组、感光组件拼板及相应制作方法 |
CN201721782486.4 | 2017-12-19 | ||
CN201721782486.4U CN207765447U (zh) | 2017-12-19 | 2017-12-19 | 感光组件、摄像模组及感光组件拼板 |
PCT/CN2018/121812 WO2019120197A1 (zh) | 2017-12-19 | 2018-12-18 | 感光组件、摄像模组、感光组件拼板及相应制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021507621A JP2021507621A (ja) | 2021-02-22 |
JP7085625B2 true JP7085625B2 (ja) | 2022-06-16 |
Family
ID=66994412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020533278A Active JP7085625B2 (ja) | 2017-12-19 | 2018-12-18 | 感光アセンブリ、撮像モジュール、感光アセンブリジョイントパネルおよびその対応する製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11646332B2 (ja) |
EP (1) | EP3731272B1 (ja) |
JP (1) | JP7085625B2 (ja) |
KR (1) | KR102428682B1 (ja) |
TW (1) | TWI698993B (ja) |
WO (1) | WO2019120197A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008084646A1 (ja) | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | 撮像装置の製造方法及び撮像装置並びに携帯端末 |
JP2012217021A (ja) | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016100573A (ja) | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 株式会社東芝 | 電子モジュール、及びカメラモジュール |
WO2017157211A1 (zh) | 2016-03-12 | 2017-09-21 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其感光组件和制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100790996B1 (ko) | 2006-08-30 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지, 그 제조 방법 및 이를 포함하는이미지 센서 모듈 |
CN105704354B (zh) * | 2016-03-12 | 2019-07-05 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其感光组件和制造方法 |
WO2017181668A1 (zh) | 2016-04-21 | 2017-10-26 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 基于一体封装工艺的摄像模组和阵列摄像模组 |
WO2017186120A2 (zh) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其模塑感光组件、模塑感光组件的半成品和制造方法以及电子设备 |
CN205961279U (zh) * | 2016-08-01 | 2017-02-15 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其模塑感光组件和成型模具 |
CN206742240U (zh) * | 2017-04-28 | 2017-12-12 | 南昌欧菲光电技术有限公司 | 摄像模组及其感光组件 |
CN107910345B (zh) * | 2017-12-19 | 2024-04-09 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组、感光组件拼板及相应制作方法 |
CN207765447U (zh) * | 2017-12-19 | 2018-08-24 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及感光组件拼板 |
-
2018
- 2018-12-18 TW TW107145767A patent/TWI698993B/zh active
- 2018-12-18 US US16/954,724 patent/US11646332B2/en active Active
- 2018-12-18 KR KR1020207019593A patent/KR102428682B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-18 JP JP2020533278A patent/JP7085625B2/ja active Active
- 2018-12-18 WO PCT/CN2018/121812 patent/WO2019120197A1/zh unknown
- 2018-12-18 EP EP18891042.6A patent/EP3731272B1/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008084646A1 (ja) | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | 撮像装置の製造方法及び撮像装置並びに携帯端末 |
JP2012217021A (ja) | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016100573A (ja) | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 株式会社東芝 | 電子モジュール、及びカメラモジュール |
WO2017157211A1 (zh) | 2016-03-12 | 2017-09-21 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 摄像模组及其感光组件和制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019120197A1 (zh) | 2019-06-27 |
US20200388641A1 (en) | 2020-12-10 |
EP3731272A1 (en) | 2020-10-28 |
EP3731272B1 (en) | 2023-01-25 |
KR102428682B1 (ko) | 2022-08-02 |
TWI698993B (zh) | 2020-07-11 |
TW201929211A (zh) | 2019-07-16 |
EP3731272A4 (en) | 2021-02-24 |
US11646332B2 (en) | 2023-05-09 |
JP2021507621A (ja) | 2021-02-22 |
KR20200093647A (ko) | 2020-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107910345B (zh) | 感光组件、摄像模组、感光组件拼板及相应制作方法 | |
US8299589B2 (en) | Packaging device of image sensor | |
CN112217969B (zh) | 具有补强线路板的感光装置和阵列摄像模组及其制造方法 | |
CN111010498B (zh) | 基于一体封装工艺的摄像模组 | |
KR100536112B1 (ko) | 반도체장치 | |
US8829632B2 (en) | Semiconductor package | |
CN210016539U (zh) | 摄像模组、复合基板和感光组件 | |
CN107911587A (zh) | 一种摄像模组封装工艺及结构 | |
CN112272943B (zh) | 模塑感光组件和摄像模组及其制造方法以及电子设备 | |
JP7085625B2 (ja) | 感光アセンブリ、撮像モジュール、感光アセンブリジョイントパネルおよびその対応する製造方法 | |
EP4016983A1 (en) | Photosensitive assembly, camera module and manufacturing method thereof | |
CN210016541U (zh) | 摄像模组、复合基板和感光组件 | |
CN210016540U (zh) | 摄像模组、电子设备和感光组件 | |
CN112333350A (zh) | 摄像模组、复合基板、感光组件及其制作方法 | |
CN102412241B (zh) | 半导体芯片封装件及其制造方法 | |
CN112399030A (zh) | 摄像模组、电子设备、感光组件及其制作方法 | |
CN108738366B (zh) | 电子装置 | |
CN216671053U (zh) | 一种显示模组和显示装置 | |
CN110400668B (zh) | 电子元器件 | |
JP7049957B2 (ja) | 電子制御装置の製造方法 | |
KR200434469Y1 (ko) | 안전 디지털 메모리카드의 패키지 구조 | |
KR102477249B1 (ko) | 카메라 모듈 | |
CN105702635A (zh) | 半导体封装件 | |
WO2020066053A1 (ja) | 電子制御装置 | |
CN112399029A (zh) | 摄像模组、复合基板、感光组件及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200814 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7085625 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |