JP7071739B2 - 錯体及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 130
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 87
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- -1 alkali metal cation Chemical group 0.000 claims description 69
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 49
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 19
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 15
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 10
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 98
- 239000010408 film Substances 0.000 description 53
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 30
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 28
- 238000005004 MAS NMR spectroscopy Methods 0.000 description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 17
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 17
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 16
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 13
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 8
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910001451 bismuth ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XHLHPRDBBAGVEG-UHFFFAOYSA-N 1-tetralone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)CCCC2=C1 XHLHPRDBBAGVEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 4-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=NC=C1 FKNQCJSGGFJEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N Melanin Chemical compound O=C1C(=O)C(C2=CNC3=C(C(C(=O)C4=C32)=O)C)=C2C4=CNC2=C1C XUMBMVFBXHLACL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical compound I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N lead(2+) Chemical compound [Pb+2] RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021654 trace metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 2
- ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N veratrole Chemical compound COC1=CC=CC=C1OC ABDKAPXRBAPSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012982 x-ray structure analysis Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005918 1,2-dimethylbutyl group Chemical group 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 12-crown-4 Chemical compound C1COCCOCCOCCO1 XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTGOWLIKIQLYRG-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluoropyridine Chemical compound FC1=NC(F)=C(F)C(F)=C1F XTGOWLIKIQLYRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVHZEKKZMFRULH-UHFFFAOYSA-N 2,6-ditert-butyl-4-methylpyridine Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=NC(C(C)(C)C)=C1 HVHZEKKZMFRULH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDXVAOHEOSTFZ-UHFFFAOYSA-N 2-Pentylpyridine Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=N1 HSDXVAOHEOSTFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEKATORRSPXJHE-UHFFFAOYSA-N 2-acetylcyclohexan-1-one Chemical compound CC(=O)C1CCCCC1=O OEKATORRSPXJHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XWKFPIODWVPXLX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-5-methylpyridine Natural products CC1=CC=C(C)N=C1 XWKFPIODWVPXLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003890 2-phenylbutyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- IDLHTECVNDEOIY-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-4-ylethanamine Chemical compound NCCC1=CC=NC=C1 IDLHTECVNDEOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMQHDIHZSDEIFH-UHFFFAOYSA-N 3-Acetyldihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)C1CCOC1=O OMQHDIHZSDEIFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBVMWHCOFMFPEG-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-n,n-dimethylpropanamide Chemical compound COCCC(=O)N(C)C LBVMWHCOFMFPEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006201 3-phenylpropyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 4-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=NC=C1 NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 MAGFQRLKWCCTQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABJVUPUJUGBUMM-UHFFFAOYSA-N 4-pentylpyridine Chemical compound CCCCCC1=CC=NC=C1 ABJVUPUJUGBUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N Phenethylamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1 BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAQDYYFAFXGBFZ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofurfuryl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1CCCO1 AAQDYYFAFXGBFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYSVYJZHQBIBAU-UHFFFAOYSA-L [Ti+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O Chemical compound [Ti+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O MYSVYJZHQBIBAU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- 238000001720 action spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXGWBKCOOBHTPT-UHFFFAOYSA-N benzene;chlorobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1.ClC1=CC=CC=C1 YXGWBKCOOBHTPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011011 black crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229940006165 cesium cation Drugs 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical class C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N dmpu Chemical compound CN1CCCN(C)C1=O GUVUOGQBMYCBQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- ZIUSEGSNTOUIPT-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-cyanoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC#N ZIUSEGSNTOUIPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWPWRAWAUYIELB-UHFFFAOYSA-N ethyl 4-methylbenzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(C)C=C1 NWPWRAWAUYIELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229960004979 fampridine Drugs 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 150000008377 fluorones Chemical class 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCCSSGKUIKYAJD-UHFFFAOYSA-N rubidium(1+) Chemical compound [Rb+] NCCSSGKUIKYAJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N serine Chemical class OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229940054334 silver cation Drugs 0.000 description 1
- QRUBYZBWAOOHSV-UHFFFAOYSA-M silver trifluoromethanesulfonate Chemical compound [Ag+].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QRUBYZBWAOOHSV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HSYLTRBDKXZSGS-UHFFFAOYSA-N silver;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Ag+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F HSYLTRBDKXZSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000000371 solid-state nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- ISXOBTBCNRIIQO-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene 1-oxide Chemical compound O=S1CCCC1 ISXOBTBCNRIIQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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SnXn・(m)L
[式中、Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。Lは極性溶媒分子を示す。nは1.5~2.5を示す。mは0.3~2.8を示す。]
で表される錯体。
M1Xk・(m)L
[式中、M1はSn又はBiを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。Lは極性溶媒分子を示す。kは1.5~3.5を示す。mは0.3~2.8を示す。]
で表される錯体の製造方法であって、
一般式(3):
M1Xk
[式中、M1、X及びkは前記に同じである。]
で表される化合物の極性溶媒溶液に対して、貧溶媒を滴下する工程
を備える、製造方法。
を備える、項6に記載の製造方法。
RSnXj
[式中、Snの酸化数は1.5~2.5である。Rは少なくとも1種の1価のカチオンを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。jは2.5~3.5を示す。]
で表され、スズ酸化物が混入していない、ペロブスカイト化合物。
R2M2BiXi
[式中、Rは少なくとも1種の1価のカチオンを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。M2は1価の金属を示す。iは5.0~7.0を示す。]
で表される、ペロブスカイト化合物。
で表されるカチオンよりなる群から選ばれる少なくとも1種である、項8又は9に記載のペロブスカイト化合物。
RSnXj
[式中、Rは少なくとも1種の1価のカチオンを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。jは2.5~3.5を示す。]
、又は一般式(2B):
R2M2BiXi
[式中、R及びXは前記に同じである。M2は1価の金属を示す。iは5.0~7.0を示す。]
で表されるペロブスカイト化合物の製造方法であって、
項6又は7に記載の製造方法により得られた錯体と、
一般式(4):
RX
[式中、R及びXは前記に同じである。]
で表される化合物、及び必要に応じて一般式(5):
M2X
[式中、M2及びXは前記に同じである。]
で表される化合物とを、反応させる工程
を備える、製造方法。
で表されるカチオンよりなる群から選ばれる少なくとも1種である、項11に記載の製造方法。
本発明の錯体は、一般式(1A):
SnXn・(m)L
[式中、Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。Lは極性溶媒分子を示す。nは1.5~2.5を示す。mは0.3~2.8を示す。]
で表される錯体である。
本発明の錯体の製造方法は、一般式(1):
M1Xk・(m)L
[式中、M1はSn又はBiを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。Lは極性溶媒分子を示す。kは1.5~3.5を示す。mは0.3~2.8を示す。]
で表される錯体の製造方法であって、
一般式(3):
M1Xk
[式中、M1、X及びkは前記に同じである。]
で表される化合物の極性溶媒溶液に対して、貧溶媒を滴下する工程
を備える。
本発明のペロブスカイト化合物は、一般式(2A):
RSnXj
[式中、Snの酸化数は1.5~2.5である。Rは少なくとも1種の1価のカチオンを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。jは2.5~3.5を示す。]
で表され、スズ酸化物が混入していないか、一般式(2B):
R2M2BiXi
[式中、R及びXは前記に同じである。M2は1価の金属を示す。iは5.0~7.0を示す。]
で表され、ビスマス酸化物が混入していない。
で表されるカチオンも挙げられる。これらのカチオンは、1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。
一般式(4):
RX
[式中、R及びXは前記に同じである。]
で表される化合物、及び必要に応じて一般式(5):
M2X
[式中、M2及びXは前記に同じである。]
で表される化合物とを、反応させる工程により、本発明のペロブスカイト化合物を得ることができる。
上記のとおり、本発明の錯体及び一般式(1)で表される錯体は、細かい針状の結晶であるが、本発明の錯体及び一般式(1)で表される錯体からなる膜は略平坦な膜である。このため、本発明の錯体及び一般式(1)で表される錯体を用いて得られるペロブスカイト化合物は、略平坦なペロブスカイト層を構成することで、スズイオン(Sn2+)又はビスマスイオン(Bi3+)を高純度に含み、安定性に優れることから、ペロブスカイト型太陽電池の太陽電池特性(特に光電変換効率)を向上させることができる。
透明電極は、(正孔)ブロッキング層の支持体であるとともに、(正孔)ブロッキング層を介してペロブスカイト層(光吸収層)より電流(電子)を取り出す機能を有する層であることから、導電性基板が好ましく、光電変換に寄与する光を透過可能な透光性を有する透明導電層が好ましい。
(正孔)ブロッキング層は、正孔の漏れを防ぎ、逆電流を抑制して太陽電池特性(特に光電変換効率)を向上させるために設けられる層であり、透明電極とペロブスカイト層(光吸収層)との間に設けられることが好ましい。(正孔)ブロッキング層は、酸化チタン等の金属酸化物からなる層が好ましく、コンパクトTiO2等のn型半導体で透明電極の表面を平滑且つ緻密に覆った層がより好ましい。「緻密」とは、電子輸送層中の金属化合物の充填密度より高密度で金属化合物が充填されていることを意味する。なお、透明電極と電子輸送層とが電気的に接続されなければ、ピンホール、クラック等が存在していてもよい。
電子輸送層は、ペロブスカイト層(光吸収層)の活性表面積を増加させ、光電変換効率を向上させるとともに、電子収集しやすくするために形成される。電子輸送層は、前記(正孔)ブロッキング層の上に形成することが好ましい。
ペロブスカイト型太陽電池におけるペロブスカイト層(光吸収層)は、光を吸収し、励起された電子を移動させることにより、光電変換を行う層である。ペロブスカイト層(光吸収層)は、本発明の錯体若しくは一般式(1)で表される錯体を用いたペロブスカイト化合物、又は本発明のペロブスカイト化合物を含む層である。これにより、ペロブスカイト層を非常に平坦な層とすることができ、エネルギー変換効率(PCE)及び内部量子効率(IQE)を向上させやすい。また、ペロブスカイト層を、元素純度の高いペロブスカイト化合物からなる層とすることもできる。
正孔輸送層は、電荷を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層には、例えば、導電体、半導体、有機正孔輸送材料等を用いることができる。当該材料は、ペロブスカイト層(光吸収層)から正孔を受け取り、正孔を輸送する正孔輸送材料として機能し得る。正孔輸送層はペロブスカイト層(光吸収層)上に形成される。
金属電極は、透明電極に対向配置され、正孔輸送層の上に形成されることで、正孔輸送層と電荷のやり取りが可能である。
原料として使用したSnI2(99.9% trace metal basis, (株)高純度化学研究所)の119Sn MAS NMR及びTGA測定の結果を図1~2に示す。
グローブボックス内にてSnI2(4470mg, 12mmol; 東京化成工業(株)昇華精製品)を超脱水DMF(3mL; 和光純薬工業(株))に50℃にて溶解させた。一時間撹拌しても懸濁液が得られ、完全には溶解しなかった。残存の不溶物をPTFEフィルターにより濾過して取り除き、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約15mLゆっくり注ぎ二層拡散法での再結晶を行った。2日後、SnI2・DMFを無色針状結晶として得た。回収率72%(3876mg, 8.7mmol)。また、得られた単結晶を用いて、単結晶X線結晶構造解析により、その構造の詳細を明らかにした(図9)。
mp: 68.5-75.0℃; 119Sn MAS NMR(298MHz): δ -391.08(図10).Crystal data: C3H7I2NOSn; FW = 445.59, crystal size 0.11 × 0.11 × 0.09 mm, Monoclinic, P21/c, a = 4.4957(4)Å, b = 16.2298(14)Å, c = 12.5040(11)Å, β = 95.2852(11)°, V = 908.47(14)Å3, Z = 4, Dc = 3.258 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0164, wR2= 0.0379 (I>2σ(I)), GOF = 1.049。
グローブボックス内にてSnI2(4.3g, .11.7mmo; 東京化成工業(株)昇華精製品)を超脱水DMF(2.9mL; 和光純薬工業(株))に50℃にて溶解させた。一時間撹拌しても懸濁液が得られ、完全には溶解しなかった。残存の不溶物をPTFEフィルターにより濾過して取り除き、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約15mLゆっくり注ぎ二層拡散法での再結晶を行った。1日後、3SnI2・2DMFを橙色針状結晶として得た。回収率30%(1.2g, 0.9mmol)。
Crystal data: C6H14I6N2O2Sn3; FW = 1263.52, crystal size 0.02 × 0.06 × 0.08 mm, Orthorhombic, Pnma, a = 9.1107(11)Å, b = 27.437(3)Å, c = 9.1779(11)Å, V = 2294.2(5)Å3, Z = 8, Dc = 3.659 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0140, wR2= 0.0262 (I>2σ(I)), GOF = 1.119。
グローブボックス内にてSnI2(745mg, 2mmol; 東京化成工業(株)昇華精製品)とMAI(318mg, 2mmol; 東京化成工業(株))を超脱水DMF(1mL; 和光純薬工業(株))に50℃にて溶解させた。一時間撹拌後、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約5mLゆっくり注いだ。数日後、MASnI3の単結晶を黒色結晶として得た。本結晶がMASnI3であることは、X線構造解析により、文献値と合致することを確認した。
測定値:Cubic, Pm-3m, a = 6.21Å, V = 240Å3.文献値1:Cubic, Pm-3m, a = 6.2461(2)Å, V = 243.684(14)Å3. [ref. 1] Xutang Tao et. al., Angew. Chem. Int. Ed., 2016, 55, 3447。
グローブボックス内にて実施例1で得たSnI2・DMF(166mg, 0.37mmol)とMAI(59mg, 0.37mmol; 東京化成工業(株))を超脱水DMF(185μL; 和光純薬工業(株))に50℃にて溶解させた。5分間撹拌後(比較例1とは異なり、非常に短時間で溶解させることができた)、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液を110℃のスライドガラス上にドロップキャストし、黒色固体を得た。1時間加熱後、得られた黒色固体を回収し、粉末XRD測定を行い(図12)、得られた黒色固体がMASnI3であることを、文献値と合致することにより確認した。
測定値:2 theta = 14.1, 24.6, 28.5, 32.0, 40.8, 43.4, 48.3.文献値2:2 theta = 14.2, 24.7, 28.6, 32.0, 40.9, 43.3, 48.3.[ref. 2] Tamotsu Inabe et. al., Dalton Trans., 2011, 40, 5563。
グローブボックス内にて実施例2で得た3SnI2・2DMF(284mg, 0.23mmol)とMAI(107mg, 0.68mmol; 東京化成工業(株))を超脱水DMF(183μL; 和光純薬工業(株))に50℃にて溶解させた。5分間撹拌後(比較例1とは異なり、非常に短時間で溶解させることができた)、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液を110℃のスライドガラス上にドロップキャストし、黒色固体を得た。1時間加熱後、得られた黒色固体を回収し、粉末XRD測定を行い(図12)、得られた黒色固体がMASnI3であることを、文献値と合致することにより確認した。
測定値:2 theta = 14.2, 24.7, 28.6, 32.0, 40.9, 43.5, 48.3.文献値2:2 theta = 14.2, 24.7, 28.6, 32.0, 40.9, 43.3, 48.3.[ref. 2] Tamotsu Inabe et. al., Dalton Trans., 2011, 40, 5563。
上記のとおり、3M MASnI3の前駆体溶液を調整する際、昇華精製SnI2を使用した比較例1では完全に溶解するのに1時間かかったのに対して、実施例1のSnI2・DMFや実施例2の3SnI2・2DMFを使用した実施例3及び4では3分程度で溶解し、溶解性が劇的に向上したことが理解できる。
図13に示す微量融点測定器を用いて、実施例1で得た結晶(SnI2・DMF)をオイル(脱気したフォンブリン(登録商標))で封じることで空気酸化の影響を最小限にしつつ、加熱によりDMFの脱離温度の測定を試みた。結果を図14に示す。この結果、結晶は68.5℃付近で溶解し始め、75℃付近で急激に溶解した。このことから、加熱した場合にDMFは70℃付近で脱離してSnI2となることが理解できる。なお、後述の実施例5の結晶(SnI2・DMSO)を用いた場合も加熱することでDMSOを脱離させることが可能である。
グローブボックス内にてSnI2(429mg, 1.2mmo; 東京化成工業(株)昇華精製品)を超脱水DMSO(576μL; 和光純薬工業(株))に溶解させた。55℃にて二時間撹拌後、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約10mLゆっくり注ぎ二層拡散法での再結晶を行った。2日後、SnI2・DMSOを無色針状結晶として得た。回収率45%(235mg, 0.5mmol)。また、得られた単結晶を用いて、単結晶X線結晶構造解析により、その構造の詳細を明らかにした(図15)。また、図16に実施例5で得た化合物(SnI2・DMSO)の119Sn MAS NMRを示す。
mp: 75.0℃; Crystal data: C2H6I2OSSn; FW = 450.62, crystal size 0.18 × 0.08 × 0.05 mm, Monoclinic, P21/c, a = 4.4931(7)Å, b = 16.364(3)Å, c = 12.2211(19)Å, β = 94.7866(18)°, V = 1282.0(9)Å3, Z = 4, Dc = 3.343 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0183, wR2= 0.0344 (I>2σ(I)), GOF = 0.974。
グローブボックス内にてSnBr2(2.0g, 7.2mmol; Aldrich)を超脱水DMSO(1.8mL; 和光純薬工業(株))に溶解させた。55℃にて二時間撹拌後、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約10mLゆっくり注ぎ二層拡散法での再結晶を行った。2日後、SnBr2・2DMSOを無色針状結晶として得た。回収率70%(2.2g, 5.1mmol)。また、得られた単結晶を用いて、単結晶X線結晶構造解析により、その構造の詳細を明らかにした(図17)。また、18に実施例6で得た化合物(SnBr2・2DMSO)の119Sn MAS NMRを示す。
Crystal data: C4H12Br2O2S2Sn; FW = 433.42, crystal size 0.10 × 0.04 × 0.04 mm, Orthorhombic, Aba2, a = 10.666(2)Å, b = 13.535(3)Å, c = 8.1116(17)Å, V = 1171.0(14)Å3, Z = 4, Dc = 2.969 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0152, wR2= 0.0312 (I>2σ(I)), GOF = 0.860。
グローブボックス内にてSnF2(940mg, 6.0mmol; Aldrich)を超脱水DMSO(2.0mL; 和光純薬工業(株))に溶解させた。50℃にて30分間撹拌後、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約10mLゆっくり注ぎ二層拡散法での再結晶を行った。1日後、SnF2・DMSOを無色針状結晶として得た。回収率26%(368mg, 1.6mmol)。また、得られた単結晶を用いて、単結晶X線結晶構造解析により、その構造の詳細を明らかにした(図19)。図20に実施例7で得た化合物(SnF2・DMSO)の119Sn MAS NMRを示す。
Crystal data: C2H6F2OSSn; FW = 234.82, crystal size 0.13 × 0.11 × 0.08 mm, Triclinic, P-1, a = 5.7373(19)Å, b = 7.827(3)Å, c = 7.981(3)Å, V = 318.69(18)Å3, Z = 1, Dc = 2.694 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0144, wR2 = 0.0368 (I>2σ(I)), GOF = 1.168。
グローブボックス内にてBiI3(1769mg, 3.0mmol; Aldrich)を超脱水DMF(1.5mL; 和光純薬工業(株))に溶解させた。50℃にて一時間撹拌後、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約10mLゆっくり注ぎ、再結晶を行なった。1日後、Bi(DMF)8・Bi3I12を赤色結晶として得た。回収率84%(1852mg, 0.6mmol)。また、得られた単結晶を用いて、単結晶X線結晶構造解析により、その構造の詳細を明らかにした。
Crystal data: C24H56N8O8I12Bi4; FW = 2943.12, crystal size 0.12 × 0.10 × 0.06 mm, Monoclinic, P21/c, a = 15.1041(12)Å, b = 30.885(3)Å, c = 15.7523(13)Å, V = 6505.0(9)Å3, Z = 33, Dc = 5.330 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0349, wR2= 0.0776 (I>2σ(I)), GOF = 1.088。
グローブボックス内にてBiI3(590mg, 1.0mmol; Aldrich)を超脱水DMSO(0.5mL; 和光純薬工業(株))に溶解させた。60℃にて30分間撹拌後、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒として塩化メチレンを約3mLゆっくり注ぎ、再結晶を行なった。1日後、Bi(DMSO)8・Bi2I9を赤色結晶として得た。回収率78%(625mg, 0.3mmol)。また、得られた単結晶を用いて、単結晶X線結晶構造解析により、その構造の詳細を明らかにした。
Crystal data: C16H48O8S8I9Bi3; FW = 2377.9, crystal size 0.11 × 0.10 × 0.05 mm, Triclinic, P-1, a = 12.3313(10)Å, b = 14.8247(12)Å, c = 16.2663(13)Å, V = 2727.0(4)Å3, Z = 2, Dc = 2.919 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0284, wR2 = 0.0595 (I>2σ(I)), GOF = 1.018。
グローブボックス内にてSnBr2(1.67g, 6.0mmol; Aldrich)を超脱水DMF(1.5mL; 和光純薬工業(株))に溶解させた。50℃にて30分間撹拌後、PTFEフィルターを用いて濾過した。その後、濾液をスクリューキャップ付き試験管に移し、貧溶媒としてトルエンを約15mLゆっくり注ぎ二層拡散法での再結晶を行った。1日後、SnBr2・DMFを無色針状結晶として得た。回収率28.3%(597mg, 1.7mmol)。また、得られた単結晶を用いて、単結晶X線結晶構造解析により、その構造の詳細を明らかにした(図21)。
Crystal data: C3H7Br2NOSn; FW = 351.61, crystal size 0.14 × 0.08 × 0.05 mm, Monoclinic, P21/c, a = 4.3126(11)Å, b = 16.772(4)Å, c = 11.735(3)Å, β = 98.548(3)°, V = 839.4(4)Å3, Z = 4, Dc = 2.782 g/cm3. The refinement converged to R1 = 0.0176, wR2 = 0.0358 (I>2σ(I)), GOF = 1.003。
不活性ガス(Ar)が充填されたグローブボックス内にてSnI2(4.3g.11.7mmol;昇華精製品)を脱水及びデガスされたDMF(2.9ml)に溶解させた。50℃にて1時間攪拌した後,得られた黄色の懸濁液をPTFEフィルター(ポアサイズ0.45μm)により濾過して,不要物を取り除いた。貧溶媒としてジクロロメタン(CH2Cl2:約15mL)をゆっくり注いだ。室温で2日間静置した後,ろ過により,1.2 g (0.9 mmol, 収率30%)3SnI 2 ・2DMFの橙色の針状結晶を得た。図22に、実施例11で得た化合物(3SnI 2 ・2DMF)の119Sn MAS NMRを示す。
119Sn MAS NMR(298MHz): δ -341.33.
不活性ガス(Ar)が充填されたグローブボックス内にてSnI2(5015 mg, 13.5 mmol; 昇華精製品)を脱水及びデガスされたDMSO(8.0ml)に溶解させた。90℃にて30分攪拌した後,得られた黄色の懸濁液をPTFEフィルター(ポアサイズ0.45μm)により濾過して,不要物を取り除いた。貧溶媒としてトルエン(約40mL)をゆっくり注いだ。室温で1日間静置した後,ろ過により,6194 mg (11.7 mmol, 収率87%) のSnI 2 ・2DMSOの無色の結晶を得た。図23は、実施例12で得た化合物(SnI2・2DMSO)の単結晶X線結晶構造解析の結果である。図24は、実施例12で得た化合物(SnI2・2DMSO)の119Sn MAS NMRである。119Sn MAS NMR (298 MHz): δ -150.59. C4H12I2O2S2Snの組成計算値(%)は,C 9.09, H 2.29, N 0.00; found: C 9.18, H 2.22, N 0.00.であった。
不活性ガス(Ar)が充填されたグローブボックス内にてSnBr2(1670 mg, 6.0 mmol, 99.8%, Br based)を脱水及びデガスされたDMF(1.5 mL)に溶解させた。50℃にて30分攪拌した後,得られた無色の溶液をPTFEフィルター(ポアサイズ0.45μm)により濾過した。貧溶媒としてトルエン(約15mL)をゆっくり注いだ。室温で1日間静置した後,ろ過により,597 mg (1.7 mmol, 収率28%)のSnBr2・DMFの無色の結晶を得た。図25は、実施例13で得た化合物(SnBr2・DMF)の119Sn MAS NMRである。
119Sn MAS NMR (298 MHz): δ -365.02. C3H7BR2NOSnの組成計算値(%)は,C 10.25, H 2.01, N 3.98; found: C 10.22, H 1.94, N 3.98.であった。
不活性ガス(Ar)が充填されたグローブボックス内にてSnCl2(3.99 g, 21.0 mmol, 97%)を脱水及びデガスされたDMF(3 mL)に溶解させた。80℃にて30分攪拌した後,得られた無色の溶液をPTFEフィルターにより濾過した。貧溶媒としてトルエン(約10mL)をゆっくり注いだ。室温で1日間静置した後,ろ過により,2.71 g (10.3 mmol, 収率49%)のSnCl2・DMFの無色の針状結晶を得た。図26は、実施例14で得た化合物(SnCl2・DMF)の単結晶X線結晶構造解析の結果である。図27は、実施例14で得た化合物(SnCl2・DMF)の119Sn MAS NMRである。
119Sn MAS NMR (298 MHz): δ -329.87.
C3H7Cl2NOSnの組成計算値(%)は,C 13.72, H 2.69, N 5.53; found: C 13.74, H 2.68, N 5.35.であった。
MASnI3フィルムサンプルの作成
DMSO(1mL)内の,SnI2・2DMSO (793.2 mg, 1.5 mmol)とヨウ化メチルアンモニウム(MAI, 238.5 mg, 1.5 mmol)とを用いて,1.5MのMASnI3を得た。混合粉末を25℃にて30分かけて溶解させ,PTFEフィルター(ポアサイズ0.45μm)により濾過した。その後,得られた濾液(200 μL)を洗浄されたガラス基板上に5000rpmで7秒間スピンコート塗布した。貧溶媒の滴下を450μLのトルエンを用いて,スピンコート塗布が終わる3秒前に行った。その後,基板をホットプレート上で,35℃にて5分,45℃にて5分,及び70℃にて20分,アニール処理した。アニール処理後,MASnI3フィルム上に50 mg/mL PMMAのクロロベンゼン(PhCl)溶液を1500rpmで45秒間スピンコート塗布した。
FASnI3フィルムサンプルの作成
SnI2・2DMSO (793.2 mg, 1.5 mmol)とヨウ化ホルムアミジン(FAI, 258.0 mg, 1.5 mmol) (1:1 molar ratio)とを出発物質として用いて,1.5MのFASnI3を得た。これらの粉末は,25 ℃ にて30分かけ,3:1の容積比でDMF (0.75 mL): DMSO (0.25 mL)混合溶媒に溶解させた。濾液はPTFEフィルター(ポアサイズ0.45μm)により濾過した。その後,200 μLの濾液を洗浄されたガラス基板上に4000rpmで60秒間スピンコート塗布した。貧溶媒の滴下を450μLのトルエンを用いて,スピンコート塗布が終わる5秒前に行った。その後,基板をホットプレート上で,35℃にて5分,45℃にて5分,及び70℃にて20分,アニール処理した。アニール処理後,FASnI3フィルム上に50 mg/mL PMMAのPhCl溶液を1500rpmで45秒間スピンコート塗布した。
10 mol%のSnF2を伴うFASnI3フィルムサンプルの作成
FASnI3フィルムと類似の方法で,SnI2・2DMSO (793.2 mg, 1.5 mmol)とヨウ化ホルムアミジン(FAI, 258.0 mg, 1.5 mmol, TCI) (1:1 molar ratio)粉末を出発物質として,SnF2(23.5 mg, 0.15 mmol)と,25 ℃ にて3:1の容積比でDMF (0.75 mL): DMSO (0.25 mL)混合溶媒に溶解させた。0.45 μmのフィルターで濾過した後,200 μLの濾液(200 μL)を洗浄されたガラス基板上に4000rpmで60秒間スピンコート塗布した。貧溶媒の滴下を450μLのトルエンを用いて,スピンコート塗布が終わる5秒前に行った。その後,基板をホットプレート上で,35℃にて5分,45℃にて5分,及び70℃にて20分,アニール処理した。アニール処理後,FASnI3フィルム上に50 mg/mL PMMAのPhCl溶液を1500rpmで45秒間スピンコート塗布した。
SnI2・DMF(445 mg, 1.00 mmol) 及び MAI (158 mg, 1.00 mmol)をエタノール(3 mL)に溶解させ,この反応混合物を80℃にて30分撹拌した。この薄緑色の溶液を黒緑色の結晶性粉末(355 mg, 0.667 mmol, 67%)を得るため冷却した。この結晶性粉末は濾過によって集められ,エタノールで洗浄され,真空で乾燥された。
FASnI3の結晶サンプルの準備
MASnI3と類似の方法で,SnI2・DMF (176 mg, 0.395 mmol)及び FAI (65.4 mg, 0.380 mmol)をエタノール(1.5 mL)に溶解させた溶液から,133 mg (0.244 mmol, 61%)のFASnI3結晶性粉末を得た。
実施例20
ペロブスカイト太陽電池の作成
Claims (12)
- 一般式(1A):
SnXn・(m)L
[式中、Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。LはN,N-ジメチルホルムアミドを示す。nは1.5~2.5を示す。mは0.3~1.9を示す。]
で表される錯体。 - 前記Xがヨウ素原子又は臭素原子である、請求項1に記載の錯体。
- 針状結晶である、請求項1又は2に記載の錯体。
- ペロブスカイト前駆体である、請求項1~3のいずれかに記載の錯体。
- 一般式(1):
M1Xk・(m)L
[式中、M1はSn又はBiを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。LはN,N-ジメチルホルムアミドを示す。kは1.5~3.5を示す。mは0.3~2.8を示す。]
で表される錯体の製造方法であって、
一般式(3):
M1Xk
[式中、M1、X及びkは前記に同じである。]
で表される化合物の極性溶媒溶液に対して、貧溶媒を滴下する工程
を備える、製造方法。 - 前記貧溶媒を滴下する前に、前記極性溶媒溶液から不溶物をろ過して除去する工程
を備える、請求項5に記載の製造方法。 - 一般式(2A):
RSnXj
[式中、Rは少なくとも1種の1価のカチオンを示す。Xは少なくとも1種のハロゲン原子を示す。jは2.5~3.5を示す。]
で表されるペロブスカイト化合物の製造方法であって、
請求項1~4のいずれかに記載の錯体と、
一般式(4):
RX
[式中、R及びXは前記に同じである。]
で表される化合物、及び必要に応じて一般式(5):
M2X
[式中、M 2 は1価の金属を示し、Xは前記に同じである。]
で表される化合物とを、反応させる工程
を備える、製造方法。 - 前記反応は、極性溶媒中で行われる、請求項7又は8に記載の製造方法。
- 前記反応を行う前に、前記極性溶媒の溶液から不溶物をろ過して除去する工程
を備える、請求項9に記載の製造方法。 - 前記反応は、加熱下に行われる、請求項7~10のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1~4のいずれかに記載の錯体を用いたペロブスカイト型太陽電池。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017013651 | 2017-01-27 | ||
JP2017013651 | 2017-01-27 | ||
PCT/JP2018/002571 WO2018139607A1 (ja) | 2017-01-27 | 2018-01-26 | 錯体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018139607A1 JPWO2018139607A1 (ja) | 2019-11-14 |
JP7071739B2 true JP7071739B2 (ja) | 2022-05-19 |
Family
ID=62978485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018564665A Active JP7071739B2 (ja) | 2017-01-27 | 2018-01-26 | 錯体及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11066431B2 (ja) |
EP (1) | EP3575282A4 (ja) |
JP (1) | JP7071739B2 (ja) |
CN (1) | CN110248923A (ja) |
WO (1) | WO2018139607A1 (ja) |
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US20130320836A1 (en) | 2012-02-21 | 2013-12-05 | Northwestern University | Photoluminescent compounds |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB1008002A (en) * | 1963-03-15 | 1965-10-22 | Ici Ltd | Stannous salt complexes |
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GB201412201D0 (en) * | 2014-07-09 | 2014-08-20 | Isis Innovation | Two-step deposition process |
US10005800B2 (en) * | 2015-03-12 | 2018-06-26 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Mixed metal halide perovskite compound and semiconductor device including the same |
-
2018
- 2018-01-26 CN CN201880008452.0A patent/CN110248923A/zh active Pending
- 2018-01-26 US US16/481,463 patent/US11066431B2/en active Active
- 2018-01-26 EP EP18745427.7A patent/EP3575282A4/en active Pending
- 2018-01-26 WO PCT/JP2018/002571 patent/WO2018139607A1/ja unknown
- 2018-01-26 JP JP2018564665A patent/JP7071739B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130320836A1 (en) | 2012-02-21 | 2013-12-05 | Northwestern University | Photoluminescent compounds |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018139607A1 (ja) | 2018-08-02 |
EP3575282A4 (en) | 2021-03-17 |
US20190345176A1 (en) | 2019-11-14 |
US11066431B2 (en) | 2021-07-20 |
EP3575282A1 (en) | 2019-12-04 |
CN110248923A (zh) | 2019-09-17 |
JPWO2018139607A1 (ja) | 2019-11-14 |
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